KR20180136880A - 피가공물의 절삭 방법 - Google Patents

피가공물의 절삭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180136880A
KR20180136880A KR1020180057751A KR20180057751A KR20180136880A KR 20180136880 A KR20180136880 A KR 20180136880A KR 1020180057751 A KR1020180057751 A KR 1020180057751A KR 20180057751 A KR20180057751 A KR 20180057751A KR 20180136880 A KR20180136880 A KR 20180136880A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
cutting blade
guide groove
cutting
device area
Prior art date
Application number
KR1020180057751A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102460049B1 (ko
Inventor
마코토 다나카
다카토시 교
찬 킷 치
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20180136880A publication Critical patent/KR20180136880A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102460049B1 publication Critical patent/KR102460049B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 초퍼 컷에 의한 표면 이지러짐의 발생을 억제하면서, 외주 잉여 영역에 단부재 칩이 형성되는 것을 방지 가능한 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 판형의 피가공물의 상기 디바이스 영역에 원하는 깊이의 절삭 홈을 형성하는 피가공물의 절삭 방법으로서, 척테이블에 유지된 피가공물에, 절삭 블레이드를 피가공물의 외주로부터 상기 분할 예정 라인을 따라서 절입하여, 상기 외주로부터 상기 디바이스 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이보다 얕은 가이드 홈을 형성하는 가이드 홈 형성 단계와, 상기 가이드 홈 형성 단계를 실시한 후, 상기 절삭 블레이드를 상기 디바이스 영역의 상기 가이드 홈을 향해 하강시켜 상기 가이드 홈에 절입하여, 상기 원하는 깊이에 상기 절삭 블레이드의 날끝을 위치 부여한 후, 상기 분할 예정 라인을 따라서 상기 디바이스 영역의 반대측의 단부를 넘어 상기 외주 잉여 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이의 홈을 형성하는 디바이스 영역 가공 단계를 구비한다.

Description

피가공물의 절삭 방법{CUTTING METHOD OF WORKPIECE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 접합 웨이퍼, 패키지 웨이퍼 등의 피가공물의 절삭 방법에 관한 것이다.
각종 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼, LED 등의 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼, 복수의 디바이스칩이 수지로 몰드된 패키지 기판 등, 각종 판형의 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하여, 개개의 디바이스칩으로 분할하는 절삭 장치가 알려져 있다.
이러한 피가공물은, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 가지며, 디바이스 영역을 절삭 블레이드로 분할할 때에 함께 분할된 외주 잉여 영역의 단부재 칩이 비산하여, 절삭 블레이드를 파손시키는 경우가 있다.
따라서, 단부재 칩이 비산하지 않도록 하기 위해, 단부재 칩의 면적을 크게 유지한 채 가공이 종료하는 가공 방법이, 일본 특허 공개 제2014-204015호 공보 또는 일본 특허 공개 제2015-076561호 공보에 제안되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2014-204015호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2015-076561호 공보
특히 웨이퍼를 2장 접합한 접합 웨이퍼에서는, 외주의 접착이 충분하지 않은 경우, 외주가 칩으로 분할되어 버리면 용이하게 단부재 칩이 비산되어 버리기 때문에, 디바이스 영역만 선택적으로 다이싱하는 가공 방법이 실시되는 경우가 있다.
