JPH03132056A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法Info
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- JPH03132056A JPH03132056A JP1269098A JP26909889A JPH03132056A JP H03132056 A JPH03132056 A JP H03132056A JP 1269098 A JP1269098 A JP 1269098A JP 26909889 A JP26909889 A JP 26909889A JP H03132056 A JPH03132056 A JP H03132056A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハを各素子ごとに分割する際の半導
体ウェハダイシング方法に関する。
体ウェハダイシング方法に関する。
トランジスタや半導体集積回路（ＩＣ）の半導体装置の
製造においては、半導体ウェハを酸化、拡散、蒸着等の
各工程を経て、−枚の半導体ウェハに多数個の同一回路
を形成する。次に半導体ウェハにダイシング作業を施し
、各素子を囲むように縦横に多数の溝を入れて各素子（
ペレット）ごとに分離する。このペレットをリードフレ
ームにボンディングし、ワイヤボンディング、樹脂モー
ルドして各半導体装置に組み立てられる。
製造においては、半導体ウェハを酸化、拡散、蒸着等の
各工程を経て、−枚の半導体ウェハに多数個の同一回路
を形成する。次に半導体ウェハにダイシング作業を施し
、各素子を囲むように縦横に多数の溝を入れて各素子（
ペレット）ごとに分離する。このペレットをリードフレ
ームにボンディングし、ワイヤボンディング、樹脂モー
ルドして各半導体装置に組み立てられる。
この半導体ウェハからペレットに分離する方法としては
、リングフレームに半導体ウェハ貼り付は用のテープを
接着し、そのテープに半導体ウェハを貼り付け、リング
フレーム、テープごと半導体ウェハを固定して回転ブレ
ードで各ペレットの周囲を縦横に切断し切り溝を入れる
。この切断の際、半導体ウェハの固定はリングフレーム
を磁石等により固定台に吸着すると共に、半導体ウェハ
を貼り付けたテープを固定台側から真空吸引することに
より行う。この切断の際は冷却用液体をかけながら回転
ブレードを回転させて行うが、切削屑が半導体ウェハ表
面に付着するため、切＃ＪＴ後速かに洗浄液で半導体ウ
ェハ表面の洗浄をする。この洗浄は切断時と同様に磁力
と真空吸引により半導体ウェハを固着し、低速で固定台
と共に回転させながら高圧の純水（１００ｋｇ／ ｃ＋
Ｊ）を数１０秒噴出させて洗浄する。この洗浄の際の半
導体ウェハの固定状態を第５図に示す。同図（ａ）はチ
ャックテーブル４に固定した平面図で同図（ｂｌはその
部分的拡大断面図で、１はリングフレーム、２はテープ
、３は半導体ウェハ、４は固定台であるチャックテーブ
ル、４１はチャックテーブル４に設けられた溝部でチャ
ックテーブル４の下側に設けられた図示しない真空ポン
プにより吸引される構造となっている。従って真空ポン
プを作動させれば、チャックテーブル４の溝部４１が真
空状態となりテープ２が吸引され、半導体ウェハ３もチ
ャックテーブル４に固定されることになる。
、リングフレームに半導体ウェハ貼り付は用のテープを
接着し、そのテープに半導体ウェハを貼り付け、リング
フレーム、テープごと半導体ウェハを固定して回転ブレ
ードで各ペレットの周囲を縦横に切断し切り溝を入れる
。この切断の際、半導体ウェハの固定はリングフレーム
を磁石等により固定台に吸着すると共に、半導体ウェハ
を貼り付けたテープを固定台側から真空吸引することに
より行う。この切断の際は冷却用液体をかけながら回転
ブレードを回転させて行うが、切削屑が半導体ウェハ表
面に付着するため、切＃ＪＴ後速かに洗浄液で半導体ウ
ェハ表面の洗浄をする。この洗浄は切断時と同様に磁力
と真空吸引により半導体ウェハを固着し、低速で固定台
と共に回転させながら高圧の純水（１００ｋｇ／ ｃ＋
Ｊ）を数１０秒噴出させて洗浄する。この洗浄の際の半
導体ウェハの固定状態を第５図に示す。同図（ａ）はチ
ャックテーブル４に固定した平面図で同図（ｂｌはその
部分的拡大断面図で、１はリングフレーム、２はテープ
、３は半導体ウェハ、４は固定台であるチャックテーブ
ル、４１はチャックテーブル４に設けられた溝部でチャ
ックテーブル４の下側に設けられた図示しない真空ポン
プにより吸引される構造となっている。従って真空ポン
プを作動させれば、チャックテーブル４の溝部４１が真
空状態となりテープ２が吸引され、半導体ウェハ３もチ
ャックテーブル４に固定されることになる。
