JP2002246336A

JP2002246336A - 電子装置およびそのダイシング方法

Info

Publication number: JP2002246336A
Application number: JP2001041996A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kobayashi; 健小林
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-02-19
Filing date: 2001-02-19
Publication date: 2002-08-30

Abstract

(57)【要約】【課題】一枚の母基板に作り込まれた複数個の電子部品
の分離、ダイシングのダイシング精度を高める。【解決手段】セラミック母基板１１の主面上にトランジ
スタ等の電子素子が実装された電子部品１２を縦横に配
置する。主面と反対の面には電子部品の下部電極１９，
２０，２７及び２８（端子電極）を配設する。相隣接す
る電子部品１２同士を画定するように下部電極間にダイ
シングの認識に用いる認識マーク３０を配設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、共通の１枚の母基
板に複数の電子部品を形成してなる電子装置およびその
電子装置を個々の電子部品に分離・分割するダイシング
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平１０−３２１３５号公報（以下
「従来技術１」と記す）には、チップ型電子部品を１枚
の絶縁体からなる母基板に複数個形成し、母基板にあら
かじめ形成しておいた溝にそってダイシングし、個々の
電子部品に製造する方法が示されている。

【０００３】また、特開平１−１８６３０８号公報（以
下「従来技術２」と記す）には、ダイシング方法が示さ
れ、特にウエハのＸ軸及びＹ軸について予め定めた範囲
におけるダイシングラインの個数とその両端間の距離を
それぞれ測定し、それぞれの個数と距離との関係からＸ
軸及びＹ軸の夫々のダイシングラインのピッチを演算
し、この値に基づきウエハをダイシングする方法が示さ
れている。

【０００４】また、本出願人はセラミック母基板の主面
（表面）に半導体素子を固着し、該主面側を樹脂封止
し、セラミック母基板の主面とは反対の裏面側から電極
を取り出す、電子装置をすでに提案した（EP 1 056 126
A2）。

【０００５】図９は本発明者らがその後種々実験を繰り
返した中で、母基板であるセラミック基板が、その焼成
時に基板中央部と周辺部では収縮が異なる事により、主
面、裏面の電極及びスルーホール等の電子部品の所定か
らの位置より変位する事を知見したが、それを模式的に
示したものである。

【０００６】すなわち、電子装置１０はセラミック母基
板１１の主面に電子部品１２が縦横にｍ×ｎ個作り込ま
れ、それら電子部品１２の主面側は樹脂１３で被覆され
ている。そして、セラミック母基板１１の中央部１４の
電子部品１２の位置が符号Ｕで示した方向に変位したこ
とを示している。

【０００７】図８Ａは電子部品１２の断面図である。セ
ラミック母基板１１０の主面側には電子素子（トランジ
スタ）１５のコレクタ電極が上部コレクタ電極１６に接
着材によって固着されている。上部コレクタ電極１６は
バイアホール電極１７，１８を介して下部コレクタ電極
１９，２０に導出される。電子素子（トランジスタ）１
５のベース電極，エミッタ電極はそれぞれワイヤー２
１，２２を介して、上部ベース電極２３，上部エミッタ
電極２４に取り出される。これらの上部電極はそれぞれ
バイアホール電極２５，２６を介して下部ベース電極２
７，下部ベース電極２８にそれぞれ導出される。これら
のコレクタ下部電極１９，２０、下部ベース電極２７及
び下部エミッタ電極２８は電子部品１２の端子電極でも
ある。これらの端子電極は導電性の接着材を介して図示
しない、たとえばプリント基板上に形成された電極、配
線上に取り付けられる。

【０００８】図８Ａは電子部品１２に４個の下部電極１
９，２０，２７及び２８を形成したものを示す。この下
部電極の端子数は電子部品１２に作り込まれるトランジ
スタ、抵抗、コンデンサ等の電子素子の集積度、さらに
は電子部品の設計仕様によって適宜設定される。電子部
品１２に内蔵される電子素子は少なくとも１個の素子か
ら構成される。それらはトランジスタ、ダイオード、コ
ンデンサ、抵抗、コイル等である。

【０００９】図８Ｂは図８Ａの下部コレクタ電極１９，
２０及び下部ベース電極２７，下部エミッタ電極２８か
らみた平面図である。

【００１０】図７は図９に示した電子装置１０を裏返し
てみた状態を示す。すなわち、セラミック母基板１１の
主面とは反対側の面に配設された下部コレクタ電極１
９，２０及び下部ベース電極２７，下部エミッタ電極２
８を表面にしてみたときの平面図を示す。この平面図
は、電子部品の位置が変位した状態を示した図９の裏面
図でもあるから、セラミック母基板１１の位置１４に配
設されている下部コレクタ電極１９，２０及び下部ベー
ス電極２７，下部エミッタ電極２８も符号Ｕで示した方
向に変位している。図７の電子装置１０はダイシングラ
インｍ０〜ｍ７及びｎ０〜ｎ８に添って、ダイシングさ
れ個々の電子部品１２に分離・分割される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来技術
１のチップ型電子部品の製造方法においては、母基板を
ダイシング分離するために母基板そのものにあらかじめ
分離溝を形成しておかなければならず工程が複雑にな
る。また、分離溝を形成するときには溝の幅や直線性な
どに配慮しなければならない。

