CN107924864B - 半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片 - Google Patents

半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片 Download PDF

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Abstract

本发明涉及形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，对形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割后，对背面进行研削加工时将晶片厚度尽可能磨薄，保护凸块的凹凸部分的表面，并且能够将研磨后的半导体晶片容易分割成各个芯片。通过UV硬化型粘合层在紫外线照射之前维持高的粘结强度，而紫外线照射之后，容易剥离半导体芯片而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面，并且通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(Grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片开裂，另外，本发明具有以下效果，将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(Grinding)工艺时提高紫外线硬化型粘合片在晶片研削装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，由此能够使半导体晶片的厚度偏差达到最小。

Description

半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片
技术领域
本发明涉及一种形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，当对形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割(Half-cutting或Half-Dicing)后，使其达到最终目标的半导体晶片厚度时，背面研削加工时将晶片厚度磨薄，保护凸块的凹凸部分的表面，并且能够将研削后的半导体晶片容易分割成各个芯片。
背景技术
随着由半导体晶片的薄膜化趋势，而使晶片厚度薄成50～100μm或50μm以下，因此半导体晶片的加工方法也从现有的DAG(Dicing After Grinding)施工法转向DBG(DicingBefore Grinding)施工法。在DBG施工法中，对形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片实施半切割之后，进行背面研削时，使用用于保护形成有凸块(Bump)和电路的表面的粘合片，将其称之为DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)。
DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)是起到以下作用胶带，在半导体制造工艺中，除去晶片背面的多余的膜，将厚的背面切削至所需厚度以上，从而减小阻抗，并且该DBG用背面减薄胶带粘合在为提高热导率而研磨加工的晶片背面，从而保护电路和凸块，通过半导体晶片研削而达到最终目标的单独每个芯片，无损伤地保持均匀排列的状态。
并且，如DBG用背面减薄胶带(Back Grinding Tape)那样，对用于半导体工艺中的胶带而言，粘合剂不能残留在晶片上，并且要求未被污染的物性，使用时按产品等级明确批号(LOT NO)标识，并且应避免薄膜外观被锥子或尖锐物损伤，而且应确认在切割面、卷绕面、外观上是否有污染。
另一方面，本申请人对要求如上所述物性的半导体晶片加工用粘合片的相关技术进行了开发，已被授权，具体为韩国授权专利公报第10-0323949号(2002年01月28日授权)，发明名称为紫外线硬化型粘合剂组合物及半导体晶片加工用粘合片，韩国授权专利公报第10-0737444号(2007年07月03日授权)，发明名称为半导体晶片切割用薄膜。
以前，本申请人的已被授权的韩国授权专利公报第10-0323949号(2002年01月28日授权)紫外线硬化型粘合剂组合物及半导体晶片加工用粘合片涉及一种基材、形成在基材之上的中间层以及形成在该中间层之上的紫外线硬化型粘合剂组合物和利用该组合物的半导体晶片加工用粘合片，其特征在于，当对半导体晶片实施超薄研削时，被适当地使用，并且在半导体晶片的研削加工后，通过紫外线的照射而使其容易剥离。
并且，以前，本申请人的已被授权的另一专利文献即韩国授权专利公报第10-0737444号(2007年07月03日授权)半导体晶片切割用薄膜，其特征在于，在由电晕处理层和切割扩展层双重结构构成的半导体晶片切割用薄膜中，作为所述半导体晶片切割用薄膜材料使用超低密度树脂和低密度树脂的混合树脂，在此添加无机滑石粉，从而在切割工艺后，使得芯片提取容易，电晕处理层的粘合剂的涂覆作业顺畅，并且在晶片切断工艺时，不会使薄膜熔融地贴附在切割刀刃上，从而能够顺畅地实施切断作业。
并且，由日本琳得科公司(LINTEC CORPORATION)开发并在韩国申请的韩国公开专利公报第10-2015-0058242号(2015年05月28日公开)背面减薄片涉及一种背面减薄(BG)片，如图1(a)的BG片1a所示，它是在基材11上设有凹凸吸收层12的结构，或者如BG片1b、1c所示，它是设置粘合剂层13的结构，其包括在凹凸吸收层12上进一步设有粘合剂层13的如BG片1b所示的构成，或者在粘合剂层13上进一步设有剥离材料14的如BG片1c所示的构成。
另外，由日本古河电气工业株式会社(FURUKAWA ELECTRIC CO)开发并在韩国申请的韩国公开专利公报第10-2015-0087222号(2015年07月29日公开)半导体芯片的制造方法及用于此的薄膜研削用表面保护胶带涉及一种薄膜研削用表面保护胶带，如图2所示，粘合在半导体晶片1的表面1A的薄膜研削用表面保护胶带是一种在基材薄膜4上具有粘合剂层5的粘合胶带3的粘合剂层3上层叠粘结薄膜6而成的结构。
另外，由日本琳得科公司(LINTEC CORPORATION)开发并在韩国申请的韩国公开专利公报第10-2006-0120113号(2006年11月24日公开)表面保护片及半导体晶片的研削方法涉及一种表面保护片，如图3所示，包括：开口部3，所述开口部的直径比贴附在基材片1的一面的半导体晶片的外径小且未形成有粘合剂层；形成有粘合剂层2的部分，所述粘合剂层2形成在所述开口部3的外围，所述粘合剂层2可以是粘合剂单层，也可以是在芯材薄膜22的两面上分别设有粘合剂层21、23的两面粘合片结构。
