CN113451195A - 半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置制造用片，其具备基材、第一粘着剂层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，且通过在所述基材上依次层叠所述第一粘着剂层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材而构成，并且具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。

Description

半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置制造用片以及半导体装置制造用片的制造方法。
本申请基于2020年3月27日在日本提出的专利申请2020-058730号主张优先权，将其内容援用于此。
背景技术
在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的膜状粘合剂的带有膜状粘合剂的半导体芯片。
作为带有膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个例子，例如可列举出如下方法。
首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicing die bonding sheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片和设置在所述支撑片的面上的膜状粘合剂的切割固晶片。支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材和设置在所述基材的面上的粘着剂层的支撑片、仅由基材构成的支撑片等。在为具备粘着剂层的支撑片时，在粘着剂层的与设置有基材的一侧相反的一侧设置有膜状粘合剂。切割固晶片通过膜状粘合剂贴附在半导体晶圆的背面。
接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化(singulation)为目标的半导体芯片。膜状粘合剂沿着半导体芯片的外周而被切断。由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带有膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带有膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上的带有膜状粘合剂的半导体芯片组。
然后，将带有膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上分离并拾取。当使用具备固化性的粘着剂层的支撑片时，此时通过预先使粘着剂层固化而降低粘着性，可更加易于拾取。
由以能够得到用于制造半导体装置的带有膜状粘合剂的半导体芯片。
作为带有膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个例子，例如可列举出如下方法。
首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(作为别名也被称为“表面保护胶带”)。
然后，在半导体晶圆的内部，设定预定分割部位，以该部位所包括的区域为焦点，并以激光聚集在该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。然后，使用研磨机(grinder)对半导体晶圆的背面进行研磨，从而将半导体晶圆的厚度调节至目标值。通过利用此时施加在半导体晶圆上的研磨时的力，在形成改质层的部位，将半导体晶圆分割(单颗化)，制作多个半导体芯片。
接着，在固定在背磨胶带上的所有的半导体芯片的进行了上述研磨的面上贴附固晶片。作为固晶片，可列举出与上述切割固晶片相同的片材。如上所述，固晶片有时可以设计成与切割固晶片具有相同的结构，只是不会在切割半导体晶片时使用。固晶片也可以通过固晶片中的膜状粘合剂稳定地贴附在半导体芯片的背面。
接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，将固晶片在平行于其表面(例如膜状粘合剂对半导体芯片的贴附面)的方向上拉伸，进行所谓的扩展，由此沿着半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。此时的温度可以是常温，也可以在低温下进行。与在常温下进行相比，在低温下进行时(冷扩展)更易于切断膜状粘合剂。
由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带有膜状粘合剂的半导体芯片。
接着，以与上述采用刀片切割的情况相同的方式，将带有膜状粘合剂的半导体芯片从所述支撑片上分离并拾取，由此可稳定地得到用于制造半导体装置的带有膜状粘合剂的半导体芯片。
被拾取的半导体芯片通过设置在其背面的膜状粘合剂而固晶在基板的电路形成面上，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠一个以上其他半导体芯片，并通过引线键合等进行电连接后，用树脂对整体进行密封。使用由此得到的半导体封装，最终制造目标的半导体装置。
切割固晶片以及固晶片均可用于制造带有膜状粘合剂的半导体芯片，最终可制造目标的半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。
专利文献1中公开了一种切割-固晶胶带(相当于所述固晶片)，其通过依次层叠基材、粘着剂层、基材层(相当于中间层)、粘着粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)而构成，且所述基材层具有特定范围的拉伸特性。根据该固晶片，通过具备相当于中间层的上述基材层，能够在扩展膜状粘合剂时以高精度切断膜状粘合剂。
此外，固晶片等有时会以连续贴合在长条的剥离膜上并卷成卷状的方式而提供。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5946650号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
例如，上述粘合粘着剂层(相当于上述膜状粘合剂)有时会被预先冲压加工成匹配作为使用对象的半导体晶圆等的形状。此外，基材层(相当于中间层)也可以同样被冲压加工。冲压加工后的残余部分(不贴附于半导体晶圆等的周边部)被去除，因此这些经冲压加工而得到的部分会层叠得比周围部分高。然而，对于这种由各层叠部分的层厚差异造成的段差，当半导体装置制造用片以卷成卷状的形式而提供时，各个段差的位置会发生偏移而重叠，存在容易导致产生卷绕痕迹(也成为“卷痕”)的问题。
本发明为了解决上述问题而进行，目的在于提供一种可抑制产生卷绕痕迹的半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法。
解决技术问题的技术手段
本发明的发明人为了解决上述问题进行了认真研究，结果发现通过使半导体装置制造用片具备具有依次层叠有剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的结构的复合剥离膜，并将该复合剥离膜的厚度设定为特定值，能够解决上述问题，从而完成了本发明。
即，本发明包括以下方案。
(1)一种半导体装置制造用片，其具备基材、第一粘着剂层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，且通过在所述基材上依次层叠所述第一粘着剂层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材而构成，
具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。
(2)根据上述(1)所述的半导体装置制造用片，其中，在所述复合剥离膜上，自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，
所述切口部的切口深度大于25μm。
(3)根据上述(2)所述的半导体装置制造用片，其中，以所述复合剥离膜的厚度-所述切口深度表示的未切部的厚度的值为10μm以上。
(4)根据上述(2)或(3)所述的半导体装置制造用片，其中，所述剥离膜及所述第二粘着剂层的总厚度的值大于所述切口深度的值。
(5)根据上述(2)～(4)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述支撑基材上未形成所述切口部。
(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述第二粘着剂层的厚度为2μm以上。
(7)根据上述(1)～(6)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层。
(8)根据上述(7)所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的面积和所述膜状粘合剂的面积均小于比所述中间层和所述膜状粘合剂更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。
(9)根据上述(7)或(8)所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层及所述膜状粘合剂的总厚度为15μm以上。
(10)根据上述(1)～(9)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述支撑基材的厚度为12μm以上。
(11)根据上述(1)～(10)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述复合剥离膜的厚度为130μm以下。
(12)根据上述(1)～(11)中任一项所述的半导体装置制造用片，其为以在长条状的所述复合剥离膜上层叠所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂，并将所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂作为内侧的方式被卷绕成卷的卷体。
(13)一种半导体装置制造用片的制造方法，其为制造上述(1)～(12)中任一项所述的半导体装置制造用片的方法，其包括：
层叠所述基材及所述第一粘着剂层，得到第一中间层叠体；
依次层叠所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材，得到第二中间层叠体；
将所述第一中间层叠体与所述第二中间层叠体贴合。
发明效果
根据本发明，能够提供一种可抑制产生卷绕痕迹的半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的截面图。
图2为示意性地示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的截面图。
图3为图2所示的半导体装置制造用片的平面图。
图4为示意性地示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的截面图。
图5为图4所示的半导体装置制造用片的切口部的放大图。
图6为示意性地示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的卷体的截面图。
图7A为用于示意性地说明作为本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的截面图。
图7B为用于示意性地说明作为本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的截面图。
图7C为用于示意性地说明作为本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的截面图。
图8A为用于示意性地说明本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用方法的截面图。
图8B为用于示意性地说明本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用方法的截面图。
图8C为用于示意性地说明本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的使用方法的截面图。
附图标记说明
100：半导体装置制造用片；101：半导体装置制造用片；102：半导体装置制造用片；1：支撑片；10：层叠片；11：基材；12：第一粘着剂层；13：中间层；14：膜状粘合剂；15：剥离膜；16：第二粘着剂层；17：支撑基材；20：复合剥离膜；W13：中间层的宽度；W14：膜状粘合剂的宽度；110：卷体；P：单元；8：背磨胶带；9’：半导体晶圆；90’：改质层；9a’：电路形成面；9b’：背面；9：半导体芯片；9a：电路形成面；9b：背面；901：半导体芯片组；140：切断后的膜状粘合剂；910：带有膜状粘合剂的半导体芯片组；914：带有膜状粘合剂的半导体芯片；E1：扩展方向。
具体实施方式
以下，对本发明的半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法的实施方式进行说明。
◇半导体装置制造用片
<第一实施方式>
本实施方式的半导体装置制造用片具备基材、第一粘着剂层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，且通过在所述基材上依次层叠所述第一粘着剂层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材而构成，具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。
