KR20230003180A - 보호 필름 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법 - Google Patents

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에이지 하야시시타
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미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
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Abstract

흡착 불량의 발생을 억제할 수 있는 보호 필름 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법을 제공한다. 보호 필름(30)은, 반도체 웨이퍼(10)의 회로가 형성된 면(11)을 고정구(41)에 흡착한 상태에서, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(12)을 연삭할 때, 면(11)을 보호하는 필름이다. 보호 필름(30)은, 점착제층(33)과, 기재층(31)과, 보조층(32)을 갖는다. 점착제층(33)은, 반도체 웨이퍼(10)에 첩착되는 층이고, 보조층(32)은, 고정구(41)에 접촉되는 층이고, 반도체 웨이퍼(10)는, 회로가 형성된 면(11)의 외주연에 단차(13)를 갖는 반도체 웨이퍼이다.

Description

보호 필름 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면을 고정구에 흡착할 때에, 그 회로를 보호하기 위한 보호 필름, 및 그 보호 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법에 관한 것이다.
반도체 부품의 제조 시에 있어서, 반도체 웨이퍼는, 표면 측에 회로 등이 형성된 후, 이면 측을 연삭하는 가공이 실시되어 박층화된다. 이 이면 측을 연삭하는 이면 연삭 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼(110)는, 회로 등이 형성된 표면(111)에 보호 필름(130)이 첩착(貼着)된다(도 9 참조). 반도체 웨이퍼(110)의 표면(111)은, 해당 보호 필름(130)을 개재시켜 고정구(141)에 흡착된다. 그리고, 보호 필름(130)은, 회로 등을 피복함으로써, 보호하고 있다.
전술한 보호 필름 및 이면 연삭 방법에 관한 기술로서, 특허문헌 1이 개시되어 있다. 특허문헌 1은, 표면에 막층이 형성되고, 또한 외주 측면에 면취부가 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여, 절삭 블레이드를 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 외주연(外周緣)에 절입시키면서 반도체 웨이퍼를 회전시키는 것에 의해, 적어도 면취부 상의 막층을 원형으로 절삭 제거하는 절삭 스텝(트리밍 가공)을 구비하고 있다.
이 트리밍 가공이 실시된 반도체 웨이퍼(110)는, 표면(111)의 외주연에 단차(113)를 갖고 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(110)를 흡착하는 고정구(141)는, 해당 단차(113)를 배려하여 설계되어 있다.
일본 특허공개 2012-43825호 공보
전술한 바와 같은 단차(113)를 갖는 반도체 웨이퍼(110)는, 고정구(141)에 있어서 진공 리크 등의 흡착 불량을 일으키는 것이 있는 것을 알 수 있었다. 이 흡착 불량은, 예를 들면, 트리밍 가공의 경우, 가공 정밀도의 한계 등에 의한 단차(113)의 치수나 형상의 격차 등에 기인하여 발생한다고 생각된다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 흡착 불량의 발생을 억제할 수 있는 보호 필름 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 문제점을 해결하는 수단으로서, 본 발명은 이하와 같다.
[1] 청구항 1에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면을 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 상기 회로가 형성된 면을 보호하는 보호 필름으로서,
점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고,
상기 점착제층은, 상기 반도체 웨이퍼에 첩착되는 층이고,
상기 보조층은, 상기 고정구에 접촉되는 층이고,
상기 반도체 웨이퍼는, 상기 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖는 것을 요지로 한다.
[2] 청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5MPa 이상 150MPa 이하의 층인 것을 요지로 한다.
[3] 청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층은, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 요지로 한다.
[4] 청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층의 두께는, 100μm 이상 500μm 이하인 것을 요지로 한다.
[5] 청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5000MPa 이하의 층인 것을 요지로 한다.
[6] 청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층은, 폴리에스터, 폴리아마이드의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 요지로 한다.
[7] 청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층의 두께는, 10μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 한다.
[8] 청구항 8에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면에 보호 필름을 첩착하는 첩착 공정과,
상기 반도체 웨이퍼와, 해당 반도체 웨이퍼를 흡착하는 고정구 사이에, 상기 보호 필름을 개재시키고, 해당 보호 필름을 개재시켜 상기 반도체 웨이퍼를 상기 고정구에 흡착하는 흡착 공정과,
상기 보호 필름을 개재시켜 상기 반도체 웨이퍼를 상기 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 공정을 구비하고,
상기 보호 필름은, 점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고,
상기 점착제층은, 상기 반도체 웨이퍼에 첩착되는 층이고,
상기 보조층은, 상기 고정구에 접촉되는 층이고,
상기 반도체 웨이퍼는, 상기 회로 형성면의 외주연에 단차를 갖는 것을 요지로 한다.
[9] 청구항 9에 기재된 발명은, 청구항 8에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5MPa 이상 150MPa 이하의 층인 것을 요지로 한다.
[10] 청구항 10에 기재된 발명은, 청구항 8 또는 9에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층은, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 열가소성 재료를 포함하는 것을 요지로 한다.
[11] 청구항 11에 기재된 발명은, 청구항 8 내지 10 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 보조층의 두께는, 100μm 이상 500μm 이하인 것을 요지로 한다.
[12] 청구항 12에 기재된 발명은, 청구항 8 내지 11 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5000MPa 이하의 층인 것을 요지로 한다.
[13] 청구항 13에 기재된 발명은, 청구항 8 내지 12 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층은, 폴리에스터, 폴리아마이드의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 열가소성 재료를 포함하는 것을 요지로 한다.
[14] 청구항 14에 기재된 발명은, 청구항 8 내지 13 중 어느 하나에 기재된 발명에 있어서, 상기 기재층의 두께는, 10μm 이상 200μm 이하인 것을 요지로 한다.
본 발명의 보호 필름 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법에 의하면, 흡착 불량의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 보호 필름을 설명하는 확대한 정단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼를 설명하는 정단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 트리밍 가공을 설명하는 정단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법에서 첩착 공정을 설명하는 정단면도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법에서 흡착 공정을 설명하는 정단면도이다.