이러한 가공 방법의 경우, 절삭 블레이드는 소위 초퍼 컷으로 피가공물에 절입하여 가공을 실시하지만, 수평 방향으로 가공을 진행시키는 트래버스 컷에 비교해서 초퍼 컷은 가공율이 높기 때문에, 피가공물 표면에 형성되는 이지러짐(칩핑)이 커지기 쉽다고 하는 과제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 초퍼 컷에 의한 표면 이지러짐의 발생을 억제하면서, 외주 잉여 영역에 단부재 칩이 형성되는 것을 방지 가능한 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 판형의 피가공물의 상기 디바이스 영역에 원하는 깊이의 절삭 홈을 형성하는 피가공물의 절삭 방법으로서, 피가공물을 척테이블의 유지면에 의해 유지하는 유지 단계와, 상기 척테이블에 유지된 피가공물에, 절삭 블레이드를 피가공물의 외주로부터 상기 분할 예정 라인을 따라서 절입하여, 상기 외주로부터 상기 디바이스 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이보다 얕은 가이드 홈을 형성하는 가이드 홈 형성 단계와, 상기 가이드 홈을 형성한 후, 상기 절삭 블레이드를 상승시켜 피가공물로부터 상기 절삭 블레이드를 후퇴시키는 제1 후퇴 단계와, 상기 제1 후퇴 단계를 실시한 후, 상기 절삭 블레이드를 상기 디바이스 영역의 상기 가이드 홈을 향해 하강시켜 상기 가이드 홈에 절입하여, 상기 원하는 깊이에 상기 절삭 블레이드의 날끝을 위치 부여한 후, 상기 분할 예정 라인을 따라서 상기 디바이스 영역의 반대측의 단부를 넘어 상기 외주 잉여 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이의 홈을 형성하는 디바이스 영역 가공 단계와, 상기 디바이스 영역 가공 단계를 실시한 후, 상기 외주 잉여 영역의 일부를 남기고 상기 절삭 블레이드를 상승시켜, 피가공물로부터 상기 절삭 블레이드를 후퇴시키는 제2 후퇴 단계를 구비하고, 상기 디바이스 영역 가공 단계에서 피가공물을 향해 상기 절삭 블레이드를 하강시켜 절입할 때에, 피가공물의 표면에 이지러짐이 발생하는 것을 상기 가이드 홈에 의해 억제하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 절삭 방법이 제공된다.
바람직하게는, 본 발명의 피가공물의 절삭 방법은, 상기 유지 단계를 실시하기 전에, 피가공물의 이면측에 다이싱 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계를 더 구비하고, 상기 유지 단계에서는, 상기 다이싱 테이프를 통해 피가공물을 상기 척테이블의 유지면에 의해 유지하고, 상기 디바이스 영역 가공 단계에서는, 상기 절삭 블레이드의 날끝을 상기 다이싱 테이프에 절입하여 상기 원하는 깊이의 홈을 형성한다.
본 발명의 피가공물의 절삭 방법에 의하면, 절삭 블레이드가 초퍼 컷하는 외주 잉여 영역 및 외주 잉여 영역에 연속하는 디바이스 영역의 일부에 미리 트래버스 컷으로 얕은 가이드 홈을 형성하기 때문에, 초퍼 컷에 의한 특히 디바이스 영역의 표면 이지러짐의 발생을 억제할 수 있고, 외주 잉여 영역에 단부재 칩이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2의 (A)는 2장의 웨이퍼를 접합한 접합 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 고리형 프레임으로 지지한 형태의 평면도, 도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 일부 확대 단면도이다.
도 3의 (A)는 가이드 홈 형성 단계 및 제1 후퇴 단계를 나타내는 일부 단면 측면도, 도 3의 (B)는 가이드 홈이 형성된 접합 웨이퍼의 단면도, 도 3의 (C)는 가이드 홈의 형성에 이어 일부의 분할 예정 라인에 원하는 깊이의 절삭 홈을 형성한 상태가 접합 웨이퍼의 평면도이다.
도 4의 (A)는 디바이스 영역 가공 단계를 나타내는 일부 단면 측면도, 도 4의 (B)는 일부의 분할 예정 라인에 디바이스 영역 가공 단계를 실시한 상태의 접합 웨이퍼의 평면도이다.
