JPS62188345A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

混成集積回路の製造方法

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JPS62188345A
JPS62188345A JP3126586A JP3126586A JPS62188345A JP S62188345 A JPS62188345 A JP S62188345A JP 3126586 A JP3126586 A JP 3126586A JP 3126586 A JP3126586 A JP 3126586A JP S62188345 A JPS62188345 A JP S62188345A
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JP
Japan
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hybrid integrated
metal substrate
integrated circuits
slit holes
integrated circuit
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JP3126586A
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English (en)
Inventor
Takashi Okada
敬 岡田
Hiroyuki Hoshimoto
星本 宏之
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/1904Component type
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    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は混成集積回路の製造方法に関する。
(ロ)従来の技術 アルミニウム等の金属基板上に混成集積回路を形成する
ことは既に特公昭46−13234号公報において提案
されている。また、1985年5月発行の電子材料64
頁乃至68頁には、この様な金属基板を用いて小形パッ
ケージのハイブリッドICとしてモノリシックICチッ
プの組み込みを主体とした5O3(サブストレートキャ
リヤシステム)方式、即ち、小形ハイブリッドICの製
造技術が記載きれている。
以下にその製造工程を述べる。
先ず、第4図Aに示す如く、絶縁処理を施した長手状の
金属基板(11)上に銅箔を貼着し、その銅箔上に複数
個の混成集積回路となる所望形状の導電路(12)のパ
ターンのレジストを印刷した後、銅箔をエツチング液内
に通過させて所望の導電路(12)を形成する。
次に第4図Bに示す如く、混成集積回路(13)の境界
部にスリット孔(14)を設けた後、所望の導電路(1
3)上あるいは導電路(13)間にトランジスタ、集積
回路、チップコンデンサー、チップ抵抗等の回路素子(
15)を固着し、第4図Cに示す如く個々の混成集積回
路(13)に分割するものである。
くハ)発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述した従来の製造方法では金属基板の
短辺方向に対して混成集積回路を一組しか形成していな
いため混成集積回路の多量製造ができない欠点を有して
いた。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、第1
図Aに示す如く、金属基板(1)上に接着樹脂を介して
銅箔(2)を貼着し、第1図Bに示す如く、金属基板(
1)上に混成集積回路1個以上の長さを有するスリット
孔(3)を形成し、第1図Cに示す如く、スリット孔(
3)に隣接する領域に複数の混成集積回路(6)を形成
し、第1図りに示す如く、スリット孔(3)を用いて複
数の混成集積回路(6)を夫々個別に分離する。
(ホ)作用 この様にスリット孔(3)に隣接する領域に複数の混成
集積回路(6)を形成し、スリット孔(3)を用いて混
成集積回路(6)を分離することにより、従来に比べ多
量の混成集積回路が製造できる。
(へ)実施例 以下に図面に示した実施例に基づいて本発明の詳細な説
明する。
第1図A乃至第1図Eは本発明の実施例を示す混成集積
回路の製造方法である。
先ず第1図Aに示す如く、例えば巾10Qn+m。
長さ200nwnの金属基板(1)を準備しく本実施例
ではアルミニウム基板を用いる)、その金属基板(1)
の表面を陽極酸化して酸化アルミニウム薄層を形成し、
その酸化アルミニウム薄層上に接着樹脂、例えばエポキ
シまたはポリイミド等の樹脂層を介して銅箔(2)を貼
着する。
次に第1図Bに示す如く、金属基板(1)の長手方向に