在本实施方式的半导体装置制造用片中，也可以在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层。
本实施方式的半导体装置制造用片具备基材，且通过在所述基材上依次层叠第一粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材而构成，具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。
本实施方式的半导体装置制造用片通过具备如上所述依次层叠有剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的层叠体(以下有时将该层叠体称为“复合剥离膜”)，并使其厚度大于38μm，即使半导体装置制造用片被卷绕成卷状而以卷体提供时，也可抑制产生卷绕痕迹。认为这是由于，在复合剥离膜中，通过具有在剥离膜上进一步层叠有第二粘着剂层及支撑基材的结构，尤其是通过第二粘着剂层的缓冲作用，由各层的总厚度的差异造成的段差不易对被卷起并重叠的部分产生影响，可抑制产生卷绕痕迹。可以通过展开卷体以肉眼观察膜状粘合剂等中的所述段差的重叠部分来确认卷绕痕迹。优选在容易产生卷绕痕迹的卷体芯部附近确认卷绕痕迹。
在本说明书中，只要无特殊说明，则“厚度”为在随机选取的5个位置测得的厚度的平均值，其可按照JIS K7130，使用恒压测厚仪而获得。
本实施方式的复合剥离膜也可以具备既不属于剥离膜、也不属于第二粘着剂层、且不属于支撑基材的其他层。然而，本实施方式的半导体装置制造用片优选如图1所示，以使第二粘着剂层16与剥离膜15直接接触的状态具备第二粘着剂层16，并以使支撑基材17与第二粘着剂层16直接接触的状态具备支撑基材17。
对于本实施方式的半导体装置制造用片，切割后的半导体晶圆也为优选的使用对象。其中，作为切割后的半导体晶圆，可列举出处于预先整齐排列有多个半导体芯片的状态的半导体晶圆、或者包括这种整齐排列的多个半导体芯片和除其之外的半导体晶圆中未分割成半导体芯片的区域的半导体晶圆。
半导体装置制造用片的这种使用对象例如可通过下述的半导体晶圆的切割而得到。
即，首先在半导体晶圆的形成有电路的一侧的面上贴附背磨胶带。
接着，通过以激光聚集在设置于半导体晶圆内部的焦点的方式照射激光，在半导体晶圆的内部形成改质层。此时焦点的位置为半导体晶圆的预计进行分割的位置，且以能够由半导体晶圆获得目标尺寸、形状及个数的半导体芯片的方式设定该焦点的位置。
接着，使用研磨机对半导体晶圆的与电路形成面为相反侧的面(即背面)进行研磨。由此，在将半导体晶圆的厚度调节至目标值的同时，通过利用此时施加在半导体晶圆上的研磨时的力，在形成改质层的部位将半导体晶圆分割，进而形成多个半导体芯片。半导体晶圆的改质层与半导体晶圆的其他部位不同，其因照射激光而变质，强度减弱。因此，通过对形成有改质层的半导体晶圆施加力，力施加在半导体晶圆内部的改质层上，半导体晶圆在该改质层的部位被分割，进而得到多个半导体芯片。
另外，根据该研磨时的条件，对于半导体晶圆的部分区域而言，有时也会未分割为半导体芯片。
另外，本实施方式的半导体装置制造用片的使用对象的切割方法没有特别限定。例如，作为将半导体晶圆分割为半导体芯片的方法，已知有使用刀片的刀片切割法、利用激光照射的激光切割法、或者通过喷射含有研磨剂的水进行的水切割等各种切割、利用等离子体照射的等离子体切割等各种切割，本实施方式的半导体装置制造用片可适用于任意一种方法。
以下，参照附图对所述半导体装置制造用片进行详细说明。另外，为了易于理解本发明的特征，出于方便，以下说明中所使用的图有时会将主要部分放大而示出，各结构要素的尺寸比例等不一定与实际情况相同。
图1为示意性地示出本发明的一个实施方式的半导体装置制造用片的截面图。
另外，在图2之后的图中，对于与已说明的图中所示的结构要素相同的结构要素，标记与该已说明的图中相同的标记，并省略其详细说明。
此处所示的半导体装置制造用片100具备基材11，并通过在基材11上依次层叠第一粘着剂层12、膜状粘合剂14、剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑片17而构成。剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材构成复合剥离膜20。
图2为示意性地示出本发明一个实施方式的半导体装置制造用片的截面图。
此处所示的半导体装置制造用片101具备基材11，并通过在基材11上依次层叠第一粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14、剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑片17而构成。剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材构成复合剥离膜20。半导体装置制造用片101为在半导体装置制造用片100中进一步具备中间层13的片。以下，以图2所示的半导体装置制造用片101为例，对本实施方式的半导体装置制造用片的结构进行说明。
在半导体装置制造用片101中，在基材11的一个面(以下，在本说明书中有时称为“第一面”)11a上，设置有第一粘着剂层12，在第一粘着剂层12的与设置有基材11的一侧为相反侧的面(以下，在本说明书中有时称为“第一面”)12a上设置有中间层13，在中间层13的与设置有第一粘着剂层12的一侧为相反侧的面(以下，在本说明书中有时称为“第一面”)13a上设置有膜状粘合剂14，在膜状粘合剂14的与设置有中间层13的一侧为相反侧的面(以下，在本说明书中有时称为“第一面”)14a上设置有复合剥离膜20。由此，半导体装置制造用片101通过将基材11、第一粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14及复合剥离膜20在它们的厚度方向上依次层叠而构成。
半导体装置制造用片101在去除了复合剥离膜20的状态下以膜状粘合剂14的第一面14a贴附在半导体晶圆、半导体芯片或未完全分割的半导体晶圆(省略图示)的背面的方式而使用。
在本说明书中，不论对于半导体晶圆还是半导体芯片，均将其形成有电路的一侧的面称为“电路形成面”，将与电路形成面为相反侧的面称为“背面”。
在本说明书中，有时会将包括基材及第一粘着剂层的层叠体称为“支撑片”。在图2中标注标记1来表示支撑片。
此外，有时会将具有将基材、第一粘着剂层及中间层在它们的厚度方向上依次层叠而成的结构的层叠物称为“层叠片”。在图2中标注标记10来表示层叠片。所述支撑片及中间层的层叠物包含在所述层叠片中。
图3为图2所示的半导体装置制造用片的平面图。
在从中间层13及膜状粘合剂14的上方向下俯视时的中间层13及膜状粘合剂14的平面形状均为圆形，且中间层的13的直径与膜状粘合剂14的直径相同。
并且，在半导体装置制造用片101中，以使中间层13及膜状粘合剂14的中心保持一致的方式配置中间层13及膜状粘合剂14，换而言之，以使中间层13及膜状粘合剂14的外周位置在其径向上均保持一致的方式配置中间层13及膜状粘合剂14。
作为构成半导体制造用片的各个层的优选的形状，为圆形的支撑片1与直径小于支撑片1的圆形的中间层13及膜状粘合剂14层叠成同心圆状的形状。
对于图2所示的半导体制造用片101，中间层13的第一面13a与膜状粘合剂14的第一面14a的面积均小于第一粘着剂层12的第一面12a。并且，中间层13的宽度W13的最大值(即直径)与膜状粘合剂14的宽度W14的最大值(即直径)均小于第一粘着剂层12的宽度的最大值和基材11的宽度的最大值。因此，在半导体制造用片101中，第一粘着剂层12的第一面12a的一部分未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖。复合剥离膜20与这样的第一粘着剂层12的第一面12a中未层叠有中间层13及膜状粘合剂14的区域直接接触并层叠在其之上，并且在去除了复合剥离膜20的状态下，该区域露出(以下在本说明书中有时将该区域称为“非层叠区域”)。
另外，在具备复合剥离膜20的半导体装置制造用片101中，在第一粘着剂层12的未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖的区域中，可如此处所示存在未层叠复合剥离膜20的区域，也可以不存在未层叠复合剥离膜20的区域。
半导体装置制造用片101能够以下述方式进行固定：在未切断膜状粘合剂14且贴附于上述半导体芯片等的状态下，将第一粘着剂层12的所述非层叠区域的一部分贴附在半导体晶圆固定用的环形框架等夹具上。因此，无需对半导体装置制造用片101另行设置用于将半导体装置制造用片101固定于所述夹具的夹具用粘合剂层。并且，由于无需设置夹具用粘合剂层，因此可以更廉价且高效地制造半导体装置制造用片101。
由此，半导体装置制造用片101由于不具备夹具用粘合剂层因而发挥有利的效果，但也可以具备夹具用粘合剂层。此时，夹具用粘合剂层可以设置在构成半导体装置制造用片101中的任意一层的表面的周缘部附近的区域。作为这样的区域，可列举出第一粘着剂层12的第一面12a上的所述非层叠区域等。
夹具用粘合剂层可以是公知的粘合剂层，例如可以是含有粘合剂成分的单层结构，也可以是在构成芯材的片的两面层叠含有粘合剂成分的层而成的多层结构。
此外，如后文所述，将半导体装置制造用片101在平行于其表面(例如第一粘着剂层12的第一面12a)的方向上拉伸而进行所谓的扩展时，由于第一粘着剂层12的第一面12a上存在所述非层叠区域，因此能够易于将半导体装置制造用片101扩展。并且，不仅能够易于将膜状粘合剂14切断，有时还能够抑制中间层13及膜状粘合剂14从第一粘着剂层12上剥离。
例如，本实施方式的半导体装置制造用片也可以具备不属于基材、第一粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、复合剥离膜及夹具用粘合剂层中的任意一层的其他层。然而，本实施方式的半导体装置制造用片优选如图2所示，以使第一粘着剂层与基材直接接触的状态具备第一粘着剂层，并以使中间层与第一粘着剂层直接接触的状态具备中间层，以使复合剥离膜与膜状粘合剂直接接触的状态具备复合剥离膜。
在本实施方式的半导体装置制造用片中，例如，中间层及膜状粘合剂的俯视形状可以为除圆形以外的形状，中间层及膜状粘合剂的俯视形状可以彼此相同，也可以彼此不同。优选中间层的面积与膜状粘合剂的面积均小于比它们更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。例如，优选中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积均小于比它们更靠近基材侧的层的面(例如第一粘着剂层的第一面)的面积。中间层及膜状粘合剂的俯视形状可以彼此相同，也可以彼此不同。
另外，当本实施方式的半导体装置制造用片不具有中间层时，优选膜状粘合剂的面积小于比其更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。例如，膜状粘合剂的第一面的面积小于比其更靠近基材侧的层的面(例如第一粘着剂层的第一面)的面积。
中间层及膜状粘合剂的外周的位置在它们的径向上均一致，也可以不一致。
中间层的俯视形状的外周位置与膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均优选比起比它们更靠近基材侧的层的至少一个面的俯视形状的外周更靠内侧。例如，中间层的俯视形状的外周位置与膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均优选比支撑片的俯视形状的外周位置更靠内侧。
中间层13及膜状粘合剂14可通过例如冲压加工而加工形成任意的形状。将中间层13及膜状粘合剂14制成圆形时，可使用对应形状的冲压刃进行冲压成圆形的加工。
<第二实施方式>
图4为示意性地示出本实施方式的半导体装置制造用片102的截面图。图5为图4所示的半导体装置制造用片102的切口部的放大图。
半导体装置制造用片102具备基材11，并通过在基材11上依次层叠第一粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14、剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑片17而构成，具有依次层叠有剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑基材17的结构的复合剥离膜20的厚度大于38μm，在复合剥离膜20上，自层叠有膜状粘合剂14的一侧的面上形成有切口部C。切口部C沿着膜状粘合剂14的周缘部而形成。这是由于本实施方式的切口部C可以在对层叠在复合剥离膜20上的膜状粘合剂14进行冲压加工时而形成。因此，切口部C的内侧轮廓线的形状可以与膜状粘合剂14的外侧轮廓线的形状一致，也可以与中间层13及膜状粘合剂14的外侧轮廓线的形状一致。通过以形成切口部C的方式进行冲压加工，能够防止膜状粘合剂14的冲压变得不充分。
图5示出了复合剥离膜20上所形成的所述切口部C的放大图，以D1表示其切口深度。
另外，在本说明书中，复合剥离膜中的切口深度是指，利用电子显微镜对复合剥离膜上所形成的切口部的复合剥离膜厚度方向上的深度进行截面观察，并随机测定10个点取其平均而得到的值。
当以以往产品的不具有复合剥离膜结构的剥离膜为对象获取切口深度时，对于形成在剥离膜上的切口部，可以以与上述相同的方法进行测定。
对于本实施方式的半导体装置制造用片中的复合剥离膜，当形成有所述切口部时，所述切口部的切口深度优选大于25μm，更优选为27μm以上，进一步优选30μm以上。
通过使切口深度为所述下限值以上，即使反复进行冲压加工时，在切割刃的切入对象部位产生未能切断的部位的频率下降，反复冲压加工性提高。这是由于，通过使切口深度深于以往，即使冲压加工中所使用的刃发生磨损，也能够防止冲压变得不充分。
为了使复合剥离膜20不发生断裂，切口深度的上限值优选小于复合剥离膜20的厚度。切口深度的上限值例如可以小于100μm、也可以为68μm以下、也可以为50μm以下、也可以为37μm以下。其中，切口深度的上限值可以考虑下述未切部的厚度适当进行设定。
