JP2007019478A - ウエハのダイシング方法、ダイシング装置および半導体素子 - Google Patents

Abstract

【課題】バックグラインドを行わなくともダイシングの際にウエハの破片の飛散を防止することで半導体素子の歩留まりの低下を図ることができるウエハのダイシング方法、ダイシング装置および半導体素子を提供する。
【解決手段】表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面にバックグラインドせずに粘着シート３が貼着されたウエハ１を、ブレード７で粘着シート３に到達する位置までダイシングして半導体素子の個片とするダイシング方法において、ブレード７が半導体素子の個片とならないウエハ１の周縁部をダイシングするときは、ブレード７の刃先がウエハ１の裏面まで達しないように、ブレード７を進行させながらブレード７の刃先の位置を徐々に高くしてダイシングする。このようにダイシングして個片にした半導体素子はバックグラインドしなくても飛散することがないので抗折強度を向上させることができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、ダイシング装置で、複数の半導体素子となる回路パターンが表面に形成されたウエハを切断して個片とするウエハのダイシング方法、ダイシング装置および半導体素子に関する。

従来の半導体素子の製造方法は、まずウエハの表面に個々の半導体素子となる回路パターンをマトリックス状に形成する回路パターン形成工程を実施する。この回路パターン形成工程で形成される半導体素子となる回路パターンは、略円形状のウエハの周縁部を残して形成される。次に、このウエハの裏面にバックグラインドと呼ばれる研磨工程を実施する。そして、研磨した裏面にマウントテープと呼ばれる粘着シートを貼った後に、ウエハの表面から縦列および横列に、ウエハの表面から粘着シートにかかる部分までの深さの溝をダイシング装置で形成することで個々の半導体素子の個片とするダイシング工程を実施する。バックグラインドは、この粘着シートとの密着性を向上させるために行うもので、この研削により１００μｍ程度ウエハが薄くなる。

このような従来の半導体素子の製造方法のダイシング工程を行うダイシング装置として、例えば特許文献１に記載されたものがある。この特許文献１に記載のダイシング装置は、ダイシングの際に回路パターンが形成されたチップが粘着シートから剥がれて飛散することを防止するために、ブレード近傍の切断されたウエハの上面から押圧するローラを備えたものである。

一方、このように製造された半導体素子は、例えばフラットディスプレイなどの制御に用いられるものであれば、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のドライバモジュールに実装される。

図１２に示されるように、ドライバモジュール３０は、配線パターンが形成されたフレキシブル基板３１に接続された半導体素子３２の裏面（上部）に放熱体３３を接合させたものである。放熱体３３は、半導体素子３２と接合することで、発熱量の多い半導体素子３２が発する熱を周囲に放熱して冷却する。
特開２００１−３２６１９３号公報

図１２に示されるドライバモジュール３０の半導体素子３２は、フレキシブル基板３１に実装する際に、曲げやねじれなどで折れることがある。これは、研削工程にてバックグラインドを実施するため、ウエハの厚みが薄くなるので、抗折強度が低下してしまう。もしバックグラインドを行わなければ、ウエハの裏面は粗面のままなので粘着シートとの密着性が低下する。そうなると、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部にブレードが進行したときに、ブレードがウエハを縦列および横列に切断して細切れとなったウエハの一部を、高速で回転するブレードの振動や、切削粉を除去するための洗浄水の水圧で粘着シートから剥がし飛散させる。飛散したウエハの破片は、周囲の個片となった半導体素子を傷付けてしまい歩留まりが低下する原因となる。

そこで本発明の目的は、バックグラインドを行わなくともダイシングの際にウエハの破片の飛散を防止することで半導体素子の歩留まりの低下を図ることができるウエハのダイシング方法、ダイシング装置を提供することにある。

また、ダイシングを行って個片となった際の抗折強度を向上させることができる半導体素子を提供することにある。

本発明は、表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面に粘着シートが貼着されたウエハを、ブレードでダイシングして前記半導体素子の個片とするダイシングにおいて、前記ブレードが、個片となる前記半導体素子の周囲部分をダイシングするときには、前記ブレードの刃先を前記粘着シートに到達する位置まで切削し、前記ブレードが、前記半導体素子の個片とならない前記ウエハの周縁部をダイシングするときは、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴とする。

ブレードが、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングしても、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように切削することで、ダイシングされて細切れとなった破片が飛散して、ウエハ表面に形成された配線パターンの傷の発生を抑止することができるので、半導体素子の歩留まりの向上を図ることができる。

