JPH08213347A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH08213347A
JPH08213347A JP1493795A JP1493795A JPH08213347A JP H08213347 A JPH08213347 A JP H08213347A JP 1493795 A JP1493795 A JP 1493795A JP 1493795 A JP1493795 A JP 1493795A JP H08213347 A JPH08213347 A JP H08213347A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
dicing
cutting
cut
adhesive tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1493795A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ozaki
彰 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP1493795A priority Critical patent/JPH08213347A/ja
Publication of JPH08213347A publication Critical patent/JPH08213347A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】テープフレーム5に貼り渡された2枚の粘着テ
ープ(強粘着テープ3及び弱粘着テープ4)を用いて固
定した半導体ウエハ1をフルカットによりダイシング工
程において、半導体ウエハ1からペレットを切断分離す
るためのダイシングブレードのX軸、Y軸及びZ軸の動
作制御を行い、前記半導体ウエハ1の外側までダイシン
グブレードが動かないようにし、X軸及びY軸のダイシ
ングライン2を切断して残りしろを設ける。つまり、半
導体ウエハの外枠部を残したままダイシング装置により
X軸及びY軸のダイシングライン2を切断する。 【効果】半導体ウエハの外枠部を設けて、前記外枠部を
残すようにダイシングラインを切断することにより、粘
着テープの引っ張り応力の開放を防ぐことができる。こ
れにより、ペレットの変位等によるクラックが生じにく
くなり、ペレット配線部の断線等の不良が低減され、ダ
イシング工程における製品の信頼性及び歩留を向上でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はダイシング技術、特に、
配線処理の終了した半導体ウエハをキャリア治具に粘着
テープを張り渡した上に貼り付け固定し、前記半導体ウ
エハを個々の半導体ペレットにフルカットにより切断・
分離を行うダイシング技術に利用して有効なものであ
る。
【0002】
【従来の技術】配線処理の終了した半導体ウエハから個
々の半導体ペレット(以下、ペレットとする)に切断・
分離を行う半導体ウエハのペレッタイズ工程のダイシン
グに関しては、1983年7月25日株式会社サイエン
スフォーラム社発行による「最新半導体工場自動化シス
テム」総合技術集成の134頁から138頁に記載され
ている。その概要は、治具から半導体ウエハが搬出され
プリアライメント部へ送られる。プリアライメント部で
はウエハ外周のフラット部(以下、オリフラとする)を
基準にアライメントされベルヌーイチャックにて切断テ
ーブル上に運ばれ、顕微鏡でXY方向のアライメントが
行なわれる。その後切断位置に送りこまれ、データに基
づき、X及びY方向の切断が行なわれる。切断終了後の
半導体ウエハは、認識装置による切り残しチェックが行
なわれた後、ベルヌーイチャックによりスピンナー洗浄
テーブルに搬送される。そして高圧ジェットにより水洗
された半導体ウエハは別のベルヌーイチャックにより収
納ベルトに乗せられ、治具に収納されるというように、
一般的な半導体ウエハのペレッタイズ工程のダイシング
技術の記載がされている。
【0003】従来、上記したようなダイシング技術に関
しては、例えば、キャリア治具(以下、テープフレーム
とする)に、図4に示すように強粘着テープ及び弱粘着
テープの2枚用いて半導体ウエハの裏面を貼付固定する
