TWI686852B - 遮罩一體型表面保護帶 - Google Patents

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五島裕介
橫井啓時
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日商古河電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種遮罩一體型表面保護帶，其係電漿切割方式用，且薄膜化程度較大之背面研削步驟中之半導體晶圓之圖案面之保護性、表面保護帶之遮罩材料層自基材膜之剝離性優異，糊劑殘留較少，且不良晶片之產生較少。又，提供一種無需光微影製程之遮罩一體型表面保護帶。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係用於包括下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造者，且具有基材膜、及設置於上述基材膜上之遮罩材料層，剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之潤濕張力為20.0mN/m以上且48.0mN/m以下，依據JIS B0601進行測定時，剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之表面粗糙度Ra為0.05μm以上且2.0μm以下的範圍。
[步驟(a)~(d)]
(a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，研削該半導體晶圓之背面，於研削後之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，藉由環狀框進行支撐固定之步驟；(b)剝離上述遮罩一體型表面保護帶之基材膜而使上述遮罩材料層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材料層中相當於半導體晶圓之切割道之部 分切斷而使半導體晶圓之切割道開口的步驟；(c)藉由SF6電漿以上述切割道分割半導體晶圓，從而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及(d)藉由O2電漿而去除上述遮罩材料層之灰化步驟

Description

遮罩一體型表面保護帶
本發明係關於一種遮罩一體型表面保護帶。
最近，半導體晶片朝薄膜化、小晶片化之進化較為驚人，尤其於記憶卡或智慧卡之類之內置有半導體IC晶片之IC卡中要求薄膜化，又，於LED、LCD驅動用裝置等中要求小晶片化。認為今後，隨著該等之需求增加，半導體晶片之薄膜化、小晶片化之需要進一步提高。
該等半導體晶片係藉由於背面研磨步驟或蝕刻步驟等中將半導體晶圓薄膜化為特定厚度後，經過切割步驟而分割為各個晶片而獲得。於該切割步驟中，使用藉由切割刀片切斷之刀片切割方式。於刀片切割方式中，於切斷時，刀片之切削阻力直接施加於半導體晶圓。因此，有半導體晶片因該切削阻力而產生微小之碎片(碎屑)之情況。碎屑之產生不僅有損半導體晶片之外觀，根據情況，亦可能會導致因抗彎強度不足所引起之拾取時之晶片破損，甚至晶片上之電路圖案發生破損。又，於藉由刀片進行之物理切割步驟中，無法使晶片彼此之間隔即切口(亦稱為劃線、切割道)之寬度窄於具有厚度之刀片寬度。其結果為，可自一片晶圓取得之晶片之數量(產率)變少。進而，亦有晶圓之加工時間較長之問題。
除刀片切割方式以外，於切割步驟中，亦利用各種方式。
例如，鑒於在將晶圓薄膜化後難以進行切割，有DBG(先切割後研磨)方式，其係首先以特定之厚度於晶圓形成槽，其後，進行研削加工而同時進行薄膜化及對於晶片之單片化。根據該方式，切口寬度與刀片切割步驟相同，但有晶片之抗彎強度提高，可抑制晶片之破損之優點。
又，有藉由雷射進行切割之雷射切割方式。
根據雷射切割方式，亦有可縮窄切口寬度且成為乾式製程之優點。然而，有晶圓表面因藉由雷射進行切斷時之昇華物而污染之不良情況，有需要藉由特定之液狀保護材料保護晶圓表面之預處理之情形。又，雖說為乾式製程，但未達到實現完全之乾式製程。再者，雷射切割方式與刀片切割方式相比，可使處理速度高速化。然而，於逐條線進行加工之方面無變化，極小晶片之製造相應地耗費時間。
進而，亦有使用於水壓下進行切割之噴水方式等濕式製程之方式。
於該方式中，可能會於MEMS裝置或CMOS感測器等必須高程度地抑制表面污染之材料中發生問題。又，切口寬度之狹小化有限制，所獲得之晶片之產率亦較低。
又，亦已知有一種於晶圓之厚度方向藉由雷射而形成改質層，進行延伸分割而進行單片化之隱形切割方式。
該方式有可使切口寬度為零，可藉由乾式進行加工之優點。然而，有晶片抗彎強度因改質層形成時之熱歷程而降低之傾向，又，於進行延伸分割時，有產生矽屑之情形。進而，與鄰接晶片之碰撞可能會引起抗彎強度 不足。
進而，作為併用隱形切割及先切割後研磨之方式，有應對窄劃線寬度之晶片單片化方式，其係於薄膜化之前，首先以特定之厚度形成改質層，其後，自背面進行研削加工而同時進行薄膜化及對晶片之單片化。
該技術改善上述製程之缺點，於晶圓背面研削加工中矽之改質層藉由應力而劈裂，從而進行單片化，故而有切口寬度為零，晶片產率較高，抗彎強度亦提高之優點。然而，由於在背面研削加工中進行單片化，故而有觀察到晶片端面與鄰接晶片碰撞而晶片邊角出現缺口之現象之情形。
除此以外，亦有電漿切割方式(例如，參照專利文獻1)。
電漿切割方式係藉由電漿而選擇性地蝕刻未經遮罩覆蓋之部位，藉此分割半導體晶圓之方法。若使用該切割方法，則可選擇性地進行晶片之分割，即便劃線彎曲，亦可無問題地進行分割。又，由於蝕刻速率非常高，故而近年來視為最適於晶片之分割之製程之一。
於電漿切割方式中，使用六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等與晶圓之反應性非常高之氟系氣體作為電漿產生用氣體，因其高蝕刻速率，必須對不進行蝕刻之面藉由遮罩進行保護，必須事先形成遮罩。
於該遮罩形成中，如專利文獻1中所記載，一般使用「於晶圓之表面塗佈抗蝕劑後，藉由光微影製程去除相當於切割道之部分而製成遮罩」之技術。因此，以往，需有電漿切割設備以外之光微影步驟設備。
又，由於在電漿蝕刻後為殘留遮罩(抗蝕膜)之狀態，故而為了去除遮罩而必須使用大量之溶劑，即便如此亦有無法完全地去除遮罩之情況，有產生不良晶片之情形。進而，由於經過藉由抗蝕劑之遮蔽步驟，故而亦 有整體之處理製程變長之不良情況。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-19385號公報
於如上所述之習知技術中，有晶片成本上升之問題，就抑制成本等觀點而言，謀求不同之手段。
又，半導體晶片之厚度有近年來逐漸變薄之傾向，於將半導體晶圓背面進行背面研削成如此薄之情形時，亦必須與半導體晶圓之圖案面良好地密合而有效地保護圖案面。
而且，於遮罩一體型表面保護帶中，於半導體晶圓之背面研削後，自遮罩一體型表面保護帶僅使遮罩材料(層)殘留於半導體晶圓之圖案面上，故而於黏著劑層與遮罩材料層之間發生剝離，因此該剝離必須容易，且可無糊劑殘留地進行剝離。於習知技術中，為了使剝離步驟中之黏著劑層與遮罩材料層之剝離較為容易，必須適當進行調整，例如降低黏著劑層或遮罩材料層之高彈性化或密合力。
於上述剝離中，必須可使遮罩材料層簡便地露出於晶圓表面，且必須藉由SF6電漿將晶圓更確實地、高精度地切割為晶片。進而，必須於電漿切割後(晶圓之分割後)藉由O2電漿而更確實地去除遮罩材料層之遮罩材料， 高度地抑制不良晶片之產生。
然而，於上述剝離步驟中，若使黏著劑層或遮罩材料層高彈性化，則於形成於半導體晶圓上之電路圖案之凹凸較大之情形時，無法充分地密合，可能會引起於背面研削時包含矽之研削屑之研削水自遮罩材料一體型表面保護帶與半導體晶圓之間隙進入而污染半導體晶圓電路面，即所謂滲流等。又，於降低遮罩材料層之密合力而使與黏著劑層之剝離較為容易之情形時，半導體晶圓與遮罩材料之密合力亦降低，產生滲流之可能性較高。
因此，本發明之課題在於提供一種遮罩一體型表面保護帶，其係電漿切割方式用，且薄膜化之程度較大之背面研削步驟中之半導體晶圓之圖案面之保護性、表面保護帶之遮罩材料層自基材膜之剝離性優異，糊劑殘留較少，且不良晶片之產生較少。又，本發明之課題在於提供一種無需光微影製程之遮罩一體型表面保護帶。
除此以外，本發明之課題亦在於提供一種如此可高度地抑制不良晶片之產生，且生產性較高、加工製程較短、可廉價地製造半導體晶片之遮罩一體型表面保護帶。