また、本発明の半導体素子は、バックグラインドを実施していないため、厚みが厚いままダイシングされているので、曲げやねじれの応力に対する抗折強度の向上を図ることができる。

本願の第１の発明は、表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面に粘着シートが貼着されたウエハを、ブレードでダイシングして半導体素子の個片とするダイシング方法において、ブレードが、個片となる半導体素子の周囲部分をダイシングするときには、ブレードの刃先を粘着シートに到達する位置まで切削し、ブレードが、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときは、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴としたものである。

たとえウエハの裏面がバックグラインドされていない状態で粘着シートが貼られていて、ウエハと粘着シートとの密着性が低下した状態であっても、ブレードが、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないようにすることで、ウエハの周縁部が切断されて細切れとはならない。ダイシングするブレードは高速で回転しているので、そのブレードの振動がウエハの周縁部に伝わったり、切削粉を洗浄する洗浄水が噴射されたりしても、ウエハの周縁部は細切れとはなっていない状態では、その一部が破片となって飛散することはない。従って、細切れとなった破片が飛散することでウエハ表面に形成された回路パターンに傷が発生することを抑止することができるので、歩留まりの向上を図ることができる。

本願の第２の発明は、ブレードをウエハに対してダウンカット方向に回転させ、ブレードによるダイシングが進行して、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴としたものである。

ウエハのダイシングを行うと、最初となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分と、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分とが、破片となって飛散する可能性が高い。ブレードをウエハに対してダウンカット方向に回転させて切削している場合、特に、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分が破片となって飛散すると、ウエハの中央部分に向かって飛散してしまい、ウエハ表面に形成された回路パターンに傷が発生する確率が高くなる。従って、ブレードがダウンカット方向に回転するときは、特に、ブレードによるダイシングが進行して半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないようにすることで、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分が破片となって飛散することが防止できる。

本願の第３の発明は、ブレードによるダイシングが進行してウエハの周縁部まで到達すると、ブレードによるダイシングを進行させながらブレードの刃先の位置を徐々に高くすることを特徴としたものである。

例えば、ブレードの刃先を周縁部まで到達した時点で垂直方向へ引き上げるようにしてダイシングすると、ブレードは切削したウエハの溝の壁面を摺動しながら引き上げられることになる。そうなると、ブレードが回転する振動により溝の壁面部分が揺動してブレードの刃先に接触してしまいブレードの刃先やウエハを破損してしまうおそれがある。ブレードによるダイシングを進行させながらブレードの刃先の位置を徐々に高くすることで、ブレードが切削して形成されるウエハの溝の深さが徐々に浅くなっていく。浅くなった溝の壁面は、ブレードの振動の影響を受け難く揺動が少ないので、ブレードの刃先に接触することも少なくなる。従って、ブレードの刃先やウエハが破損してしまうことが防止できる。

本願の第４の発明は、ウエハを、切削方向が同一となるように配置された複数のブレードでダイシングするときは、ウエハの周縁部まで到達した順に、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴としたものである。

切削方向が同一となるように配置された複数のブレードで、ウエハをダイシングするときに、ウエハの周縁部まで到達した順に、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないようにすることで、同時に複数のブレードでウエハのダイシングを行うことができる。従って、ウエハの周縁部が破片となって飛散することを防止しつつ、ダイシング時間の短縮を図ることができる。

本願の第５の発明は、表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面に粘着シートが貼着されたウエハを、ブレードで粘着シートに到達する位置までダイシングして半導体素子の個片とするダイシング装置において、ブレードを昇降させる昇降手段と、ウエハを保持するチャックテーブルと、ブレードかチャックテーブルのいずれか一方を水平移動させる移動手段と、ブレードが半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときは、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないよう昇降手段および移動手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴としたものである。

たとえウエハの裏面がバックグラインドされていない状態で粘着シートが貼られていて、ウエハと粘着シートとの密着性が低下した状態であっても、ブレードが、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、制御手段がブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように昇降手段と移動手段とを制御することで、ウエハの周縁部が切断されて細切れとはならない。ダイシングするブレードは高速で回転しているので、そのブレードの振動がウエハの周縁部に伝わったり、切削粉を洗浄する洗浄水が噴射されたりしても、ウエハの周縁部は細切れとはなっていない状態では、その一部が破片となって飛散することはない。従って、細切れとなった破片が飛散することでウエハ表面に形成された回路パターンに傷が発生することを抑止することができるので、歩留まりの向上を図ることができる。

