JP2000061785A - 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バックグラインド工程での反りの発生を抑制
できる保護シート貼付半導体ウエハを得る。 【解決手段】 保護シート貼付半導体ウエハは、表面に
保護シートが貼付された半導体ウエハであって、前記保
護シートがウエハ表面における反りの最大方向と保護シ
ートにおける収縮率又は収縮力の最大方向とがずれた状
態で貼り合わされている。また、保護シート貼付半導体
ウエハは、保護シートがウエハ表面における反りの最小
方向（例えば、劈開方向）と保護シートにおける収縮率
又は収縮力の最大方向（例えば、貼合せ方向、シート製
造時のＭＤ方向又は延伸方向）とが平行になるように貼
り合わされていてもよい。
できる保護シート貼付半導体ウエハを得る。 【解決手段】 保護シート貼付半導体ウエハは、表面に
保護シートが貼付された半導体ウエハであって、前記保
護シートがウエハ表面における反りの最大方向と保護シ
ートにおける収縮率又は収縮力の最大方向とがずれた状
態で貼り合わされている。また、保護シート貼付半導体
ウエハは、保護シートがウエハ表面における反りの最小
方向（例えば、劈開方向）と保護シートにおける収縮率
又は収縮力の最大方向（例えば、貼合せ方向、シート製
造時のＭＤ方向又は延伸方向）とが平行になるように貼
り合わされていてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種半導体の製造
工程のうち半導体ウエハの裏面を研削するバックグライ
ンド工程において用いる保護シート貼付半導体ウエハ、
及び半導体ウエハの研削方法に関する。
工程のうち半導体ウエハの裏面を研削するバックグライ
ンド工程において用いる保護シート貼付半導体ウエハ、
及び半導体ウエハの研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体を製造する際、半導体ウエハ
の表面にパターンを形成した後、所定の厚さになるまで
ウエハ裏面をバックグラインダー等で研削するバックグ
ラインド工程を経るのが一般的である。その際、ウエハ
の保護等の目的で、ウエハ表面に半導体ウエハ保護シー
ト（テープ）なる粘着シートを貼り合わせた上で研削す
ることが一般的に行われている。
の表面にパターンを形成した後、所定の厚さになるまで
ウエハ裏面をバックグラインダー等で研削するバックグ
ラインド工程を経るのが一般的である。その際、ウエハ
の保護等の目的で、ウエハ表面に半導体ウエハ保護シー
ト（テープ）なる粘着シートを貼り合わせた上で研削す
ることが一般的に行われている。
【０００３】しかし、半導体ウエハの裏面を研削した場
合、研削時の応力、ダメージなどにより研削後のウエハ
に反りが生じることが問題とされている。特に、最近繁
用されている直径８インチ又は１２インチという大型ウ
エハやＩＣカード用などの薄型ウエハを研削する場合に
おいて、上記反りの問題は重大である。
合、研削時の応力、ダメージなどにより研削後のウエハ
に反りが生じることが問題とされている。特に、最近繁
用されている直径８インチ又は１２インチという大型ウ
エハやＩＣカード用などの薄型ウエハを研削する場合に
おいて、上記反りの問題は重大である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、バックグラインド工程での反りの発生を抑制で
きる保護シート貼付半導体ウエハ、及び半導体ウエハの
研削方法を提供することにある。
目的は、バックグラインド工程での反りの発生を抑制で
きる保護シート貼付半導体ウエハ、及び半導体ウエハの
研削方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するため、半導体ウエハ保護シートを半導体ウエ
ハに貼り合わせる際のウエハと保護シートの配置方向
と、半導体ウエハの反りとの関係について鋭意検討した
結果、以下の考察を経て本発明に到った。
を達成するため、半導体ウエハ保護シートを半導体ウエ
ハに貼り合わせる際のウエハと保護シートの配置方向
と、半導体ウエハの反りとの関係について鋭意検討した
結果、以下の考察を経て本発明に到った。
【０００６】一般に、研削終了直後の保護シートを貼り
合わせた状態でのウエハの反りは保護シートを剥離した
後のウエハの反りよりも大きい。これは、保護シートの
貼付によりウエハの反りが助長されるためと考えられ
る。すなわち、保護シートが貼付されたウエハの反り
は、ウエハ自体の内部応力に保護シートの内部応力が加