即，根據本發明，提供以下之手段。
[1]一種遮罩一體型表面保護帶，其係用於包括下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造者，其特徵在於：具有基材膜、及設置於上述基材膜上之遮罩材料層，剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之潤濕張力為20.0mN/m以上且48.0mN/m以下，依據JIS B0601進行測定時， 剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之表面粗糙度Ra為0.05μm以上且2.0μm以下的範圍；(a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，研削該半導體晶圓之背面，於研削後之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，藉由環狀框進行支撐固定之步驟；(b)剝離上述遮罩一體型表面保護帶之基材膜而使上述遮罩材料層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材料層中相當於半導體晶圓之切割道之部分切斷而使半導體晶圓之切割道開口的步驟；(c)藉由SF6電漿以上述切割道分割半導體晶圓，從而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及(d)藉由O2電漿而去除上述遮罩材料層之灰化步驟。
[2]如[1]記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料為放射線硬化型。
[3]如[1]或[2]記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層對純水之接觸角為85°以上且150°以下。
[4]如[1]至[3]中任一項記載之遮罩材料一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層之儲存彈性模數於23℃為2.0×104Pa以上且1.2×105Pa以下。
[5]如[1]至[4]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層之儲存彈性模數於50℃為1.0×104Pa以上且1.0×105Pa以下。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材膜之楊氏模數為2.0×107Pa以上且7.0×109Pa以下。
[7]如[1]至[6]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材 膜之與遮罩材料層相反之一側之面的熔點為80℃以上且120℃以下。
[8]如[1]至[7]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層與上述基材膜層之密合力為0.01N/25mm以上且0.5N/25mm以下。
[9]如[1]至[8]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料層之厚度大於半導體晶圓之圖案凹凸。
[10]如[1]至[9]中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，貼合上述遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓之圖案面之凹凸係以10μm以上來使用。
藉由本發明，可提供一種遮罩一體型表面保護帶，其係電漿切割方式用，且薄膜化之程度較大之背面研削步驟中之半導體晶圓之圖案面之保護性、遮罩材料層自基材膜之剝離性優異，糊劑殘留較少，且不良晶片之產生較少。又，藉由本發明，可提供一種無需光微影製程之遮罩一體型表面保護帶。
除此以外，亦可提供一種如此可高度地抑制不良晶片之產生，且生產性較高，加工製程較短，可廉價地製造半導體晶片之遮罩一體型表面保護帶。
適當參照隨附之圖式，根據下述記載進一步瞭解本發明之上述及其他特徵及優點。
1‧‧‧半導體晶圓
2‧‧‧圖案面
3‧‧‧遮罩一體型表面保護帶
3a‧‧‧基材膜
3b‧‧‧遮罩材料層
4‧‧‧晶圓固定帶
7‧‧‧晶片
S‧‧‧表面
B‧‧‧背面
M1‧‧‧晶圓研削裝置
M2‧‧‧頂針
M3‧‧‧吸嘴
F‧‧‧環狀框
L‧‧‧雷射(CO2雷射)
P1‧‧‧SF6氣體之電漿
P2‧‧‧O2氣體之電漿
圖1係本發明之遮罩一體型表面保護帶之示意性概略剖面圖。
圖2(a)~2(c)係說明至對使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓貼合表面保護帶為止之步驟的概略剖面圖。分圖2(a)表示具有圖案面之半導體晶圓，分圖2(b)表示貼合遮罩一體型表面保護帶之步驟，分圖2(c)表示貼合有遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓。
圖3(a)~3(c)係說明至使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓之薄膜化及固定為止之步驟的概略剖面圖。分圖3(a)表示半導體晶圓之薄膜化處理，分圖3(b)表示貼合晶圓固定帶之步驟，分圖3(c)表示將半導體晶圓固定於環狀框之狀態。
圖4(a)~4(c)係說明至使用本發明之遮罩一體型表面保護帶形成遮罩為止之步驟的概略剖面圖。分圖4(a)表示自遮罩一體型表面保護帶殘留遮罩材料層而剝離基材膜之步驟，分圖4(b)表示露出遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料層之狀態，分圖4(c)表示藉由雷射而切除相當於切割道之遮罩材料層之步驟。
圖5(a)~5(c)係說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之電漿切割及電漿灰化之步驟的概略剖面圖。分圖5(a)表示進行電漿切割之步驟，分圖5(b)表示單片化為晶片之狀態，分圖5(c)表示進行電漿灰化之步驟。
圖6(a)及6(b)係說明至拾取使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之晶片為止之步驟的概略剖面圖。分圖6(a)表示去除遮罩材料層後之狀態，分圖6(b)表示拾取晶片之步驟。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係用於藉由電漿切割將半導體晶圓進行分割、單片化而獲得半導體晶片之方法。
如以下說明般，藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，無需於電漿切割步驟之前之光微影製程，可大幅抑制半導體晶片或半導體製品之製造成本。
本發明之遮罩一體型表面保護帶3係如圖1所示，於基材膜3a上積層遮罩材料層3b，兩層藉由黏著進行一體化而成者。該遮罩材料層3b如下所述，較佳為放射線硬化型遮罩材料層。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係用於切割方式如上所述為電漿切割方式者，即為電漿切割方式用遮罩一體型表面保護帶。
更具體而言，於自半導體晶圓獲得半導體晶片時，用於包括藉由電漿切割將晶圓進行分割、單片化之步驟在內之半導體晶片之製造。
而且，如上所述，為無需光微影製程之遮罩一體型表面保護帶。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係用於半導體晶圓之加工，於半導體晶圓之背面研削時，為了保護圖案面(表面)，貼合於該圖案面而使用。
以下，將本發明之遮罩一體型表面保護帶與半導體晶片之製造步驟(半導體晶圓之加工步驟)一起詳細地進行說明。
本發明之遮罩一體型表面保護帶進而較佳為用於至少包括下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造。
即，本發明之遮罩一體型表面保護帶係包括下述步驟(a)~(d)之半導體晶片製造用之遮罩一體型表面保護帶。
[步驟(a)~(d)]
(a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，研削該半導體晶圓之背面，於研削後之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，藉由環狀框進行支撐固定之步驟；
