KR101998006B1 - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 - Google Patents

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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

기재 필름, 중간 수지층 및 점착제층으로 구성되는 반도체 웨이퍼용 점착테이프로서, 기재 필름은, 융점이 90℃를 초과하고, 굽힘 탄성율이 1 GPa ~ 10 GPa이며, 중간 수지층이, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지 또는 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지로 이루어지는 1층, 또는, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 폴리에틸렌 수지의 2층으로 이루어지고, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지:코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5이며, 중간 수지층의 수지의 융점이 50℃ ~ 90℃의 범위이며, 또한 굽힘 탄성율이 1 MPa ~ 100 MPa인 반도체 웨이퍼용 점착 시트.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프{ADHESIVE TAPE FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는, 반도체 웨이퍼를 박막에 연삭 등을 할 때에 사용되는 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지는, 고순도 실리콘 단결정 등을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼로 한 후, 이온 주입, 에칭 등에 의해 상기 웨이퍼의 표면에 집적회로를 형성하여 제조된다. 집적회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭, 연마 등을 하는 것으로써, 반도체 웨이퍼는 소망의 두께로 가공된다. 이때, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 집적회로를 보호하기 위해서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프(이하, 단순히 「표면 보호 테이프」라고도 한다)가 이용된다.
이면 연삭된 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭이 종료된 후에 웨이퍼 카세트에 수납되고, 다이싱 공정으로 운반되고, 반도체 칩으로 가공된다.
종래에는, 이면 연삭 등에 의해 반도체 웨이퍼의 두께를 200 ~ 400μm 정도로 하는 것이 요구되고 있었다. 그러나 최근의 고밀도 실장 기술의 진보에 수반하여, 반도체 칩을 소형화할 필요가 생기고, 그것에 따라, 반도체 웨이퍼의 박막화도 진행되고 있다. 반도체 칩의 종류에 따라서는, 반도체 웨이퍼를 100μm 정도까지 얇게 하는 것이 필요해지고 있다. 한편, 한 번의 가공에 의해서 제조할 수 있는 반도체 칩의 수를 많게 하기 위해서, 베이스가 되는 웨이퍼를 대경화(大徑化)하는 경향이 있다. 지금까지는 직경이 5 인치나 6 인치의 웨이퍼가 주류였는데 비해, 최근에는 직경 8 ~ 12 인치의 반도체 웨이퍼를 반도체 칩화하는 가공이 주류가 되고 있다.
반도체 웨이퍼의 박막화와 동시에 대경화하는 흐름은, 특히, NAND형이나 NOR형이 존재하는 플래쉬 메모리의 분야나, 휘발성 메모리인 DRAM 등의 분야에서 현저하다. 예를 들면, 직경 12 인치의 반도체 웨이퍼를 150μm 이하의 두께까지 연삭하는 것도 드물지 않다.
이것에 더하여, 특히 최근, 스마트폰의 보급이나 휴대 전화의 성능 향상 및 음악 플레이어의 소형화, 또한 성능 향상 등에 수반하여, 내충격성 등을 고려한 전극 부가 웨이퍼를 이용한 플립칩 실장에 이용하는 웨이퍼에 대해서도 박막화의 요구가 많아지고 있다. 또한, 범프 부가 웨이퍼에 대해서도 웨이퍼 부분을 100μm 이하의 박막 연삭을 할 필요가 생기고 있다. 플립칩 접속을 위한 범프는, 전송 속도 향상을 위해 고밀도화되고, 범프의 높이(웨이퍼 표면으로부터의 돌출 높이)가 낮아지고 있고, 그것에 수반하여 범프간 거리가 짧아지고 있다. 또한, 근래에는 DRAM에도 플립칩 접속이 실시되고 있기 때문에 웨이퍼의 박막화도 가속되고 있다.
플립칩 실장은, 최근의 전자기기의 소형화, 고밀도화에 대해서 반도체 소자를 최소의 면적으로 실장할 수 있는 방법으로서 주목받아 왔다. 이 플립칩 실장에 사용되는 반도체 소자의 전극 상에는 범프가 형성되어 있고, 범프와 회로 기판상의 배선을 전기적으로 접합한다. 이들의 범프의 조성으로서는, 주로 땜납이나 금이 사용되고 있다. 이 땜납 범프나 금 범프는, 증착이나 도금으로, 칩의 내부 배선으로 연결되는 노출된 알루미늄 단자상 등에 형성한다.
그러나, 범프 부는 웨이퍼가, 그 표면에 큰 요철을 가지고 있기 때문에 박막 가공이 어렵고, 통상의 점착테이프를 이용하여 이면 연삭을 행하면 웨이퍼 균열이 발생되거나 웨이퍼의 두께 정밀도의 악화를 일으키기도 한다. 이 때문에, 범프 부는 웨이퍼의 연삭에, 특별히 설계된 표면 보호 테이프를 이용하여 가공이 되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
그렇지만, 이들의 테이프에서는 범프를 충분히 흡수하여 연삭성을 확보하고 있기 때문에 박리성과의 양립이 매우 어렵다. 지금까지의 플립칩 실장된 칩의 완성 두께는 200μm 이상으로 어느 정도의 두께가 있고, 강성을 유지할 수 있었기 때문에 어떻게든 박리할 수 있었다. 그러나 최근 웨이퍼의 완성 두께가, 더한층 박막이 되고, 범프 밀도도 높아지고 있기 때문에, 테이프는, 박리가 용이하게 않다고 하는 문제를 일으키고 있다. 또한, 반대로, 박리성을 확보하면 밀착이 불충분해지고, 이면 연삭시에 연삭수의 침입이나 점착물질의 잔존을 일으키고 있다.
한편, 웨이퍼 레벨 패키지에 사용되는 범프 부가 웨이퍼의 범프 높이는 여전히 높은 그대로이며, 높이 250μm 이상의 범프도 탑재되고 있다. 웨이퍼 레벨 패키지에서는 칩을 스택할 필요가 없기 때문에 메모리계 웨이퍼와 같이 50μm 이하 등의 극박 연삭되는 일이 없지만, 높은 범프가 부가되어 있기 때문에 후막 연삭에서도 매우 균열되기 쉽고, 150μm 두께 이하의 연삭 두께에서 용이하게 웨이퍼가 균열되는 문제가 발생한다.
이러한 웨이퍼에 대해서 전용의 표면 보호 테이프가 제안되고 있다(특허문헌 2, 3 참조).
일본 공개특허공보 2001-203255호 일본 특허공보 제5242830호 일본 특허공보 제5117630호
그렇지만, 종래의 방사선 경화형의 점착테이프에서는, 방사선 경화시키면, 범프 등의 반도체 웨이퍼 표면의 요철에 점착제가 씹혀 들어가고, 앵커 효과가 강해지고, 박리하기 어려워지는 일이 있고, 이 경우, 범프부의 파손이나, 박리 후에 반도체 웨이퍼의 표면에 점착제가 남는다고 하는 문제가 발생하고 있었다. 이 문제는 반도체의 신뢰성 향상을 목적으로 한 범프의 고(高)범프화나 범프간 거리의 협(狹)피치화에 수반하여 현저해진다.
또한, 점착제에서 범프를 완전히 추종시키지 않고 가공하는 방법(특허문헌 3)은, 박리성은 극히 양호한 경우가 많다. 그러나 산소 개입에 의한 경화 저해에 기인하는 점착물질 잔존이 발생하기 쉽고, 또한 연삭시에 균열이 발생하고, 또한 더스트 침입의 문제가 발생하기 쉽다고 하는 문제를 여전히 안고 있다.