算され応力に基づくものと推察される。
合わせた状態でのウエハの反りは保護シートを剥離した
後のウエハの反りよりも大きい。これは、保護シートの
貼付によりウエハの反りが助長されるためと考えられ
る。すなわち、保護シートが貼付されたウエハの反り
は、ウエハ自体の内部応力に保護シートの内部応力が加
算され応力に基づくものと推察される。
【０００７】上記ウエハの反りはお椀状に反るといった
場合よりも、ウエハ面上の特定方向に対して端部が反る
といった方向性のある反りの場合が多い。これは、ウエ
ハが保護シートを貼り合わせる前の加工プロセスに起因
する残留応力及び／又は結晶に固有の力学的異方性を持
つためである。加工プロセスに起因する残留応力は、例
えば、表面に保護層として形成されるポリイミドなどの
パタンに異方性を持たせて焼成するなどして発生する場
合が考えられる。
場合よりも、ウエハ面上の特定方向に対して端部が反る
といった方向性のある反りの場合が多い。これは、ウエ
ハが保護シートを貼り合わせる前の加工プロセスに起因
する残留応力及び／又は結晶に固有の力学的異方性を持
つためである。加工プロセスに起因する残留応力は、例
えば、表面に保護層として形成されるポリイミドなどの
パタンに異方性を持たせて焼成するなどして発生する場
合が考えられる。
【０００８】また、ウエハ内に特定の結晶面を考えた場
合、結晶面によって弾性率に差異があることが知られて
いる。即ち、劈開は特定の結晶面に沿って起こるが、劈
開面の弾性率は他面に対して高い。例えば、半導体用に
最も利用されている（１００）シリコンウエハでは、劈
開は（１１１）面及び（１１０）面で起こるが、これら
の結晶面のヤング率はそれぞれ１９０ＧＰａ及び１７０
ＧＰａであって、（１００）面のヤング率１３０ＧＰａ
に比較して大きい。（１００）シリコンウエハでは、こ
れらの劈開面（１１１）面及び（１１０）面は、（１０
０）面上において９０°の角度で交わる（以下、シリコ
ンウエハ表面と各劈開面とが交叉してできる交線を「劈
開線」、該劈開線の方向を「劈開方向」と称する場合が
ある）。ウエハ表面において、劈開方向は他の方向と比
較してウエハが曲がりにくい。逆に言えば、（１００）
シリコンウエハが反る場合には劈開方向に対して４５°
の方向に最も反りやすい。また、（１１１）シリコンウ
エハでは劈開が６０°毎に現れるので、劈開方向に対し
て３０°の方向に反りやすい。化合物半導体など他種の
ウエハも同様に力学的異方性を有するため、反りに関し
同様に方向性を有するが、以下、代表的な例としてシリ
コンウエハについて議論を進める。
合、結晶面によって弾性率に差異があることが知られて
いる。即ち、劈開は特定の結晶面に沿って起こるが、劈
開面の弾性率は他面に対して高い。例えば、半導体用に
最も利用されている（１００）シリコンウエハでは、劈
開は（１１１）面及び（１１０）面で起こるが、これら
の結晶面のヤング率はそれぞれ１９０ＧＰａ及び１７０
ＧＰａであって、（１００）面のヤング率１３０ＧＰａ
に比較して大きい。（１００）シリコンウエハでは、こ
れらの劈開面（１１１）面及び（１１０）面は、（１０
０）面上において９０°の角度で交わる（以下、シリコ
ンウエハ表面と各劈開面とが交叉してできる交線を「劈
開線」、該劈開線の方向を「劈開方向」と称する場合が
ある）。ウエハ表面において、劈開方向は他の方向と比
較してウエハが曲がりにくい。逆に言えば、（１００）
シリコンウエハが反る場合には劈開方向に対して４５°
の方向に最も反りやすい。また、（１１１）シリコンウ
エハでは劈開が６０°毎に現れるので、劈開方向に対し
て３０°の方向に反りやすい。化合物半導体など他種の
ウエハも同様に力学的異方性を有するため、反りに関し
同様に方向性を有するが、以下、代表的な例としてシリ
コンウエハについて議論を進める。
【０００９】一方、半導体ウエハ保護シート（テープ）
をウエハに貼り付ける場合、該保護シートは貼合せ方向
に反りやすい。これは、保護シートを貼り付ける際に加
わる引張応力や貼付圧力などに起因するものである。ま
た、保護シートは該保護シート製造時のシート流れ方向
（ＭＤ方向）に反りやすいという特性をも有する。これ
は、長尺でシートを加工した場合、シート流れ方向の引
張応力が内部応力として残留し、シート流れ方向の収縮
率及び収縮力が最も大きくなるためである。この収縮力
は保護シートの貼合せの際、押し付け圧力などで助長さ
れる。保護シートの貼合せはシート製造時の流れ方向に
行うことが多いため、通常、貼合せ方向がどの方向より