方式が採用されている。1は被処理物である半導体ウエ
ハであり、半導体ウエハ1の上には集積回路(半導体チ
ップ)が形成されている。2はカッティングラインであ
り、従来のダイシング方法でスクライブラインをダイシ
ングブレードにより切断する領域であり、この領域を切
断することにより前記半導体ウエハ1は個々のペレット
に切断・分離される。3、4は粘着テープであり、配線
処理の終了した前記半導体ウエハ1を後述するテープフ
レーム5に貼付け固定するものである。粘着テープは強
粘着テープ3及び弱粘着テープ4の2種類を用いて、フ
ルカットによる切断時に粘着テープを切断してしまうの
を防止している。さらに、強弱の粘着テープを用いるの
に関しては、半導体ウエハを取り付けるときは強力に、
そして、後述するダイソータによるペレット突き上げ時
に、ペレットが粘着テープから簡単に取り外せるように
するために用いている。粘着テープを2つ用いた技術に
関しては、例えば特開昭59−188940号公報に記
載がある。
【0004】又、ダイシング工程が完了した半導体ウエ
ハは、ダイソータ(ペレット分類器)において、良品ペ
レットだけをダイソータの突き上げにより粘着テープか
ら取外し、リードフレームのタブ部にペースト材をつけ
た上で、前記ペレットを前記タブ上にダイボンディング
していき、半導体装置の組立工程が進んでいくものであ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述したフルカットに
よる半導体ウエハのダイシング方法においては、半導体
ウエハに弱粘着テープを貼付る際、作業者が粘着テープ
にシワを発生させないように、粘着テープを引っ張り応
力を加えながら半導体ウエハの裏面に貼付ているため、
半導体ウエハに粘着テープの引っ張り応力が引っ張り方
向(例えば、図4の矢印方向)に発生してしまう。そし
て、前記半導体ウエハをダイシング装置(以下、ダイサ
ーという)によりフルカットダイシングしていくにつれ
て、前記粘着テープに加えられた引っ張り応力が徐々に
開放されてしまう。そのため、引っ張り応力の開放によ
り切断途中のペレットが変位してしまい、高速回転する
ダイシングブレードと切断途中のペレットとの接触等が
起こり、ペレット境界部からクラックが発生してしまう
ような問題がある。このクラックは、ペレット配線部を
切断させるおそれがあり、製品の信頼性及び歩留を低下
させることにもつながる。例えば、ダイシング工程にお
いて、ダイサーのダイシングブレードにより被処理物で
ある半導体ウエハのスクライブラインをフルカットダイ
シングにより切断中に、前記ダイシングブレードが前記
半導体ウエハのカッティングラインの長さの約9/10
にさしかかった時、半導体ウエハの切り残っているカッ
ティングラインが前記引っ張り応力の開放に耐えきれず
に割れてしまい、そのペレットのクラックが前の工程で
施した配線処理を切断してしまうというような不良が生
じる。
【0006】又、例えば半導体ウエハをダイサーにより
個々のペレットにフルカットでダイシングしていくと、
図6に示すような半導体ウエハ端部の配線工程の施され
ていない小さな片1a部分を切断する際に、前記小さな
片1aが弾き飛ばされてしまい、その弾き飛ばされた小
さな片がチップ上に落ちて不良を引き起こしたり、また
は、前記小さな片1aがダイシングブレードにぶつかっ
て前記ダイシングブレードが破損されてしまうような問
題も発生する。
【0007】さらに、配線処理の終了した半導体ウエハ
から個々のペレットへの切断により、粘着テープの引っ
張り応力が徐々に開放されていく。その結果、引っ張り
方向に対応するペレット間の幅が狭くなってしまう。こ
れはペレットサイズの小さな製品においては、位置ずれ
はほとんど発生しないが、ペレットサイズの大きい製品
になると位置ずれの問題が顕著に現われてくる。前記し
た位置ずれの問題は、ダイソータによるペレット突き上
げの位置から大幅にズレてしまうペレットが発生する。
そして、位置が大幅にずれてしまったペレットについて
は、ダイソータによるペレットの突き上げ位置からズレ
てしまうため、ペレット突き上げの際にペレットが落下
するような問題も発生する。以上のような問題点が発生
することが本発明者によって明らかにされた。