【００１２】また従来技術２は、母基板の収縮や寸法ズ
レが少ないとされる半導体ウエハを各チップに分離・分
割するためのものである。このため母基板に収縮や変形
が生じるようなたとえばセラミック母基板や樹脂基板等
を母基板とする電子部品のダイシング方法とは相違す
る。

【００１３】また、EP 1 056 126 A2の電子装置は、セ
ラミック母基板を作成する行程での焼結時に、セラミッ
ク母基板が収縮、変形し、ダイシングラインｍ０〜ｍ７
及びｎ０〜ｎ８のダイシングピッチをあらかじめ設定し
た一定のピッチで電子装置１０をダイシングしていくと
下部電極（端子電極）の一部をダイシングしてしまうと
いう問題が生じる。

【００１４】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、電子装置のダイシング精度を高めることができ、電
極をダイシングすることを防ぎ、製造コストの安価な電
子装置およびそのダイシング方法を提供することを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の電子装置は、母
基板の主面に、少なくとも１つの電子素子からなる電子
部品を縦横に複数個配置して前記主面を樹脂で被覆し、
前記主面と反対側の前記母基板の面に前記電子部品の電
極を配設し、前記母基板上で前記樹脂が形成されない領
域に前記電子部品同士を分離・分割するために認識する
認識マークを備えたことを特徴とする。

【００１６】また本発明の第１番目の電子装置のダイシ
ング方法は、母基板の主面上に、少なくとも１つの電子
素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹
脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と
反対側の面には前記電子部品の電極が形成された電子装
置のダイシング方法であって、前記電子部品と他の電子
部品との間の所定電極間の長さ及び前記所定電極間に存
在する電子部品の数を求めてダイシングピッチを算出
し、前記算出したピッチに基づいて前記電子装置を個々
の電子部品に分離・分割することを特徴とする。

【００１７】本発明の第２番目の電子装置のダイシング
方法は、母基板の主面上に、少なくとも１つの電子素子
からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹脂で
被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と反対
側の面には前記電子部品の電極が形成され、前記電極と
同じ面に互いに直交するように認識マークが配置されて
いる電子装置のダイシング方法であって、前記所定の認
識マーク間の長さ及び前記認識マークの間に存在する電
子部品の数により、ダイシングピッチを算出しその算出
したピッチに基づいて前記電子装置にダイシングを施し
て前記電子装置を個々の電子部品に分離・分割すること
を特徴とする。

【００１８】本発明の第３番目の電子装置のダイシング
方法は、母基板の主面上に、少なくとも１つの電子素子
からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹脂で
被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と反対
側の面には前記電子部品の電極が形成され、前記電極と
同じ前記母基板の四辺の周囲部には認識マークが配置さ
れている電子装置のダイシング方法であって、四辺の中
のほぼ平行な二辺に配置されている認識マークの間の距
離及び前記認識マークの間に存在する電子部品の数を求
めて、ダイシングのピッチを算出しその算出したピッチ
に基づいて前記電子装置にダイシングを施すことを特徴
とする。

【００１９】本発明の第４番目の電子装置のダイシング
方法は、母基板の主面上に、少なくとも１つの電子素子
からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹脂で
被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と反対
側の面には前記電子部品の電極が形成されている電子装
置のダイシング方法であって、前記電子部品の所定電極
と前記電子部品とは所定の間隔で配置された他の電子部
品の所定電極との間の長さ及び、電子部品の数を求め
て、ダイシングのピッチを算出しその算出したピッチに
基づいて前記電子装置にダイシングを施すことを特徴と
する。

【００２０】本発明の第５番目の電子装置のダイシング
方法は、母基板の主面上に、少なくとも１つの電子素子
からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹脂で
被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と反対
側の面には前記電子部品の電極が形成されている電子装
置のダイシング方法であって、前記電子装置のほぼ中央
部に配置されている電子部品の所定電極と、前記電子装
置の周辺部に配設されている所定電極とのズレを測定
し、そのズレの大きさに基づいてダイシングラインを設
定することを特徴とする。