本願の第６の発明は、制御手段は、ウエハに対してダウンカット方向にブレードが回転した状態で、ブレードによるダイシングが進行して、半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように制御する機能を備えたことを特徴としたものである。

ウエハのダイシングを行うと、最初となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分と、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分とが、破片となって飛散する可能性が高い。ブレードをウエハに対してダウンカット方向に回転させて切削している場合、特に、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分が破片となって飛散すると、ウエハの中央部分に向かって飛散してしまい、ウエハ表面に形成された回路パターンに傷が発生する確率が高くなる。従って、ブレードがダウンカット方向に回転するときは、特に、ブレードによるダイシングが進行して半導体素子の個片とならないウエハの周縁部をダイシングするときに、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないようにすることで、最後となる半導体素子の個片に隣接した周縁部分が破片となって飛散することが防止できる。

本願の第７の発明は、制御手段は、ブレードによるダイシングが進行してウエハの周縁部まで到達すると、ブレードによるダイシングを進行させながらブレードの刃先の位置を徐々に高くするよう昇降手段および移動手段を制御する機能を備えたことを特徴としたものである。

例えば、ブレードの刃先を周縁部まで到達した時点で垂直方向へ引き上げるようにしてダイシングすると、ブレードは切削したウエハの溝の壁面を摺動しながら引き上げられることになる。そうなると、ブレードが回転する振動により溝の壁面部分が揺動してブレードの刃先に接触してしまいブレードの刃先やウエハを破損してしまうおそれがある。ブレードによるダイシングを進行させながらブレードの刃先の位置を徐々に高くするように制御部が昇降手段を制御することで、ブレードが切削して形成されるウエハの溝の深さが徐々に浅くなっていく。浅くなった溝の壁面は、ブレードの振動の影響を受け難く揺動が少ないので、ブレードの刃先に接触することも少なくなる。従って、ブレードの刃先やウエハが破損してしまうことが防止できる。

本願の第８の発明は、ウエハを切削する切削方向が同一の複数のブレードと、複数のブレードのそれぞれを昇降させる複数の昇降手段とを備え、制御手段は、ウエハの周縁部まで到達した順に、ブレードの刃先がウエハの裏面まで達しないように、複数の昇降手段を個別に制御する機能を備えたことを特徴としたものである。

複数のブレードが、切削方向が同一となるように配置されている。またこの複数のブレードをそれぞれ昇降させる複数の昇降手段が設けられている。制御手段は、ウエハをダイシングするときに、ウエハの周縁部まで到達した順に、それぞれのブレードの刃先をウエハの裏面まで達しないように、複数の昇降手段を個別に制御することで、同時に複数のブレードでウエハのダイシングを行うことができる。従って、ウエハの周縁部が破片となって飛散することを防止しつつ、ダイシング時間の短縮を図ることができる。

本願の第９の発明は、本願の第１の発明から第４の発明までのいずれかのウエハのダイシング方法でダイシングされた半導体素子であり、ウエハの裏面をバックグラインドしない状態でダイシングをしても、周縁部が破片となって飛散することなく半導体素子の個片とすることができるので、厚みを確保した状態で半導体素子とすることができる。従って、ねじれや曲げの応力に対する抗折強度が向上した半導体素子とすることができる。

（実施の形態）
本発明の実施の形態に係るダイシング装置について、図１に基づいて説明する。図１は本発明の実施の形態に係るダイシング装置の概略図である。

図１に示すように、ダイシング装置１００は、チャックテーブル１０１と、水平移動部１０２と、昇降部１０３と、制御部１０４と、ブレード７（第１ブレード１０５，第２ブレード１０６）と、表示部１０７と、操作部１０８とを備えている。

チャックテーブル１０１は、図示しない吸引装置で、粘着シートが裏面に貼着された状態のウエハ１を保持面に吸着して保持する機能を備えている。水平移動部１０２は、チャックテーブル１０１を水平方向（Ｘ方向，Ｙ方向）に移動させたり、チャックテーブル１０１を所定角度に回転させたりする移動手段である。昇降部１０３は、第１ブレード１０５および第２ブレード１０６とを有するブレード７を上下方向（Ｚ方向）に昇降させる昇降手段である。この第１ブレード１０５と第２ブレード１０６とは、ウエハ１を切削する切削方向が同一となるように配置されている。