【0008】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハを
個々のペレットへフルカットにより切断分離を行なうダ
イシング方法において、切断後に引っ張り応力を開放さ
せないで信頼性及び歩留の向上できる半導体ウエハのダ
イシング方法を提供することである。
【0009】又、本発明の他の目的は、半導体ウエハを
個々のペレットにフルカットにより切断分離を行なうダ
イシング方法において、半導体ウエハ外周の配線処理の
施されていない小さい片の飛散を防ぐことができる半導
体ウエハのダイシング方法を提供することである。
【0010】さらに、本発明の他の目的は、半導体ウエ
ハを個々のペレットへフルカットにより切断分離を行う
ダイシング方法において、ダイソータによるペレット突
き上げ時の突き上げ位置の変動を防ぐことができる半導
体ウエハのダイシング方法を提供することである。
【0011】なお、本発明の上記並びにその他の目的
と、新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明
らかになるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【0013】(1)即ち、キャリア治具に貼付られた強
弱2種類の粘着テープ上に貼付固定された半導体ウエハ
をフルカットダイシングにより個々の半導体ペレットに
分離を行う半導体ウエハのダイシング技術において、半
導体ウエハの外周部を切り残して前記半導体ウエハを個
々のペレットに分離するように、ダイシング装置のダイ
シングブレードを動作制御するようにしたものである。
【0014】(2)キャリア治具に貼付られた強弱2種
類の粘着テープ上に貼付固定された半導体ウエハをフル
カットダイシングにより個々の半導体ペレットに分離を
行う半導体ウエハのダイシング技術において、少なくと
も半導体ウエハを固定する際に粘着テープにかかった引
っ張り応力の働く方向の両端の外枠を切り残すようにダ
イシング装置のダイシングブレードの動作制御を行うよ
うにしたものである。
【0015】
【作用】(1)の手段によれば、半導体ウエハの外周部
を切り残して個々のペレットに切断分離することによ
り、切り残された半導体ウエハの外周部が弱粘着テープ
の枠部となり、前記枠部によって粘着テープに加わって
いる引っ張り応力の開放を防止することができるという
ものである。
【0016】さらに、半導体ウエハの外周部を切り残し
ているために、従来方法では発生していた半導体ウエハ
外周部の配線処理のされていない小さな片部分の存在そ
のものを無くすことができる。したがって、従来方法で
発生していた小さい片の飛び散りの問題を解決できる。
【0017】(2)の手段によれば、(1)の効果で示
した効果の他に、一枚の半導体ウエハから採取できる半
導体ペレットの数量を前記(1)の手段を用いた場合よ
りも増やすことができる。
【0018】
【実施例】 (実施例1)以下、本発明の一実施例を図面を用いて具
体的に説明する。
【0019】図1は、本発明により行った半導体ウエハ
のカッティングラインを示す平面図である。図2は、全
自動ダイシング装置の動作概略図である。図3は、図1
のI−I間におけるダイシング途中の水平方向断面図で
ある。
【0020】図1により本実施例の切断について説明す
る。1は半導体ウエハであり、前記半導体ウエハ上には
半導体チップが形成されており、ダイシングにより個々
のペレットに切断されるダイシング工程の被処理物であ
る。2aは本実施例のダイシング工程におけるカッティ
ングラインであり、後述するダイシングブレードにより
切断されるペレット間(スクライブエリア)においてダ
イシングブレードにより切断される領域を示すラインで
ある。3、4は粘着テープであり、半導体ウエハ1がフ
ルカットのダイシングにより個々のペレットに切断され
ても、前記ペレットの位置関係等がバラバラにならない
ように後述するテープキャリア5に前記粘着テープを貼
付た上に前記半導体ウエハ1を貼付固定している。前記
粘着テープは、強粘着テープ3及び弱粘着テープ4の2
種類を用いて、カッティングライン2aのフルカットに
よる切断時にテープの切断を防止すること及び半導体ウ
エハを貼付るときは強力に貼り付け、ダイソータ突き上
げ時に粘着テープからペレットを簡単に取り外すことが
できるようにしている。5はテープフレームであり、該