도 6은 본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법에서 연삭 공정을 설명하는 정단면도이다.
도 7은 본 발명에서 다른 형태의 반도체 웨이퍼의 연삭 공정을 설명하는 정단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 다른 형태의 반도체 웨이퍼를 설명하는 정단면도이다.
도 9는 종래의 반도체 웨이퍼의 흡착 방법을 설명하는 정단면도이다.
이하, 본 발명을, 도면을 참조하면서 설명한다. 여기에서 나타내는 사항은 예시적인 것 및 본 발명의 실시형태를 예시적으로 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 원리와 개념적인 특징을 가장 유효하고 또한 쉽게 이해할 수 있는 설명이라고 생각되는 것을 제공할 목적으로 기술한 것이다. 이 점에서, 본 발명의 근본적인 이해를 위해서 필요하고, 어느 정도 이상으로 본 발명의 구조적인 상세를 나타내는 것을 의도하고는 있지 않은, 도면과 합친 설명에 의해 본 발명의 몇몇 형태가 실제로 어떻게 구현화되는지를 당업자에게 분명하게 하는 것이다.
[1] 보호 필름
본 발명의 보호 필름은, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면을 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 상기 회로가 형성된 면을 보호하는 것이다.
보호 필름은, 점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고 있다(도 1 참조).
점착제층은, 반도체 웨이퍼에 첩착되는 층이다.
보조층은, 고정구에 접촉되는 층이다.
본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖는 반도체 웨이퍼이다.
이와 같은 형상의 반도체 웨이퍼는, 외주연에 단차를 갖기 때문에, 이면을 연삭할 때, 외주연에 단차를 갖지 않는 반도체 웨이퍼에 비해, 고정구에 흡착되는 면(회로가 형성된 면이며, 보호 필름이 첩착되는 면)의 해당 고정구에 대한 흡착 면적이 적어지는 경우가 있다.
따라서, 본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖기 때문에, 고정구에 흡착되는 면(회로가 형성된 면)의 해당 고정구에 대한 흡착 면적이 감소된 반도체 웨이퍼라고도 할 수 있다.
이하, 반도체 웨이퍼에 있어서, 회로가 형성된 면을 「비연삭면」, 이면 연삭 방법에 따른 박층화로 연삭되는 면을 「연삭면」이라고도 한다.
구체적으로, 도 1에 나타내는 바와 같이, 보호 필름(30)은, 기재층(31)과, 해당 기재층(31)의 일면 측(도 1 중에서 하면 측)에 마련된 보조층(32)과, 해당 기재층(31)의 타면 측(도면 중에서 상면 측)에 마련된 점착제층(33)을 갖고 있다.
이 보호 필름(30)은, 이면 연삭 방법에 따른 첩착 공정에 있어서, 점착제층(33) 측을 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)을 향하게 하여 사용된다. 이 점착제층(33)은, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 첩착된다(도 4 참조).
또한, 보호 필름(30)은, 이면 연삭 방법에 따른 흡착 공정에 있어서, 보조층(32) 측을 고정구(41)를 향하게 하여 사용된다. 이 보조층(32)은, 고정구(41)에 접촉되어, 해당 고정구(41)에 흡착된다(도 5 참조).
보조층(32)은, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)의 표면 형상과, 고정구(41)의 표면 형상에 대응하고, 이들을 따라서 탄성 변형된다. 즉, 보조층(32)은, 탄성 변형되는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(10)의 고정구(41)로의 흡착을 보조한다(도 6 참조).
게다가, 보호 필름(30)의 기재층(31)은, 이면 연삭 방법의 첩착 공정에서, 점착제층(33)에 의해, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 첩착된다. 이 기재층(31)은, 이면 연삭 방법의 연삭 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)을 피복하여, 해당 비연삭면(11)에 형성된 회로를 보호한다.
보호 필름(30)의 형상은, 특별히 한정되지 않는다. 보호 필름(30)은, 예를 들면, 평면시(平面視)에서 원형상, 정방형상 등으로 할 수 있다.
보호 필름(30)의 평균 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로, 보호 필름(30)의 평균 두께는, 바람직하게는 150∼1000μm, 보다 바람직하게는 175∼950μm 이상, 더 바람직하게는 200∼750μm로 할 수 있다.
한편, 평균 두께는, 서로 2cm 이상 떨어지도록 선택된 10개소의 필름의 실측 두께의 평균치인 것으로 한다.
이하, 보호 필름(30)의 각 층에 대하여 설명한다.
(1) 기재층
기재층(31)은, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 형성된 회로의 보호를 목적으로 하여 마련되는 층이다. 또한, 기재층(31)은, 보호 필름(30)의 취급성이나 기계적 특성 등을 향상시키는 층이다.
기재층(31)에 사용되는 재료는, 이면 연삭 방법의 연삭 공정에서, 외력에 견딜 수 있는 기계적 강도를 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
통상, 기재층(31)의 재료로는, 합성 수지의 필름이 사용된다.
전술한 합성 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(4-메틸-1-펜텐), 폴리(1-뷰텐) 등의 폴리올레핀; 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체; 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스터; 나일론-6, 나일론-66, 폴리메타자일렌 아디프아마이드 등의 폴리아마이드; 폴리아크릴레이트; 폴리메타크릴레이트; 폴리염화 바이닐; 폴리에터이미드; 폴리아크릴로나이트릴; 폴리카보네이트; 폴리스타이렌; 아이오노머; 폴리설폰; 폴리에터설폰; 폴리페닐렌 에터 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 열가소성 수지를 들 수 있다.
기재층(31)은, 전술한 합성 수지 중에서도, 폴리에스터, 폴리아마이드의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 그들을 포함하는 경우, 보호 필름(30)의 취급성을 적합하게 할 수 있다.
