JPH04159750A - 半導体ウェハーのダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハーを個々の半導体素子（以下チッ
プと称する）に分割する半導体ウェハーのダイシング方
法に関し、特に半導体ウェハーを一面に粘着力を有する
シート（以下ダイシングシーＩ〜と称する）に保持して
、半導体ウェハーを完全切断してチップに分割するダイ
シング方法（以下フルカットと称する）に関する。

〔従来の技術〕

従来のフルカットでは、切削により発生した切屑を除去
する場合、第６図の平面図のように、ダイシングシ−１
・２に接着されダイシングリング３に保持された完全切
断された半導体ウェハー１１を回転させ、第７図の断面
図のように上方より洗浄水ノズル８より出された洗浄水
９を吹き付けて、チップ１の表面やチップ間に溜まった
切屑１０を除去している。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のフルカットでは、第６図のように完全切
断された半導体ウェハー１１をチップ間の間隔（以下チ
ップ間隔と称する）を拡大せずに洗浄する。そのなめ第
７図のように洗浄時のチップ間隔は狭くダイシングで使
用する刃の厚さとほぼ同じだけの距離しか離れていない
。従って洗浄水ノズル８から洗浄水９を吹付けても、チ
ップ間に洗浄水が十分に行きわたらずチップ１間に溜っ
た切屑１０をずへて排出し除去することが出来ない。

これらチップ間に溜った切屑は、外観検査やマウンｌ〜
工程でダイシンクシートからチップをピックアップする
際に飛散してチップのポンティングパッド上に付着する
。切屑か付着したボンデインクパッドでは、ボンティン
グしても十分なボンディング強度は得られない。また、
ピックアップする際にはチップ裏面にも付着してしまう
こともあり、チップ裏面に切屑を付着させたままリード
フレームにマウンＩ−しても、十分なマウント強度は得
られないという欠点を有する。

上述した従来のフルカッ１〜に対して、本発明は従来タ
イボンデインクの際、チップをピックアップするために
シーＩ・を引き延ばずのに使用していた装置をフルカッ
トにそのまま適用し、半導体ウェハーを完全切断後、チ
ップ間隔を拡大して洗浄水を吹きつ（′）、切屑を排出
し除去するという相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体ウェハーを完全切断して個々の半導体
素子に分割する半導体ウェハーのダイシング方法におい
て、半導体ウェハーをダイシンクシートに接着し完全切
断後ダイシンクシートを引き延ばし、個々の半導体素子
の相互間隔を拡大して洗浄水を吹きつけ切屑を除去する
半導体ウェハーのダイシング方法である。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。半導
体ウェハーを完全切断後、洗浄する際に回転するスピン
ナー５にダイシングリング３を固定し、その後口のよう
に上昇ステージ４を上昇させて第４図の平面図のように
ダイシングシート２を引き延ばし、チップ間隔を拡大す
る。その状態でスピンナー５が回転し、第５図の断面図
のように上方より洗浄水ノズル８から洗浄水９を吹付け
て洗浄する。洗浄後は上昇ステージ４を下降させて、第
６図のような状態にダイシングシー１・２を戻して次工
程Ｉ＼流ず。

第２図及び第３図は本発明の第２の実施例の縦断面図で
ある。第２の実施例は、第１の実施例と同しように上昇
ステージ４を」１昇させてチップ間隔を拡大させ、第２
図のように拡大リング６に」−から拡大キャップ７を被
せてダイシングシート２をはさみ込み、チップ間隔を拡
大した状態で拡大リング６に保持し、拡大リング６とダ
イシングリング３との間でダイシングシート２を切断し
て、拡大リング６とダイシングリング３とを切り離す。

そして上昇ステージ４を回転させて洗浄する。洗浄後は
第３図のように、チップ間隔を拡大した状態で拡大リン
グ６に保持して次工程へ流す。こうすることにより次工
程でダイシングシートからチップをピックアップする際
に、再度ダイシングシー１〜を引き延ばしてチップ間隔
を拡大する必要は無くなる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、第４図のように半導体ウ
ェハーを完全切断後チップ間隔を拡大して洗浄すること
により、第５図のように洗浄の際デツプ１とチップ１と
の間にきれいな洗浄水か十分に行きわたるため、チップ
間に溜まった切屑１０は完全に排出・除去される。

従って、チップ間に溜まった切屑が、ダイシンクシート
からチップをピックアップする際に、チップ表面のポン
ディングパッドやチップ裏面に付着することはないので
、チップ間に溜まった切り屑によるボンディング強度及
びマウント強度の低下は発生しない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図と第
３図は本発明の第２の実施例の縦断面図、第４図は本発
明においてチップ間隔を拡大した場合の半導体ウェハー
の平面図、第５図は第４図に示すフルカットさせた半導
体ウェハーの洗浄の様子を示す縦断面図、第６図は従来
のチップ間隔を拡大していない場合の半導体ウェハーの
平面図、第７図は第６図に示すフルカットされた半導体
ウェハーの洗浄の様子を示す縦断面図である。 ］・・・チップ、２・・・ダイシングシート、３・・・
タイシンブリング、４・・・上昇ステージ、５・・・ス
ピンナー、６・・・拡大リング、７・・・拡大キャップ
、８・・・洗浄水ノズル、９・・・洗浄水、１０・・・
切屑、１１・・完全切断された半導体ウェハー。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハーを完全切断して個々の半導体素子に分割
   する半導体ウェハーのダイシング方法において、半導体
   ウェハーをダイシングシートに接着し完全切断後ダイシ
   ングシートを引き延ばし、個々の半導体素子の相互間隔
   を拡大して洗浄水を吹きつけ切屑を除去することを特徴
   とする半導体ウェハーのダイシング方法。