【００２１】本発明によれば、電子装置から電子部品へ
の分離、分割が容易となり、電子装置のダイシング精度
を高めることができ、電極をダイシングすることを防
ぎ、製造コストの安価な電子装置およびそのダイシング
方法を実現できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明においては、電子部品の電
極が形成された面に前記電極の形成と同じ工程で形成し
た認識マークを備えていることが好ましい。これによっ
て、電極との位置関係や電極との間隔に所定の関係、距
離をもたせることができる。また、電極と同じ面に同時
に形成するので認識マークを形成するための工程が不要
となる。

【００２３】また本発明においは、電子部品同士を画定
する領域に認識マークを備えていることが好ましい。こ
れによって、認識マークの位置を電子装置を分離、分割
するための境界目印として使用することができる。

【００２４】また、認識マークは母基板の四辺の周囲部
に所定の間隔で配置されていることが好ましい。これに
よって、向かい合う二辺に配置された認識マークを結ぶ
線上をダイシングラインに設定することができるので、
電子装置の分離、分割の精度が向上する。

【００２５】次に本発明の第１〜２番目の方法によれ
ば、電子部品同士の電極の位置およびそれらのピッチを
算出してダイシングを行うことにより、電極の一部を切
断するという不所望な状態を排除できる。

【００２６】前記第１〜２番目の方法によれば、ダイシ
ングが認識マークを結ぶ線上に施されるという好ましい
例により、ダイシングの精度が高められる。

【００２７】本発明の第３番目の方法によれば、ダイシ
ングの精度をさらに高めることができる。

【００２８】本発明の第４番目の方法によれば、認識マ
ークを備える必要がなくなるので、電子装置の小型化が
できる。

【００２９】本発明の第５番目の方法によれば、ダイシ
ングラインを設定するための時間が短縮できる。

【００３０】前記５番目の方法においては、電子装置の
ほぼ中央部に配置されている電子部品の電極と電子装置
の周辺部に配置された電子部品の電極とのズレは電子装
置の周囲部に設けた認識マークを基準として求められる
という好ましい例により、電極間に生じるズレの測定精
度を高めることができる。

【００３１】本発明の第１〜５番目の方法においては、
ダイシングを実行するダイシング手段に電子装置を載置
し、前記ダイシング手段の刃の動作方向と、前記ダイシ
ングラインとがほぼ平行になるように前記ダイシング手
段を調整した後、ダイシングを施すことが好ましく、こ
れによって、ダイシングの方向とダイシングラインとを
ほぼ平行に設定することができ、ダイシングの信頼性を
さらに向上させ高めることができる。

【００３２】以下に本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。

【００３３】（実施の形態１）本発明の実施の形態１の
電子装置を図面を参照しながら説明する。

【００３４】図１Ａに示すように、電子装置１０はほぼ
四辺形のセラミック母基板１１の主面に電子部品１２を
縦横に、ｍ×ｎ個備える。そして、セラミック母基板１
１の主面の大部分は樹脂１３で被覆されている。

【００３５】図１Ｂは図１ＡのＩ−Ｉラインの断面図を
示す。セラミックで構成された母基板１１の厚みｔ１は
０．１５〜０．２ｍｍである。母基板１１の主面（表
面）側には、トランジスタなどの電子部品１２が実装さ
れ、それらの電子部品を樹脂１３で被覆している。

【００３６】母基板１１の厚み方向で前記主面とは反対
の面には後述する下部コレクタ電極１９，２０及び下部
ベース電極２７及び下部エミッタ電極２８が配設され
る。

【００３７】セラミック母基板１１に実装される電子部
品１２は、従来例を示した図８Ａのたとえばトランジス
タ等の電子素子１５である。また、抵抗、コンデンサ、
コイルなどを内蔵することもできる。本発明の実施の形
態で用いる電子部品１２は従来例を示した図８Ａのもの
とほぼ同じである。

【００３８】母基板１１の主面（表面）とは反対の面
（裏面）には下部電極１９，２０，２７及び２８が複数
個備えられている。また、下部電極１９，２０などと同
じ面には、後述の認識マーク３０が上記の下部電極と同
時に形成されている。

【００３９】図２は図１Ａに示した下部電極１９，２
０，２７及び２８からみた平面図を示す。本実施の形態
の電子装置１０は、前述のように下部電極が形成された
面と同じ面に認識マーク３０を設けたことで従来とは相
違する。認識マーク３０はほぼ四辺形の母基板１１の四
つの辺に沿ってその近傍に存在する。すなわち、母基板
１１の周辺部に配置されている。また、認識マーク３０
は電子部品１２同士を分離、分割する領域、すなわち、
ダイシングラインｍ０〜ｍ７及びｎ０〜ｎ８の延長線上
に所定の間隔をもって配置することができる。

【００４０】この認識マーク３０の形状はたとえば、長
方形、正角形、その他の形状のものでもよく、本実施例
では縦０．３ｍｍ、横０．５ｍｍの長方形のものを採用
した。厚さは任意のものとすることができる。

