KR100633710B1 - 반도체장치의제조방법및표면보호용감압접착시트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조시, 회로가 형성되고 회로 상에 내식막 재료를 갖는 반도체 웨이퍼의 주표면상에 표면 보호용 감압 접착 시트를 부착시키는 단계, 표면을 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마한 다음, 감압 접착 시트를 박리시켜 상기 감압 접착 시트에 대한 접착력에 의해 이전되는 내식막 재료를 웨이퍼로부터 제거하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 당해 방법은 제조시 작업성을 향성시키고 단계 수를 감소시킴으로써 불량률을 억제하고 반대면 연마시 침투되는 물 때문에 일어나는 다양한 손상을 피할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조방법 및 표면 보호용 감압 접착 시트
본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이며, 또한 이 장치의 표면 보호용 감압 접착 시트(pressure-sensitive adhesive sheet), 테이프(이후, 포괄적으로 " 표면 보호용 감압 접착 시트" 라고 함) 등에 관한 것이다.
반도체 장치에서, 웨이퍼의 표면 보호와 관련하여, 회로 장치를 형성한 후 웨이퍼 전체에 패시베이션 필름(passivation film)을 형성하거나 웨이퍼 위에 이 필름을 상호 접속시킨다. 외부 배선과의 전기적 접속을 위하여, 패시베이션 층에 내식막 재료를 패턴화한 다음, 이 내식막 재료를 마스크로 사용하여 패시베이션 층을 에칭시키면 관통 홀이 형성된다. 일반적으로 용매 또는 탄분으로 불필요해진 내식막 재료를 제거한다. 이어서, 웨이퍼를 보다 얇게 제조하기 위해서, 웨이퍼의 주표면에 부착된 표면 보호용 감압 접착제로 웨이퍼의 주표면을 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마한다.
몇몇 경우에, 두께가 약 1 내지 15㎛인 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름을 상기 패시베이션 필름 위에 장착시킨다. 최근에, 웨이퍼 반대면의 연마 단계 후가 아닌 연마 단계 전에 회로의 정밀 검사를 수행하는 경향이 있다. 정밀 검사 시, 잉크로 품질이 불량한 칩에 표시를 하여, 후속적인 연마 단계에서 웨이퍼의 표면에 약 10 내지 40㎛ 높이의 잉크 점(ink dot)이 제공되도록 함으로써, 품질이 불량한 제품을 구별해 낸다. 이러한 경향 이외에, 칩 크기 패키지(chip size package)와 같은 패키지 형태의 증가로 인해 높이 약 20 내지 100㎛의 범프가 웨이퍼의 표면에 배치되는 경향이 있고, 이 경우에, 후속적인 연마 단계에서 웨이퍼 상에 범프가 제공된다.
그러므로, 반도체 장치를 제조하는 통상적인 방법은 패시베이션 필름을 에칭시킨 후 불필요한 내식막 재료를 용매 또는 탄분으로 제거한 다음, 부착된 표면 보호용 감압 접착제 테이프로 웨이퍼의 주표면을 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마하는 성가신 단계 때문에, 훨씬 많은 시간과 노동이 필요하고 단계 수에 비례하여 불량률이 증가한다는 문제점을 수반한다. 또한, 표면 보호용 감압 접착제 테이프의 접착력은 웨이퍼의 표면을 완전히 보호하지 못하고, 반대면의 연마시 웨이퍼의 주표면에 침투된 물로 인하여 여러 가지 손상이 일어난다.
