JP2012043825A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】ウエーハを極薄に研削する際、ウエーハの破損を低減可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に膜層5が形成され、且つ外周側面に面取り部8が形成されたウエーハ2の加工方法であって、切削ブレード18をウエーハ2の表面2aから外周縁に切り込ませつつウエーハ2を回転させることで少なくとも面取り部8上の該膜層5を円形に切削除去する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウエーハ2の表面2aに保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、表面2aに該保護テープが貼着されたウエーハ2の裏面を研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】表面に膜層5が形成され、且つ外周側面に面取り部8が形成されたウエーハ2の加工方法であって、切削ブレード18をウエーハ2の表面2aから外周縁に切り込ませつつウエーハ2を回転させることで少なくとも面取り部8上の該膜層5を円形に切削除去する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウエーハ2の表面2aに保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、表面2aに該保護テープが貼着されたウエーハ2の裏面を研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、表面に膜層が形成されたウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスでは、シリコンやGaAs等からなるウエーハの表面に複数の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインで区画された各領域にICやCMOS等の回路素子が形成される。ウエーハの外周側面には、表面から裏面に至る円弧面を呈した面取り部が形成されている。
そして、回路素子は例えば二酸化シリコン膜や金属膜のような複数の薄膜を積層して形成され、ウエーハの表面には回路素子を保護するためのポリイミド、SiN(窒化珪素)、PSG(Phospho−Silicate−Glass)等からなるパシベーション層が被覆される。
複数の回路素子が表面に形成されたウエーハは、例えば、特開2008−183659号公報に開示されるような研削装置や研磨装置で薄化されて平坦化された後、切削装置で分割予定ラインに沿って切削されて個片化されることで各種の半導体デバイスが製造される。製造された半導体デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
近年、電気機器は小型化、薄型化の傾向にあり、組み込まれる半導体デバイスも小型化、薄型化が要求されているため、回路素子が形成されたウエーハを例えば50μm以下と薄く研削することが要求されている。
ところが、ウエーハを例えば30μmと極薄に研削すると、研削砥石がウエーハ外周の面取り部に回り込んで形成された金属層やパソベーション層にまで達してしまうことがある。そして、研削砥石がこれらの金属層やパシベーション層を研削することに起因してウエーハの外周縁よりクラックや欠けが発生し、ウエーハを破損させてしまうという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハを極薄に研削する際、ウエーハの破損を低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、表面に膜層が形成され、且つ外周側面に面取り部が形成されたウエーハの加工方法であって、切削ブレードをウエーハの表面から外周縁に切り込ませつつウエーハを回転させることで、少なくとも面取り部上の該膜層を円形に切削除去する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、表面に該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明の加工方法によると、予めウエーハ外周の面取り部に回り込んだパシベーション層や金属層が切削ステップにより除去される。このように面取り部に回り込んだパシベーション層や金属層が除去されてからウエーハの裏面が研削されるため、研削砥石が金属層やパシベーション層を研削することにより発生するウエーハの破損を低減することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1(A)に示すように、半導体ウエーハ2の表面においては、第1分割予定ラインS1と第2分割予定ラインS2が直交して形成されており、第1分割予定ラインS1と第2分割予定ラインS2とによって区画された各領域にそれぞれデバイスDが形成されている。
図1(B)のウエーハ外周部分の拡大断面図に示すように、ウエーハ2の表面に形成されたデバイスD及び分割予定ラインS1,S2は二酸化シリコン膜や金属膜のような複数の薄膜を積層した回路素子層4により形成され、この回路素子層4の上にはデバイスDを保護するためのパシベーション層6が被覆されている。本明細書では、回路素子層4及びパシベーション層6を総称して膜層5と称することにする。
パシベーション層6は、ポリイミド、SiN(窒化珪素)、PSG(Phospho−Silicate−Glass)等の薄膜から形成される。ウエーハ2の外周側面には表面2aから裏面2bに至る円弧面を呈した面取り部8が形成されており、膜層5は面取り部8に回り込んで形成されている。
本発明のウエーハの加工方法では、まず、図2(A)に示すように、切削装置のチャックテーブル24でウエーハ2の裏面側を吸引保持し、切削ブレード18をウエーハ2の表面2aから外周縁に切り込ませつつ、チャックテーブル24を回転させてウエーハ2の外周縁に円形の切削溝26を形成し、少なくとも面取り部8上の膜層5を切削除去する切削ステップを実施する。
図2(A)で、切削ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル14の先端に装着された固定フランジ16と、着脱フランジ20とで切削ブレード18を挟み込んで、固定ナット22を締め付けることにより構成されている。
