TWI634190B - 半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其特徵在於：對形成有電路和凸塊的半導體晶片進行半切割後，對背面進行研削加工時將晶片厚度盡可能磨薄，保護凸塊的凹凸部分的表面，並且能夠將研磨後的半導體晶片容易分割成各個晶片。通過UV硬化型黏合層在紫外線照射之前維持高的黏合強度，而紫外線照射之後，容易剝離半導體晶片而且在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面，並且通過軟質層，在半導體晶片半切割後的背面研削時確保凸塊（Bump）及電路的埋設性，並且在研削（Grinding）工藝時保護凸塊（Bump）和電路免遭外部的剪應力的破壞，從而防止凸塊（Bump）或晶片開裂，另外，本發明具有以下效果，將基材層形成為以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序依次層疊的三層結構，從而在半導體晶片研削（Grinding）工藝時提高紫外線硬化型黏合片在晶片研削裝置即承載盤（Chuck table）上的黏合力和結合力，由此能夠使半導體晶片的厚度偏差達到最小。

Description

半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片
本發明涉及一種形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其特徵在於，當對形成有電路和凸塊的半導體晶片進行半切割（Half-cutting或Half-Dicing）後，使其達到最終目標的半導體晶片厚度時，背面研削加工時將晶片厚度磨薄，保護凸塊的凹凸部分的表面，並且能夠將研削後的半導體晶片容易分割成各個晶片。
隨著由半導體晶片的薄膜化趨勢，而使晶片厚度薄成50∼100㎛或50㎛以下，因此半導體晶片的加工方法也從現有的DAG（Dicing After Grinding）施工法轉向DBG（Dicing Before Grinding）施工法。在DBG施工法中，對形成有凸塊（Bump）和電路的半導體晶片實施半切割之後，進行背面研削時，使用用於保護形成有凸塊（Bump）和電路的表面的黏合片，將其稱之為DBG用背面減薄膠帶（Back Grinding Tape）。
DBG用背面減薄膠帶（Back Grinding Tape）是起到以下作用膠帶，在半導體製造工藝中，除去晶片背面的多餘的膜，將厚的背面切削至所需厚度以上，從而減小阻抗，並且該DBG用背面減薄膠帶黏合在為提高熱導率而研磨加工的晶片背面，從而保護電路和凸塊，通過半導體晶片研削而達到最終目標的單獨每個晶片，無損傷地保持均勻排列的狀態。
並且，如DBG用背面減薄膠帶（Back Grinding Tape）那樣，對用於半導體工藝中的膠帶而言，黏合劑不能殘留在晶片上，並且要求未被污染的物性，使用時按產品等級明確批號（LOT NO）標識，並且應避免薄膜外觀被錐子或尖銳物損傷，而且應確認在切割面、捲繞面、外觀上是否有污染。
另一方面，本申請人對要求如上所述物性的半導體晶片加工用黏合片的相關技術進行了開發，已被核准公告，具體為韓國核准公告專利公報第10-0323949號（2002年01月28日核准公告），發明名稱為紫外線硬化型黏合劑組合物及半導體晶片加工用黏合片，韓國核准公告專利公報第10-0737444號（2007年07月03日核准公告），發明名稱為半導體晶片切割用薄膜。
以前，本申請人的已被核准公告的韓國核准公告專利公報第10-0323949號（2002年01月28日核准公告）紫外線硬化型黏合劑組合物及半導體晶片加工用黏合片涉及一種基材、形成在基材之上的中間層以及形成在該中間層之上的紫外線硬化型黏合劑組合物和利用該組合物的半導體晶片加工用黏合片，其特徵在於，當對半導體晶片實施超薄研削時，被適當地使用，並且在半導體晶片的研削加工後，通過紫外線的照射而使其容易剝離。
並且，以前，本申請人的已被核准公告的另一專利文獻即韓國核准公告專利公報第10-0737444號（2007年07月03日核准公告）半導體晶片切割用薄膜，其特徵在於，在由電暈處理層和切割擴展層雙重結構構成的半導體晶片切割用薄膜中，做為所述半導體晶片切割用薄膜材料使用超低密度樹脂和低密度樹脂的混合樹脂，在此添加無機滑石粉，從而在切割工藝後，使得晶片提取容易，電暈處理層的黏合劑的塗覆作業順暢，並且在晶片切斷工藝時，不會使薄膜熔融地貼附在切割刀刃上，從而能夠順暢地實施切斷作業。
並且，由日本琳得科公司（LINTEC CORPORATION）開發並在韓國申請的韓國公開專利公報第10-2015-0058242號（2015年05月28日公開）背面減薄片涉及一種背面減薄（BG）片，如圖1（a）的BG片1a所示，它是在基材11上設有凹凸吸收層12的結構，或者如BG片1b、1c所示，它是設置黏合劑層13的結構，其包括在凹凸吸收層12上進一步設有黏合劑層13的如BG片1b所示的構成，或者在黏合劑層13上進一步設有剝離材料14的如BG片1c所示的構成。
另外，由日本古河電氣工業株式會社（FURUKAWA ELECTRIC CO）開發並在韓國申請的韓國公開專利公報第10-2015-0087222號（2015年07月29日公開）半導體晶片的製造方法及用於此的薄膜研削用表面保護膠帶涉及一種薄膜研削用表面保護膠帶，如圖2所示，黏合在半導體晶片1的表面1A的薄膜研削用表面保護膠帶是一種在基材薄膜4上具有黏合劑層5的黏合膠帶3的黏合劑層3上層疊黏合薄膜6而成的結構。
另外，由日本琳得科公司（LINTEC CORPORATION）開發並在韓國申請的韓國公開專利公報第10-2006-0120113號（2006年11月24日公開）表面保護片及半導體晶片的研削方法涉及一種表面保護片，如圖3所示，包括：開口部3，所述開口部的直徑比貼附在基材片1的一面的半導體晶片的外徑小且未形成有黏合劑層；形成有黏合劑層2的部分，所述黏合劑層2形成在所述開口部3的外圍，所述黏合劑層2可以是黏合劑單層，也可以是在芯材薄膜22的兩面上分別設有黏合劑層21、23的兩面黏合片結構。
然而，無論是本申請人的已被核准公告的韓國核准公告專利公報第10-0323949號（2002年01月28日核准公告）紫外線硬化型黏合劑組合物及半導體晶片加工用黏合片、韓國核准公告專利公報第10-0737444號（2007年07月03日核准公告）半導體晶片切割用薄膜，還是韓國公開專利公報第10-2015-0058242號（2015年05月28日公開）背面減薄片、韓國公開專利公報第10-2015-0087222號（2015年07月29日公開）半導體晶片的製造方法及用於此的薄膜研削用表面保護膠帶、韓國公開專利公報第10-2006-0120113號（2006年11月24日公開）表面保護片及半導體晶片的研削方法來講，雖然具有在紫外線照射之前維持高的黏合強度，而紫外線照射之後容易剝離半導體晶片，而且在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面的優點，然而，最近隨著半導體晶片厚度超薄化，有必要完善在對形成有凸塊（Bump）和電路的半導體晶片實施半切割後進行背面研削時，保護形成有凸塊（Bump）和電路的面的功能。