テープフレームに前記強粘着テープを張り渡し半導体ウ
エハを固定すると共に半導体ウエハを搬送する際にチャ
ックする為の部分である。
【0021】図2を用いて、本発明のダイシング装置の
動作概略を説明する。6はラックであり、上記したよう
にテープキャリアに貼付固定された半導体ウエハ1が収
納されている。7はチャックテーブルであり、搬送され
てきた半導体ウエハ1をオリフラを基準に約1.5°程
度のアライメントする。8は認識装置であり、双対物顕
微鏡によりX及びY方向のアライメントする。9はダイ
シングブレードであり、ダイヤモンドの粒をボンド材で
固めたもので、厚さ15〜50μmのダイヤモンドブレ
ードを20,000〜30,000rpmで高速回転さ
せペレット間の境界部分を切断していくものである。
【0022】上記のようにキャリアテープ5に貼り渡し
た粘着テープにより固定された半導体ウエハ1は前記ラ
ックに装着されている。前記ラック6から半導体ウエハ
1は搬出され、ダイシング装置にローダされる。そし
て、前記半導体ウエハ1はチャックテーブル7に一枚ず
つ搬送される。チャックテーブル7では、オリフラを基
準に約1.5°程度の誤差までアライメントされる。前
記チャックテーブル7では搬送されてきた半導体ウエハ
1が吸着固定され、双対物顕微鏡付の認識装置8により
X及びY方向のアライメントが行われる。アライメント
が終了した前記半導体ウエハ1は、半導体ウエハの切断
に用いられるダイシングブレード9の設けられている位
置まで前記チャックテーブル7ごと移動する。そして、
データに基づいてダイシングブレードをプログラム制御
し、半導体ウエハ1のカッティングラインの切断加工が
行われる。前記切断加工は、チャックテーブルを90°
回転させることによりチャックされた半導体ウエハの向
きを変えて、半導体ウエハのX及びY軸方向のカッティ
ングラインについて行われる。このダイシング方法の詳
細については後述する。切断終了後、前記半導体ウエハ
1は前記チャックテーブル7ごと元の位置まで戻り、前
記認識装置8により切り残しチェックが行われる。そし
て、チェックの終了した半導体ウエハ1は次のステージ
であるスピンナー洗浄テーブル(図示せず)に搬送さ
れ、高圧ジェットによりスピンナー洗浄される。スピン
ナー洗浄終了後の半導体ウエハ1はラック6に収納され
る。ここまでの工程は繰り返し行われていく。
【0023】図3は本発明のダイシングブレードの動作
制御を示す図1のI−I間の断面図であり、図3により
本発明のダイシングブレードの動作制御について説明す
る。テープフレーム5に張り渡した粘着テープ上に貼付
た半導体ウエハ1がチャックテーブル7上に吸着固定さ
れる。そして、半導体ウエハの切断を行なうダイシング
ブレード9を高速回転させ、前記ダイシングブレード9
を点線で示すようにダイシングブレードの軌跡9aを半
導体ウエハ1上のカッティングラインだけでしか動作し
ないように、プログラムによりダイシングブレード9の
X、Y及びZ軸方向の動作を制御し(ダイシングブレー
ドのX軸方向の動作をチャックテーブルのX軸方向の動
作で行っても可)、半導体ウエハ1上のペレット境界部
に設けられているカッティングライン2aの切断を行な
う。つまり、半導体ウエハのカッティングライン2aに
示した範囲をフルカットでダイシングするようにダイシ
ングブレードの動作制御し、半導体ウエハの外周部に切
り残し部を設けるように切断するものである。前記切り
残し部は、例えば半導体ウエハ端部から約10mm程度
としている。このダイシングブレードによる半導体ウエ
ハの切断時には、前記ダイシングブレードの冷却ならび
に切りくず洗浄の為に水を使用している。
【0024】又、本発明のダイシングブレードの動作に
おける制御プログラムの項目としては、次のものが挙げ
られる。カットする半導体ウエハのウエハサイズの設
定(例えば、2.5〜6インチ)、X及びY方向のピ
ッチ(ペレットサイズの設定)、半導体ウエハの切り
残し量の設定、カット時のダイシングブレードの送り
スピードの設定を行う。
【0025】前記4つの設定等をキーボード上でインプ
ットしデータNo.を付けてストックする。ダイシング
作業時にはそのデータNo.を指定して作業を開始す
る。前記半導体ウエハの切断制御は、半導体ウエハの縦
横のカッティングライン2bについて行われる。又、半