도 5의 (A)는 제1 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인에 가이드 홈을 형성한 상태의 접합 웨이퍼의 평면도, 도 5의 (B)는 초퍼 컷을 실시하여 원하는 깊이의 절삭 홈을 형성한 상태의 접합 웨이퍼의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명 실시형태에 관한 피가공물의 절삭 방법을 실시하기에 적합한 절삭 장치의 사시도가 도시되어 있다. 절삭 장치(2)는 지지 베이스(4)를 구비하고 있고, 지지 베이스(4)의 상면에는, X축 방향(가공 이송 방향)으로 긴 직사각형 위의 개구(4a)가 형성되어 있다.
이 개구(4a) 내에는, X축 이동 테이블(6)과, 상기 X축 이동 테이블(6)을 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 기구(도시되지 않음)와, X축 이동 기구를 덮는 방진 방적 커버(8)가 설치되어 있다. 상기 X축 이동 기구는, X축 방향으로 평행한 한쌍의 X축 가이드 레일(도시되지 않음)을 구비하고 있고, X축 가이드 레일에는, X축 이동 테이블(6)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
X축 이동 테이블(6)의 하면측에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일에 평행한 X축 볼나사(도시되지 않음)가 나사 결합되어 있다. X축 볼나사의 일단부에는, X축 펄스 모터(도시되지 않음)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터로 X축 볼나사를 회전시키면, 이동 테이블(6)은 X축 가이드 레일을 따라서 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(6) 위에는, 피가공물을 흡인, 유지하기 위한 척테이블(10)이 설치되어 있다. 척테이블(10)은, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)에 연결되어 있고, Z축 방향(수직 방향)에 대강 평행한 회전축의 둘레에 회전한다. 또한, 척테이블(10)은, 전술한 X축 이동 기구에 의해 X축 방향으로 가공 이송된다.
척테이블(10)의 표면(상면)은, 피가공물을 흡인, 유지하는 유지면(10a)으로 되어 있다. 이 유지면(10a)은, 척테이블(10)의 내부에 형성된 유로(도시되지 않음)를 통하여 흡인원(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 척테이블(10)의 주위에는, 피가공물을 고정하기 위한 클램프(10b)가 설치되어 있다.
피가공물은, 예컨대 2장의 웨이퍼를 접합한 접합 웨이퍼이며, 고리형 프레임에 유지된 다이싱 테이프 위에 접착되어, 고리형 프레임과 일체로 취급된다. 고리형 프레임과 다이싱 테이프를 이용하여 피가공물을 취급하면, 반송할 때에 생기는 충격 등으로부터 상기 피가공물을 보호할 수 있다.
개구(4a)로부터 떨어진 장치 베이스(4)의 전방의 모서리부에는, 장치 베이스(4)로부터 측방으로 돌출된 돌출부(12)가 설치되어 있다. 돌출부(12)의 내부에는 공간이 형성되어 있고, 이 공간에는, 승강 가능한 카세트 엘리베이터(16)가 설치되어 있다. 카세트 엘리베이터(16)의 상면에는, 복수의 피가공물을 수용 가능한 카세트(18)가 배치된다.
개구(4a)에 근접하는 위치에는, 전술한 피가공물을 척테이블(10)로 반송하는 반송 유닛(도시되지 않음)이 설치되어 있다. 반송 유닛에 의해 카세트(18)로부터 인출된 피가공물은, 척테이블(10)의 유지면(10a)에 배치된다.
장치 베이스(4)의 상면에는, 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛(14)을 지지하는 지지 구조(20)가, 개구(4a)의 상측으로 돌출되도록 배치되어 있다. 지지 구조(20)의 전면 상부에는, 절삭 유닛(14)을 Y축 방향(인덱싱 이송 방향) 및 Z축 방향으로 이동시키는 절삭 유닛 이동 기구(22)가 설치되어 있다.
절삭 유닛 이동 기구(22)는, 지지 구조(20)의 전면에 배치되고 Y축 방향으로 평행한 한쌍의 Y축 가이드 레일(24)을 구비하고 있다. Y축 가이드 레일(24)에는, 절삭 유닛 이동 기구(22)를 구성하는 Y축 이동 플레이트(26)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. Y축 이동 플레이트(26)의 이면측(후면측)에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(24)에 평행한 Y축 볼나사(28)가 나사 결합되어 있다.