(b)剝離上述遮罩一體型表面保護帶之基材膜而使上述遮罩材料層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材料層中相當於半導體晶圓之切割道之部分切斷而使半導體晶圓之切割道開口的步驟；
(c)藉由SF6電漿以上述切割道分割半導體晶圓，從而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及
(d)藉由O2電漿而去除上述遮罩材料層之灰化步驟
應用本發明之遮罩一體型表面保護帶之上述半導體晶片之製造方法較佳為於上述步驟(d)後，包括下述步驟(e)。又，於包括下述步驟(e)之情形時，較佳為於該步驟(e)後，進而包括下述步驟(f)。
(e)自晶圓固定帶拾取半導體晶片之步驟
(f)將拾取之半導體晶片轉移至黏晶步驟之步驟
於本發明之遮罩一體型表面保護帶之情形時，於上述步驟(b)中，包括不照射放射線，自上述遮罩一體型表面保護帶剝離上述基材膜而使遮罩材料層露出於表面之步驟。
以下，包括作為使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之用途的半導體晶片之製造方法中所應用之步驟(a)~(d)在內，詳細地進行說 明。
以下，針對使用本發明之遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片之製造方法(以下，簡稱為「應用本發明之製造方法」)，參照圖式說明其較佳之實施形態，但除本發明中所規定之內容以外，本發明並不限定於下述實施形態。又，各圖式所示之形態係用以容易理解本發明之示意圖，有各構件之尺寸、厚度或相對之大小關係等為了便於說明而改變大小之情形，並非直接表示實際之關係。又，除本發明中規定之事項以外，並不限定於該等圖式所示之外形、形狀。
再者，下述實施形態中使用之裝置及材料等只要未特別說明，則可使用自習知以來用於半導體晶圓之加工之通常之裝置及材料等，其使用條件亦可於通常之使用方法之範圍內根據目的而適當地設定、最佳化。又，關於各實施形態中共通之材質、構造、方法、效果等，省略重複記載。
參照圖2(a)~圖6(b)說明應用本發明之遮罩一體型表面保護帶之製造方法。
半導體晶圓1具有於其表面S形成有半導體元件之電路等之圖案面2(參照圖2(a))。於該圖案面2，沿圖2(b)之箭頭方向貼合「於基材膜3a設置有遮罩材料層3b之本發明之遮罩一體型表面保護帶3」(參照圖2(b))，獲得圖案面2經本發明之遮罩一體型表面保護帶3被覆之半導體晶圓1(參照圖2(c))。
其次，如圖3(a)之箭頭般藉由晶圓研削裝置M1研削半導體晶圓1之背面B，減薄半導體晶圓1之厚度(參照圖3(a))。於該研削 後之背面B，沿圖3(b)之箭頭方向貼合晶圓固定帶4(參照圖3(b))，支撐固定於環狀框F(參照圖3(c))。
自半導體晶圓1剝離遮罩一體型表面保護帶3之基材膜3a，並且使該遮罩材料層3b殘留於半導體晶圓1(參照圖4(a))，使遮罩材料層3b露出(參照圖4(b))。然後，自表面S之側對「於圖案面2適當形成為格子狀等之多個切割道(未圖示)」照射CO2雷射L，去除遮罩材料層3b之相當於切割道之部分，使半導體晶圓之切割道開口(參照圖4(c))。
其次，自表面S側進行藉由SF6氣體之電漿P1之處理，蝕刻於切割道部分露出之半導體晶圓1(參照圖5(a))，分割為各個晶片7而進行單片化(參照圖5(b))。繼而，藉由O2氣體之電漿P2而進行灰化(參照圖5(c))，除去殘留於表面S之遮罩材料層3b(參照圖6(a))。並且，最後藉由頂針M2上推單片化之晶片7，藉由吸嘴M3進行吸附而沿圖6(b)之箭頭方向拾取(參照圖6(b))。圖5(a)及(c)之箭頭表示各電漿照射之方向。
此處，使用SF6氣體之半導體晶圓之Si之蝕刻製程亦稱為BOSCH製程，係使露出之Si與將SF6電漿化所生成之F原子進行反應而以四氟化矽(SiF4)之形式去除者，亦稱為反應式離子蝕刻(RIE)。另一方面，藉由O2電漿之去除係於半導體製造製程中亦以電漿清潔器之形式使用之方法，亦稱為灰化(ashing)，為去除有機物之方法之一。為了清潔殘留於半導體裝置表面之有機物殘渣而進行。
其次，對遮罩一體型表面保護帶3中使用之材料及上述步驟中使用之材料進行說明。
再者，除遮罩一體型表面保護帶3中使用之材料以外，上述步驟中使用之材料並不限定於下述說明者。
半導體晶圓1係具有於單面形成有半導體元件之電路等之圖案面2之矽晶圓等，圖案面2係形成有半導體元件之電路等之面，於俯視下具有切割道。
本發明之遮罩一體型表面保護帶3具有於基材膜3a上設置有遮罩材料層3b之構成，具有保護形成於圖案面2之半導體元件之功能。即，於後續步驟之晶圓薄膜化步驟(背面研削步驟)中，為了藉由圖案面2支撐半導體晶圓1而研削晶圓之背面，遮罩一體型表面保護帶3必須耐受該研削時之負載。因此，遮罩一體型表面保護帶3與單純之抗蝕膜等不同，為「有僅被覆形成於圖案面之元件之厚度，其按壓阻力較低，又，能夠以不會發生研削時之灰塵或研削水等之滲入之方式將元件儘可能地密合的密合性較高」者。
於本發明之遮罩一體型表面保護帶3中，基材膜3a之特徵在於剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力為20.0mN/m以上且48.0mN/m以下。上述「潤濕張力」意指每單位面積之表面自由能。該「潤濕張力」可藉由表面張力判定試劑{例如，張力測試液(商品名：春日電機股份有限公司製造)}進行測定。又，該「潤濕張力」之試驗之規格為「JIS K6768(塑膠-膜及片材-潤濕張力試驗法)」。
藉由基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力處於上述範圍，本發明之遮罩一體型表面保護帶3可自基材膜容易地剝離遮罩材料層。就該觀點而言，基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力為20.0mN/m 以上且48.0mN/m以下，較佳為22.6mN/m以上且45.0mN/m以下，更佳為25.4mN/m以上且44.0mN/m以下。
若上述潤濕張力過小，則於將遮罩一體型表面保護帶3貼附於半導體晶圓1之裝置內，基材膜3a與遮罩材料層3b可能會發生剝離。另一方面，若上述潤濕張力過大，則基材膜3a與遮罩材料層3b之密合力過高，難以不剝離而僅使遮罩材料露出於晶圓面上。
進而，本發明之遮罩一體型表面保護帶3之特徵在於依據JIS B0601進行測定時之基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面的表面粗糙度Ra為0.05μm以上且2.0μm以下。於表面粗糙度Ra大於2.0μm之情形時，基材膜3a與遮罩材料層3b之接地面積增加，因而密合力過高，難以剝離。反之，於表面粗糙度Ra未達0.05μm之情形時，基材膜3a與遮罩材料層3b之剝離性提昇，但如上所述，可能會於貼合帶之裝置內或研削中基材膜3a與遮罩材料層3b發生剝離，晶圓破損。就該觀點而言，上述表面粗糙度Ra較佳為0.07μm以上且1.8μm以下，更佳為0.09μm以上且1.7μm以下，尤佳為0.11μm以上且1.6μm以下。
再者，本發明中所謂之表面粗糙度Ra係藉由Tencor製造之P-10(商品名)測定基材膜表面之粗糙度而算出的平均粗糙度。
本發明之遮罩一體型表面保護帶3之特徵在於基材膜3a之剝離遮罩材料層3b後之面滿足上述潤濕張力及表面粗糙度兩者的條件。「基材膜3a之剝離遮罩材料層3b後之面」意指於本發明之遮罩一體型表面保護帶中剝離遮罩材料層3b後之基材膜3a之與遮罩材料層3b的對向面。藉由滿足上述潤濕張力及表面粗糙度兩者之條件而並非其中一者，可大幅擴大 遮罩材料之選擇。藉由基材膜之表面粗糙度滿足上述條件，可以物理方式減少基材膜與遮罩材料之接地面積，可選擇亦能夠與表面具有較大之圖案凹凸之半導體晶圓充分密合之柔軟的遮罩材料。
進而，藉由基材膜之潤濕張力滿足上述條件，即便應用與塗覆於半導體晶圓之表面之材料配合性較佳且化學極性較高之遮罩材料，亦可容易地剝離。即，藉由基材膜滿足兩者之條件，可選擇能夠與半導體晶圓之表面充分地密合之遮罩材料，於研削後，可以物理方式及化學方式僅容易地剝離基材膜，可同時實現晶圓之圖案面之保護性及剝離性。