導体ウエハ上のペレット間の境界部の切断を行うための
ダイシングブレードは、例えば直径約50mm、厚さ1
5〜50μmのダイヤモンドブレードを用いて行われ
る。
【0026】上記したようにテープフレームに貼り渡さ
れた粘着テープ上に貼付固定された半導体ウエハの外周
部を切り残すことにより、半導体ウエハの外周部が枠と
なり粘着テープの引っ張り応力の開放を防止することが
できる。そのため、ダイシング装置による切断途中のペ
レットの両端はウエハ外周部の切り残しの枠部で支えら
れる。したがって、ペレットの変位等によるクラックの
発生などによるペレット配線部の断線等の問題が低減さ
れ、ダイシング工程において製品の信頼性及び歩留が向
上することができる。
【0027】さらに、半導体ウエハの外周部を切り残し
ているために、従来方法では発生していた半導体ウエハ
端部の配線処理のされていない小さな片部分の飛散の問
題も前記配線処理のされてない小さな片の存在そのもの
を無くすことができる。したがって、従来方法で発生し
ていた小さい片の飛び散りを防止することができ、前記
小さい片の飛散が原因による半導体ペレットの不良を低
減することができる。
【0028】又、ダイシング工程の完了した半導体ウエ
ハ1は、図示しないダイソータ(ペレット分類器)にお
いて、半導体ウエハ上の良品ペレットだけを下方から突
き上げ粘着テープから取外し、突き上げられた前記良品
のペレットを搬送装置(図示しない)において真空吸着
により搬送し、ペースト材をしかれたリードフレーム
(図示せず)のタブ部(図示せず)上にダイボンディン
グしていくものである。
【0029】上記したように半導体ウエハの外周部に切
り残し部を設け、粘着テープの引っ張り応力開放を防止
したことにより、引っ張り応力開放によるペレットの位
置ズレが発生しなくなり、ダイソータによるペレット突
き上げ時に発生していたペレットのズレによるペレット
落下等の問題も無くすことができる。
【0030】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0031】例えば、本実施例では切断機構の制御を動
作制御プログラムにより行った場合について説明した
が、半導体ウエハの端部をセンサ等により検知し、ダイ
シングブレードのZ軸の動作制御用モータにフィードバ
ックし、半導体ウエハの外周部を切り残しを設けるよう
に制御してもよい。
【0032】(実施例2)本発明の他の一実施例を図面
を用いて具体的に説明する。
【0033】図5は、本発明のダイシング方法により行
った半導体ウエハのカッティングラインを示す平面図で
ある。1は半導体ウエハであり、ダイシングにより個々
のペレットに切断されるダイシング工程の被処理物であ
る。2cは本実施例のダイシング工程におけるカッティ
ングラインであり、後述するダイシングブレードにより
切断されるペレット間(スクライブエリア)においてダ
イシングブレードにより切断される領域を示すラインで
ある。そして、本実施例のカッティングライン2cは後
述する粘着テープの貼り付けの際に加えられる引っ張り
応力のかかる方向について、半導体ウエハ1の外周部を
残し引っ張り応力の開放を抑え切断を行うようにしたも
のである。3、4は粘着テープであり、半導体ウエハ1
がフルカットのダイシングにより個々のペレットに切断
されても、前記ペレットの位置関係等がバラバラになら
ないように後述するテープキャリア5に前記粘着テープ
を貼付た上に前記半導体ウエハ1を貼付固定している。
前記粘着テープは強粘着テープ3及び弱粘着テープ4の
2種類を用いて、カッティングラインのフルカットによ
る切断時にテープの切断を防止すること、及び半導体ウ
エハを貼付るときは強力に貼り付け、ダイソータ突き上
げ時に粘着テープからペレットを簡単に取り外すことが
できるようにしている。5はテープフレームであり、該
テープフレームに前記強粘着テープ3を張り渡し半導体
ウエハ1を固定すると共に半導体ウエハを搬送する際に
チャックする部分に用いられる。
【0034】図2を用いて、本発明のダイシング装置の
動作概略を説明する。6はラックであり、上記したよう
にテープキャリアに貼り付け固定された半導体ウエハが
収納されている。7はチャックテーブルであり、搬送さ
れてきた半導体ウエハ1をオリフラを基準にして約1.