Y축 볼나사(28)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(도시되지 않음)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터로 Y축 볼나사(28)를 회전시키면, Y축 이동 플레이트(26)는 Y축 가이드 레일(24)을 따라서 Y축 방향으로 이동한다.
Y축 이동 플레이트(26)의 표면(전면)에는, Z축 방향으로 평행한 한쌍의 Z축 가이드 레일(30)이 설치되어 있다. Z축 가이드 레일(30)에는, Z축 이동 플레이트(32)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(32)의 이면측(후면측)에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(30)에 평행한 Z축 볼나사(34)가 나사 결합되어 있다. Z축 볼나사(34)의 일단부에는 Z축 펄스 모터(36)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(36)로 Z축 볼나사(34)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(32)가 Z축 가이드 레일(30)을 따라서 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 이동 플레이트(32)의 하부에는, 피가공물을 가공하는 절삭 유닛(14)과, 촬상 유닛(38)이 고정되어 있다. 절삭 유닛 이동 기구(22)에 의해, Y축 이동 플레이트(26)를 Y축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛(14) 및 촬상 유닛(38)은 인덱싱 이송되고, Z축 이동 플레이트(32)를 Z축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛(14) 및 촬상 유닛(38)은 승강한다.
40은 세정 유닛이며, 절삭 유닛(14)에 의해 절삭 가공이 실시된 피가공물은, 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 척테이블(10)로부터 세정 유닛(40)으로 반송된다. 세정 유닛(40)은, 통형상의 세정 공간 내에서 피가공물을 흡인 유지하는 스피너 테이블(42)을 구비하고 있다. 스피너 테이블(42)의 하부에는, 스피너 테이블(42)을 소정의 속도로 회전시키는 모터 등의 회전 구동원이 연결되어 있다.
스피너 테이블(42)의 상측에는, 피가공물을 향해 세정용의 유체(대표적으로는, 물과 에어를 혼합한 이류체)를 분사하는 분사 노즐(44)이 배치되어 있다. 피가공물을 유지한 스피너 테이블(42)을 회전시키면서 분사 노즐(44)로부터 세정용의 유체를 분사하면, 절삭 가공후의 피가공물을 세정할 수 있다. 세정 유닛(40)에 의해 세정된 피가공물은, 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 카세트(18) 내에 수용된다.
도 2의 (A)를 참조하면, 본 발명의 절삭 방법을 적용하기에 적합한 피가공물인 접합 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지한 프레임 유닛(31)의 평면도가 도시되어 있다. 도 2의 (B)는 다이싱 테이프(T)에 접착된 접합 웨이퍼(11)의 단면도이다.
접합 웨이퍼(11)는, 제1 웨이퍼(13)와 제2 웨이퍼(15)를 접착제로 접합하여 구성되고, 제1 웨이퍼(13)는 서로 직교하는 복수의 분할 예정 라인(17)에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스(19)가 형성된 디바이스 영역(21)과, 디바이스 영역(21)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(23)을 표면에 갖고 있다.
본 실시형태의 절삭 방법을 실시함에 있어서, 접합 웨이퍼(11)의 제2 웨이퍼(15)의 이면을 외주부가 고리형 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착하고, 접합 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지하는 프레임 유닛(31)의 형태로 한다.
프레임 유닛(31)을 형성한 후, 본 발명 실시형태의 접합 웨이퍼(11)의 절삭 방법에서는, 프레임 유닛(31)을 척테이블(10)까지 반송하고, 접합 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 척테이블(10)의 유지면(10b)에 의해 흡인 유지한다(유지 단계).
