JPH11288907A - 半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ―ト類 - Google Patents
半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ―ト類Info
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- JPH11288907A JPH11288907A JP34810898A JP34810898A JPH11288907A JP H11288907 A JPH11288907 A JP H11288907A JP 34810898 A JP34810898 A JP 34810898A JP 34810898 A JP34810898 A JP 34810898A JP H11288907 A JPH11288907 A JP H11288907A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造作業性を改善し、また工程削減により不
良の発生率を抑えた、さらに裏面研削時の水の侵入に起
因する種々の弊害を回避した半導体装置の製造法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 半導体装置の製造にあたり、表面に回路
が形成されこの上にレジスト材を有する半導体ウエハの
上記表面に表面保護用粘着シ―ト類を貼り付けて、上記
表面を保護した状態で上記ウエハの裏面を研削し、つい
で上記粘着シ―ト類を剥離して、上記レジスト材を上記
粘着シ―ト類に転着させて上記ウエハから除去すること
を特徴とする半導体装置の製造法。
良の発生率を抑えた、さらに裏面研削時の水の侵入に起
因する種々の弊害を回避した半導体装置の製造法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 半導体装置の製造にあたり、表面に回路
が形成されこの上にレジスト材を有する半導体ウエハの
上記表面に表面保護用粘着シ―ト類を貼り付けて、上記
表面を保護した状態で上記ウエハの裏面を研削し、つい
で上記粘着シ―ト類を剥離して、上記レジスト材を上記
粘着シ―ト類に転着させて上記ウエハから除去すること
を特徴とする半導体装置の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
法に関し、またこれに用いるシ―ト状、テ―プ状などの
表面保護用粘着シ―ト類に関する。
法に関し、またこれに用いるシ―ト状、テ―プ状などの
表面保護用粘着シ―ト類に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、回路素子や配線の形
成後、表面を保護するために、パツシベ―シヨン膜をウ
エハ全面に形成している。外部配線と電気的に接続する
ため、このパツシベ―シヨン膜上にレジストによるパタ
―ニングを行い、このレジストをマスクにパツシベ―シ
ヨン膜をエツチングして、スル―ホ―ルを空けている。
不要となつたレジスト材は、通常は、溶剤またはアツシ
ヤ―により除去される。その後、ウエハの厚さを薄くす
るため、ウエハ表面に表面保護用粘着テ―プを貼り、上
記表面を保護した状態でウエハ裏面を研削している。
成後、表面を保護するために、パツシベ―シヨン膜をウ
エハ全面に形成している。外部配線と電気的に接続する
ため、このパツシベ―シヨン膜上にレジストによるパタ
―ニングを行い、このレジストをマスクにパツシベ―シ
ヨン膜をエツチングして、スル―ホ―ルを空けている。
不要となつたレジスト材は、通常は、溶剤またはアツシ
ヤ―により除去される。その後、ウエハの厚さを薄くす
るため、ウエハ表面に表面保護用粘着テ―プを貼り、上
記表面を保護した状態でウエハ裏面を研削している。
【０００３】なお、上記のパツシベ―シヨン膜上に厚さ
が１〜１５μｍ程度のポリイミド膜などの表面保護膜を
設けることもある。また、近年の傾向として、回路の検
査をウエハ裏面の研削工程後ではなく、研削工程前に変
更する例が増えており、上記検査では不良チツプの上に
インクでマ―キングして不良品を識別しているため、ウ
エハ表面に高さが１０〜４０μｍ程度のインクドツトが
設けられた状態で研削工程に供されることもなる。さら
に、チツプサイズパツケ―ジなどのパツケ―ジ形態の増
加により、ウエハ表面に高さが２０〜１００μｍ程度の
バンプを設ける例も増えており、この状態で上記研削工
程に供されることもある。
が１〜１５μｍ程度のポリイミド膜などの表面保護膜を
設けることもある。また、近年の傾向として、回路の検
査をウエハ裏面の研削工程後ではなく、研削工程前に変
更する例が増えており、上記検査では不良チツプの上に
インクでマ―キングして不良品を識別しているため、ウ
エハ表面に高さが１０〜４０μｍ程度のインクドツトが
設けられた状態で研削工程に供されることもなる。さら
に、チツプサイズパツケ―ジなどのパツケ―ジ形態の増
加により、ウエハ表面に高さが２０〜１００μｍ程度の
バンプを設ける例も増えており、この状態で上記研削工
程に供されることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体装置の製造においては、パツシベ―シヨン膜のエツ
チング工程後、不要となつたレジスト材を溶剤またはア
ツシングにより除去し、その後ウエハ表面に表面保護用
粘着テ―プを貼り付けて上記表面を保護した状態でウエ
ハ裏面を研削するという面倒な工程が必要なため、作業
に手間がかかり、また工程が多いため不良の発生率が高
くなる問題があつた。また、表面保護用粘着テ―プの貼