も収縮率及び収縮力が大きくなって反りやすくなる。
をウエハに貼り付ける場合、該保護シートは貼合せ方向
に反りやすい。これは、保護シートを貼り付ける際に加
わる引張応力や貼付圧力などに起因するものである。ま
た、保護シートは該保護シート製造時のシート流れ方向
（ＭＤ方向）に反りやすいという特性をも有する。これ
は、長尺でシートを加工した場合、シート流れ方向の引
張応力が内部応力として残留し、シート流れ方向の収縮
率及び収縮力が最も大きくなるためである。この収縮力
は保護シートの貼合せの際、押し付け圧力などで助長さ
れる。保護シートの貼合せはシート製造時の流れ方向に
行うことが多いため、通常、貼合せ方向がどの方向より
も収縮率及び収縮力が大きくなって反りやすくなる。
【００１０】さらに、保護シートの基材などが延伸処理
などにより収縮率又は収縮力について異方性を有すると
きには、例えば延伸方向と貼合せ方向（又は、シート製
造時のシート流れ方向）とが異なる場合があるが、この
ような場合には、保護シートは収縮率又は収縮力が最大
となる方向に最も反りやすい。
などにより収縮率又は収縮力について異方性を有すると
きには、例えば延伸方向と貼合せ方向（又は、シート製
造時のシート流れ方向）とが異なる場合があるが、この
ような場合には、保護シートは収縮率又は収縮力が最大
となる方向に最も反りやすい。
【００１１】このように、半導体ウエハにも保護シート
にも反りに関して方向性があるため、両者の反りやすい
方向が一致したとき、各々の作用が加算され、反りが最
大になると考えられる。そこで、本発明者らは、上記半
導体ウエハと保護シートの反りやすい方向をずらすこと
により、２つの作用が互いに打ち消しあい、全体の反り
量が小さくなることを見出し、本発明を完成した。
にも反りに関して方向性があるため、両者の反りやすい
方向が一致したとき、各々の作用が加算され、反りが最
大になると考えられる。そこで、本発明者らは、上記半
導体ウエハと保護シートの反りやすい方向をずらすこと
により、２つの作用が互いに打ち消しあい、全体の反り
量が小さくなることを見出し、本発明を完成した。
【００１２】すなわち、本発明は、表面に保護シートが
貼付された半導体ウエハであって、前記保護シートがウ
エハ表面における反りの最大方向と保護シートにおける
収縮率又は収縮力の最大方向とがずれた状態で貼り合わ
されている保護シート貼付半導体ウエハを提供すること
にある。
貼付された半導体ウエハであって、前記保護シートがウ
エハ表面における反りの最大方向と保護シートにおける
収縮率又は収縮力の最大方向とがずれた状態で貼り合わ
されている保護シート貼付半導体ウエハを提供すること
にある。
【００１３】本発明は、また、表面に保護シートが貼付
された半導体ウエハであって、前記保護シートがウエハ
表面における反りの最小方向と保護シートにおける収縮
率又は収縮力の最大方向とが平行になるように貼り合わ
されている保護シート貼付半導体ウエハを提供する。
された半導体ウエハであって、前記保護シートがウエハ
表面における反りの最小方向と保護シートにおける収縮
率又は収縮力の最大方向とが平行になるように貼り合わ
されている保護シート貼付半導体ウエハを提供する。
【００１４】本発明は、さらに、表面に保護シートが貼
付された半導体ウエハであって、前記保護シートがウエ
ハ表面における劈開方向と保護シートにおける収縮率又
は収縮力の最大方向とが平行になるように貼り合わされ
ている保護シート貼付半導体ウエハを提供することにあ
る。
付された半導体ウエハであって、前記保護シートがウエ
ハ表面における劈開方向と保護シートにおける収縮率又
は収縮力の最大方向とが平行になるように貼り合わされ
ている保護シート貼付半導体ウエハを提供することにあ
る。
【００１５】本発明は、さらにまた、表面に保護シート
が貼付された半導体ウエハであって、前記保護シートが
ウエハ表面における劈開方向と保護シートの貼合せ方
向、シート製造時のＭＤ方向又は延伸方向とが平行にな
るように貼り合わされている保護シート貼付半導体ウエ
ハを提供することにある。
が貼付された半導体ウエハであって、前記保護シートが
ウエハ表面における劈開方向と保護シートの貼合せ方
向、シート製造時のＭＤ方向又は延伸方向とが平行にな
るように貼り合わされている保護シート貼付半導体ウエ
ハを提供することにある。
【００１６】本発明は、また、上記の何れかの保護シー
ト貼付半導体ウエハのウエハ裏面を研削する半導体ウエ
ハの研削方法を提供する。
ト貼付半導体ウエハのウエハ裏面を研削する半導体ウエ
ハの研削方法を提供する。
