JPH08148452A - 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 - Google Patents
基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法Info
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- JPH08148452A JPH08148452A JP6305528A JP30552894A JPH08148452A JP H08148452 A JPH08148452 A JP H08148452A JP 6305528 A JP6305528 A JP 6305528A JP 30552894 A JP30552894 A JP 30552894A JP H08148452 A JPH08148452 A JP H08148452A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の裏面を研削する際に基板表面に貼着し
て基板表面を保護する保護テープであって、基板を損傷
しないように剥離できる保護テープを提供することであ
り、更にその保護テープを使用して基板の裏面を研削す
る方法を提供する。 【構成】 本発明に係る基板裏面の研削方法の実施例で
は、先ず、図1(a)に示すように、パターン形成層1
2を表面に有するウェハ14を受入れた後、IPAに溶
解する材質、例えば酢酸ビニル系熱可塑性接着剤からな
る基板表面保護テープ16をウェハ14の表面上に貼着
する(図1(b)参照)。次いで、従来と同様にして、
研削装置によってウェハ14の裏面を研削する(図1
(c)参照)。続いて、IPAを収容した洗浄槽内に浸
漬させ、基板表面保護テープ16を溶解し、ウェハ14
から解離させる(図1(d))。
て基板表面を保護する保護テープであって、基板を損傷
しないように剥離できる保護テープを提供することであ
り、更にその保護テープを使用して基板の裏面を研削す
る方法を提供する。 【構成】 本発明に係る基板裏面の研削方法の実施例で
は、先ず、図1(a)に示すように、パターン形成層1
2を表面に有するウェハ14を受入れた後、IPAに溶
解する材質、例えば酢酸ビニル系熱可塑性接着剤からな
る基板表面保護テープ16をウェハ14の表面上に貼着
する(図1(b)参照)。次いで、従来と同様にして、
研削装置によってウェハ14の裏面を研削する(図1
(c)参照)。続いて、IPAを収容した洗浄槽内に浸
漬させ、基板表面保護テープ16を溶解し、ウェハ14
から解離させる(図1(d))。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板表面保護テープに
関し、更に詳細には、基板の裏面を研削する際に、基板
表面を保護するために基板表面に貼着する基板表面保護
テープ及びその基板表面保護テープを使用した基板裏面
研削方法に関するものである。
関し、更に詳細には、基板の裏面を研削する際に、基板
表面を保護するために基板表面に貼着する基板表面保護
テープ及びその基板表面保護テープを使用した基板裏面
研削方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハの裏面を研削する際、パターンが
形成されているウェハ表面を保護するために、従来か
ら、ポリオレフィン系の合成樹脂で形成された保護テー
プがウェハ表面に貼着されている。図3を参照して、従
来のウェハ裏面研削の工程を説明する。先ず、図3
(a)に示すように、パターンが形成されている層(パ
ターン形成層)を表面に有するウェハを受入れ、保護テ
ープを表面上に貼着する(図3(b)参照)。次いで、
研削装置によってウェハの裏面を研削する(図3(c)
参照)。その後、テープ剥離機によってウェハ表面に貼
着した保護テープを剥離した後(図3(d)参照)、イ
ソプロピルアルコールを洗浄液とした洗浄装置でウェハ
を洗浄する。
形成されているウェハ表面を保護するために、従来か
ら、ポリオレフィン系の合成樹脂で形成された保護テー
プがウェハ表面に貼着されている。図3を参照して、従
来のウェハ裏面研削の工程を説明する。先ず、図3
(a)に示すように、パターンが形成されている層(パ