【００４１】認識マーク３０は下部電極１９，２０，２
７及び２８と同時に形成すればよく、これによって認識
マークを形成するための工程が不要になる。

【００４２】認識マーク３０、下部電極１９，２０等は
厚みが０．１５〜０．２ｍｍのセラミック母基板上にタ
ングステンを厚み２０μｍ程度でシルク・スクリーン印
刷等で形成し、その上にニッケルを３〜７μｍ、さらに
その上に金を１〜２μｍの厚さにめっきを施して形成さ
れている。タングステンの他の下部電極としては、銅、
銀、モリブデンなどその他の金属が適用できる。

【００４３】図３はセラミック母基板１１の主面（表
面）側に認識マーク３０を設けたことで図１のものとは
相違する。この場合には認識マーク３０は上部コレクタ
電極１６，ベース電極２３及びエミッタ電極２４と同時
に成形されているため認識マークを形成する工程が不要
となる。

【００４４】以上の説明から明らかなように、本発明の
実施の形態１においては、認識マーク３０は必ずしも下
部電極が配設された面と同じ面側に配置する必要はな
く、セラミック母基板上で樹脂が形成されていない領域
に形成すればよい。

【００４５】（実施の形態２）次に本発明の実施の形態
２について図４及び図２を参照して説明する。

【００４６】図４を参照すると、テーブル３１にはダイ
シングに供される電子装置１００（点線で図示）が載置
されている。しかし、電子装置１００はダイシング用の
ブレード（刃）３２の動作方向Ｄ（ダイシング方向）と
は非平行の状態に置かれている。このため、電子装置１
００のダイシングラインｍ１００と動作方向Ｄがほぼ平
行に置かれるように、回転手段３３によってテーブル３
１を回転させ、電子装置２００（実線で図示）で示した
位置にまで位置調整が行われる。この位置調整は、電子
装置２００のダイシングラインｍ２００とブレードの動
作方向Ｄとがほぼ平行になったことが確認されるまで行
われる。

【００４７】ここで、電子装置１００，２００は図２に
示したように、ほぼ四辺形のセラミック母基板１１の上
に電子部品１２が既に作り込まれている。また、３０
ａ，３０ａは電子装置１００の認識マークを、３０ｂ、
３０ｂは電子装置２００の認識マークをそれぞれ示して
いる。

【００４８】ここで図２に戻って、本実施の形態のダイ
シング方法について説明する。

【００４９】まず本実施の形態の最も簡便な方法は、セ
ラミック母基板１１の四辺のうち、直交する２辺に設け
た認識マーク３０の所定間の長さを求めるとともに、そ
の認識マーク３０の間に存在する電子部品の個数に基づ
いてダイシングピッチを算出する。そして、その算出し
たピッチを固定し、すべてのダイシングラインに対して
一定のダイシングピッチでダイシングを施す。

【００５０】この方法は図２の上下左右の四辺に設けた
認識マークのうち、たとえば図２を正視して左側と下側
の二辺の近傍に配置した認識マーク３０を利用すればよ
く、まずダイシングラインｍ０の延長線上の認識マーク
３０からダイシングラインｍ７の延長線上に存在する認
識マーク３０までの距離Ｌａを求める。次にその間の電
子部品の数を求め、ピッチを算出する。

【００５１】このときのピッチ（ｐａ）は、ｐａ＝Ｌａ
／（Ｎａー１）となる。ここでＮａはダイシングライン
ｍ０〜ｍ７までに存在する認識マークの数を示す。その
とき、電子部品の数は（Ｎａ−１）で示される。たとえ
ば、Ｌａ＝７ｍｍ、Ｎａ＝８とすると、ピッチ（ｐａ）
はｐａ＝７／（８−１）＝１ｍｍとなる。

【００５２】図２を正視してセラミック母基板１１の下
側に設けた認識マーク３０に注目し、ダイシングライン
ｎ０からｎ８までの距離をＬｂ、Ｌｂ＝６．４ｍｍ、認
識マークの数をＮｂとし、そのときのピッチＰｂを求め
ると、Ｐｂ＝Ｌｂ／（Ｎｂ−１）＝６．４／（９−１）
＝０．８ｍｍとなる。

【００５３】実施の形態２に示したダイシング方法はセ
ラミック母基板１１の少なくとも二辺に設けた認識マー
クを利用するので、ダイシングに要する時間は短くて済
む。こうした方法は特に、セラミック母基板１１の収縮
や変形が小さい電子装置１０のダイシング方法に好適で
ある。