유지 단계를 실시한 후, 도 3의 (A)에 나타낸 바와 같이, 척테이블(10)에 유지된 접합 웨이퍼(11)에, 절삭 유닛(14)의 절삭 블레이드(50)를 접합 웨이퍼(11)의 외주로부터 분할 예정 라인(17)을 따라서 절입하여, 접합 웨이퍼(11)의 외주로부터 디바이스 영역(21)의 일부에 걸쳐 제1 깊이의 가이드 홈(25)을 형성하고(가이드 홈 형성 단계), 이어서 절삭 블레이드(50)를 상승시켜 접합 웨이퍼(11)로부터 절삭 블레이드(50)를 후퇴시킨다(제1 후퇴 단계).
제1 후퇴 단계를 실시한 후, 절삭 블레이드(50)를 후퇴한 위치로부터 도 4의 (A)에 나타낸 바와 같이, 디바이스 영역(21)의 가이드 홈(25)을 향해 하강시켜, 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이에 절삭 블레이드(50)의 날끝을 위치 부여한 후, 접합 웨이퍼(11)를 유지한 척테이블(10)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송함으로써, 적어도 분할 예정 라인(17)을 따라서 디바이스 영역(21)의 반대측의 단부까지 제2 깊이의 절삭 홈을 형성한다(디바이스 영역 가공 단계).
디바이스 영역 가공 단계를 실시한 후, 디바이스 영역(21)의 단부에 접하는 외주 잉여 영역(23)의 일부를 남기고, 도 4의 (A)에 나타낸 바와 같이 절삭 블레이드(50)를 상승시켜, 접합 웨이퍼(11)로부터 절삭 블레이드(50)를 후퇴시킨다(제2 후퇴 단계). 도 4의 (A)에서 화살표 X2는 가공 방향을 나타내고 있다.
동일한 분할 예정 라인(17)을 따라서, 가이드 홈 형성 단계, 제1 후퇴 단계, 디바이스 영역 가공 단계, 제2 후퇴 단계를 연속적으로 실시한다. 이어서, 도 1에서 절삭 유닛(14)을 Y축 방향으로 분할 예정 라인(17)의 피치만큼 인덱싱 이송하여, 인접하는 분할 예정 라인(17)을 따라서, 가이드 홈 형성 단계, 제1 후퇴 단계, 디바이스 영역 가공 단계 및 제2 후퇴 단계를 연속적으로 실시한다.
도 3의 (C)에서, 가장 아래에 형성되어 있는 가이드 홈(25)은 가이드 홈 형성 단계종료시의 상태를 나타내고 있고, 도 4의 (B)에서는, 가이드 홈 형성 단계에 이어서 동일한 분할 예정 라인을 따라서 제2 깊이의 절삭 홈(27)을 형성한 디바이스 영역 가공 단계 종료시의 상태를 나타내고 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여, 본 발명 제2 실시형태의 절삭 방법에 관해 설명한다. 제2 실시형태의 절삭 방법에서는, 우선, 도 5의 (A)에 나타낸 바와 같이, 제1 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서 제1 깊이의 가이드 홈(25)을 형성하는 가이드 홈 형성 단계를 실시한다.
이어서, 도 5의 (B)에 나타낸 바와 같이, 제1 깊이의 가이드 홈(25)이 형성되어 있는 제1 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서, 초퍼 컷에 의해 절삭 블레이드(50)의 날끝을 접합 웨이퍼(11)의 제2 깊이에 절입하고, 척테이블(10)을 가공 이송함으로써, 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이의 절삭 홈을 형성한다(디바이스 영역 가공 단계). 이 디바이스 영역 가공 단계를, 절삭 유닛(14)을 도 1에서 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서 차례차례 실시한다.
즉, 이 제2 실시형태의 절삭 방법에서는, 제1 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서 우선 가이드 홈(25)을 형성하고, 이어서, 초퍼 컷에 의해 절삭 블레이드(50)를 가이드 홈(25)을 통해서 제2 깊이에 절입하고, 척테이블(10)의 가공 이송과, 절삭 유닛(14)의 인덱싱 이송을 반복하여, 제1 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서 차례차례 절삭 홈(27)을 형성한다.