作为所述切口深度的数值范围的一个例子，可以大于25μm且小于100μm、可以大于25μm且为68μm以下、可以为27μm以上50μm以下、30μm以上37μm以下。
为了加深在以往的剥离膜上的切口深度，剥离膜的厚度较厚时是有利的。关于这一点，本实施方式的半导体装置制造用片由于以所述复合剥离膜作为剥离膜，因此能够易于设定相当于以往的剥离膜的复合剥离膜的各个层厚度和结构。
本实施方式的半导体装置制造用片是非常优异的片材，其能够兼顾抑制产生卷绕痕迹和提高反复冲压加工性。
此外，本实施方式的复合剥离膜由于具有依次层叠有剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的层结构，因此以形成于某层的切口部等为起点的破损所带来的影响不易扩大至复合剥离膜中的其他层，后述的贴合工艺(mount process)的反复适性得到提高。
剥离膜15及第二粘着剂层16的总厚度的值，优选大于所述切口深度的值。通过设定成该结构，可以防止在支撑基材17上形成切口部C。优选在支撑基材17上不形成切口部C。切口深度的值可大于剥离膜的厚度。
在形成有切口部C的部分，复合剥离膜可能会以切口部C为起点发生断开或裂开，但通过防止在支撑基材17上形成切口部C、优选通过具有未形成切口部C的支撑基材17，能够防止复合剥离膜20发生断裂。
在图5中，可以将以D2表示的复合剥离膜的未切部的厚度设定为由“复合剥离膜的厚度-切口深度”求得的值。
如图5所示，当复合剥离膜20仅由仅依次层叠有剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑基材17的结构构成时，未切部的厚度可以设定为由“剥离膜15、第二粘着剂层16及支撑基材17的总厚度-切口深度”求得的值。
未切部的厚度没有特别限定，但优选大于10μm、更优选为20μm以上、进一步优选为45μm以上。其上限值小于复合剥离膜的厚度，且为由复合剥离膜的厚度减去切口深度而得到的值。
通过使未切部的厚度为所述下限值以上，能够防止在使用半导体装置制造用片并去除复合剥离膜时等情况下，复合剥离膜以切口部为起点断开或裂开。
由于本实施方式的复合剥离膜具有依次层叠有剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的层结构，因此具有即使当未切部的厚度较小时，防止复合剥离膜断开或裂开的效果也优异的趋势。未切部的厚度的上限值没有特别限定，但可以为60μm以下、也可以为30μm以下、也可以为20μm以下、也可以为15μm以下。
作为复合剥离膜中未切部的厚度的数值范围的一个例子，可以大于10μm且为60μm以下、也可以大于10μm且为30μm以下、也可以大于10μm且为20μm以下、也可以大于10μm且为15μm以下。
接着，对构成本发明的半导体装置制造用片的各个层进行更详细地说明。
○基材
所述基材为片状或膜状。
所述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可列举出聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等)、聚丙烯(PP)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及除乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、这些树脂中的任意一种树脂的氢化物、改性物、交联物或共聚物等。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为同时包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如“(甲基)丙烯酸酯”是指同时包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念，“(甲基)丙烯酰基”是指同时包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”的概念。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
从更加易于调节加热时变化率、冷却时变化率及综合变化率的点出发，构成基材的材料优选为聚乙烯、更优选为低密度聚乙烯(LDPE)。
基材可以仅由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。当基材由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同或不同，只要不损害本发明的效果，这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不仅限于基材的情况，“多个层可以彼此相同或不同”是指“可以所有的层均相同，也可以所有的层均不同，还可以仅部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中至少一者彼此不同”。
基材的厚度可以根据目的适当进行选择，但优选为50～300μm、更优选为60～150μm。通过使所述基材的厚度为所述下限值以上，基材的结构会变得更稳定。通过使基材的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时或所述半导体装置制造用片的扩展时，基材更易于扩展，也更易于通过扩展切断膜状粘合剂。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。
为了提高基材与设置在该基材上的第一粘着剂层等其他层的密合性，可对基材表面实施喷砂处理、溶剂处理、压花加工处理等凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧-紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。
此外，可以对基材的表面实施底涂处理。
此外，基材也可以具有：抗静电涂层；在重叠半导体装置制造用片进行保存时用于防止基材与其他片粘合或防止基材粘合于吸附台(suction table)的层等。
除了所述树脂等主要构成材料之外，基材也可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
在不损害本发明的效果范围内，基材的光学特性没有特别限定。基材例如可以为能够透射激光或能量射线的基材。
基材可以通过公知的方法制造。例如，含有树脂(以树脂为构成材料)的基材可以通过使所述树脂或含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
○第一粘着剂层
所述第一粘着剂层为片状或膜状，且含有粘着剂。
第一粘着剂层能够使用含有所述粘着剂的粘着剂组合物而形成。例如，通过在欲形成第一粘着剂层的对象面上涂布粘着剂组合物，并根据需要对其进行干燥，可在目标部位上形成第一粘着剂层。
粘着剂组合物的涂布使用公知的方法进行即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机(blade coater)、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机(mayer bar coater)、吻涂机(kisscoater)等各种涂布机的方法。
粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，当粘着剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥。此时，优选例如以70～130℃、10秒钟～5分钟的条件进行干燥。
作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂(urethane resin)、橡胶类树脂、有机硅树脂(silicone resin)、环氧树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘着性树脂，优选丙烯酸树脂。
另外，在本说明书中，“粘着性树脂”包括具有粘着性的树脂和具有粘合性的树脂这两种。例如，所述粘着性树脂不仅包括树脂自身具有粘着性的树脂，还包括通过与添加剂等其他成分的同时使用而表现出粘着性的树脂或者因热或水等诱因(trigger)的存在而表现出粘合性的树脂等。
第一粘着剂层可以为固化性，也可以为非固化性，例如可以为能量射线固化性，也可以为非能量射线固化性。固化性的第一粘着剂层能够更加易于调节其固化前以及固化后的物性。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的例子，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如可以通过使用高压汞灯、熔融灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源来照射紫外线。作为电子束，能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。
此外，在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
第一粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，当由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同或不同，这些多个层的组合没有特别限定。
第一粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。
此处，“第一粘着剂层的厚度”是指第一粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的第一粘着剂层的厚度是指构成第一粘着剂层的所有层的总厚度。
只要在不损害本发明效果的范围内，则粘着剂层的光学特性没有特别限定。例如第一粘着剂层可以是能够透射能量射线的粘着剂层。
接着对所述粘着剂组合物进行说明。在以下关于粘着剂组合物的说明中，有时会将第一粘着剂层仅称为“粘着剂层”。
下述粘着剂组合物以含量(质量％)总和不超出100质量％的方式含有例如下述一种以上的成分。
＜＜粘着剂组合物＞＞
当粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的粘着剂组合物、即能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-1a)”)和能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-2a)”)的粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)和能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-3)等。
<粘着剂组合物(I-1)>
所述粘着剂组合物(I-1)如上所述含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)和能量射线固化性化合物。
[粘着性树脂(I-1a)]
所述粘着性树脂(I-1a)优选为丙烯酸树脂。
作为所述丙烯酸树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸聚合物。
所述丙烯酸树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可以任意选择。
粘着剂组合物(I-1)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着剂组合物(I-1)的总质量，粘着性树脂(I-1a)的含量比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团且可通过照射能量射线而固化的单体或低聚物。
在能量射线固化性化合物中，作为单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。
在能量射线固化性化合物中，作为低聚物，例如可列举出上述例示的单体进行聚合而形成的低聚物等。
从分子量较大、不易降低粘着剂层的储能模量的点出发，能量射线固化性化合物优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可以任意选择。
在粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着剂组合物(I-1)的总质量，所述能量射线固化性化合物的含量比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
[交联剂]
当使用除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元之外还具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物作为粘着性树脂(I-1a)时，粘着剂组合物(I-1)优选进一步含有交联剂。
所述交联剂例如与所述官能团反应从而使粘着性树脂(I-1a)彼此交联。
作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷杂三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridnyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘着剂的内聚力及提高粘着剂层的粘着力的点、以及易于获得等的点出发，交联剂优选为异氰酸酯类交联剂。
粘着剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可以任意选择。