【００１７】なお、本明細書において、保護用シートの
「貼合せ方向」とは、半導体ウエハに保護用シートを貼
り合わせる際、保護用シートを緊張させるために引張り
応力を作用させる方向を意味する。
「貼合せ方向」とは、半導体ウエハに保護用シートを貼
り合わせる際、保護用シートを緊張させるために引張り
応力を作用させる方向を意味する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、必
要に応じて図面を参照にしつつ詳細に説明する。図１は
本発明の半導体ウエハの一例を示す平面図、図２は本発
明の半導体ウエハの他の例を示す平面図である。
要に応じて図面を参照にしつつ詳細に説明する。図１は
本発明の半導体ウエハの一例を示す平面図、図２は本発
明の半導体ウエハの他の例を示す平面図である。
【００１９】図１及び図２の例では、半導体ウエハ保護
シート２が、（１００）シリコンウエハ１，１１の表面
の２つの直交する劈開線４のうち一方の劈開線の方向
（劈開方向）と半導体ウエハ保護シート２の貼合せ方向
とが平行になるように、シリコンウエハ１，１１に貼り
合わされている。図中、３はオリエンテーションフラッ
トを示し、１３はオリエンテーションノッチ（Ｖノッ
チ）を示す。
シート２が、（１００）シリコンウエハ１，１１の表面
の２つの直交する劈開線４のうち一方の劈開線の方向
（劈開方向）と半導体ウエハ保護シート２の貼合せ方向
とが平行になるように、シリコンウエハ１，１１に貼り
合わされている。図中、３はオリエンテーションフラッ
トを示し、１３はオリエンテーションノッチ（Ｖノッ
チ）を示す。
【００２０】（１００）シリコンウエハでは、第１オリ
エンテーションフラット又はオリエンテーションノッチ
に対して平行又は垂直に劈開が起こる。そのため、オリ
エンテーションフラット又はオリエンテーションノッチ
に対して４５°の方向（劈開方向に対して４５°の方
向）が最も反りやすく、オリエンテーションフラット又
はオリエンテーションノッチに対して９０°の方向（一
方の劈開線の劈開方向又は該劈開線に対して９０°の方
向）が最も反りにくい。
エンテーションフラット又はオリエンテーションノッチ
に対して平行又は垂直に劈開が起こる。そのため、オリ
エンテーションフラット又はオリエンテーションノッチ
に対して４５°の方向（劈開方向に対して４５°の方
向）が最も反りやすく、オリエンテーションフラット又
はオリエンテーションノッチに対して９０°の方向（一
方の劈開線の劈開方向又は該劈開線に対して９０°の方
向）が最も反りにくい。
【００２１】一方、保護シート２では、貼合せ方向に引
張応力、貼付圧力が作用するため、該方向が最も収縮率
又は収縮力が大きく、反りやすい。特に、自動貼付装置
を用いて保護シート２をシリコンウエハ１（又は１１）
に貼り合わせる場合には、前記引張り応力や貼付応力が
著しく大きいため、極めて反りやすくなる。
張応力、貼付圧力が作用するため、該方向が最も収縮率
又は収縮力が大きく、反りやすい。特に、自動貼付装置
を用いて保護シート２をシリコンウエハ１（又は１１）
に貼り合わせる場合には、前記引張り応力や貼付応力が
著しく大きいため、極めて反りやすくなる。
【００２２】上記の例では、シリコンウエハ１（又は１
１）の表面における反りの最小方向（劈開方向）と保護
シート２における収縮率又は収縮力の最大方向（貼合せ
方向）とが平行になるように貼り合わすことで、シリコ
ンウエハ１（又は１１）の表面における反りの最大方向
と保護シート２における収縮率又は収縮力の最大方向と
をずらしている。このような保護シート貼付半導体ウエ
ハでは、シリコンウエハ１（又は１１）の内部応力と保
護シート２の収縮力等とが互いに打ち消し合うためか、
研削工程における反り量を著しく低減できる。
１）の表面における反りの最小方向（劈開方向）と保護
シート２における収縮率又は収縮力の最大方向（貼合せ
方向）とが平行になるように貼り合わすことで、シリコ
ンウエハ１（又は１１）の表面における反りの最大方向
と保護シート２における収縮率又は収縮力の最大方向と
をずらしている。このような保護シート貼付半導体ウエ
ハでは、シリコンウエハ１（又は１１）の内部応力と保
護シート２の収縮力等とが互いに打ち消し合うためか、
研削工程における反り量を著しく低減できる。
【００２３】なお、保護シート２の貼合せ方向は、通
常、該シートの製造時のシート流れ方向（ＭＤ方向）と
一致するため、貼合せ方向が最も収縮率又は収縮力が大
きいが、前記貼合せ方向とシート製造時のＭＤ方向とが
異なる場合には、収縮率又は収縮力のより大きい方向と
