JP2012038801A - 研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 バンプが形成されたウエーハでも加工品質の悪化を防止し、平坦化を可能とする研削方法を提供することである。
【解決手段】 複数のバンプが形成されたバンプ形成領域と該バンプ形成領域を囲繞する外周バンプ未形成領域とを表面に有するウエーハの裏面を研削する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープを貼着する貼着ステップと、該保護テープが貼着されたウエーハの表面を該保護テープを介してチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面に、研削砥石がウエーハの回転中心を通過し且つ該研削砥石の外周縁が該バンプ形成領域の外周を通過する外径を有する研削ホイールを回転させつつ当接させて、該バンプ形成領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部の外周側に該外周バンプ未形成領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】 複数のバンプが形成されたバンプ形成領域と該バンプ形成領域を囲繞する外周バンプ未形成領域とを表面に有するウエーハの裏面を研削する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープを貼着する貼着ステップと、該保護テープが貼着されたウエーハの表面を該保護テープを介してチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面に、研削砥石がウエーハの回転中心を通過し且つ該研削砥石の外周縁が該バンプ形成領域の外周を通過する外径を有する研削ホイールを回転させつつ当接させて、該バンプ形成領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部の外周側に該外周バンプ未形成領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、複数のバンプが形成されたバンプ形成領域と該バンプ形成領域を囲繞する外周バンプ未形成領域とを表面に有するウエーハの裏面を研削する研削方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハ表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画される各領域にIC、LSI等のデバイスが形成される。これらのウエーハは裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、ストリートに沿って切削装置等によって分割されることで個々の半導体デバイスが製造される。
ウエーハの裏面研削には、例えば特開2002−200545号公報で開示されるような研削装置が用いられる。研削装置のチャックテーブルでウエーハの表面側を保護テープを介して保持し、ウエーハの裏面に研削砥石を当接しつつ摺動させ、研削砥石を研削送りすることで研削が遂行される。
近年、半導体デバイスの軽薄短小化を実現するための技術として、デバイス表面にバンプと呼ばれる金属突起物を複数形成し、これらのバンプを配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が実用化されている(例えば、特開2001−237278号公報参照)。
ところが、通常ウエーハの外周領域にはデバイスが形成されないため、バンプもウエーハの外周領域には形成されない。そのため、表面に複数のバンプが形成されたウエーハを研削するためにチャックテーブルで保持すると、バンプが形成されていないウエーハの外周領域は研削装置のチャックテーブルで支持されていない状態となる。この状態でウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの外周部分が欠けるなどの加工品質の悪化が生じたり、平坦化が難しいという問題が生じる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表面に複数のバンプが形成されたウエーハでも加工品質の悪化を防止し、バンプ形成領域に対応する裏面の平坦化を可能とする研削方法を提供することである。
本発明によると、複数のバンプが形成されたバンプ形成領域と該バンプ形成領域を囲繞する外周バンプ未形成領域とを表面に有するウエーハの裏面を研削する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープを貼着する貼着ステップと、該保護テープが貼着されたウエーハの表面を該保護テープを介してチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面に、研削砥石がウエーハの回転中心を通過し且つ該研削砥石の外周縁が該バンプ形成領域の外周を通過する外径を有する研削ホイールを回転させつつ当接させて、該バンプ形成領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部の外周側に該外周バンプ未形成領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、を具備したことを特徴とする研削方法が提供される。
本発明の研削方法によると、表面に複数のバンプが形成された領域に対応するウエーハの裏面のみが研削されて円形凹部が形成され、外周バンプ未形成領域が残存されて環状凸部が形成される。
チャックテーブルで支持されていないウエーハ外周のバンプ未形成領域は研削砥石で押圧されないため、ウエーハの外周部分が欠ける等の加工品質の悪化が防止され、バンプ形成領域に対応するウエーハの裏面を平坦化することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置2の概略構成を示している。4は研削装置2のベース(ハウジング)であり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向にのびる一対のガイドレール8が固定されている。
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、ハウジング12と、ハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動される移動基台16に取り付けられている。
研削ユニット10は、ハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20と、マウンタ20にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石24を有する研削ホイール22と、スピンドル18を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研削ユニット送り機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。
ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有し、図示しない移動機構により図1に示されたウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル42が配設されている。
図2を参照すると、本発明の研削方法により研削するのに適した半導体ウエーハ11の斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は表面11a及び裏面11bを有しており、表面11aには複数のストリート13が直交して形成されており、ストリート13によって区画された各領域にそれぞれデバイス15が形成されている。
図2の拡大図に示すように、各デバイス15の4辺には複数の突起状のバンプ17が形成されている。各デバイス15の4辺にバンプ17が形成されているので、半導体ウエーハ11はバンプ17が形成されているバンプ形成領域19と、バンプ形成領域19を囲繞する外周バンプ未形成領域21を有している。
図3(A)は半導体ウエーハ11の側面図を示している。本実施形態の研削方法では、半導体ウエーハ11の表面に形成されたデバイス15を保護するために、半導体ウエーハ11の表面11aに保護テープ23を貼着する貼着ステップを実施する。
貼着ステップ実施後の半導体ウエーハ11の側面図が図3(B)に示されている。このようにウエーハ11の表面11aに保護テープ23を貼着してから、図4に示すように、チャックテーブル36で半導体ウエーハ11の保護テープ23側を吸引保持する。
チャックテーブル36でウエーハ11を吸引保持してから、ウエーハ11の裏面11bを研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図5及び図6に示すように、チャックテーブル36を矢印37で示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削砥石24を矢印25で示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構32を駆動して研削ホイール22の研削砥石24をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール22を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
その結果、半導体ウエーハ11の裏面11bには、図8に示すように、バンプ形成領域19に対応する領域が研削除去されて円形状の凹部44が形成されるとともに、外周バンプ未形成領域21が残存されて環状凸部46が形成される。
ここで、本発明の研削方法を実施するためのウエーハ11と研削ホイール22との関係について図7を参照して説明する。チャックテーブル36の回転中心P1と環状に配設された研削砥石24の回転中心P2は偏心しており、研削砥石24がウエーハ11の回転中心P1を通過し且つ研削ホイール22に配設された研削砥石24の外周縁がバンプ形勢領域19の外周48を通過する外径に設定され、環状に配置された研削砥石24がチャックテーブル36の回転中心P1を通過するように設定されている。
本実施形態の研削方法によると、ウエーハ11のバンプ形成領域19に対応するウエーハ11の裏面のみが研削されて円形凹部44が形成され、チャックテーブル36に支持されていない外周バンプ未形成領域21に対応するウエーハ11の裏面11bには研削砥石24が当接しないので、ウエーハ11の外周部分が欠ける等の加工品質の悪化を防止することができる。
2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
15 デバイス
17 バンプ
19 バンプ形成領域
21 外周バンプ未形成領域
22 研削ホイール
23 保護テープ
24 研削砥石
36 チャックテーブル
44 円形凹部
46 環状凸部
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
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17 バンプ
19 バンプ形成領域
21 外周バンプ未形成領域
22 研削ホイール
23 保護テープ
24 研削砥石
36 チャックテーブル
44 円形凹部
46 環状凸部
Claims (1)
- 複数のバンプが形成されたバンプ形成領域と該バンプ形成領域を囲繞する外周バンプ未形成領域とを表面に有するウエーハの裏面を研削する研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する貼着ステップと、
該保護テープが貼着されたウエーハの表面を該保護テープを介してチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面に、研削砥石がウエーハの回転中心を通過し且つ該研削砥石の外周縁が該バンプ形成領域の外周を通過する外径を有する研削ホイールを回転させつつ当接させて、該バンプ形成領域に対応するウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに、該円形凹部の外周側に該外周バンプ未形成領域を含む環状凸部を形成する研削ステップと、
を具備したことを特徴とする研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175339A JP2012038801A (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | 研削方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112059793A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-11 | 余清河 | 一种斗齿铸造用抛光机 |
CN116810528A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 晶片研削方法及晶片研削机 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123425A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
JP2009176896A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2009259873A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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2010
- 2010-08-04 JP JP2010175339A patent/JP2012038801A/ja active Pending
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