전술한 합성 수지 중에는 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제로서는, 가소제, 연화제(광유 등), 충전제(탄산염, 황산염, 타이타늄산염, 규산염, 산화물(산화 타이타늄, 산화 마그네슘), 실리카, 탤크, 마이카, 클레이, 섬유 필러 등), 산화 방지제, 광 안정화제, 대전 방지제, 활제, 착색제 등이 예시된다. 이들 첨가제는, 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
기재층(31)의 재료에 사용되는 필름은, 연신의 유무를 불문한다. 필름에는, 무연신 필름, 1축 연신 필름이나 2축 연신 필름 등의 연신 필름의 어느 것도 사용할 수 있다. 특히, 연신 필름은, 기계적 강도의 향상의 관점에서 유용하다.
또한, 전술한 필름은, 단층 필름, 복수의 층을 갖는 다층 필름의 어느 것도 사용할 수 있다.
기재층(31)에는, 표면 처리된 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 보조층(32) 등과의 접착성의 향상을 도모할 수 있다. 표면 처리의 구체예로서, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코트 처리 등을 들 수 있다.
기재층(31)의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 이 기재층(31)의 두께(T31)(도 1 참조)는, 바람직하게는 10∼200μm, 보다 바람직하게는 20∼150μm, 더 바람직하게는 30∼100μm이다. 해당 두께의 범위는, 기재층(31)이 양호한 특성을 얻을 수 있다는 관점에 의한다.
여기에서, 기재층(31) 및 보조층(32)의 인장 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치(DMA)에 의해, 25℃부터 35℃까지 측정하여 얻어진 데이터로부터 각 온도의 데이터를 판독함으로써 얻어진다. 측정 조건은, 샘플 사이즈를 폭 10mm, 척간의 길이 20mm로 하고, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분이다.
이하에서는, 기재층(31)의 인장 탄성률에 대하여, 25℃의 값을 E' 31(25), 35℃의 값을 E' 31(35)로 하고, 25℃ 이상 35℃ 이하의 각 온도의 값을 E' 31(t)로 한다.
또한, 보조층(32)의 인장 탄성률에 대하여, 25℃의 값을 E' 32(25), 35℃의 값을 E' 32(35)로 하고, 25℃ 이상 35℃ 이하의 각 온도의 값을 E' 32(t)로 한다.
기재층(31)의 인장 탄성률은, 통상, E' 31(t)≤5000MPa이다. 즉, 25℃≤t≤35℃의 온도 범위에 있어서, 기재층(31)의 인장 탄성률은, 항상 5000MPa 이하이다. 따라서, E' 31(25)≤5000MPa, E' 31(35)≤5000MPa이다.
또한, 통상, E' 31(t)>E' 32(t)이다. 즉, 25℃≤t≤35℃의 온도 범위에 있어서, 기재층(31)의 인장 탄성률은, 항상 보조층(32)의 인장 탄성률보다 높다. 그 높이의 정도는 한정되지 않지만, E' 31(t)는, E' 32(t)보다, 20∼4850MPa 높은 것이 바람직하고, 700∼4850MPa 높은 것이 보다 바람직하다.
따라서, t=25℃에 있어서, 기재층(31)의 인장 탄성률과, 보조층(32)의 인장 탄성률의 차(E' 31(25)-E' 32(25))는, 20MPa≤E' 31(25)-E' 32(25)≤4850MPa이 바람직하고, 700MPa≤E' 31(25)-E' 32(25)≤4850MPa이 보다 바람직하다.
마찬가지로, t=35℃에 있어서, 기재층(31)의 인장 탄성률과, 보조층(32)의 인장 탄성률의 차(E' 31(35)-E' 32(35))는, 20MPa≤E' 31(35)-E' 32(35)≤4850MPa이 바람직하고, 700MPa≤E' 31(35)-E' 32(35)≤4850MPa이 보다 바람직하다.
기재층(31)의 인장 탄성률과, 보조층(32)의 인장 탄성률은, 전술한 관계를 갖고 있다.
반도체 웨이퍼(10)의 고정구(41)로의 흡착 시에 있어서, 기재층(31)은, 그 인장 탄성률이 보조층(32)의 인장 탄성률보다도 항상 높기 때문에, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)의 회로를 보호하도록, 해당 비연삭면(11)을 피복하는 형상을 유지한다(도 5 참조).
한편, 보조층(32)은, 그 인장 탄성률이 기재층(31)의 인장 탄성률보다도 항상 낮기 때문에, 탄성 변형된다. 이 보조층(32)의 탄성 변형에 대하여, 기재층(31) 측이 되는 이면층 부분은, 기재층(31)을 따른 형상이 되고, 고정구(41) 측이 되는 표면층 부분은, 고정구(41)의 표면 형상을 따른 형상이 된다(도 5 참조).
(2) 보조층
보조층(32)은, 이면 연삭 방법의 흡착 공정에서, 반도체 웨이퍼(10)의 고정구(41)로의 흡착을 보조하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
구체적으로, 보조층(32)은, 단차(13)를 갖는 반도체 웨이퍼(10)의 표면 형상과, 고정구(41)의 표면 형상의 쌍방에 따라 탄성 변형되는 것이 가능한 층이다(도 5 참조). 그리고, 탄성 변형된 보조층(32)에 의해, 반도체 웨이퍼(10)의 고정구(41)로의 흡착이 보조된다.
보조층(32)은, 인장 탄성률을 낮게 한 경우, 유연성이 높아진다. 이 경우, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)과, 고정구(41)(척 테이블 등)의 표면 형상에 대한 보조층(32)의 추종성을 향상시킬 수 있다.
또한, 보조층(32)은, 인장 탄성률을 높게 한 경우, 경도가 높아진다. 이 경우, 보조층(32)의 고정구(41)(척 테이블 등)로의 첩부가 억제되어, 보조층(32)과 고정구(41)의 착탈성을 향상시킬 수 있다.