又，基材膜3a之楊氏模數較佳為2.0×107Pa以上且7.0×109Pa以下，更佳為2.5×107Pa以上且6.0×109Pa以下。藉由基材膜之楊氏模數處於此種範圍內，遮罩一體型表面保護帶3於研削時可具有適度之緩衝性，可大幅抑制晶圓之破損。
基材膜3a係由塑膠或橡膠等構成，作為其材質，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴樹脂、1-聚丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物、或者該等之混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚醚醯亞胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯-或戊烯系共聚物等單質或混合2種以上而成者、進而於該等中摻合該等以外之樹脂或填充材料、添加劑等而成之樹脂組成物，可根據要求特性任意地選擇。
基材膜3a較佳為具有由聚烯烴樹脂構成之層。於此情形時，基材膜3a可為由聚烯烴樹脂層構成之單層，亦可為由聚烯烴樹脂層及 其他樹脂層構成之2層或2層以上之多層構造。又，低密度聚乙烯與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之積層體或聚丙烯與聚對苯二甲酸乙二酯之積層體、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯係一較佳之材質。
於基材膜3a為單層或其以上之多層構造之情形時，配置於基材膜之與遮罩材料層相反之一側之面的樹脂之熔點較佳為80℃以上且120℃以下之範圍，更佳為90℃以上且110℃以下之範圍。藉由配置處於此種熔點範圍之樹脂，可確實地熱密封剝離膜，並可容易地剝離。
該等基材膜3a可使用一般之擠出法而製造。於積層各種樹脂而獲得基材膜3a之情形時，藉由共擠出法、層壓法等而製造。此時，可如於通常之層壓膜之製法中所通常進行般，於樹脂與樹脂之間設置接著劑層。就強度、伸長率特性、放射線穿透性之觀點而言，此種基材膜3a之厚度較佳為20~200μm。
遮罩材料層3b擔負吸收形成於圖案面之元件之凹凸而提高與圖案面之密合性，保護圖案面之作用。為了使遮罩一體型表面保護帶耐受晶圓薄膜化步驟之負載，較佳為遮罩材料層3b於晶圓薄膜化步驟中，與基材膜3a之密合性較高。另一方面，於晶圓薄膜化步驟後，為了自基材膜3剝離，較佳為密合性較低(較佳為剝離性較高)。為了以更高之水準實現此種特性，較佳為本發明之遮罩材料一體型表面保護帶之遮罩材料層3b之遮罩材料具有黏著性，且為放射線硬化型。藉由將遮罩材料設為放射線硬化型，利用照射放射線而基材膜3a與遮罩材料層3b之密合力減少，故而可將遮罩材料層3b自基材膜3a簡便地剝離。
再者，於本發明中，「放射線」係用於包含紫外線之類之光線或電子束 之類之游離性放射線兩者的含義。於本發明中，放射線較佳為紫外線。
於本發明之遮罩一體型表面保護帶中，遮罩材料層3b含有(甲基)丙烯酸系共聚物。此處，遮罩層3b含有(甲基)丙烯酸系共聚物之含義係包含(甲基)丙烯酸系共聚物與下述硬化劑反應後之狀態下存在之形態。
此處，如(甲基)丙烯酸系般，「(甲基)」之括號部分意指其可存在，亦可不存在，例如，(甲基)丙烯酸系可為丙烯酸系、甲基丙烯酸系或包含該等之情形中之任一者。
於本發明中，(甲基)丙烯酸系共聚物例如可列舉：具有(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之共聚物、或該等共聚物之混合物等。
該等聚合物之質量平均分子量通常為30萬~100萬左右。
於上述(甲基)丙烯酸系共聚物之所有單體成分中，(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，進而較佳為90莫耳%以上。又，於在(甲基)丙烯酸系共聚物之所有單體成分中，(甲基)丙烯酸酯成分之比率不為100莫耳%之情形時，剩餘部分之單體成分較佳為以將(甲基)丙烯醯基作為聚合性基進行聚合後之形態存在之單體成分[(甲基)丙烯酸等]。
又，於(甲基)丙烯酸系共聚物之所有單體成分中，具有與下述硬化劑進行反應之官能基(例如羥基)之(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為1莫耳%以上，更佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上。又，該(甲基)丙烯酸酯成分之比率較佳為35莫耳%以下，更佳為25莫耳%以下。
上述(甲基)丙烯酸酯成分可為(甲基)丙烯酸烷基酯(亦稱為 alkyl(meth)acrylate)。於此情形時，構成(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基之碳數較佳為1~20，更佳為1~15，進而較佳為1~12。
遮罩材料層3b中之(甲基)丙烯酸系共聚物之含量(換算為與硬化劑進行反應之前之狀態之含量)較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，更佳為95~99.9質量%。
於遮罩材料層3b以放射線硬化型黏著劑構成之情形時，可較佳地使用含有丙烯酸系黏著劑及放射線聚合性化合物而成之黏著劑。
丙烯酸系黏著劑係(甲基)丙烯酸系共聚物、或(甲基)丙烯酸系共聚物與硬化劑之混合物。
硬化劑係用於與(甲基)丙烯酸系共聚物所具有之官能基進行反應而調整黏著力及凝集力者。
例如可列舉：1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)苯、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺、乙二醇二縮水甘油醚、對苯二甲酸二縮水甘油酯丙烯酸酯等分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物(以下，亦稱為「環氧系硬化劑」)；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯及該等之加成物類型等分子中具有2個以上之異氰酸基之異氰酸酯化合物(以下，亦稱為「異氰酸酯系硬化劑」)；四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯、三-2,4,6-(1-氮丙 啶基)-1,3,5-三
Figure 106129341-A0202-12-0019-9
、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三
Figure 106129341-A0202-12-0019-10
等分子中具有2個以上之氮丙啶基(aziridinyl groups)之氮丙啶化合物(以下，亦稱為「氮丙啶系硬化劑」)等。
硬化劑之添加量只要根據所欲之黏著力進行調整即可，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，較佳為0.1~5.0質量份。於本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料層中，硬化劑處於與(甲基)丙烯酸系共聚物反應後之狀態。
作為上述放射線聚合性化合物，廣泛使用藉由放射線之照射而可進行三維網狀化之分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
具體而言，可廣泛應用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡酯丙烯酸酯等丙烯酸酯系化合物。
又，除上述丙烯酸酯系化合物以外，亦可使用丙烯酸胺酯系低聚物。
丙烯酸胺酯系低聚物係使具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯胺酯預聚物進行反應而獲得，該末端異氰酸酯胺酯預聚物係使聚酯型或聚醚型等之多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯 二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)進行反應而獲得。
作為放射線硬化型遮罩材料中之丙烯酸系黏著劑與放射線聚合性化合物之摻合比，較佳為相對於丙烯酸系黏著劑100質量份，於50~200質量份、較佳為50~150質量份之範圍內摻合放射線聚合性化合物。於為該摻合比之範圍之情形時，遮罩材料層具有適度之彈性模數，可提昇晶圓表面之凹凸與遮罩材料層之密合性。