り付けによるウエハ表面の保護が十分とはいえず、裏面
研削時にウエハ表面に水が侵入して種々の弊害をもたら
すことがあつた。
導体装置の製造においては、パツシベ―シヨン膜のエツ
チング工程後、不要となつたレジスト材を溶剤またはア
ツシングにより除去し、その後ウエハ表面に表面保護用
粘着テ―プを貼り付けて上記表面を保護した状態でウエ
ハ裏面を研削するという面倒な工程が必要なため、作業
に手間がかかり、また工程が多いため不良の発生率が高
くなる問題があつた。また、表面保護用粘着テ―プの貼
り付けによるウエハ表面の保護が十分とはいえず、裏面
研削時にウエハ表面に水が侵入して種々の弊害をもたら
すことがあつた。
【０００５】このような弊害は、パツシベ―シヨン膜上
にポリイミド膜などの表面保護膜を設けたり、前記した
インクドツトやバンプを設ける場合に、とくに顕著に観
察され、大きな問題となつている。これは、上記態様で
はウエハ表面においてダイシングのために設けられるス
クライブライン部と他の部分との段差が大きくなり、こ
の上に表面保護用粘着テ―プを貼り付けたときに、スク
ライブライン部で隙間が生じ、裏面研削時に冷却・洗浄
用の水が上記隙間に侵入して、スクライブライン部の汚
染などを引き起こし、また極端な場合、回路上まで水が
侵入して、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊
害を招くためである。
にポリイミド膜などの表面保護膜を設けたり、前記した
インクドツトやバンプを設ける場合に、とくに顕著に観
察され、大きな問題となつている。これは、上記態様で
はウエハ表面においてダイシングのために設けられるス
クライブライン部と他の部分との段差が大きくなり、こ
の上に表面保護用粘着テ―プを貼り付けたときに、スク
ライブライン部で隙間が生じ、裏面研削時に冷却・洗浄
用の水が上記隙間に侵入して、スクライブライン部の汚
染などを引き起こし、また極端な場合、回路上まで水が
侵入して、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊
害を招くためである。
【０００６】本発明は、このような事情に照らし、製造
作業性を改善し、また工程削減により不良の発生率を抑
えた、さらに裏面研削時の水の侵入に起因する種々の弊
害を回避した半導体装置の製造法を提供することを目的
としている。
作業性を改善し、また工程削減により不良の発生率を抑
えた、さらに裏面研削時の水の侵入に起因する種々の弊
害を回避した半導体装置の製造法を提供することを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、パツシベ―シ
ヨン膜のエツチング工程後、不要となつたレジスト材を
溶剤やアツシングで除去せずに、その上から表面保護用
粘着シ―トを貼り付けてウエハ表面を保護し、この状態
でウエハ裏面を研削して、その後に上記粘着シ―トを剥
離すると、上記レジスト材はこのシ―トに転着されてこ
のシ―トと一体に剥離され、この場合、レジスト材の除
去とウエハ裏面の研削とを一工程で済ませることができ
るため、製造作業が容易で、工程の削減により不良の発
生率を抑えることができ、しかもウエハ表面の保護にも
好結果が得られて、パツシベ―シヨン膜上にポリイミド
膜などの表面保護膜を設けたりインクドツトやバンプを
設けたときでも、水の侵入によるスクライブライン部の
汚染、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊害を
回避できることを知り、本発明を完成するに至つた。
的を達成するために、鋭意検討した結果、パツシベ―シ
ヨン膜のエツチング工程後、不要となつたレジスト材を
溶剤やアツシングで除去せずに、その上から表面保護用
粘着シ―トを貼り付けてウエハ表面を保護し、この状態
でウエハ裏面を研削して、その後に上記粘着シ―トを剥
離すると、上記レジスト材はこのシ―トに転着されてこ
のシ―トと一体に剥離され、この場合、レジスト材の除
去とウエハ裏面の研削とを一工程で済ませることができ
るため、製造作業が容易で、工程の削減により不良の発
生率を抑えることができ、しかもウエハ表面の保護にも
好結果が得られて、パツシベ―シヨン膜上にポリイミド
膜などの表面保護膜を設けたりインクドツトやバンプを
設けたときでも、水の侵入によるスクライブライン部の
汚染、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊害を
回避できることを知り、本発明を完成するに至つた。
【０００８】すなわち、本発明は、半導体装置の製造に
あたり、表面に回路が形成されこの上にレジスト材を有
する半導体ウエハの上記表面に表面保護用粘着シ―ト類
を貼り付けて、上記表面を保護した状態で上記ウエハの
裏面を研削し、ついで上記粘着シ―ト類を剥離して、上
記レジスト材を上記粘着シ―ト類に転着させて上記ウエ
ハから除去することを特徴とする半導体装置の製造法
（請求項１〜４）に係り、とくに表面保護用粘着シ―ト
類が硬化型の粘着剤層を有し、ウエハ裏面の研削後、上
記粘着シ―ト類を剥離する前に、上記粘着シ―ト類を硬
化させる上記構成の半導体装置の製造法（請求項５）を
提供できるものである。
あたり、表面に回路が形成されこの上にレジスト材を有
する半導体ウエハの上記表面に表面保護用粘着シ―ト類
を貼り付けて、上記表面を保護した状態で上記ウエハの
裏面を研削し、ついで上記粘着シ―ト類を剥離して、上
記レジスト材を上記粘着シ―ト類に転着させて上記ウエ
ハから除去することを特徴とする半導体装置の製造法
（請求項１〜４）に係り、とくに表面保護用粘着シ―ト
類が硬化型の粘着剤層を有し、ウエハ裏面の研削後、上