シリコンウエハ１（又は１１）の劈開方向とが平行にな
るように貼り合わせることにより、反りの発生を顕著に
抑制できる。また、保護シート２の基材に延伸処理が施
されている場合には、保護シート２のうち収縮率又は収
縮力が最も大きい方向（例えば、延伸方向）とシリコン
ウエハ１（又は１１）の劈開方向とが平行となるように
貼り合わせることにより、研削工程での反りを軽減でき
る。
常、該シートの製造時のシート流れ方向（ＭＤ方向）と
一致するため、貼合せ方向が最も収縮率又は収縮力が大
きいが、前記貼合せ方向とシート製造時のＭＤ方向とが
異なる場合には、収縮率又は収縮力のより大きい方向と
シリコンウエハ１（又は１１）の劈開方向とが平行にな
るように貼り合わせることにより、反りの発生を顕著に
抑制できる。また、保護シート２の基材に延伸処理が施
されている場合には、保護シート２のうち収縮率又は収
縮力が最も大きい方向（例えば、延伸方向）とシリコン
ウエハ１（又は１１）の劈開方向とが平行となるように
貼り合わせることにより、研削工程での反りを軽減でき
る。
【００２４】また、（１１１）シリコンウエハでは、劈
開は第一オリエンテーションフラット又はオリエンテー
ションノッチに対して３０° 、９０°及び１５０°の
方向に起こる。したがって、（１１１）シリコンウエハ
を用いる場合には、保護テープ２のうち収縮率又は収縮
力が最も大きい方向（例えば、貼合せ方向、ＭＤ方向、
延伸方向など）が、ウエハ表面におけるオリエンテーシ
ョンフラット又はオリエンテーションノッチに対して３
０° 、９０°又は１５０°の方向と平行となるように
貼り合わせることにより、反りを低減することができ
る。
開は第一オリエンテーションフラット又はオリエンテー
ションノッチに対して３０° 、９０°及び１５０°の
方向に起こる。したがって、（１１１）シリコンウエハ
を用いる場合には、保護テープ２のうち収縮率又は収縮
力が最も大きい方向（例えば、貼合せ方向、ＭＤ方向、
延伸方向など）が、ウエハ表面におけるオリエンテーシ
ョンフラット又はオリエンテーションノッチに対して３
０° 、９０°又は１５０°の方向と平行となるように
貼り合わせることにより、反りを低減することができ
る。
【００２５】なお、シリコンウエハ１（又は１１）の表
面における反りの最小方向（劈開方向）と保護シート２
における収縮率又は収縮力の最大方向（貼合せ方向、Ｍ
Ｄ方向、延伸方向など）とは、厳密に平行である必要は
なく、例えば±１０°程度以内、好ましくは±５°程度
以内であればよい。
面における反りの最小方向（劈開方向）と保護シート２
における収縮率又は収縮力の最大方向（貼合せ方向、Ｍ
Ｄ方向、延伸方向など）とは、厳密に平行である必要は
なく、例えば±１０°程度以内、好ましくは±５°程度
以内であればよい。
【００２６】また、半導体保護シートをシリコンウエハ
などの半導体ウエハに貼り合わせる際、両者を必ずしも
上記の方向に配置して貼り合わせる必要はなく、保護シ
ートが、半導体ウエハ表面における反りの最大方向と保
護シートにおける収縮率又は収縮力の最大方向とがずれ
た状態で貼り合わされていればよい。例えば、半導体ウ
エハ表面における反りの最大方向と保護シートにおける
収縮率又は収縮力の最大方向とを、１０°以上、好まし
くは１５°以上、さらに好ましくは２０°以上ずらした
状態で貼り合わせてもよい。
などの半導体ウエハに貼り合わせる際、両者を必ずしも
上記の方向に配置して貼り合わせる必要はなく、保護シ
ートが、半導体ウエハ表面における反りの最大方向と保
護シートにおける収縮率又は収縮力の最大方向とがずれ
た状態で貼り合わされていればよい。例えば、半導体ウ
エハ表面における反りの最大方向と保護シートにおける
収縮率又は収縮力の最大方向とを、１０°以上、好まし
くは１５°以上、さらに好ましくは２０°以上ずらした
状態で貼り合わせてもよい。
【００２７】半導体ウエハとしては、前記シリコンウエ
ハのほか、ガリウム−ヒ素などの汎用の半導体ウエハを
使用できる。また、半導体ウエハ保護シートとしては、
特に限定されず、例えば、基材の表面に粘着剤層が設け
られた粘着シートなどの公知乃至慣用のウエハ保護シー
トを使用できる。
ハのほか、ガリウム−ヒ素などの汎用の半導体ウエハを
使用できる。また、半導体ウエハ保護シートとしては、
特に限定されず、例えば、基材の表面に粘着剤層が設け
られた粘着シートなどの公知乃至慣用のウエハ保護シー
トを使用できる。
【００２８】前記基材には、例えば、ポリエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルムなどのオレフィン系フィ