【００５４】なお、前記したいわゆるθ合わせはダイシ
ングピッチｐａ，ｐｂを求める前でも後でもかまわな
い。

【００５５】なお、認識マーク３０の代わりに下部電極
１９，２０，２７及び２８の全部又はその一部を用いる
こともできる。たとえば、母基板１１の周辺部（端部）
に配置されている相異なる電子部品１２の下部電極１９
を認識してダイシングピッチｐａ，ｐｂを求めてもよ
い。なぜならば、１枚の母基板１１上の複数の電子部品
１２に配置されている下部コレクタ電極１９，２０など
は所定の間隔で規則正しく配列されているからである。

【００５６】とくに、セラミック母基板１１の四辺の周
辺部に形成された下部電極は、セラミック母基板の収
縮、変形による大きさの変位やパターンのズレによる影
響を受けにくいので、認識マークとして好適である。

【００５７】（実施の形態３）本発明の実施の形態３を
図２及び図４を用いて説明する。実施の形態２とは、セ
ラミック母基板の四辺に設けた対向する二辺に配置され
た認識マークを利用することで相違する。

【００５８】図２において、一組の対向する二辺に配置
された認識マークは、ダイシングラインｍ０の延長線上
の左右２つの辺に配置された認識マーク３０が相当す
る。実施の形態３においてはまず、ダイシングラインｍ
０の延長線上の認識マーク３０からダイシングラインｍ
７の延長線上に存在する認識マーク３０までの距離Ｌａ
を求める。次にその間の電子部品１２の数を求め、ダイ
シングするためのピッチを算出する。ダイシングピッチ
（ｐａ）はｐａ＝Ｌａ／（Ｎａー１）で求める。ここで
Ｎａはダイシングラインｍ０〜ｍ７までに存在する認識
マークの数を示す。そのとき、電子部品１２の数は（Ｎ
ａ−１）で示される。たとえば、Ｌａ＝７ｍｍ、Ｎａは
図２から容易に求められるようにＮａ＝８となる。した
がって、ピッチｐａはｐａ＝７／（８−１）＝１ｍｍと
なる。

【００５９】次に、二組目の対向する二辺に配置された
認識マーク３０を認識することになる。これらの認識マ
ーク３０はダイシングラインｎ０からｎ８の延長線上に
配置された認識マーク３０が相当する。

【００６０】ダイシングラインｎ０〜ｎ８までの距離を
Ｌｂとし、Ｌｂ＝６．４ｍｍ、認識マークの数をＮｂと
すると、Ｎｂは図２から容易に求められるようにＮｂ＝
９であるから、このときのピッチｐｂを求めると、ｐｂ
＝Ｌｂ／（Ｎｂ−１）＝６．４／（９−１）＝０．８ｍ
ｍとなる。

【００６１】こうして算出されたピッチｐａ，ｐｂに基
づいて、ダイシングが認識マークを結び線上に施される
ことになる。

【００６２】なお実施の形態３も本質的には、認識マー
ク３０の所定間の距離と、その認識マーク３０間の電子
部品の数を求め、それらからダイシングピッチＰａ，Ｐ
ｂを求める。

【００６３】認識マーク３０を結ぶダイシングラインと
ブレード３２の動作方向Ｄとが変位しているときには図
４に示したテーブル３１を回転させて、角度合わせ、い
わゆるθ合わせを行う。θ合わせを行った後、電子装置
１０にダイシングを施す。

【００６４】実施の形態３においても認識マーク３０を
採用せずにダイシングを行うことが可能である。すなわ
ち、下部電極１９，２０，２７及び２８を認識マーク３
０の代りに用いることができる。

【００６５】（実施の形態４）本発明の実施の形態４は
セラミック母基板の四辺に設けた認識マークを利用する
ものである。この点では実施の形態３とほぼ同じであ
る。しかし本実施の形態４はダイシングのピッチが電子
部品の置かれている位置によって、個々に設定される点
で実施の形態３とは相違する。すなわち、ダイシングラ
インの数、すなわち、ダイシングが行われるごとに、認
識マーク３０の位置確認を行いダイシングピッチを設定
するものである。

【００６６】このため、実施の形態３に比べてダイシン
グに時間を要することになるが、その分高い精度のダイ
シング方法が可能となる。

【００６７】図２を参照し本実施の形態４を説明する。
本形態の実施にあたっては、まずダイシングラインｍ０
の延長線上の左右２つの認識マークの位置を認識する。
この２つの認識マークの位置（Ｘ，Ｙ座標）が変位して
いるときには図４に示したテーブル３１を回転させてい
わゆるθ（シータ）合わせを行う。θ合わせを行った
後、ダイシングを行う。

【００６８】ここで図２に戻る。ダイシングラインｍ０
に沿ったダイシングが終わると、次に隣のダイシングラ
インｍ１の延長線上にある左右の認識マーク３０の認識
を行い、２つの認識マーク３０の位置が変位していると
きには再度、θ合わせを行い、ダイシングを施す。