5゜程度のアライメントする。8は認識装置であり、チ
ャックテーブル7に設けられており双対物顕微鏡により
X及びY方向のアライメントする。9はダイシングブレ
ードでありダイヤモンドの粒をボンド材で固めたもの
で、厚さ15〜50μmのダイヤモンドブレードを2
0,000〜30,000rpmで高速回転差せペレッ
ト間の境界部分を切断していくものである。
【0035】次にダイシング方法について説明する。上
記したようにキャリアテープ5に貼り渡した粘着テープ
により固定された半導体ウエハ1は前記ラック6に装着
されている。前記ラック6から半導体ウエハ1は搬出さ
れ、ダイシング装置にローダされる。そして、前記半導
体ウエハ1はチャックテーブル7に一枚ずつ搬送されて
いく。前記チャックテーブル7では搬送された半導体ウ
エハ1が吸着固定され、双対物顕微鏡付の認識装置8に
よりX、Y方向のアライメントが行われる。アライメン
トが終了した前記半導体ウエハ1は、半導体ウエハの切
断に用いられるダイシングブレード9の設けられている
位置まで前記チャックテーブル7ごと移動する。そし
て、データに基づいてダイシングブレードをプログラム
制御し、半導体ウエハ1のカッティングラインの切断加
工が行われる。前記切断加工は、チャックテーブルを9
0°回転させることによりチャックされた半導体ウエハ
の方向を変えて半導体ウエハのX、Y軸方向のカッティ
ングラインについて行われる。このダイシング方法の詳
細については後述する。切断終了後、前記半導体ウエハ
1は前記チャックテーブル7ごと元の位置まで戻り、前
記認識装置8により切り残しチェックが行われる。そし
て、チェックの終了した半導体ウエハ1は次のステージ
である図示しないスピンナー洗浄テーブルに搬送され、
高圧ジェットによりスピンナー洗浄される。スピンナー
洗浄終了後の半導体ウエハ1はラック2に収納される。
ここまでの工程は繰り返し行われていく。
【0036】半導体ウエハの切断の際のダイシングブレ
ードの動作制御について説明する。半導体ウエハの引っ
張り応力のかかる方向の半導体ウエハの切断におけるダ
イシングブレードの動作制御について説明する。まず、
図3に示した実施例1のダイシングブレードの動作制御
と同様にテープフレーム5に張り渡した粘着テープ上に
貼付た半導体ウエハ1がチャックテーブル7上に吸着固
定される。そして、半導体ウエハの切断を行なうダイシ
ングブレード9を高速回転させ、前記ダイシングブレー
ド9を点線で示すようにダイシングブレードの軌跡を半
導体ウエハ1上のカッティングラインだけでしか動作し
ないように、プログラムによりダイシングブレード9の
X、Y及びZ軸方向の動作を制御し、半導体ウエハ1上
のペレット境界部に設けられているカッティングライン
2cの切断を行なう。つまり、半導体ウエハの外周端部
から例えば10mm程度残したカッティングライン2c
だけをフルダイシングするようにダイシングブレードの
動作制御し、半導体ウエハの外枠を残して切断するもの
である。次に、引っ張り応力の影響のない方向の半導体
ウエハの切断におけるダイシングブレードの動作制御に
ついて説明する。前記引っ張り応力の係る方向の切断が
終了した状態からチャックテーブル7が90°回転す
る。そして、ダイシングブレード9を半導体ウエハのカ
ッティングラインの端部から反対側の端部まで、図5の
ダイシングブレードの軌跡9aに示すようにダイシング
ブレード9のX、Y及びZ軸方向の動作を制御し、半導
体ウエハ1上のペレット境界部に設けられているカッテ
ィングライン2cの切断を行なう。このダイシングブレ
ードによる半導体ウエハの切断時には、前記ダイシング
ブレードの冷却ならびに切りくず洗浄の為に水を使用し
ている。
【0037】本発明のダイシングブレードの動作制御プ
ログラムの項目としては、実施例1と同様に次の項目が
あげられる。カットする半導体ウエハのウエハサイズ
の設定(2.5〜6インチ)X、Y方向のピッチ(ペ
レットサイズ)の設定半導体ウエハの切り残し量の設
定(引っ張り方向のみ)カット時のダイシングブレー
ドの送りスピードの設定等を行なう。そして、前記4つ
の設定等をキーボード上でインプットしデータNo.を
付けてストックする。そして、ダイシング作業時には、
そのデータNo.を指定して作業を開始するようにす
る。
【0038】上記したようにテープフレームに貼り渡さ
れた粘着テープの引っ張り応力の係る方向にのみ切り残
し部を設けることにより、少なくとも引っ張り応力の係
る方向について切断された半導体ペレットの間隔が保持
できる。そのため、切断途中のペレットの両端は半導体
ウエハ外周部の切り残し部で支えられる。従って、ペレ
ットの変位によるクラックの発生などの問題が生じにく
くなり、ペレット配線部の断線等の不良が防止でき、ダ
イシング工程において製品の信頼性及び歩留が向上する
ことができる。
【0039】又、実施例1の半導体ウエハからのペレッ
トを切断分離を行なうダイシング方法に比べて、一枚の
半導体ウエハから採取できるペレットの数が多くするこ
とができる。そのため、ダイシング工程における製品の
コスト低減することができる。 以上、本発明者によっ
てなされた実施例に基づき具体的に説明したが、本発明
は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【0040】例えば、本実施例では切断機構の制御を動
作制御プログラムにより行った場合について説明した
が、半導体ウエハの端部をセンサ等により検知し、ダイ
シングブレードのZ軸の動作制御用モータにフィードバ
ックすることにより、半導体ウエハの外周部に切り残し
部(残りしろ)を設けるように構成してもよい。