보조층(32)의 인장 탄성률은, 바람직하게는, 5MPa≤E' 32(t)≤150MPa이다. 즉, 25℃≤t≤35℃의 온도 범위에 있어서, 보조층(32)의 인장 탄성률은, 5MPa 이상 150MPa 이하이다. 이 경우, 보조층(32)은, 이면 연삭 방법을 실시하는 환경 온도하에서, 충분한 탄성(역학적인 신축성)을 발휘할 수 있다.
이 인장 탄성률은, 보다 바람직하게는, 6MPa≤E' 32(t)≤120MPa이다. 더 바람직하게는, 7MPa≤E' 32(t)≤80MPa이다. 특히 바람직하게는, 8MPa≤E' 32(t)≤60MPa이다. 특히 바람직하게는, 9MPa≤E' 32(t)≤45MPa이다.
보조층(32)에 사용되는 재료는, 특별히 한정되지 않는다. 보조층(32)의 재료는, 수지가 바람직하고, 수지 중에서도, 충분한 탄성(역학적인 신축성)을 갖는 수지가 보다 바람직하며, 엘라스토머성을 갖는 열가소성 재료를 포함하는 수지가 특히 바람직하다.
엘라스토머성을 갖는 열가소성 재료는, 하드 세그먼트 및 소프트 세그먼트를 가진 블록 공중합체로 이루어져도 되고, 하드 폴리머와 소프트 폴리머의 폴리머 알로이로 이루어져도 되며, 이들 양쪽의 특성을 가진 것이어도 된다.
열가소성 재료료로서는, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이들은 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
보조층(32)의 재료가 전술한 열가소성 재료를 포함하는 수지인 경우, 열가소성 재료료의 비율은, 보조층(32)을 구성하는 수지 전체에 대해서, 바람직하게는 40∼100질량%, 보다 바람직하게는 60∼100질량%, 더 바람직하게는 80∼100질량%로 할 수 있다. 즉, 보조층(32)을 구성하는 수지는, 전술한 열가소성 재료만으로 이루어져도 된다.
또한, 전술한 열가소성 재료 중에서도, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체는, 아세트산 바이닐의 함량에 따라 탄성의 조정이 가능하기 때문에, 특히 바람직하다. 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체 중에 있어서의 아세트산 바이닐의 함량은, 중합체 전체를 100질량%로 한 경우에, 바람직하게는 4∼30질량%, 보다 바람직하게는 5∼25질량%, 더 바람직하게는 8∼20질량%이다.
보조층(32)의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 이 보조층(32)의 두께(T32)(도 1 참조)는, 바람직하게는 100∼500μm, 보다 바람직하게는 100∼400μm, 더 바람직하게는 100∼250μm이다. 해당 두께의 범위는, 충분히 탄성 변형이 가능할 정도의 유예를 유지한다고 하는 관점에 의한다.
또한, 보조층(32)의 두께(T32)는, 반도체 웨이퍼(10)의 두께 방향에 있어서의 단차(13)의 높이(H)(도 2 참조)에 비하여, 통상, 1.0배 이상이고(H≤T32), 바람직하게는 1.5배 이상(1.5×H≤T32), 더 바람직하게는 2.0배 이상(2.0×H≤T32)이다.
(3) 점착제층
점착제층(33)은, 이면 연삭 방법에 따른 첩착 공정에서, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 첩착되는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
구체적으로, 점착제층(33)은, 기재층(31)의 비연삭면(11) 측의 면(도 1 중에서 상면)에, 점착제 등을 도포 또는 적층하여 형성할 수 있다.
점착제층(33)에 사용되는 점착제 등은, 특별히 한정되지 않는다.
이 점착제 등으로서, 예를 들면, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 유레테인계 점착제, 고무계 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 혹은 아크릴계, 에폭시계, 실리콘계 접착제 등을 들 수 있다.
점착제층(33)의 점착력은, 특별히 한정되지 않는다.
이 점착력은, 0.1∼10N/25mm인 것이 바람직하다. 점착력은, 보다 바람직하게는 0.2∼9N/25mm, 더 바람직하게는 0.3∼8N/25mm이다.
해당 점착력의 범위는, 반도체 웨이퍼와의 양호한 접착성을 확보하면서, 박리 시에 반도체 웨이퍼에 대한 풀 잔류를 억제할 수 있다는 관점에 의한다.
한편, 이 점착력은, JIS Z0237에 준거하여 측정되는 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력이다. 구체적으로는, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에서, 실리콘 웨이퍼의 표면에 첩착하고, 60분간 방치한 후, 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터 박리할 때의 측정치이다.
점착제층(33)의 두께는, 특별히 한정되지 않는다.
이 점착제층(33)의 두께(T33)(도 1 참조)는, 바람직하게는 1∼50μm, 보다 바람직하게는 2∼45μm, 더 바람직하게는 3∼40μm이다. 해당 두께의 범위는, 적합한 점착력을 발휘하면서 풀 잔류 없이 박리할 수 있다는 관점에 의한다.
한편, 보호 필름(30)의 점착제층(33)은, 반도체 웨이퍼(10)에 첩착되는 시점에서, 기재층(31)의 비연삭면(11) 측의 면에 마련되어 있으면 된다.
예를 들면, 기재층(31)과 보조층(32)의 적층체를 미리 준비해 두고, 이 적층체를 반도체 웨이퍼(10)에 첩착하기 직전에, 적층체 또는 반도체 웨이퍼(10)에 점착제 등을 도포 또는 적층하고, 추가로 상기 적층체와 반도체 웨이퍼(10)를 첩합(貼合)하는 것에 의해, 점착제층(33)을 형성할 수 있다.
(4) 그 밖의 층
보호 필름(30)은, 전술한 각 층을 갖는 구성에 한하지 않고, 다른 층을 갖는 구성으로 할 수 있다.
다른 층으로서, 예를 들면, 도 8에 예시된 범프(15)를 갖는 반도체 웨이퍼(10)의 경우에, 범프(15)에 의한 요철 형상을 흡수하는 요철 흡수층을 들 수 있다.