【００６９】以下順次ダイシングラインｍ２，ｍ３・・
・・ｍ７の延長線上に存在する認識マーク３０の認識と
θ合わせを行いダイシングを施していく。

【００７０】ダイシングラインｍ０〜ｍ７に沿って上下
方向にダイシングを施した後は、ダイシングラインｎ０
〜ｎ８に沿って電子装置１０の左右方向にダイシングを
施す。

【００７１】なお、本実施の形態においても認識マーク
３０を用いる代わりに下部電極１９，２０，２７及び２
８をダイシングピッチの設定に利用することができる。

【００７２】（実施の形態５）実施の形態５は、実施の
形態４の手法をベースとするが、認識マーク３０の認識
に加えて、認識マーク３０と電子部品１２に配設した下
部コレクタ電極１９，２０、下部ベース電極２７及び下
部エミッタ電極２８のうち少なくとも１つの下部電極と
の間隔（距離）及び電子部品の数を求めてダイシングラ
インを設定することで実施の形態４と相違する。

【００７３】実施の形態５について図５，図６を参照し
ながら説明する。

【００７４】図５は下部電極１９，２０，２７及び２８
がたとえばトランスファーモールド工程後変位した状態
を示す。こうした状態は、従来の図７に示した状態とほ
ぼ同じである。しかし、下部電極１９，２０，２７及び
２８は図７に示したもののほぼ２倍のものを示した。こ
れはなるべく実際の電子装置１０における下部電極１９
等の変位を示すためである。

【００７５】また、ここでは複数個の下部電極２７，２
８と下部電極１９，２０を示しているが、下部電極２
７，２８と、下部電極１９，２０は同一の電子部品１２
の下部電極ではなく、相隣接する別個の電子部品１２の
電極である。すなわち、ダイシングラインｍ１を挟んで
対向するＰ列及びＱ列の複数の電子部品１２の下部電極
群１９，２０，２７及び２８を示している。

【００７６】また図５に示したようにセラミック母基板
１１の中央部１４付近に大きな収縮、変形が生じ、その
周辺部（端部）で小さいことを知見した。この理由はセ
ラミック母基板の中央部に応力が集中するためであると
推測する。

【００７７】図６に示したように下部電極１９，２０及
び２７，２８に位置ズレが生じている場合には、セラミ
ック母基板１１の左右に設けた認識マーク３０をいくら
精度をあげて認識させても、またθ合わせの精度を高め
ても、ダイシングラインｍ１に沿ってダイシングを行っ
たとしても下部電極１９，２０の一部をダイシングして
しまうという問題点を解消するまでには至らない。

【００７８】こうした不都合を克服するためには、当初
のダイシングラインｍ１を変更後のダイシングラインｍ
１０で示した位置に変更しなければならない。

【００７９】図６は本実施の形態のダイシングラインの
変更を説明するための図である。

【００８０】まず本発明の実施の形態５を実行するにあ
たっては、ダイシングラインｍ１の延長線上に存在する
認識マーク３０の中心からＰ列に存在する下部電極２７
との最も短い距離Ａを測定する。

【００８１】次にダイシングラインｍ１を挟んでＰ列と
は対向するＱ列に配置されている下部電極１９（２０）
との距離Ｂを測定する。

【００８２】ＡとＢの値を求めた後（Ａ−Ｂ）／２の値
を求める。その値をダイシングラインｍ１の座標に加え
た値が変更後のダイシングラインｍ１０となる。

【００８３】ところで、ダイシングラインがｍ１からｍ
１０に変更されて電子装置１０にダイシングを施すと、
ダイシング後において、電子部品１２の端部から下部電
極までの距離が設計値よりも小さくなったａ１や、逆に
設計値よりも長いａ２のものなどが混在することになる
が、これらのばらつきは製品規格で決めており、当該規
格を越えた場合には良品の扱いから、はずす必要がでて
くる。

【００８４】ちなみに本発明の電子部品の大きさが０．
８ｍｍ×１．０ｍｍの場合には、上記ａ１及びａ２の許
容範囲は０．０５±０．０３ｍｍと定めている。すなわ
ち、ａ１，ａ２の範囲は０．０２ｍｍ（２０μｍ）〜
０．０８（８０μｍ）ｍｍの範囲を良品としている。

【００８５】なお本実施の形態においても認識マーク３
０を採用せずに下部電極１９，２０，２７及び２８を認
識マーク３０の代わりとして用いることができる。

【００８６】（実施の形態６）実施の形態６は認識マー
ク３０を採用せずに電子部品１２に配設した電極そのも
のをダイシングライン設定の基準パターンとして用い
る。

【００８７】認識マーク３０を用いなくとも電子装置１
０にダイシングが施せることは上記の実施形態において
も簡単に述べたがここで詳しく説明する。

【００８８】本実施の形態を図６及び図２を用いて説明
する。

【００８９】図６では、認識マーク３０を用いたが、そ
の目的は認識マーク３０は電子部品とその隣の電子部品
とを画定する領域に設けているためである。すなわち、
１つの電子部品に複数の下部電極が存在すると、電子部
品同士を画定するのが容易でなくなるが、認識マーク３
０の存在によってこうした問題は解消される。