따라서, 본 발명은, 반도체 웨이퍼 가공시에는 반도체 웨이퍼에 강고하게 밀착함과 함께, 박리시에, 반도체 웨이퍼의 파손이나 점착물질이 잔존하는 일 없이 박리할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 그것을 이용한 반도체 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제에 비추어서, 본 발명자들은 예의 검토를 실시한 결과, 웨이퍼 표면에 소정 온도로 가열 첩합되는, 적어도, 기재 필름, 소정 온도에서 용융되는 중간 수지층, 및 점착제층의 3층으로 구성되고 반도체 웨이퍼용 점착테이프 구조로 하고, 상기 중간 수지층의 두께를 범프의 높이 이상으로 하고, 기재 필름의 융점 및 인장 탄성률 및 중간 수지층의 융점 및 굽힘 탄성율을, 각각, 특정의 범위로 정하는 것으로, 상기의 종래의 문제점을 해결할 수 있는 것을 발견했다. 즉, 높은 범프가 부가되어 있는 경우나 범프간 거리의 협피치화의 경우에서도 반도체 웨이퍼 가공시에는 반도체 웨이퍼에 강고하게 밀착함과 함께, 박리시에, 박막 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼의 파손이나 점착물질이 잔존하는 일 없이 박리할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 제공할 수 있는 것을 발견했다. 본 발명은 이 발견에 기초하여 이루어진 것이다.
즉, 상기 과제는 이하의 수단에 의해 달성되었다.
(1) 적어도, 기재 필름, 중간 수지층 및 점착제층으로 구성되는 반도체 웨이퍼용 점착테이프로서,
상기 기재 필름은, 융점이 90℃를 초과하고, 굽힘 탄성율이 1 GPa ~ 10 GPa이며,
상기 중간 수지층이, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지 또는 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지로 이루어지는 1층이거나, 또는,
에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 폴리에틸렌 수지의 2층으로 이루어지고, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지:코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5이며,
상기 중간 수지층의 수지의 융점이 50℃ ~ 90℃의 범위이며, 또한 굽힘 탄성율이 1 MPa ~ 100 MPa인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(2) 상기 중간 수지층이, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 폴리에틸렌 수지의 2층으로 이루어지고, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지:코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(3) 상기 중간 수지층의 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지가, 에틸렌-아크릴산 메틸 코폴리머 수지, 에틸렌-아크릴산 에틸 코폴리머 수지 및 에틸렌-아크릴산 부틸 코폴리머 수지로부터 선택되는 수지인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(4) 상기 기재 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 또는 폴리스티렌 수지의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(5) 상기 기재 필름의 두께가 25μm ~ 75μm인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(6) 상기 중간 수지층의 두께가 100μm ~ 400μm인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(7) 상기 중간 수지층의 폴리에틸렌 수지가 저밀도 폴리에틸렌 수지인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(8) 웨이퍼 표면에 20μm 이상의 요철을 가지는 웨이퍼에 대해서 60℃ 이상의 온도로 가열 첩합되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
(9) 상기 중간 수지층의 두께가, 범프의 높이 이상인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
본 명세서에 있어서, 웨이퍼 표면에 20μm 이상의 요철이 있다는 것은, 반도체 웨이퍼에 이러한 오목부 또는 볼록부가 있는 것을 말한다. 요철의 높이는, 최고부로부터 웨이퍼 표면까지의 거리 또는 최저부로부터 웨이퍼 표면까지의 거리를 말한다. 예를 들면, 웨이퍼상에 금속 전극(범프)이 형성되어 있는 경우에 있어서, 최고부는 범프의 정상부이며, 그곳으로부터 웨이퍼 표면까지의 거리를 요철 높이로 한다. 혹은, 웨이퍼에 스크라이브 라인(다이싱 라인)이 형성되어 있는 경우에 있어서, 최저부는 스크라이브 라인의 가장 깊은 장소이며, 그곳으로부터 웨이퍼 표면까지의 거리를 요철의 높이로 한다.
또한, (메타)아크릴산 에스테르와 같이, 「(메타)」는, 아크릴산 유도체에 기초하는 기 및 메타크릴산 유도체에 기초하는 기의 양쪽 모두를 의미하는 것이며, 어느 한쪽이라도, 이들의 혼합물이라도 좋다. 또한, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다. 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르는, 아크릴산 에스테르와 메타크릴산 에스테르의 양쪽 모두를 의미한다.
본 발명에 의해, 반도체 웨이퍼 가공시에는 반도체 웨이퍼에 강고하게 밀착하는 것으로 씨페이지 등의 발생이 큰 폭으로 저감되고, 반도체 웨이퍼의 파손이나 점착물질이 잔존하는 일 없이 박리 가능한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법을 제공할 수 있다.
이하에, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.
[반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프]
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프는, 적어도, 기재 필름, 중간 수지층 및 점착제층으로 구성된다.
점착제층은, 감압형 점착제층이라도 방사선 경화형 점착제층이라도 상관없지만, 본 발명에서는 방사선 경화형 점착제층이 특히 바람직하다.
여기서 방사선 경화형 점착제층은, 방사선[예를 들면, 자외선과 같은 광선(레이저 광선도 포함한다), 전자선 등의 전리성 방사선 등]의 조사로 경화되는 점착제층을 말한다. 조사하는 방사선은 자외선이 바람직하다.
<기재 필름>
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프에 적용되는 기재 필름의 융점은 90℃보다 높게 한다. 융점을, 90℃를 초과하는 것으로 하는 것으로써, 테이프 첩합의 공정에서 척 테이블에의 융착을 막고, 요철 웨이퍼에의 충분한 첩합이 이루어진다. 또한, 다이싱 다이본딩 일체형 필름(DDF)을 첩합하는 경우도, 척 테이블에의 융착을 방지하여 DDF의 첩합이 가능해진다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호 테이프는, 중간 수지층에 열을 가하는 것으로 중간 수지층의 유동성이 향상되고, 요철 웨이퍼에 대해서 충분한 밀착성을 확보하기 위해서, 충분히 높은 온도인 60℃ ~ 90℃의 가열 조건에서 사용된다. 따라서, 기재 필름의 융점이 90℃ 이하로는 기재 필름의 배면이 녹아버려서 척 테이블과 융착될 가능성이 크다. 기재 필름이, 예를 들면 스티렌과 같이 비결정성의 수지의 경우는, 융점이 존재하기 어렵기 때문에, 비캇(Vicat) 연화점이 지표가 된다. 비캇 연화점을 초과하면 기재 배면에 유동성이 나타나기 때문에, 척 테이블의 포러스(porous)부에 들어갈 위험성이 높아진다.
또한, 본 발명에 적용되는 기재 필름의 인장 탄성률은 1 GPa ~ 10 GPa가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 GPa ~ 5 GPa이다. 기재 필름의 인장 탄성률을 이 범위의 인장 탄성률로 하는 것으로, 웨이퍼 자체의 휨에 대한 교정력을 발휘할 수 있기 때문에, 폴리이미드막이 두꺼운 웨이퍼나 절연막이 복층(複層)으로 형성되어 있으므로 웨이퍼의 휨이 큰 범프 웨이퍼에 있어서도 휨 량을 작게 할 수 있다. 인장 탄성률이 1 GPa 미만이면 웨이퍼의 휨의 교정력이 없어지고, 범프 웨이퍼의 반송 에러가 발생되어 버린다. 한편, 기재 필름의 인장 탄성률이 10 GPa를 초과하면, 테이프 박리시에 박리력이 웨이퍼에 가해지고, 웨이퍼 균열을 일으킨다.