上述の従来の半導体ウェハの固定方法はチャックテーブ
ル４の全面に真空吸引用溝部４１を設は半導体ウェハ３
の全面に吸引力を働かせているため強力に固着されるよ
うに考えられる。しかし真空吸引すると第５図（ｂ）に
示すようにテープ２が溝部４１に吸引されるためテープ
２と半導体ウェハ３を切断したペレット３１が剥離する
。この状態で洗浄用の純水を噴射するとベレソ）３１が
吹き飛ばされ洗浄中に紛失することとなり収率が悪くな
る。多い場合には１０％位歩留を低下させる場合がある
。
ル４の全面に真空吸引用溝部４１を設は半導体ウェハ３
の全面に吸引力を働かせているため強力に固着されるよ
うに考えられる。しかし真空吸引すると第５図（ｂ）に
示すようにテープ２が溝部４１に吸引されるためテープ
２と半導体ウェハ３を切断したペレット３１が剥離する
。この状態で洗浄用の純水を噴射するとベレソ）３１が
吹き飛ばされ洗浄中に紛失することとなり収率が悪くな
る。多い場合には１０％位歩留を低下させる場合がある
。
このような対策としてダイシング時に半導体ウェハ３に
入れる切り溝３２を半導体ウェハ３の裏面まで入れて各
ペレット３１に分離しないで一部を残して裏面で連結し
ておき、洗浄後にブレーキング作業でウェハ３を割って
各ペレット３１に分離する方法も考えられている。しか
し後から半導体ウェハ３を割って分離する方法はブレー
キング時に半導体の回路部分まで割れが入って歩留を低
下させたり、割れ時の破片が特性不良等の原因となり信
頼性の面からも好ましくない。
入れる切り溝３２を半導体ウェハ３の裏面まで入れて各
ペレット３１に分離しないで一部を残して裏面で連結し
ておき、洗浄後にブレーキング作業でウェハ３を割って
各ペレット３１に分離する方法も考えられている。しか
し後から半導体ウェハ３を割って分離する方法はブレー
キング時に半導体の回路部分まで割れが入って歩留を低
下させたり、割れ時の破片が特性不良等の原因となり信
頼性の面からも好ましくない。
本発明は上述の課題を解決するため、リングフレームは
半導体ウェハの径より十分大きくして半導体ウェハとリ
ングフレームの間のテープ部分のみとなる間隙部を設け
、切断時には半導体ウェハ裏面まで切り溝を入れて各ペ
レットに分離できる状態とし、洗浄時の吸着方法として
は半導体ウェハ周囲の前記間隙部を主体に吸引して固定
し、半導体ウェハ下面からは殆んど吸引しないで洗浄す
る方法を提供するものである。
半導体ウェハの径より十分大きくして半導体ウェハとリ
ングフレームの間のテープ部分のみとなる間隙部を設け
、切断時には半導体ウェハ裏面まで切り溝を入れて各ペ
レットに分離できる状態とし、洗浄時の吸着方法として
は半導体ウェハ周囲の前記間隙部を主体に吸引して固定
し、半導体ウェハ下面からは殆んど吸引しないで洗浄す
る方法を提供するものである。
第１図に本発明に係る半導体ウェハのダイシング方法の
工程をブロック図で示す。まず半導体ウェハ貼付工程で
は第２図に示すように半導体ウェハ３の径より十分大き
い径を有するリングフレームｊに半導体ウェハ貼付用の
テープ２を接着し、そのテープ２の表面の中心部に半導
体ウェハ３を貼付する。その結果リングフレーム１と半
導体ウェハ３の外周との間にはテープ２のみが存在する
間隙部を確保できる。次に切断工程に移り半導体ウェハ
３を接着したリングフレームｌ及びテープ２ごとチャッ
クテーブルに磁力と真空吸引力により固定しダイヤモン
ドカッタ等の回転ブレードにより半導体ウェハの縦横に
切り溝を入れる。この際切り溝は半導体ウェハ３の裏面
まで及ぶようにし、切断した各月はテープ２との接着力
で保持する。次に洗浄乾燥工程に移り、まず第３図（ａ
）に平面図及び同図（ｂ）に部分的拡大断面図を示すよ
うに切断した各ベレソｌ−３１をテープ２及びリングフ
レームｌを介してチャックテーブル４に固定する。
工程をブロック図で示す。まず半導体ウェハ貼付工程で
は第２図に示すように半導体ウェハ３の径より十分大き
い径を有するリングフレームｊに半導体ウェハ貼付用の
テープ２を接着し、そのテープ２の表面の中心部に半導
体ウェハ３を貼付する。その結果リングフレーム１と半
導体ウェハ３の外周との間にはテープ２のみが存在する
間隙部を確保できる。次に切断工程に移り半導体ウェハ
３を接着したリングフレームｌ及びテープ２ごとチャッ
クテーブルに磁力と真空吸引力により固定しダイヤモン
ドカッタ等の回転ブレードにより半導体ウェハの縦横に
切り溝を入れる。この際切り溝は半導体ウェハ３の裏面
まで及ぶようにし、切断した各月はテープ２との接着力
で保持する。次に洗浄乾燥工程に移り、まず第３図（ａ
）に平面図及び同図（ｂ）に部分的拡大断面図を示すよ
うに切断した各ベレソｌ−３１をテープ２及びリングフ
レームｌを介してチャックテーブル４に固定する。
即ちリングフレーム１は磁力によりチャックテーブル４
