JP2015199133A - 研削ホイール - Google Patents

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Setsuo Yamamoto
節男 山本
関家 臣之典
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【課題】円形凹部の底面の外周端とリング状補強部の内周面の下端との間に未研削部がリング状に残存しない研削ホイールを提供する。
【解決手段】ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞するリング状の凸部をウエーハの外周に形成する研削ホイール22であって、ウエーハが研削位置に位置付けられた際、ウエーハの中心を通過するとともにウエーハの半径より小さい外径を有するリング状に配設された複数の研削砥石54と、該リング状に配設された複数の研削砥石54を支持する環状支持部を有するホイール基台46と、を備え、該研削砥石54の各々は、砥粒をボンド材で焼結した焼結砥石56と、該焼結砥石56の外側に被覆された砥粒をメッキで固定した電鋳砥石58と、から形成される。
【選択図】図4

Description

本発明は、デバイス領域に対応するウエーハの裏面のみを研削するのに適した研削ホイールに関する。
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC,LSI等のデバイスを形成する。
そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切断することにより、半導体ウエーハが個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電子機器に広く利用されている。
個々のデバイスに分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削によって所定の厚みに形成される。近年、電子機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚みをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。
このように薄く研削されたウエーハは取扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して円形凹部を形成し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面をリング状に残存させてリング状補強部(リング状凸部)を形成する研削方法が特開20007−19461号公報で提案されている。
このように、裏面の外周にリング状補強部が形成されたウエーハは、例えばリング状補強部が除去された後、ウエーハの表面側からストリートと呼ばれる分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される。
特開2007−19461号公報
しかし、デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削する従来の研削方法では、円形凹部の底面の外周端とリング状補強部の内周面の下端との間に円弧状(R状)の未研削部がリング状に残存し、デバイス領域の加工品質を悪化させるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、円形凹部の底面の外周端とリング状補強部の内周面の下端との間に未研削部がリング状に残存しない研削ホイールを提供することである。
本発明によると、ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞するリング状の凸部をウエーハの外周に形成する研削ホイールであって、ウエーハが研削位置に位置付けられた際、ウエーハの中心を通過するとともにウエーハの半径より小さい外径を有するリング状に配設された複数の研削砥石と、該リング状に配設された複数の研削砥石を支持する環状支持部を有するホイール基台と、を備え、該研削砥石の各々は、砥粒をボンド材で焼結した焼結砥石と、該焼結砥石の外側に被覆された砥粒をメッキで固定した電鋳砥石と、から形成されることを特徴とする研削ホイールが提供される。
好ましくは、電鋳砥石の厚みは、0.01mm〜0.1mmである。好ましくは、該ホイール基台には該環状支持部の内側から外側に貫通する複数の貫通孔が放射状に形成されており、該貫通孔によって該リング状に配設された研削砥石の内側に滞留する研削水が排出される。
本発明の研削ホイールによると、研削砥石が、砥粒をボンド材で焼結した焼結砥石と該焼結砥石の外側に被覆された砥粒をメッキで固定した電鋳砥石とで形成されているので、エッジが鋭利であり、外周余剰領域に対応する裏面に形成されたリング状凸部の内周面下端に円弧状(R状)の未研削部がリング状に残存することがなく、デバイス領域の加工品質を悪化させるという問題を解消することができる。
本発明実施形態の研削ホイールを備えた研削装置の斜視図である。 半導体ウエーハの表面側斜視図である。 表面に保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。 図4(A)は本発明実施形態に係る研削ホイールの斜視図、図4(B)は研削ホイールの縦断面図である。 図5(A)は研削砥石の分解斜視図、図5(B)は研削砥石の斜視図である。 ホイール基台に研削砥石を固定する様子を示す縦断面図である。 本発明実施形態に係る研削ホイールによって実施される研削方法を示す斜視図である。 図7に示す研削方法の説明図である。 本発明実施形態の研削ホイールによる研削工程が実施された半導体ウエーハの縦断面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明実施形態の研削ホイールを装着した研削装置2の概略構成図である。4は研削装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向にのびる一対のガイドレール8が固定されている。
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、ハウジング12と、ハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動される移動基台16に取り付けられている。
研削ユニット10は、ハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18の先端に固定されたホイールマウント20と、ホイールマウント20にねじ締結された環状の研削砥石を有する研削ホイール22と、スピンドル18を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研削ユニット送り機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。
ハウジング4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有し、図示しない移動機構により図1に示されたウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ハウジング4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル42が配設されている。