所定の間隔て略基板(1)の巾一杯のスリット孔(3)
をプレス打抜きで形成する。そのスリット孔(3)と隣
接する領域、ここではスリット孔(3)で囲まれた領域
が混成集積回路を形成する領域となる。
次に第1図Cに示す如く、スリット孔(3)で囲まれた
金属基板(1)上に複数の混成集積回路、本実施例では
2個の混成集積回路が形成できる様に所望形状の導電路
(4)のパターンのレジストを印刷し、金属基板(1)
をエツチング液内に通過させ、銅箔をエツチングし所望
形状の導電路(4)を形成し、その導電路(4)上ある
いは導電路(4)間にトランジスタ、集積回路、チップ
コンデンサー、チップ抵抗等の回路素子(5)を固着し
て所望の配線を行なう。
次に第1図りに示す如く、金属基板(1)を一点鎖線で
示すスリット孔(3)の端部および金属基板(1)の略
中央□部で切断して夫々の混成集積回路(6)に分離す
る。
最後に第1図Eに示す如く、夫々分離された混成集積回
路(6)に外部リード(7)を固着して混成集積回路(
6)を完成する。
また、他の実施例として第2図Aに示す如く、金属基板
(1)の略中央部に縦長のスリット孔〈3〉を設け、第
2図Bに示す如く、スリット孔(3)を境に金属基板(
1)上に前述した同様の技術で混成集積回路(6)を形
成す・る0次に第211fflCに示す如く、金属基板
(1)を一点鎖線で示すスリット孔(3)および夫々の
混成集積回路(6)の境界部分となる位置で切断して個
別に分離した後、第1図Eに示す如く、外部リード(7
)を固着゛して完成する。
更に他の実施例として第3図Aに示す如く、金属基板(
1)に十字型のスリット孔(3)を設け、第3図Bに示
す如く、十字型のスリット孔(3)によって形成された
領域に前述した同様の技術で混成集積回路(6)を形成
する0次に第3図Cに示す如く、金属基板(1)を一点
鎖線で示すスリット孔(3)の中央部およびスリット孔
(3)の端部を切断して個別に分離した後、第1図Eに
示す如く、外部リード(7)を固着して完成する。
斯る本発明に依れば、スリット孔(3)と隣接する領域
に複数の混成集積回路(6)を形成し、スリット孔(3
)を用いて個別に分離することにより、従来と同一工程
で多量の混成集積回路が提供できるので安価な生産がで
きる。
(ト〉発明の効果 上述の如く、本発明に依れば、スリット孔に隣接する領
域に複数の混成集積回路を形成し、スリット孔を用いて
混成集積回路を個別に分離する ゛ことにより、従来と
同一工程で多量の混成集積回路が製造でき安価な混成集
積回路が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図A乃至第1図Eは本発明の実施例を示す平面図、
第2図A乃至第2図Cおよび第3図A乃至第3図Cは他
の実施例を示す平面図、第4図A乃至第4図Cは従来例
を示す平面図である。 (1)・・・金属基板、 (2)・・・銅箔、 (3)
・・・スリット孔、 (4)・・・導電路、 (5)・
・・回路素子、 (6)・・・混成集積回路、 (7)
・・・外部リード。 出願人 三洋電機株式会社 外1名 代理人 弁理士  佐 野 靜 夫 第1図A 第1図B 味          0 第1図E 第2図B 、3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属基板の一主面上に接着樹脂を介して銅箔を貼
    着し、前記金属基板上に混成集積回路1個以上の長さを
    有するスリット孔を形成し、該スリット孔に隣接する領
    域に複数の混成集積回路を形成し、前記スリット孔を用
    いて前記複数の混成集積回路を夫々個別に分離すること
    を特徴とした混成集積回路の製造方法。
JP3126586A 1986-02-14 1986-02-14 混成集積回路の製造方法 Pending JPS62188345A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996037914A1 (en) * 1995-05-25 1996-11-28 Italtel S.P.A. Manufacturing process for hybrid circuit modules including electronic chip devices
JP2003155591A (ja) * 2001-11-15 2003-05-30 Sanyo Electric Co Ltd 板状体の製造方法およびそれを用いた回路装置の製造方法
WO2013018344A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 三洋電機株式会社 素子搭載用基板およびその製造方法、ならびに半導体モジュールおよびその製造方法

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