물의 침투로 인한 손상은 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름이 패시베이션 필름 위에 위치하거나 상기한 바와 같은 잉크 점 또는 범프가 패시베이션 필름 위에 배치될 경우에 뚜렷이 관찰되고, 이들은 심각한 문제를 일으킨다. 구체적으로 기술하면, 입방체용으로 배치된 스크라이브 라인(scribe line) 부분과 다른 부분 사이의 웨이퍼 표면에 대한 단계 차가 보다 커지고, 표면 보호용 감압 접착제 테이프가 웨이퍼 표면에 부착될 경우 스크라이브 라인 부분에서 공간이 나타난다. 반대면의 연마시, 냉각 또는 세정용 물이 이러한 공간으로 침투하여 스크라이브 라인 부분을 오염시키거나, 매우 극단적인 경우에는 물이 회로 위에 침투하여 웨이퍼의 크래킹 또는 알루미늄 패드 부분의 오염과 같은 손상을 일으킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 제조 작업성을 향상시키고, 단계수를 감소시켜 불량률을 억제하며, 반대면 연마시 침투하는 물로 인해 생성되는 각종 손상이 없는 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 광범위한 연구를 수행하였다. 그 결과, 패시베이션 필름을 에칭시킨 후 불필요한 내식막 재료를 용매 또는 탄분에 의해 제거하지 않고 웨이퍼를 보호하기 위해 웨이퍼의 주표면에 표면 보호용 감압 접착 시트를 부착시킨 후, 표면을 시트로 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마한 다음, 접착력에 의해 이전되는 내식막 재료와 함께 시트를 박리시킬 경우, 내식막 재료의 제거와 웨이퍼 반대면의 연마를 단지 한 단계로만 수행할 수 있음을 밝혀냈다. 이는 제조 작업을 촉진시키고, 단계수를 감소시켜 불량률을 감소시키며, 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름이 배치되거나 잉크 점 또는 범프가 패시베이션 필름 위에 배치될 경우에도 웨이퍼의 주표면은 스크라이브 라인 부분의 오염, 웨이퍼의 크래킹 또는 알루미늄 패드 부분의 오염과 같은 손상이 없이 유리하게 보호된다.
본 발명은 반도체 장치의 제조시, 회로가 형성되고 회로 위에 내식막 재료를 갖는 반도체 웨이퍼의 주표면에 표면 보호용 감압 접착 시트를 부착시키는 단계, 주표면을 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마하는 단계 및 감압 접착 시트를 박리시켜 웨이퍼로부터 상기 감압 접착 시트에 부착된 내식막 재료를 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다. 표면 보호용 감압 접착 시트는 경화성 감압 접착 층을 포함하고 감압 접착 시트는 감압 접착 시트를 박리시키기 전이 아니라 웨이퍼의 반대면을 연마시킨 후에 경화되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 경화성 감압 접착 층을 갖고 상기한 반도체 장치의 제조방법에 사용되는 표면 보호용 감압 접착 시트를 제공하고, 이는 자외선 투과가능한 필름 기재 및 그 위에 형성된 자외선 경화성 감압 접착 층을 포함하고, 여기서 자외선 경화성 감압 접착 층은 경화 후에 초기 모듈러스가 5배 이상 증가하고 중량 평균 분자량이 300,000 내지 2,000,000인 알킬 (메트)아크릴레이트 중합체 100중량부에 중합가능한 탄소 대 탄소 이중결합을 하나 이상 함유하는 비휘발성 저분자량 물질 20 내지 200중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10중량부를 도입함으로써 수득되는 것이다. 자외선 경화성 감압 접착 층의 두께는 바람직하게는 20㎛ 이상이다.
본 발명에 사용될 표면 보호용 감압 접착 시트는 감압 접착 층을 기재 필름 위에 제공하고, 생성된 필름을 테이프, 시트 등으로 성형시켜 수득한다. 기재 필름으로서, 두께가 10 내지 1,000㎛인 폴리에스테르 필름과 같은 플라스틱 필름이 일반적으로 사용된다. 또한, 나일론 또는 폴리에스테르와 같은 합성 섬유로 직조된 부직포, 직포 또는 네트(예를 들어, 네트는 스크린 날염용으로 400메쉬/인치 미만이다)를 사용할 수 있다.
신장이 충분한 물질로서, JIS-K-7127에 준하여 측정한 인장 모듈러스가 50kg/mm2 미만(통상적으로, 0.1kg/mm2 초과이다)인 플라스틱 필름이 바람직하다. 플라스틱 필름의 예에는, 폴리에스테르 필름 이외에, 폴리에틸렌 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 에틸렌-에틸 (메트)아크릴레이트 공중합체 필름 및 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체 필름이 포함된다. 감압 접착 층과의 부착 특성을 개선시키기 위해, 필름을 표면에 코로나 처리와 같은 표면 처리를 하여 감압 접착제 층을 그 위에 형성시킬 수 있다.
이러한 필름 기재상에 배치될 감압 접착 층의 두께는 일반적으로 20㎛ 이상, 바람직하게는 30㎛ 이상(통상적으로, 100㎛ 미만)이다. 접착제 층은 비경화성 형태 또는 경화성 형태일 수 있다. 본 발명에서, 경화성 형태 감압 접착제 층, 특히 자외선 경화성 형태 감압 접착 층은 회로가 형성된 웨이퍼의 표면을 보호하고 웨이퍼의 표면으로부터 내식막 재료를 박리시켜 완전히 제거하는 것이 바람직하다.