然而，无论是本申请人的已被授权的韩国授权专利公报第10-0323949号(2002年01月28日授权)紫外线硬化型粘合剂组合物及半导体晶片加工用粘合片、韩国授权专利公报第10-0737444号(2007年07月03日授权)半导体晶片切割用薄膜，还是韩国公开专利公报第10-2015-0058242号(2015年05月28日公开)背面减薄片、韩国公开专利公报第10-2015-0087222号(2015年07月29日公开)半导体芯片的制造方法及用于此的薄膜研削用表面保护胶带、韩国公开专利公报第10-2006-0120113号(2006年11月24日公开)表面保护片及半导体晶片的研削方法来讲，虽然具有在紫外线照射之前维持高的粘结强度，而紫外线照射之后容易剥离半导体芯片，而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面的优点，然而，最近随着半导体晶片厚度超薄化，有必要完善在对形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片实施半切割后进行背面研削时，保护形成有凸块(Bump)和电路的面的功能。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了完善如上所述的问题而提出的方案，其目的在于，提供一种半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其中，所述半导体晶片是形成有电路和凸块的晶片，所述半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片的特征在于，通过UV硬化型粘合层在紫外线照射之前维持高的粘结强度，而紫外线照射之后，容易剥离半导体芯片而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面。
并且，本发明的另一目的在于，提供一种半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其中，所述半导体晶片是形成有电路和凸块的晶片，所述半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片的特征在于，通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(Grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片的开裂。
另外，本发明又一个目的在于，提供一种半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其中，所述半导体晶片是形成有电路和凸块的晶片，所述半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片的特征在于，将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(Grinding)工艺时，提高紫外线硬化型粘合片在用于研削晶片的装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，由此使半导体晶片的厚度偏差达到最小。
用于解决问题的方案
用于解决所述问题的本发明将形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片作为解决问题的方法，其特征在于，以基材层、在所述基材层的上部形成的软质层、在所述软质层的上部形成的UV硬化型粘合层及在所述UV硬化型粘合层的上部形成的离型膜层的顺序层叠的结构。
并且，基材层为三层结构，其特征在于，以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序层叠的结构，所述基材薄膜层可以从两面被电晕处理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有机硅丙烯酸酯等树脂作为底漆(Primer)处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、聚烯烃热塑性弹性体(Thermoplastic olefinic elastomer，TPO)、PU或LDPE材料薄膜中选择使用，所述硬质层为使用硬质组合物而形成的层，所述硬质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～30重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1～3重量份的硬化剂、0.01～1.0重量份的硬化促进剂、0.1～2.0重量份的颜料及10～60重量份的溶剂形成，表面粗糙薄膜层从表面粗糙处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO(Thermoplasticolefinic elastomer)、PU或LDPE材料薄膜中选择使用。
另外，软质层为使用软质组合物而形成的层，所述软质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～60重量份的填充剂、0.1～3重量份的硬化剂及10～60重量份的溶剂形成，UV硬化型粘合层为使用UV硬化型粘合组合物而形成的层，所述UV硬化型粘合组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3～15重量份的粘合力促进剂、1～10重量份的硬化剂、1～5重量份的光引发剂及10～60重量份的溶剂形成，所述离型膜层从被剥离处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)或LDPE材料薄膜中选择使用。
发明的效果
本发明的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，通过UV硬化型粘合层，在紫外线照射之前应维持高的粘结强度，而紫外线照射之后，容易剥离半导体芯片而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面，并且，通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片的开裂，另外，本发明具有如下效果：将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(grinding)工艺时，提高紫外线硬化型粘合片在用于研削晶片的装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，由此能够使半导体晶片的厚度偏差达到最小。
附图说明
图1是表示现有韩国公开专利公报第10-2015-0058242号(2015年05月28日公开)背面减薄片的背面减薄片剖面的图。