요철 흡수층은, 비연삭면(11) 측이 되는 기재층(31)의 일면, 특히 기재층(31)과 점착제층(33) 사이에 적층하여 형성할 수 있다. 이 요철 흡수층의 재료는, 유동성 또는 가소성의 발현에 의한 요철 흡수성을 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 이 재료로서, 예를 들면 아크릴계 수지, 올레핀계 수지 및 에틸렌·극성 모노머 공중합체 등을 들 수 있다.
요철 흡수층의 두께는, 범프(15)에 의한 요철 형상에 대한 요철 흡수성을 발휘할 수 있는 두께이면, 특별히 한정되지 않는다. 해당 두께는, 바람직하게는 20μm 이상, 보다 바람직하게는 80μm 이상, 더 바람직하게는 170μm 이상이다.
또한, 비연삭면(11) 측이 되는 기재층(31)의 일면, 특히 기재층(31)과 점착제층(33) 사이에는, 상기 보조층(32)과 동일한 구성의 층을 마련할 수 있다. 이 경우, 보호 필름(30)은, 첩착된 반도체 웨이퍼(10)의 휨을 방지할 수 있다.
추가로, 다른 층으로서, 예를 들면, 점착제층(33)과의 계면 강도를 향상시키는 계면 강도 향상층, 점착제층(33)의 표면으로의 저분자량 성분의 이행을 억제하는 이행 방지층, 보호 필름(30)의 대전을 방지하는 대전 방지층 등을 들 수 있다.
전술한 다른 층은, 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[2] 반도체 웨이퍼
본 발명에 제공되는 반도체 웨이퍼는, 반도체 부품의 제조에 제공되는 것이고, 그 일면(비연삭면)에 회로가 형성된 것이면, 재료, 형상에 대하여 특별히 한정되지 않는다. 통상, 반도체 웨이퍼는, 규소(실리콘)를 재료로 이용하여 원판상으로 형성되어 있다(도 2 참조).
이 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면(비연삭면)과는 반대 측이 되는 이면(연삭면)을 연삭하여 박층화된다.
본 발명의 보호 필름은, 반도체 웨이퍼의 박층화에 관련되는 이면 연삭 방법에서 사용된다. 이 보호 필름이 이용되는 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면(비연삭면)의 외주연에 단차를 갖지 않는 것을 이용할 수 있지만, 회로가 형성된 면(비연삭면)의 외주연에 단차를 갖는 것에도 적합하게 이용할 수 있다.
즉, 반도체 웨이퍼는, 이면을 연삭할 때, 비연삭면을 보호하도록, 해당 비연삭면에 보호 필름이 첩착된다. 보호 필름이 첩착된 반도체 웨이퍼는, 그 보호 필름이 첩착된 면(비연삭면) 측이, 진공 흡인 등에 의해 고정구에 고정된다.
반도체 웨이퍼의 비연삭면에 보호 필름이 첩착되어 고정구에 고정될 때, 비연삭면의 외주연에 단차를 갖는 반도체 웨이퍼는, 비연삭면의 외주연에 단차를 갖지 않는 반도체 웨이퍼에 비해, 비연삭면의 고정구에 대한 흡착 면적이 적어지는 경우가 있다. 이와 같이, 회로가 형성된 면(비연삭면)의 외주연에 단차를 갖고, 비연삭면의 고정구에 대한 흡착 면적이 적어진 반도체 웨이퍼에도, 본 발명의 보호 필름은, 적합하게 이용할 수 있다.
따라서, 본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖기 때문에, 고정구에 흡착되는 면(회로가 형성된 면)의 해당 고정구에 대한 흡착 면적이 감소된 반도체 웨이퍼라고도 할 수 있다.
구체적으로, 반도체 웨이퍼(10)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 판상으로 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에는, 회로가 형성되어 있다. 이 반도체 웨이퍼(10)는, 연삭면(12)을 연삭하는 것에 의해, 원하는 얇기로 박층화된다(도 6 참조).
또한, 본 발명은, 도 7에 나타내는 바와 같이, DBG(Dicing Befor Griding)나 SDBG(Stealth Dicing Befor Griding)에 있어서의 연삭면(12)의 연삭에 사용할 수도 있다.
반도체 웨이퍼(10)는, 면취 처리에 의해, 비연삭면(11) 또는 연삭면(12)으로부터 외측면에 이르는 부위에 각각 원호면(14)을 갖고 있다. 트리밍 가공에서는, 그들 원호면(14) 중, 비연삭면(11) 측의 원호면(14)이, 절삭되어 제거된다(도 3 참조). 이 트리밍 가공된 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)의 외주연에 오목 형상의 단차(13)를 갖고 있다(도 2 참조).
여기에서, 전술한 트리밍 가공에 대하여 설명한다.
트리밍 가공에서 사용되는 트리밍 장치(20)로서는, 도 3에 나타내는 바와 같은, 반도체 웨이퍼(10)를 진공 흡인에 의해 흡착하는 척 테이블(21)과, 트리밍 블레이드(22)를 구비하는 것이 예시된다.
트리밍 가공 시에 있어서, 반도체 웨이퍼(10)는, 연삭면(12)이 척 테이블(21)에 흡착되어, 해당 척 테이블(21)에 고정되어 있다.
트리밍 가공은, 반도체 웨이퍼(10)가 흡착 고정된 척 테이블(21)을 회전시키면서, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)의 외주연에 트리밍 블레이드(22)를 누르는 것에 의해 행해진다.
트리밍 가공된 반도체 웨이퍼(10)는, 트리밍 블레이드(22)에 의해 비연삭면(11) 측의 원호면(14)이 절삭 제거되는 것에 의해, 비연삭면(11)의 외주연에 오목 형상의 단차(13)가 형성된다.
전술한 트리밍 가공에 기인하는 단차(13)는, 반도체 웨이퍼(10)의 지름 방향에 있어서의 폭(W)이, 바람직하게는 1∼10mm, 보다 바람직하게는 2∼8mm, 특히 바람직하게는 3∼7mm이다(도 2 참조).