【0041】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0042】本実施例のようにダイシングブレードの動
作制御を行い粘着テープ上の半導体ウエハの外周部に少
なくとも引っ張り応力の係る方向に切り残し部を設ける
ように半導体ウエハのダイシングを行うことより、粘着
テープの引っ張り応力の開放を防止することができる。
又、これにより、引っ張り応力の開放を防止できる為、
チップ同志の干渉等が生じなくなり半導体ウエハのダイ
シング工程における不良が低減し、製品の信頼性及び歩
留を向上することができるというものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】全自動ダイシング装置の動作概略図である。
【図2】本発明により行った半導体ウエハのカッティン
グラインを示す平面図である。
【図3】図2のI−I間におけるダイシング途中の水平
方向断面図である。
【図4】従来のダイシング技術にてダイシングされた半
導体ウエハのカッティングラインを示す平面図。
【図5】本発明の他の実施例による半導体ウエハのカッ
ティングラインを示す平面図である。
【図6】図5のI−I間におけるダイシング途中の水平
方向断面図である。
【符号の説明】
1・・・半導体ウエハ、1a・・・配線処理のされてない半導
体ウエハの小さい片部分、2・・・カッティングライン、
2a・・・本発明の実施例1のカッティングライン、2b・
・・従来のカッティングライン、2c・・・本発明の実施例
2のカッティングライン、3・・・強粘着テープ、4・・・弱
粘着テープ、5・・・テープフレーム、6・・・ラック、7・・
・チャックテーブル、8・・・認識装置、9・・・ダイシング
ブレード、9a・・・ダイシングブレードの軌跡。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】キャリア治具に貼り渡された粘着テープ上
    に貼り付け固定された半導体ウエハから個々の半導体ペ
    レットへの切断分離をフルカットにより行われるダイシ
    ング方法において、切断機構を前記半導体ウエハ上の範
    囲内でだけ動作制御を行い、前記半導体ウエハの外周部
    を残してフルカットダイシングすることを特徴とする半
    導体ウエハのダイシング方法。
  2. 【請求項2】前記切断機構の動作制御は、プログラムに
    より切断機構の制御を行う、或は半導体ウエハの端部を
    センサ等で検知し、切断機構の駆動モータにフィードバ
    ックし切断機構の動作制御を行うことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の半導体ウエハのダイシング方
    法。
  3. 【請求項3】前記粘着テ−プは、強弱2枚の粘着テ−プ
    を重ねて用いて半導体ウエハの固定を行っていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体ウエハの
    ダイシング方法。
  4. 【請求項4】キャリア治具に貼り渡された粘着テープ上
    に貼り付け固定された半導体ウエハから個々のペレット
    への切断分離をフルカットにより行われるダイシング方
    法において、少なくとも粘着テープ貼り付けの際に発生
    する引っ張り応力の係る方向に対応する半導体ウエハの
    外周部に切り残し部を設けるように切断機構の動作制御
    を行い、前記半導体ウエハの少なくとも一部の外周部を
    残してフルカットダイシングを行うことを特徴とする半
    導体ウエハのダイシング方法。
  5. 【請求項5】前記切断機構の動作制御は、プログラムに
    より切断機構の動作制御を行う、或いは半導体ウエハの
    端部をセンサ等で検知し切断機構の駆動モータにフィー
    ドバックし切断機構の動作制御を行うことを特徴とする
    特許請求の範囲第4項記載の半導体ウエハのダイシング
    方法。
  6. 【請求項6】前記粘着テープは、強弱2枚の粘着テープ
    を重ねて用いて半導体ウエハの固定を行っていることを
    特徴とする特許請求の範囲第4項記載の半導体ウエハの
    ダイシング方法。
JP1493795A 1995-02-01 1995-02-01 半導体装置の製造方法 Pending JPH08213347A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1493795A JPH08213347A (ja) 1995-02-01 1995-02-01 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1493795A JPH08213347A (ja) 1995-02-01 1995-02-01 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08213347A true JPH08213347A (ja) 1996-08-20

Family

ID=11874887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1493795A Pending JPH08213347A (ja) 1995-02-01 1995-02-01 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08213347A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101290A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2009141276A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2011124264A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN102528290A (zh) * 2010-11-17 2012-07-04 株式会社迪思科 光器件单元的加工方法