바람직하게는, 디바이스 영역 가공 단계에서는, 절삭 블레이드(50)의 날끝을 다이싱 테이프(T)까지 절입하여 제2 깊이의 절삭 홈(27)을 형성하고, 접합 웨이퍼(11)를 분할 예정 라인(17)을 따라서 완전 절단한다.
전술한 실시형태의 절삭 방법에 의하면, 절삭 블레이드(50)가 초퍼 컷하는 외주 잉여 영역 및 외주 잉여 영역에 연속하는 디바이스 영역에 미리 트래버스 컷으로 얕은 가이드 홈(25)을 형성해 둠으로써, 초퍼 컷에 의한 디바이스 영역 가공 단계를 실시할 때에 표면 이지러짐의 발생을 억제할 수 있고, 접합 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(23)에 단부재 칩이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 제1 방향으로 신장된 분할 예정 라인(17)을 따라서 가이드 홈 형성 단계, 디바이스 영역 가공 단계를 실시하고 있는 예에 관해 설명했지만, 접합 웨이퍼(11)를 유지하고 있는 척테이블(10)을 90° 회전한 후, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장된 분할 예정 라인(17)을 따라서도, 동일한 가이드 홈 형성 단계 및 디바이스 영역 가공 단계를 실시하는 것은 물론이다.
제1 방향 및 제2 방향으로 신장된 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서 가이드 홈 형성 단계 및 디바이스 영역 가공 단계를 실시하면, 디바이스 영역(21)의 모든 디바이스(19)는 디바이스칩으로 분할되고, 접합 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(23)에는 고리형의 절삭 잔부가 잔존한다.
전술한 실시형태에서는, 본 발명의 절삭 방법을 접합 웨이퍼(11)에 실시한 예에 관해 설명했지만, 피가공물은 접합 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, 본 발명은 1장의 웨이퍼에도, 패키지 기판에도, 동일하게 적용 가능하다.
10 : 척테이블
11 : 접합 웨이퍼
14 : 절삭 유닛
17 : 분할 예정 라인
19 : 디바이스
21 : 디바이스 영역
23 : 외주 잉여 영역
25 : 가이드 홈
27 : 절삭 홈
31 : 프레임 유닛
50 : 절삭 블레이드

Claims (2)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 구비한 판형의 피가공물의 상기 디바이스 영역에 원하는 깊이의 절삭 홈을 형성하는 피가공물의 절삭 방법에 있어서,
    피가공물을 척테이블의 유지면에 의해 유지하는 유지 단계와,
    상기 척테이블에 유지된 피가공물에, 절삭 블레이드를 피가공물의 외주로부터 상기 분할 예정 라인을 따라서 절입하여, 상기 외주로부터 상기 디바이스 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이보다 얕은 가이드 홈을 형성하는 가이드 홈 형성 단계와,
    상기 가이드 홈을 형성한 후, 상기 절삭 블레이드를 상승시켜 피가공물로부터 상기 절삭 블레이드를 후퇴시키는 제1 후퇴 단계와,
    상기 제1 후퇴 단계를 실시한 후, 상기 절삭 블레이드를 상기 디바이스 영역의 상기 가이드 홈을 향해 하강시켜 상기 가이드 홈에 절입하여, 상기 원하는 깊이에 상기 절삭 블레이드의 날끝을 위치 부여한 후, 상기 분할 예정 라인을 따라서 상기 디바이스 영역의 반대측의 단부를 넘어 상기 외주 잉여 영역의 일부에 걸쳐 상기 원하는 깊이의 홈을 형성하는 디바이스 영역 가공 단계와,
    상기 디바이스 영역 가공 단계를 실시한 후, 상기 외주 잉여 영역의 일부를 남기고 상기 절삭 블레이드를 상승시켜, 피가공물로부터 상기 절삭 블레이드를 후퇴시키는 제2 후퇴 단계
    를 포함하고,
    상기 디바이스 영역 가공 단계에서 피가공물을 향하여 상기 절삭 블레이드를 하강시켜 절입할 때, 피가공물의 표면에 이지러짐이 발생하는 것을 상기 가이드 홈에 의해 억제하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 절삭 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유지 단계를 실시하기 전에, 피가공물의 이면측에 다이싱 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계를 더 포함하고,
    상기 유지 단계에서는, 상기 다이싱 테이프를 통해 피가공물을 상기 척테이블의 유지면에 의해 유지하고,
    상기 디바이스 영역 가공 단계에서는, 상기 절삭 블레이드의 날끝을 상기 다이싱 테이프에 절입하여 상기 원하는 깊이의 홈을 형성하여 피가공물을 완전 절단하는 것인 피가공물의 절삭 방법.