또한, 이 단차(13)는, 반도체 웨이퍼(10)의 두께 방향에 있어서의 높이(H)가, 바람직하게는 10∼100μm, 보다 바람직하게는 20∼80μm, 특히 바람직하게는 30∼70μm이다(도 2 참조).
한편, 상기 단차(13)는, 전술한 트리밍 가공에서 생긴 것으로 한정되지 않는다. 트리밍 가공에 의한 것 이외에, 비연삭면(11)의 외주연에 단차(13)를 갖는 반도체 웨이퍼(10)로서, 이하 구성의 반도체 웨이퍼(10)를 들 수 있다.
도 8에 나타내는 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11) 상에 범프(15)가 복수 형성됨으로써, 비연삭면(11) 측의 외주연에 단차(13)가 생기고 있다.
또한, 특별히 도시하지 않지만, 상기 단차를 갖는 반도체 웨이퍼로서, 비연삭면 상에 다층막이 형성된 웨이퍼도 들 수 있다.
전술한 단차(13)에 대하여, 폭(W) 및 높이(H)는, 각각, 중심각으로 10∼90도 간격을 두도록 선택된 4개소의 단차의 실측 폭 및 실측 높이의 평균치인 것으로 한다.
또한, 본 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼(10)가 갖는 단차(13)에는, 트리밍 가공에 기인하는 단차와, 추가로 범프나 다층막의 형성에 기인하는 단차를 포함하는 것으로 한다.
구체적으로, 범프나 다층막의 형성에 기인하는 단차(13)는, 외주연로부터 반도체 웨이퍼(10)의 지름 방향에 있어서의 폭(W)이 1∼30mm의 범위 내에 있어서, 고저차(반도체 웨이퍼(10)의 두께 방향에 있어서의 높이(H))가 10∼300μm인 것이라고 할 수 있다(도 8 참조).
본 발명의 보호 필름을 활용하는 반도체 웨이퍼(10)는, 어떤 것이어도 된다. 이 반도체 웨이퍼(10)로서, 특히 척 테이블 등의 고정구에 대한 흡착 면적이 감소된 웨이퍼가 유용하다.
흡착 면적이 감소된 반도체 웨이퍼(10)로서, 특히, 트리밍 가공된 웨이퍼를 들 수 있다. 이 트리밍 가공된 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)의 외주연이 트리밍되어(잘라내어져), 단차(13)가 마련된 것에 의해, 고정구(41)(척 테이블 등)에 대한 흡착 면적이 감소되어 있다.
여기에서, 상기 「흡착 면적」이란, 고정구(41)에 의한 흡착력을 작용시킬 수 있는 면적을 나타낸다.
상세하게는, 트리밍 가공된 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)의 외주연이 오목 형상으로 잘라내어지는 것에 의해 형성된 단차(13)를 갖고 있다. 이 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 있어서, 단차(13)와 단차(13) 이외의 부분은, 고정구(41)에 대해서 동일면 상에서 접촉하는 것은 아니다. 이 때문에, 고정구(41)에 의한 흡착력은, 단차(13)에 있어서 작용하기 어렵거나 또는 작용하지 않게 되어 있다.
여기에서, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 있어서의 실제의 흡착 면적(ar1)은, 반도체 웨이퍼(10)의 평면적(平面積)(ar2)으로부터, 단차(13)에 해당하는 부분의 평면적을 제외한 값으로 한다(도 2 참조).
즉, 비연삭면(11)의 외주연에 단차(13)를 갖는 반도체 웨이퍼(10)는, 평면적(ar2)보다도 작은 흡착 면적(ar1)에 대해서만, 고정구(41)의 흡착력이 작용하는 상태가 되어 있다.
환언하면, 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)의 외주연에 단차(13)를 갖는 것에 의해, 비연삭면(11)의 고정구(41)에 대한 흡착 면적(ar1)이, 반도체 웨이퍼(10)(비연삭면(11))의 평면적(ar2)으로부터 감소된 반도체 웨이퍼라고 할 수 있다.
[3] 이면 연삭 방법
본 발명의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법은, 첩착 공정과, 흡착 공정과, 연삭 공정을 구비한다.
첩착 공정은, 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면에 보호 필름을 첩착하는 공정이다.
흡착 공정은, 반도체 웨이퍼와, 해당 반도체 웨이퍼를 흡착하는 고정구 사이에, 보호 필름을 개재시키고, 해당 보호 필름을 개재시켜 반도체 웨이퍼를 고정구에 흡착하는 공정이다.
연삭 공정은, 보호 필름을 개재시켜 반도체 웨이퍼를 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정이다.
보호 필름은, 점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고 있다.
점착제층은, 반도체 웨이퍼에 첩착되는 층이다.
보조층은, 고정구에 접촉되는 층이다.
본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖는 반도체 웨이퍼이다. 이와 같은 형상의 반도체 웨이퍼는, 외주연에 단차를 갖기 때문에, 이면을 연삭할 때, 외주연에 단차를 갖지 않는 반도체 웨이퍼에 비해, 고정구에 흡착되는 면(회로가 형성된 면이며, 보호 필름이 첩착되는 면)의 해당 고정구에 대한 흡착 면적이 적어지는 경우가 있다.
따라서, 본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼는, 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖기 때문에, 고정구에 흡착되는 면(회로가 형성된 면)의 해당 고정구에 대한 흡착 면적이 감소된 반도체 웨이퍼이다.
구체적으로, 이면 연삭 방법은, 상기 반도체 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하는 것에 의해, 해당 반도체 웨이퍼(10)를 박층화하기 위한 방법이다.
이 이면 연삭 방법은, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같은, 반도체 웨이퍼(10)를 흡착하여 고정하는 고정구(41)와, 반도체 웨이퍼(10)의 연삭면(12)을 연삭하는 연삭구(42)를 구비하는 가공 장치(40)를 사용하여 행해진다.