《發明所要解決的問題》
本發明是為了解決如上所述的問題而提出的方案，其目的在於：提供一種半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中，所述半導體晶片是形成有電路和凸塊的晶片，所述半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片的特徵在於，通過UV硬化型黏合層在紫外線照射之前維持高的黏合強度，而紫外線照射之後，容易剝離半導體晶片而且在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面。
並且，本發明的另一目的在於，提供一種半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中，所述半導體晶片是形成有電路和凸塊的晶片，所述半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片的特徵在於，通過軟質層，在半導體晶片半切割後的背面研削時確保凸塊（Bump）及電路的埋設性，並且在研削（Grinding）工藝時保護凸塊（Bump）和電路免遭外部的剪應力的破壞，從而防止凸塊（Bump）或晶片的開裂。
另外，本發明又一個目的在於，提供一種半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中，所述半導體晶片是形成有電路和凸塊的晶片，所述半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片的特徵在於，將基材層形成為以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序層疊的三層結構，從而在半導體晶片研削（Grinding）工藝時，提高紫外線硬化型黏合片在用於研削晶片的裝置即承載盤（Chuck table）上的黏合力和結合力，由此使半導體晶片的厚度偏差達到最小。 《用以解決問題的方案》
用以解決所述問題的本發明是一種將形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片做為解決問題的方法，其特徵在於，以基材層、在所述基材層的上部形成的軟質層、在所述軟質層的上部形成的UV硬化型黏合層及在所述UV硬化型黏合層的上部形成的離型膜層的順序層疊的結構。
並且，基材層為三層結構，其特徵在於，以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序層疊的結構，所述基材薄膜層可以從兩面被電暈處理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有機矽丙烯酸酯等樹脂做為底漆（Primer）處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、熱塑性聚烯烴彈性體（Thermoplastic olefinic elastomer，TPO）、PU或LDPE材料薄膜中選擇使用，所述硬質層為使用硬質組合物而形成的層，所述硬質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼30重量份的苯酚-甲醛樹脂、0.1∼3重量份的硬化劑、0.01∼1.0重量份的硬化促進劑、0.1∼2.0重量份的顏料及10∼60重量份的溶劑形成，表面粗糙薄膜層從表面粗糙處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO（Thermoplastic olefinic elastomer）、PU或LDPE材料薄膜中選擇使用。
另外，軟質層為使用軟質組合物而形成的層，所述軟質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼60重量份的填充劑、0.1∼3重量份的硬化劑及10∼60重量份的溶劑形成，UV硬化型黏合層為使用UV硬化型黏合組合物而形成的層，所述UV硬化型黏合組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、3∼15重量份的黏合力促進劑、1∼10重量份的硬化劑、1∼5重量份的光引發劑及10∼60重量份的溶劑形成，所述離型膜層從被剝離處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）或LDPE材料薄膜中選擇使用。 《發明效果》
本發明的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，通過UV硬化型黏合層，在紫外線照射之前應維持高的黏合強度，而紫外線照射之後，容易剝離半導體晶片而且在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面，並且，通過軟質層，在半導體晶片半切割後的背面研削時確保凸塊（Bump）及電路的埋設性，並且在研削（grinding）工藝時保護凸塊（Bump）和電路免遭外部的剪應力的破壞，從而防止凸塊（Bump）或晶片的開裂，另外，本發明具有如下效果：將基材層形成為以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序層疊的三層結構，從而在半導體晶片研削（grinding）工藝時，提高紫外線硬化型黏合片在用於研削晶片的裝置即承載盤（Chuck table）上的黏合力和結合力，由此能夠使半導體晶片的厚度偏差達到最小。
對於根據本發明的形成有電路和凸塊的晶片的半導體晶片進行半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，應當注意的是，參照附圖，只對用於理解本發明的技術結構所需的部分進行說明，然而，為了不混淆本發明的主旨而省略其餘部分的說明。
做為參考，關於本發明說明書中的術語“半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片”，在所述背景技術及附圖說明以及具體實施方式中，以DBG用背面減薄片或DBG用層壓膠帶或薄膜研削用表面保護膠帶或DBG用表面保護片記載的術語均具有相同含義的術語。