又，亦較佳為使用使上述(甲基)丙烯酸系共聚物本身為放射線聚合性之放射線聚合性(甲基)丙烯酸系共聚物作為遮罩材料層3b中使用之放射線硬化型黏著劑。
於此情形時，放射線硬化型黏著劑可包含硬化劑。
放射線聚合性(甲基)丙烯酸系共聚物係於共聚物之分子中具有可藉由放射線、尤其是紫外線照射而進行聚合反應之反應性之基的共聚物。
作為此種反應性之基，較佳為乙烯性不飽和基、即具有碳-碳雙鍵(乙烯性不飽和鍵)之基。作為此種基之例，可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯基胺基等。
上述向共聚物中導入反應性基例如可藉由下述方法來進行，即使具有羥基之共聚物與具有與羥基進行反應之基(例如異氰酸基)且具有上述反應性基之化合物[(代表為異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯]進行反應而進行。
較佳為於構成形成本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料層3b之「側鏈具有乙烯性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸系共聚物」的單體成分中，包含碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷基酯成分。於構成側鏈具有乙 烯性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸系共聚物之單體成分中，碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷基酯成分之比率較佳為45~85莫耳%，更佳為50~80莫耳%。
又，於藉由放射線使遮罩材料層3b進行聚合硬化之情形時，可使用光聚合起始劑，例如安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫
Figure 106129341-A0202-12-0021-11
、苯偶醯甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。藉由於黏著劑層中添加該等中之至少1種，可高效率地進行聚合反應。
上述遮罩材料層3b可進而含有光增感劑、先前公知之黏著賦予劑、軟化劑、抗氧化劑等。
為作為上述遮罩材料層3b，亦較佳採用日本特開2014-192204號公報之段落編號0036~0055中所記載之形態。
就進一步提高形成於圖案面2之元件等之保護能力，又，進一步提高對圖案面之密合性之觀點而言，遮罩材料層3b之厚度較佳為5~100μm。再者，圖案表面之凹凸大致為數μm~50μm左右，但亦根據裝置之種類而不同。
於本發明之遮罩一體型表面保護帶中，較佳為遮罩材料層之厚度大於半導體晶圓之圖案凹凸。藉此，可進一步提高對薄膜化背面研削後之半導體晶圓之圖案面之密合性。
又，於本發明之遮罩一體型表面保護帶中，貼合之半導體晶圓之圖案面之凹凸較佳為10μm以上，更佳為15μm以上，進而較佳為20μm以上。
進而，於本發明之遮罩一體型表面保護帶中，遮罩材料層表 面之耐水性亦重要。於遮罩材料層表面之耐水性較低之情形時，誘發因於晶圓背面研削加工中切削水滲入所引起之晶圓污染，或者因遮罩一體型表面保護帶容易自晶圓邊緣部剝離而誘發邊緣碎裂。因此，於本發明之遮罩一體型表面保護帶中，較理想為遮罩材料層表面之耐水性較高，具體而言，較佳為遮罩材料層表面與純水之接觸角為85°以上。就遮罩材料之材料特性之觀點而言，與純水之接觸角通常設為150°以下。實用上遮罩材料層表面與純水之接觸角為85~120°左右。再者，接觸角之測定環境設為室溫(25±5℃)、濕度50±10%。
於本發明中，遮罩材料層表面對純水之接觸角意指遮罩材料層表面與純水剛接觸後之接觸角。該接觸角係於23℃之溫度、50%之濕度之條件下測得之值。測定可使用市售之接觸角測定裝置進行。再者，作為市售之「接觸角測定裝置」之具體例，可列舉「協和化學工業股份有限公司製造，FACE接觸角計CA-S150型(商品名)」。
又，遮罩材料層之儲存彈性模數較佳為於23℃為2.0×104Pa以上且1.2×105Pa以下，更佳為2.5×104Pa以上且1.0×105Pa以下，進而較佳為3.0×104Pa以上且9.0×104Pa以下。藉由具有此種儲存彈性模數，可充分地追隨晶圓表面之凹凸，可降低研削時之清洗水滲入之可能性。
又，根據其測定法，儲存彈性模數有G'(扭轉剪切法)及E'(拉伸壓縮法)。不為放射線硬化型之遮罩材料層或放射線照射前之放射線硬化型遮罩材料層之彈性模數係藉由扭轉剪切法進行測定。放射線照射後之放射線硬化型遮罩材料層之彈性模數係藉由拉伸壓縮法進行測定。關於G'及E'，於線性區域，一般E'=3G'之關係成立。本發明中所規定之上述彈性模數意 指藉由扭轉剪切法獲得者，於藉由拉伸壓縮法進行測定之情形時，表示藉由E'=3G'之式進行換算所獲得之值。
又，遮罩材料之儲存彈性模數較佳為於50℃為1.0×104Pa以上且1.0×105Pa以下。藉由具有此種範圍之儲存彈性模數，於將遮罩一體型表面保護帶貼附於半導體晶圓時，更容易與晶圓表面之凹凸密合，可進一步降低晶圓之污染。又，藉由將溫度自23℃提高至50℃，遮罩材料變得更柔軟，故而遮罩材料更容易追隨晶圓表面之凹凸。
本發明之遮罩一體型表面保護帶較佳為基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力為0.01N/25mm以上且0.5N/25mm以下。藉由具有此種密合力，可良好地進行半導體晶圓之背面研削，於自背面研削加工後變薄之半導體晶圓剝離基材膜3a時，可無晶圓之破損等地進行剝離。
於本發明中，「密合力」(單位：N/25mm)係藉由如下方式求出：使用Tensilon測試機[島津製作所股份有限公司製造之AG-10kNI(商品名)]，利用切割機將遮罩一體型表面保護帶切出5mm寬度之切口後，以剝離速度300mm/min於180°方向拉伸遮罩材料層而剝離，並測量此時之應力(剝離強度)。
於上述密合力之測定中，紫外線照射條件係指以成為累計照射量500mJ/cm2之方式，自該帶之基材膜側對遮罩一體型表面保護帶整體照射紫外線。於紫外線照射中使用高壓水銀燈。
晶圓固定帶4其保持半導體晶圓1，且需有即便暴露於電漿切割步驟亦可耐受之電漿耐性。又，於拾取步驟中，亦要求良好之拾取性，或者根據情況，亦要求延伸性等。
此種晶圓固定帶4可使用與上述基材膜3a相同之帶。又，可使用一般被稱為切割帶之習知之電漿切割方式中所利用之公知之切割帶。又，為了容易進行拾取後向黏晶步驟之轉移，亦可使用於黏著劑層與基材膜之間積層黏晶用接著劑而成之切割黏晶帶。
於切斷遮罩材料層3b之雷射照射中，可使用照射紫外線或紅外線之雷射光之雷射照射裝置。該雷射光照射裝置係沿半導體晶圓1之切割道自由移動地配設雷射照射部，可照射為了去除遮罩材料層3b而適當地控制之輸出雷射。其中，CO2雷射可獲得數W~數十W之大輸出，可較佳地用於本發明。
於進行電漿切割及電漿灰化時，可使用電漿蝕刻裝置。電漿蝕刻裝置係可對半導體晶圓1進行乾式蝕刻之裝置，於真空室內製作出密閉處理空間，於高頻側電極載置半導體晶圓1，自與該高頻側電極對向設置之氣體供給電極側供給電漿產生用氣體。若對高頻側電極施加高頻電壓，則於氣體供給電極與高頻側電極之間產生電漿，故而利用該電漿。於發熱之高頻電極內使冷媒循環，防止因電漿之熱所引起之半導體晶圓1之升溫。
根據上述半導體晶片之製造方法(半導體晶圓之處理方法)，藉由使保護圖案面之本發明之遮罩一體型表面保護帶具有電漿切割中之遮罩功能，無需用以設置習知之電漿切割製程中所使用之抗蝕劑之光微影步驟等。尤其是若使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，則無需遮罩之形成要求印刷或轉印等之高程度之對位之技術，可簡便地貼合於半導體晶圓表面，可藉由雷射裝置簡便且高精度地形成遮罩。
又，由於可藉由O2電漿而去除遮罩材料層3b，故而可藉由 與進行電漿切割之裝置相同之裝置而去除遮罩部分。除此以外，由於自圖案面2側(表面S側)進行電漿切割，故而無須於拾取作業前使晶片之上下反轉。
因該等原因，可簡化設備，可大幅抑制製程成本。
[實施例]
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等。
