TWI671379B - 背面研磨膠帶用基材、及背面研磨膠帶 - Google Patents

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Abstract

本發明之背面研磨膠帶用基材，其係具備楊氏模數600MPa以上之基材薄膜、與設置於該基材薄膜之一方之面之緩衝層，該緩衝層係由含有胺基甲酸酯之硬化物所形成之同時，tanδ之峰值溫度為60℃以下。

Description

背面研磨膠帶用基材、及背面研磨膠帶
本發明係關於在研磨半導體晶圓的背面之際，為了保護電路而在晶圓表面上所貼附的背面研磨膠帶及該基材，特別是關於在預先切割法中所使用的背面研磨膠帶及該基材。
半導體晶圓在表面上形成電路後，為了調整晶圓厚度，一般為對晶圓背面側施予研磨加工。在晶圓背面被研磨加工之際，在晶圓表面上貼附著用來保護電路的被稱為背面研磨膠帶的黏著薄片。
又，近年藉由從晶圓表面側切割進行開槽之後，研磨晶圓背面側至到達溝槽為止，因此，晶圓被個體化成為晶片，係被稱為預先切割法，有具有藉由該方法來製造半導體晶片(例如參考專利文獻1)。利用預先切割法將可得到極薄的半導體晶片，但晶片容易變得脆弱，且晶圓被個體化成為晶片之際，在半導體晶片的四個角等將產生缺損(缺角)，又，晶片微小移動使得晶片的排列性變亂，亦有所謂的劃痕偏離(kerf shift)之問題。
已知以往作為預先切割用的背面研磨膠帶，係由：剛性基材、設置於該剛性基材之一方之面的緩衝層、與設置於該剛性基材之另一方之面的黏著劑層所構成的。該背面研磨膠帶，藉由將剛性基材的楊氏模數設為1000Mpa以上，同時將緩衝層的tanδ最大值設為0.5以上，而使得分割後的晶片排列性為良好，同時減低被個體化的半導體晶片所產生的缺損等(例如參考專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平6-85055號公報
[專利文獻2]日本特開2005-343997號公報
然而，被貼附背面研磨膠帶的晶圓，通常緩衝層側以與多孔台(porous table)相接之方式配置後，一般為藉由負壓被固定於多孔台來做研磨。
但是，如同專利文獻2般，若使用具有剛性高的基材的背面研磨膠帶時，半導體晶圓會有於研磨時產生抖動等，並在該邊緣產生微小的缺損、產生晶圓破裂之情形。如同專利文獻2般僅增大tanδ的最大值，無法充分地防止在此研磨時所產生之晶圓邊緣的缺損。
本發明有鑑於上述問題點，本發明之課題係即使背面研磨膠帶為具有剛性高的基材之情形時，於晶圓研磨時亦能抑制在晶圓邊緣部產生微小的缺損。
本發明者為解決上述課題經深入研究之結果發現，在背面研磨膠帶中使用剛性高的基材之情形時，為了防止研磨時產生的晶圓缺損，必須將緩衝層的tanδ之峰值溫度設為低溫，而完成以下之本發明。
即，本發明係提供以下之(1)~(3)者。
(1)一種背面研磨膠帶用基材，其係具備楊氏模數600MPa以上之基材薄膜、與設置於該基材薄膜之一方之面之緩衝層，該緩衝層係由含有胺基甲酸酯之硬化物所形成之同時，tanδ之峰值溫度為60℃以下。
(2)如上述(1)之背面研磨膠帶用基材，其中，前述含有胺基甲酸酯之硬化物係使含有胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物與能量線聚合性單體之樹脂組成物硬化而成者，前述能量線聚合性單體包含具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯。
(3)一種背面研磨膠帶，其係具備上述(1)或(2)之背面研磨膠帶用基材、與黏著劑層，該黏著劑層係設置於前述基材薄膜之與設置有緩衝層之一方之面為相反側之面。
本發明為即使在背面研磨膠帶中使用剛性高的基材之情形時，於晶圓研磨時亦能抑制在晶圓邊緣部產生微小的缺損。
[實施發明之最佳形態]
以下，利用實施形態來對於本發明更詳細地說明。
尚，本說明書中，「(甲基)丙烯醯基」係可使用作為代表「丙烯醯基」或「甲基丙烯醯基」之一者或兩者之用語。又，「(甲基)丙烯酸酯」係可使用作為代表「丙烯酸酯」或「甲基丙烯酸酯」之一者或兩者之用語。
本發明之背面研磨膠帶用基材係具備基材薄膜、與設置於該基材薄膜之一方之面之緩衝層。
又，本發明之背面研磨膠帶，在前述背面研磨膠帶用基材、和與設置有前述基材薄膜之緩衝層之一方之面為相反側之面層合黏著劑層而成。本發明之背面研磨膠帶係透過黏著劑層而被貼附在半導體晶圓之表面上，在半導體晶圓的背面被研磨之際，保護設置於半導體晶圓的表面的電路等。
以下，對於本發明之背面研磨膠帶用基材及背面研磨膠帶之各構件更詳細地說明。
[基材薄膜]