制御部１０４は、ブレード７の回転を制御したり、水平移動部１０２によるチャックテーブル１０１の水平移動量や、昇降部１０３による第１ブレード１０５および第２ブレード１０６の上下移動量を制御したり、チャックテーブル１０１の回転角度を調整したりする機能を備えた制御手段である。この制御部１０４は、第１ブレード１０５と第２ブレード１０６をそれぞれ個別に制御することが可能である。

表示部１０７は、設定画面を表示したり、ダイシング状況を表示したりするモニタである。操作部１０８は、設定パラメータを入力したり、ダイシングの開始、停止などを入力したりする入力手段である。

ここで、このダイシング装置１００によってダイシングされ、半導体素子の個片とされるウエハ１を図２および図３に基づいて説明する。図２は、ウエハの平面図である。図３は、粘着シートが裏面に貼着された状態のウエハの断面の一部拡大図である。

図２および図３に示すようにウエハ１は、略円形状に形成され、その表面には、複数の半導体素子２となる回路パターン（図示せず）が形成されている。またウエハ１の裏面には、バックグラインドと呼ばれる研磨を行わずに粘着シート３が貼着されている。

ウエハ１の厚みは６２５μｍであり、粘着シート３の厚みは９０μｍである。バックグラインドを実施すると１００μｍ程度研磨により薄くなるが、本実施の形態のダイシング方法ではバックグラインドしないので６２５μｍのままの状態である。

粘着シート３は、厚み約８０μｍのポリオレフィンの基材に、約１０μｍのアクリル系の接着層が形成されたシートであり、ウエハ１に貼着することでダイシングした後の半導体素子２の個片が飛散することを防止している。

ウエハ１の回路パターンは、個々の半導体素子２となるマトリックス状の位置にそれぞれ形成される。そして半導体素子２の個片は、ダイシングのしやすさから矩形状に形成されるので、ウエハ１の外周内側の円形状の領域である外周部４と、その外周部４と接した領域である周囲部５（図１の斜線部分）とを合わせた領域である周縁部６は、半導体素子２の個片とはならない領域である。

次に、ダイシング装置１００により、このウエハ１から半導体素子２の個片とする本発明の実施の形態に係るウエハのダイシング方法を図４から図８に基づいて説明する。図４（Ａ）から同図（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係るウエハのダイシング方法を説明する模式図である。図５は、ダイシング装置のブレードがウエハをダイシングする様子を示す図である。図６は、第１ブレードおよび第２ブレードがウエハを切削する様子を示す概略平面図である。図７（Ａ）から同図（Ｄ）は、制御部が第１ブレードおよび第２ブレードを上昇させるタイミング制御について説明する図である。図８は、ウエハの周縁部をダイシングしているところのブレードの状態を示す図である。なお、図４においては、便宜上、水平移動部１０２および制御部１０４を図示していない。

図１および図４（Ａ）に示すように、制御部１０４は、ダイシング装置１００のブレード７を回転させると共に、ブレード７を下降するよう昇降部１０３へ指示する。ブレード７は、ウエハ１に対してダウンカット方向となるように回転している。

図４（Ｂ）および同図（Ｃ）に示すように、制御部１０４は、水平移動部１０２を制御してチャックテーブル１０１を切削方向Ｆ１とは反対となる方向へ移動させることで、相対的にブレード７を切削方向Ｆ１へ進行させながら、第１ブレード１０５および第２ブレード１０６によりウエハ１を切削して２列の切り目を入れていく。

ダイシングは、例えば、最初に縦列に切れ目を入れたとすれば、次にダイシング装置１００のウエハ１を載置しているチャックテーブル１０１を９０°回転させて横列に切れ目を入れる。ウエハ１から縦列および横列に切れ目を入れることで半導体素子２の個片とするためには、ブレード７は、ウエハ１の裏面まで達するような切れ目としないと隣接した半導体素子２となる部分が分離できない（図２参照）。従って、制御部１０４は、ブレード７を下降させた状態で、チャックテーブル１０１を移動させて、図５に示すようにブレード７の刃先７ａが９０μｍの粘着シート３に２５μｍ程度深く入り込むような切れ目とすることで、ウエハ１をダイシングしていく。