[實施例1]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-乙基己酯78mol%、丙烯酸2-羥基乙酯21mol%，於溶液中進行聚合，藉此獲得質量平均分子量70萬之(甲基)丙烯酸系共聚物溶液。
對所獲得之(甲基)丙烯酸系共聚物加成異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(商品名：Karenz MOI，昭和電工股份有限公司製造)，藉此獲得以下之物性之(甲基)丙烯酸系共聚物。(質量平均分子量：70萬，雙鍵量：0.90meq/g，羥值：33.5mgKOH/g，酸值：5.5mgKOH/g，Tg：-68℃)
再者，O2灰化之時間係自10分鐘至20分鐘。
相對於該含乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名：Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造，異氰酸酯系硬化劑)0.2質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(商品名：BASF公司製造)5質量份，獲得遮罩材料組成物A。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名： Ultrathene 541)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物A之面之表面粗糙度Ra成為1.1μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為22.6mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物A塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外 線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述實施例1中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為22.6mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為1.1μm。
[實施例2]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
將實施例1中所製作之遮罩材料組成物A之Coronate L設為4質量份，除此以外，以相同之方式，獲得遮罩材料組成物B。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 530)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物B之面之表面粗糙度Ra成為0.9μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為48.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物B塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)， 將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述實施例2中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為48.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.9μm。
[實施例3]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸丁酯23mol%、丙烯酸月桂酯68mol%、丙烯酸2-羥基乙酯8mol%，於溶液中進行聚合，藉此獲得質量平均分子量65萬、酸值5.0mgKOH/g、Tg-10℃之(甲基)丙烯酸系共聚物溶液。
相對於所獲得之(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，摻合作為紫外線反應性樹脂之5官能且分子量為1500之丙烯酸胺酯低聚物[新中村化學工業股份有限公司製造]100質量份及3官能之丙烯酸胺酯低聚物[新中村化學工業股份有限公司製造]50質量份、作為硬化劑之Coronate L 3質量份、Tetrad C[商 品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製造；1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己酮]2質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(商品名：BASF公司製造)10質量份，獲得遮罩材料組成物C。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 530)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物C之面之表面粗糙度Ra成為0.06μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為38.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物C塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述實施例3中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為38.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.06μm。
[實施例4]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合甲基丙烯酸1mol%、甲基丙烯酸甲酯35mol%、丙烯酸2-乙基己酯62mol%、丙烯酸2-羥基乙酯2mol%，於溶液中進行聚合，藉此獲得質量平均分子量20萬、酸值6.0mgKOH/g、Tg-30℃之(甲基)丙烯酸系共聚物溶液。
相對於所獲得之(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，摻合作為紫外線反應性樹脂之5官能且分子量為1500之丙烯酸胺酯低聚物[新中村化學工業股份有限公司製造]100質量份及3官能之丙烯酸胺酯低聚物[新中村化學工業股份有限公司製造]50質量份、作為硬化劑之Coronate L 5質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(商品名：BASF公司製造)5質量份，獲得遮罩材料組成物D。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 530)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係 藉由使貼合上述遮罩材料組成物D之面之表面粗糙度Ra成為1.9μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為38.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物D塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述實施例4中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為38.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為1.9μm。
[實施例5]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合丙烯酸20mol%、丙烯酸丁酯70mol%、丙烯酸甲酯10mol%，於溶液中進行聚合，藉此合成丙烯酸系共聚物(質量平均分子量：40萬，羥值：0mgKOH/g，酸值：9.8mgKOH/g，Tg：-23℃)。