ターン形成層)を表面に有するウェハを受入れ、保護テ
ープを表面上に貼着する(図3(b)参照)。次いで、
研削装置によってウェハの裏面を研削する(図3(c)
参照)。その後、テープ剥離機によってウェハ表面に貼
着した保護テープを剥離した後(図3(d)参照)、イ
ソプロピルアルコールを洗浄液とした洗浄装置でウェハ
を洗浄する。
【0003】図4を参照して保護テープをテープ剥離機
により剥離する方法を詳細に説明する。保護テープを剥
離するには、先ず、ウェハのオリエンテーション・フラ
ット(通称、オリフラ)を剥離ステージの位置決め線に
合わせ、かつ保護テープを上にして基板をテープ剥離機
の剥離ステージ上に載せ、矢印方向に吸着させる(図4
(a)参照)。次いで、保護テープ上に剥離テープを載
せ、貼付ローラを転動させつつ加圧して剥離テープを保
護テープ上に貼り付ける(図4(b)参照)。続いて、
剥離テープの余剰部分を貼り付けた剥離テープ部分の上
に重ね、その余剰部分を引っ張って剥離テープと共に保
護テープを剥離する(図4(c)参照)。最後に、ウェ
ハを剥離ステージから離し、カセットに収納してテープ
剥離作業を完了する。
により剥離する方法を詳細に説明する。保護テープを剥
離するには、先ず、ウェハのオリエンテーション・フラ
ット(通称、オリフラ)を剥離ステージの位置決め線に
合わせ、かつ保護テープを上にして基板をテープ剥離機
の剥離ステージ上に載せ、矢印方向に吸着させる(図4
(a)参照)。次いで、保護テープ上に剥離テープを載
せ、貼付ローラを転動させつつ加圧して剥離テープを保
護テープ上に貼り付ける(図4(b)参照)。続いて、
剥離テープの余剰部分を貼り付けた剥離テープ部分の上
に重ね、その余剰部分を引っ張って剥離テープと共に保
護テープを剥離する(図4(c)参照)。最後に、ウェ
ハを剥離ステージから離し、カセットに収納してテープ
剥離作業を完了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、裏面を研削
したウェハは、極めて機械的な強度が低く、小さな外力
を受けても簡単に割れたり、部分的に欠損が生じたりす
る。従って、上述の保護テープ剥離作業を行う際、剥離
テープを保護テープ上に貼付ローラで加圧する際に、或
いは剥離テープの余剰部分を引っ張って剥離テープと共
に保護テープを剥離する際に、しばしば、ウェハが損傷
し、ウェハの研削厚が400μm である現在でも、ウェ
ハ割れの発生率がウェハ全数に対して約0.03%に達
する。一方、半導体装置の薄型化の要望に伴い、ウェハ
の研削厚を300μm 以下にする必要が生じている。か
かる薄肉のウェハは、ますます外力に対する強度が低下
し、僅かの力を受けても簡単に損傷するようになり、ウ
ェハ割れの発生率が5%に上ることも予想される。
したウェハは、極めて機械的な強度が低く、小さな外力
を受けても簡単に割れたり、部分的に欠損が生じたりす
る。従って、上述の保護テープ剥離作業を行う際、剥離
テープを保護テープ上に貼付ローラで加圧する際に、或
いは剥離テープの余剰部分を引っ張って剥離テープと共
に保護テープを剥離する際に、しばしば、ウェハが損傷
し、ウェハの研削厚が400μm である現在でも、ウェ
ハ割れの発生率がウェハ全数に対して約0.03%に達
する。一方、半導体装置の薄型化の要望に伴い、ウェハ
の研削厚を300μm 以下にする必要が生じている。か
かる薄肉のウェハは、ますます外力に対する強度が低下
し、僅かの力を受けても簡単に損傷するようになり、ウ
ェハ割れの発生率が5%に上ることも予想される。
【0005】以上の状況に照らして、本発明の目的は、
基板の裏面を研削する際に基板表面に貼着して基板表面
を保護する保護テープであって、基板を損傷しないよう
に剥離できる保護テープを提供することであり、更にそ
の保護テープを使用して基板の裏面を研削する方法を提
供することである。
基板の裏面を研削する際に基板表面に貼着して基板表面
を保護する保護テープであって、基板を損傷しないよう
に剥離できる保護テープを提供することであり、更にそ
の保護テープを使用して基板の裏面を研削する方法を提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、例え、テー