ルム；ポリブタジエンフィルム；ポリ塩化ビニルフィル
ムなどの塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム
などのポリエステルフィルム；ポリウレタンフィルム；
エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム；アイオノマー
樹脂フィルム；エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体
フィルム；エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重
合体フィルム；ポリスチレンフィルム；ポリアミドフィ
ルムなどが含まれる。基材の厚みは、例えば１０〜２０
００μｍ程度である。
ルム、ポリプロピレンフィルムなどのオレフィン系フィ
ルム；ポリブタジエンフィルム；ポリ塩化ビニルフィル
ムなどの塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム
などのポリエステルフィルム；ポリウレタンフィルム；
エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム；アイオノマー
樹脂フィルム；エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体
フィルム；エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重
合体フィルム；ポリスチレンフィルム；ポリアミドフィ
ルムなどが含まれる。基材の厚みは、例えば１０〜２０
００μｍ程度である。
【００２９】また、前記粘着剤層を構成する粘着剤とし
ては、例えば、アクリル系、シリコーン系、ゴム系粘着
剤が挙げられる。粘着剤として、紫外線硬化型の粘着剤
を用いることもできる。紫外線硬化型粘着剤は、例え
ば、（ｉ）アクリル系粘着剤、飽和コポリエステルなど
の粘着剤（高分子弾性体）、（ii）紫外線硬化成分（例
えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなど
の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステルな
ど）及び（iii）光重合開始剤（例えば、ベンゾインア
ルキルエーテル類、芳香族ケトン類など）で構成でき
る。紫外線硬化型の粘着剤層を有する保護シートを使用
する場合には、半導体ウエハの裏面を研削した後、紫外
線を照射すると、粘着剤層が硬化してウエハと保護シー
トとの接着性が著しく低下するので、容易に両者を剥離
することができる。保護シートにおける粘着剤層の厚み
は、例えば２〜２００μｍ程度である。
ては、例えば、アクリル系、シリコーン系、ゴム系粘着
剤が挙げられる。粘着剤として、紫外線硬化型の粘着剤
を用いることもできる。紫外線硬化型粘着剤は、例え
ば、（ｉ）アクリル系粘着剤、飽和コポリエステルなど
の粘着剤（高分子弾性体）、（ii）紫外線硬化成分（例
えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなど
の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステルな
ど）及び（iii）光重合開始剤（例えば、ベンゾインア
ルキルエーテル類、芳香族ケトン類など）で構成でき
る。紫外線硬化型の粘着剤層を有する保護シートを使用
する場合には、半導体ウエハの裏面を研削した後、紫外
線を照射すると、粘着剤層が硬化してウエハと保護シー
トとの接着性が著しく低下するので、容易に両者を剥離
することができる。保護シートにおける粘着剤層の厚み
は、例えば２〜２００μｍ程度である。
【００３０】本発明では、使用するウエハ自体の反り性
が高いほど、また保護シートの収縮率又は収縮力が高い
ほど、両者の配置方向による反り量の差が大きくなるた
め、より大きな効果が奏される。また、保護シートの粘
着剤層を構成する粘着剤として上記ＵＶ硬化型粘着剤を
用いた場合、ＵＶ照射時の硬化収縮及び／又は熱収縮に
より保護シートは収縮する。この場合にも、製造時の加
工履歴により収縮率又は収縮力が異方性を示すため、大
きな反りが発生しやすい。本発明では、このような保護
シートを用いる場合にも好ましく適用でき、ウエハ表面
の研削時の反りだけでなく、研削後のＵＶ照射時の反り
をも著しく低減できる。