자외선 경화성 형태 감압 접착 층을 갖는 표면 보호용 감압 접착 시트의 예에는 자외선 투과가능한 필름 기재 상에, 두께가 20㎛ 이상이고 초기 모듈러스가 경화 후에 5배 이상 증가하여 접착력을 감소시키며 중량 평균 분자량이 300,000 내지 2,000,000인 알킬 (메트)아크릴레이트 100중량부에 중합가능한 탄소 대 탄소 이중결합(이후, " 경화성 화합물" 이라고 함)을 하나 이상 함유하는 비휘발성 저분자량 물질 20 내지 200중량부, 광중합 개시제 0.1 내지 10중량부 및, 임의로, 이소시아네이트 가교결합제 및 기타 첨가제를 도입함으로써 수득되는 자외선 경화성 감압 접착 층을 갖는 표면 보호용 감압 접착 시트가 포함된다. 이소시아네이트 가교결합제 및 기타 첨가제의 총량은 중합체 100중량부를 기준으로 하여, 일반적으로 100중량부 이하, 바람직하게는 20중량부 이하이다.
알킬 (메트)아크릴레이트 중합체의 예에는 알킬 (메트)아크릴레이트의 단독중합체 및 알킬 (메트)아크릴레이트와 카복실 또는 하이드록실 함유 단량체 또는 개질용 기타 단량체와의 공중합체가 포함된다. 알킬 (메트)아크릴레이트 중합체를 제조하는데 사용될 수 있는 단량체의 예에는 부틸아크릴레이트(BA), 에틸아크릴레이트(EA), 2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA), 메틸아크릴레이트(MA), 메틸메타크릴레이트(MMA), 아크릴로니트릴(AN), 아크릴산(AA), 하이드록시에틸아크릴레이트(HEA) 및 비닐아세테이트(VAc)가 포함된다. 제조방법은 용액 중합, 유액 중합 및 벌크 중합과 같은 공지된 방법에 따라서 수행할 수 있다.
경화성 화합물의 예에는 폴리에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 트리(메트)아크릴레이트, 올리고에스테르 (메트)아크릴레이트 및 우레탄 (메트)아크릴레이트 올리고머가 포함된다. 광중합 개시제의 예에는 벤조인, 벤조인 에틸 에테르, 디벤질, 벤조페논, 도데실 티옥산톤, 벤질디메틸 케탈 및 [디메톡시(페닐)]메틸 페닐 케톤이 포함된다.
본 발명에서, 반도체 장치는 상기한 표면 보호용 감압 접착 시트를 사용하여 다음과 같이 제조한다. 먼저, 표면 보호용 감압 접착 시트를 회로와 회로 위에 형성된 내식막 재료를 갖는 반도체 웨이퍼의 주표면에 부착시킨다. 이때, 시트는 압력 및/또는 열에 의해 내식막 재료와 친화성이 되도록 하고, 이어서 이들을 서로 충분하게 고착시켜 웨이퍼의 표면을 균일하게 보호한다. 웨이퍼는, 회로가 형성된 이의 표면에 이전 단계에 의해 형성된 최대 높이가 3 내지 200㎛, 바람직하게는 3 내지 150㎛인 불균일 부분 또는 그 위의 내식막 재료를 통해 에칭된 패시베이션 필름을 가질 수 있다. 패시베이션 필름 전반에 걸쳐, 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름이 형성될 수 있다. 불균일 부분의 높이는 출발점으로서 스크라이브 라인 중의 하부 및 전극 패드 부분을 취하여 계산한 것이다. 웨이퍼의 회로 형성 표면에, 잉크 점이 부착되어 회로의 정밀 검사 후에 품질이 불량 칩을 구별하거나 범프를 배치할 수 있다. 불균일 부분의 높이는 스크라이브 라인의 하부면 및 전극 패드 부분으로부터의 높이이다.