本發明的較佳實施例的對於形成有電路和凸塊的半導體晶片進行半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片（以下，稱為“紫外線硬化型黏合片”）具有如圖4所示的結構，其特徵在於，是以基材層10、形成在所述基材層上部的軟質層20、形成在所述軟質層上部的UV硬化型黏合層30、形成在所述UV硬化型黏合層上部的離型膜層40的順序層疊的結構。
在DBG施工法中，本發明的紫外線硬化型黏合片是DBG用背面減薄膠帶（Back Grinding Tape），該DBG用背面減薄膠帶在對形成有凸塊（Bump）和電路的半導體晶片進行半切割後的背面研削時，用於對形成有凸塊（Bump）和電路的一面進行保護，並且研削半導體晶片的背面，所述紫外線硬化型黏合片具有如下特性：在紫外線照射之前需維持高的黏合強度，而紫外線照射後需要非常低的黏合強度以使半導體晶片容易剝離，另外，在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面。
以下，在構成本發明的紫外線硬化型黏合片的層疊結構中，按各個層疊體類別進行詳細說明，詳如以下所示。
（1）基材層（Base film layer）
基材層10做為以基材薄膜層10a、硬質層10b及表面粗糙薄膜層10c的順序層疊的三層結構，並且是在半導體晶片研削（grinding）工藝時提高紫外線硬化型黏合片在晶片研削裝置即承載盤（Chuck table）上的黏合力和結合力，從而起到使半導體晶片的厚度偏差達到最小作用的層。
為了增加薄膜表面的濕潤性以提高與硬質層10b之間的黏合力，所述基材薄膜層10a可以從如下的薄膜中選擇使用，即，兩面被實施了電暈處理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有機矽丙烯酸酯等樹脂做為底漆處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO（Thermoplastic olefinic elastomer）、PU或LDPE材料的薄膜。電暈處理層的表面張力較佳為40∼46dyne/cm。在所述範圍內，如果對電暈處理層進行電暈處理，則會提高濕潤性，從而增強黏合劑和薄膜之間的黏合力。
所述硬質層（Hard layer）10b是用於賦予基材薄膜層10a和表面粗糙薄膜層10c之間的高黏合力和剪應力的層。
所述硬質層10b是使用硬質組合物而形成的層，所述硬質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼30重量份的苯酚-甲醛樹脂、0.1∼3重量份的硬化劑、0.01∼1.0重量份的硬化促進劑、0.1∼2.0重量份的顏料及10∼60重量份的溶劑形成。
較佳地，所述丙烯酸酯共聚樹脂由10∼30重量份的丙烯酸丁酯單體、5∼15重量份的丙烯酸2-乙基己酯單體、1∼10重量份的甲基丙烯酸甲酯單體、1∼10重量份的醋酸乙烯酯單體、0.5∼5重量份的2-己基乙基甲基丙烯酸酯單體，0.5∼5重量份的甲基丙烯酸縮水甘油酯單體、0.5∼5重量份的丙烯酸單體、0.01∼2重量份的有機過氧化物引發劑合成。
所述苯酚-甲醛樹脂起到提高硬質層的黏合力及耐久性的作用，較佳地，相對於100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂，混合5∼30重量份的所述苯酚-甲醛樹脂。當苯酚-甲醛樹脂的混合量小於所述限定範圍時，因黏合力不足及剪切剝離強度低下，可能會導致容易從表面處理過的所述基材薄膜層（Base film layer）10a剝離，當苯酚-甲醛樹脂的混合量大於所述限定範圍時，硬質層的塗層變得過脆（Brittle），因此可能會容易折斷。
所述硬化劑起到將硬質層10b以三維網狀結構部分交聯的作用，較佳地，相對於100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂，添加0.1∼3重量份的所述硬化劑。當硬化劑的混合量小於所述限定範圍時，可能會無法使丙烯酸共聚物正常地部分交聯，當硬化劑的添加量大於所述限定範圍時，可能會導致硬質層10b的黏合力及剪切剝離強度低下。
本發明中使用的硬化劑為異氰酸酯類交聯劑，具體而言，可以是2,4－甲苯二異氰酸酯、2,6－甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯或二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯中的一種或可以將一種以上化合物混合使用。
所述硬化促進劑起到輔助硬化劑的硬化作用，從而降低硬化反應的激活能，以使反應速度加快，促進部分交聯的作用，較佳地，相對於100重量份丙烯酸酯共聚樹脂，添加0.01∼1.0重量份的硬化促進劑。當硬化促進劑的添加量小於所述限定範圍時，可能會使硬化反應時間變長，當硬化促進劑的添加量大於所述限定範圍時，硬化反應變得極快，可能會使可用時間變短。
本發明中使用的硬化促進劑，具體地，可從二甲基環己胺（Dimethylcyclohexylamine）、三乙胺（Triethylamine）、二丁基二月桂酸錫（Dibutyltin dilaurate）、醋酸鉀（Potassiumacetate）中選擇一種或一種以上來使用。
並且，對於本發明中使用的顏料而言，當用於半導體晶片時為了眼睛的疲勞度和環境穩定性，較佳使用藍色顏料，但可根據需要也可使用藍色顏料以外的淡藍色顏料或其他顏色的顏料等。做為可在本發明中使用的藍色顏料有酞菁藍、鈷藍、群青等，但並不特別限定。
較佳地，相對於100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂，顏料的添加量為0.1∼2.0重量份的顏料，但顏料的添加量並不是只侷限於所述限定範圍，可根據製造者的需要或需求者的要求而適當調節。
較佳地，本發明中使用的溶劑相對100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂為10∼60重量份。當溶劑的混合量小於所述限定範圍時，由於流動性低下，在薄膜化時，可能會引起表面平整度、氣泡等塗層方面的問題，當溶劑的混合量大於所述限定範圍時，流動性變大且固體含量變低，可能會導致薄膜化時乾燥效率降低。
所述溶劑可以選擇使用甲苯、環己烷、水楊酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、異丙醇、甲基異丁基甲酮、甲基乙基酮、鄰苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲醯胺中的一種或一種以上。