기재 필름은, 수지 필름으로 이루어지는 것이 바람직하고, 기본적으로는 상기의 조건을 만족하는 한, 이 분야에서 통상 이용되어 온 플라스틱, 고무 등을 이용할 수 있다. 예를 들면, 폴리올레핀 수지(폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체[예를 들면, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체], 에틸렌-아크릴산 공중합체, 이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 혹은 공중합체, 또는 이들의 혼합물), 폴리에스테르 수지(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프타레이트), 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 엔지니어링 플라스틱(폴리메틸메타크릴레이트 등), 합성고무류(스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체), 열가소성 엘라스토머(폴리아미드-폴리올 공중합체 등), 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또한, 이것들을 복층으로 한 것을 사용해도 좋다.
본 발명에 있어서, 기재 필름은, 폴리에스테르계 수지 또는 폴리스티렌계 수지로 이루어지는 것이 보다 바람직하고, 고무 성분을 배합한 폴리스티렌계 수지가 더 바람직하다.
기재 필름의 두께는, 웨이퍼의 휨의 교정력과 테이프의 박리성의 밸런스, 비용이나 제조 적합성 등의 면을 고려하면, 25μm ~ 125μm가 바람직하고, 50μm ~ 100μm가 더 바람직하다. 50μm ~ 100μm의 범위에서는 범프 웨이퍼를 50μm 이하의 박막 연삭을 했을 경우에도 반송 에러 없이 연삭 가능하고, 테이프 박리도 용이하다.
<중간 수지층>
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프는, 중간 수지층을 필수로 한다. 테이프를 가열 첩합하는 것으로써 중간 수지층이 용융되고, 범프에 대해서 완전히 추종된다. 또한 첩합 후는 냉각되기 때문에, 범프를 완전히 홀드하는 것으로 더스트 침입 등을 방지할 수 있다. 본 발명의 중간 수지층의 융점은, 바람직하게는 50℃ ~ 90℃, 보다 바람직하게는 60℃ ~ 80℃의 범위이다. 표면 보호 테이프를 50℃ 이상으로 가열 첩합하고, 이때 중간 수지층에 의해서 범프를 완전 밀착할 필요가 있기 때문에, 이 온도 범위에서 탄성률이 급격하게 변화될 필요가 있다. 웨이퍼 연삭시는 통상의 온도이며, 이 온도에 있어서 수지가 유동되어 버리면 연삭시의 두께 정밀도가 극단적으로 악화되기 때문에 고탄성인 것이 바람직하다. 한편, 첩합할 때에 요철에 충분히 추종시키기 위해서는 저탄성일 필요가 있는 것으로부터, 중간 수지층에는 상반되는 성능이 요구된다. 이 상반되는 성능을 실현하기 위해서, 첩합되는 온도에서 극단적으로 유동성의 변화가 일어나는 융점이 포함될 필요가 있다.
중간 수지층의 융점이 50℃ 미만인 경우, 기재 필름으로서 성형하는 것이 곤란하고, 또한, 두께 정밀도도 악화되어 버린다. 한편, 중간 수지층의 융점이 90℃를 초과하는 경우, 가열 첩합해도 범프에 대해서 충분히 추종되지 않기 때문에, 더스트 침입이나 웨이퍼 균열 문제가 발생되어 버린다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프의 중간 수지층의 굽힘 탄성율은 1 MPa ~ 100 MPa이다. 이 범위로 하는 것으로써 웨이퍼 첩합시에 걸리는 응력을 완화시키면서, 연삭 후의 두께 정밀도를 유지할 수 있다. 응력 완화가 행해지는 것으로 테이프 자체의 휨을 억제할 수 있다. 중간 수지층의 굽힘 탄성율이 1 MPa 미만이면, 기재로서의 두께 정밀도를 유지한 채로의 제막(製膜)이 곤란해져 버린다. 또한, 연삭 후의 웨이퍼의 두께 정밀도도 악화된다. 한편, 중간 수지층의 굽힘 탄성율이 100 MPa를 초과해 버리면, 용융해도 탄성률 변화가 불충분하고, 완전히 범프에 밀착되지 않는 경우가 발생한다.
중간 수지층은, 수지층 혹은 수지 필름이라도 좋다. 수지층 혹은 수지 필름은, 단순히 수지층 혹은 수지 필름이며, 점착을 목적으로 하는 것이 아니기 때문에, 비점착성이 바람직하다. 비점착성은 상온에서 끈적거림이 없는 상태를 말한다.
이러한 수지층 혹은 수지 필름은, 폴리올레핀 수지, 예를 들면, 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 폴리에틸렌 수지, 이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이들의 수지층 혹은 수지 필름을 2층 이상 가져도 좋다.
본 발명에서는, 중간 수지층을 구성하는 수지는, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지, 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지, 폴리에틸렌 수지로부터 선택되는 수지가 바람직하다.
중간 수지층에 사용하는 수지층 혹은 수지 필름은, 범프 웨이퍼에 대해서의 밀착성의 점으로부터, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지는, 에틸렌과 (메타)아크릴산 에스테르의 공중합체가 바람직하다.
에틸렌과 공중합시키는 (메타)아크릴산 에스테르의 에스테르를 형성하는 알코올은, 예를 들면, 탄소수 1 ~ 10의 알코올을 들 수 있다.
이러한 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지는, 예를 들면, 에틸렌-(메타)아크릴산 메틸, 에틸렌-(메타)아크릴산 에틸, 에틸렌-(메타)아크릴산 n-프로필, 에틸렌-(메타)아크릴산 이소프로필, 에틸렌-(메타)아크릴산 부틸, 에틸렌-(메타)아크릴산 펜틸, 에틸렌-(메타)아크릴산 n-헥실, 에틸렌-(메타)아크릴산 2-에틸헥실, 에틸렌-(메타)아크릴산 데실 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 에틸렌-아크릴산 메틸 코폴리머 수지, 에틸렌-아크릴산 에틸 코폴리머 수지, 에틸렌-아크릴산 부틸 코폴리머 수지가 가장 바람직하게 사용된다.
에틸렌-(메타)아크릴계 코폴리머 수지의 코폴리머 배합율은 10 질량% ~ 35 질량%가 바람직하고, 15 질량% ~ 30 질량%가 더 바람직하다.
특히, 중간 수지층에 사용하는 수지가, 폴리에틸렌 수지의 경우, 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지 또는 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 병용하는 것이 바람직하고, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 병용하는 것이 보다 바람직하다.
제조 적합성의 점으로부터 중간 수지층은 복층인 것이 바람직하다. 단층에 비하여 필름화가 용이하다. 복층으로 했을 경우, 기재 필름측의 층은 폴리에틸렌 수지인 것이 바람직하고, 저밀도 폴리에틸렌 수지인 것이 특히 바람직하고, 압출에 의해 복층의 중간 수지층의 제막(製膜)시에 불량율을 저하시킬 수 있고, 또한 염가로 제조할 수 있다. 중간 수지층이 복층인 경우의 융점은, 점착제층과 접하고 있는 층의 융점을 말한다.
또한, 복층으로 했을 경우, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 접착제층측이 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지가 바람직하고, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지:코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5가 바람직하다.
수지층 혹은 수지 필름의 적층 방법은, 수지층 혹은 수지 필름의 두께의 정밀도나, 상기 수지층 혹은 수지 필름에 결함에 영향을 미치지 않는 범위이면, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 공압출(共押出)에 의한 제막이나 접착제에 의한 첩합 등을 들 수 있다.
중간 수지층의 두께는 범프의 높이 이상이 필요하다. 범프의 높이보다 낮아져 버리면, 충분히 밀착되지 않기 때문에 더스트 침입이나 웨이퍼 균열이 발생한다. 중간 수지층의 바람직한 범위는 범프의 높이보다 10μm ~ 30μm 두꺼운 두께이다. 30μm 이상 두꺼워지면 웨이퍼의 두께 정밀도가 악화될 우려가 있고, 또한, 제조 비용도 증가한다. 또한, 범프 웨이퍼의 범프 부분을 제조할 때, 10μm 정도의 오차가 생기기 때문에, 평균 범프 높이에 더하여 10μm의 두께가 있으면 여유를 가지고 완전히 추종시키는 것이 가능해진다.
<점착제층>
(점착제)
본 발명의 점착테이프에 있어서 점착제층에 이용하는 바람직한 점착제는, 방사선 조사(바람직하게는 자외선)로 경화하는 것이면 특별히 제한은 없지만, 방사선 조사로 중합 반응하는 것이 가능한 반응성의 기를 적어도 1개 가지는 폴리머(이하, 「방사선 경화성 폴리머」라고 한다)를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 점착제는, 방사선 경화성 폴리머를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 방사선 경화성 폴리머를 50 질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80 질량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 90 질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다.
상기의 방사선 조사로 중합 반응하는 것이 가능한 반응성의 기로서는, 에틸렌성 불포화기, 즉, 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 기가 바람직하고, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 스티릴기, (메타)아크릴로일옥시기, (메타)아크릴로일아미노기 등을 들 수 있다.
상기 방사선 경화성 폴리머에 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, (메타)아크릴 공중합체, 폴리에스테르, 에틸렌 혹은 스티렌 공중합체, 폴리우레탄을 들 수 있다.
본 발명에서는, (메타)아크릴 공중합체가 바람직하다.
상기 방사선 경화성 폴리머의 합성 방법으로서는, 예를 들면 (a) 에틸렌성 불포화기를 가지는 폴리머인 경우, 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물과 폴리머를 반응시켜서, 에틸렌성 불포화기가 도입된 폴리머를 얻는 방법, (b) 에틸렌성 불포화기를 가지는 올리고머[예를 들면, 가교제의 일종인 우레탄(메타)아크릴 올리고머 등]을 이용하는 방법이 간편, 또한 용이하고, 바람직하고, 그 중에서도 상기 (a) 방법이 바람직하다.
상기 (a) 방법에서는, 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물로서 상기 에틸렌성 불포화기와 다른 반응성의 기(반응성기 α로 칭함)를 가지는 구조의 화합물을 이용하고, 에틸렌성 불포화기가 도입되는 폴리머로서는, 상기 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물의 반응성기 α와 반응하는 반응성기 β를 가지는 구조의 폴리머(이하, 「반응성기 β를 가지는 폴리머」라고 한다)를 이용하여, 반응성기 α와 β를 반응시킨다.
이러한 반응성기 α, β는, 예를 들면, 한쪽이, 구핵(求核) 공격하는 기, 다른 쪽이, 구핵 공격을 받는 기 혹은 부가 반응을 받는 기로 하는 것이 바람직하다. 이러한 반응성기로서는, 예를 들면 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르복실기, 에폭시기, 옥세타닐기, 이소시아네이트기, 환상의 산무수물을 형성하고 있는 기, 할로겐 원자, 알콕시 혹은 아릴옥시카보닐기 등을 들 수 있다.
여기서, 반응성기 α 및 β의 어느 한쪽이 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르복실기인 경우, 다른 쪽의 반응성기는 에폭시기, 옥세탄기, 이소시아네이트기, 환상의 산무수물을 형성하는 기, 할로겐 원자, 알콕시 혹은 아릴옥시카보닐기로 할 수 있다.
에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물이 가지는 반응성기 α는, 구핵 공격을 받는 기 또는 부가 반응을 받는 기인 것이 바람직하고, 예를 들면, 에폭시기, 옥세타닐기, 이소시아네이트기, 환상의 산무수물을 형성하는 기, 할로겐 원자, 알콕시 또는 아릴옥시카보닐기가 바람직하고, 에폭시기, 옥세탄기, 이소시아네이트기, 또는 환상의 산무수물을 형성하는 기가 보다 바람직하고, 에폭시기, 옥세타닐기, 또는 이소시아네이트기가 더 바람직하고, 이소시아네이트기가 더 바람직하다.
한편, 에틸렌성 불포화기가 도입되는 폴리머가 가지는 반응성기 β는, 구핵 공격하는 기가 바람직하고, 예를 들면, 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 또는 카르복실기가 바람직하고, 수산기, 아미노기, 또는 메르캅토기가 보다 바람직하고, 수산기, 아미노기, 또는 카르복실기가 더 바람직하고, 수산기, 또는 카르복실기가 더 바람직하고, 그 중에서도 수산기가 바람직하다.
에틸렌성 불포화기와 반응성기 α를 가지는 화합물, 또는, 반응성기 β를 가지는 폴리머의 합성에 이용하는 반응성기 β를 가지는 모노머로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.
-반응성기가 카르복실기인 화합물-
(메타)아크릴산, 계피산, 이타콘산, 푸말산 등
-반응성기가 수산기인 화합물-
알코올부에 수산기를 가지는 하이드록시알킬(메타)아크릴레이트[예를 들면, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판모노(메타)아크릴레이트, 글리콜모노(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트], 아민부에 수산기를 가지는 알킬아민의 N-(하이드록시알킬)알킬(메타)아크릴아미드[예를 들면, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N,N-비스 메틸올(메타)아크릴아미드], 알릴알코올 등
-반응성기가 아미노기인 화합물-
알코올부에 아미노기를 가지는 아미노알킬(메타)아크릴레이트[예를 들면, 2-(알킬아미노)에틸(메타)아크릴레이트, 3-(알킬아미노)프로필(메타)아크릴레이트], (메타)아크릴아미드 등
-반응성기가 환상의 산무수물인 화합물-
무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸말산, 무수 프탈산 등
-반응성기가 에폭시기 혹은 옥세타닐기인 화합물-
글리시딜(메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세탄 등
-반응성기가 이소시아네이트기인 화합물-
(메타)아크릴로일옥시알킬이소시아네이트[예를 들면, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-(메타)아크릴로일옥시프로필이소시아네이트], 다가 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를, 수산기 혹은 카르복실기와 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물로 우레탄화한 것[예를 들면, 2 ~ 10 관능의 (메타)아크릴의 우레탄아크릴레이트 올리고머] 등
또한, 상기의 우레탄아크릴레이트 올리고머로서는, 예를 들면, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등의 알코올부에 수산기를 가지는 하이드록시알킬(메타)아크릴레이트와 톨루엔디이소시아네이트, 메틸렌비스페닐디이소시아나트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 메틸렌비스시클로헥실이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트나 3 관능 이상의 이소시아네이트를 반응시켜서 얻어지는, 이소시아네이트기를 적어도 1개 가지는 올리고머가 바람직하다. 또한, 하이드록시알킬(메타)아크릴레이트와 다가 이소시아네이트에 더하여, 폴리올 화합물, 폴리에테르디올 화합물 또는 폴리에스테르디올 화합물을 반응시켜서 얻어지는 올리고머라도 좋다.
-반응성기가 할로겐 원자인 화합물-
2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진, 2,4-디클로로-6-메톡시-1,3,5-트리아진 등의 할로겐화 트리아진 등
상기의 에틸렌성 불포화기와 반응성기 α를 가지는 화합물로서는, 상기의 반응성기가 이소시아네이트기인 화합물이 바람직하고, 한편, 반응성기 β를 가지는 폴리머의 합성에 이용하는 모노머로서는 상기의 반응성기가 카르복실기인 화합물 또는 반응성기가 수산기인 화합물이 바람직하고, 반응성기가 수산기인 화합물이 보다 바람직하다.
상기 (b) 방법은, 상기 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머를 사용하는 것으로(상기 올리고머는 후술하는 바와 같이 가교제의 일종이기도 하다), (메타)아크릴 공중합체와 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머를 공존시켜서 방사선 경화성의 점착제층을 구성할 수 있다. (메타)아크릴 공중합체로서는, (메타)아크릴산과 (메타)아크릴산 에스테르를 중합시켜서 얻어지는 것인 것이 바람직하다. (메타)아크릴 공중합체를 구성하는 (메타)아크릴산 에스테르 성분의 바람직한 형태는, 후술하는 반응성기 β를 가지는 폴리머에 있어서의 공중합 성분으로서 설명한 것과 동일하다.
상기 반응성기 β를 가지는 폴리머를 구성하는 전체 모노머 성분에 차지하는, 상기 반응성기 β를 가지는 모노머 성분의 비율은, 5 ~ 50 몰%가 바람직하고, 20 ~ 40 몰%가 보다 바람직하다.
또한, 에틸렌성 불포화기와 반응성기 α를 가지는 화합물과, 반응성기 β를 가지는 폴리머를 반응시켜서, 반응성기 β를 가지는 폴리머에 에틸렌성 불포화기를 도입하는데 있어서는, 반응성기 α를 가지는 화합물을, 반응성기 β를 가지는 폴리머 100질량부에 대해서, 5 ~ 40질량부 반응시키는 것이 바람직하고, 10 ~ 30질량부 반응시키는 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 20질량부 반응시키는 것이 더 바람직하다. 가교 반응은 점착제를 통상의 방법에 의해, 적절한 온도에서 점착제를 가열하는 것으로써 발생할 수 있다.
상기의 반응성기 α와 β의 반응 후에 있어서, 미반응의 반응성기 β를 남기는 것으로, 후술하는 가교제 등으로 수지 특성을 조절할 수 있다.
상기의 반응성기 β를 가지는 폴리머는, 그 구성 성분으로서 상기의 반응성기 β를 가지는 모노머 성분과 함께, 공중합 성분으로서, (메타)아크릴산 에스테르 성분을 가지는 것이 바람직하다.
상기 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 1종 또는 2종 이상의 (메타) 아크릴산 알킬이 바람직하다. 상기 (메타)아크릴산 에스테르의 알코올부는 상기 반응성기 β를 가지지 않는다. 바람직하게는, 상기 (메타)아크릴산 에스테르의 알코올부는 무치환이다.
이러한 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 알코올부의 탄소수는 1 ~ 12가 바람직하다. 알코올부의 탄소수는, 1 ~ 10이 보다 바람직하고, 4 ~ 10이 더 바람직하고, 그 중에서도 알코올부가 분지 알킬인 것이 바람직하고, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트가 특히 바람직하다.
상기 점착제층에 이용하는 방사선 경화성 폴리머의 질량 평균 분자량은, 50000 ~ 2000000이 바람직하고, 또한, 상기 폴리머와 다른 폴리머를 병용하는 경우, 병용하는 폴리머의 질량 평균 분자량도 상기 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 점착제층에 이용하는 폴리머의 질량 평균 분자량이 2000000을 초과하여 버리면 중합이 어렵고 분산도가 높아져 버리고, 저분자량의 폴리머를 함유하는 것이 되어 버리기 때문에 응집력이 낮아질 우려가 있다. 한편, 분자량이 50000보다 작으면 폴리머 자체의 응집력이 낮아져 버리기 때문에, 점착물질 잔존의 발생 원인이 되기 쉽다. 본 발명의 점착테이프에 있어서, 점착제층에 이용하는 폴리머의 질량 평균 분자량은 200000 ~ 800000인 것이 보다 바람직하다.
질량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란에 용해하여 얻은 1% 용액을, 겔 퍼미에이션 크로마토그라피(Waters사제, 상품명: 150-CALC/GPC)에 의해 측정한 값을 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량으로서 산출한 것이다.
(광중합 개시제)
방사선 경화형 점착제층에는, 필요에 대응하여 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로는 기재를 투과하는 방사선에 의해 반응하는 것이면, 특별히 제한은 없고, 종래 알려진 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 벤조페논, 4,4＇-디메틸아미노벤조페논, 4,4＇-디에틸아미노벤조페논, 4,4＇-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세트페논, 디에톡시아세트페논 등의 아세트페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티옥산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물, 아실포스핀옥사이드류, 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
광중합 개시제의 첨가량은, 에틸렌성 불포화기를 가지는 수지 100질량부에 대해서 0.1 ~ 10질량부가 바람직하고, 0.5 ~ 5질량부가 보다 바람직하고, 0.5부 ~ 3질량부가 보다 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량이 많으면 방사선 경화가 다수의 지점에서, 또한, 급격하게 발생하기 때문에, 경화 수축이 커져 버리기 때문에, 종래의 방사선 경화형의 표면 보호용 점착테이프에 비해 광중합 개시제의 양을 줄이는 것도 경화 수축의 억제의 점으로부터 유용하다.
(그 외의 첨가물)
방사선 경화형 점착제층에는 필요에 대응하여 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 외의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 더해도 좋다.
그 외의 첨가물로서는, 예를 들면, 습윤 방지 혹은 슬립성 향상을 위한 첨가제로서 실리콘 아크릴레이트(예를 들면, 실리콘 디아크릴레이트, 실리콘 헥사아크릴레이트), 방사선 경화 촉진제를 들 수 있다. 또한, 상기 첨가제로서 내수제(耐水劑)로서의 아미노아크릴레이트를 포함해도 좋다. 또한, 상기 첨가제로서 가소제를 포함해도 좋다. 또한, 폴리머의 중합시에 이용되는 계면 활성제를 포함하고 있어도 좋다.
(가교제)
본 발명에서는, 점착제층에 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제의 가교성기인 반응성기는, 반응성기 β를 가지는 폴리머의 반응성기 β와 반응하는 가교제가 바람직하다.
예를 들면, 반응성기 β를 가지는 수지의 반응성기 β가, 카르복실기나 수산기의 경우, 가교제의 가교성기인 반응성기는 환상의 산무수물, 이소시아네이트기, 에폭시기, 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 이소시아네이트기 또는 에폭시기인 것이 보다 바람직하다.
이러한 가교제를 사용하는 것으로, 그 배합량에 의해, 반응성기 β를 가지는 폴리머의 반응성기 β의 잔존량을 조절할 수 있고, 표면 자유 에너지를 소망의 범위로 제어할 수 있다.
또한, 가교제를 사용하는 것으로, 점착제층의 응집력을 제어할 수도 있다.
상기 점착제층에 바람직하게 이용되는 가교제로서는, 다가 이소시아네이트 화합물, 다가 에폭시 화합물, 다가 아지리딘 화합물, 킬레이트 화합물 등을 들 수 있다. 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 구체적으로는 톨루일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 및 이들의 어덕트 타입 등을 들 수 있다.
다가 에폭시 화합물로서는, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 테레프탈산디글리시딜에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다가 아지리딘 화합물은, 트리스-2,4,6-(1-아지리디닐)-1,3,5-트리아진, 트리스[1-(2-메틸)-아지리디닐]포스핀옥시드, 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등을 들 수 있다. 또한, 킬레이트 화합물로서는, 에틸아세트아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스(에틸아세트아세테이트) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에서 이용되는 점착제에, 분자 내에 에틸렌성 불포화기를 적어도 2개 이상 가지는 가교제, 바람직하게는 올리고머 혹은 폴리머의 가교제를 이용하여, 가교제 자체를 방사선 경화성 수지로써 이용해도 좋다.
분자 내에 에틸렌성 불포화기를 적어도 2개 이상 가지는 저분자 화합물로서, 예를 들면, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6 헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있다.
그 밖에도, 우레탄아크릴레이트 올리고머도 이용할 수 있고, 구체적으로는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물[예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄프리폴리머에, 하이드록시기를 가지는 (메타)아크릴레이트(예를 들면, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트]를 반응시켜서 얻어지는 것이 널리 적용 가능하다.
가교제의 함유량은, 점착제층을 구성하는 폴리머 100질량부에 대해서, 0.1 ~ 5.0질량부가 바람직하고, 0.5 ~ 4.0질량부가 보다 바람직하다.
(저장 탄성률)
본 발명의 점착제 혹은 점착제층의 저장 탄성률은, 특별히 제한은 없지만, 점착물질 잔존이나 요철 형상에 대한 추종성을 고려하면, 방사선 조사 전의 저장 탄성률이 30000 ~ 75000 Pa인 것이 바람직하고, 35000 ~ 60000 Pa인 것이 보다 바람직하다. 방사선 조사에 의한 경화 후(자외선량으로 나타내면, 적산 조사량 500 mJ/cm2이 되도록 점착제층 전체를 조사하여 경화시킨 후)의 점착제의 저장 탄성률은 100000 Pa 이상이 바람직하다.
본 발명의 점착테이프에 있어서, 점착제층은 상술한 바와 같이, 조성이 다른 2종 이상의 점착제가 적층된 복층 구조라도 좋다. 점착제층이 복층 구조인 경우에는, 적어도 점착제층의 표면을 구성하는 층의 구성을, 상술의 점착제층의 구성(즉, 단층 구조의 점착제층의 구성으로서 설명해 온 형태)으로 한다. 또한, 복층 구조의 점착제층의 전부가, 상술의 점착제층의 구성(즉, 단층 구조의 점착제층의 구성으로서 설명해 온 형태)인 것이 바람직하다.
(점착제층의 두께)
점착제층의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10 ~ 100μm가 바람직하고, 20 ~ 40μm가 보다 바람직하다.
중간 수지층 상에 점착제층을 형성하기 위해서는, 상기와 같이, 기재 필름의 적어도 한쪽 면에, 적어도 1 종류의 점착제를 통상의 방법에 의해 도포할 수 있다.
<박리 라이너>
본 발명의 점착테이프는, 점착제층 상에 박리 라이너를 가져도 좋다. 박리 라이너로서는, 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등이 이용된다. 또한, 필요에 대응하여, 실리콘 이형 처리를 하지 않는 폴리프로필렌 필름 등도 이용된다.
[점착테이프를 사용한 반도체 웨이퍼 가공 공정]
본 발명의 점착테이프의 사용 방법은 상기의 이면 연삭 후 다이싱하는 방법으로 한정되지 않는다. 예를 들면 이하의 다이싱 다이본딩 공정에도 적합하게 이용할 수 있다.
구체적으로는, 우선, 반도체 웨이퍼의 회로 패턴면(표면)에, 방사선 경화형 점착제층이 첩합면이 되도록, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 첩합한다. 다음에, 반도체 웨이퍼의 회로 패턴이 없는 면측을 반도체 웨이퍼의 두께가 소정의 두께, 예를 들면 10 ~ 200μm가 될 때까지 연삭한다. 그 후, 이 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프의 첩합된 면을 하측으로 하여 가열 흡착대에 탑재하고, 그 상태에서, 반도체 웨이퍼의 회로 패턴이 없는 연삭한 면측에, 다이싱·다이본딩 필름을 첩합해도 좋다. 그 후, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프의 기재 필름의 배면에, 히트 실 타입(열융착 타입) 혹은 점착 타입의 박리 테이프를 접착하여 반도체 웨이퍼로부터 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착테이프를 박리한다.
[점착테이프의 사용 형태]
<범프(전극)의 높이>
본 발명의 적용 가능한 범프 높이에 대해서는 특별히 지정하는 것은 아니지만, 20μm ~ 250μm의 높이의 범프에 이용된다.
<박막 반도체 웨이퍼 표면의 범프의 배치 밀도(고밀도)>
본 발명의 점착테이프의 적용 가능한 범프의 배치 밀도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 범프의 높이의 배 이상의 피치(범프의 높이 방향의 정점(頂点)으로부터, 다음에 배치된 범프의 높이 방향의 정점까지의 거리)인 것에 대해서 적용할 수 있다. 또한, 전체면에 균일하게 범프가 배치된 웨이퍼에도 이용된다.
<박막 반도체 웨이퍼의 두께>
본 발명의 점착테이프를 이용하는 가공 방법에 의해 이면 연삭된 박막 반도체 웨이퍼의 두께는 20 ~ 500μm인 것이 바람직하고, 50 ~ 200μm인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 점착테이프를 이용한 가공 방법을 이용하는 것으로, 박막 반도체 웨이퍼를 높은 수율로 얻을 수 있다. 이 반도체 웨이퍼의 가공 방법은, 전극 부가 웨이퍼를 50μm 이하의 박막 연삭의 제조 방법으로서 적합하다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여, 더 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이것들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤(TOSOH CORPORATION)제, 페트로센 231F)와 에틸렌-메틸아크릴레이트 공중합체(EMA) 수지(아르케마샤(Arkema Group)제, 28MA07)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 30μm, EMA층의 두께는 220μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(테이진듀퐁필름샤(Teijin DuPont Films Japan Limited)제, G2C)에 접착제(두께 10μm)를 도공(塗工)하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 A를 얻었다.
메타크릴산 메틸을 15 mol%, 메타크릴산을 2.0mol%, 2-에틸헥실아크릴레이트를 57 mol%, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 26 mol% 배합하고, 용액 중에서 중합하는 것으로써 아크릴 공중합체 폴리머를 얻었다. 이 폴리머 100질량부에 대해서 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 20질량부(쇼와덴코가부시키가이샤(昭和電工株式會社)제, 커런츠 MOI) 용액 중에서 혼합하고, 하이드록시기에 에틸렌성 불포화기를 도입하는 것으로 에틸렌성 불포화기를 함유하는 분자량 70만의 아크릴 공중합체 폴리머 용액(폴리머 B 용액)을 얻었다.
이 폴리머 B 용액 100질량부에, 가교제로서 콜로네이트 L(니혼폴리우레탄고교가부시키가이샤(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.)제)을 2.0질량부, 광중합 개시제로서 이르가큐어 184(BASF사제)를 5.0질량부 배합하고, 점착제 조성물을 얻었다.
얻어진 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로(乾燥爐)에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 A에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
폴리스티렌(PS) 수지(니혼폴리스티렌샤(Japan PolyStyrene Inc.)제, G9305)와 에틸렌-메틸아크릴레이트 공중합체(EMA) 수지(아르케마샤제, 28MA07)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 B를 작성했다. PS층의 두께는 60μm, EMA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 B에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 30BA02)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 30μm, EBA층의 두께는 220μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌나프타레이트 필름(테이진듀퐁필름샤제, 테오넥스 Q51)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 C를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 C에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
폴리스티렌(PS) 수지(니혼폴리스티렌샤제, G9305)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 35BA40)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 D를 작성했다. PS층의 두께는 60μm, EBA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 D에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-메틸아크릴레이트 공중합체(EMA) 수지(니혼폴리에틸렌샤(Japan Polyethylene Corporation)제, EB140F)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 30μm, EMA층의 두께는 220μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트필름(토레이샤(Toray Industries, INC.)제, 르미라 S10)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 E를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 E에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
폴리스티렌(PS) 수지(니혼폴리스티렌샤제, G9401)와 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(미츠이·듀폰케미칼샤(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS)제, V5773W)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 F를 작성했다. PS층의 두께는 60μm, EVA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 F에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 30BA02)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 30μm, EBA층의 두께는 220μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(테이진듀퐁필름샤제, G2C)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 G를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 G에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 30BA02)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 25μm, EBA층의 두께는 225μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(테이진듀퐁필름샤제, G2C)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 H를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 H에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 30BA02)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 400μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 192μm, EBA층의 두께는 208μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(테이진듀퐁필름샤제, G2C)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 460μm의 적층체 I를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 460μm의 적층체 I에 첩합하고, 두께 490μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 1]
폴리스티렌(PS) 수지(토요스티렌샤(TOYO-STYRENE CO.,LTD.)제, G100C)와 에틸렌-메틸아크릴레이트 공중합체(EMA) 수지(니혼폴리에틸렌샤제, EB140F)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 J를 작성했다. PS층의 두께는 60μm, EMA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 J에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 2]
에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 515)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레이샤제, 르미라 S10)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 K를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 K에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 3]
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레이샤제, 르미라 S10)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 L을 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 L에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 4]
고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 수지(토소샤제, 니포론하드 2500)와 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 541)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 M을 작성했다. HDPE층의 두께는 60μm, EVA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 M에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 5]
에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 630)와 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 627)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 N을 작성했다. 울트라센 630으로 이루어지는 EVA층의 두께는 60μm, 울트라센 627로 이루어지는 EVA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 N에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 6]
고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 수지(토소샤제, 니포론하드 2500)와 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 O를 작성했다. HDPE층의 두께는 60μm, LDPE층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 O에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 7]
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-메틸아크릴레이트 공중합체(EMA) 수지(아르케마샤제, 28MA07)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 P를 작성했다. LDPE층의 두께는 60μm, EMA층의 두께는 250μm였다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 P에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 8]
고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 수지(토소샤제, 니포론하드 2500)와 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 541)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 310μm의 적층체 Q를 작성했다. HDPE층의 두께는 60μm, LDPE층의 두께는 250μm였다.
용제계 아크릴계 폴리머(소켄카가쿠샤(綜硏化學社)제, SK 다인 1442)를 100질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제콜로네이트 L(상품명, 니혼폴리우레탄샤제)을 0.5질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-X(상품명, 미츠비시가스카가쿠샤(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY)제)를 3.0질량부 배합하고, 초산 에틸로 농도를 조정하고 점착제 조성물을 얻었다.
얻어진 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 Q에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 9]
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레이샤제, 르미라 S10)에 압출기로 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 760)를 두께가 약 260μm가 되도록 압출하고, 적층체 R을 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 R에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 10]
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-초산 비닐 공중합체(EVA) 수지(토소샤제, 울트라센 541)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 30μm, EBA층의 두께는 220μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레이샤제, 르미라 S10)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 S를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 S에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
[비교예 11]
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(토소샤제, 페트로센 231F)와 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA) 수지(아르케마샤제, 30BA02)를 압출기로 압출 성형을 행하고, 총 두께 250μm의 중간 수지층을 작성했다. LDPE층의 두께는 150μm, EBA층의 두께는 100μm였다.
기재 필름인 두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(테이진듀퐁필름샤제, G2C)에 접착제(두께 10μm)를 도공하고, 상기 필름을, LDPE층이 기재 필름측이 되도록 하여, 라미네이트하는 것으로 총 두께 310μm의 적층체 T를 얻었다.
실시예 1에서 작성한 점착제 조성물을 건조 후의 점착제의 두께가 30μm가 되도록, 투명한 박리 라이너 상에 도공하고, 함유 용제를 거의 전부 제거하기 위해서 점착제 조성물이 도공된 박리 라이너를 건조로에서 120℃, 2분간 가열 건조를 행했다. 건조 후의 두께 30μm의 점착제층이 형성된 박리 라이너를 두께 310μm의 적층체 T에 첩합하고, 두께 340μm의 점착테이프를 얻었다.
상기의 실시예 및 비교예에서 제작한 점착테이프에 대해서, 이하의 시험을 행하고, 그 성능을 평가했다.
<측정·분석>
<시험예 1> 밀착성 시험
(1) 50μm 범프에 대한 밀착성
높이 50μm, 범프 피치 100μm의 Cu 필러 범프를 가지는 직경 8 인치의 범프 부가 실리콘 웨이퍼의 표면에, 닛토세이키샤(日東精機社)제 DR8500 III(상품명)을 이용하여, 테이블 온도 80℃ 및 롤러 온도 60℃, 첩합압 0.35 MPa, 첩합 속도 저속(9 mm/sec)의 조건에서, 상기 실시예 및 비교예에서 제작한 테이프를 25매의 웨이퍼에 첩합했다. 이 첩합 조건에서, 융점 80℃ 이하의 중간 수지층을 구성층으로 하는 테이프의 중간 수지층은 용융되었다(이하의 시험예 2의 경우도 마찬가지였다). 그 때의 밀착성을 육안으로 확인을 행하고, 점착테이프와 웨이퍼의 사이에의 에어 혼입의 유무를 조사했다.
(2) 200μm 범프에 대한 밀착성
높이 200μm, 범프 피치 400μm의 솔더 범프를 가지는 직경 8 인치의 범프 부가 실리콘 웨이퍼의 표면에, 닛토세이키샤제 DR8500 III(상품명)을 이용하여, 테이블 온도 80℃ 및 롤러 온도 60℃, 첩합압 0.35 MPa, 첩합 속도 저속(9 mm/sec)의 조건에서, 상기 실시예 및 비교예에서 제작한 테이프를 25매의 웨이퍼에 첩합했다. 그 때의 밀착성을 육안으로 확인을 행하고, 점착테이프와 웨이퍼의 사이에의 에어 혼입의 유무를 조사했다.
(밀착성의 평가 기준)
A: 첩합 후 48시간을 초과해도 에어 혼입 없음
C: 첩합 후 48시간 이내에 에어의 혼입 있음
<시험예 2> 연삭 실험
(1) 더스트 침입
밀착성 평가에서 사용한 각 범프 웨이퍼를 첩합 후 48시간 방치한 후에, 인라인 기구를 가지는 그라인더[가부시키가이샤디스코(DISCO Corporation)제 DFG8760(상품명)]를 사용하여 각각 25매의 범프 웨이퍼에 대해서 이면 연삭을 행했다. 그 후, 연삭 후의 웨이퍼에 대해서 웨이퍼와 테이프 사이에 실리콘 더스트의 침입의 유무의 확인을 행했다. 또한, 50μm 범프에 대해서는 실리콘의 최종 연삭 두께가 50μm까지 이면 연삭을 행하고, 200μm 범프에 대해서는 실리콘의 최종 연삭 두께가 200μm까지 이면 연삭을 행했다.
(더스트 침입의 평가 기준)
A: 어느 쪽의 범프 웨이퍼에 대해서도 더스트 침입이 보이지 않았던 것
C: 어느 한 쪽의 범프 웨이퍼에 더스트 침입이 보였던 것
(2) 휨 평가
더스트 침입의 평가에서 이용한 25매의 50μm 높이의 범프 웨이퍼에 대해서 휨 량(웨이퍼를 평판 위에 탑재했을 때의, 평판 표면으로부터 휜 웨이퍼의 가장 높은 점의 하면까지의 높이)을 측정했다.
(휨의 평가 기준)
A: 휨 량의 평균치가 5 mm 미만인 것
B: 휨 량의 평균치가 5 mm 이상, 10 mm 미만인 것
C: 휨 량의 평균치가 10 mm 이상인 것
(3) 박리성 평가
더스트 침입의 평가에서 이용한 25매의 범프 웨이퍼에 대해서, 박리 장치[가부시키가이샤디스코제, RAD2700(상품명)]를 이용하여 테이프 박리의 평가를 행했다.
(박리성의 평가 기준)
A: 테이프 박리 에러가 발생하지 않았던 것
C: 테이프 박리 에러가 발생한 것
<시험예 3> 두께 정밀도 시험
25매의 미러 웨이퍼에 실시예 및 비교예에서 작성한 테이프의 첩합을 행했다. 첩합 조건은 시험예 2에서 첩합한 조건과 동일하다. 그 후, 인라인 기구를 가지는 그라인더[가부시키가이샤디스코제 DFG8760(상품명)]를 사용하여 각각 25매의 미러 웨이퍼에 대해서 최종 두께가 100μm가 될 때까지 이면 연삭 및 드라이 폴리싱을 행했다. 그 후, 웨이퍼면의 두께 정밀도 TTV(최대 두께-최소 두께)를, SemDex(두께 정밀도 측정 장치, ISIS사제)를 이용하여 측정했다. 측정 간격은 X방향: 0.1 mm, Y방향: 10 mm로 웨이퍼 전체면(200 mm×200 mm의 범위)을 측정하는 것으로 한다.
(두께 정밀도의 평가 기준)
A: TTV가 6μm 미만인 것
C: TTV가 6μm 이상인 것
<시험예 4> 내열성 시험
미러 웨이퍼에 실시예 및 비교예에서 작성한 테이프의 첩합을 행했다. 첩합 조건은 시험예 2에서 첩합한 조건과 동일하다. 그 후, 90℃에 가열한 핫 플레이트 상에 테이프면을 하향으로 하여 3분간 방치한 후, 테이프 표면을 육안으로 관찰을 행했다.
(내열성의 평가 기준)
A: 테이프 표면(기재 필름 배면)이 녹지 않았던 것
C: 테이프 표면이 녹아 버린 것
<시험예 5> 각종 물성에 대해서
기재 필름의 융점 및 비캇 연화점에 대해서는, JIS K7206에 기초하여 측정을 행했다. 또한, 굽힘 탄성율에 대해서는, JIS K6924-2에 기초하여 측정을 행했다.
중간 수지층의 융점 및 굽힘 탄성율은, 기재 필름과 마찬가지로 하여 측정했다.
단, 중간 수지층의 융점 및 굽힘 탄성율은, 점착제층과 접하고 있는 층의 융점 및 굽힘 탄성율이다.
얻어진 결과를, 하기 표 1 및 2에 정리하여 나타낸다.
또한, 융점과 비캇 연화점은 ℃ 이다.
Figure 112017064314022-pct00001
Figure 112017064314022-pct00002
비교예 1 및 5의 점착테이프는, 내열성이 부족하기 때문에 내열성 평가에서 기재의 용융이 발생했다. 이 때문에, 실제의 DAF 첩합의 프로세스에서 척 테이블 융착의 문제가 발생할 가능성이 높다. 비교예 2 ~ 6 및 비교예 8 ~ 10의 점착테이프에 대해서는, 가열 첩합을 행해도 범프 웨이퍼에 밀착되지 않는 결과가 되었다. 이 때문에, 범프 첨부 패턴 웨이퍼를 연삭할 때에는 이면에 딤플(요철의 흔적)이 발생하고, 또한, 웨이퍼 균열을 일으킬 가능성이 높다. 비교예 4 ~ 8은 휨의 억제가 충분하지 않고, 웨이퍼의 핸들링 에러가 발생할 가능성이 높다. 또한, 카세트 수납시에 휨에 의해 엣지부가 카세트에 접촉하고, 엣지 크랙을 발생시킬 가능성도 있다. 비교예 9는 PET 필름상에 EMA 수지를 압출로 적층했지만, EMA 수지의 두께 정밀도에 문제가 있고, 필름 성형 자체에 문제가 발생했다. 따라서, 필름의 두께 정밀도가 극단적으로 나쁘고, 그것에 수반하여 연삭 후의 웨이퍼의 두께 정밀도(TTV)도 극단적으로 떨어지는 결과였다. 비교예 11은, 중간 수지층이 LDPE/EMA의 2층 구성이지만, LDPE:EMA의 비율이 6:4이며, 범프가 200μm의 경우, 밀착성 및 두께 정밀도가 떨어지고 있었다.
한편, 실시예에 기재된 점착테이프는 모두, 범프 웨이퍼에 대한 밀착성, 범프 웨이퍼로부터의 박리성, 휨 방지, 내열성, 더스트 침입 방지, 두께 정밀도가 우수한 결과가 되었다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부의 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2015년 3월 6일에 일본에서 특허 출원된 일본 특허출원 2015-045311에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 넣는다.

Claims (9)

  1. 적어도, 기재 필름, 중간 수지층 및 점착제층으로 구성되는 반도체 웨이퍼용 점착테이프로서,
    상기 기재 필름은, 융점이 90℃ 초과 269℃ 이하이고, 굽힘 탄성율이 1 GPa ~ 10 GPa이며,
    상기 중간 수지층이, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지 또는 에틸렌-초산 비닐 공중합체 수지로 이루어지는 1층이거나, 또는,
    에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 폴리에틸렌 수지의 2층으로 이루어지고, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지: 코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5이며,
    상기 중간 수지층의 수지의 융점이 50℃ ~ 90℃의 범위이며, 또한 굽힘 탄성율이 1 MPa ~ 100 MPa인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 수지층이, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지와 폴리에틸렌 수지의 2층으로 이루어지고, 기재 필름측이 폴리에틸렌 수지이며, 층 두께 비율이 폴리에틸렌 수지:코폴리머 수지 = 1:9 ~ 5:5인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 수지층의 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 코폴리머 수지가, 에틸렌-아크릴산 메틸 코폴리머 수지, 에틸렌-아크릴산 에틸 코폴리머 수지 및 에틸렌-아크릴산 부틸 코폴리머 수지로부터 선택되는 수지인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 또는 폴리스티렌 수지의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 필름의 두께가 25μm ~ 75μm인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 수지층의 두께가 100μm ~ 400μm인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 수지층의 폴리에틸렌 수지가 저밀도 폴리에틸렌 수지인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  8. 제 1 항에 있어서,
    웨이퍼 표면에 20μm 이상의 요철을 가지는 웨이퍼에 대해서 60℃ 이상의 온도로 가열 첩합되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 수지층의 두께가, 범프의 높이 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 점착 시트.
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