当使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-1)还可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等能量较低的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-1)也能够充分进行固化反应。
作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰(benzil)；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
此外，作为所述光聚合引发剂，例如也可以使用1-氯蒽醌等蒽醌化合物、胺等光敏剂等。
所述粘着剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂]
在不损害本发明效果的范围内，粘着剂组合物(I-1)也可以含有不属于上述任意一种成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、增敏剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
另外，反应延迟剂是指，用于抑制例如通过混入粘着剂组合物(I-1)中的催化剂的作用而在保存中的粘着剂组合物(I-1)中进行非目标的交联反应的成分。作为反应延迟剂，例如可列举出利用针对催化剂的螯合物而形成螯合络合物(chelate complex)的化合物，更具体而言，可列举出一分子中具有两个以上羰基(-C(＝O)-)的化合物。
粘着剂组合物(I-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。
[溶剂]
粘着剂组合物(I-1)也可以含有溶剂。通过含有溶剂，粘着剂组合物(I-1)对涂布对象面的涂布适性得到提高。
所述溶剂优选为有机溶剂。
<粘着剂组合物(I-2)>
所述粘着剂组合物(I-2)如上所述含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
[粘着性树脂(I-2a)]
所述粘着性树脂(I-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团的化合物与粘着性树脂(I-1a)中的官能团反应而得到。
所述含不饱和基团的化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团之外还进一步具有通过与粘着性树脂(I-1a)中的官能团反应而能够与粘着性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。
作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。
作为可与粘着性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出能够与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及能够与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。
作为所述含不饱和基团的化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯等。
粘着剂组合物(I-2)所含有的粘着性树脂(I-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着剂组合物(I-2)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量比例优选为5～99质量％、更优选为10～95质量％、特别优选为10～90质量％。
[交联剂]
例如当使用与粘着性树脂(I-1a)中的具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物相同的丙烯酸聚合物作为粘着性树脂(I-2a)时，粘着剂组合物(I-2)可以进一步含有交联剂。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述交联剂，可以列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的化合物。
粘着剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-2)还可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等能量较低的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-2)也能够充分进行固化反应。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述光聚合引发剂，可以列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的化合物。
粘着剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂、溶剂]
在不损害本发明效果的范围内，粘着剂组合物(I-2)也可以含有不属于上述任意一种成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)相同的目的，粘着剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-2)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的化合物。粘着剂组合物(I-2)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
粘着剂组合物(I-2)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
<粘着剂组合物(I-3)>
粘着剂组合物(I-3)如上所述含有所述粘着性树脂(I-2a)和能量射线固化性化合物。
在粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着剂组合物(I-3)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量比例优选为5～99质量％、更优选为10～95质量％、特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘着剂组合物(I-3)所含有的能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团且可通过照射能量射线而固化的单体及低聚物，可列举出与粘着剂组合物(I-1)含有的能量射线固化性化合物相同的化合物。
粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。
[光聚合引发剂]
粘着剂组合物(I-3)还可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等能量较低的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-3)也能够充分进行固化反应。
作为粘着剂组合物(I-3)中的所述光聚合引发剂，可以列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的化合物。
粘着剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)及所述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其他添加剂、溶剂]
在不损害本发明效果的范围内，粘着剂组合物(I-3)也可以含有不属于上述任意一种成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)相同的目的，粘着剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-3)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的化合物。粘着剂组合物(I-3)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
粘着剂组合物(I-3)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
<除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)之外的粘着剂组合物>
此前主要对粘着剂组合物(I-1)、粘着剂组合物(I-2)及粘着剂组合物(I-3)进行了说明，而作为这三种粘着剂组合物的所含成分而进行了说明的成分，同样也可用于除这三种粘着剂组合物之外的所有粘着剂组合物(在本发明中将其称为“除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物”)。
作为除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物，除了能量射线固化性的粘着剂组合物之外，还可列举出非能量射线固化性的粘着剂组合物。
作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的粘着剂组合物(I-4)，优选含有丙烯酸树脂的粘着剂组合物。
除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物优选含有一种或两种以上的交联剂，其含量可设定为与上述粘着剂组合物(I-1)等的情况相同。
<粘着剂组合物(I-4)>
作为粘着剂组合物(I-4)的优选例，例如可列举出含有所述粘着性树脂(I-1a)和交联剂的组合物。
[粘着性树脂(I-1a)]
作为粘着剂组合物(I-4)中的粘着性树脂(I-1a)，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的粘着性树脂(I-1a)相同的化合物。
粘着剂组合物(I-4)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在粘着剂组合物(I-4)中，相对于粘着剂组合物(I-4)的总质量，粘着性树脂(I-1a)的含量比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[交联剂]
当使用除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元之外还具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物作为粘着性树脂(I-1a)时，粘着剂组合物(I-4)优选进一步含有交联剂。
作为粘着剂组合物(I-4)中的交联剂，可以列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的化合物。
粘着剂组合物(I-4)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在所述粘着剂组合物(I-4)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～25质量份，特别优选为0.1～10质量份。
[其他添加剂、溶剂]
在不损害本发明效果的范围内，粘着剂组合物(I-4)也可以含有不属于上述任意一种成分的其他添加剂。
此外，出于与粘着剂组合物(I-1)相同的目的，粘着剂组合物(I-4)也可以含有溶剂。
作为粘着剂组合物(I-4)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂及溶剂相同的化合物。粘着剂组合物(I-4)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
粘着剂组合物(I-4)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
＜＜粘着剂组合物的制备方法＞＞
粘着剂组合物(I-1)～(I-3)和粘着剂组合物(I-4)等除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物可以通过将所述粘着剂与根据需要而添加的除所述粘着剂以外的成分等用于构成粘着剂组合物的各成分进行掺合而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转进行混合的方法；使用混合器(mixer)进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
○中间层
所述中间层为片状或膜状，且含有树脂。
中间层可以为仅由树脂构成的层，也可以为含有树脂和除树脂以外的成分的层。
中间层例如可以通过使所述树脂或含有所述树脂的中间层形成用组合物成型而形成。此外，中间层也可以通过在欲形成中间层的对象面上涂布所述中间层形成用组合物并根据需要使其干燥而形成。
作为中间层的构成材料的所述树脂没有特别限定。
作为中间层中优选的所述树脂，例如可列举出乙烯乙酸乙酯共聚物(EVA)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚氨酯丙烯酸酯(UA)等。
所述中间层形成用组合物的所述树脂的含量没有特别限定，例如可设为80质量％以上、90质量％以上及95质量％以上等中的任意范围，但这仅为一个例子。
中间层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，当由多个层构成时，这些多个层的可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
中间层例如可通过冲压加工而加工成任意的形状，优选加工成圆形。