図2を参照すると、研削装置2でその裏面が研削される半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を表面11aに備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図3に示すように、裏面11bが露出する状態となり、裏面11bを上側にして研削装置2のチャックテーブル36に吸引保持される。
図4(A)及び図4(B)に示すように、本発明実施形態の研削ホイール22はアルミニウムから形成されたホイール基台46と、ホイール基台46の下端部外周にリング状に固着された複数の研削砥石54とから構成される。
図4(B)に示すように、ホイール基台46には、表面側に形成された円形の穴48と、円形の穴48の下端部に接続するテーパ形状の穴49が形成されている。ホイール基台46の上面46aには、研削ホイール22をホイールマウント20にねじ締結する複数(本実施形態では4個)のねじ穴50が形成されている。更に、ホイール基台46のテーパ形状の穴49からホイール基台46の外周に貫通する放射状に形成された複数の貫通孔52が形成されている。
図5に最も良く示されるように、研削砥石54は、砥粒をボンド材で焼結した焼結砥石56と、焼結砥石56の外側にエポキシ樹脂等のボンド材で貼着され被覆された砥粒をメッキで固定した電鋳砥石58とから構成される。
好ましくは、焼結砥石56の厚みt1は3〜5mmであり、電鋳砥石58の厚みt2は0.01〜0.1mmである。また、焼結砥石56の長さは15〜20mm、高さは約10mm程度が好ましい。
好ましくは、焼結砥石56はダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定した後、焼結して形成する。電鋳砥石58は、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定して形成する。
図6に示すように、ホイール基台46の下端部には環状の溝60が形成されており、複数の研削砥石54を周方向に所定間隔離間して電鋳砥石58が外側を向くように環状の溝60中に挿入し、エポキシ樹脂等でホイール基台46に固定する。
以上のように構成された研削ホイール22により、半導体ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面に円形凹部を形成し、外周余剰領域19にリング状補強部を残存させるウエーハの加工方法について以下に簡単に説明する。
図1に示す研削装置2のウエーハ着脱位置Aに位置付けられたチャックテーブル36上に、図3に示された保護テープ23が貼着されたウエーハ11を保護テープ23を下にして吸引保持する。次いで、チャックテーブル36をY軸方向に移動して研削位置Bに位置付ける。
そして、図7及び図8に示すように、チャックテーブル36を矢印37で示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削砥石54を矢印55で示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構32を駆動して研削ホイール22の研削砥石54をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、研削ホイール22を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図7及び図9に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば50μm)の円形状の凹部62が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されてリング状補強部(リング状凸部)64が形成される。
ここで、チャックテーブル36に保持されたウエーハ11と研削ホイール22を構成する研削砥石54の関係について図8を参照して説明する。チャックテーブル36の回転中心P1と研削砥石54の回転中心P2は偏心しており、リング状に配設された研削砥石54の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線66の直径より小さく、境界線66の半径より大きい寸法に設定され、リング状に配設された研削砥石54がチャックテーブル36の回転中心P1を通過するようになっている。
本実施形態の研削ホイール22では、ホイール基台46にテーパ状の穴49からホイール基台46の外周に貫通する複数の貫通孔52が放射状に形成されているため、これらの貫通孔52を通してリング状に配設された研削砥石54の内側に滞留する研削水が排出され、リング状に配設された研削砥石54の内側に研削水が滞留することが抑制される。
本実施形態の研削ホイール22によると、各研削砥石54はダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定して焼結した焼結砥石56と、焼結砥石56の外側に被覆されたダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石58とから形成されているため、研削砥石54のエッジが鋭利であり、ウエーハ11の外周余剰領域19に対応する裏面に形成されるリング状補強部60の内周下端部64に円弧状(R状)の未研削部が残存することなく円形凹部58を形成できるため、デバイス領域17の加工品質を悪化させるという問題が発生することがない。
2 研削装置
10 研削ユニット(研削手段)
11 半導体ウエーハ
15 デバイス
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
20 ホイールマウント
22 研削ホイール
36 チャックテーブル
54 研削砥石
56 焼結砥石
58 電鋳砥石
62 円形凹部
64 リング状補強部(リング状凸部)

Claims (3)

  1. ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞するリング状の凸部をウエーハの外周に形成する研削ホイールであって、
    ウエーハが研削位置に位置付けられた際、ウエーハの中心を通過するとともにウエーハの半径より小さい外径を有するリング状に配設された複数の研削砥石と、
    該リング状に配設された複数の研削砥石を支持する環状支持部を有するホイール基台と、を備え、
    該研削砥石の各々は、砥粒をボンド材で焼結した焼結砥石と、該焼結砥石の外側に被覆された砥粒をメッキで固定した電鋳砥石と、から形成されることを特徴とする研削ホイール。
  2. 該電鋳砥石の厚みは、0.01mm〜0.1mmである請求項1記載の研削ホイール。
  3. 該ホイール基台には該環状支持部の内側から外側に貫通する複数の貫通孔が放射状に形成されており、該貫通孔によって該リング状に配設された研削砥石の内側に滞留する研削水が排出される請求項1又は2記載の研削ホイール。
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