相對於所獲得之丙烯酸系共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之Tetrad C[商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製造；1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己酮]2質量份，獲得遮罩材料組成物E。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 631)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物E之面之表面粗糙度Ra成為0.9μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為38.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物E塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述實施例5中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為38.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.9μm。
[比較例1]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸月桂酯50mol%、丙烯酸2-羥基乙酯29mol%、丙烯酸2-乙基己酯20mol%，於溶液中進行聚合，藉此獲得質量平均分子量30萬之(甲基)丙烯酸系共聚物溶液。
對所獲得之(甲基)丙烯酸系共聚物加成異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯 (商品名：Karenz MOI，昭和電工股份有限公司製造)，藉此獲得以下之物性之(甲基)丙烯酸系共聚物。(質量平均分子量：30萬，雙鍵量0.59meq/g，羥值55.6mgKOH/g，酸值5.5mgKOH/g，Tg：-20℃)
相對於該含乙烯性不飽和基(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名：Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造)8質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(商品名：BASF公司製造)5質量份，獲得遮罩材料組成物F。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 640)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物F之面之表面粗糙度Ra成為0.9μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為54.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物F塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固 定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述比較例1中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為54.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.9μm。
[比較例2]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
將比較例1中所製作之遮罩材料組成物F之Coronate L設為10質量份，除此以外，以相同之方式，獲得遮罩材料組成物G。
使用低密度聚乙烯(東曹公司製造，商品名：Petrothene 225)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物G之面之表面粗糙度Ra成為2.3μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為48.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物G塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型 表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述比較例2中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為48.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為2.3μm。
[比較例3]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 530)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由與實施例1中所使用者相同之使貼合上述遮罩材料組成物A之面之表面粗糙度Ra成為0.02μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為48.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物A塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度 自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述比較例3中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為48.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.02μm。
[比較例4]遮罩一體型表面保護帶之製作、半導體晶片之製造
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
混合甲基丙烯酸2mol%、丙烯酸2-乙基己酯20mol%、丙烯酸丁酯70mol%、丙烯酸甲酯8mol%，於溶液中進行聚合，藉此合成(甲基)丙烯酸系共聚物(質量平均分子量：40萬，羥值：0mgKOH/g，酸值：16.1mgKOH/g，Tg：-35℃)。
於該(甲基)丙烯酸系共聚物之溶液中，相對於該共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之TETRAD-X(商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製造，環氧系硬化劑)2質量份，獲得遮罩材料組成物H(遮罩材料)。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(東曹公司製造，商品名：Ultrathene 631)，藉由T模法製作厚度100μm之基材膜3a，該基材膜3a係藉由使貼合上述遮罩材料組成物H之面之表面粗糙度Ra成為0.04μm的壓紋輥來形成，且以潤濕張力成為54.0mN/m之方式進行電暈處理而成。
將上述遮罩材料組成物H塗敷於剝離襯墊上而形成遮罩材料層3b，與基材膜3a貼合，獲得厚度130μm之紫外線硬化型遮罩一體型 表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機股份有限公司製造)，於附劃線(切割道)之矽晶圓(直徑8英吋)表面，貼合上述所獲得之紫外線硬化型之遮罩一體型表面保護帶。
其後，使用DGP8760(商品名：Disco股份有限公司製造)，將與貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面相反之面(晶圓之背面)研削至晶圓之厚度成為50μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科股份有限公司製造)，將研削後之晶圓自晶圓背面側安裝於切割帶上，藉由環狀框進行支撐固定。進而，自紫外線硬化型之遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此降低基材膜3a與遮罩材料層3b之間之密合力，僅剝離基材膜3a，僅使遮罩材料層3b殘留於晶圓上。其次，藉由CO2雷射而去除劃線上之遮罩材料，使劃線開口。