【００９０】しかし、認識マーク３０は本発明において
必ずしも不可欠なものではない。それは下部電極１９，
２０及び２７，２８の配置は本来規則正しく配列された
ものであるから、その下部電極１９，２０に認識マーク
３０と同じ機能をもたせることができる。

【００９１】たとえば、図２に示したように電子部品１
２に配設された下部電極１９，２０及び２７，２８は縦
横２個ずつ並べている。こうした規則正しい配列は電子
部品１２同士を画定するための１つの認識手段（認識マ
ーク）として利用できる。

【００９２】認識マーク３０を用いずにダイシングライ
ンを決定する方法は図６に示したようにまず、下部電極
２７（２８）のＹ座標の中で小さい方の値（Ｙ２７）を
求める。次に、下部電極１９（２０）のＹ座標のなかで
大きい方の値（Ｙ１９）を求める。そして、それらの差
分（Ｙ２７−Ｙ１９）を求めその１／２の値をＹ１９に
加えるか、或いはＹ２７から減じればよい。

【００９３】なお図５はＹ座標を求めたが変位方向によ
ってはＸ座標を求めなければならない。

【００９４】また、認識マーク３０を採用しない場合に
は、下部電極１９と２７が同一の電子部品に形成された
下部電極ではなく、相隣接する別々の電子部品１２であ
ることを事前に認識しておく必要がある。しかしこうし
た点については前にも述べたように、１つの電子部品１
２に配設されている下部電極１９，２０などはあらかじ
めその配列が明らかであり、また、電子部品１２のピッ
チもあらかじめ定められた値の範囲であるから実用上問
題はない。

【００９５】（実施の形態７）実施の形態７は上記の実
施の形態６の方法を採用するものであるがさらに簡便化
を図ったものである。前述し、図５にも示したように、
本発明者らは下部電極１９，２０及び２７，２８はセラ
ミック母基板１１の中央部１４付近で最も変位が大き
く、周辺部付近で最も小さいことを見い出した。

【００９６】その理由は、セラミック母基板１１の中央
付近に最も応力が集中し母基板１１の周辺部（端部）が
最も小さいことによる。こうした事実に基づいて本実施
の形態では下部電極のすべての変位値を求める必然性は
なく、セラミック母基板１１の中央部に配設された下部
電極１９，２０，２７及び２８と、セラミック母基板１
１の周囲の下部電極１９，２０，２７及び２８との変位
差を求めれば、実用上支障がないことを示している。

【００９７】図６を正視して左側に示した下部電極１
９，２７の状態は比較的変位が少ない、いわゆるセラミ
ック母基板の周辺部、右側に示した下部電極１９，２７
は比較的変位が大きい、すなわち、基板の中央部の状態
を模式的に示したものである。変更後のダイシングライ
ンｍ１０の位置（座標）の算出については前の実施の形
態６で説明したのでここでは割愛する。

【００９８】以上説明した本発明の実施の形態によれ
ば、EP 1 056 126 Aと比較すると、下部電極（端子電
極）の一部をダイシングしてしまうという問題が改善で
き、歩留まりは５〜１５％向上できる。

【００９９】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の電子装
置によれば、電子部品で樹脂が形成されていない母基板
上に電子装置をダイシングするときに用いる認識マーク
を備えたので、電子装置のダイシング精度を高めること
ができる。

【０１００】特に、母基板上には電子部品の端子電極
（下部電極）を形成する工程が必要であるが、このとき
に同時に認識マークを電極と同じ面に形成するので、新
たな工程を追加する必要もなく、従来の工程で電子装置
を製造することができる。

【０１０１】また、本発明の１つのダイシング方法は、
電子部品に取り付けられる電極の位置のズレを列単位及
び行単位の２つの軸で認識し、電極の位置ズレを求めて
最適なダイシングラインを設定するので、電極をダイシ
ングするという不都合な状態を排除できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の電子装置を示し、Ａは平面
図、ＢはＡのＩ−Ｉ断面図。