JP2013073943A (ja) * 2011-09-26 2013-04-22 Canon Machinery Inc 基板切断装置
JP2015159155A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20180136880A (ko) * 2017-06-15 2018-12-26 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101290A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
DE102004044946B4 (de) * 2003-09-25 2012-02-09 Disco Corp. Verfahren zum Trennen eines Halbleiterwafers
JP2009141276A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2011124264A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN102528290A (zh) * 2010-11-17 2012-07-04 株式会社迪思科 光器件单元的加工方法
JP2013073943A (ja) * 2011-09-26 2013-04-22 Canon Machinery Inc 基板切断装置
JP2015159155A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20180136880A (ko) * 2017-06-15 2018-12-26 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 방법
JP2019004040A (ja) * 2017-06-15 2019-01-10 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100506109B1 (ko) 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치
US6121118A (en) Chip separation device and method
US5332406A (en) Apparatus for producing semiconductor device
US6889427B2 (en) Process for disengaging semiconductor die from an adhesive film
US6767803B2 (en) Method for peeling protective sheet
JP5253996B2 (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
JP2003209082A (ja) 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
JP2001035817A (ja) ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP2007266364A (ja) ウエーハの処理方法および処理装置
KR20150141875A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP4968819B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP4908085B2 (ja) ウエーハの処理装置
JPH08213347A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4324788B2 (ja) ウェーハマウンタ
WO2005083763A1 (ja) ウェハの転写方法
US4779497A (en) Device and method of cutting off a portion of masking film adhered to a silicon wafer
JP4599075B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2002151528A (ja) ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
KR20220048932A (ko) 웨이퍼의 가공 방법, 및, 연삭 장치
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
KR102391848B1 (ko) 피가공물의 가공 방법
JP2013219245A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003338477A (ja) テープ剥離方法
JP3176645B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH07147262A (ja) 半導体デバイスの製造方法