또한, 이면 연삭 방법에서는, 반도체 웨이퍼(10)의 이면을 연삭할 때, 비연삭면(11)에 형성된 회로를 보호하기 위해, 상기 보호 필름(30)이 사용된다.
이 보호 필름(30)은, 전술한 바와 같이, 기재층(31)과, 보조층(32)과, 점착제층(33)을 갖고 있다.
그리고, 반도체 웨이퍼(10)는, 전술한 바와 같이, 비연삭면(11)(회로가 형성된 면)의 외주연에 단차(13)를 갖고 있어, 고정구(41)에 대한 비연삭면(11)의 흡착 면적이 감소되어 있다.
이하, 첩착 공정, 흡착 공정, 및 연삭 공정의 각 공정에 대하여 설명한다.
(1) 첩착 공정
첩착 공정은, 전술한 보호 필름(30)을 반도체 웨이퍼(10)에 첩착하는 것을 목적으로 하는 공정이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 첩착 공정에 있어서, 보호 필름(30)은, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 첩착된다.
첩착 공정에 있어서, 보호 필름(30)은, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)의 요철 형상, 특히 외주부의 단차(13)를 덮도록 하여, 해당 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에 첩착된다.
나아가 또한, 보호 필름(30)과, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11) 사이에는, 접착제층 등의 수지를 개재시킬 수 있다. 이 경우, 개재시킨 수지에 의해, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)을, 보다 확실히 보호할 수 있다.
한편, 첩착 공정에서는, 보호 필름(30)을 반도체 웨이퍼(10)에 첩착하기 위한 방법 및 장치에 대하여, 특별히 한정되지 않는다. 해당 방법 및 해당 장치로는, 기존의 것을 사용할 수 있다.
(2) 흡착 공정
흡착 공정은, 전술한 보호 필름(30)이 첩착된 반도체 웨이퍼(10)를 고정구(41)에 흡착하는 것을 목적으로 하는 공정이다.
이 흡착 공정에 의해, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)과, 반도체 웨이퍼(10)를 흡착하는 고정구(41) 사이에, 보호 필름(30)이 개재되고, 해당 보호 필름(30)을 개재시켜 해당 반도체 웨이퍼(10)가 고정구(41)에 흡착된다.
구체적으로는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 상기 첩착 공정에서 보호 필름(30)이 첩착된 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)이 고정구(41) 측을 향하도록 하여 고정구(41)에 흡착된다.
이 흡착 공정에 있어서의 보호 필름(30)의 보조층(32)에 있어서, 고정구(41) 측의 표면층 부분은, 고정구(41)의 표면 형상을 따라서 탄성 변형된다.
즉, 보호 필름(30)의 보조층(32)은, 비연삭면(11)의 표면 형상에 영향을 받지 않고, 특히, 단차(13)의 격차 등에 영향을 받아 불확정이 되는 흡착 면적(ar1)과 관계 없이, 고정구(41)에 대한 흡착 면적(ar3)을, 고정구(41)의 표면의 면적(ar4)과 대략 동일한 사이즈로 유지하도록, 탄성 변형된다.
환언하면, 보호 필름(30)은, 탄성 변형 가능한 보조층(32)을 갖는 것에 의해, 단차(13) 등과 같은 반도체 웨이퍼(10)의 표면 형상에 영향을 받지 않고, 고정구(41)에 대해서 확실히 흡착되는 흡착 면적(ar3)을 유지할 수 있다.
이 때문에, 반도체 웨이퍼(10)는, 보호 필름(30)이 보조층(32)을 갖는 것에 의해, 단차(13)에 기인한 흡착 불량의 발생이 억제된다.
따라서, 본 발명의 보호 필름(30)은, 트리밍 가공에서 생긴 단차(13)를 갖는 반도체 웨이퍼(10)의 이면 연삭 방법에서, 특히 유용한 것이 된다.
(3) 연삭 공정
연삭 공정은, 반도체 웨이퍼(10)의 연삭면(12)을 연삭하는 것에 의해, 해당 반도체 웨이퍼(10)를 박층화하는 것을 목적으로 하는 공정이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 연삭 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(10)는, 전술한 흡착 공정에서 고정구(41)에 흡착된 상태를 유지하면서, 그 연삭면(12)에 연삭구(42)가 맞닿게 된다.
가공 장치(40)에 있어서, 연삭구(42)는, 반도체 웨이퍼(10)의 두께 방향으로 신장되는 축심을 회전 중심으로 하여, 회전 자재로 구성되어 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(10)의 두께 방향으로 이동 자재로 구성되어 있다. 또한, 가공 장치(40)에 있어서, 고정구(41)는, 그의 중심을 축심으로 하여, 회전 자재로 구성되어 있다.
그리고, 연삭구(42) 및 고정구(41)가 각각 회전되면서, 연삭구(42)가 이동하는 것에 의해 연삭면(12)에 연삭구(42)가 맞닿게 된 상태가 유지되는 것에 의해, 해당 연삭면(12)이 연삭되어, 반도체 웨이퍼(10)가 박층화된다.
또한, 본 발명은, DBG나 SDBG의 이면 연삭에서 사용할 수도 있다.
즉, 도 7에 나타내는 바와 같이, DBG나 SDBG에 있어서, 반도체 웨이퍼(10)는, 비연삭면(11)에, DBG이면 복수의 하프 컷부(17), SDBG이면 복수의 개질층(17)을 갖고 있다.
이 반도체 웨이퍼(10)는, 가공 공정에서 연삭면(12)이 연삭되어 박층화됨과 함께, 각 하프 컷부(17) 또는 각 개질층(17)에서 복수의 칩(10A)으로 분리되어 개편화된다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
[보호 필름]
보호 필름(30)으로서, 12인치용의 것을 사용했다.
보호 필름(30)의 구성, 기재층(31), 보조층(32)은 이하와 같다.
(1) 기재층(31)
재질: 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, E' 31(25): 4726MPa, E' 31(35): 4581MPa.
