JP2015159136A - Cspウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、デバイス領域に樹脂280を被覆するCSPウエーハを個々のデバイスに分割する加工方法であって、基板2の表面に樹脂を被覆する前に、外周余剰領域に第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに対応するマークを形成するマーク形成工程と、マーク形成工程が実施された基板の表面に外周余剰領域が露出するようにデバイス領域に樹脂を被覆する樹脂被覆工程と、樹脂被覆工程が実施された基板の外周余剰領域に形成されたマーク27a、27bを検出し、樹脂で被覆された分割予定ラインに沿って樹脂および基板を切断して個々のデバイスに分割する分割工程とを含む。
【選択図】図7
Description
基板の表面に樹脂を被覆する前に、該外周余剰領域に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに対応するマークを形成するマーク形成工程と、
該マーク形成工程が実施された基板の表面に該外周余剰領域が露出するように該デバイス領域に樹脂を被覆する樹脂被覆工程と、
該樹脂被覆工程が実施されたCSPウエーハを構成する基板の該外周余剰領域に形成されたマークを検出し、樹脂で被覆された該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って樹脂および基板を切断してCSPウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするCSPウエーハの加工方法が提供される。
また、上記マーク形成工程は、第1の分割予定ラインの全ての加工始点および加工終点に対応して外周余剰領域にマークを形成し、第2の分割予定ラインの全ての加工始点および加工終点に対応して外周余剰領域にマークを形成する。
以上、マーク形成工程を切削装置を用いて実施した例を示したが、マーク形成工程はレーザー加工装置を用いてレーザー加工溝によるマークを形成してもよい。
次に、チャックテーブル31を90度回動して、第2の分割予定ライン22を図2において矢印Xで示す切削送り方向と平行になるように位置付ける。そして、上述した分割工程を実施する。この結果、CSPウエーハ200は全ての第1の分割予定ライン21および第2の分割予定ライン22に沿って切断され、図9に示すように個々のデバイス23(CSP)に分割される。
21:第1の分割予定ライン
22:第2の分割予定ライン
23:デバイス
24:デバイス領域
25:外周余剰領域
27a:加工始点マーク
27b:加工終点マーク
28:液状樹脂
280:樹脂被膜
3:切削装置
31:切削装置のチャックテーブル
32:切削手段
323:切削ブレード
4:環状のフレーム
40:ダイシングテープ
Claims (3)
- 基板の表面に第1の方向に形成された複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイス領域に樹脂を被覆するCSPウエーハを個々のデバイスに分割するCSPウエーハの加工方法であって、
基板の表面に樹脂を被覆する前に、該外周余剰領域に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに対応するマークを形成するマーク形成工程と、
該マーク形成工程が実施された基板の表面に該外周余剰領域が露出するように該デバイス領域に樹脂を被覆する樹脂被覆工程と、
該樹脂被覆工程が実施されたCSPウエーハを構成する基板の該外周余剰領域に形成されたマークを検出し、樹脂で被覆された該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って樹脂および基板を切断してCSPウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするCSPウエーハの加工方法。 - 該マーク形成工程は、該第1の分割予定ラインの加工始点および加工終点に対応して該外周余剰領域にマークを形成し、該第2の分割予定ラインの加工始点および加工終点に対応して該外周余剰領域にマークを形成する、請求項1記載のCSPウエーハの加工方法。
- 該マーク形成工程は、該第1の分割予定ラインの全ての加工始点および加工終点に対応して該外周余剰領域にマークを形成し、該第2の分割予定ラインの全ての加工始点および加工終点に対応して該外周余剰領域にマークを形成する、請求項2記載のCSPウエーハの加工方法。
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