JPH07147262A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH07147262A JPH07147262A JP29349593A JP29349593A JPH07147262A JP H07147262 A JPH07147262 A JP H07147262A JP 29349593 A JP29349593 A JP 29349593A JP 29349593 A JP29349593 A JP 29349593A JP H07147262 A JPH07147262 A JP H07147262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chips
- wafer
- split
- wax
- reinforcing substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、補強基板に貼り付けられたウエハ
を、補強基板とチップとが一体となったものに分割し
て、これを真空チャック治具で吸着して、その後の処理
を行い、ワックスの溶解時間の短縮、チップのバラツキ
の防止、自動化の対応そして歩留まりの向上を図ること
を目的とする。 【構成】 本発明は、ウエハの表面と補強基板とを、ワ
ックスで貼り付ける工程と、ウエハを薄層化し、選択メ
ッキで、ウエハにヒートシンクを形成する工程と、補強
基板付きウエハをチップに分割し、これを真空チャック
治具でまとめて吸着し、分割補強基板の分離、洗浄など
を一括して行う工程と、よりなる半導体デバイスの製造
方法である。
を、補強基板とチップとが一体となったものに分割し
て、これを真空チャック治具で吸着して、その後の処理
を行い、ワックスの溶解時間の短縮、チップのバラツキ
の防止、自動化の対応そして歩留まりの向上を図ること
を目的とする。 【構成】 本発明は、ウエハの表面と補強基板とを、ワ
ックスで貼り付ける工程と、ウエハを薄層化し、選択メ
ッキで、ウエハにヒートシンクを形成する工程と、補強
基板付きウエハをチップに分割し、これを真空チャック
治具でまとめて吸着し、分割補強基板の分離、洗浄など
を一括して行う工程と、よりなる半導体デバイスの製造
方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを補強基板に貼
り付けて製造する半導体デバイスの製造方法に関する。
り付けて製造する半導体デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓパワーＦＥＴは、活性層
で発生する熱を逃しやすくするため、ＧａＡｓウエハを
３０μｍ程度に薄層化して、このウエハ裏面にヒートシ
ンクとして、メッキが施される。このウエハの薄層化お
よびメッキは、その表面の加工終了後に行われるが、ウ
エハを、上記のように、極めて薄くするので、ウエハ単
体で処理することは不可能である。したがって、図７に
示すように、ＧａＡｓウエハ１１を補強するため、ウエ
ハ１１の薄層化前に、ウエハ１１に、ガラス、シリコン
等の補強基板１２を、ワックス１３で貼り付けている。
通常、図８に示すように、ウエハ１１の薄層化後、分割
ライン１４を除く選択メッキで、ヒートシンク１５を形
成する。次に、図９に示すように、このヒートシンク１
５をマスクとして、ウエハ１１をエッチングして、チッ
プ１１ａを作製する。そして、エッチング後、溶剤を用
いてワックス１３を溶かし、チップ１１ａを補強基板１
２から分離する。
で発生する熱を逃しやすくするため、ＧａＡｓウエハを
３０μｍ程度に薄層化して、このウエハ裏面にヒートシ
ンクとして、メッキが施される。このウエハの薄層化お
よびメッキは、その表面の加工終了後に行われるが、ウ
エハを、上記のように、極めて薄くするので、ウエハ単
体で処理することは不可能である。したがって、図７に
示すように、ＧａＡｓウエハ１１を補強するため、ウエ
ハ１１の薄層化前に、ウエハ１１に、ガラス、シリコン
等の補強基板１２を、ワックス１３で貼り付けている。
通常、図８に示すように、ウエハ１１の薄層化後、分割
ライン１４を除く選択メッキで、ヒートシンク１５を形
成する。次に、図９に示すように、このヒートシンク１
５をマスクとして、ウエハ１１をエッチングして、チッ
プ１１ａを作製する。そして、エッチング後、溶剤を用
いてワックス１３を溶かし、チップ１１ａを補強基板１
２から分離する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来製造方法においては、一枚のＧａＡｓウエハ１１には
チップ１１ａが数百から数千個あるが、エッチング後の
ワックス１３の剥離の際に、規則正しく配置されていた
チップ１１ａがランダムになりやすく、自動機によるピ
ックアップが困難になるとともに、チップ１１ａに傷が
つく懸念がある。ヒートシンク１５形成後に、ＧａＡｓ
ウエハ１１ごと補強基板１２から剥離することも考えら
れるが、図９のように、チップ１１ａ間から溶剤が侵入
しにくいので、ワックス１３が溶解するのに時間がかか
るとともに、剥離後のウエハ１１の強度が弱く、ハンド
リングが困難である。
来製造方法においては、一枚のＧａＡｓウエハ１１には
チップ１１ａが数百から数千個あるが、エッチング後の
ワックス１３の剥離の際に、規則正しく配置されていた
チップ１１ａがランダムになりやすく、自動機によるピ
ックアップが困難になるとともに、チップ１１ａに傷が
つく懸念がある。ヒートシンク１５形成後に、ＧａＡｓ
ウエハ１１ごと補強基板１２から剥離することも考えら
れるが、図９のように、チップ１１ａ間から溶剤が侵入
しにくいので、ワックス１３が溶解するのに時間がかか
るとともに、剥離後のウエハ１１の強度が弱く、ハンド
リングが困難である。
【０００４】したがって、本発明は、補強基板に貼り付
けられたウエハを、補強基板とチップとが一体となった
ものに分割して、これを真空チャック治具で吸着して、
その後の処理を行い、ワックスの溶解時間の短縮、チッ
プのバラツキの防止、自動化の対応そして歩留まりの向
上を図ることを目的とする。
けられたウエハを、補強基板とチップとが一体となった
ものに分割して、これを真空チャック治具で吸着して、
その後の処理を行い、ワックスの溶解時間の短縮、チッ
プのバラツキの防止、自動化の対応そして歩留まりの向
上を図ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハの表面
と補強基板とを、ワックスで貼り付ける工程と、ウエハ
を薄層化し、選択メッキで、ウエハにヒートシンクを形
成する工程と、補強基板付きウエハをチップに分割し、
これを真空チャック治具でまとめて吸着し、分割補強基
板の分離、洗浄などを一括して行う工程と、よりなる半
導体デバイスの製造方法である。
と補強基板とを、ワックスで貼り付ける工程と、ウエハ
を薄層化し、選択メッキで、ウエハにヒートシンクを形
成する工程と、補強基板付きウエハをチップに分割し、
これを真空チャック治具でまとめて吸着し、分割補強基