記粘着シ―ト類を剥離する前に、上記粘着シ―ト類を硬
化させる上記構成の半導体装置の製造法（請求項５）を
提供できるものである。
【０００９】また、本発明は、上記の半導体装置の製造
法に用いられる硬化型の粘着剤層を有する表面保護用粘
着シ―ト類として、紫外線を透過するフイルム基材上
に、重量平均分子量が３０万〜２００万の（メタ）アク
リル酸アルキルエステル系ポリマ―に、このポリマ―１
００重量部あたり、重合性炭素−炭素二重結合を１個以
上有する不揮発性低分子量体０〜２００重量部、光重合
開始剤０．１〜１０重量部を含ませてなる、初期弾性率
が硬化後に５倍以上となる紫外線硬化型粘着剤層を設け
たことを特徴とする表面保護用粘着シ―ト類（請求項
６）、とくに上記の紫外線硬化型粘着剤層の厚さが２０
μｍ以上である上記構成の表面保護用粘着シ―ト類（請
求項７）を提供できるものである。
法に用いられる硬化型の粘着剤層を有する表面保護用粘
着シ―ト類として、紫外線を透過するフイルム基材上
に、重量平均分子量が３０万〜２００万の（メタ）アク
リル酸アルキルエステル系ポリマ―に、このポリマ―１
００重量部あたり、重合性炭素−炭素二重結合を１個以
上有する不揮発性低分子量体０〜２００重量部、光重合
開始剤０．１〜１０重量部を含ませてなる、初期弾性率
が硬化後に５倍以上となる紫外線硬化型粘着剤層を設け
たことを特徴とする表面保護用粘着シ―ト類（請求項
６）、とくに上記の紫外線硬化型粘着剤層の厚さが２０
μｍ以上である上記構成の表面保護用粘着シ―ト類（請
求項７）を提供できるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる表面保護用粘
着シ―ト類は、基材フイルム上に粘着剤層を設けて、シ
―ト状やテ―プ状などの形態としたものである。基材フ
イルムには、ポリエステルフイルムなどの厚さが通常１
０〜１，０００μｍのプラスチツクフイルムが用いら
れ、そのほか、ナイロン繊維、ポリエステル繊維などの
合成繊維からなる厚さが通常０．１〜２mmの不織布、織
物または網（たとえば４００メツシユ／インチ以下のス
クリ―ン印刷用網）などが用いられる。
着シ―ト類は、基材フイルム上に粘着剤層を設けて、シ
―ト状やテ―プ状などの形態としたものである。基材フ
イルムには、ポリエステルフイルムなどの厚さが通常１
０〜１，０００μｍのプラスチツクフイルムが用いら
れ、そのほか、ナイロン繊維、ポリエステル繊維などの
合成繊維からなる厚さが通常０．１〜２mmの不織布、織
物または網（たとえば４００メツシユ／インチ以下のス
クリ―ン印刷用網）などが用いられる。
【００１１】上記のプラスチツクフイルムは、伸縮性に
富む素材として、ＪＩＳ−Ｋ−７１２７に準じて測定さ
れる引張弾性率が５０Kg／mm2 以下（通常０．１Kg／mm
2 まで）であるフイルムが好ましい。ポリエステルフイ
ルムのほかに、ポリエチレンフイルム、エチレン−プロ
ピレン共重合体フイルム、エチレン−エチル（メタ）ア
クリレ―ト共重合体フイルム、エチレン−酢酸ビニル共
重合体フイルムなどがある。これらのフイルムは、粘着
剤層を設ける面にコロナ処理などの適宜の表面処理を施
して、粘着剤層の投錨性を改善しておいてもよい。
富む素材として、ＪＩＳ−Ｋ−７１２７に準じて測定さ
れる引張弾性率が５０Kg／mm2 以下（通常０．１Kg／mm
2 まで）であるフイルムが好ましい。ポリエステルフイ
ルムのほかに、ポリエチレンフイルム、エチレン−プロ
ピレン共重合体フイルム、エチレン−エチル（メタ）ア
クリレ―ト共重合体フイルム、エチレン−酢酸ビニル共
重合体フイルムなどがある。これらのフイルムは、粘着
剤層を設ける面にコロナ処理などの適宜の表面処理を施
して、粘着剤層の投錨性を改善しておいてもよい。
【００１２】このようなフイルム基材に設けられる粘着
剤層は、厚さが通常２０μｍ以上、好ましくは３０μｍ
以上（通常１００μｍまで）とされたものであり、これ
は、非硬化型であつても硬化型であつてもよい。本発明
において、回路形成されたウエハの表面を保護しかつウ
エハ表面のレジスト材をきれいに剥離除去するには、硬
化型の粘着剤層、とくに紫外線硬化型の粘着剤層が好ま
しい。
剤層は、厚さが通常２０μｍ以上、好ましくは３０μｍ
以上（通常１００μｍまで）とされたものであり、これ
は、非硬化型であつても硬化型であつてもよい。本発明
において、回路形成されたウエハの表面を保護しかつウ
エハ表面のレジスト材をきれいに剥離除去するには、硬
化型の粘着剤層、とくに紫外線硬化型の粘着剤層が好ま
しい。
【００１３】紫外線硬化型の粘着剤層を有する表面保護
用粘着シ―ト類としては、紫外線を透過するフイルム基
材上に、重量平均分子量が３０万〜２００万の（メタ）
アクリル酸アルキルエステル系ポリマ―に、このポリマ
―１００重量部あたり、重合性炭素−炭素二重結合を１
個以上有する不揮発性低分子量体（以下、硬化性化合物
という）０〜２００重量部、好ましくは２０〜２００重
量部、光重合開始剤０．１〜１０重量部を含ませ、また
必要によりイソシアネ―ト系架橋剤やその他の添加剤を
通常１００重量部以下、好ましくは２０重量部以下含ま
せてなる、初期弾性率が硬化後に５倍以上となり、これ
に伴い接着力が低下する、厚さが２０μｍ以上の紫外線
硬化型粘着剤層を有する表面保護用粘着シ―ト類が挙げ
られる。
用粘着シ―ト類としては、紫外線を透過するフイルム基
材上に、重量平均分子量が３０万〜２００万の（メタ）
アクリル酸アルキルエステル系ポリマ―に、このポリマ
―１００重量部あたり、重合性炭素−炭素二重結合を１
個以上有する不揮発性低分子量体（以下、硬化性化合物
という）０〜２００重量部、好ましくは２０〜２００重
量部、光重合開始剤０．１〜１０重量部を含ませ、また
必要によりイソシアネ―ト系架橋剤やその他の添加剤を
通常１００重量部以下、好ましくは２０重量部以下含ま
せてなる、初期弾性率が硬化後に５倍以上となり、これ
に伴い接着力が低下する、厚さが２０μｍ以上の紫外線
硬化型粘着剤層を有する表面保護用粘着シ―ト類が挙げ
られる。
【００１４】上記の（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ル系ポリマ―には、（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ルの単独重合体、上記モノマ―とカルボキシル基または
水酸基含有モノマ―やその他の改質用モノマ―との共重
合体などがある。具体的にはブチルアクリレート（Ｂ
Ａ），エチルアクリレート（ＥＡ），２−エチルヘキシ
ルアクリレート（２−ＥＨＡ）、メチルアクリレート
（ＭＡ），メチルメタクリレート（ＭＭＡ），酢酸ビニ
ル（ＶＡｃ），アクリロニトリル（ＡＮ），アクリル酸
（ＡＡ）、ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、
などの共重合体が挙げられ、これら合成方法は特に限定
されず、公知の溶液重合、エマルジョン重合、塊状重合
などが挙げられる。硬化性化合物としては、ポリエチレ
ングリコ―ルジ（メタ）アクリレ―ト、ジペンタエリス
リト―ルヘキサ（メタ）アクリレ―ト、トリメチロ―ル
プロパントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ル
メタントリ（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メ
タ）アクリレ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オ
リゴマ―などがある。光重合開始剤としては、ベンゾイ
ン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、ベンゾフ
エノン、ドデシルチオキサントン、ベンジルジメチルケ
タ―ル、〔ジメトキシ（フエニル）〕メチルフエニルケ
トンなどが挙げられる。
ル系ポリマ―には、（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ルの単独重合体、上記モノマ―とカルボキシル基または
水酸基含有モノマ―やその他の改質用モノマ―との共重
合体などがある。具体的にはブチルアクリレート（Ｂ
Ａ），エチルアクリレート（ＥＡ），２−エチルヘキシ
ルアクリレート（２−ＥＨＡ）、メチルアクリレート
（ＭＡ），メチルメタクリレート（ＭＭＡ），酢酸ビニ
ル（ＶＡｃ），アクリロニトリル（ＡＮ），アクリル酸
（ＡＡ）、ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、
などの共重合体が挙げられ、これら合成方法は特に限定
されず、公知の溶液重合、エマルジョン重合、塊状重合
などが挙げられる。硬化性化合物としては、ポリエチレ
ングリコ―ルジ（メタ）アクリレ―ト、ジペンタエリス
リト―ルヘキサ（メタ）アクリレ―ト、トリメチロ―ル
プロパントリ（メタ）アクリレ―ト、テトラメチロ―ル
メタントリ（メタ）アクリレ―ト、オリゴエステル（メ
タ）アクリレ―ト、ウレタン（メタ）アクリレ―ト系オ
リゴマ―などがある。光重合開始剤としては、ベンゾイ
ン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、ベンゾフ
エノン、ドデシルチオキサントン、ベンジルジメチルケ
タ―ル、〔ジメトキシ（フエニル）〕メチルフエニルケ
トンなどが挙げられる。
【００１５】本発明においては、このような表面保護用
粘着シ―ト類を用いて、以下のように、半導体装置を製
造する。まず、表面に回路が形成されこの上にレジスト
材を有する半導体ウエハの上記表面に、表面保護用粘着
シ―ト類を貼り付ける。その際、加圧および／または加
熱により、上記シ―ト類を上記レジスト材になじませて
十分に密着させ、ウエハ表面を均一に保護する。
粘着シ―ト類を用いて、以下のように、半導体装置を製
造する。まず、表面に回路が形成されこの上にレジスト
材を有する半導体ウエハの上記表面に、表面保護用粘着
シ―ト類を貼り付ける。その際、加圧および／または加
熱により、上記シ―ト類を上記レジスト材になじませて
十分に密着させ、ウエハ表面を均一に保護する。
【００１６】ここで、上記ウエハの回路形成面には、そ
れまでの工程で形成された最大３〜２００μｍの凹凸を
有する。 ここで凹凸とは、スクライブラインあるいは
電極パッド部のうち低い方からの高さ３〜２００μｍの
凹凸をいう。またパツシベ―シヨン膜が形成されてその
上のレジスト材を介してエツチング処理されており、こ
のパツシベ―シヨン膜上にポリイミト膜などの表面保護
膜が設けられていることもある。さらに、上記ウエハの
回路形成面には、回路の検査後不良チツプの識別のため
にインクドツトが設けられていたり、バンプが設けられ
ていることもある。
れまでの工程で形成された最大３〜２００μｍの凹凸を
有する。 ここで凹凸とは、スクライブラインあるいは
電極パッド部のうち低い方からの高さ３〜２００μｍの
凹凸をいう。またパツシベ―シヨン膜が形成されてその
上のレジスト材を介してエツチング処理されており、こ
のパツシベ―シヨン膜上にポリイミト膜などの表面保護
膜が設けられていることもある。さらに、上記ウエハの
回路形成面には、回路の検査後不良チツプの識別のため
にインクドツトが設けられていたり、バンプが設けられ
ていることもある。
【００１７】つぎに、このようにウエハ表面を保護した
状態で、ウエハ裏面を研削し、半導体ウエハを所望の厚
さにする。研削は、常法に準じて行われ、その際冷却・
洗浄用の水が高圧で噴射されるが、上記シ―ト類がレジ
スト材と一体となつてウエハ表面に密着しているため、
ウエハ表面への水の侵入が防がれ、スクライブライン部
の汚染などを引き起こしたり、回路上まで水が侵入し
て、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊害を引
き起こす心配はとくにない。
状態で、ウエハ裏面を研削し、半導体ウエハを所望の厚
さにする。研削は、常法に準じて行われ、その際冷却・
洗浄用の水が高圧で噴射されるが、上記シ―ト類がレジ
スト材と一体となつてウエハ表面に密着しているため、
ウエハ表面への水の侵入が防がれ、スクライブライン部
の汚染などを引き起こしたり、回路上まで水が侵入し
て、ウエハ割れ、アルミパツド部の汚染などの弊害を引
き起こす心配はとくにない。
【００１８】このウエハ裏面の研削後、上記の粘着シ―
ト類が硬化型のものであるときは、紫外線などを照射し
て硬化させて接着力を低下させ、その後、この表面保護
用粘着シ―ト類を剥離して、上記レジスト材を上記粘着
シ―ト類に転着させて上記ウエハから剥離する。これに
より、ウエハ表面のレジスト材の除去とウエハ裏面の研
削とを同時に達成できるため、従来に比べて、半導体装
置の製造作業性が改善され、また工程数の低減により不
良の発生率を抑えることができる。しかも、前記ウエハ
裏面の研削時に水の侵入による弊害が回避されているた
め、不良発生率の低下にさらに寄与でき、最終製品の歩
留りを大きく向上できる。
ト類が硬化型のものであるときは、紫外線などを照射し
て硬化させて接着力を低下させ、その後、この表面保護
用粘着シ―ト類を剥離して、上記レジスト材を上記粘着
シ―ト類に転着させて上記ウエハから剥離する。これに
より、ウエハ表面のレジスト材の除去とウエハ裏面の研
削とを同時に達成できるため、従来に比べて、半導体装
置の製造作業性が改善され、また工程数の低減により不
良の発生率を抑えることができる。しかも、前記ウエハ
裏面の研削時に水の侵入による弊害が回避されているた
め、不良発生率の低下にさらに寄与でき、最終製品の歩
留りを大きく向上できる。
【００１９】なお、本発明では、上述のように、パツシ
ベ―シヨン膜のエツチング処理後、ウエハ表面に残存す
るレジスト材の上に、表面保護用粘着シ―ト類を貼り付
け、ウエハ裏面の研削後に上記レジスト材と上記シ―ト
類を一体に剥離するようにしたものである。しかし、こ
の方法以外に、上記レジスト材の除去後、さらに別の目
的でレジスト材を塗布し、所要のエツチング処理などを
施した上記レジスト材に対して、上記同様の表面保護用
粘着シ―ト類の貼り付け、ウエハ裏面の研削、この研削
後の上記レジスト材と上記シ―ト類との一体剥離を行う
など、本発明の技術思想を逸脱することのない種々の変
形が可能である。
ベ―シヨン膜のエツチング処理後、ウエハ表面に残存す
るレジスト材の上に、表面保護用粘着シ―ト類を貼り付
け、ウエハ裏面の研削後に上記レジスト材と上記シ―ト
類を一体に剥離するようにしたものである。しかし、こ
の方法以外に、上記レジスト材の除去後、さらに別の目
的でレジスト材を塗布し、所要のエツチング処理などを
施した上記レジスト材に対して、上記同様の表面保護用
粘着シ―ト類の貼り付け、ウエハ裏面の研削、この研削
後の上記レジスト材と上記シ―ト類との一体剥離を行う
など、本発明の技術思想を逸脱することのない種々の変
形が可能である。
【００２０】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。なお、粘着剤層の初期弾性率は、以
下の方法で測定したものである。 ＜初期弾性率の測定環境＞２２℃〜２４℃、３５％RH〜
５０％RH ＜初期弾性率の測定方法＞（硬化後初期弾性率） （１）セパレータを貼り合せたテープを短冊状（10×50
mm×粘着剤厚み５０μｍに切り出し測定サンプルを作
る。 （２）測定サンプルに高圧HgランプでＵＶを積算光量で
500〜1000mJ／cm２照射する。 （３）測定サンプルのセパレータを剥す。 （４）測定サンプルをチャック治具で挟む。（長さ方向
に10mmの間隔を空けて両端を挟む）（５）万能引張り試
験機でチャック治具を180°おのおの遠ざける方向に引
張る。 （６）その時の反発挙動（力）をチャートにトレースす
る。 （７）トレースした傾きを測定し初期弾性率とする。
（S-S特性） （硬化前初期弾性率）は、（２）ＵＶ照射しない以外は
同様
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。なお、粘着剤層の初期弾性率は、以
下の方法で測定したものである。 ＜初期弾性率の測定環境＞２２℃〜２４℃、３５％RH〜
５０％RH ＜初期弾性率の測定方法＞（硬化後初期弾性率） （１）セパレータを貼り合せたテープを短冊状（10×50
mm×粘着剤厚み５０μｍに切り出し測定サンプルを作
る。 （２）測定サンプルに高圧HgランプでＵＶを積算光量で
500〜1000mJ／cm２照射する。 （３）測定サンプルのセパレータを剥す。 （４）測定サンプルをチャック治具で挟む。（長さ方向
に10mmの間隔を空けて両端を挟む）（５）万能引張り試
験機でチャック治具を180°おのおの遠ざける方向に引
張る。 （６）その時の反発挙動（力）をチャートにトレースす
る。 （７）トレースした傾きを測定し初期弾性率とする。
（S-S特性） （硬化前初期弾性率）は、（２）ＵＶ照射しない以外は
同様
【００２１】実施例１ アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５０万の共重合体を含むポリマ―
溶液Ａを得た。
部、アクリル酸５部からなるモノマ―混合物を、酢酸エ
チル１５０部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を
用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行
い、重量平均分子量が５０万の共重合体を含むポリマ―
溶液Ａを得た。
【００２２】この溶液Ａに、共重合体１００部に対し
て、ポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、ジ
ペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、トリ
メチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部を加え、さ
らにジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部と、［ジメ
トキシ（フエニル）］メチルフエニルケトン３部とを、
均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製し
た。
て、ポリエチレングリコ―ルジアクリレ―ト１０部、ジ
ペンタエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト１０部、トリ
メチロ―ルプロパントリアクリレ―ト３０部を加え、さ
らにジフエニルメタンジイソシアネ―ト３部と、［ジメ
トキシ（フエニル）］メチルフエニルケトン３部とを、
均一に混合して、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製し
た。
【００２３】この粘着剤溶液を、厚さが５０μｍのポリ
エステルフイルム上に、乾燥後の厚さが３５μｍとなる
ように塗布し、１３０℃で３分間乾燥して、紫外線硬化
型の表面保護用粘着シ―トを作製した。この粘着シ―ト
の紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０度剥離
接着力は２５０ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬化後
の同剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅であつた。また、粘
着剤層の硬化前、硬化後の初期弾性率は、0.58Mpa（0.0
6kgf／mm２）、3.5Mpa（0.36kgf／mm２）であった。
エステルフイルム上に、乾燥後の厚さが３５μｍとなる
ように塗布し、１３０℃で３分間乾燥して、紫外線硬化
型の表面保護用粘着シ―トを作製した。この粘着シ―ト
の紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０度剥離
接着力は２５０ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬化後
の同剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅であつた。また、粘
着剤層の硬化前、硬化後の初期弾性率は、0.58Mpa（0.0
6kgf／mm２）、3.5Mpa（0.36kgf／mm２）であった。
【００２４】つぎに、ウエハ表面に所望の回路を有し、
その全面にパツシベ―シヨン膜が形成されてそのエツチ
ング処理後に残存する厚さが５μｍのネガ型レジスト材
を有する８インチシリコンウエハ（厚さ７３０μｍ）
に、上記の紫外線硬化型の表面保護用粘着シ―トを、９
０℃の加熱板上で圧着して貼り付けた。この状態で上記
ウエハの裏面を研磨装置（デイスコ社製の「ＤＦＧ８４
０」）により、仕上げ粗さ＃２０００、最終厚さ２８０
μｍとなるように、研削した。
その全面にパツシベ―シヨン膜が形成されてそのエツチ
ング処理後に残存する厚さが５μｍのネガ型レジスト材
を有する８インチシリコンウエハ（厚さ７３０μｍ）
に、上記の紫外線硬化型の表面保護用粘着シ―トを、９
０℃の加熱板上で圧着して貼り付けた。この状態で上記
ウエハの裏面を研磨装置（デイスコ社製の「ＤＦＧ８４
０」）により、仕上げ粗さ＃２０００、最終厚さ２８０
μｍとなるように、研削した。
【００２５】このように研削したのち、高圧水銀ランプ
により、紫外線を９００ｍｊ／cm2の照射量で照射し
て、上記の表面保護用粘着シ―トを硬化させた。この硬
化後、上記粘着シ―トを剥離操作したところ、レジスト
材はこの粘着シ―トと一体に剥離除去できた。これによ
り、上記レジスト材の除去とウエハ裏面の研削とを一度
に行うことができ、製造作業性を改善でき、また不良品
の発生率も低減でき、さらに前記の研削時にウエハ表面
への水の侵入による弊害がみられないことから、最終製
品の歩留りを大きく向上させることができた。
により、紫外線を９００ｍｊ／cm2の照射量で照射し
て、上記の表面保護用粘着シ―トを硬化させた。この硬
化後、上記粘着シ―トを剥離操作したところ、レジスト
材はこの粘着シ―トと一体に剥離除去できた。これによ
り、上記レジスト材の除去とウエハ裏面の研削とを一度
に行うことができ、製造作業性を改善でき、また不良品
の発生率も低減でき、さらに前記の研削時にウエハ表面
への水の侵入による弊害がみられないことから、最終製
品の歩留りを大きく向上させることができた。
【００２６】なおまた、上記の実施例１において、回路
形成されたウエハ表面のパツシベ―シヨン膜上にポリイ
ミド膜などの表面保護膜を形成したり、またこのウエハ
表面にインクドツトやバンプを設ける構成としたときで
も、上記ウエハ裏面の研削時に水が侵入することはな
く、スクライブライン部の汚染、ウエハ割れ、アルミパ
ツド部の汚染などの弊害を回避できることが確認され
た。
形成されたウエハ表面のパツシベ―シヨン膜上にポリイ
ミド膜などの表面保護膜を形成したり、またこのウエハ
表面にインクドツトやバンプを設ける構成としたときで
も、上記ウエハ裏面の研削時に水が侵入することはな
く、スクライブライン部の汚染、ウエハ割れ、アルミパ
ツド部の汚染などの弊害を回避できることが確認され
た。
【００２７】実施例２ ポリマ―溶液Ａに、共重合体１００部に対して、ポリエ
チレングリコ―ルジメタクリレ―ト２０部およびジペン
タエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト３０部を加え、さ
らに実施例１と同じイソシアネ―ト系架橋剤および光重
合開始剤を均一に混合するようにした以外は、実施例１
と同様にして、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製し、こ
れを用いて実施例１と同様にして、紫外線硬化型の表面
保護用粘着シ―トを作製した。この粘着シ―トの紫外線
硬化前のシリコンウエハに対する１８０度剥離接着力は
２００ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬化後の同剥離
接着力は６ｇ／１０mm幅であつた。また粘着剤層の硬化
前、硬化後の初期弾性率は、0.85Mpa（0.087kgf／mm
２）、5.1Mpa（0.52kgf／mm２）であった。
チレングリコ―ルジメタクリレ―ト２０部およびジペン
タエリスリト―ルヘキサアクリレ―ト３０部を加え、さ
らに実施例１と同じイソシアネ―ト系架橋剤および光重
合開始剤を均一に混合するようにした以外は、実施例１
と同様にして、紫外線硬化型の粘着剤溶液を調製し、こ
れを用いて実施例１と同様にして、紫外線硬化型の表面
保護用粘着シ―トを作製した。この粘着シ―トの紫外線
硬化前のシリコンウエハに対する１８０度剥離接着力は
２００ｇ／１０mm幅であり、また紫外線硬化後の同剥離
接着力は６ｇ／１０mm幅であつた。また粘着剤層の硬化
前、硬化後の初期弾性率は、0.85Mpa（0.087kgf／mm
２）、5.1Mpa（0.52kgf／mm２）であった。
【００２８】つぎに、この紫外線硬化型の表面保護用粘
着シ―トを用いて、実施例１と同様の方法により、所望
の回路、パツシベ―シヨン膜、ネガ型レジスト材を有す
る８インチシリコンウエハに貼り付けて、ウエハ裏面を
研削し、この研削後、上記粘着シ―トを硬化させて、剥
離操作した。その結果、レジスト材は粘着シ―トと一体
に剥離除去でき、実施例１と同様に、製造作業性の改
善、不良品の発生率の低減を図れ、またウエハ裏面の研
削時に水の侵入による弊害がとくにみられず、製品の歩
留りを大きく向上できるものであることがわかつた。
着シ―トを用いて、実施例１と同様の方法により、所望
の回路、パツシベ―シヨン膜、ネガ型レジスト材を有す
る８インチシリコンウエハに貼り付けて、ウエハ裏面を
研削し、この研削後、上記粘着シ―トを硬化させて、剥
離操作した。その結果、レジスト材は粘着シ―トと一体
に剥離除去でき、実施例１と同様に、製造作業性の改
善、不良品の発生率の低減を図れ、またウエハ裏面の研
削時に水の侵入による弊害がとくにみられず、製品の歩
留りを大きく向上できるものであることがわかつた。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、表面保護用粘着シ―ト類
を用いた本発明の製造法により、半導体装置の製造作業
が容易となり、また工程の削減により不良の発生率を抑
えることができ、さらにウエハ研削時に水の侵入による
スクライブライン部の汚染、ウエハ割れ、アルミパツド
部の汚染などの弊害を回避することができる。
を用いた本発明の製造法により、半導体装置の製造作業
が容易となり、また工程の削減により不良の発生率を抑
えることができ、さらにウエハ研削時に水の侵入による
スクライブライン部の汚染、ウエハ割れ、アルミパツド
部の汚染などの弊害を回避することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 赤田 祐三 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置の製造にあたり、表面に回路
が形成されこの上にレジスト材を有する半導体ウエハの
上記表面に表面保護用粘着シ―ト類を貼り付けて、上記
表面を保護した状態で上記ウエハの裏面を研削し、つい
で上記粘着シ―ト類を剥離して、上記レジスト材を上記
粘着シ―ト類に転着させて上記ウエハから除去すること
を特徴とする半導体装置の製造法。 - 【請求項２】 半導体ウエハの回路形成面に最大３〜２
００μｍの凹凸を有する請求項１に記載の半導体装置の
製造法。 - 【請求項３】 半導体ウエハの回路形成面にパツシベ―
シヨン膜またはこの上にさらに表面保護膜を有する請求
項１に記載の半導体装置の製造法。 - 【請求項４】 半導体ウエハの回路形成面にインクドツ
トまたはバンプを有する請求項１に記載の半導体装置の
製造法。 - 【請求項５】 表面保護用粘着シ―ト類が硬化型の粘着
剤層を有してなり、ウエハ裏面の研削後、上記粘着シ―
ト類を剥離する前に、上記粘着シ―ト類を硬化させる請
求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置の製造法に
用いられる表面保護用粘着シ―ト類であつて、紫外線を
透過するフイルム基材上に、重量平均分子量が３０万〜