本發明之基材薄膜，楊氏模數為600MPa以上。本發明中，若基材薄膜的楊氏模數為未滿600MPa時，基材的剛性將變低、且藉由基材的晶圓之支撐性能將為降低。因此，在例如進行預先切割法之際，於研磨時晶圓雖被個體化成為晶片，但此時將產生晶片的位置偏移，而於晶片的排列性會有問題產生。又，即使是不進行預先切割法之情形時，藉由基材薄膜的楊氏模數為600MPa以上，具有可抑制起因於晶圓中之殘留應力所造成的晶圓翹曲之優點。
基材薄膜之楊氏模數，較佳為600~30000MPa，又較佳為1000~10000MPa。藉由將楊氏模數設為此等上限值以下，在剝離背面研磨膠帶之際，可減少在晶圓或晶片中所作用的應力。又，藉由將楊氏模數設為1000MPa以上，可提昇基材薄膜之支撐性能，且在預先切割法中使用之情形時，可更降低晶片的位置偏移。
作為上述基材薄膜，可舉例由聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、全芳香族聚酯、聚醚酮、聚醯亞胺、聚丙烯等所成的樹脂薄膜，但以聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯薄膜為較佳，特別以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為較佳。基材薄膜係可為無拉伸、單軸拉伸、雙軸拉伸中的任一者。又，基材薄膜適當選擇如上述材料等後亦可為單層構造，但由多層所成者亦可。
基材薄膜的厚度例如為10~150μm，較佳為25~130μm。本發明中，藉由將厚度設為如此般的範圍內，可使基材薄膜的支撐性能更加良好。
[緩衝層]
本發明之緩衝層係由含有胺基甲酸酯之硬化物所形成之同時，tanδ之峰值溫度為60℃以下。
被貼附背面研磨膠帶的晶圓係如後述般，一般為藉由負壓被固定於多孔台，但此時背面研磨膠帶的最外層中所配置的緩衝層將成為與多孔台相接的層。本發明之緩衝層藉由含有胺基甲酸酯之硬化物所形成，由於剛性相對為低而易於追隨多孔台，故相較於與剛性高的本發明之基材薄膜的直接固定，可更堅固地固定於多孔台。
又，對透過本發明之背面研磨膠帶而被固定於多孔台的半導體晶圓開始研磨時，半導體晶圓會緩慢地昇溫。於此，如本發明般當緩衝層的tanδ之峰值溫度為60℃以下時，研磨開始後，可相對於早期展現出緩衝層之對於多孔台之追隨性，且推測可抑制殘留應力之產生，並可抑制晶圓邊緣的缺損。特別是如本發明般當使用剛性高的支撐薄膜之情形時，對昇溫時的多孔台之追隨性有變差的傾向，但藉由設置tanδ之峰值溫度為60℃以下的緩衝層可使追隨性成為良好。
為了使緩衝層之對於多孔台之追隨性更加良好，且使晶圓邊緣的缺損減低，tanδ之峰值溫度係以設為 57℃以下為較佳，設為45℃以下為又較佳。又，tanδ之峰值溫度係通常為20℃以上，較佳為30℃以上。
又，本發明中，上述tanδ的峰值係以0.5以上為較佳。藉由峰值成為0.5以上，因為經由緩衝層將易於吸收衝擊，故將易於抑制晶圓邊緣的缺損、或在預先切割法中被個體化的晶片所產生的缺損。又，就可更加抑制晶圓邊緣的缺損等之觀點而言，上述tanδ的峰值係以0.7以上為又較佳，0.85以上為特佳。
又，tanδ的峰值無特別限定，但通常為1.5以下，較佳為1.15以下。
尚，所謂tanδ，被稱為損失正切，係以損耗模數/儲存模數來定義。具體而言，藉由後述的測定方法使用動態黏彈性測定裝置進行測定。
又，緩衝層的厚度例如為5~100μm，較佳為15~80μm。
形成本發明之緩衝層之含有胺基甲酸酯之硬化物為能量線硬化型樹脂組成物、或熱硬化型樹脂組成物等之硬化樹脂組成物者，較佳為使用能量線硬化型樹脂組成物。又，能量線硬化型樹脂組成物，較佳使用將能量線聚合性的胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物作為主劑者。
上述胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物係具有(甲基)丙烯醯基、胺基甲酸酯鍵的化合物，例如可使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應，對於反應後所得的末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，再使其與具有羥基的(甲 基)丙烯酸酯等反應而得到。
本發明之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，上述多元醇化合物，係以聚醚多元醇或聚酯多元醇的聚醚系胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物或聚酯系胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物為較佳；以聚醚系胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物為又較佳。
作為上述的多元異氰酸酯化合物，可舉例2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷4,4-二異氰酸酯等。又，作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，可舉例(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等。
如此般的胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，係在分子內具有能量線聚合性雙鍵，並藉由紫外線等之能量線照射來聚合硬化而形成被膜。
本發明中較佳所使用的胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物的重量平均分子量，較佳為1000~50000，更佳為2000~30000的範圍內。藉由將重量平均分子量設為如此般的範圍內，易於將tanδ之峰值溫度設為60℃以下，又，可使緩衝層的彈性率或成膜性成為適當。
尚，本說明書中，所謂重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定的標準聚苯乙烯換算值。
上述胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物係可使用單獨一種、或組合二種以上來使用。
用來形成緩衝層的樹脂組成物，以進而含有 能量線聚合性單體為較佳。樹脂組成物若只含有胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物時，成膜為困難之情形很多，但藉由能量線聚合性單體來稀釋，而成膜性將易於良好。作為能量線聚合性單體，可舉例在分子內具有能量線聚合性雙鍵，並具有體積相對為大的基之單體。
如此般的能量線聚合性單體，具體而言可舉例(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等、具有雙環、三環等之多環的脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯等的具有單環的脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等的具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎啉酯等的具有雜環式構造的(甲基)丙烯酸酯；或N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的具有雜環式構造的(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基單體等，但此等之中，以各種的(甲基)丙烯酸酯為較佳。又，能量線聚合性單體並非限定於上述，亦可使用例如多官能(甲基)丙烯酸酯等。
相對於胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物100質量份，能量線聚合性單體係較佳為10~500質量份，又較佳為30~200質量份，特佳為50~180質量份的比例來使用。藉由將能量線聚合性單體的調配量設為上述範圍內，可使緩衝層的成膜性成為良好，同時易於將tanδ之峰值 溫度設為60℃以下。
上述能量線聚合性單體係可單獨使用1種、或亦可組合2種以上來使用。例如在上述樹脂組成物中，以調配具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯為較佳。又，亦可併用具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯與其他的能量線聚合性單體。例如作為與具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯一起使用的其他的能量線聚合性單體，只要是使用具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯即可。此時，相對於具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯，具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯，就質量比而言較佳為0.1~2.0的比例，又較佳為0.2~1.5，特佳為0.3~0.8的比例來調配。
如此般地，當使用具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯時，將緩衝層的彈性率設為適當的值，同時易於使tanδ之峰值溫度成為低溫。
尚，作為具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯，可示例例如(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等，以使用具有苯基等的芳基與羥基的(甲基)丙烯酸酯為較佳。
又，作為具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯，以具有多環的脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯為較佳，作為該適當的例子，可舉例在上述所示例之中的(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯。
又，亦可僅由具有多環的脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯來構成能量線聚合性單體。
由能量線硬化型樹脂組成物來形成本發明之 含有胺基甲酸酯之硬化物之情形時，在該組成物中亦可調配光聚合起始劑。藉由調配光聚合起始劑，可減少藉由光照射的聚合硬化時間以及光照射量。
作為光聚合起始劑，可舉例安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體而言可示例1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、β-氯蒽醌、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮等。
相對於胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物與能量線聚合性單體的合計100質量份，光聚合起始劑的使用量較佳為0.05~15質量份，更較佳為0.1~10質量份，特佳為0.3~7質量份。
緩衝層的tanδ之峰值溫度係可藉由胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物的種類或分子量、能量線聚合性單體的調配量或種類來適當變更。
例如，作為胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，相較於選擇聚酯系，若選擇聚醚系時，易於使tanδ之峰值溫度成為低溫。又，藉由增加胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物的分子量，減少含有胺基甲酸酯之硬化物的交聯密度，而易於使tanδ之峰值溫度成為低溫。
又，藉由提高對於胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物的能量線聚合性單體的質量比例，而易於使緩衝層的tanδ之峰 值溫度成為低溫。又，在全能量線聚合性單體中，藉由減少具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯的含有比例，而易於使緩衝層的tanδ之峰值溫度成為低溫。
本發明中，藉由適當調整如此般的各成分的調配量、種類、分子量，可將tanδ的值設為60℃以下。
本發明之緩衝層，可藉由在基材薄膜上塗布上述樹脂組成物，並使該者硬化而形成。樹脂組成物的硬化若為能量線硬化型樹脂組成物之情形時，可藉由照射紫外線等的能量線來進行。又，樹脂組成物的塗布並無特別限定，可以周知的稀釋液稀釋、或不以稀釋液稀釋而進行塗布、亦可藉由澆鑄或擠壓來進行。
[黏著劑層]
形成黏著劑層的黏著劑並無特別限定，可使用以往被用在背面研磨膠帶的各種的黏著劑。具體而言，可使用橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚系等的黏著劑。又，亦可使用能量線硬化型或加熱發泡型、水膨潤型的黏著劑，但以利用紫外線等的能量線來進行硬化的能量線硬化型黏著劑為較佳使用。
黏著劑層12的厚度係可依所保護的晶圓的形狀、表面狀態及研磨方法等的條件來適當決定，但較佳為5~500μm，又較佳為10~300μm。
尚，黏著劑層進而貼合剝離薄膜而亦可被剝離薄膜保護。剝離薄膜並無特別限定，可使用對薄膜或紙等之薄片 採用剝離劑進行剝離處理者。
[背面研磨膠帶之使用方法]
本發明相關的背面研磨膠帶，較佳為貼附在藉由預先切割法分割成為晶片的半導體晶圓，被使用作為例如晶圓表面的保護及晶圓的臨時性的固定方法。尚，所謂預先切割法係指在形成半導體電路的晶圓表面上，形成小於晶圓厚度的溝槽，之後藉由研磨該半導體晶圓的背面使晶圓的厚度變薄，藉此將晶圓分割成為各個晶片的半導體晶片之製造方法。但，本發明之背面研磨膠帶並不限於預先切割法，在研磨晶圓背面之際，可在晶圓表面貼附後來使用。
本發明相關的背面研磨膠帶若使用在預先切割法時，更具體而言可使用於具備以下之步驟的半導體晶片之製造方法。
第1步驟：沿著劃分成多個電路的晶圓的切斷位置，藉由切割加工形成特定深度的溝槽在晶圓表面之步驟。
第2步驟：以能覆蓋形成電路的晶圓表面全體之方式，透過黏著劑層黏著本發明之背面研磨膠帶在晶圓表面之步驟。
第3步驟：以緩衝層側與多孔台為相接之方式，將黏著有背面研磨膠帶的晶圓配置在多孔台上之步驟。
第4步驟：以藉由負壓來固定配置在多孔台上的晶圓的狀態下，研磨晶圓的背面側並分割成為各個晶片之步驟。
第5步驟：拾取被分割的各個晶片之步驟。
尚，上述第5步驟中，通常在晶片的研磨面(背面)上貼附拾取用薄片，以能拾取之方式來進行位置及方向之對準，並將拾取用薄片固定在環形框(ring frame)，接著，剝離背面研磨膠帶後進行各晶片的拾取。於此，對於黏著劑層為使用能量線硬化型黏著劑等的硬化型黏著劑層所形成時，於剝離背面研磨膠帶前，一般在貼附拾取用薄片之前，較佳以藉由能量線照射等來使黏著劑層硬化並使黏著力降低。
如上述般，本發明係即使提高薄膜基材的剛性，於晶圓研磨時亦能抑制在晶圓邊緣部所產生微小的缺損。又，本發明中，由於薄膜基材的剛性為高，若使用於預先切割時，能使晶圓各別片化後之晶片的排列性為良好。
[實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受限於此等例子。
本發明之評估方法、及各物性之測定方法係如同下述。
(1)楊氏模數
對於基材薄膜使用拉伸試驗器來進行拉伸試驗，並根據所得的拉伸強度與伸長的圖表來計算出。將樣品薄膜裁切成寬度15mm×長度150mm，以被拉伸部分的長度成為 100mm之方式安置在拉伸試驗器(Orientec股份有限公司製、TENSILON)中。此時，使基材薄膜的流動方向與拉伸的方向成為一致。之後，以試驗速度200mm/分鐘、圖表速度(chart speed)1000mm/分鐘來進行測定。根據於所得的測定值的原點之斜率來計算出楊氏模數。
(2)tanδ
藉由動態黏彈性裝置以11Hz的拉伸應力來測定。具體而言，將層合實施例及比較例的緩衝層作成厚度200μm的層合體並切割成5×15mm的尺寸，可得到測定用樣品。對於該樣品，將初期溫度設為-10℃、以昇溫速度3℃/min使昇溫至150℃，藉由動態彈性率測定裝置[TAINSTRUMENT公司製、機種名「DMA Q800」]，以周波數11Hz來測定tanδ，並讀取tanδ為表示最大值的溫度。
(3)重量平均分子量
藉由凝膠滲透層析(GPC)法來測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量Mw。
對於胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，依以下之條件來進行測定。
測定裝置：Tosoh股份有限公司製、「HLC-8220GPC」
管柱：Tosoh股份有限公司製、「TSKGel G1000H」、「TSKGel G2000H」
展開劑：四氫呋喃
送液速度：0.35mL/分鐘、管柱溫度：40℃、檢測器：示差折射率計
又，對於黏著劑層中使用的丙烯酸系共聚物，用以下之條件來進行測定。
測定裝置：Tosoh股份有限公司製、「HLC-8120GPC」
管柱：Tosoh股份有限公司製、「TSK guard column HXL-H」、「TSK Gel GMHXL」(2管)、「TSK Gel G2000 HXL」
展開劑：四氫呋喃
送液速度：1.0mL/分鐘 管柱溫度：40℃ 檢測器：示差折射率計
(4)邊緣缺損評估
使用Disco股份有限公司製DFD6361，對半導體晶圓(8吋)進行預先切割。具體而言，以在晶圓表面上最終所得的晶片的尺寸成為1mm×1mm之方式，從電路面側形成溝槽。使用Lintec股份有限公司製RAD-3510F/12，將剝離薄膜為剝離的背面研磨膠帶貼附在形成溝槽的晶圓表面，利用研磨機(股份有限公司Disco製DGP8760)，將該晶圓背面研磨(乾式拋光)至厚度30μm為止。之後，利用數位型顯微鏡觀察研磨的晶圓的邊緣部分，並計算邊緣缺損數目。尚，僅將10μm以上的大小者視作為缺損並予以計算。若邊緣缺損數為50個以下時評估為A，若邊緣缺損數較50個為多時評估為B。
實施例1 [背面研磨膠帶用基材之製作]