이어서, 반도체 웨이퍼는 웨이퍼의 주표면을 보호하면서 웨이퍼의 반대면을 연마하여 목적하는 두께로 조정한다. 연마는 통상의 방법으로 수행한다. 이때, 냉각 및 세정용 물을 고압하에 사출시킨다. 내식막 재료로 구성된 시트가 웨이퍼 표면에 긴밀하게 부착되기 때문에, 물이 웨이퍼 표면으로 침투하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 물이 회로상으로 침투하여 발생할 수 있는 스크라이브 라인의 오염 및 손상, 예를 들어 웨이퍼의 크래킹 또는 알루미늄 패드 부분의 오염과 같은 문제도 발생하지 않는다.
웨이퍼의 반대면을 연마한 후, 경화성 형태인 경우, 감압 접착 시트를 자외선 노출에 의해 경화시겨 이의 접착력을 감소시킨 다음, 박리시켜 부착된 내식막 재료를 제거하고 웨이퍼로부터 감압 접착 시트로 옮긴다. 상기한 구성에 따라서, 웨이퍼 표면으로부터 내식막 재료의 제거 및 웨이퍼의 반대면은 동시에 연마할 수 있고, 이는 반도체 장치의 제조시 통상의 제조방법에 비해 가공적성을 개선시키고 단계 수를 감소시켜 불량률을 감소시킨다. 또한, 웨이퍼 반대면의 연마시 상기한 바와 같이 침투된 물에 의해 야기되는 손상의 예방도 불량률의 감소로 억제되어 최종 생성물의 수율이 현저히 개선된다.
본 발명에서, 상기한 바와 같이 표면 보호용 감압 접착 시트는 패시베이션 필름의 에칭 후에 웨이퍼의 표면에 잔류하는 내식막 재료에 부착되고, 내식막 재료 및 감압 접착제 시트는 웨이퍼 반대면의 연마 후에 완전히 박리시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 개념으로부터 벗어나지 않을 정도내의 각종 변형이 가능함을 주목한다. 예를 들어, 제1 내식막 재료를 제거한 후, 이의 특정 목적을 위해 도포하여 표면 보호용 감압 접착 시트의 접착에 대한 에칭, 웨이퍼 반대면의 연마 및 내식막 재료와 시트의 완전한 박리와 같은 필수 단계로 처리한 제2 내식막 재료를 처리할 수 있다.
실시예
본 발명은 하기 실시예에 의해 더욱 구체적으로 기술될 것이다. "부(들)" 는 모두 중량을 기준으로 한다.
실시예 1
n-부틸 아크릴레이트 80부, 에틸 아크릴레이트 15부 및 아크릴산 5부로 이루어진 단량체 혼합물을 60℃에서 질소 스트림하에 에틸 아크릴레이트 150부와 아조비스이소부티로니트릴 0.1부를 사용하여 12시간 동안 용액 중합시킨다. 이렇게 하여, 중량 평균 분자량이 500,000인 공중합체를 함유하는 중합체 용액(A)을 수득한다.
폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 10부(공중합체 100부 기준), 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 10부 및 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 30부를 중합체 용액(A)에 가한 다음, 디페닐메탄 디이소시아네이트 3부 및 [디메톡시(페닐)]메틸 페닐 케톤 3부와 균일하게 혼합한다. 이렇게 하여, 자외선 경화성 형태의 감압 접착제 용액을 제조한다.
생성된 감압 접착액을 두께가 50㎛인 폴리에스테르 필름에 적용하여 35㎛의 무수 두께를 수득한 다음, 130℃에서 3분 동안 건조시킨다. 이렇게 하여, 자외선 경화성 형태의 표면 보호 감압용 접착 시트를 제조한다. 실리콘 웨이퍼로부터 생성되는 감압 접착 시트의 180°박리 강도는 자외선 노출 전에는 250g/10mm 너비인 반면, 자외선 노출 후에는 13g/10mm 너비이다.
이의 표면에 목적한 회로, 회로 전반 및 패시베이션 필름 전반에 걸쳐 형성된 패시베이션 필름, 패시베이션 필름의 에칭 후에 잔류하는 5㎛ 두께의 네가티브 내식막 재료를 갖는 8인치 실리콘 웨이퍼(두께: 730㎛)에 상기한 자외선 경화성 형태의 표면 보호용 감압 접착 시트를 90℃로 가열된 플레이트상에서 접촉 결합시킨다. 이러한 조건하에, 웨이퍼의 반대면을 연마기["DFG840", 제조원: 디스코 캄파니(DISCO CO.)]로 연마하여 최종 강성이 #2000이고 최종 두께가 280㎛가 되도록 한다.