そして、ブレード７が周縁部６の周囲部５をダイシングするときには、図４（Ｄ）に示すように制御部１０４が水平移動部１０２を制御してチャックテーブル１０１を移動させて相対的にブレード７を切削方向へ進行させながら、昇降部１０３を制御してブレード７の刃先７ａの位置を徐々に高くしてダイシングする。このようにしてウエハ１の各ラインを切削する。

ここで、制御部１０４が第１ブレード１０５および第２ブレード１０６を上昇させるタイミング制御について図１および図２と、更に図６と図７とに基づいて詳細に説明する。

図１および図２に示すように、ウエハ１は略円形状に形成されているため、第１ブレード１０５と第２ブレード１０６とで、周縁部６へ到達するタイミングが異なる。例えば、図６に示すように、第１ブレード１０５が第２ブレード１０６よりウエハ１の中心Ｃから遠い箇所を切削するときには、第１ブレード１０５が第２ブレード１０６より先に周縁部６に到達する。従って、チャックテーブル１０１が移動して、相対的に第１ブレード１０５および第２ブレード１０６が進行すると（図７（Ａ）参照）、先に周縁部６へ到達した第１ブレード１０５を上昇させて待機状態とし（図７（Ｂ）および同図（Ｃ）参照）、次に第２ブレード１０６が周縁部６へ到達したところで、第２ブレード１０６を上昇させる（図７（Ｄ）参照）。

つまり周縁部６へ到達した順にブレード７のいずれかを上昇させて、ブレード７の刃先７ａの位置を徐々に高くしてダイシングすることで、ブレードの数だけの切削が同時に行うことが可能であり、３以上のブレードを備えていても同様に行うことができる。

この第１ブレード１０５と第２ブレード１０６とをそれぞれ上昇させる制御は、制御部１０４にダイシングするウエハ１のサイズに応じた座標や、またはウエハ１の外周からの距離を設定しておくことで可能である。

徐々にブレードの刃先７ａの位置を高くすることで、ブレード７の刃先７ａがウエハ１の裏面まで達しない。そのときの様子を図８に示す。図８に示すように、縦列および横列にダイシングしても、ブレード７の刃先７ａは、ウエハ１の裏面に達していないため、平面視して略台形状や三角形状となり細切れとなった周囲部５（図２参照）は繋がったままなので、バックグラインドしないために粘着シート３との密着性が低下した状態で、高速で回転するブレードの振動が伝わったり、切削粉を洗浄するための洗浄水が噴射されて水圧が加わったりしても、周囲部５が破片となって飛散することが防止できる。従って、細切れとなった破片が飛散することでウエハ１表面に形成された回路パターンの傷の発生を抑止することができるので、歩留まりの向上を図ることができる。

特に、ブレード７によるダイシングが進行して、その列の最後となる半導体素子２の個片に隣接する周囲部５をダイシングするときに、ブレード７の刃先７ａの位置を徐々に高くして、ブレード７の刃先７ａがウエハ１の裏面まで達しないようにしているので、周囲部５の破片がウエハ１の中央部分へ向かって飛散することが防止できる。

また、ブレード７によるダイシングを進行させながらブレード７の刃先７ａの位置を徐々に高くすることで、ブレード７が切削して形成されるウエハ１の溝の深さが徐々に浅くなっていく。浅くなった溝の壁面は、ブレード７の振動の影響を受け難く揺動が少ないので、ブレード７の刃先７ａに接触することも少なくなる。従って、ブレード７の刃先７ａやウエハ１が破損してしまうことが防止できる。

本実施の形態では、縦列または横列のダイシングを開始するときには、ブレード７の刃先７ａが粘着シート３まで達するようにダイシングしている。もし、細切れとなった周囲部５の破片が回転するブレード７の振動で粘着シート３から離れて飛散しても、ブレード７の回転が、ダウンカット方向なので、ウエハ１の中央とは反対となる方向へ飛散することになる。従って、縦列または横列のダイシングを開始する際のウエハ１の周縁部６をダイシングするときには、ブレード７によるダイシングを進行させながらブレード７の刃先７ａの位置を徐々に低くしなくともよい。しかし、飛散した破片が、周囲の何かに当たって跳ね返り、ウエハ１上に落下して傷付けることが懸念されるのであれば、ブレード７によるダイシングを進行させながらブレード７の刃先７ａの位置を徐々に低くすることも可能である。