板の分離、洗浄などを一括して行う工程と、よりなる半
導体デバイスの製造方法である。
【０００６】
【作用】本発明は、補強基板に貼り付けられたウエハ
を、チップに分割かつ分離する場合に、補強基板をウエ
ハ同様に切断分割し、分割補強基板とチップとが一体と
なったものを真空チャック治具で吸着して、その後の処
理を行うので、ワックス溶解時に、チップ間から溶剤が
入り込み、短時間で分割補強基板を剥離することがで
き、しかもチップが真空チャック治具で固定されている
ので、散らばることがない。
を、チップに分割かつ分離する場合に、補強基板をウエ
ハ同様に切断分割し、分割補強基板とチップとが一体と
なったものを真空チャック治具で吸着して、その後の処
理を行うので、ワックス溶解時に、チップ間から溶剤が
入り込み、短時間で分割補強基板を剥離することがで
き、しかもチップが真空チャック治具で固定されている
ので、散らばることがない。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１において、１は表面加工の終了したＧ
ａＡｓウエハで、ウエハ１の表面と補強基板２とを、ワ
ックス３で貼り付ける。次に、ウエハ１を３０μｍ程度
に薄層化し、図２に示すように、分割ライン４を除く選
択メッキで、ウエハにヒートシンク５を形成する。次
に、図３に示すように、ヒートシンク５をマスクとし
て、ウエハ１をエッチングする。
て説明する。図１において、１は表面加工の終了したＧ
ａＡｓウエハで、ウエハ１の表面と補強基板２とを、ワ
ックス３で貼り付ける。次に、ウエハ１を３０μｍ程度
に薄層化し、図２に示すように、分割ライン４を除く選
択メッキで、ウエハにヒートシンク５を形成する。次
に、図３に示すように、ヒートシンク５をマスクとし
て、ウエハ１をエッチングする。
【０００８】次に、図４に示すように、分割ライン４
（エッチングライン）に沿ってダイサーで、補強基板２
をフルカットして、分割補強基板２ａ付きチップ１ａに
分割する。次に、図５に示すように、真空チャック治具
６を用いて、分割補強基板２ａ付きチップ１ａを吸着す
る。次に、分割補強基板２ａ付きチップ１ａをまとめて
吸着している治具６を、溶剤に浸漬してチップ１ａと分
割補強基板２ａとの間のワックスを溶解し、図６に示す
ように、分割補強基板２ａを剥離する。その後、チップ
１ａを、チップ１ａが治具６に取り付けられている状態
のままで、水洗および脱水を行う。そして、治具６の向
きを変えてチップ１ａを上にする。以上で、チップ１ａ
の分離が終了する。
（エッチングライン）に沿ってダイサーで、補強基板２
をフルカットして、分割補強基板２ａ付きチップ１ａに
分割する。次に、図５に示すように、真空チャック治具
６を用いて、分割補強基板２ａ付きチップ１ａを吸着す
る。次に、分割補強基板２ａ付きチップ１ａをまとめて
吸着している治具６を、溶剤に浸漬してチップ１ａと分
割補強基板２ａとの間のワックスを溶解し、図６に示す
ように、分割補強基板２ａを剥離する。その後、チップ
１ａを、チップ１ａが治具６に取り付けられている状態
のままで、水洗および脱水を行う。そして、治具６の向
きを変えてチップ１ａを上にする。以上で、チップ１ａ
の分離が終了する。
【０００９】上記の場合には、ウエハ１をエッチングし
てチップ１ａに分割しているが、ウエハ１と補強基板２
とを、ダイサーで同時に切断分割してもよい。
てチップ１ａに分割しているが、ウエハ１と補強基板２
とを、ダイサーで同時に切断分割してもよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、以上のように、補強基板に貼
り付けられたウエハを、チップに分割かつ分離する場合
に、補強基板をウエハ同様に切断分割し、分割補強基板
とチップとが一体となったものを真空チャック治具で吸
着して、その後の処理を行うので、ワックス溶解時に、
チップ間から溶剤が入り込み、短時間で分割補強基板を
剥離することができ、しかもチップが真空チャック治具
で固定されているので、散らばることがなく、歩留まり
を上げることができ、また自動化が可能なので、量産性
を上げることができる。
り付けられたウエハを、チップに分割かつ分離する場合
に、補強基板をウエハ同様に切断分割し、分割補強基板
とチップとが一体となったものを真空チャック治具で吸
着して、その後の処理を行うので、ワックス溶解時に、
チップ間から溶剤が入り込み、短時間で分割補強基板を
剥離することができ、しかもチップが真空チャック治具
で固定されているので、散らばることがなく、歩留まり
を上げることができ、また自動化が可能なので、量産性
を上げることができる。
【図１】 本実施例においてウエハを補強基板に貼り付
ける工程図
ける工程図
【図２】 ウエハにヒートシンクを設ける工程図
【図３】 ウエハをエッチングする工程図
【図４】 補強基板を切断する工程図
【図５】 真空チャック治具でチップをまとめて吸着す
る工程図
る工程図
【図６】 分割補強基板を分離する工程図
【図７】 従来例においてウエハを補強基板に貼り付け
る工程図
る工程図
【図８】 ウエハにヒートシンクを設ける工程図
【図９】 ウエハをエッチングする工程図
１ ウエハ １ａ チップ ２ 補強基板 ２ａ 分割補強基板 ３ ワックス ４ 分割ライン ５ ヒートシンク ６ 真空チャック治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 29/812 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｐ Ｌ Ｓ 7376−4Ｍ 29/80 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】ウエハの表面と補強基板とを、ワックスで
貼り付ける工程と、 ウエハを薄層化し、選択メッキでウエハにヒートシンク
を形成する工程と、 補強基板付きウエハをチップに分割し、これを真空チャ
ック治具でまとめて吸着して、分割補強基板の分離、洗
浄などを一括して行う工程と、よりなる半導体デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29349593A JPH07147262A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29349593A JPH07147262A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147262A true JPH07147262A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17795481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29349593A Pending JPH07147262A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147262A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353169A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Apic Yamada Corp | ワーク搬送装置及びダイシング装置 |
| JP2003163180A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Apic Yamada Corp | ワーク搬送装置及びダイシング装置 |
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
| WO2008114806A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008244132A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2016201511A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 株式会社ディスコ | 搬出治具 |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP29349593A patent/JPH07147262A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353169A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Apic Yamada Corp | ワーク搬送装置及びダイシング装置 |
| JP4649059B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2011-03-09 | アピックヤマダ株式会社 | ワーク搬送装置及びダイシング装置 |
| JP2003163180A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Apic Yamada Corp | ワーク搬送装置及びダイシング装置 |
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
| WO2008114806A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008227284A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8187949B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-05-29 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008244132A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2016201511A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 株式会社ディスコ | 搬出治具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10026605B2 (en) | Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die | |
| US4729971A (en) | Semiconductor wafer dicing techniques | |
| US8664089B1 (en) | Semiconductor die singulation method | |
| US20020037631A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| JPH076983A (ja) | チップに切断後のｉｃのウエハ形態での加工処理法 | |
| US9034733B2 (en) | Semiconductor die singulation method | |
| JP2004055684A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US10403506B2 (en) | Separation of workpiece with three material removal stages | |
| JPH09167779A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001127010A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5457072A (en) | Process for dicing a semiconductor wafer having a plated heat sink using a temporary substrate | |
| KR20110124281A (ko) | 스크라이브-라인 스루 실리콘 비아 | |
| US7846776B2 (en) | Methods for releasably attaching sacrificial support members to microfeature workpieces and microfeature devices formed using such methods | |
| JPH07147262A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2005353707A (ja) | 半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法 | |
| JP4046645B2 (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP2860671B2 (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JPH08213347A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003124147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6323655B2 (ja) | ||
| JP2665062B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04336448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003086540A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
| JPH01108008A (ja) | 半導体ウェハの切断方法 |