如上所述，中间层的宽度的最大值优选小于第一粘着剂层的宽度的最大值和基材的宽度的最大值。
可以考虑半导体晶圆的尺寸适当选择中间层的宽度的最大值。例如，中间层的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。该三个数值范围对应于在平行于与半导体装置制造用片进行贴附的面的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。其中，当如上所述在进行伴随有在半导体晶圆内形成改质层的切割后，通过对半导体装置制造用片进行扩展来切断膜状粘合剂时，会以如后所述的方式将切割后的多个半导体芯片(半导体芯片组)作为一个整体，并在这些半导体芯片上贴附半导体装置制造用片。
在本说明书中，只要没有特殊说明，则“中间层的宽度”是指例如
“中间层的在平行于中间层的第一面的方向上的宽度”。例如，对于平面形状为圆形的中间层，上述中间层的宽度的最大值为作为所述平面形状的圆的直径。
关于这一点，半导体晶圆也相同。即，“半导体晶圆的宽度”是指“半导体晶圆的在平行于其与半导体装置制造用片进行贴附的面的方向上的宽度”。例如，对于平面形状为圆形的半导体晶圆，上述半导体晶圆的宽度的最大值为作为所述平面形状的圆的直径。
中间层的150～160mm这一范围的宽度最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的150mm这一宽度最大值。
同样，中间层的200～210mm这一范围的宽度最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的200mm这一宽度最大值。
同样，中间层的300～310mm这一范围的宽度最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的300mm这一宽度最大值。
即，在本实施方式中，不论半导体晶圆的宽度的最大值为例如150mm、200mm及300mm中的哪一个值，中间层的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值的差均可以为0～10mm。
通过使中间层的宽度的最大值满足该条件，在通过对所述半导体装置制造用片进行扩展从而切断膜状粘合剂时，抑制切断后的膜状粘合剂发生目的之外的飞散的效果增高。
中间层的厚度可根据需要适当选择，可以为10μm以上、也可以为10～150μm、也可以为15～120μm、也可以为15～90μm、也可以为15～60μm。此外，也可以为30～120μm、也可以为60～120μm。通过使中间层的厚度为所述下限值以上，中间层的结构变得更稳定。通过使中间层的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时和扩展半导体装置制造用片时，更加易于切断膜状粘合剂。
此处，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如由多个层构成的中间层的厚度是指构成中间层的所有层的总厚度。
○膜状粘合剂
所述膜状粘合剂具有固化性，优选具有热固性的粘合剂，优选具有压敏粘合性的粘合剂。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂可在未固化状态下通过轻轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂也可以是能够通过加热软化而贴附在各种被粘物上的粘合剂。膜状粘合剂通过固化最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严酷的高温高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。
膜状粘合剂例如可通过冲压加工而被加工成任意的形状。
当从上方向下俯视半导体装置制造用片时，膜状粘合剂的面积(即第一面的面积)优选以接近分割前的半导体晶圆的面积的方式设定为小于基材的面积(即第一面的面积)以及第一粘着剂层的面积(即第一面的面积)。在这种半导体装置制造用片中，第一粘着剂层的部分第一面上存在不与中间层及膜状粘合剂接触的区域(即所述非层叠区域)。由此，更加易于扩展半导体装置制造用片，且扩展时施加在膜状粘合剂上的力不会分散，因此能够更加易于切断膜状粘合剂。
膜状粘合剂可使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要使其干燥，能够在目标部位形成膜状粘合剂。
粘合剂组合物的涂布可以通过与涂布上述的粘着剂组合物时相同的方法而进行。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定。当粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时例如优选以70～130℃、10秒钟～5分钟的条件进行干燥。
膜状粘合剂可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同或不同，这些多个层的组合没有特别限定。
如上述所述，膜状粘合剂的宽度的最大值小于第一粘着剂层的宽度的最大值和基材的宽度的最大值。
膜状粘合剂的宽度的最大值可以与针对半导体晶圆的尺寸在之前进行了说明的中间层的宽度的最大值相同。
即，膜状粘合剂的宽度的最大值可考虑半导体晶圆尺寸适当进行选择。例如，膜状粘合剂的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。该三个数值范围对应于在平行于与半导体装置制造用片进行贴附的面的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。
在本说明书中，只要没有特殊说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指例如“膜状粘合剂的在平行于膜状粘合剂的第一面的方向上的宽度”。例如，对于平面形状为圆形的膜状粘合剂，上述膜状粘合剂的宽度的最大值为作为所述平面形状的圆的直径。
此外，只要没有特殊说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指“切断前(未切断)的膜状粘合剂的宽度”，而并非后述的制造带有膜状粘合剂的半导体芯片过程中的切断后的膜状粘合剂的宽度。
膜状粘合剂的150～160mm这一范围的宽度最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的150mm这一宽度最大值。
同样，膜状粘合剂的200～210mm这一范围的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的200mm这一宽度最大值。
同样，膜状粘合剂的300～310mm这一范围的宽度最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于半导体晶圆的300mm这一宽度最大值。
即，在本实施方式中，不论半导体晶圆的宽度的最大值为例如150mm、200mm及300mm中的哪一个值，膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值的差均可以为0～10mm。
通过使膜状粘合剂的宽度的最大值满足该条件，在通过对所述半导体装置制造用片进行扩展从而切断膜状粘合剂时，抑制切断后的膜状粘合剂发生目的之外的飞散的效果增高。
在本实施方式中，中间层的宽度的最大值和膜状粘着剂的宽度的最大值均可以在上述数值范围中的任意一个范围内。
即，作为本实施方式的半导体装置制造用片的一个例子，可列举出中间层的宽度的最大值和膜状粘合剂的宽度的最大值均为150～160mm、200～210mm或300～310mm的半导体装置制造用片。
膜状粘合剂的厚度没有特别限定，但优选为1～30μm、更优选为2～20μm、特别优选为3～10μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，能够获得更高的对被粘物(半导体芯片)的粘合力。通过使膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时和扩展半导体装置制造用片时，能够更加易于切断膜状粘合剂。
此处，“膜状粘合剂的厚度”是指膜状粘合剂的整体厚度，例如，由多个层构成的膜状粘合剂的厚度是指构成膜状粘合剂的所有层的总厚度。
在本实施方式中，所述中间层及膜状粘合剂的总厚度优选为15μm以上，更优选为20～180μm，进一步优选30～140μm，特别优选为50～130μm。
通过使总厚度为所述下限值以上，可降低在进行冲压加工时在去除不需要的部分的过程中发生断裂的可能性。通过使总厚度为所述上限值以下，防止卷绕痕迹的效果变得优异。
另外，当本实施方式的半导体装置制造用片不具有中间层时，中间层及膜状粘合剂的总厚度是指膜状粘合剂自身的厚度，膜状粘合剂的厚度可以为15μm、也可以为15～30μm、也可以为15～20μm。
中间层及膜状粘合剂可以为相同形状，优选以使中间层及膜状粘合剂的俯视形状的外周保持一致的方式层叠中间层及膜状粘合剂。
接着，对所述粘合剂组合物进行说明。
下述粘合剂组合物以含量(质量％)总和不超出100质量％的方式含有例如下述一种以上的成分。
＜＜粘合剂组合物＞＞
作为优选的粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及热固性树脂的组合物。以下，对各成分进行说明。
另外，以下示出的粘合剂组合物为优选的一个例子，本实施方式的粘合剂组合物不仅限于以下组合物。
[聚合物成分(a)]
聚合物成分(a)可以看做是聚合性化合物发生聚合反应而形成的成分，其是用于赋予膜状粘合剂成膜性和可挠性并同时提高对半导体芯片等粘合对象的粘合性(换言之即贴附性)的聚合物成分。聚合物成分(a)具有热塑性，不具有热固性。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等，优选丙烯酸树脂。作为所述丙烯酸树脂，可列举出公知的丙烯酸聚合物。
在粘合剂组合物中，相对于除溶剂以外的所有成分的总含量，聚合物成分(a)的含量的比例(即膜状粘合剂中的聚合物成分(a)相对于膜状粘合剂的总质量的含量的比例)优选为20～75质量％，更优选为30～65质量％。
[热固性成分]
热固性成分是用于使热固性保护膜形成用膜固化从而形成硬质的保护膜的成分。
粘合剂组合物所含有的热固性成分可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
作为热固性成分，例如可列举出环氧类热固性树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯树脂等，优选环氧类热固性树脂。
[环氧类热固性树脂(b)]
环氧类热固性树脂(b)是包含在所述热固性成分的概念中的树脂，具有热固性，是用于使膜状粘合剂热固化的成分。
环氧类热固性树脂(b)由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)构成。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
·环氧树脂(b1)
作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆(novolak)型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能度以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(b1)，可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高于不具有不饱和烃基的环氧树脂。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘合剂得到的封装的可靠性得到提高。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
·热固化剂(b2)
热固化剂(b2)作为针对环氧树脂(b1)的固化剂而发挥作用。
作为热固化剂(b2)，例如可列举出1分子中具有2个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基或酸基酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。
在热固化剂(b2)中，作为具有酚羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚醛树脂、双酚、酚醛清漆型酚醛树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等。
在热固化剂(b2)中，作为具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(DICY)等。
热固化剂(b2)可以具有不饱和烃基。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份，例如可以为1～100质量份、1～50质量份及1～25质量份中的任意范围。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，膜状粘合剂更易进行固化。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，膜状粘合剂的吸湿率降低，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步提高。
在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，热固性树脂的含量(优选环氧类热固性树脂，即环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为5～100质量份，更优选为5～75质量份，特别优选为5～50质量份，例如可以为5～35质量份及5～20质量份中的任意范围。通过使热固性树脂的所述含量在该范围内，中间层与膜状粘合剂之间的剥离力更加稳定。