が高いほど、また保護シートの収縮率又は収縮力が高い
ほど、両者の配置方向による反り量の差が大きくなるた
め、より大きな効果が奏される。また、保護シートの粘
着剤層を構成する粘着剤として上記ＵＶ硬化型粘着剤を
用いた場合、ＵＶ照射時の硬化収縮及び／又は熱収縮に
より保護シートは収縮する。この場合にも、製造時の加
工履歴により収縮率又は収縮力が異方性を示すため、大
きな反りが発生しやすい。本発明では、このような保護
シートを用いる場合にも好ましく適用でき、ウエハ表面
の研削時の反りだけでなく、研削後のＵＶ照射時の反り
をも著しく低減できる。
【００３１】保護シートの半導体ウエハへの貼着は、慣
用の方法、例えば、自動貼付装置などにより行うことが
できる。また、このようにして表面に保護シートが貼付
された半導体ウエハの裏面の研削（研磨）は、バックグ
ラインダーなどの慣用の研削装置により行うことができ
る。
用の方法、例えば、自動貼付装置などにより行うことが
できる。また、このようにして表面に保護シートが貼付
された半導体ウエハの裏面の研削（研磨）は、バックグ
ラインダーなどの慣用の研削装置により行うことができ
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハ保護シー
トが半導体ウエハに特定の方向に配置された状態で貼り
合わされているので、半導体ウエハ裏面を研削する際の
反りを著しく抑制できる。
トが半導体ウエハに特定の方向に配置された状態で貼り
合わされているので、半導体ウエハ裏面を研削する際の
反りを著しく抑制できる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
【００３４】実施例
ＵＶ硬化型の粘着剤層を有する半導体ウエハ保護シート
（商品名：ＵＢ１３０Ｐ−ＳＸ５、日東電工（株）製、
厚み１３０μｍ）を、オリエンテーションフラットを有
する（１００）シリコンウエハ（厚み：１００μｍ、
径：６インチ）のパターン形成面に、図１のように、保
護シートの貼合せ方向がウエハの劈開方向と平行になる
ように貼り合わせた。次いで、シリコンウエハの裏面を
研削装置（ＤＦＧ−８４０；ディスコ社製）を用いて研
削した。研削後のウエハの反り量を測定したところ、
１．４ｍｍであった。さらに、ＵＶを照射して保護用シ
ートの粘着剤層を硬化させた後のウエハの反り量を測定
した結果、３．０ｍｍであった。なお、保護シートが貼
付された状態のウエハを水平面に置いたとき、ウエハ端
部（周縁部）のうち最も浮きの大きい場所における水平
面からの高さをウエハの反り量とした。
（商品名：ＵＢ１３０Ｐ−ＳＸ５、日東電工（株）製、
厚み１３０μｍ）を、オリエンテーションフラットを有
する（１００）シリコンウエハ（厚み：１００μｍ、
径：６インチ）のパターン形成面に、図１のように、保
護シートの貼合せ方向がウエハの劈開方向と平行になる
ように貼り合わせた。次いで、シリコンウエハの裏面を
研削装置（ＤＦＧ−８４０；ディスコ社製）を用いて研
削した。研削後のウエハの反り量を測定したところ、
１．４ｍｍであった。さらに、ＵＶを照射して保護用シ
ートの粘着剤層を硬化させた後のウエハの反り量を測定
した結果、３．０ｍｍであった。なお、保護シートが貼
付された状態のウエハを水平面に置いたとき、ウエハ端
部（周縁部）のうち最も浮きの大きい場所における水平
面からの高さをウエハの反り量とした。
【００３５】比較例
実施例と同様の半導体ウエハ保護シートを、実施例と同
様の（１００）シリコンウエハのパターン形成面に、図
３のように、保護シートの貼合せ方向がウエハの劈開方
向に対して４５°となるように貼り合わせた。次いで、
実施例と同様にして、シリコンウエハの裏面を研削し、
さらにＵＶを照射した。研削後の反り量及びＵＶ照射後
のウエハの反り量を測定したところ、それぞれ２．０ｍ
ｍ及び４．０ｍｍであった。
様の（１００）シリコンウエハのパターン形成面に、図
３のように、保護シートの貼合せ方向がウエハの劈開方
向に対して４５°となるように貼り合わせた。次いで、
実施例と同様にして、シリコンウエハの裏面を研削し、
さらにＵＶを照射した。研削後の反り量及びＵＶ照射後
のウエハの反り量を測定したところ、それぞれ２．０ｍ
ｍ及び４．０ｍｍであった。
【図１】本発明の保護シート貼付半導体ウエハの一例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明の保護シート貼付半導体ウエハの他の例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】比較例における保護シート貼付半導体ウエハを