製作由聚酯系胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(重量平均分子量：10,000)40質量份、丙烯酸苯基羥基丙酯20質量份、丙烯酸異莰酯40質量份、及光聚合起始劑(BASF公司製、IRGACURE1173)0.5質量份之混合物所成的緩衝層用樹脂組成物。在由聚對苯二甲酸乙二酯所成的基材薄膜(厚度50μm、楊氏模數2500MPa)上，使硬化後的厚度成為50μm之方式來塗布該緩衝層用樹脂組成物，並藉由紫外線照射(230mW/cm2、500mJ/cm2)使其硬化，可得到在基材薄膜之一方之面為形成由含有胺基甲酸酯之硬化物所成的緩衝層之背面研磨膠帶用基材。
[背面研磨膠帶之製作]
首先，使2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)(相對於丙烯酸系共聚物之官能基的羥基100當量為80當量)，與包含有作為單體的丙烯酸丁脂52質量%、甲基丙烯酸甲酯20質量%、丙烯酸-2-羥基乙酯28質量%的丙烯酸系共聚物(重量平均分子量：500,000)反應後得到能量線硬化型丙烯酸共聚物，並製作含有該能量線硬化型丙烯酸共聚物100質量份、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯加成物0.5質量份，且以甲苯稀釋至濃度30質量%的黏著劑組成物。接著，以乾燥後的厚度成 為20μm之方式來塗布該黏著劑組成物在剝離薄膜(Lintec股份有限公司製、SP-PET381031)上，以100℃乾燥1分鐘並形成黏著劑層後，將該黏著劑層貼合在背面研磨膠帶用基材的基材薄膜側，而得到附有剝離薄膜的背面研磨膠帶。
實施例2
作為緩衝層用樹脂組成物，除了使用聚醚系胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(重量平均分子量：5,500)55質量份、丙烯酸二環戊酯45質量份、及光聚合起始劑(BASF公司製、IRGACURE2959)5質量份的混合物以外，與實施例1相同地進行實施。
比較例1
作為緩衝層用樹脂組成物，除了使用聚碳酸酯系胺基甲酸酯丙烯酸酯(重量平均分子量：4,100)50質量份、丙烯酸二環戊酯50質量份、及光聚合起始劑(BASF公司製、IRGACURETPO)1質量份的混合物以外，與實施例1相同地進行實施。
比較例2
除了沒有設置緩衝層以外，與實施例1相同地進行實施。
將各實施例、比較例的tanδ之峰值溫度、峰 值之測定結果、及邊緣缺損評估之試驗結果表示於表1。
如同上述般，在各實施例中，即使是使用剛性高者來作為基材薄膜，藉由將tanδ之峰值溫度設為60℃以下，可減低研磨時晶圓邊緣的缺損。另一方面，在tanδ之峰值溫度為較60℃高的比較例1、或沒有設置緩衝層的比較例2中，無法充分地防止研磨時晶圓邊緣的缺損。

Claims (5)

  1. 一種背面研磨膠帶用基材，其係具備楊氏模數600MPa以上之基材薄膜、與設置於該基材薄膜之一方之面之緩衝層，該緩衝層係由含有胺基甲酸酯之硬化物所形成之同時，tanδ之峰值溫度為60℃以下，並且前述含有胺基甲酸酯之硬化物係使含有胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物與能量線聚合性單體之樹脂組成物硬化而成者，前述能量線聚合性單體包含具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯。
  2. 如請求項1之背面研磨膠帶用基材，其中，前述能量線聚合性單體包含具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯與具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯之兩者。
  3. 如請求項2之背面研磨膠帶用基材，其中，相對於具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯，具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯，就質量比而言以0.1~2.0的比例來調配。
  4. 如請求項1~3中任一項之背面研磨膠帶用基材，其中，前述緩衝層之tanδ的峰值為0.7以上。
  5. 一種背面研磨膠帶，其係具備請求項1~4中任一項之背面研磨膠帶用基材、與黏著劑層，該黏著劑層係設置於前述基材薄膜之與設置有緩衝層之一方之面為相反側之面。
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