プ剥離機を改良してウェハの損傷を防止しようとして
も、機械的な手段で保護テープを剥離する限り、ウェハ
の損傷防止には限界があると考え、化学的な手段で保護
テープを剥離することに着目し、本発明を完成するに到
った。
プ剥離機を改良してウェハの損傷を防止しようとして
も、機械的な手段で保護テープを剥離する限り、ウェハ
の損傷防止には限界があると考え、化学的な手段で保護
テープを剥離することに着目し、本発明を完成するに到
った。
【0007】上記目的を達成するために、本発明に係る
基板表面保護テープは、基板の裏面を研削する際に、基
板表面を保護するために基板表面に貼着する保護テープ
であって、所定の溶剤に対して溶解する材質で形成され
ていることを特徴としている。基板表面保護テープを剥
離した後、洗浄液としてイソプロピルアルコール(IP
A)を使用して基板を洗浄しているので、本発明の好適
な実施態様では、所定の溶剤がイソプロピルアルコール
であって、基板表面保護テープがイソプロピルアルコー
ルに溶解する材質で形成されていることを特徴としてい
る。また、イソプロピルアルコールに溶解する材質とし
て、酢酸ビニル系熱可塑性接着剤又はイソプレンゴム系
接着剤のいずれかを選択することができる。
基板表面保護テープは、基板の裏面を研削する際に、基
板表面を保護するために基板表面に貼着する保護テープ
であって、所定の溶剤に対して溶解する材質で形成され
ていることを特徴としている。基板表面保護テープを剥
離した後、洗浄液としてイソプロピルアルコール(IP
A)を使用して基板を洗浄しているので、本発明の好適
な実施態様では、所定の溶剤がイソプロピルアルコール
であって、基板表面保護テープがイソプロピルアルコー
ルに溶解する材質で形成されていることを特徴としてい
る。また、イソプロピルアルコールに溶解する材質とし
て、酢酸ビニル系熱可塑性接着剤又はイソプレンゴム系
接着剤のいずれかを選択することができる。
【0008】本発明で研削とは、研磨等の基板裏面に対
する処理を含む広い意味である。上述の基板表面保護テ
ープを使用して、基板の裏面を研削するに当たり、本発
明に係る基板裏面研削方法は、基板の裏面を研削するに
当たり、イソプロピルアルコールに溶解する材質からな
る基板表面保護テープを基板表面に貼着し、次いで基板
裏面を研削する工程と、裏面研削した基板をイソプロピ
ルアルコール中に浸漬させ、基板表面保護テープを溶解
して基板表面から解離すると共に基板を洗浄する工程と
を備えることを特徴としている。
する処理を含む広い意味である。上述の基板表面保護テ
ープを使用して、基板の裏面を研削するに当たり、本発
明に係る基板裏面研削方法は、基板の裏面を研削するに
当たり、イソプロピルアルコールに溶解する材質からな
る基板表面保護テープを基板表面に貼着し、次いで基板
裏面を研削する工程と、裏面研削した基板をイソプロピ
ルアルコール中に浸漬させ、基板表面保護テープを溶解
して基板表面から解離すると共に基板を洗浄する工程と
を備えることを特徴としている。
【0009】
【作用】本発明の構成によれば、基板表面保護テープを
所定の溶剤に溶解する材質で形成し、基板裏面研削後、
その所定の溶剤で基板表面保護テープを溶解、解離する
ことにより、機械的剥離に代えて化学的な処理により機
械的外力を加えることなく基板表面保護テープを基板か
ら解離することができる。特に、イソプロピルアルコー
ルに溶解する材質の基板表面保護テープを使用すること
により、裏面研削後の基板洗浄時に、基板洗浄と同時に
基板表面保護テープを溶解して基板から解離することが
できる。よって、基板に機械的な力を作用させる必要が
大幅に減るので、ウェハの損傷の発生率を大幅に低下さ
せることができる。
所定の溶剤に溶解する材質で形成し、基板裏面研削後、
その所定の溶剤で基板表面保護テープを溶解、解離する
ことにより、機械的剥離に代えて化学的な処理により機
械的外力を加えることなく基板表面保護テープを基板か
ら解離することができる。特に、イソプロピルアルコー
ルに溶解する材質の基板表面保護テープを使用すること
により、裏面研削後の基板洗浄時に、基板洗浄と同時に
基板表面保護テープを溶解して基板から解離することが
できる。よって、基板に機械的な力を作用させる必要が
大幅に減るので、ウェハの損傷の発生率を大幅に低下さ
せることができる。