为了改善所述膜状粘合剂的各种物性，除了聚合物成分(a)及热固性成分(b)以外，所述膜状粘合剂也可以根据需要进一步含有不属于这些成分的其他成分。
作为所述膜状粘合剂所含有的其他成分的优选例，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。
[固化促进剂(c)]
固化促进剂(c)是用于调节粘合剂组合物的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(一个以上的氢原子被除氢原子以外的基团取代而成的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(一个以上的氢原子被有机基团取代而成的膦)；四苯基硼四苯基磷(tetraphenylphosphorium tetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphine tetraphenylborate)等四苯基硼盐等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用固化促进剂(c)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧类热固性树脂(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用固化促进剂(c)所带来的效果。通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如抑制高极性的固化促进剂(c)在高温高湿度条件下在膜状粘合剂中向与被粘物的粘合界面侧移动而发生偏析的效果变高，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步提高。当不含有固化促进剂(c)时，更易于制造膜状粘合剂。
[填充材料(d)]
通过含有填充材料(d)，膜状粘合剂的基于扩展的切断性进一步得到提高。此外，通过含有填充材料(d)，易于调整膜状粘合剂的热膨胀系数，通过针对膜状粘合剂的贴附对象优化该热膨胀系数，使用膜状粘合剂得到的封装的可靠性进一步得到提高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，能够降低固化后的膜状粘合剂的吸湿率、提高放热性。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任意一种，优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、红氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠子；这些无机填充材料的表面改性物；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用填充材料(d)时，在粘合剂组合物中，填充材料(d)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的填充材料(d)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为5～80质量％，更优选为10～70质量％，特别优选为20～60质量％。通过使所述比例在该范围内，可更显著地获得使用所述填充材料(d)所带来的效果。
[偶联剂(e)]
通过含有偶联剂(e)，膜状粘合剂对被粘物的粘合性及密合性得到提高。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，耐水性得到提高且不会损害其固化物的耐热性。偶联剂(e)具有能够与无机化合物或有机化合物进行反应的官能团。
偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)等具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用偶联剂(e)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用偶联剂(e)带来的效果，即填充材料(d)在树脂中的分散性的提高、膜状粘合剂与被粘物的粘合性的提高等。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制产生脱气。
[交联剂(f)]
当使用上述丙烯酸类树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的成分作为聚合物成分(a)时，粘合剂组合物及膜状粘合剂可含有交联剂(f)。交联剂(f)是用于使聚合物成分(a)中的所述官能团与其他化合物键合并交联的成分，通过以此方式交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及内聚力。
作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
当使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)之间的反应，能够简便地向膜状粘合剂中导入交联结构。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用交联剂(f)所带来的效果。通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。当不含有交联剂(f)时，无需等待交联反应，更迅速，膜状粘合剂的性能容易稳定。
[能量射线固化性树脂(g)]
通过使粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)，膜状粘合剂可通过照射能量射线而改变特性。
能量射线固化性树脂(g)是使能量射线固化性化合物聚合(固化)而得到的树脂。
作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出在分子内至少具有1个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
粘合剂组合物所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用能量射线固化性树脂(g)时，在粘合剂组合物中，能量射线固化性树脂(g)相对于粘合剂组合物的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
[光聚合引发剂(h)]
当粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)时，为了有效地促进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可含有光聚合引发剂(h)。
作为粘合剂组合物中的光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰(benzil)；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
此外，作为光聚合引发剂(h)，例如还可列举出胺等光敏剂等。
粘合剂组合物所含有的光聚合物引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
当使用光聚合引发剂(h)时，在粘合剂组合物中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。
[通用添加剂(i)]
通用添加剂(i)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，但作为优选的例子，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、着色剂(染料、颜料)、吸杂剂(gettering agent)等。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
粘合剂组合物及膜状粘合剂的含量没有特别限定，根据需要适当选择即可。
[溶剂]
粘合剂组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的粘合剂组合物的操作性良好。
所述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
从能够更均匀地混合粘合剂组合物中的所含成分的角度出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
粘合剂组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。
＜＜粘合剂组合物的制备方法＞＞
粘合剂组合物可通过掺合用于构成该粘合剂组合物的各成分而得到。
例如除了掺合成分的种类不同这一点之外，粘合剂组合物可通过与上述说明的粘着剂组合物相同的方法制备。
○复合剥离膜
本实施方式的复合剥离膜是依次层叠有剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的层叠体。在对欲贴附于贴附对象上的本实施方式的半导体装置制造用片进行使用时，会从半导体装置制造用片上剥离本实施方式的复合剥离膜。
(剥离膜)
剥离膜的构成材料优选为各种树脂，可列举出上述作为基材而例示出的树脂，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
剥离膜的厚度优选为25μm以上，更优选为30μm以上，进一步优选为35μm以上。剥离膜的厚度的上限值例如优选为125μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。
作为所述剥离膜的厚度的数值范围的一个例子，例如可以是25μm以上125μm以下，也可以是30μm以上100μm以下，也可以是35μm以上50μm以下。
通过使剥离膜的厚度为所述下限值以上，防止当半导体制造用片被卷成卷状时产生卷绕痕迹的效果变得优异。
此处，“剥离膜的厚度”是指剥离膜整体的厚度，例如由多个层构成的剥离膜的厚度是指构成剥离膜的所有层的总厚度。
除了所述树脂等主要构成材料之外，剥离膜可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
可以利用表面剥离剂(例如有机硅类剥离剂等)对剥离膜的与膜状粘合剂进行接合的面进行处理。
所述剥离膜的拉伸弹性模量优选为2GPa以上，优选为2～5GPa，更优选为2.5～4GPa。通过使剥离膜的拉伸弹性模量为所述下限值以上，防止卷绕痕迹的效果得到提高。通过使剥离膜的拉伸弹性模量为所述上限值以下，易于选定用作剥离膜的材料。
所述剥离膜的拉伸弹性模量为根据JIS K7161：1994及JIS K7127：1999并以下述条件测得的值。
试验片：将剥离膜裁切为15mm×140mm而得到的片。
试验环境：23℃、RH50％
方法：针对所述试验片，使用拉伸试验机，将夹头间距设定为100mm后，以200mm/分钟的速度拉伸试验片，通过所得到的应力-应变曲线，计算出弹性形变区域中的拉伸弹性模量(杨氏模量)。
以剥离膜的拉伸弹性模量[N/mm2]×剥离膜的厚度[mm]而表示的值，优选为180N/mm以上，优选为180N/mm以上625N/mm以下，更优选为200N/mm以上500N/mm以下，进一步优选为210N/mm以上300N/mm以下。通过使剥离膜的该值在所述下限值以上，防止卷绕痕迹的效果得到提高。这是由于，可称之为衬底的剥离膜越硬且越厚，则不易附着卷绕痕迹的作用越大。通过使剥离膜的该值在所述上限值以下，易于选定用作剥离膜的材料。
另外，此处的拉伸弹性模量可以与上述同样根据JIS K7161：1994及JIS K7127：1999而测定。可以以Pa＝N/m2换算单位。
(第二粘着剂层)
作为第二粘着剂层的结构及构成材料，可以列举出对上述第一粘着剂层进行说明的结构及构成材料，省略对第二粘着剂层的结构及构成材料的详细说明。
第二粘着剂层的厚度或形状等结构与第一粘着剂层的结构可以彼此相同、也可以彼此不同，第二粘着剂层的构成材料与第一粘着剂层的构成材料可以彼此相同、也可以彼此不同。
第二粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，当由多个层构成时，这些多个层的可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
第二粘着剂层的厚度优选为2μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为10μm以上。第二粘着剂层的厚度的上限值例如优选为100μm以下，更优选为60μm以下，进一步优选为30μm以下。
作为第二粘着剂层的厚度的数值范围的一个例子，例如可以是2～100μm，可以是5～60μm，可以是10～30μm。
通过使第二粘着剂层的厚度为所述下限值以上，缓冲作用提高，防止当半导体制造用片被卷绕成卷状时产生卷绕痕迹的效果变优异。
此处，“第二粘着剂层的厚度”是指第二粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的第二粘着剂层的厚度是指构成第二粘着剂层的所有层的总厚度。
(支撑基材)
作为支撑基材的结构及构成材料，可以列举出对上述剥离膜进行说明的结构及构成材料，省略对支撑基材的结构及构成材料的详细说明。
支撑基材的厚度或形状等结构与剥离膜的结构可以彼此相同、也可以彼此不同，支撑基材的构成材料与剥离膜的构成材料可以彼此相同、也可以彼此不同。
支撑基材的厚度优选为12μm以上，更优选为15μm以上，进一步优选为20μm以上。支撑基材的厚度的上限值例如优选为125μm以下，更优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。