KR1020180057751A 2017-06-15 2018-05-21 피가공물의 절삭 방법 KR102460049B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-117537 2017-06-15
JP2017117537A JP6847529B2 (ja) 2017-06-15 2017-06-15 被加工物の切削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180136880A true KR20180136880A (ko) 2018-12-26
KR102460049B1 KR102460049B1 (ko) 2022-10-27

Family

ID=64658299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180057751A KR102460049B1 (ko) 2017-06-15 2018-05-21 피가공물의 절삭 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10692766B2 (ko)
JP (1) JP6847529B2 (ko)
KR (1) KR102460049B1 (ko)
CN (1) CN109148367B (ko)
MY (1) MY186298A (ko)
SG (1) SG10201804285WA (ko)
TW (1) TWI760488B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6812079B2 (ja) * 2017-03-13 2021-01-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6847529B2 (ja) * 2017-06-15 2021-03-24 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP7080552B2 (ja) * 2017-12-28 2022-06-06 株式会社ディスコ 切削ブレードのドレッシング方法

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0393251A (ja) * 1989-09-06 1991-04-18 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH08213347A (ja) * 1995-02-01 1996-08-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH11176772A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd プリカット方法
JP2003173986A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Disco Abrasive Syst Ltd 2スピンドル切削装置における切削方法
JP2006049419A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Nec Tokin Corp ダイシング方法
JP2006156638A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007019478A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハのダイシング方法、ダイシング装置および半導体素子
JP2007081264A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法および切削装置
JP2009302228A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Canon Inc ウエハのダイシング方法及び、該方法を用いて製造された液体吐出ヘッド
JP2011228331A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP2012043889A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Renesas Electronics Corp 半導体ウェーハのダイシング方法
JP2012227251A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
KR20140121779A (ko) * 2013-04-08 2014-10-16 가부시기가이샤 디스코 원형 판형상물의 분할 방법
KR20140133451A (ko) * 2013-05-09 2014-11-19 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 절삭 방법
JP2014220445A (ja) * 2013-05-10 2014-11-20 株式会社ディスコ 切削方法
JP2015076561A (ja) 2013-10-11 2015-04-20 株式会社ディスコ 円形板状物の分割方法
KR20150084645A (ko) * 2014-01-14 2015-07-22 가부시기가이샤 디스코 절삭 방법
JP2015159136A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 株式会社ディスコ Cspウエーハの加工方法
JP2016219757A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP2017050319A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社東京精密 ダイシング方法及びダイシング装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075919A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Sharp Corp 半導体ウエハのダイシング方法
DE10054038B4 (de) * 2000-10-31 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Trennen eines plattenförmigen Körpers, insbesondere eines Halbleiterwafers, in Einzelstücke
JP2009054904A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法および切削装置
JP5860272B2 (ja) * 2011-11-24 2016-02-16 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6199659B2 (ja) * 2013-08-15 2017-09-20 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
JP6325279B2 (ja) * 2014-02-21 2018-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6266429B2 (ja) * 2014-05-08 2018-01-24 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法