【図２】図１Ａを裏からみた裏面図。

【図３】本発明の一実施例の電子装置の他の実施形態を
示す平面図。

【図４】本発明の一実施例の位置調整（θ調整）を説明
するための図。

【図５】本発明の一実施例のダイシングラインの変更を
示す図。

【図６】本発明の一実施例のダイシングラインの位置を
定めるのに用いる説明図。

【図７】従来の電子装置の裏（電極側）からみた裏面
図。

【図８】Ａは従来の電子部品の透視側面図、Ｂはその底
面図。

【図９】従来の電子装置の主面側（樹脂封止側）からみ
た裏面図。

【符号の説明】

１０，１００，２００電子装置１１，１１０セラミック母基板１２電子部品１３樹脂１４セラミック母基板の中央部１５電子素子１６上部コレクタ電極１７，１８，２５，２６バイアホール電極１９，２０下部コレクタ電極２１，２２ワイヤー２３上部ベース電極２４上部エミッタ電極２７下部ベース電極２８下部エミッタ電極３０，３０ａ，３０ｂ認識マーク３１テーブル３２ブレード（刃）３３回転手段ｍ０〜ｍ７，ｎ０〜ｎ８ダイシングラインｍ１０変更後のダイシングラインＰ，Ｑ電子部品の下部電極群

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】母基板の主面に、少なくとも１つの電子素
子からなる電子部品を縦横に複数個配置して前記主面を
樹脂で被覆し、前記主面と反対側の前記母基板の面に前
記電子部品の電極を配設し、前記母基板上で前記樹脂が
形成されない領域に前記電子部品同士を分離・分割する
ために認識する認識マークを備えたことを特徴とする電
子装置。
【請求項２】電子部品の電極が形成された面と同じ面側
に認識マークを備えている請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】電子部品同士を画定する領域に認識マーク
が備えられている請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】認識マークは母基板の四辺の周辺部に所定
の間隔で配置されている請求項１記載の電子装置。
【請求項５】母基板の主面上に、少なくとも１つの電子
素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹
脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と
反対側の面には前記電子部品の電極が形成された電子装
置のダイシング方法であって、前記電子部品と他の電子部品との間の所定電極間の長さ
及び前記所定電極間に存在する電子部品の数を求めてダ
イシングピッチを算出し、前記算出したピッチに基づい
て前記電子装置を個々の電子部品に分離・分割すること
を特徴とする電子装置のダイシング方法。
【請求項６】母基板の主面上に、少なくとも１つの電子
素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹
脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と
反対側の面には前記電子部品の電極が形成され、前記電
極と同じ面に互いに直交するように認識マークが配置さ
れている電子装置のダイシング方法であって、前記所定の認識マーク間の長さ及び前記認識マークの間
に存在する電子部品の数により、ダイシングピッチを算
出しその算出したピッチに基づいて前記電子装置にダイ
シングを施して前記電子装置を個々の電子部品に分離・
分割することを特徴とするダイシング方法。
【請求項７】ダイシングが認識マークを結ぶ線上に施さ
れる請求項６に記載のダイシング方法。
【請求項８】母基板の主面上に、少なくとも１つの電子
素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹
脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と
反対側の面には前記電子部品の電極が形成され、前記電
極と同じ前記母基板の四辺の周囲部には認識マークが配
置されている電子装置のダイシング方法であって、四辺の中のほぼ平行な二辺に配置されている認識マーク
の間の距離及び前記認識マークの間に存在する電子部品
の数を求めて、ダイシングのピッチを算出しその算出し
たピッチに基づいて前記電子装置にダイシングを施すこ
とを特徴とするダイシング方法。
【請求項９】母基板の主面上に、少なくとも１つの電子
素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は樹
脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面と
反対側の面には前記電子部品の電極が形成されている電
子装置のダイシング方法であって、前記電子部品の所定電極と前記電子部品とは所定の間隔
で配置された他の電子部品の所定電極との間の長さ及
び、電子部品の数を求めて、ダイシングのピッチを算出
しその算出したピッチに基づいて前記電子装置にダイシ
ングを施すことを特徴とするダイシング方法。
【請求項１０】母基板の主面上に、少なくとも１つの電
子素子からなる電子部品が縦横に配置され前記主面側は
樹脂で被覆されており前記母基板の厚み方向で前記主面
と反対側の面には前記電子部品の電極が形成されている
電子装置のダイシング方法であって、前記電子装置のほぼ中央部に配置されている電子部品の
所定電極と、前記電子装置の周辺部に配設されている所
定電極とのズレを測定し、そのズレの大きさに基づいて
ダイシングラインを設定することを特徴とするダイシン
グ方法。
【請求項１１】電子装置のほぼ中央部に配置されている
電子部品の電極と電子装置のほぼ端部に配置された電子
部品の電極とのズレの大きさは電子装置の周囲部に設け
た認識マークを基準として求める請求項１０に記載のダ
イシング方法。
【請求項１２】ダイシングを実行するダイシング手段に
電子装置を載置し、前記ダイシング手段の刃の動作方向
と、前記ダイシングラインとがほぼ平行になるように前
記ダイシング手段を調整した後、ダイシングを施す請求
項５〜１１のいずれかに記載のダイシング方法。