作为支撑基材的厚度的数值范围的一个例子，例如可以是12μm以上125μm以下，可以是15μm以上100μm以下，也可以是20μm以上50μm以下。
通过使支撑基材的厚度为所述下限值以上，防止复合剥离膜断裂的效果变得优异。
此处，“支撑基材的厚度”是指支撑基材整体的厚度，例如由多个层构成的支撑基材的厚度是指构成支撑基材的所有层的总厚度。
本实施方式的复合剥离膜的厚度大于38μm，优选为50μm以上，更优选为65μm以上。复合剥离膜的厚度的上限值例如优选为350μm以下，更优选260μm以下，进一步优选130μm以下。作为所述复合剥离膜的厚度的数值范围的一个例子，例如可以是大于38μm且为350μm以下，可以是50μm以上260μm以下，也可以是65μm以上130μm以下。
当复合剥离膜仅由仅依次层叠有剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的结构构成时，所述复合剥离膜的厚度即为剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的总厚度。
通过使复合剥离膜的厚度为所述下限值以上，能够有效抑制当半导体装置制造用片被卷绕成卷状时产生所述卷绕痕迹。通过使复合剥离膜的厚度为所述上限值以下，半导体装置制造用片被卷绕成卷状时卷绕起始的段差不会过高，可抑制因卷绕起始部分的半导体装置制造用片的总厚度引起的芯部痕迹的产生。此外，通过使复合剥离膜的厚度为所述上限值以下，在剥离复合剥离膜时，可以增大弯曲复合剥离膜的弯曲度，易于进行将剥离掉复合剥离膜而露出的膜状粘合剂的露出面贴附在作为使用对象的半导体晶圆等上的操作。
◇卷体
作为本发明的半导体装置制造用片的一个实施方式，提供一种在长条状的复合剥离膜上层叠本实施方式的半导体装置制造用片的基材、第一粘着剂层及膜状粘合剂且将所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂作为内侧而卷绕得到的卷体。
本实施方式的半导体装置制造用片可以在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层。
作为本发明的半导体装置制造用片的一个实施方式，提供一种在长条状的复合剥离膜上层叠本实施方式的半导体装置制造用片的基材、第一粘着剂层、中间层及膜状粘合剂且将所述基材、所述第一粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂作为内侧而卷绕得到的卷体。
“作为内侧”是指朝向卷体的中心侧(芯部侧)。
图6是示意性示出本发明的一个实施方式的卷体的截面图，示出了展开卷绕，并将其部分放大的状态。卷体110通过以下方式卷绕，即在复合剥离膜20上层叠2个单元以上的包含基材11、第一粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14的单元P，并以使单元P的层叠有基材11的一侧朝向卷体的中心侧(芯部侧)的方式将单元P作为内侧。卷绕方向为长条状的复合剥离膜20的长度方向。卷体的卷绕数没有特别限定，但优选以在所述单元P上至少重叠部分半导体装置制造用片的方式卷绕超过1圈。
所述半导体装置制造用片的一个单元可以为包括用于贴附一次或贴附于一个贴附对象的膜状粘合剂的部分。在图6中，每个单元P中包含一个圆形的膜状粘合剂14，且以规定间隔连续配置两个单元以上的单元P。在一个卷体中，各单元P所包含的结构彼此可以加工成彼此相同的形状。优选的形状为以同心圆状层叠有圆形的支撑片1和直径小于支撑片1的圆形的中间层13及膜状粘合剂14。
由于膜状粘合剂14容易贴附于半导体晶圆等(贴附对象)，具有附着性，因此适宜通过形成膜状粘合剂14被复合剥离膜20和支撑片1夹持的结构而以卷状进行保存。
卷体也适合制成半导体装置制造用片的流通形态。
卷体例如可以通过将长条状的复合剥离膜、基材、第一粘着剂层、中间层及膜状粘合剂按照对应的位置关系进行层叠而制造。
◇半导体装置制造用片的制造方法
所述半导体装置制造用片可通过将上述各个层按照对应的位置关系进行层叠而制造。各个层的形成方法如上所述。
所述半导体装置制造用片例如可以通过以下方式而制造：分别预先准备基材、第一粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，将它们以基材、第一粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的顺序贴合从而进行层叠。
然而，这仅是半导体装置制造用片的制造方法的一个例子。
此外，所述半导体装置制造用片也可以通过以下方式而制造：预先制作用于构成该半导体装置制造用片的、由多个层层叠而构成的两种以上的中间层叠体，并将这些中间层叠体彼此贴合。中间层叠体的结构可以适当任意选择。例如，可预先制作具有层叠有基材和第一粘着剂层的结构的第一中间层叠体、和具有依次层叠有中间层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的结构的第二中间层叠体，将第一中间层叠体中的第一粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，由此制造半导体装置制造用片。然而，该制造方法仅为一个例子。
作为本实施方式的半导体装置制造用片的制造方法，可例示以下的制造方法。
一种半导体装置制造用片的制造方法，其包括：
层叠所述基材及所述第一粘着剂层，得到第一中间层叠体；
依次层叠所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材，得到第二中间层叠体；
将所述第一中间层叠体与所述第二中间层叠体贴合。
当本实施方式的半导体装置制造用片在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层时，作为本实施方式的半导体装置制造用片的制造方法，可例示以下的制造方法。
本实施方式的半导体装置制造用片的制造方法包括：
层叠所述基材及所述第一粘着剂层，得到第一中间层叠体；
依次层叠所述中间层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材，得到第二中间层叠体；
将所述第一中间层叠体的所述第一粘着剂层与所述第二中间层叠体的中间层贴合。
所述本实施方式的半导体装置制造用片的制造方法，可进一步包括：
自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面切入所述复合剥离膜或剥离膜，在所述复合剥离膜上形成切口部。所述切口部的切口深度优选大于25μm。
当所述第二中间层叠体中的膜状粘合剂及中间层被冲压加工时，可通过以下方式进行冲压加工，即在剥离膜上层叠膜状粘合剂及中间层，在依次层叠有剥离膜、膜状粘合剂及中间层的层叠体的剥离膜的露出面上，贴附层叠有支撑基材及第二粘着剂层的层叠体的第二粘着剂层的露出面，形成复合剥离膜，自层叠有膜状粘合剂的一侧的面进行膜状粘合剂及中间层的冲压加工。此时，通过以膜状粘合剂与中间层的总厚度以上的深度进行切入，从而使膜状粘合剂及中间层被切断成所需的形状，进而在复合剥离膜上形成切口部。
此外，当所述第二中间层叠体中的膜状粘合剂及中间层被冲压加工时，可在剥离膜上层叠膜状粘合剂及中间层，自层叠有膜状粘合剂的一侧的面进行膜状粘合剂及中间层的冲压加工，然后在依次层叠有剥离膜、膜状粘合剂及中间层的层叠体的剥离膜的露出面上贴附层叠有支撑基材及第二粘着剂层的层叠体的第二粘着剂层的露出面，由此可形成复合剥离膜。此时，通过以膜状粘合剂与中间层的总厚度以上的深度进行切入，从而使膜状粘合剂及中间层被切断成所需的形状，进而也可在剥离膜上形成切口部。
或者，当所述第二中间层叠体中的膜状粘合剂及中间层被冲压加工时，也可分别对层叠在剥离膜上的膜状粘合剂和层叠在另一片剥离膜上的中间层进行冲压加工，然后将经冲压加工的膜状粘合剂及中间层彼此贴合，进而得到第二中间层叠体。可以以与上述情况相同的方式，分别在经过冲压加工的剥离膜上形成切口部，但在与第一中间层叠体进行贴合时，与中间层接触的剥离膜将会被去除。
由此，作为使剥离膜形成切口部的加工对象，可例示出：1)复合剥离膜或剥离膜与膜状粘合剂的层叠体、或者2)复合剥离膜或剥离膜与膜状粘合剂和中间层的层叠体(例如第二中间层叠体)。
可在与第一中间层叠体进行贴合前适当去除经冲压加工的膜状粘合剂及中间层的不需要的部分。
作为经冲压加工的膜状粘合剂及中间层的形状，可以列举出对所述中间层及膜状粘合剂进行说明的形状。该形状可以设为与能够作为膜状粘合剂的贴附对象的晶圆等的形状相对应的形状。
此处，形成在复合剥离膜上的切口部的切口深度优选大于25μm，作为优选的数值，可以列举出上述例示的数值。
在本实施方式的半导体装置制造用片的制造方法中，通过将所述切口深度设定为大于25μm，即使冲压加工中使用的刀刃发生磨损，也可防止膜状粘合剂、或者膜状粘合剂及中间层的冲压变得不充分。
将第一中间层叠体与第二中间层叠体贴合后，可进一步自层叠有基材的一侧的面进行所述基材及所述第一粘着剂层的冲压加工。此时，通过以基材与第一粘着剂层的总厚度以上的深度进行切入，可使基材及第一粘着剂层被切断成所需的形状。该形状可以设定为与能够作为第一粘着剂层的贴附对象的环形框架的形状相对应的形状。
此时，可以以使中间层、膜状粘合剂及复合剥离膜不被切断的方式适当调整切口深度。此外，即使在比中间层及膜状粘合剂的俯视形状的外周更靠外侧的位置对基材及第一粘着剂层进行切入，也不会切断中间层及膜状粘合剂。
当膜状粘合剂及中间层的形状为圆形时，基材及第一粘着剂层的冲压加工位置优选为与圆形的膜状粘合剂及中间层为同心圆且比膜状粘合剂及中间层的俯视形状的外周更靠外侧的位置。
对于具备除了基材、第一粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材之外的其他层的半导体装置制造用片，可通过在上述制造方法中以适当的时机追加形成该其他层并进行层叠的工序来进行制造。
◇半导体装置制造用片的使用方法(带有膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)
所述半导体装置制造用片可以在半导体装置的制造过程中制造带有膜状粘合剂的半导体芯片时进行使用。
以下，参照附图对所述半导体装置制造用片的使用方法(带有膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)进行详细说明。
图7是用于示意性说明作为半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的截面图。图8是用于示意性说明所述半导体装置制造用片的使用方法的截面图。此处，以图2所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。
以下，有时会将剥离掉复合剥离膜20后的半导体装置制造用片记载为半导体制造用片。
首先，在使用半导体装置制造用片101之前，准备如图7A所示的半导体晶圆9’，并在其电路形成面9a’上贴附背磨胶带8。
接着，以使激光聚集在设定于半导体晶圆9’内部的焦点的方式照射激光(省略图示)，由此如图7B所示在半导体晶圆9’的内部形成改质层90’。
优选从半导体晶圆9’的背面9b’侧对半导体晶圆9’照射所述激光。
此时焦点的位置为预定分割(切割)半导体晶圆9’的位置，其以能够由半导体晶圆9’得到目标尺寸、形状及个数的半导体芯片的方式而设定。
接着，使用研磨机(省略图示)对半导体晶圆9’的背面9b’进行研磨。
由此，在将半导体晶圆9’的厚度调节至目标值的同时，通过利用此时施加在半导体晶圆9’上的研磨时的力，在形成改质层90’的部位分割半导体晶圆9’，如图7C所示制作多个半导体芯片9。
在图7中，标记9a表示半导体芯片9的电路形成面，其对应于半导体晶圆9’的电路形成面9a’。此外，标记9b表示半导体芯片9的背面，其对应于半导体晶圆9’的研磨后的背面9b’。
综上，可以得到作为半导体装置制造用片101的使用对象的半导体芯片9。更具体而言，通过该工序，能够得到在背磨胶带8上整齐排列并固定有多个半导体芯片9的状态的半导体芯片组901。
接着，使用上述得到的半导体芯片9(半导体芯片组901)制造带有膜状粘合剂的半导体芯片。
首先，如图8A所示，对一片处于去掉复合剥离膜20状态的半导体装置制造用片101进行加热，并同时将该半导体装置制造用片101中的膜状粘合剂14贴附在半导体芯片组901中的所有的半导体芯片9的背面9b上。另外，此时的膜状粘合剂14的贴附对象也可以是未完全分割的半导体晶圆。
接着，从该为固定状态的半导体芯片组上去除背磨胶带8。并且，如图8B所示，在对半导体装置制造用片101进行冷却的同时，将其在平行于其表面(例如第一粘着剂层12的第一面12a)的方向上进行拉伸，由此进行扩展。此处以箭头E1表示半导体装置制造用片101的扩展方向。通过如此进行扩展，沿着半导体芯片9的外周切断膜状粘合剂14。
通过本工序，可以得到处于在中间层13上整齐排列并固定有多个带有膜状粘合剂的半导体芯片914的状态的带有膜状粘合剂的半导体芯片组910，所述带有膜状粘合剂的半导体芯片914具备半导体芯片9和设置在半导体芯片9的背面9b的切断后的膜状粘合剂140。
如上所述，当在分割半导体晶圆9’时半导体晶圆9’的部分区域未被分割为半导体芯片9时，通过进行本工序，该区域被分割为半导体芯片。
优选将半导体装置制造用片101的温度设定为-5～5℃而对其进行扩展。通过如此对半导体装置制造用片101进行冷却并扩展(冷扩展)，更易于以高精度切断膜状粘合剂14。可以通过公知的方法进行半导体装置制造用片101的扩展。
在本工序中，半导体装置制造用片101通过具备中间层13，能够在目标部位以良好的精度切断膜状粘合剂14，进而能够抑制切断不良。
切断膜状粘合剂14后，如图8C所示，将带有膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上分离并进行拾取。可以通过公知的方法拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片914。例如，可以通过半导体装置的制造装置的提拉部7进行拾取。由此，能够制造带有膜状粘合剂的半导体芯片914。