ブレード７の刃先７ａを徐々に高くする、または低くするという操作は、図１に示されるダイシング装置１００の制御部１０４の余裕幅に関する設定パラメータを変更することで、容易に行うことができる。この設定パラメータを設定するときの表示部１０７の画面例を図９に示す。図９は、ダイシング装置の表示部に表示された設定画面の一例を示す図である。

図９に示すように、表示部１０７には、ブレード７を引き上げる位置（終了位置）をラインごとに設定できるように、各ラインナンバに対応してラインごとの終了位置が操作部１０８で入力可能に表示されている。この設定パラメータに従って制御部１０４はブレード７を制御する。この設定パラメータにより、終了位置を各ラインの周縁部６となる位置とする以外に、周縁部６となる位置より手前とすることで、ブレード７の刃先７ａが周縁部６に到達する前に、高く引き上げることも可能である。

このようなダイシング方法で、ウエハ１をブレード７で切断することで、ウエハ１の裏面をバックグラインドしなくても、ダイシングする際に半導体素子の個片とならない周縁部６の破片が飛散してウエハ１の回路パターンを傷付けることが防止できる。

ダイシングして得られた半導体素子２は、例えばフラットディスプレイの制御用であれば、図１０に示すドライバモジュール１０に用いることができる。図１０に示すドライバモジュール１０は、フレキシブルケーブル１１と、フレキシブルケーブル１１に設けられて開口１１ａに配置された半導体素子２と、半導体素子２からの熱をドライバモジュール１０の周囲に放熱する放熱体１２とを備えている。半導体素子２は、フレキシブルケーブル１１の配線１１ｂに電極２ａが導通接続されると共に、樹脂１３で封止されている。放熱体１２には、半導体素子２を収容する凹部１２ａが設けられており、半導体素子２との隙間には放熱グリス１４が充填してある。

半導体素子２は、ドライバモジュール１０として製造する際に、ねじれや曲げの応力がかかる。半導体素子２は、バックグラインドを実施していないので、従来の半導体素子より１００μｍ程度厚く形成されることで、ねじれや曲げの応力に対して強くなる。またシリコンで形成されたウエハ１であれば、バックグラインドを実施することで削り取られる真空成膜が残った状態で半導体素子２とすることができる。この真空成膜は、ねじれや折れに対して保護膜として作用するので抗折強度の向上に寄与する。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本実施の形態では、チャックテーブル１０１を水平方向に移動し、ブレード７を上下方向に移動することで、ブレード７を相対的に切削方向Ｆ１へ進行させているが、図１１に示すようにブレード７を上下方向に昇降させるだけでなく、水平方向へも移動可能とし、移動しないウエハ１上をブレード７が進行方向Ｆ２へ移動することで、同様にウエハ１の周縁部６を切削するときに、ブレード７の刃先７ａをウエハ１の裏面まで達しないように制御することが可能である。従って、ブレード７の回転方向がダウンカット方向となる回転でダイシングしていても、ブレード７のダイシングが進行して半導体素子の個片とならないウエハ１の周縁部６をダイシングするときに、ブレード７の刃先７ａがウエハ１の裏面まで達しないように切削すれば、周縁部６が破片となってウエハ１の中央部分に向かって飛散してしまい、回路パターンに傷を付けることを防止することができる。

また、半導体素子は、フレキシブルケーブルに実装されるもの以外に、リードフレームに実装されるもの、樹脂系基板に実装されるものにも適用することが可能である。本実施の形態のウエハのダイシング方法でダイシングすれば、リードフレームに実装したり、樹脂系基板に実装したり、更に樹脂封止を行ったりする際に発生する半導体素子へのねじれや曲げの応力に対する抗折強度が向上するので、製造不良が発生しにくい半導体素子とすることができる。

また、ダイシングされた半導体素子は、ウエハ１の状態では裏面をバックグラインドしない状態で粘着シートに貼着されているが、本発明の実施の形態に係るウエハのダイシング方法は、バックグラインドを行ったウエハに適用してもよい。バックグラインドを行ったウエハに適用することで、ウエハと粘着シートの密着性が高いので、更に効果的である。

本発明は、バックグラインドを行わなくともダイシングの際にウエハの破片の飛散を防止することで半導体素子の歩留まりの低下を図ることができるので、表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成されたウエハを切断して個片とするウエハのダイシング方法およびダイシング装置に好適である。