연마 후에, 표면 보호용 감압 접착 시트를 고압 수은 램프하에 900mj/cm2의 자외선에 노출시킴으로써 경화시킨다. 경화 후에, 감압 접착 시트를 박리시키고, 내식막 재료를 감압 접착 시트와 함께 제거한다. 따라서, 내식막 재료의 제거와 웨이퍼 반대면의 연마를 한 단계로 수행할 수 있는데, 이는 제조시 작업성을 개선시키고 불량률을 감소시키며 연마시 웨이퍼 표면으로 물이 침투함으로써 야기되는 손상을 방지하여, 최종 생성물의 수율을 현저히 개선시킨다.
실시예 1로부터, 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름이 회로가 형성된 웨이퍼 표면 전반에 걸쳐 패시베이션 필름 위에 형성되거나, 잉크 점 또는 범프가 웨이퍼 표면에 배치될 경우에도, 웨이퍼의 반대면 연마시 물이 침투되지 않아서 스크라이브 라인 부분의 오염, 웨이퍼의 균열 또는 알루미늄 패드 부분의 오염과 같은 손상을 방지할 수 있음이 확인되었다.
실시예 2
폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 20부 및 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 30부(공중합체 100부 기준)를 중합체 용액(A)에 가하고 실시예 1에 사용된 동일한 이소시아네이트 가교결합제 및 광중합 개시제와 균일하게 혼합하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 자외선 경화성 형태의 감압 접착제 용액을 제조한다. 생성된 용액을 사용하여 자외선 경화성 형태의 표면 보호용 감압 접착 시트를 실시예 1과 동일한 방법으로 제조한다. 실리콘 웨이퍼로부터 생성된 감압 접착 시트의 180° 박리 강도는 자외선 노출 전에는 200g/10mm 너비인 반면, 자외선 노출 후에는 6g/10mm 너비이다.
실시예 1에서와 같이, 생성된 자외선 경화성 형태의 표면 보호용 감압 접착 시트를 목적한 회로, 패시베이션 필름 및 차례로 적층되는 네가티브 내식막 재료를 갖는 8인치 규소 웨이퍼에 부착시킨 다음, 웨이퍼 반대면을 연마한다. 이어서, 감압 접착 시트를 경화 후에 박리시킨다. 그 결과, 내식막 재료를 박리에 의해 감압 접착 시트와 함께 제거한다. 실시예 1과 유사하게, 당해 실시예의 제조방법도 제조시 작업성을 개선시키고, 불량률을 감소시키며, 반대면 연마시 침투된 물로 인해 일어날 수 있는 손상을 억제하여 최종 생성물의 수율을 현저히 개선시킬 수도 있음이 확인되었다.
초기 모듈러스의 측정
실시예 1에서 수득한 감압 접착 층의 자외선 노출 전의 초기 모듈러스는 0.58Mpa(0.06kgf/mm2)이고, 자외선 노출 후의 초기 모듈러스는 3.5Mpa(0.36kgf/mm2)이다.
실시예 2에서 수득한 감압 접착 층의 자외선 노출 전의 초기 모듈러스는 0.85Mpa(0.087kgf/mm2)이고, 자외선 노출 후의 초기 모듈러스는 5.1Mpa(0.52kgf/mm2)이다.
경화된 감압 접착 층의 초기 모듈러스는 다음과 같이 수득한다. 두께가 50㎛인 감압 접착 층을 갖는 분리기를 포함하는 테이프를 각각 10×50mm 크기의 샘플로 절단한다. 각각의 샘플에 고압 수은 램프하에 축적된 500 내지 1000mj/cm2의 양으로 자외선을 조사한다. 분리기를 제거한 후, 샘플을 척(chuck) 사이의 거리가 10mm인 세로 방향으로 당기는 만능 시험기(22 내지 24℃의 온도 및 상대 습도 35 내지 50%)를 사용하여 인장 시험한다. 수득한 표의 기울기(강도×척 사이의 거리)를 계산하여 초기 모듈러스를 수득한다. 경화 전에 감압 접착 층의 초기 모듈러스는 자외선을 조사하지 않고서 상기한 바와 동일한 방법으로 측정한다.
본 발명은 이의 특정 양태를 참조로 하여 보다 상세하게 기술되었으나, 본 발명의 취지 및 이의 범주를 벗어나지 않고도 다양하게 변화되고 변형될 수 있다는 것이 당해 기술 분야의 숙련가에게는 자명할 것이다.