实施例
以下，示出实施例对本发明进行详细说明，但本发明不受以下的实施例的限定。
＜＜粘合剂组合物的制备原料＞＞
以下示出制备粘合剂组合物时所使用的原料。
[聚合物成分(a)]
(a)-1：使丙烯酸甲酯(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)进行共聚而得到的丙烯酸类树脂(重均分子量800000、玻璃化转变温度9℃)。
[环氧树脂(b1)]
(b1)-1：加成有丙烯酰基的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“CNA147”、环氧当量518g/eq、数均分子量2100、不饱和基团含量与环氧基为等量)
[热固化剂(b2)]
(b2)-1：芳烷基型酚醛树脂(Mitsui Chemicals,Inc.制造的“MILEX XLC-4L”、数均分子量1100、软化点63℃)
[填充材料(d)]
(d)-1：球状二氧化硅(Admatechs Co.,Ltd.制造的“YA050C-MJE”，平均粒径50nm，甲基丙烯酰基硅烷处理品)
[偶联剂(e)]
(e)-1：硅烷偶联剂、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(Shin-Etsu SiliconeCo.,Ltd.制造的“KBE-402”)
[交联剂(f)]
(f)-1：甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造的“CORONATE L”)
[实施例1]
＜＜半导体装置制造用片的制造＞＞
<基材的制作>
使用挤出机，使低密度聚乙烯(LDPE，Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造的“SUMIKATHENE L705”)熔融，利用T型模法挤出熔融物，使用冷却辊对挤出物进行双轴拉伸，由此得到LDPE制的基材(厚度110μm)。
<支撑片的制作>
制备含有作为粘着性树脂的丙烯酸类树脂(TOYOCHEM CO.,LTD.制造的“ORIBAINBPS 6367X”)(100质量份)和交联剂(TOYOCHEM CO.,LTD.制造的“BXX 5640”)(1质量份)的非能量射线固化性的粘着剂组合物。
接着，使用以有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面实施了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造的SP-PET381031，38μm)，在其所述剥离处理面上涂布上述得到的粘着剂组合物，于100℃加热干燥2分钟，由此制作非能量射线固化性的第一粘着剂层(厚度10μm)。
然后，通过在第一粘着剂层的露出面上贴合上述得到的基材，得到支撑片。
<中间层的制作>
使用挤出机，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，TOSOH CORPORATION制造的“Ultrathene636”)熔融，以T型模法挤出熔融物，使用冷却辊对挤出物进行双轴拉伸，得到EVA制的中间层(厚度80μm)。
<膜状粘合剂的制作>
制备含有聚合物成分(a)-1(100质量份)、环氧树脂(b1)-1(10质量份)、热固化剂(b2)-1(1.5质量份)、填充材料(d)-1(75质量份)、偶联剂(e)-1(0.5质量份)及交联剂(f)-1(0.5质量份)的热固性的粘合剂组合物。
接着，使用以有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面实施了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造的SP-PET751031，75μm)，在其所述剥离处理面上涂布上述得到的粘合剂组合物，于80℃加热干燥2分钟，得到膜状粘合剂。
然后，在膜状粘合剂的露出面上，贴附上述得到的中间层。由此得到依次层叠有剥离膜、膜状粘合剂及中间层的层叠体。
<支撑基材及第二粘着剂层的制作>
在支撑基材(聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜，Mitsubishi Chemical Corporation制造的“DIAFOIL T100”，厚度25μm)的表面，以粘着剂组合物干燥后的厚度为20μm的方式涂布上述得到的粘着剂组合物，于100℃加热干燥2分钟，由此得到支撑基材与第二粘着剂层的层叠体。
然后，在依次层叠有剥离膜、膜状粘合剂及中间层的层叠体的剥离膜的露出面上，贴附上述得到的支撑基材与第二粘着剂层的层叠体的第二粘着剂层的露出面。由此得到依次层叠有支撑基材、第二粘着剂层、剥离膜、膜状粘合剂及中间层的层叠体。
将依次层叠有支撑基材、第二粘着剂层及剥离膜的层叠体称为复合剥离膜。
接着，以使在复合剥离膜上的切口深度为表1的值的方式，使用切割刃，自层叠有膜状粘合剂及中间层的一侧的面进行冲压加工，由此切断膜状粘合剂及中间层，去除该切断部位的周边部，由此在复合剥离膜上制造平面形状为圆形(直径为305mm)的热固性的膜状粘合剂(厚度20μm)及中间层(厚度80μm)。
<半导体装置制造用片的制造>
接着，从上述得到的剥离膜和支撑片的层叠物(相当于前文中说明的带有剥离膜的第一中间层叠体)中去除剥离膜，将新产生的第一粘着剂层的露出面与、复合剥离膜与膜状粘合剂和中间层的层叠物(相当于前文中说明的第二中间层叠体)中的中间层的露出面贴合。
接着，通过使用切割刃的冲压加工，自基材侧切断支撑片，将其制成直径为370mm的圆形，去除该切断部位的周边部。此时，支撑片的冲压加工位置为所述圆形的膜状粘合剂及中间层外周位置的外侧，且设定为与膜状粘合剂及中间层呈同心圆。
综上，得到将基材(厚度110μm)、第一粘着剂层(厚度10μm)、中间层(厚度80μm)、膜状粘合剂(厚度20μm)及复合剥离膜(总厚度83μm)在它们的厚度方向上依次层叠而构成的带有复合剥离膜的半导体装置制造用片。
<卷体的制造>
在长条状的复合剥离膜(长度100m)上，以规定的间隔(圆形的膜状粘合剂的中心之间的距离为378mm)成一列连续配置所述半导体装置制造用片中的基材与第一粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的层叠体，并以使半导体装置制造用片的层叠有基材的一侧朝向卷体的中心侧的方式卷绕成卷，由此制造卷体。卷绕的方向为长条状的复合剥离膜的长度方向。
[实施例2]
除了将实施例1中的支撑基材变更为厚12μm的支撑基材(TORAY INDUSTRIES,INC制造的“Lumirror S10”)、将第二粘着剂层的厚度变更为2μm、将剥离膜变更为厚25μm的剥离膜(LINTEC Corporation制造的SP-PET251031)、并将在复合剥离膜上的切口深度变更为如表1所示的值以外，以与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体。
[实施例3]
除了将在复合剥离膜上的切口深度变更为如表1所示的值以外，以与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体。
[比较例1]
除了未在剥离膜上层叠支撑基材及第二粘着剂层(未制造复合剥离膜)之外，以与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体。
[比较例2]
除了将在剥离膜上的切口深度变更为如表1所示的值以外，以与比较例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体。
<评价>
(半导体装置制造用片的卷体产生卷绕痕迹的评价)
对于上述实施例及比较例中制造的各卷体中的从芯部开始计数的第2～5片的半导体装置制造用片，用肉眼确认膜状粘合剂的表面是否产生圆形的卷绕痕迹(源自圆形的膜状粘合剂及中间层的段差的形状痕迹)。
A：未确认到卷绕痕迹。
B：确认到卷绕痕迹。
(膜状粘合剂的反复冲压加工性的评价)
通过与在上述实施例及比较例中制造平面形状为圆形的膜状粘合剂与中间层的层叠体时相同的方法，进行膜状粘合剂及中间层的冲压加工，并按照下述评价标准评价反复冲压加工性。
以使最初的在复合剥离膜或剥离膜上的切口深度为表1的值的方式设置切割刃，从层叠有膜状粘合剂及中间层的一侧的面反复进行10,000次膜状粘合剂及中间层的冲压加工。
另外，对于切口深度的值，针对最初(第一片)进行了膜状粘合剂及中间层的冲压加工的部分的复合剥离膜或剥离膜，通过利用电子显微镜进行截面观察，对所形成的切口部，随机测定10处该切口部在复合剥离膜或剥离膜的厚度方向上的深度，取其平均值并将其设定为切口深度的值。
A：从最后的加工开始计数的10片均适当地进行了膜状粘合剂的冲压加工。
B：从最后的加工开始计数的10片中，有5片以上未适当地进行膜状粘合剂的冲压加工(在切割刃的切入对象部位确认到了未切断的部位)。
(贴合工艺的反复适性评价)
使用胶带贴合机(Lintec Corporation制造的RAD-2700)，将上述实施例及比较例中得到的半导体装置制造用片的膜状粘合剂贴附在12英寸的半导体晶圆背面及环形框架(DISCO Corporation制造)上，连续进行该工序从而贴附30片。在进行该工序的同时将半导体装置制造用片的复合剥离膜或剥离膜从该片上剥离。
确认在适当地进行了膜状粘合剂的冲压加工的片中从膜状粘合剂上剥离复合剥离膜或剥离膜时的复合剥离膜或剥离膜的状况。
A：在连续贴附30片的期间，未确认到部分或全部复合剥离膜或剥离膜断开或裂开。
B：在连续贴附30片的期间，确认到部分或全部复合剥离膜或剥离膜断开或裂开。
将上述的评价结果示于表1中。
[表1]
Figure BDA0002994444210000561
由上述结果明显可知，具备具有第二粘着剂层及支撑基材的复合剥离膜且复合剥离膜的总厚度大于38μm的实施例1～3的半导体装置制造用片，显著抑制了卷绕痕迹的产生。
此外，对于在复合剥离膜或剥离膜上的切口深度大于25μm的实施例1～3及比较例1，反复冲压加工性优异。
此外，作为“剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材的总厚度-切口深度”值的、未切部的厚度越厚，则在贴合工艺中剥离膜越不易发生断裂。
对于剥离膜及第二粘着剂层的总厚度的值大于所述切口深度的值且在支撑基材上未形成切口部的实施例2，即使未切部的厚度较薄，其剥离膜也不易在贴合工艺中发生断裂。
实施例的半导体装置制造用片可抑制在制造卷体时产生卷绕痕迹，膜状粘合剂的冲压加工时的成品率得到提高，非常有用。
各实施方式中的各构成及其组合等仅为一个例子，可在不脱离本发明主旨的范围内，对构成进行添加、省略、替换及其他变更。此外，本发明不受各实施方式的限定，仅限定于权利要求(claim)的范围。

Claims (13)

1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、第一粘着剂层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，且通过在所述基材上依次层叠所述第一粘着剂层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材而构成，
具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，在所述复合剥离膜上，自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，
所述切口部的切口深度大于25μm。
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造用片，其中，以所述复合剥离膜的厚度-所述切口深度表示的未切部的厚度的值为10μm以上。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置制造用片，其中，所述剥离膜及所述第二粘着剂层的总厚度的值大于所述切口深度的值。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述支撑基材上未形成所述切口部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述第二粘着剂层的厚度为2μm以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的面积和所述膜状粘合剂的面积均小于比所述中间层和所述膜状粘合剂更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层及所述膜状粘合剂的总厚度为15μm以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述支撑基材的厚度为12μm以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述复合剥离膜的厚度为130μm以下。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置制造用片，其为以在长条状的所述复合剥离膜上层叠所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂，并将所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂作为内侧的方式被卷绕成卷的卷体。
13.一种半导体装置制造用片的制造方法，其为制造权利要求1～12中任一项所述的半导体装置制造用片的方法，其包括：
层叠所述基材及所述第一粘着剂层，得到第一中间层叠体；
依次层叠所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材，得到第二中间层叠体；
将所述第一中间层叠体与所述第二中间层叠体贴合。
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