本発明の実施の形態に係るダイシング装置を示す概略図 ウエハの平面図 粘着シートが裏面に貼着された状態のウエハの断面の一部拡大図 （Ａ）から（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係るウエハのダイシング方法を説明する模式図 ダイシング装置のブレードがウエハをダイシングする様子を示す図 第１ブレードおよび第２ブレードがウエハを切削する様子を示す概略平面図 （Ａ）から（Ｄ）は、制御部が第１ブレードおよび第２ブレードを上昇させるタイミング制御について説明する図 ウエハの周縁部をダイシングしているところのブレードの状態を示す図 ダイシング装置の表示部に表示された設定画面の一例を示す図 本発明の実施の形態に係るウエハのダイシング方法でダイシングされた半導体素子をドライバモジュールとして用いた図 本発明の他の実施の形態に係るウエハのダイシング方法を説明する模式図 ドライバモジュールの半導体素子を説明する図

符号の説明

１ ウエハ
２ 半導体素子
２ａ 電極
３ 粘着シート
４ 外周部
５ 周囲部
６ 周縁部
７ ブレード
７ａ 刃先
１０ ドライバモジュール
１１ フレキシブルケーブル
１１ａ 開口
１１ｂ 配線
１２ 放熱体
１２ａ 凹部
１３ 樹脂
１４ 放熱グリス
１００ ダイシング装置
１０１ チャックテーブル
１０２ 水平移動部
１０３ 昇降部
１０４ 制御部
１０５ 第１ブレード
１０６ 第２ブレード
１０７ 表示部
１０８ 操作部

Claims (9)

1. 表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面に粘着シートが貼着されたウエハを、ブレードでダイシングして前記半導体素子の個片とするダイシング方法において、
   前記ブレードが、個片となる前記半導体素子の周囲部分をダイシングするときには、前記ブレードの刃先を前記粘着シートに到達する位置まで切削し、
   前記ブレードが、前記半導体素子の個片とならない前記ウエハの周縁部をダイシングするときは、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴とするウエハのダイシング方法。
2. 前記ブレードを前記ウエハに対してダウンカット方向に回転させ、
   前記ブレードによるダイシングが進行して、前記半導体素子の個片とならない前記ウエハの周縁部をダイシングするときに、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴とする請求項１記載のウエハのダイシング方法。
3. 前記ブレードによるダイシングが進行して前記ウエハの周縁部まで到達すると、前記ブレードによるダイシングを進行させながら前記ブレードの刃先の位置を徐々に高くすることを特徴とする請求項１または２記載のウエハのダイシング方法。
4. 前記ウエハを切削方向が同一となるように配置された複数のブレードでダイシングするときは、前記ウエハの周縁部まで到達した順に、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように切削することを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載のウエハのダイシング方法。
5. 表面に複数の半導体素子となる回路パターンが形成され、裏面に粘着シートが貼着されたウエハを、ブレードで前記粘着シートに到達する位置までダイシングして前記半導体素子の個片とするダイシング装置において、
   前記ブレードを昇降させる昇降手段と、
   前記ウエハを保持するチャックテーブルと、
   前記ブレードか前記チャックテーブルのいずれか一方を水平移動させる移動手段と、
   前記ブレードが前記半導体素子の個片とならない前記ウエハの周縁部をダイシングするときは、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないよう前記昇降手段および前記移動手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするダイシング装置。
6. 前記制御手段は、前記ウエハに対してダウンカット方向に前記ブレードが回転した状態で、前記ブレードによるダイシングが進行して、前記半導体素子の個片とならない前記ウエハの周縁部をダイシングするときに、前記ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように制御する機能を備えたことを特徴とする請求項５記載のダイシング装置。
7. 前記制御手段は、前記ブレードによるダイシングが進行して前記ウエハの周縁部まで到達すると、前記ブレードによるダイシングを進行させながら前記ブレードの刃先の位置を徐々に高くするよう前記昇降手段および前記移動手段を制御する機能を備えたことを特徴とする請求項５または６記載のダイシング装置。
8. 前記ウエハを切削する切削方向が同一の複数のブレードと、前記複数のブレードのそれぞれを昇降させる複数の昇降手段とを備え、
   前記制御手段は、前記ウエハの周縁部まで到達した順に、ブレードの刃先が前記ウエハの裏面まで達しないように、前記複数の昇降手段を個別に制御する機能を備えたことを特徴とする請求項５から７のいずれかの項に記載のダイシング装置。
9. 請求項１から４のいずれかの項に記載のウエハのダイシング方法でダイシングされた半導体素子。

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