【0010】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図1は本発明に係る基板
表面保護テープを使用して基板の裏面を研削する作業の
各工程毎の基板の断面図、及び図2はイソプロピルアル
コール(以下、簡単にIPAと表記する)による基板表
面保護テープの溶解工程の様子を示す模式図である。本
発明に係る基板裏面の研削方法の実施例では、先ず、図
1(a)に示すように、パターン形成層12を表面に有
するウェハ14を受入れた後、IPAに溶解する材質、
例えば酢酸ビニル系熱可塑性接着剤からなる基板表面保
護テープ16をウェハ14の表面上に貼着する(図1
(b)参照)。次いで、従来と同様にして、研削装置に
よってウェハ14の裏面を研削する(図1(c)参
照)。次いで、IPAを収容した洗浄槽内に浸漬させ、
基板表面保護テープ16を溶解し、ウェハ14から解離
させる(図1(d))。
本発明をより詳細に説明する。図1は本発明に係る基板
表面保護テープを使用して基板の裏面を研削する作業の
各工程毎の基板の断面図、及び図2はイソプロピルアル
コール(以下、簡単にIPAと表記する)による基板表
面保護テープの溶解工程の様子を示す模式図である。本
発明に係る基板裏面の研削方法の実施例では、先ず、図
1(a)に示すように、パターン形成層12を表面に有
するウェハ14を受入れた後、IPAに溶解する材質、
例えば酢酸ビニル系熱可塑性接着剤からなる基板表面保
護テープ16をウェハ14の表面上に貼着する(図1
(b)参照)。次いで、従来と同様にして、研削装置に
よってウェハ14の裏面を研削する(図1(c)参
照)。次いで、IPAを収容した洗浄槽内に浸漬させ、
基板表面保護テープ16を溶解し、ウェハ14から解離
させる(図1(d))。
【0011】基板表面保護テープ16をIPAで溶解
し、ウェハ14から解離するには、例えば図2(a)に
示すように洗浄キャリア18内に基板表面保護テープ1
6が貼着されたウェハ14を収容し、洗浄槽20内のI
PAに浸漬し、洗浄槽底部のノズル(図示せず)より窒
素ガス等の不活性ガスの気泡を噴出させてIPAを攪拌
させつつ基板表面保護テープ16を溶解、解離する(図
2(b)参照)。
し、ウェハ14から解離するには、例えば図2(a)に
示すように洗浄キャリア18内に基板表面保護テープ1
6が貼着されたウェハ14を収容し、洗浄槽20内のI
PAに浸漬し、洗浄槽底部のノズル(図示せず)より窒
素ガス等の不活性ガスの気泡を噴出させてIPAを攪拌
させつつ基板表面保護テープ16を溶解、解離する(図
2(b)参照)。
【0012】
【発明の効果】本発明の構成によれば、基板の裏面を研
削する際に、基板表面を保護するために基板表面に貼着
する基板表面保護テープを所定の溶剤に溶解する材質で
形成し、基板裏面研削後、その所定の溶剤で基板表面保
護テープを溶解、解離することにより、機械的剥離に代
えて化学的な処理により機械的外力を加えることなく基
板表面保護テープを基板から解離することができる。よ
って、基板表面保護テープの剥離に際し、基板に機械的
な力を作用させる必要が無いので、ウェハの損傷の発生
率を大幅に低下させることができる。また、本発明に係
る基板表面保護テープを使用することより、基板の薄厚
化の要望にも対応できる。特に、イソプロピルアルコー
ルに溶解する材質の基板表面保護テープを使用すれば、
裏面研削後の基板洗浄時に、基板洗浄と同時に基板表面
保護テープを溶解して基板から解離することができるの
で、好適である。また、これにより、基板裏面研削作業
の工程数を少なくし、作業効率を向上させることができ
る。
削する際に、基板表面を保護するために基板表面に貼着
する基板表面保護テープを所定の溶剤に溶解する材質で
形成し、基板裏面研削後、その所定の溶剤で基板表面保
護テープを溶解、解離することにより、機械的剥離に代
えて化学的な処理により機械的外力を加えることなく基
板表面保護テープを基板から解離することができる。よ
って、基板表面保護テープの剥離に際し、基板に機械的
な力を作用させる必要が無いので、ウェハの損傷の発生
率を大幅に低下させることができる。また、本発明に係
る基板表面保護テープを使用することより、基板の薄厚
化の要望にも対応できる。特に、イソプロピルアルコー