に吸着させると共に、テープ２はチャックテーブル４に
設けた溝部４１が図示しない真空ポンプにより吸引され
真空状態となり吸着される。
に吸着させると共に、テープ２はチャックテーブル４に
設けた溝部４１が図示しない真空ポンプにより吸引され
真空状態となり吸着される。
この際テープ２の吸着する部分は半導体ペレット３１の
下部にはできるだけ設けないで半導体装置ハ３とリング
フレームｌとの間隙部でテープ２を吸着するよう、チャ
ックテーブル４の溝部４１は半導体ウェハ３の外延部と
なる位置に設けているこうして半導体ペレット３１をテ
ープ２を介してチャックテーブル４に固定し、チャック
テーブル４ごと回転させながら高圧の純水（１００ｋｇ
／ ｃＪを数１０秒噴出させて洗浄し、切断工程での切
屑等を排除する。洗浄後純水は止めて窒素を吹き付けな
がらチャックテーブル４の回転を続けて乾燥させる。
下部にはできるだけ設けないで半導体装置ハ３とリング
フレームｌとの間隙部でテープ２を吸着するよう、チャ
ックテーブル４の溝部４１は半導体ウェハ３の外延部と
なる位置に設けているこうして半導体ペレット３１をテ
ープ２を介してチャックテーブル４に固定し、チャック
テーブル４ごと回転させながら高圧の純水（１００ｋｇ
／ ｃＪを数１０秒噴出させて洗浄し、切断工程での切
屑等を排除する。洗浄後純水は止めて窒素を吹き付けな
がらチャックテーブル４の回転を続けて乾燥させる。
こうして洗浄乾燥されたベレット３１付きのリングフレ
ームｌは自動的にカセットに収納され、ダイボンディン
グ工程に移され、ペレット３１を１個１個ピックアップ
してリードフレームにダイボンディングされる。
ームｌは自動的にカセットに収納され、ダイボンディン
グ工程に移され、ペレット３１を１個１個ピックアップ
してリードフレームにダイボンディングされる。
第４図は本発明の他の実施例であるチャックテーブルへ
の固定方法を示す平面図で、この実施例ではチャックテ
ーブル４を円形にして溝部４１も円形に形成したもので
ある。
の固定方法を示す平面図で、この実施例ではチャックテ
ーブル４を円形にして溝部４１も円形に形成したもので
ある。
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハの切
断時は半導体ウェハの裏面まで完全に切り溝を入れ、次
の洗浄乾燥工程では半導体ウェハのない部分でテープを
真空吸着し、半導体ペレット裏面からは殆んど吸着しな
いため洗浄時にペレットが剥れて紛失することがなく、
また、後からブレーキング等の工程を必要とせず、ペレ
ットのかけ、割れ等による不良も発生せず歩留を大幅に
向上できると共に工数の低減も図れ、また信頼性向上に
も寄与する。
断時は半導体ウェハの裏面まで完全に切り溝を入れ、次
の洗浄乾燥工程では半導体ウェハのない部分でテープを
真空吸着し、半導体ペレット裏面からは殆んど吸着しな
いため洗浄時にペレットが剥れて紛失することがなく、
また、後からブレーキング等の工程を必要とせず、ペレ
ットのかけ、割れ等による不良も発生せず歩留を大幅に
向上できると共に工数の低減も図れ、また信頼性向上に
も寄与する。
第１図は本発明の製造工程を示すブロック図、第２図は
半導体ウェハ貼付工程でのウェハを貼付した状態を示す
平面図、第３図は洗浄乾燥工程での半導体ウェハをチャ
ックテーブルに固定する方法を示す図で、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂｌは部分的拡大断面図、第４図は本発
明の他の固定方法を示す平面図、第５図は従来の半導体
ウェハをチャックテーブルに固定する方法を示す図で同
図（ａｌは平面図、同図［ｂ）は部分的拡大図である。 １・・・リングフレーム、２・・・テープ、３・・・半
導体ウェハ、４・・・チャックテーブル、３１・・・半
導体ペレット、４１・・・溝部。
半導体ウェハ貼付工程でのウェハを貼付した状態を示す
平面図、第３図は洗浄乾燥工程での半導体ウェハをチャ
ックテーブルに固定する方法を示す図で、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂｌは部分的拡大断面図、第４図は本発
明の他の固定方法を示す平面図、第５図は従来の半導体
ウェハをチャックテーブルに固定する方法を示す図で同
図（ａｌは平面図、同図［ｂ）は部分的拡大図である。 １・・・リングフレーム、２・・・テープ、３・・・半
導体ウェハ、４・・・チャックテーブル、３１・・・半
導体ペレット、４１・・・溝部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リングフレーム円内にテープを接着し、該テープの表
面に半導体ウェハを貼付する工程と、該半導体ウェハを