就所述表面粗糙薄膜層（Rough surface film）10c而言，通過引入表面粗糙薄膜層10c能夠在半導體晶片的背面研削工藝中獲得的效果是，在形成有包含要研削的半導體晶片的凸塊（Bump）的電路的側面與黏合片的UV硬化型黏合層30相接黏合的狀態下，當黏合片的表面粗糙薄膜層10c側面和用於晶片研削的裝置即承載盤（Chuck table）的側面相接時，界面上存在研削水（水），在承載盤（Chuck table）側面通過吸附將黏合片進行固定。此時，通過被固定的黏合片的表面粗糙的形成，避免發生研磨水及氣泡的凝結（滯留）現象，並且提高黏合片在承載盤（Chuck table）上的固定力，由此能夠實現研削工藝的穩定性和消除研削的晶片厚度偏差或者使其達到。
本發明中，用於表面粗糙薄膜層10c的薄膜可以從表面粗糙處理後的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide），TPO（Thermoplastic olefinic elastomer）、PU或LDPE材料的薄膜中選擇使用。
本發明中，表面粗糙處理後的薄膜的表面粗糙度Ra值較佳在1∼10㎛，當表面粗糙度小於所述限定範圍時，因研削水及氣泡的凝結（滯留）現象，而在研削時，可能會導致半導體晶片開裂或破損或研削後分離成各個晶片的半導體晶片的厚度產生偏差，當表面粗糙度大於所述限定範圍時，黏合片在承載盤（Chuck table）上的固定及結合力降低，可能會導致研削工藝穩定性下降。
並且，薄膜的表面粗糙處理可通過以下各種方法對薄膜表面實施粗糙處理，該方法包括：在生產所述材料的薄膜時進行粗糙處理，或用於在所述材料的普通薄膜上實施粗糙處理的塗層施工法，或通過在所述材料的普通薄膜上使用刷子（Brush）等物理方法來實施粗糙處理等。
（2）軟質層（Soft layer）
所述軟質層20是使用軟質組合物而形成的層，其特徵在於，所述軟質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼60重量份的無機填料（填充劑）、0.1∼3的重量份硬化劑及10∼60重量份的溶劑形成。
關於所述軟質組合物中使用的組成成分即丙烯酸酯共聚樹脂、硬化劑及溶劑，由於在說明所述硬質組合物時已經進行了詳細說明，因而在此省略其說明，僅對無機填料（填充劑）進行說明。
所述無機填料起到確保凸塊（Bump）的埋設性、防止凸塊（Bump）及晶片開裂等物性的作用，較佳地，相對於100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂混合5∼60重量份的無機填料。當無機填料的混合量超出所述限定範圍時，可能會無法控制黏合劑塗覆作業時的薄膜捲曲的現象和半導體晶片切斷工藝時的薄膜黏附於刀刃的現象。
本發明中使用的無機填料，具體地可從直徑為3∼15㎛的大小的二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鈣、鈦酸鎂、氧化鉍、氧化鈦、鋯、鋯酸鋇、鋯酸鈣中選擇一種或一種以上來使用。
並且，軟質層（Soft layer）20為起到如下作用的層，即，形成有高50㎛左右的凸塊（Bump）和電路的半導體晶片被半切割後實施背面研削時，確保凸塊（Bump）及電路的埋設性，並且在研削（grinding）工藝時保護凸塊（Bump）和電路免遭外部的剪應力的破壞，從而防止凸塊（Bump）或晶片的開裂，並且在UV照射後，黏合片從半導體晶片剝離時，防止殘渣，而且使研削後的晶片厚度偏差達到最小。為了實現這種功能，在結構上需要引入軟質層（Soft layer），而且就軟質層（Soft layer）而言，為確保凸塊（Bump）的埋設、防止凸塊（Bump）及晶片開裂、剝離後防止殘渣及防止研削後的半導體晶片的厚度偏差，而引入無機填料來實現最佳的物性。
（3）UV硬化型黏合層（UV adhesive layer）
並且，UV硬化型黏合層30起到如下作用的，即，在紫外線硬化型黏合片由於形成半導體晶片的凸塊（Bump）和電路而黏合在被半切割的面上，並實施背面研削時，以使分離成各晶片的狀態的晶片無推擠現象或脫離且均勻排列方式保持。
即，對於所述UV硬化型黏合層30而言，在半導體晶片背面研削時，通過黏合力而沒有晶片推擠或脫離的現象，在研削後，要求紫外線硬化剝離性的物性，另外，使得黏合劑成分不會殘留在半導體晶片上，因此不應有污染性。
而且，所述UV硬化型黏合層30做為使用UV硬化型黏合組合物而形成的層，為使所述UV硬化型黏合組合物滿足如上說明的物性，由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、3∼15重量份的黏合力促進劑、1∼10重量份的硬化劑、1∼5重量份的光引發劑及10∼60重量份的溶劑形成。
所述丙烯酸酯共聚樹脂以丙烯酸類黏合劑和紫外線聚合性化合物為主成分。
具體地，做為紫外線硬化型黏合劑使用的丙烯酸酯化合物，採用可通過光照而聚合的分子內含光聚合性不飽和碳鍵的低分子量化合物。做為具體的例子，可從丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸十八酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、雙季戊四醇季戊四醇單羥基五、雙季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、丙烯醯胺、甲基丙烯酸縮水甘油酯及齊聚酯丙烯酸酯中選擇一種或一種以上來使用。
另外，除了所述丙烯酸酯化合物以外可將氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物做為紫外線聚合性化合物來使用。
氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物可以是從聚酯型或聚醚型多元醇化合物、多異氰酸酯化合物，例如使2,4－甲苯二異氰酸酯、2,6－甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸或二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯等進行反應而獲得的端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物與含羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸，例如丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丁酯、2-羥基丁基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯及聚乙二醇甲基丙烯酸等進行反應，其中選擇一種或一種以上來使用。