ルに溶解する材質の基板表面保護テープを使用すれば、
裏面研削後の基板洗浄時に、基板洗浄と同時に基板表面
保護テープを溶解して基板から解離することができるの
で、好適である。また、これにより、基板裏面研削作業
の工程数を少なくし、作業効率を向上させることができ
る。
【図1】本発明に係る基板表面保護テープを使用して基
板の裏面を研削する作業の各工程毎の基板の断面図であ
る。
板の裏面を研削する作業の各工程毎の基板の断面図であ
る。
【図2】IPAによる基板表面保護テープの溶解工程の
様子を示す模式図である。
様子を示す模式図である。
【図3】従来の基板裏面研削方法の各工程毎の基板の断
面図である。
面図である。
【図4】保護テープの剥離作業を説明する模式図であ
る。
る。
12 パターン形成層 14 ウェハ 16 基板表面保護テープ 18 洗浄キャリア 20 洗浄槽
Claims (4)
- 【請求項1】 基板の裏面を研削する際に、基板表面を
保護するために基板表面に貼着する保護テープであっ
て、所定の溶剤に対して溶解する材質で形成されている
ことを特徴とする基板表面保護テープ。 - 【請求項2】 所定の溶剤がイソプロピルアルコールで
あって、基板表面保護テープがイソプロピルアルコール
に溶解する材質で形成されていることを特徴とする請求
項1に記載の基板表面保護テープ。 - 【請求項3】 イソプロピルアルコールに溶解する材質
として、酢酸ビニル系熱可塑性接着剤又はイソプレンゴ
ム系接着剤のいずれかが選択されていることを特徴とす
る請求項2に記載の保護テープ。 - 【請求項4】 基板の裏面を研削するに当たり、イソプ
ロピルアルコールに溶解する材質からなる基板表面保護
テープを基板表面に貼着し、次いで基板裏面を研削する
工程と、 裏面研削した基板をイソプロピルアルコール中に浸漬さ
せ、基板表面保護テープを溶解して基板表面から解離す
ると共に基板を洗浄する工程とを備えることを特徴とす
る基板裏面研削方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6305528A JPH08148452A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 |
US08/555,786 US5601732A (en) | 1994-11-15 | 1995-11-09 | Protecting film for wafer and method for grinding surface of wafer with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP6305528A JPH08148452A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148452A true JPH08148452A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17946241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6305528A Pending JPH08148452A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 |
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US (1) | US5601732A (ja) |
JP (1) | JPH08148452A (ja) |
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- 1994-11-15 JP JP6305528A patent/JPH08148452A/ja active Pending
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- 1995-11-09 US US08/555,786 patent/US5601732A/en not_active Expired - Fee Related
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