各ペレットに切断するため回転ブレードにより所定の切
り溝を入れる切断工程と、該切り溝を入れた半導体ウェ
ハを真空吸引により固定して洗浄し乾燥する工程とから
なる半導体ウェハのダイシング方法において、 前記半導体ウェハ貼付工程で該リングフレームを該半導
体ウェハの径より大きくし該リングフレームと該半導体
ウェハの間に該テープのみが存在する間隙部を有せしめ
、前記切断工程で該半導体ウェハの裏面まで切り溝を入
れ、前記洗浄乾燥工程で該テープのみが存在する間隙部
を主体に真空吸引して固定し洗浄乾燥することを特徴と
する半導体ウェハのダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26909889A JP2860671B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26909889A JP2860671B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132056A true JPH03132056A (ja) | 1991-06-05 |
| JP2860671B2 JP2860671B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=17467647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26909889A Expired - Lifetime JP2860671B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860671B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054943A1 (fr) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Disco Corporation | Substrat support pour piece en forme de feuille mince |
| JP2009043771A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル機構および被加工物の保持方法 |
| JP2009045926A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-03-05 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | レーザーによって脆い物質で作られた平行平面板を複数の個々のプレートに分割する方法及び装置 |
| JP2012186287A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2012190977A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP26909889A patent/JP2860671B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054943A1 (fr) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Disco Corporation | Substrat support pour piece en forme de feuille mince |
| JP2009045926A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-03-05 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | レーザーによって脆い物質で作られた平行平面板を複数の個々のプレートに分割する方法及び装置 |
| JP2009043771A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル機構および被加工物の保持方法 |
| JP2012186287A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2012190977A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2860671B2 (ja) | 1999-02-24 |
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Legal Events
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