본 발명의 방법에 따르면, 반도체 장치의 제조시 작업성을 개선시키고, 불량률을 감소시키며, 폴리이미드 필름과 같은 표면 보호용 필름이 회로가 형성된 웨이퍼 표면 전반에 걸쳐 패시베이션 필름 위에 형성되거나, 잉크 점 또는 범프가 웨이퍼의 표면에 배치될 경우에도, 웨이퍼 반대면 연마시 물이 침투되지 않아서 스크라이브 라인 부분의 오염, 웨이퍼의 균열 또는 알루미늄 패드 부분의 오염과 같은 손상을 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 표면 보호용 감압 접착 시트를, 회로가 형성되고 회로 위에 내식막 재료를 갖는 반도체 웨이퍼의 주표면에 부착시키는 단계,
    주표면을 보호하면서 웨이퍼 반대면을 연마하는 단계 및
    감압 접착 시트를 박리시켜 웨이퍼로부터 감압 접착 시트에 부착된 내식막 재료를 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼의 회로 형성 표면에 최대 3 내지 200㎛의 불균일 부분을 갖는 것인, 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼의 회로 형성 표면에 패시베이션 필름(passivation film)을 포함하고, 임의로, 패시베이션 필름 위에 표면 보호 필름을 포함하는 것인, 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼의 회로 형성 표면에 잉크 점 또는 범프(bump)를 갖는 것인, 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 표면 보호용 감압 접착 시트가 경화성 감압 접착 층을 포함하고, 웨이퍼 반대면의 연마 후 감압 접착 시트의 박리 전에 감압 접착 층을 경화시키는 단계를 추가로 포함하는, 반도체 장치의 제조방법.
  6. 자외선 투과성 필름 기재 및, 상기 기재 위에 형성된, 중량 평균 분자량이 300,000 내지 2,000,000인 알킬 (메트)아크릴레이트 중합체 100중량부에 중합가능한 탄소 대 탄소 이중결합을 하나 이상 함유하는 비휘발성 저분자량 물질 20 내지 200중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10중량부를 도입함으로써 수득되고 경화 후에 초기 모듈러스가 5배 이상 증가하는 자외선 경화성 감압 접착층을 포함하는, 표면 보호용 감압 접착 시트.
  7. 제6항에 있어서, 자외선 경화성 감압 접착층의 두께가 20㎛ 이상인 표면 보호용 감압 접착 시트.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410371B2 (ja) * 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
DE10121556A1 (de) * 2001-05-03 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern
KR101025981B1 (ko) * 2003-03-20 2011-03-30 닛토덴코 가부시키가이샤 클리닝 시트, 이의 제조방법 및 클리닝 시트를 포함하는반송 부재
DE102006035644A1 (de) 2006-07-31 2008-02-14 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Reduzieren der Kontamination durch Vorsehen einer zu entfernenden Polymerschutzschicht während der Bearbeitung von Mikrostrukturen
JP2008117943A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Nitto Denko Corp ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP7203087B2 (ja) * 2018-03-30 2023-01-12 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637010A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Nitto Denko Corp レジスト除去方法および硬化型感圧接着シ―ト類
JPH07193032A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3665191D1 (en) * 1985-02-14 1989-09-28 Bando Chemical Ind A pressure sensitive adhesive and a pressure sensitive adhesive film having thereon a layer of the same
JPH03178054A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Sony Corp スタンパーの残留ホトレジスト除去方法
JPH0582492A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Sony Corp 半導体ウエハー裏面の研削方法
EP0539973A3 (en) * 1991-11-01 1995-07-12 Furukawa Electric Co Ltd A surface-protection method during etching
JPH08148452A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Sony Corp 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法
WO1997000534A1 (fr) * 1995-06-15 1997-01-03 Nitto Denko Corporation Procede d'elimination d'un agent photoresistant, et adhesif ou feuille adhesive utilises a cet effet
US5731243A (en) * 1995-09-05 1998-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of cleaning residue on a semiconductor wafer bonding pad
JPH10158602A (ja) * 1996-11-29 1998-06-16 Nitto Denko Corp レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法
JPH10308339A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Nitto Denko Corp レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637010A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Nitto Denko Corp レジスト除去方法および硬化型感圧接着シ―ト類
JPH07193032A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法

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