示す平面図である。
示す平面図である。
１，11 シリコンウエハ
２ 保護シート
３ オリエンテーションフラット
４ 劈開線
13 オリエンテーションノッチ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 久保園 達也
大阪府茨木市下穂積一丁目１番２号 日東
電工株式会社内
Ｆターム(参考） 3C049 AA07 AB04 AB09 BA07 BB03
BC01 BC02 CA01 CB01
4J004 AA05 AA10 AA11 AA17 AB01
AB07 CA03 CA04 CA05 CA06
CC02 FA04 FA05
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に保護シートが貼付された半導体ウ
エハであって、前記保護シートがウエハ表面における反
りの最大方向と保護シートにおける収縮率又は収縮力の
最大方向とがずれた状態で貼り合わされている保護シー
ト貼付半導体ウエハ。 - 【請求項２】 表面に保護シートが貼付された半導体ウ
エハであって、前記保護シートがウエハ表面における反
りの最小方向と保護シートにおける収縮率又は収縮力の
最大方向とが平行になるように貼り合わされている保護
シート貼付半導体ウエハ。 - 【請求項３】 表面に保護シートが貼付された半導体ウ
エハであって、前記保護シートがウエハ表面における劈
開方向と保護シートにおける収縮率又は収縮力の最大方
向とが平行になるように貼り合わされている保護シート
貼付半導体ウエハ。 - 【請求項４】 表面に保護シートが貼付された半導体ウ
エハであって、前記保護シートがウエハ表面における劈
開方向と保護シートの貼合せ方向、シート製造時のシー
ト流れ方向又は延伸方向とが平行になるように貼り合わ
されている保護シート貼付半導体ウエハ。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れか項に記載の保護シ
ート貼付半導体ウエハのウエハ裏面を研削する半導体ウ
エハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10253264A JP2000061785A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10253264A JP2000061785A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000061785A true JP2000061785A (ja) | 2000-02-29 |
Family
ID=17248869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10253264A Pending JP2000061785A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000061785A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7164151B2 (en) | 2003-02-12 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with pixel portion and driving circuit, and electronic device |
| US7303942B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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| JP2021028990A (ja) * | 2020-11-13 | 2021-02-25 | 株式会社東京精密 | ウェーハの面取り装置 |
| JP2022048232A (ja) * | 2020-11-13 | 2022-03-25 | 株式会社東京精密 | ウェーハの面取り装置 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP10253264A patent/JP2000061785A/ja active Pending
Cited By (32)
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