並且，黏合力促進劑是為了促進丙烯酸酯共聚樹脂黏合組合物的黏合力而添加的，較佳地，黏合力促進劑相對100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂添加3∼15重量份。當黏合力促進劑的混合量小於所述限定範圍時，可能降低對丙烯酸酯共聚樹脂黏合組合物的黏合力的促進，當黏合力促進劑的添加量大於所述限定範圍時，可能會導致UV硬化剝離性低下以及UV黏合劑殘渣殘留在被黏附著劑上。
所述黏合力促進劑可從官能單體中硬化性優異的丙烯酸羥乙酯化合物、松香類樹脂、萜烯樹脂、萜烯酚醛樹脂、古馬隆-茚樹脂、酚醛樹脂中選擇一種或一種以上來使用。
並且，硬化劑起到使丙烯酸酯共聚樹脂及黏合力促進劑部分交聯的作用，較佳地，硬化劑相對100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂添加1∼10重量份。當硬化劑混合量小於所述限定範圍時，可能會導致丙烯酸共聚物無法正常地部分交聯，當硬化劑的添加量大於所述限定範圍時，可能會使黏合力急劇下降。
本發明中使用的硬化劑做為異氰酸酯類交聯劑，具體地，可混合2,4－甲苯二異氰酸酯、2,6－甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯或二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯中的一種或一種以上化合物來使用。
並且，光引發劑做為被紫外線（UV）照射而分解並形成自由基的物質，較佳地，相對100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂添加1∼5重量份的所述光引發劑。當光引發劑的添加量小於所述限定範圍時，可能會在UV照射時無法正常地開始進行反應，當光引發劑的添加量大於所述限定範圍時，可能因反應速度極快且瞬間的硬化，而難以確保均勻的性能。
做為所述光引發劑可以從像苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物或過氧化合物這樣的光引發劑或者像胺或醌這樣的光敏劑中選擇一種或一種以上來使用。具體為1-羥基環己基苯基酮、安息香、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆化一硫、偶氮二異丁腈、二苄基、雙乙醯及β-氯蒽醌等。
較佳地，本發明中使用的溶劑相對100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂添加10∼60重量份。當溶劑的混合量小於所述限定範圍時，由於流動性低下，在薄膜化時，可能會引起表面平整度、氣泡等塗覆性方面的問題，當溶劑的混合量大於所述限定範圍時，流動性變大且固形物含量變低，可能會導致薄膜化時乾燥效率降低。
所述溶劑可以選擇甲苯、環己烷、水楊酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、異丙醇、甲基異丁基甲酮、甲基乙基酮、鄰苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲醯胺中的一種或一種以上來使用。
（4）離型膜層（Release film layer）
離型膜層40做為起到用於保護紫外線硬化型黏合片的保護膜的作用的層，具體地，可以從一面被剝離處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO（Thermoplastic olefinic elastomer）、PU或LDPE材料的薄膜中選擇使用。
如上所述的本發明的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片的基材層10為三層結構，較佳地，基材薄膜層10a為40∼60㎛，硬質層10b為10∼30㎛，表面粗糙薄膜層10c為20∼30㎛，軟質層20的厚度為80∼120㎛，UV硬化型黏合層30的厚度為20∼50㎛及離型膜層40的厚度為30∼50㎛，所述各層疊體的厚度並非只限於所述限定範圍，可以根據製造者的需要或需求者的要求來適當地調節。
以下，通過實施例，對本發明的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片進行更詳細說明。然而，以下實施例僅是為了更詳細地說明本發明的一個示例而已，本發明並不由以下實施例限定。
1．紫外線硬化型黏合片的製造 （實施例1）
製造了具有以如下順序層疊的結構的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，即，以厚度為30㎛的PET材料的離型膜層40、在所述離型膜層的下部形成的厚度為50㎛的UV硬化型黏合層30、在所述UV硬化型黏合層的下部形成的厚度為80㎛的軟質層20、在所述軟質層的下部形成的基材層10的順序層疊。
所述基材層10做為三層結構，是按如下順序層疊的結構，即，以厚度為40㎛的PET材料的基材薄膜層10a，厚度為10㎛的硬質層10b、厚度為30㎛的PET薄膜的兩面的表面被實施了粗糙處理的表面粗糙薄膜層10c的順序依次層疊。
並且，就所述UV硬化型黏合層30而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、3重量份的做為黏合力促進劑的酚醛樹脂（江南火星（株）社產品）、1重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯、1重量份的做為光引發劑的氧化膦（BASF社產品）及10重量份的做為溶劑的乙酸乙酯形成的組合物來形成黏合層。
並且，就所述軟質層20而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5重量份的直徑3∼15㎛大小的做為無機填料的氫氧化鋁、0.1重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯及10重量份的做為溶劑的乙酸乙酯形成的組合物來形成軟質層。
並且，就所述硬質層10b而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5重量份的苯酚-甲醛樹脂、0.1重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯、0.01重量份的做為硬化促進劑的二丁基二月桂酸錫（Sigma-Aldrich公司產品），0.1重量份的做為顏料的酞菁藍（江南jevisco（株）社產品）及10重量份的做為溶劑的乙酸乙酯形成的組合物來形成硬質層。
另一方面，在本實施例1中，為形成UV硬化型黏合層30、軟質層20及硬質層10b而使用的丙烯酸酯共聚樹脂，使用了將丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯酯、2-己基乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸單體與有機過氧化物進行反應而合成的生成物。另外，所述表面粗糙薄膜層10c以使PET薄膜的兩面的表面粗糙度Ra值在1∼10㎛。
（實施例2）
製造了如下結構的半導體晶片背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，即，以厚度為50㎛的PET材料的離型膜層40、在所述離型膜層的下部形成的厚度為20㎛的UV硬化型黏合層30、在所述UV硬化型黏合層的下部形成的厚度為120㎛的軟質層20、在所述軟質層的下部形成的基材層10的順序依次層疊的結構。
所述基材層10為三層結構，具體地，是以厚度為60㎛的PET材料的基材薄膜層10a、厚度為30㎛的硬質層10b、厚度為20㎛的PET薄膜的兩面的表面被實施了粗糙處理的表面粗糙薄膜層10c的順序依次層疊的結構。
並且，就所述UV硬化型黏合層30而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、15重量份的黏合力促進劑、10重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯、5重量份的做為光引發劑的氧化膦（BASF社產品）及60重量份的做為溶劑的二甲苯形成的組合物來形成黏合層。
並且，就所述軟質層20而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、60重量份的直徑為3∼15㎛大小的做為無機填料的氫氧化鋁、3重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯、60重量份的做為溶劑的乙酸乙酯形成的組合物來形成軟質層。
並且，就所述硬質層10b而言，可通過使用由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、30重量份的苯酚-甲醛樹脂、3重量份的做為硬化劑的2,6－甲苯二異氰酸酯、1.0重量份的做為硬化促進劑的二丁基二月桂酸錫（Sigma-Aldrich公司產品）、2.0重量份的做為顏料的酞菁藍（江南jevisco（株）社產品）及60重量份的做為溶劑的乙酸乙酯形成的組合物來形成硬質層。
另一方面，在本實施例1中，為形成UV硬化型黏合層30、軟質層20及硬質層10b而使用的丙烯酸酯共聚樹脂，使用了將丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯酯、2-己基乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸單體與有機過氧化物進行反應而合成的生成物。
另外，所述表面粗糙薄膜層10c被實施了刷子（Brush）粗糙處理，以使PET薄膜的兩面的表面粗糙度Ra值在1∼10㎛。
（比較例1）
做為如圖1（c）所示的結構，製造了具有以如下順序層疊的結構的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，即，以厚度為30㎛的由PET材料的離型膜形成的剝離劑層14、在所述剝離劑層的下部形成的厚度為40㎛的UV硬化型黏合劑層13、在所述UV硬化型黏合劑層的下部形成的厚度為100㎛的凹凸吸收層12、在所述凹凸吸收層的下部形成的厚度為30㎛的PET薄膜的基材層11的順序依次層疊。
在本比較例1中，UV硬化型黏合劑層13和凹凸吸收層12使用了與所述實施例1中使用的UV硬化型黏合組合物及軟質組合物相同的組合物。
（比較例2）
做為如圖2所示的結構，製造了由厚度為50㎛的UV硬化型黏合劑層6、厚度為120㎛的黏合劑層5、厚度為60㎛的PET薄膜基材薄膜層4層疊的結構的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片。
在本比較例2中，UV硬化型黏合劑層6和黏合劑層5使用了與所述實施例2中使用的UV硬化型黏合組合物及軟質組合物相同的組合物。
2．紫外線硬化型黏合片的評價
對於根據所述1的方法製造的實施例1、2及比較例1、2的（1）紫外線硬化型黏合片的UV黏合層照射前後的黏合力，（2）UV黏合層剪切剝離強度，（3）軟質層的剪切彈性模量，（4）軟質層的壓縮應變，（5）軟質層的凸塊（Bump）的埋設性，（6）半導體晶片的破損率，（7）表面粗糙薄膜的表面粗糙度的承載盤（Chuck table）黏合力，（8）表面粗糙薄膜的表面粗糙度的研削後的晶片厚度偏差，（9）凸塊（Bump）及凸塊墊（Pad）的污染性的評價結果，如以下[表1]的內容所示。
[表1]
3．測試方法 （1）黏合力評價
根據JIS Z 0237 （KSA-1107）標準規格，在測試現場的溫度23±2℃、濕度50±5%的環境下，使用測試板SUS304（T2mm×W50mm×L125mm）專用洗滌溶劑即酒精、甲苯等將表面清洗乾淨進行準備，並準備試驗片（W25mm×L250mm），將黏合面朝下，利用2kg的滾子（Roller）以300mm/min速度往復碾壓3次進行黏貼。黏貼後，經過30分鐘之後，使用拉伸試驗機（Adhesion，Release tester，INSTRON MODEL 3343）用測量儀卡盤（Chuck）固定試驗片和測試板的各端，採用180度剝離法以杆頭速度300±30mm/min來剝離試驗片，以評價黏合力。
（2）剪切剝離強度評價
將黏合片裁剪為25mm×250mm×50㎛的大小，使離型膜剝離，將黏合劑層以黏貼面積呈25mm×25mm的方式黏貼在測試板SUS304一面。此時，黏合劑的黏貼，根據JIS Z 0237 （KSA-1107）標準規格，用2kg的滾子以300mm/min速度往復碾壓3次進行黏貼。黏貼後，經過30分鐘之後，使用拉伸試驗機（Adhesion，Release tester，INSTRON MODEL 3343）用測量儀卡盤（Chuck）固定試驗片和測試板的各端，向垂直方向（剪斷方向）以杆頭速度300±30mm/min分離的時間點上評價剪切剝離強度。
（3）剪切彈性模量評價
僅由基材及不包含剝離薄膜的相應黏合劑形成的黏合片以0.5∼1mm厚度製作來做為試樣進行準備，利用賽默飛世爾科技公司（ThermoFisher scientific社）的哈克MARS60流變儀（HAAKE MARS 60 Rheometer），在測定條件50∼130℃、1Hz下對剪切彈性模量進行測量，以常溫（25℃）值進行了評價。
（4）壓縮應變評價
關於壓縮應變（compression set），根據ASTM D395方法B的標準規格，製作及準備W10mm×L10mm的試驗片，使用測量儀INSTRON MODEL 3343向試驗片厚度方向以5mm/min的測試速度對試料施加負載進行了測量，在室溫（RT，本實施例中約72℉）及157℉的兩個條件下進行測量，從而對壓縮應變進行了評價。
（5）凸塊埋設性評價
利用覆膜機（Roll Laminator），將UV硬化型黏合片層壓（溫度：50℃，速度300mm/min。）在已被半切割的形成有凸塊和電路的半導體晶片（凸塊高度為30㎛或50㎛）之後，利用光學顯微鏡從UV硬化型黏合片側面觀察了凸塊（Bump）和電路的埋設。
（6）晶片破損率評價
如凸塊埋設性評價，利用覆膜機（Roll Laminator）將UV硬化型黏合片層壓（溫度：50℃，速度300mm/min。）在已被半切割的形成有凸塊（Bump）和電路的半導體晶片（凸塊高度為30㎛或50㎛）的形成有電路的側面，在用於研削半導體晶片背面的承載盤上接觸UV硬化型黏合片面並固定，實施了半導體晶片的背面研削（Back Grinding）。研削後照射UV，剝離UV硬化型黏合片，通過光學顯微鏡利用下面的式子來評價了晶片破損率。
（7）承載盤黏合力評價
利用覆膜機（Roll Laminator）將UV硬化型黏合片層壓（溫度：50℃，速度300mm/min。）在850㎛厚度均勻的半導體晶片的一側側面，在用於研削半導體晶片背面的承載盤上接觸UV硬化型黏合片面並固定，實施了半導體晶片的背面研削（Back Grinding）。研削後，評價了UV硬化型黏合片在承載盤上的從初始附著位置移動的程度。
（8）晶片厚度偏差評價
如承載盤黏合力評價，利用覆膜機（Roll Laminator）將UV硬化型黏合片層壓（溫度：50℃，速度300mm/min。）在850㎛厚度均勻的半導體晶片的一側側面，在用於研削半導體晶片背面的承載盤上接觸UV硬化型黏合片面並固定，實施了半導體晶片背面研削（Back Grinding）。研削後，照射UV並剝離UV硬化型黏合片，利用非接觸微膜測厚儀來評價半導體晶片的厚度偏差。
（9）凸塊污染性評價
如晶片破損率評價，利用覆膜機（Roll Laminator），將UV硬化型黏合片層壓（溫度：50℃，速度300mm/min。）在已被半切割的形成有凸塊（Bump）和電路的半導體晶片（凸塊考度為30㎛或50㎛）的形成有電路的側面之後，在用於研削半導體晶片背面的承載盤上接觸UV硬化型黏合片面並固定，實施了半導體晶片背面研削（Back Grinding）。研削後照射UV，剝離UV硬化型黏合片，通過光學顯微鏡對凸塊污染性進行了評價。
如所述[表1]所示，實施例1、2與比較例1、2相比，下面（1）至（8）的物性評價項目均表現出優異。
並且，在比較例1中，如凸塊（Bump）的開裂（Crack）、碎片（Chipping）這樣的半導體晶片的破損率高，在比較例2中，因半導體晶片的破損和研削水的滲透，導致半導體晶片污染也一起發生。
做為參考，本說明書中的附圖即圖5至圖8是拍攝實施例1及比較例1的半導體晶片的晶片加工狀態及凸塊（Bump）及凸塊墊（Pad）的污染性所得到的照片。
可以確認：使用本發明的實施例1的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片而加工半導體晶片之後，如圖5（光學顯微鏡倍率100倍）所示的照片，無晶片開裂現象，如圖6（光學顯微鏡倍率150倍）所示，凸塊（Bump）（圖6a）及凸塊墊（Pad）（圖6b）未被污染，與此相比，比較例1的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片在半導體晶片加工後，如圖7（光學顯微鏡倍率100倍）所示照片，出現晶片開裂現象，如圖8（光學顯微鏡倍率50倍、100倍）所示，凸塊（Bump）（圖8a）及凸塊墊（Pad）（圖8b）被污染。
如上所述，對本發明的較佳實施例的形成有電路和凸塊的半導體晶片的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片進行了說明，但它只是舉例說明而已，對本領域技術人員而言，在不脫離本發明的技術思想的範圍內，可進行多種修改及變更是顯而易見的。
《用以實施發明的方式》
本發明以形成有電路和凸塊的半導體晶片被半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片為解決問題的方法，其特徵在於，是以基材層、在所述基材層的上部形成的軟質層、在所述軟質層的上部形成的UV硬化型黏合層、在所述UV硬化型黏合層的上部形成的離型膜層的順序依次層疊的結構。
另外，基材層為三層結構，其特徵在於，是以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序依次層疊的結構，所述基材薄膜層，可以從兩面被電暈處理或氨基甲酸乙酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯、有機矽丙烯酸酯等樹脂做為底漆（Primer）處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO、PU或LDPE材料薄膜中選擇使用，所述硬質層為使用硬質組合物而形成的層，所述硬質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼30重量份的苯酚-甲醛樹脂、0.1∼3重量份的硬化劑、0.01∼1.0重量份的硬化促進劑、0.1∼2.0重量份的顏料及10∼60重量份的溶劑形成，表面粗糙薄膜層從被實施表面粗糙處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO、PU或LDPE材料薄膜中選擇使用。
另外，軟質層為使用軟質組合物而形成的層，所述軟質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5∼60重量份的填充劑、0.1∼3重量份的硬化劑及10∼60重量份的溶劑形成，UV硬化型黏合層為使用UV硬化型黏合組合物而形成的層，所述UV硬化型黏合組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、3∼15重量份的黏合力促進劑、1∼10重量份的硬化劑、1∼5重量份的光引發劑及10∼60重量份的溶劑形成，所述離型膜層從被剝離處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺（Polyimide）、TPO、PU或LDPE材料薄膜中選擇使用。
《產業可利用性》