其後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，以15μm/分鐘之蝕刻速度自遮罩材料層側電漿照射矽晶圓5分鐘。藉由該電漿切割而切斷晶圓，分割為各個晶片。繼而，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/分鐘之蝕刻速度進行10分鐘灰化，去除遮罩材料。其後，自切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，降低切割帶之黏著力，拾取晶片。
於上述比較例4中，測定基材膜3a之剝離遮罩材料層3b之面之潤濕張力，結果確認到為54.0mN/m。又，確認到相同之面之表面粗糙度Ra為0.04μm。
[試驗例1]基材膜之潤濕張力評價
自上述各實施例及比較例之遮罩一體型表面保護帶採集寬度200mm×長度300mm之試片3點。
使張力測試液(商品名：春日電機股份有限公司製造)滲入至脫脂棉中，塗佈於樣本基材膜，觀察2秒後之塗佈液面，判定所使用之張力測試液之潤濕情況。
[試驗例2]遮罩材料之儲存彈性模數評價
於試片：8mmΦ×3mm之圓柱測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II(商品名：REOMETRIC公司製造)、測定頻率：1Hz之條件下測定於紫外線照射前自基材膜剝離之遮罩材料層之G'(扭轉剪切法)。
於上述各實施例及比較例之<半導體晶片之製造>中，藉由下述評價基準評價遮罩一體型表面保護帶中之剝離基材膜及遮罩材料層時所需之力(剝離性)。再者，上述剝離係使用RAD-2700F[商品名：琳得科股份有限公司製造]進行。
-基材膜-遮罩材料層之間之剝離力(密合力)之評價基準-
自上述各實施例及比較例之半導體晶圓表面保護用黏著帶採集寬度25mm×長度300mm之試片3點。於經JIS R 6253中規定之280號耐水研磨紙精加工之JIS G 4305中規定之厚度2.0mm之SUS鋼板上，將2kg之橡膠輥往復3次而壓接各試片，放置1小時後，使用測定值落入其能力之15~85%之範圍之符合JIS B 7721之拉伸試驗機，測定23℃下之密合力。測定係藉由180度剝離法進行，此時之拉伸速度設為300mm/min。
[試驗例3]藉由O2電漿灰化之遮罩材料層之去除性評價
於上述各實施例及比較例之<半導體晶片之製造>中，使用雷射顯微 鏡調查O2電漿灰化(以1.5μm/分鐘之蝕刻速度灰化10分鐘)後之遮罩材料層之殘留之有無。
-遮罩材料層之去除性之評價基準-
○：不存在遮罩材料層之殘留。
×：存在遮罩材料層之殘留。
[試驗例4]研削水之滲入性之評價
於上述各實施例及比較例之<半導體晶片之製造>中，於剝離基材膜之前，隔著基材膜藉由顯微鏡觀察晶圓表面，調查研削水之滲入之有無。
-研削水之滲入之評價基準(背面研削時之密合性評價基準)-
○：於背面研削後剝離基材膜，目測可確認到於遮罩材料層與半導體晶圓之間不存在研削水之滲入。
△：於背面研削後剝離基材膜，目測確認到研削水滲入至遮罩材料層與半導體晶圓之間。
×：於背面研削後剝離基材膜，目測研削水滲入至遮罩材料層與半導體晶圓之間，於半導體晶圓確認到裂紋。
將試驗例1~4中所獲得之結果彙總示於下述表1及2。
根據上述各試驗例之結果，可知於利用電漿切割方式對半導體晶圓進行加工而製造半導體晶片時，藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，可僅藉由於半導體晶圓之圖案面貼附遮罩一體型表面保護帶，並 自該貼附之遮罩一體型表面保護帶剝離基材膜，從而不產生糊劑殘留而簡便地形成遮罩。又，於背面研削時，不存在基材膜與遮罩材料層之剝離，且不存在圖案面之污染或半導體晶圓之破損。即，背面研削時之半導體晶圓之圖案面之保護性較高，可進行良好之薄膜化背面研削。又，於背面研削後之基材膜與遮罩材料層之剝離中不存在糊劑殘留，可良好地使遮罩材料層露出。進而，該遮罩材料可藉由雷射確實地去除相當於切割道之部分，高精度地形成對圖案面之遮罩。進而，可知圖案面上之遮罩材料可藉由O2電漿更確實地去除，可高度地抑制不良晶片之產生。即，可階段性地高精度且確實地進行對圖案面之遮罩形成及去除之處理，可抑制圖案面之污染等，高度地抑制不良晶片之產生。
已對本發明與其實施態樣一同進行了說明，但只要本發明人未做特別指定，則於說明之任一細節中均不對本發明進行限定，且認為可於不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神與範圍的情況下廣泛地進行解釋。
本案係基於2016年8月29日於日本提出專利申請之日本特願2016-167148而主張優先權者，在此將其作為參照，並將其內容作為本說明書之記載之一部分而併入本文中。
3‧‧‧遮罩一體型表面保護帶
3a‧‧‧基材膜
3b‧‧‧遮罩材料層

Claims (10)

  1. 一種遮罩一體型表面保護帶，其係用於包括下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造者，其特徵在於：具有基材膜、及設置於上述基材膜上之遮罩材料層，剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之潤濕張力為20.0mN/m以上且48.0mN/m以下，依據JIS B0601進行測定時，剝離上述遮罩材料層後之面之上述基材膜之表面粗糙度Ra為0.05μm以上且2.0μm以下的範圍；(a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側之狀態下，研削該半導體晶圓之背面，於研削後之半導體晶圓之背面貼合晶圓固定帶，藉由環狀框進行支撐固定之步驟；(b)剝離上述遮罩一體型表面保護帶之基材膜而使上述遮罩材料層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材料層中相當於半導體晶圓之切割道之部分切斷，而使半導體晶圓之切割道開口的步驟；(c)藉由SF 6電漿以上述切割道分割半導體晶圓，從而單片化為半導體晶片之電漿切割步驟；及(d)藉由O 2電漿而去除上述遮罩材料層之灰化步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料為放射線硬化型。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層對純水之接觸角為85°以上且150°以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩材料一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層之儲存彈性模數於23℃為2.0×10 4Pa以上且1.2×10 5Pa以 下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層之儲存彈性模數於50℃為1.0×10 4Pa以上且1.0×10 5Pa以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材膜之楊氏模數為2.0×10 7Pa以上且7.0×10 9Pa以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述基材膜之與遮罩材料層相反之一側之面的熔點為80℃以上且120℃以下。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩材料層與上述基材膜層之密合力為0.01N/25mm以上且0.5N/25mm以下。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，上述遮罩一體型表面保護帶之遮罩材料層之厚度大於半導體晶圓之圖案凹凸。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之遮罩一體型表面保護帶，其中，貼合上述遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓之圖案面之凹凸係以10μm以上來使用。
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