두께: 50μm.
(2) 점착제층(33)
재질: 자외선 경화형 아크릴계 점착제
두께: 20μm.
(3) 보조층(32)
<실시예 1>
재질: 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체(아세트산 바이닐의 함량: 19%), E' 32(25): 21MPa, E' 32(35): 17MPa.
두께: 120μm.
<실시예 2>
재질: 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체(아세트산 바이닐의 함량: 9%), E' 32(25): 40MPa, E' 32(35): 34MPa.
두께: 120μm.
<실시예 3>
재질: 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체(아세트산 바이닐의 함량: 9%), E' 32(25): 40MPa, E' 32(35): 34MPa.
두께: 160μm.
<비교예 1>
보조층(32)을 마련하지 않았다.
[반도체 웨이퍼]
회로가 마련된 반도체 웨이퍼(10)로서, 이하의 것을 이용했다.
(1) 제원(諸元)
직경: 300mm.
두께: 810μm.
재질: 규소(실리콘).
(2) 단차(13)
폭(W)을 5mm, 높이(H)를 50μm로 설정하고, 트리밍 가공을 행하여, 단차(13)를 형성했다(도 2 참조).
[이면 연삭 방법]
(1) 첩착 공정
테이프 첩착기(닛토 세이키제의 품번 「DR-3000II」)를 준비하고, 반도체 웨이퍼(10)의 비연삭면(11)에, 보호 필름(30)을 첩착하고, 잉여 부분을 절제(切除)하여, 실시예 1∼3 및 비교예 1의 시료를 얻었다.
(2) 흡착 공정
가공 장치(디스코사제의 품번 「DGP8760」)를 준비하고, 실시예 1∼3 및 비교예 1의 각 시료를 고정구(41)에 흡착시켜, 흡착 불량의 유무를 관측했다.
이 관측에 대해서는, 각 시료를 각각 3회, 고정구(41)에 흡착시켜, 흡착 불량의 발생 횟수를 측정하는 것으로 했다.
관측의 결과, 실시예 1∼3은, 흡착 불량이 전혀 발생하지 않았다.
한편, 비교예 1은, 3회의 흡착 전부에서 흡착 불량이 발생했다.
상기의 결과로부터, 보조층(32)을 갖는 보호 필름(30)에 의해, 흡착 불량을 방지할 수 있는 것이 나타났다.
(3) 연삭 공정
상기 (2)의 흡착 공정에서, 흡착 불량이 전혀 발생하지 않았다. 실시예 1∼3에 대하여, 상기의 가공 장치를 사용하여, 연삭 공정을 실시했다.
이 연삭 공정에 대해서는, 각 시료를 각각 3매, 이면 연삭하고, 웨이퍼 균열 등의 불량의 발생수를 측정하는 것으로 했다.
그 결과, 실시예 1∼3은, 웨이퍼 균열 등의 불량이 발생하지 않았다.
상기의 결과로부터, 보조층(32)을 갖는 보호 필름(30)에 의해, 연삭 공정 시의 웨이퍼 균열 등의 불량의 발생을 방지할 수 있는 것이 나타났다.
본 발명의 보호 필름은, 반도체 부품 제조의 용도에 있어서 널리 이용된다. 특히, 외주연에 단차가 생긴 반도체 웨이퍼에 있어서, 고정구로의 흡착 불량을 적합하게 억제할 수 있는 특성을 갖기 때문에, 생산성이 우수한 부품 제조를 행하기 위해서 적합하게 이용된다.
10; 반도체 웨이퍼,
11; 비연삭면(회로가 형성된 면),
12; 연삭면,
13; 단차,
14; 원호면,
15; 범프,
17; 하프 컷부 또는 개질층
20; 트리밍 장치,
21; 척 테이블,
22; 트리밍 블레이드,
30; 보호 필름,
31; 기재층,
32; 보조층,
33; 점착제층,
40; 가공 장치,
41; 고정구,
42; 연삭구.

Claims (14)

  1. 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면을 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 상기 회로가 형성된 면을 보호하는 보호 필름으로서,
    점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고,
    상기 점착제층은, 상기 반도체 웨이퍼에 첩착(貼着)되는 층이고,
    상기 보조층은, 상기 고정구에 접촉되는 층이고,
    상기 반도체 웨이퍼는, 상기 회로가 형성된 면의 외주연(外周緣)에 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 보호 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 10MPa 이상 200MPa 이하의 층인 보호 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보조층은, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 보호 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조층의 두께는, 100μm 이상 500μm 이하인 보호 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5000MPa 이하의 층인 보호 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층은, 폴리에스터, 폴리아마이드의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 보호 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층의 두께는, 10μm 이상 200μm 이하인 보호 필름.
  8. 반도체 웨이퍼의 회로가 형성된 면에 보호 필름을 첩착하는 첩착 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼와, 해당 반도체 웨이퍼를 흡착하는 고정구 사이에, 상기 보호 필름을 개재시키고, 해당 보호 필름을 개재시켜 상기 반도체 웨이퍼를 상기 고정구에 흡착하는 흡착 공정과,
    상기 보호 필름을 개재시켜 상기 반도체 웨이퍼를 상기 고정구에 흡착한 상태에서, 해당 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 공정을 구비하고,
    상기 보호 필름은, 점착제층과, 기재층과, 보조층을 갖고,
    상기 점착제층은, 상기 반도체 웨이퍼에 첩착되는 층이고,
    상기 보조층은, 상기 고정구에 접촉되는 층이고,
    상기 반도체 웨이퍼는, 상기 회로가 형성된 면의 외주연에 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 보조층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 10MPa 이상 200MPa 이하의 층인 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 보조층은, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조층의 두께는, 100μm 이상 500μm 이하인 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층은, 온도 25℃ 이상 35℃ 이하의 인장 탄성률이 5000MPa 이하의 층인 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층은, 폴리에스터, 폴리아마이드의 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층의 두께는, 10μm 이상 200μm 이하인 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
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