上述した少なくとも面取り部8上の膜層5を切削除去する切削ステップでは、切削ブレード18で膜層5より深く切り込んでもよいし、面取り部8に加えてウエーハ表面2aの外周縁近傍領域を切削してもよい。図3(A)は切削ステップ終了後のウエーハ2の断面を示しており、図3(B)は切削ステップ終了後のウエーハの平面図である。
切削ステップを実施した後、ウエーハ2の表面2aに形成されたデバイスDを保護するために、ウエーハ2の表面2aに保護テープ28を貼着する保護テープ貼着ステップを実施する。図4は表面2aに保護テープ28が貼着された状態のウエーハ2の断面図である。
保護テープ貼着ステップを実施した後、図5に示すような研削装置32を使用してウエーハ2の裏面2bを研削する研削ステップを実施する。図5において、34は研削装置32のベース(ハウジング)であり、ベース34の後方にはコラム36が立設されている。コラム36には、上下方向にのびる一対のガイドレール38が固定されている。
この一対のガイドレール38に沿って研削ユニット(研削手段)40が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット40は、スピンドルハウジング42と、スピンドルハウジング42を支持する支持部44を有しており、支持部44が一対のガイドレール38に沿って上下方向に移動する移動基台46に取り付けられている。
研削ユニット40は、スピンドルハウジング42中に回転可能に収容されたスピンドル48と、スピンドル48の先端に固定されたホイールマウント50と、ホイールマウント50にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石54を有する研削ホイール52と、スピンドル48を回転駆動する電動モータ56を含んでいる。
研削装置32は、研削ユニット40を一対の案内レール38に沿って上下方向に移動するボールねじ58とパルスモータ60とから構成される研削ユニット送り機構62を備えている。パルスモータ60を駆動すると、ボールねじ58が回転し、移動基台46が上下方向に移動される。
ベース34の上面には凹部34aが形成されており、この凹部34aにチャックテーブル機構64が配設されている。チャックテーブル機構64はチャックテーブル66を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット40に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。68,70は蛇腹である。ベース34の前方側には、研削装置32のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル72が配設されている。
このような研削装置32を使用して実施する研削ステップについて以下に説明する。図5に示すウエーハ着脱位置Aに位置づけられたチャックテーブル66上に、図4に示すように表面に保護テープ28が貼着されたウエーハ2を保護テープ28を下にして吸引保持する。次いで、チャックテーブル66をY軸方向に移動して研削位置Bに位置づける。
このように位置づけられたウエーハ2に対して、図6に示すようにチャックテーブル66を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール52をチャックテーブル66と同一方向に、即ち矢印b方向に例えば6000rpmで回転駆動させるとともに、研削ユニット送り機構52を作動して研削砥石54をウエーハ2の裏面2bに接触させる。
そして、研削ホイール50を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ2の研削を実施する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ2の厚みを測定しながらウエーハ2を所望の厚み、例えば50μmに仕上げる。
本実施形態のウエーハの加工方法では、まず切削ステップで予めウエーハ2の外周の面取り部8に回り込んだ膜層5が切削により除去される。その後、ウエーハ2の裏面2bが研削されるため、研削砥石54が膜層5を研削することに起因してウエーハ2の外周縁に発生するクラックや欠けの発生を低減することができる。
上述した実施形態の加工方法では、切削ステップ実施後に図4に示す保護テープ貼着ステップを実施しているが、この保護テープ貼着ステップを実施する前に、ウエーハ2を分割予定ラインS1,S2に沿ってハーフカットする第2切削ステップを実施するようにしてもよい。この場合には、図6に示す研削ステップを実施すると、ウエーハ2は個々のデバイスDに分割される。
2 半導体ウエーハ
4 回路素子層
5 膜層
6 パシベーション層
8 面取り部
10 切削ユニット
18 切削ブレード
24 チャックテーブル
26 切削溝
28 保護テープ
32 研削装置
40 研削ユニット
52 研削ホイール
54 研削砥石
66 チャックテーブル
4 回路素子層
5 膜層
6 パシベーション層
8 面取り部
10 切削ユニット
18 切削ブレード
24 チャックテーブル
26 切削溝
28 保護テープ
32 研削装置
40 研削ユニット
52 研削ホイール
54 研削砥石
66 チャックテーブル
Claims (2)
- 表面に膜層が形成され、且つ外周側面に面取り部が形成されたウエーハの加工方法であって、
切削ブレードをウエーハの表面から外周縁に切り込ませつつウエーハを回転させることで、少なくとも面取り部上の該膜層を円形に切削除去する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
表面に該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削する研削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記膜層は少なくともパシベーション及び金属の何れか一方を含む請求項1記載のウエーハの加工方法。
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A621 | Written request for application examination |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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