图2是表示现有韩国公开专利公报第10-2015-0087222号(2015年07月29日公开)半导体芯片的制造方法及用于此的薄膜研削用表面保护胶带的适用于半导体晶片加工工艺的薄膜研削用表面保护胶带的剖面的图。
图3是表示现有韩国公开专利公报第10-2006-0120113号(2006年11月24日公开)表面保护片及半导体晶片研削方法的表面保护片剖面的图。
图4是表示本发明的紫外线硬化型粘合片的剖面的图。
图5是对采用本发明的实施例1的紫外线硬化型粘合片对半导体晶片进行加工后的芯片状态进行拍摄的照片。(光学显微镜倍率100倍)
图6是对采用本发明的实施例1的紫外线硬化型粘合片对半导体晶片进行加工后的凸块(Bump)及凸块垫(Pad)的污染性进行拍摄的照片。(光学显微镜倍率150倍)
图7是对采用与本发明成对比的比较例1的紫外线硬化型粘合片对半导体晶片进行加工后的芯片状态进行拍摄的照片。(光学显微镜倍率100倍)
图8是对采用与本发明成对比的比较例1的紫外线硬化型粘合片对半导体晶片进行加工后的凸块(Bump)及凸块垫(Pad)的污染性进行拍摄的照片。(光学显微镜倍率50倍、100倍)
具体实施方式
对于根据本发明的形成有电路和凸块的晶片的半导体晶片进行半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，应当注意的是，参照附图，只对用于理解本发明的技术结构所需的部分进行说明，然而，为了不混淆本发明的主旨而省略其余部分的说明。
作为参考，关于本发明说明书中的术语“半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片”，在所述背景技术及附图说明以及具体实施方式中，以DBG用背面减薄片或DBG用层压胶带或薄膜研削用表面保护胶带或DBG用表面保护片记载的术语均具有相同含义的术语。
本发明的优选实施例的对于形成有电路和凸块的半导体晶片进行半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片(以下，称为“紫外线硬化型粘合片”)具有如图4所示的结构，其特征在于，是以基材层10、形成在所述基材层上部的软质层20、形成在所述软质层上部的UV硬化型粘合层30、形成在所述UV硬化型粘合层上部的离型膜层40的顺序层叠的结构。
在DBG施工法中，本发明的紫外线硬化型粘合片是DBG用背面减薄胶带(BackGrinding Tape)，该DBG用背面减薄胶带在对形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片进行半切割后的背面研削时，用于对形成有凸块(Bump)和电路的一面进行保护，并且研削半导体晶片的背面，所述紫外线硬化型粘合片具有如下特性：在紫外线照射之前需维持高的粘结强度，而紫外线照射后需要非常低的粘结强度以使半导体芯片容易剥离，另外，在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面。
以下，在构成本发明的紫外线硬化型粘合片的层叠结构中，按各个层叠体类别进行详细说明，则如下所示。
(1)基材层(Base film layer)
基材层10作为以基材薄膜层10a、硬质层10b及表面粗糙薄膜层10c的顺序层叠的三层结构，并且是在半导体晶片研削(grinding)工艺时提高紫外线硬化型粘合片在晶片研削装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，从而起到使半导体晶片的厚度偏差达到最小作用的层。
为了增加薄膜表面的湿润性以提高与硬质层10b之间的粘结力，所述基材薄膜层10a可以从如下的薄膜中选择使用，即，两面被实施了电晕处理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有机硅丙烯酸酯等树脂作为底漆处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO(Thermoplastic olefinic elastomer)、PU或LDPE材料的薄膜。电晕处理层的表面张力优选为40～46dyne/cm。在所述范围内，如果对电晕处理层进行电晕处理，则会提高湿润性，从而增强粘合剂和薄膜之间的粘结力。
所述硬质层(Hard layer)10b是用于赋予基材薄膜层10a和表面粗糙薄膜层10c之间的高粘结力和剪应力的层。
所述硬质层10b是使用硬质组合物而形成的层，所述硬质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～30重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1～3重量份的硬化剂、0.01～1.0重量份的硬化促进剂、0.1～2.0重量份的颜料及10～60重量份的溶剂形成。
优选地，所述丙烯酸酯共聚树脂由10～30重量份的丙烯酸丁酯单体、5～15重量份的丙烯酸2-乙基己酯单体、1～10重量份的甲基丙烯酸甲酯单体、1～10重量份的醋酸乙烯酯单体、0.5～5重量份的2-己基乙基甲基丙烯酸酯单体，0.5～5重量份的甲基丙烯酸缩水甘油酯单体、0.5～5重量份的丙烯酸单体、0.01～2重量份的有机过氧化物引发剂合成。
所述苯酚-甲醛树脂起到提高硬质层的粘结力及耐久性的作用，优选地，相对于100重量份的丙烯酸酯共聚树脂，混合5～30重量份的所述苯酚-甲醛树脂。当苯酚-甲醛树脂的混合量小于所述限定范围时，因粘结力不足及剪切剥离强度低下，可能会导致容易从表面处理过的所述基材薄膜层(Base film layer)10a剥离，当苯酚-甲醛树脂的混合量大于所述限定范围时，硬质层的涂层变得过脆(Brittle)，因此可能会容易折断。
所述硬化剂起到将硬质层10b以三维网状结构部分交联的作用，优选地，相对于100重量份的丙烯酸酯共聚树脂，添加0.1～3重量份的所述硬化剂。当硬化剂的混合量小于所述限定范围时，可能会无法使丙烯酸共聚物正常地部分交联，当硬化剂的添加量大于所述限定范围时，可能会导致硬质层10b的粘结力及剪切剥离强度低下。
本发明中使用的硬化剂为异氰酸酯类交联剂，具体而言，可以是2,4－甲苯二异氰酸酯、2,6－甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯或二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯中的一种或可以将一种以上化合物混合使用。
所述硬化促进剂起到辅助硬化剂的硬化作用，从而降低硬化反应的激活能，以使反应速度加快，促进部分交联的作用，优选地，相对于100重量份丙烯酸酯共聚树脂，添加0.01～1.0重量份的硬化促进剂。当硬化促进剂的添加量小于所述限定范围时，可能会使硬化反应时间变长，当硬化促进剂的添加量大于所述限定范围时，硬化反应变得极快，可能会使可用时间变短。
本发明中使用的硬化促进剂，具体地，可从二甲基环己胺(Dimethylcyclohexylamine)、三乙胺(Triethylamine)、二丁基二月桂酸锡(Dibutyltindilaurate)、醋酸钾(Potassiumacetate)中选择一种或一种以上来使用。
并且，对于本发明中使用的颜料而言，当用于半导体晶片时为了眼睛的疲劳度和环境稳定性，优选使用蓝色颜料，但可根据需要也可使用蓝色颜料以外的淡蓝色颜料或其他颜色的颜料等。作为可在本发明中使用的蓝色颜料有酞菁蓝、钴蓝、群青等，但并不特别限定。
优选地，相对于100重量份的丙烯酸酯共聚树脂，颜料的添加量为0.1～2.0重量份的颜料，但颜料的添加量并不是只局限于所述限定范围，可根据制造者的需要或需求者的要求而适当调节。
优选地，本发明中使用的溶剂相对100重量份的丙烯酸酯共聚树脂为10～60重量份。当溶剂的混合量小于所述限定范围时，由于流动性低下，在薄膜化时，可能会引起表面平整度、气泡等涂层方面的问题，当溶剂的混合量大于所述限定范围时，流动性变大且固体含量变低，可能会导致薄膜化时干燥效率降低。
所述溶剂可以选择使用甲苯、环己烷、水杨酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、异丙醇、甲基异丁基甲酮、甲基乙基酮、邻苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲酰胺中的一种或一种以上。
就所述表面粗糙薄膜层(Rough surface film)10c而言，通过引入表面粗糙薄膜层10c能够在半导体晶片的背面研削工艺中获得的效果是，在形成有包含要研削的半导体晶片的凸块(Bump)的电路的侧面与粘合片的UV硬化型粘合层30相接粘合的状态下，当粘合片的表面粗糙薄膜层10c侧面和用于晶片研削的装置即承载盘(Chuck table)的侧面相接时，界面上存在研削水(水)，在承载盘(Chuck table)侧面通过吸附将粘合片进行固定。此时，通过被固定的粘合片的表面粗糙的形成，避免发生研磨水及气泡的凝结(滞留)现象，并且提高粘合片在承载盘(Chuck table)上的固定力，由此能够实现研削工艺的稳定性和消除研削的晶片厚度偏差或者使其达到。
本发明中，用于表面粗糙薄膜层10c的薄膜可以从表面粗糙处理后的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)，TPO(Thermoplastic olefinic elastomer)、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用。
本发明中，表面粗糙处理后的薄膜的表面粗糙度Ra值优选在1～10μm，当表面粗糙度小于所述限定范围时，因研削水及气泡的凝结(滞留)现象，而在研削时，可能会导致半导体晶片开裂或破损或研削后分离成各个芯片的半导体晶片的厚度产生偏差，当表面粗糙度大于所述限定范围时，粘合片在承载盘(Chuck table)上的固定及结合力降低，可能会导致研削工艺稳定性下降。
并且，薄膜的表面粗糙处理可通过以下各种方法对薄膜表面实施粗糙处理，该方法包括：在生产所述材料的薄膜时进行粗糙处理，或用于在所述材料的普通薄膜上实施粗糙处理的涂层施工法，或通过在所述材料的普通薄膜上使用刷子(Brush)等物理方法来实施粗糙处理等。
(2)软质层(Soft layer)
所述软质层20是使用软质组合物而形成的层，其特征在于，所述软质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～60重量份的无机填料(填充剂)、0.1～3的重量份硬化剂及10～60重量份的溶剂形成。
关于所述软质组合物中使用的组成成分即丙烯酸酯共聚树脂、硬化剂及溶剂，由于在说明所述硬质组合物时已经进行了详细说明，因而在此省略其说明，仅对无机填料(填充剂)进行说明。
所述无机填料起到确保凸块(Bump)的埋设性、防止凸块(Bump)及晶片开裂等物性的作用，优选地，相对于100重量份的丙烯酸酯共聚树脂混合5～60重量份的无机填料。当无机填料的混合量超出所述限定范围时，可能会无法控制粘合剂涂覆作业时的薄膜卷曲的现象和半导体晶片切断工艺时的薄膜粘附于刀刃的现象。
本发明中使用的无机填料，具体地可从直径为3～15μm的大小的二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、碳酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、硼酸铝、钛酸钡、钛酸钙、钛酸镁、氧化铋、氧化钛、锆、锆酸钡、锆酸钙中选择一种或一种以上来使用。
并且，软质层(Soft layer)20为起到如下作用的层，即，形成有高50μm左右的凸块(Bump)和电路的半导体晶片被半切割后实施背面研削时，确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片的开裂，并且在UV照射后，粘合片从半导体晶片剥离时，防止残渣，而且使研削后的晶片厚度偏差达到最小。为了实现这种功能，在结构上需要引入软质层(Soft layer)，而且就软质层(Soft layer)而言，为确保凸块(Bump)的埋设、防止凸块(Bump)及晶片开裂、剥离后防止残渣及防止研削后的半导体晶片的厚度偏差，而引入无机填料来实现最佳的物性。
(3)UV硬化型粘合层(UV adhesive layer)
并且，UV硬化型粘合层30起到如下作用的，即，在紫外线硬化型粘合片由于形成半导体晶片的凸块(Bump)和电路而粘结在被半切割的面上，并实施背面研削时，以使分离成各芯片的状态的芯片无推挤现象或脱离且均匀排列方式保持。
即，对于所述UV硬化型粘合层30而言，在半导体晶片背面研削时，通过粘结力而没有芯片推挤或脱离的现象，在研削后，要求紫外线硬化剥离性的物性，另外，使得粘合剂成分不会残留在半导体晶片上，因此不应有污染性。
而且，所述UV硬化型粘合层30作为使用UV硬化型粘合组合物而形成的层，为使所述UV硬化型粘合组合物满足如上说明的物性，由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3～15重量份的粘合力促进剂、1～10重量份的硬化剂、1～5重量份的光引发剂及10～60重量份的溶剂形成。
所述丙烯酸酯共聚树脂以丙烯酸类粘合剂和紫外线聚合性化合物为主成分。
具体地，作为紫外线硬化型粘合剂使用的丙烯酸酯化合物，采用可通过光照而聚合的分子内含光聚合性不饱和碳键的低分子量化合物。作为具体的例子，可从丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸十八酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、双季戊四醇季戊四醇单羟基五、双季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酸缩水甘油酯及齐聚酯丙烯酸酯中选择一种或一种以上来使用。
另外，除了所述丙烯酸酯化合物以外可将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作为紫外线聚合性化合物来使用。
氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物可以是从聚酯型或聚醚型多元醇化合物、多异氰酸酯化合物，例如使2,4－甲苯二异氰酸酯、2,6－甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸或二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯等进行反应而获得的端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与含羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸，例如丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丁酯、2-羟基丁基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯及聚乙二醇甲基丙烯酸等进行反应，其中选择一种或一种以上来使用。
并且，粘合力促进剂是为了促进丙烯酸酯共聚树脂粘合组合物的粘合力而添加的，优选地，粘合力促进剂相对100重量份的丙烯酸酯共聚树脂添加3～15重量份。当粘合力促进剂的混合量小于所述限定范围时，可能降低对丙烯酸酯共聚树脂粘合组合物的粘合力的促进，当粘合力促进剂的添加量大于所述限定范围时，可能会导致UV硬化剥离性低下以及UV粘合剂残渣残留在被粘附着剂上。
所述粘合力促进剂可从官能单体中硬化性优异的丙烯酸羟乙酯化合物、松香类树脂、萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、古马隆-茚树脂、酚醛树脂中选择一种或一种以上来使用。
并且，硬化剂起到使丙烯酸酯共聚树脂及粘合力促进剂部分交联的作用，优选地，硬化剂相对100重量份的丙烯酸酯共聚树脂添加1～10重量份。当硬化剂混合量小于所述限定范围时，可能会导致丙烯酸共聚物无法正常地部分交联，当硬化剂的添加量大于所述限定范围时，可能会使粘合力急剧下降。
本发明中使用的硬化剂作为异氰酸酯类交联剂，具体地，可混合2,4－甲苯二异氰酸酯、2,6－甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯或二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯中的一种或一种以上化合物来使用。
并且，光引发剂作为被紫外线(UV)照射而分解并形成自由基的物质，优选地，相对100重量份的丙烯酸酯共聚树脂添加1～5重量份的所述光引发剂。当光引发剂的添加量小于所述限定范围时，可能会在UV照射时无法正常地开始进行反应，当光引发剂的添加量大于所述限定范围时，可能因反应速度极快且瞬间的硬化，而难以确保均匀的性能。
作为所述光引发剂可以从像苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物或过氧化合物这样的光引发剂或者像胺或醌这样的光敏剂中选择一种或一种以上来使用。具体为1-羟基环己基苯基酮、安息香、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋兰姆化一硫、偶氮二异丁腈、二苄基、双乙酰及β-氯蒽醌等。
优选地，本发明中使用的溶剂相对100重量份的丙烯酸酯共聚树脂添加10～60重量份。当溶剂的混合量小于所述限定范围时，由于流动性低下，在薄膜化时，可能会引起表面平整度、气泡等涂覆性方面的问题，当溶剂的混合量大于所述限定范围时，流动性变大且固形物含量变低，可能会导致薄膜化时干燥效率降低。
所述溶剂可以选择甲苯、环己烷、水杨酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、异丙醇、甲基异丁基甲酮、甲基乙基酮、邻苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲酰胺中的一种或一种以上来使用。
(4)离型膜层(Release film layer)
离型膜层40作为起到用于保护紫外线硬化型粘合片的保护膜的作用的层，具体地，可以从一面被剥离处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO(Thermoplasticolefinic elastomer)、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用。
如上所述的本发明的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片的基材层10为三层结构，优选地，基材薄膜层10a为40～60μm，硬质层10b为10～30μm，表面粗糙薄膜层10c为20～30μm，软质层20的厚度为80～120μm，UV硬化型粘合层30的厚度为20～50μm及离型膜层40的厚度为30～50μm，所述各层叠体的厚度并非只限于所述限定范围，可以根据制造者的需要或需求者的要求来适当地调节。
以下，通过实施例，对本发明的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片进行更详细说明。然而，以下实施例仅是为了更详细地说明本发明的一个示例而已，本发明并不由以下实施例限定。
1.紫外线硬化型粘合片的制造
(实施例1)
制造了具有以如下顺序层叠的结构的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，即，以厚度为30μm的PET材料的离型膜层40、在所述离型膜层的下部形成的厚度为50μm的UV硬化型粘合层30、在所述UV硬化型粘合层的下部形成的厚度为80μm的软质层20、在所述软质层的下部形成的基材层10的顺序层叠。
所述基材层10作为三层结构，是按如下顺序层叠的结构，即，以厚度为40μm的PET材料的基材薄膜层10a，厚度为10μm的硬质层10b、厚度为30μm的PET薄膜的两面的表面被实施了粗糙处理的表面粗糙薄膜层10c的顺序依次层叠。
并且，就所述UV硬化型粘合层30而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3重量份的作为粘合力促进剂的酚醛树脂(江南火星(株)社产品)、1重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯、1重量份的作为光引发剂的氧化膦(BASF社产品)及10重量份的作为溶剂的乙酸乙酯形成的组合物来形成粘合层。
并且，就所述软质层20而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5重量份的直径3～15μm大小的作为无机填料的氢氧化铝、0.1重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯及10重量份的作为溶剂的乙酸乙酯形成的组合物来形成软质层。
并且，就所述硬质层10b而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯、0.01重量份的作为硬化促进剂的二丁基二月桂酸锡(Sigma-Aldrich公司产品)，0.1重量份的作为颜料的酞菁蓝(江南jevisco(株)社产品)及10重量份的作为溶剂的乙酸乙酯形成的组合物来形成硬质层。
另一方面，在本实施例1中，为形成UV硬化型粘合层30、软质层20及硬质层10b而使用的丙烯酸酯共聚树脂，使用了将丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯酯、2-己基乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸单体与有机过氧化物进行反应而合成的生成物。另外，所述表面粗糙薄膜层10c以使PET薄膜的两面的表面粗糙度Ra值在1～10μm。
(实施例2)
制造了如下结构的半导体晶片背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，即，以厚度为50μm的PET材料的离型膜层40、在所述离型膜层的下部形成的厚度为20μm的UV硬化型粘合层30、在所述UV硬化型粘合层的下部形成的厚度为120μm的软质层20、在所述软质层的下部形成的基材层10的顺序依次层叠的结构。
所述基材层10为三层结构，具体地，是以厚度为60μm的PET材料的基材薄膜层10a、厚度为30μm的硬质层10b、厚度为20μm的PET薄膜的两面的表面被实施了粗糙处理的表面粗糙薄膜层10c的顺序依次层叠的结构。
并且，就所述UV硬化型粘合层30而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、15重量份的粘合力促进剂、10重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯、5重量份的作为光引发剂的氧化膦(BASF社产品)及60重量份的作为溶剂的二甲苯形成的组合物来形成粘合层。
并且，就所述软质层20而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、60重量份的直径为3～15μm大小的作为无机填料的氢氧化铝、3重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯、60重量份的作为溶剂的乙酸乙酯形成的组合物来形成软质层。
并且，就所述硬质层10b而言，可通过使用由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、30重量份的苯酚-甲醛树脂、3重量份的作为硬化剂的2,6－甲苯二异氰酸酯、1.0重量份的作为硬化促进剂的二丁基二月桂酸锡(Sigma-Aldrich公司产品)、2.0重量份的作为颜料的酞菁蓝(江南jevisco(株)社产品)及60重量份的作为溶剂的乙酸乙酯形成的组合物来形成硬质层。
另一方面，在本实施例1中，为形成UV硬化型粘合层30、软质层20及硬质层10b而使用的丙烯酸酯共聚树脂，使用了将丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯酯、2-己基乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸单体与有机过氧化物进行反应而合成的生成物。
另外，所述表面粗糙薄膜层10c被实施了刷子(Brush)粗糙处理，以使PET薄膜的两面的表面粗糙度Ra值在1～10μm。
(比较例1)
作为如图1(c)所示的结构，制造了具有以如下顺序层叠的结构的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，即，以厚度为30μm的由PET材料的离型膜形成的剥离剂层14、在所述剥离剂层的下部形成的厚度为40μm的UV硬化型粘合剂层13、在所述UV硬化型粘合剂层的下部形成的厚度为100μm的凹凸吸收层12、在所述凹凸吸收层的下部形成的厚度为30μm的PET薄膜的基材层11的顺序依次层叠。
在本比较例1中，UV硬化型粘合剂层13和凹凸吸收层12使用了与所述实施例1中使用的UV硬化型粘合组合物及软质组合物相同的组合物。
(比较例2)
作为如图2所示的结构，制造了由厚度为50μm的UV硬化型粘合剂层6、厚度为120μm的粘合剂层5、厚度为60μm的PET薄膜基材薄膜层4层叠的结构的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片。
在本比较例2中，UV硬化型粘合剂层6和粘合剂层5使用了与所述实施例2中使用的UV硬化型粘合组合物及软质组合物相同的组合物。
2.紫外线硬化型粘合片的评价
对于根据所述1的方法制造的实施例1、2及比较例1、2的(1)紫外线硬化型粘合片的UV粘合层照射前后的粘合力，(2)UV粘合层剪切剥离强度，(3)软质层的剪切弹性模量，(4)软质层的压缩应变，(5)软质层的凸块(Bump)的埋设性，(6)半导体晶片的破损率，(7)表面粗糙薄膜的表面粗糙度的承载盘(Chuck table)粘合力，(8)表面粗糙薄膜的表面粗糙度的研削后的晶片厚度偏差，(9)凸块(Bump)及凸块垫(Pad)的污染性的评价结果，如以下[表1]的内容所示。
【表1】
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3.测试方法
(1)粘合力评价
根据JIS Z 0237(KSA-1107)标准规格，在测试现场的温度23±2℃、湿度50±5％的环境下，使用测试板SUS304(T2mm×W50mm×L125mm)专用洗涤溶剂即酒精、甲苯等将表面清洗干净进行准备，并准备试验片(W25mm×L250mm)，将粘合面朝下，利用2kg的滚子(Roller)以300mm/min速度往复碾压3次进行粘贴。粘贴后，经过30分钟之后，使用拉伸试验机(Adhesion，Release tester，INSTRON MODEL 3343)用测量仪卡盘(Chuck)固定试验片和测试板的各端，采用180度剥离法以杆头速度300±30mm/min来剥离试验片，以评价粘合力。
(2)剪切剥离强度评价
将粘合片裁剪为25mm×250mm×50μm的大小，使离型膜剥离，将粘合剂层以粘贴面积呈25mm×25mm的方式粘贴在测试板SUS304一面。此时，粘合剂的粘贴，根据JIS Z 0237(KSA-1107)标准规格，用2kg的滚子以300mm/min速度往复碾压3次进行粘贴。粘贴后，经过30分钟之后，使用拉伸试验机(Adhesion，Release tester，INSTRON MODEL 3343)用测量仪卡盘(Chuck)固定试验片和测试板的各端，向垂直方向(剪断方向)以杆头速度300±30mm/min分离的时间点上评价剪切剥离强度。
(3)剪切弹性模量评价
仅由基材及不包含剥离薄膜的相应粘合剂形成的粘合片以0.5～1mm厚度制作来作为试样进行准备，利用赛默飞世尔科技公司(ThermoFisher scientific社)的哈克MARS60流变仪(HAAKE MARS 60Rheometer)，在测定条件50～130℃、1Hz下对剪切弹性模量进行测量，以常温(25℃)值进行了评价。
(4)压缩应变评价
关于压缩应变(compression set)，根据ASTM D395方法B的标准规格，制作及准备W10mm×L10mm的试验片，使用测量仪INSTRON MODEL 3343向试验片厚度方向以5mm/min的测试速度对试料施加负载进行了测量，在室温(RT，本实施例中约72℉)及157℉的两个条件下进行测量，从而对压缩应变进行了评价。
(5)凸块埋设性评价
利用覆膜机(Roll Laminator)，将UV硬化型粘合片层压(温度：50℃，速度300mm/min。)在已被半切割的形成有凸块和电路的半导体晶片(凸块高度为30μm或50μm)之后，利用光学显微镜从UV硬化型粘合片侧面观察了凸块(Bump)和电路的埋设。
(6)晶片破损率评价
如凸块埋设性评价，利用覆膜机(Roll Laminator)将UV硬化型粘合片层压(温度：50℃，速度300mm/min。)在已被半切割的形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片(凸块高度为30μm或50μm)的形成有电路的侧面，在用于研削半导体晶片背面的承载盘上接触UV硬化型粘合片面并固定，实施了半导体晶片的背面研削(Back Grinding)。研削后照射UV，剥离UV硬化型粘合片，通过光学显微镜利用下面的式子来评价了晶片破损率。
Figure BDA0001346538370000211
(7)承载盘粘合力评价
利用覆膜机(Roll Laminator)将UV硬化型粘合片层压(温度：50℃，速度300mm/min。)在850μm厚度均匀的半导体晶片的一侧侧面，在用于研削半导体晶片背面的承载盘上接触UV硬化型粘合片面并固定，实施了半导体晶片的背面研削(Back Grinding)。研削后，评价了UV硬化型粘合片在承载盘上的从初始附着位置移动的程度。
(8)晶片厚度偏差评价
如承载盘粘合力评价，利用覆膜机(Roll Laminator)将UV硬化型粘合片层压(温度：50℃，速度300mm/min。)在850μm厚度均匀的半导体晶片的一侧侧面，在用于研削半导体晶片背面的承载盘上接触UV硬化型粘合片面并固定，实施了半导体晶片背面研削(BackGrinding)。研削后，照射UV并剥离UV硬化型粘合片，利用非接触微膜测厚仪来评价半导体晶片的厚度偏差。
(9)凸块污染性评价
如晶片破损率评价，利用覆膜机(Roll Laminator)，将UV硬化型粘合片层压(温度：50℃，速度300mm/min。)在已被半切割的形成有凸块(Bump)和电路的半导体晶片(凸块考度为30μm或50μm)的形成有电路的侧面之后，在用于研削半导体晶片背面的承载盘上接触UV硬化型粘合片面并固定，实施了半导体晶片背面研削(Back Grinding)。研削后照射UV，剥离UV硬化型粘合片，通过光学显微镜对凸块污染性进行了评价。
如所述[表1]所示，实施例1、2与比较例1、2相比，下面(1)至(8)的物性评价项目均表现出优异。
并且，在比较例1中，如凸块(Bump)的开裂(Crack)、碎片(Chipping)这样的半导体晶片的破损率高，在比较例2中，因半导体晶片的破损和研削水的渗透，导致半导体晶片污染也一起发生。
作为参考，本说明书中的附图即图5至图8是拍摄实施例1及比较例1的半导体晶片的芯片加工状态及凸块(Bump)及凸块垫(Pad)的污染性的照片。
可以确认：使用本发明的实施例1的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片而加工半导体晶片之后，如图5(光学显微镜倍率100倍)所示的照片，无芯片开裂现象，如图6(光学显微镜倍率150倍)所示，凸块(Bump)(图6a)及凸块垫(Pad)(图6b)未被污染，与此相比，比较例1的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片在半导体晶片加工后，如图7(光学显微镜倍率100倍)所示照片，出现芯片开裂现象，如图8(光学显微镜倍率50倍、100倍)所示，凸块(Bump)(图8a)及凸块垫(Pad)(图8b)被污染。
如上所述，对本发明的优选实施例的形成有电路和凸块的半导体晶片的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片进行了说明，但它只是举例说明而已，对本领域技术人员而言，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可进行多种修改及变更是显而易见的。
【用于实施发明的方式】
本发明以形成有电路和凸块的半导体晶片被半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片为解决问题的方法，其特征在于，是以基材层、在所述基材层的上部形成的软质层、在所述软质层的上部形成的UV硬化型粘合层、在所述UV硬化型粘合层的上部形成的离型膜层的顺序依次层叠的结构。
另外，基材层为三层结构，其特征在于，是以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的结构，所述基材薄膜层，可以从两面被电晕处理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有机硅丙烯酸酯等树脂作为底漆(Primer)处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO、PU或LDPE材料薄膜中选择使用，所述硬质层为使用硬质组合物而形成的层，所述硬质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～30重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1～3重量份的硬化剂、0.01～1.0重量份的硬化促进剂、0.1～2.0重量份的颜料及10～60重量份的溶剂形成，表面粗糙薄膜层从被实施表面粗糙处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO、PU或LDPE材料薄膜中选择使用。
另外，软质层为使用软质组合物而形成的层，所述软质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～60重量份的填充剂、0.1～3重量份的硬化剂及10～60重量份的溶剂形成，UV硬化型粘合层为使用UV硬化型粘合组合物而形成的层，所述UV硬化型粘合组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3～15重量份的粘合力促进剂、1～10重量份的硬化剂、1～5重量份的光引发剂及10～60重量份的溶剂形成，所述离型膜层从被剥离处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺(Polyimide)、TPO、PU或LDPE材料薄膜中选择使用。
【产业上的可利用性】
本发明的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，通过UV硬化型粘合层，而在紫外线照射之前维持高的粘结强度，在紫外线照射之后，半导体芯片容易被剥离而且在剥离过程中不会将粘合剂残渣残留在半导体芯片表面，并且，通过软质层，在半导体晶片半切割后的背面研削时确保凸块(Bump)及电路的埋设性，并且在研削(grinding)工艺时保护凸块(Bump)和电路免遭外部的剪断应力的破坏，从而防止凸块(Bump)或晶片开裂，另外，本发明将基材层形成为以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序层叠的三层结构，从而在半导体晶片研削(grinding)工艺时，提高紫外线硬化型粘合片在用于研削晶片装置即承载盘(Chuck table)上的粘合力和结合力，因此具有能够使半导体晶片的厚度偏差达到最小的效果，使得在产业上期待更高的利用性。

Claims (8)

1.一种形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，是以基材层、在所述基材层的上部形成的软质层、在所述软质层的上部形成的UV硬化型粘合层以及在所述UV硬化型粘合层的上部形成的离型膜层的顺序依次层叠的结构，
其中，所述基材层为三层结构，并且是以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的结构，
其中，所述软质层是使用软质组合物而形成的层，所述软质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～60重量份的填充剂、0.1～3重量份的硬化剂及10～60重量份的溶剂形成，所述填充剂为无机填料，
其中，所述UV硬化型粘合层使用UV硬化型粘合组合物而形成的层，所述UV硬化型粘合组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3～15重量份的粘合力促进剂、1～10重量份的硬化剂、1～5重量份的光引发剂及10～60重量份的溶剂形成，
其中，作为所述离型膜层，从被剥离处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺、TPO、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用，
其中，作为所述基材薄膜层，从两面被电晕处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺、TPO、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用，
其中，所述硬质层是使用硬质组合物而形成的层，所述硬质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～30重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1～3重量份的硬化剂、0.01～1.0重量份的硬化促进剂、0.1～2.0重量份的颜料及10～60重量份的溶剂形成，
其中，所述表面粗糙薄膜层从表面粗糙处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺或LDPE材料的薄膜中选择使用。
2.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述软质层及所述硬质层中的丙烯酸酯共聚树脂由丙烯酸丁酯单体、丙烯酸2-乙基己酯单体、甲基丙烯酸甲酯单体、醋酸乙烯酯单体、2-己基乙基甲基丙烯酸酯单体、甲基丙烯酸缩水甘油酯单体、丙烯酸单体、有机过氧化物引发剂合成。
3.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述硬化剂为异氰酸酯类交联剂。
4.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述硬化促进剂从二甲基环己胺、三乙胺、二丁基二月桂酸锡、醋酸钾中选择一种或一种以上来使用。
5.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述溶剂选择使用甲苯、环己烷、水杨酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、异丙醇、甲基异丁基甲酮、甲基乙基酮、邻苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲酰胺中的一种或一种以上。
6.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述表面粗糙薄膜层的表面粗糙度Ra值为1～10μm。
7.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述填充剂从直径为3～15μm的大小的二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、碳酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、硼酸铝、钛酸钡、钛酸钙、钛酸镁、氧化铋、氧化钛、锆、锆酸钡、锆酸钙中选择一种或一种以上来使用。
8.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述粘合力促进剂从丙烯酸羟乙酯化合物、松香类树脂、萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、古马隆-茚树脂、酚醛树脂中选择一种或一种以上来使用。
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