本發明的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，通過UV硬化型黏合層，而在紫外線照射之前維持高的黏合強度，在紫外線照射之後，半導體晶片容易被剝離而且在剝離過程中不會將黏合劑殘渣殘留在半導體晶片表面，並且，通過軟質層，在半導體晶片半切割後的背面研削時確保凸塊（Bump）及電路的埋設性，並且在研削（grinding）工藝時保護凸塊（Bump）和電路免遭外部的剪斷應力的破壞，從而防止凸塊（Bump）或晶片開裂，另外，本發明將基材層形成為以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序層疊的三層結構，從而在半導體晶片研削（grinding）工藝時，提高紫外線硬化型黏合片在用於研削晶片裝置即承載盤（Chuck table）上的黏合力和結合力，因此具有能夠使半導體晶片的厚度偏差達到最小的效果，使得在產業上期待更高的利用性。
10‧‧‧基材層
10a‧‧‧基材薄膜層
10b‧‧‧硬質層
10c‧‧‧表面粗糙薄膜層
20‧‧‧軟質層
30‧‧‧UV硬化型黏合層
40‧‧‧離型膜層
圖1是顯示現有韓國公開專利公報第10-2015-0058242號（2015年05月28日公開）背面減薄片的背面減薄片剖面的圖。 圖2是顯示現有韓國公開專利公報第10-2015-0087222號（2015年07月29日公開）半導體晶片的製造方法及用於此的薄膜研削用表面保護膠帶的適用於半導體晶片加工工藝的薄膜研削用表面保護膠帶的剖面的圖。 圖3是顯示現有韓國公開專利公報第10-2006-0120113號（2006年11月24日公開）表面保護片及半導體晶片研削方法的表面保護片剖面的圖。 圖4是顯示本發明的紫外線硬化型黏合片的剖面的圖。 圖5是對採用本發明的實施例1的紫外線硬化型黏合片對半導體晶片進行加工後的晶片狀態進行拍攝所得到的照片。（光學顯微鏡倍率100倍） 圖6是對採用本發明的實施例1的紫外線硬化型黏合片對半導體晶片進行加工後的凸塊（Bump）及凸塊墊（Pad）的污染性進行拍攝所得到的照片。（光學顯微鏡倍率150倍） 圖7是對採用與本發明成對比的比較例1的紫外線硬化型黏合片對半導體晶片進行加工後的晶片狀態進行拍攝所得到的照片。（光學顯微鏡倍率100倍） 圖8是對採用與本發明成對比的比較例1的紫外線硬化型黏合片對半導體晶片進行加工後的凸塊（Bump）及凸塊墊（Pad）的污染性進行拍攝所得到的照片。（光學顯微鏡倍率50倍、100倍）

Claims (8)

  1. 一種形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其特徵在於：該黏合片是以基材層、在所述基材層的上部形成的軟質層、在所述軟質層的上部形成的UV硬化型黏合層、以及在所述UV硬化型黏合層的上部形成的離型膜層的順序依次層疊的結構；其中該基材層為以基材薄膜層、硬質層及表面粗糙薄膜層的順序依次層疊而成的三層結構，該基材薄膜層為從兩面被電暈處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺、TPO、PU、或LDPE中選擇使用的材料所形成；該硬質層是使用硬質組合物而形成的層；該硬質組合物為由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5~30重量份的苯酚-甲醛樹脂、0.1~3重量份的硬化劑、0.01~1.0重量份的硬化促進劑、0.1~2.0重量份的顏料、及10~60重量份的溶劑形成；該表面粗糙薄膜層為從表面粗糙處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺、或LDPE中選擇使用的材料所形成；該軟質層是使用軟質組合物而形成的層；該軟質組合物由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、5~60重量份的填充劑、0.1~3重量份的硬化劑、及10~60重量份的溶劑形成；該UV硬化型黏合層為使用UV硬化型黏合組合物而形成的層，該UV硬化型黏合組合物為由100重量份的丙烯酸酯共聚樹脂、3~15重量份的黏合力促進劑、1~10重量份的該硬化劑、1~5重量份的光引發劑、及10~60重量份的該溶劑形成；該離型膜層為從被剝離處理的PET、LLDPE、EVA、聚醯亞胺、TPO、PU、或LDPE中選擇使用的材料所形成。
  2. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該丙烯酸酯共聚樹脂係由丙烯酸丁酯單體、丙烯酸2-乙基己酯單體、甲基丙烯酸甲酯單體、醋酸乙烯酯單體、2-己基乙基甲基丙烯酸酯單體、甲基丙烯酸縮水甘油酯單體、的丙烯酸單體、及有機過氧化物引發劑所合成而得。
  3. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該硬化劑係異氰酸酯類交聯劑。
  4. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該硬化促進劑係二甲基環己胺(Dimethylcyclohexylamine)、三乙胺(Triethylamine)、二丁基二月桂酸錫(Dibutyltin dilaurate)、醋酸鉀(Potassiumacetate)中之一種或一種以上。
  5. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該溶劑係甲苯、環己烷、水楊酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、異丙醇、甲基異丁基甲酮、甲基乙基酮、鄰苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲醯胺中的一種或一種以上。
  6. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該表面粗糙薄膜層的表面粗糙度Ra值為1~10μm。
  7. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該填充劑係直徑為3~15μm的大小的二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鈣、鈦酸鎂、氧化鉍、氧化鈦、鋯、鋯酸鋇、鋯酸鈣中選擇一種或一種以上。
  8. 如請求項1所述之形成有電路和凸塊的半導體晶片半切割後的背面研削加工用紫外線硬化型黏合片，其中該黏合力促進劑係丙烯酸羥乙酯化合物、松香類樹脂、萜烯樹脂、萜烯酚醛樹脂、古馬隆-茚樹脂、酚醛樹脂中之一種或一種以上。
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