２００万の（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリ
マ―に、このポリマ―１００重量部あたり、重合性炭素
−炭素二重結合を１個以上有する不揮発性低分子量体０
〜２００重量部、光重合開始剤０．１〜１０重量部を含
ませてなる、初期弾性率が硬化後に５倍以上となる紫外
線硬化型粘着剤層を設けたことを特徴とする表面保護用
粘着シ―ト類。 - 【請求項７】 紫外線硬化型粘着剤層の厚さが２０μｍ
以上である請求項６に記載の表面保護用粘着シ―ト類。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34810898A JPH11288907A (ja) | 1997-12-10 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ―ト類 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-340018 | 1997-12-10 | ||
| JP34001897 | 1997-12-10 | ||
| JP34810898A JPH11288907A (ja) | 1997-12-10 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ―ト類 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288907A true JPH11288907A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=26576586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34810898A Pending JPH11288907A (ja) | 1997-12-10 | 1998-12-08 | 半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ―ト類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288907A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005023188A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子 |
| JP2008041885A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Torex Semiconductor Ltd | 半導体装置及び絶縁層の製造方法 |
| JP2008060151A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート |
| US7712177B2 (en) | 2003-03-20 | 2010-05-11 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheet and its production method as well as transporting member having such cleaning sheet |
| KR20190034653A (ko) * | 2016-08-29 | 2019-04-02 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 마스크 일체형 표면 보호 테이프 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34810898A patent/JPH11288907A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7712177B2 (en) | 2003-03-20 | 2010-05-11 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheet and its production method as well as transporting member having such cleaning sheet |
| JP2005023188A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子 |
| JP4518535B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2010-08-04 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子 |
| JP2008041885A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Torex Semiconductor Ltd | 半導体装置及び絶縁層の製造方法 |
| JP2008060151A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート |
| KR20190034653A (ko) * | 2016-08-29 | 2019-04-02 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 마스크 일체형 표면 보호 테이프 |
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