JP6643663B2 (ja) * 2016-03-18 2020-02-12 株式会社東京精密 ダイシング装置及びダイシング方法
JP6847529B2 (ja) * 2017-06-15 2021-03-24 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP2020098827A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7451039B2 (ja) * 2020-04-10 2024-03-18 株式会社ディスコ ブレード保持治具、切削装置、及び、切削ブレードの装着方法

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0393251A (ja) * 1989-09-06 1991-04-18 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH08213347A (ja) * 1995-02-01 1996-08-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH11176772A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Disco Abrasive Syst Ltd プリカット方法
JP2003173986A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Disco Abrasive Syst Ltd 2スピンドル切削装置における切削方法
JP2006049419A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Nec Tokin Corp ダイシング方法
JP2006156638A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007019478A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハのダイシング方法、ダイシング装置および半導体素子
JP2007081264A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法および切削装置
JP2009302228A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Canon Inc ウエハのダイシング方法及び、該方法を用いて製造された液体吐出ヘッド
JP2011228331A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削加工装置
JP2012043889A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Renesas Electronics Corp 半導体ウェーハのダイシング方法
JP2012227251A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
KR20140121779A (ko) * 2013-04-08 2014-10-16 가부시기가이샤 디스코 원형 판형상물의 분할 방법
JP2014204015A (ja) 2013-04-08 2014-10-27 株式会社ディスコ 円形板状物の分割方法
KR20140133451A (ko) * 2013-05-09 2014-11-19 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 절삭 방법
JP2014220445A (ja) * 2013-05-10 2014-11-20 株式会社ディスコ 切削方法
JP2015076561A (ja) 2013-10-11 2015-04-20 株式会社ディスコ 円形板状物の分割方法
KR20150084645A (ko) * 2014-01-14 2015-07-22 가부시기가이샤 디스코 절삭 방법
JP2015159136A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 株式会社ディスコ Cspウエーハの加工方法
JP2016219757A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP2017050319A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社東京精密 ダイシング方法及びダイシング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019004040A (ja) 2019-01-10
CN109148367A (zh) 2019-01-04
US20180366371A1 (en) 2018-12-20
MY186298A (en) 2021-07-07
US10692766B2 (en) 2020-06-23
KR102460049B1 (ko) 2022-10-27
SG10201804285WA (en) 2019-01-30
TW201907455A (zh) 2019-02-16
CN109148367B (zh) 2023-12-15
TWI760488B (zh) 2022-04-11
JP6847529B2 (ja) 2021-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102028765B1 (ko) 원형 판형상물의 분할 방법
JP5604186B2 (ja) 加工装置
KR102460049B1 (ko) 피가공물의 절삭 방법
KR101733290B1 (ko) 절단 장치 및 절단 방법
KR102084269B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
JP6498020B2 (ja) チャックテーブルの洗浄方法
JP2011061141A (ja) 搬送機構および加工装置
JP2008284635A (ja) ウォータジェット加工方法
JP5837367B2 (ja) 研削装置
TW201641242A (zh) 切削裝置
JP2015076561A (ja) 円形板状物の分割方法
JP2009194217A (ja) 板状物の搬送装置
JP5422176B2 (ja) 保持テーブルおよび切削装置
US10535562B2 (en) Processing method for workpiece
KR101687423B1 (ko) 가공 장치
JP6893732B2 (ja) 矩形基板支持トレーの製造方法
CN108987340B (zh) 扇状晶片的加工方法
JP5839905B2 (ja) 被加工物の切削方法
JP6821254B2 (ja) 切削装置
JP6635864B2 (ja) 加工装置
KR102226221B1 (ko) 절삭 장치
JP5950561B2 (ja) 発光素子パッケージ基板の加工方法
JP2014220449A (ja) 加工装置
JP6385144B2 (ja) 加工装置
JP2014217924A (ja) 研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant