KR20110101550A - 다이싱 다이본드 일체형 필름 - Google Patents

다이싱 다이본드 일체형 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR20110101550A
KR20110101550A KR1020100020616A KR20100020616A KR20110101550A KR 20110101550 A KR20110101550 A KR 20110101550A KR 1020100020616 A KR1020100020616 A KR 1020100020616A KR 20100020616 A KR20100020616 A KR 20100020616A KR 20110101550 A KR20110101550 A KR 20110101550A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
adhesive
dicing
film
wafer
Prior art date
Application number
KR1020100020616A
Other languages
English (en)
Inventor
차세영
이경석
이병국
원동호
Original Assignee
도레이첨단소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이첨단소재 주식회사 filed Critical 도레이첨단소재 주식회사
Priority to KR1020100020616A priority Critical patent/KR20110101550A/ko
Publication of KR20110101550A publication Critical patent/KR20110101550A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 다이싱 다이본드 일체형 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 UV 조사 없이도 우수한 픽업성을 가지는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름은 기재필름(5)상에 적층된 다이싱 점착제(4)와 접착제 보호필름(1)이 적층된 다이본딩 접착제(2) 사이에 지지체(3)가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 있어서, 상기 지지체(3)의 외경은 웨이퍼의 외경보다는 크고 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경 보다는 작은 것을 특징으로 한다.

Description

다이싱 다이본드 일체형 필름{INTEGRATED DICING-DIE BOND FILM}
본 발명은 다이싱 다이본드 일체형 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 UV 조사 없이도 우수한 픽업성을 가지는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 관한 것이다.
일반적으로,　반도체칩을 적층하는 stack형 패키지의 경우 WBL(Wafer Back Lamination) 기술이 적용되며 이러한 WBL 기술이 적용된 웨이퍼는 반도체 어셈블리 공정에서 웨이퍼를 칩 사이즈로 다이싱한 후 픽업 작업을 통해서 칩을 떼어 내는데 픽업되는 정도에 따라 반도체 공정에서의 수율이 좌우된다. 이 때 일반적으로 UV 경화형 다이싱 점착제를 사용하거나 Non UV 경화형 다이싱 점착제를 사용하고 있다.
상기 UV 경화형 다이싱 점착제의 경우 UV조사 후 점착제층의 점착력이 낮아지기 때문에 Non UV 다이싱 점착제 대비 우수한 픽업성을 보이므로 어셈블리 공정에 많이 사용되고 있으나 기본 공정 외 UV 조사 공정이 추가로 필요하며 반도체 장비특성 및 UV 램프의 사용시간에 따른 광량 차이로 인해 픽업성이 영향을 받게 되는 문제점이 있다.
또한 열경화형 다이싱 점착제는 UV 조사공정이 불필요하므로 공정단축이 가능하나 1 mil이하의 박막 칩을 픽업시 다이크랙에 의한 불량이 발생되며 점착력 조정을 통해 픽업성을 개선할 경우 웨이퍼링과의 탈락문제가 발생되어 반도체 공정에서 심각한 품질문제를 발생시킨다. 이러한 열경화형 점착제의 문제점을 개선하기 위해서 일본 특허공개공보 제2006-203000호 및 제2009-065191호와 같이 열경화형 점착제와 다이본딩 접착제 사이에 픽업성을 용이하게 하는 지지체를 사용하는 기술이 개발되었다.
상기 일본 특허공개공보 제2006-203000호의 경우 지지체 사용을 통해서 1 mil 이하의 박막 칩에 대한 픽업성 및 웨이퍼링과의 밀착력 개선은 가능하나 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력이 지지체와 다이싱 점착제간의 박리력 보다 낮아 실제 웨이퍼 다이싱을 위해서 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리강도가 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력보다 클 경우 지지체와 다이본딩 접착제 및 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간 계면의 박리강도 차이에 의해서 지지체와 다이본딩 접착제 사이에 층간 박리가 발생되어 다이본딩 접착제가 웨이퍼와 합지되지 못하거나 다이본딩 접착제가 웨이퍼 백면에서 분리되어 픽업시 다이 플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있다.
또한 일본 특허공개공보 제2009-065191호의 경우 지지체의 한쪽 면, 즉 다이본딩 접착제와의 계면에 이형처리가 되어 있지 않아 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간 박리강도 보다 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력이 높아 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 지지체와 다이본딩 접착제 간의 층간 분리가 발생되지 않을 수 있으나 지지체가 다이본딩 접착제와 접촉하는 계면의 표면에너지를 40N/m이하로 한정될 경우 지지체와 접촉하는 다이본딩 접착제에 사용되는 열경화성 수지, 열가소성 수지의 종류 및 함량에 따라서 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리강도가 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리강도 보다 낮게 되어 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 상기 일본 특허공개공보 제2006-203000호와 동일하게 웨이퍼와 합지되지 못하거나 다이본딩 접착제가 웨이퍼 백면에서 분리되어 픽업시 다이플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있다.
상술한 문제점을 개선하기 위해 일본 특허공개공보 제2008-211224 호와 같이 지지체의 한쪽 계면 즉 다이본딩 접착제와 접촉하는 면에 이형처리를 통해서 계면간의 박리강도를 조정하여 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 발생되는 웨이퍼와의 합지 불량 및 다이플라잉 문제가 어느 정도 개선될 수 있으나 일반적으로 반도체 제조공정에서 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 부착시 70~80℃ 조건에서 작업하게 된다. 상기 조건과 같이 이형처리된 지지체의 계면과 다이본딩 접착제가 접촉된 상태에서 열이 가해질 경우 이형처리면의 이형성분이 다이본딩 접착제에 전사되어 다이 픽업 후 PCB나 리드프레임과의 접착력 저하를 야기하여 EMC 몰딩 작업시 몰딩액이 다이본딩 접착제와 칩간의 계면에 침투되어 PCB 나 리드프레임에 부착된 칩이 탈락되어 신뢰성 평가시 팝콘현상과 같은 심각한 문제점을 유발시킬 수 있다.
일본 특허공개공보 제2006-203000호 일본 특허공개공보 제2009-065191호 일본 특허공개공보 제2008-211224 호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 UV 조사 없이도 우수한 픽업성을 가지는 다이싱 다이본드 일체형 필름을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.
상기 목적은, 기재필름상에 적층된 다이싱 점착제와 접착제 보호필름이 적층된 다이본딩 접착제 사이에 지지체가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 있어서, 상기 지지체의 외경은 웨이퍼의 외경보다는 크고 상기 다이본딩 접착제의 외경 보다는 작은 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 의해 달성된다.
여기서, 상기 지지체의 외경, 상기 웨이퍼의 외경 및 상기 다이본딩 접착제의 외경은 다음의 수학식 1을 만족하되,
(수학식 1)
(B+5mm) < A < (C-5mm)
여기서, “A”는 상기 지지체의 외경이고, “B”는 상기 웨이퍼의 외경이며, “C”는 상기 다이본딩 접착제의 외경인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 지지체와 상기 다이본딩 접착제간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제와 상기 접착제 보호필름간의 박리강도는 다음 수학식 2를 만족하되,
(수학식 2)
Y > 3Z
여기서, “Y”는 상기 지지체와 상기 다이본딩 접착제간의 박리강도이고, “Z”는 상기 다이본딩 접착제와 상기 접착제 보호필름간의 박리강도인 것을 징으로 한다.
본 발명에 따르면, 지지체의 외경이 다이본딩 접착제 외경보다 작고 웨이퍼 외경보다는 크게 설계함으로써, 다이싱 점착제와 다이본딩 접착제가 직접 계면을 이루어 양호한 접합력이 발현되도록 하고 계면간의 박리강도를 최적화하여 웨이퍼와 합지 작업시 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리가 용이하게 되어 웨이퍼 백면과 기포없이 부착되며 다이싱된 칩들을 양호하게 픽업할 수 있으므로 반도체 제조공정에서 우수한 작업성과 안정된 품질을 제공할 수 있는 등의 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름의 단면도.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름은 다이싱 점착제(4)와 다이본딩 접착제(2) 사이에 지지체(3)가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 있어서, 상기 지지체(3)의 외경은 웨이퍼의 외경보다는 크고 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경 보다는 적은 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름의 단면도인 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 다이싱 점착제(4)는 기재필름(5)상에 적층되어 있고, 상기 다이본딩 접착제(2) 상에는 접착제 보호필름(1)이 적층되어 있다. 상기 지지체(3)의 외경이 다이본딩 접착제(2) 의 외경보다 작고 웨이퍼의 외경보다 클 경우 다이싱 점착제(4)와 다이본딩 접착제(2)가 직접 부착되어 웨이퍼에 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 웨이퍼와의 합지불량 문제가 개선된다.
또한 본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름은 상기 지지체(3)의 외경, 상기 웨이퍼의 외경 및 상기 다이본딩 접착제(2) 외경이 다음의 수학식 1을 만족하되,
(수학식 1)
(B+5mm) < A < (C-5mm)
여기서, “A”는 상기 지지체(3)의 외경이고, “B”는 상기 웨이퍼의 외경이며, “C”는 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경인 것이 바람직하다.
상기 지지체(3)의 외경이 웨이퍼의 외경보다 작게 되면 웨이퍼와 합지시 다이싱 테이프의 점착제와 다이본딩 접착제가 직접 접촉하여 양호한 접합력이 발현되어 웨이퍼와 합지시 다이본딩 접착제(2)와 접착제 보호필름(1)간의 박리가 용이하여 웨이퍼 합지불량이 발생되지 않으나 웨이퍼 컷팅 작업시 다이본딩 접착제(2)와 다이싱(테이프) 점착제(4)사이에 단차가 발생되어 다이크랙 및 다이플라잉이 발생되는 문제가 있으며, 상기 지지체(3)의 외경이 다이본딩 접착제의 외경보다 크게 되면 웨이퍼와 합지시 다이싱(테이프) 점착제(4)와 지지체(3)간의 계면 박리강도 보다 상대적으로 계면 박리강도가 낮은 다이본딩 접착제(2)와 지지체(3)간의 계면이 박리되어 웨이퍼 합지불량이 발생되어 다이싱 및 다이본딩 공정과 같은 반도체 후공정 작업이 불가능한 치명적인 문제가 발생된다.
또한 본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름은 상기 지지체(3)와 상기 다이본딩 접착제(2)간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도는 다음 수학식 2를 만족하되,
(수학식 2)
Y > 3Z
여기서, “Y”는 상기 지지체(3)와 상기 다이본딩 접착제(2)간의 박리강도이고, “Z”는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도인 것을 특징으로 한다. 상기 지지체(3)와 다이본딩 접착제(2)간의 박리강도가 다이본딩 접착제(2)와 접착제 보호필름(1)간의 박리강도의 3배 이하일 경우 웨이퍼 합지불량 및 다이 플라잉 문제가 발생되기 때문에 상기 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 사용하는 (다이싱) 기재필름(5)으로는 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀계 공중합체와 폴리에스테르류, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐 공중합체 필름 등이 포함될 수 있으며 다이싱 공정에서의 버 특성을 개선하고 픽업 작업시 반복되는 연신과 수축과정에서 연신 후 다시 수축되지 않는 문제를 개선하기 위해서 상기 필름들의 가교필름 및 복합가공필름이 사용되며 이들 필름의 적층된 경우에도 가능하다.
상기 다이싱 기재필름(5)의 경우 기재필름(5)과 다이싱 점착제(4)간의 밀착력을 높이기 위해 일반적으로 코로나 및 플라즈마와 같은 표면처리를 진행하는데 이때의 표면장력은 일반적으로 50 dyne 이상, 바람직하게는 60dyne 이상이다.
또한 상기 기재필름(5)의 두께는 일반적으로 10~300㎛, 바람직하게는 50~200㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 80~150㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.
또한 본 발명에 따른 상기 기재필름(5)상의 상기 다이싱 점착제(4)는 열경화형 아크릴계, 폴리에스테르계, 우레탄계, 실리콘계, 고무계 등 기타 범용의 점착제가 점착성분으로 사용될 수 있으나 본 발명에서는 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 바람직하며 점착제(4)층의 두께는 특별히 한정되어 있지는 않지만 다이싱 작업시 버 및 픽업 작업시 다이 플라잉을 방지하기 위해 3~50㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 5~30㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.
또한 본 발명에 따른 상기 지지체(3)는 표면에 이형처리가 되어 있지 않는 것을 특징으로 하며 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 필름 등이 사용될 수 있으며 상기 다이본딩 접착제(2)의 열경화성 수지, 열가소성 수지의 종류 및 함량, 접착제(2)의 경화 정도에 따라서 사용되는 지지체의 종류가 결정된다. 상기 지지체(3)는 픽업 작업시 연신과 수축과정에서 연신 후 다시 수축되지 않는 문제를 개선하기 위해서 무연신된 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명에 따른 상기 지지체(3)의 한쪽 면 즉 상기 다이싱(테이프) 점착제(4)와 접촉하는 계면에 코로나 플라즈마 처리를 통해서 밀착력을 높인 제품이 일반적으로 사용되며, 상기 지지체(3)의 두께는 5~100㎛인, 바람직하게는 10~50㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.
또한 본 발명에 따른 다이 본딩을 위한 접착제(2)층은 열가소성 고무, 열경화성 수지, 경화제, 촉진제 및 충진제로 구성되며 상기 열가소성 고무는 일반적으로는 30~85 중량%, 바람직하게는 30~50% 수준이며 적절한 열가소성 고무는 폴리에스테르계 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아미드계 혹은 나일론계 수지, 이미드계 수지이며 열가소성 수지와의 상용성, 웨이퍼와의 접착력을 높이기 위해서 카르복시, 에폭시, 페닐 등이 말단기가 부착된 수지를 사용한다. 상기 접착제의 두께는 제품의 용도에 따라 달라지며 일반적으로는 bottom 다이용으로는 10~30㎛, die to die용으로는 5~25㎛ 수준이다. 또한 상기 접착제에 이용되는 열경화성 수지는 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 열경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지등을 사용할 수 있으며 바람직하게는 에폭시 수지가 사용되며, 상기 에폭시 수지에는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형,크레졸 노볼락형, 페놀, 노보락형 에폭시 수지가 등이 사용되며 웨이퍼와의 접착력 및 반도체 공정에서의 내열성을 높이기 위해 다수의 에폭시 수지를 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
또한 본 발명에 사용되는 경화제는 특별히 한정되지 않으나 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 산무수물, 페놀 화합물, 디시안 디아미드 및 그러한 유도체 등이 사용된다.
또한 본 발명에 사용되는 촉진제는 0.01~10 중량%로 사용되며 특별히 한정되지 않으나 이미다졸 또는 3급 아민 등이 사용된다.
또한 본 발명에 사용되는 충진제의 크기는 일반적으로 0.1~10㎛ 이며 바람직하게는 0.2~5㎛이며 사용되는 함량은 1~80% 이며 바람직하게는 3~30%이고, 알루미나, 실리카, 알루미늄 히드록시드, 운모, 칼슘 카아보네이트, 티타니아, 샌드, 글래스 등이 사용된다.
또한 본 발명에 따른 상기 접착제 보호필름(1)은 특별히 한정되지 않으나 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등이 사용되며 상기 다이본딩 접착제(2)를 코팅시 캐리어 필름으로 사용되기 때문에 코팅장치에서의 장력조정과 건조장치 통과시의 내열성 및 치수안정성 등의 이유로 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 사용되며 웨이퍼와 합지시 다이본딩 접착제(2)와 박리가 용이하게 하기 위해서 한쪽면에 이형제를 코팅하여 사용한다. 상기 보호필름(1)의 이형층에 사용되는 이형제는 실리콘계, 불소계 등이 사용되며 다이본딩 접착제(2)와의 박리강도 조절 및 가격적인 측면을 고려할 때 실리콘계 이형제가 바람직하다.
상기 보호필름의 두께는 일반적으로 5~100㎛이며, 바람직하게는 10~75㎛ 더욱 바람직하게는 38~50㎛ 수준이다. 38㎛ 이하의 경우 펀칭작업시 펀칭나이프 깊이에 따라서 기재필름이 찢어지는 문제가 발생되며 50㎛이상의 경우 펀칭공정에서 가이드 롤 통과시 기재필름 각도에 의해서 접착제와 분리되는 문제가 발생되기 때문이다.
본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름을 제조하는 방법은 접착제 보호필름(1)의 이형처리된 면에 수지와 용해도가 우수한 유기용제로 용액상태로 제조된 접착제 수지 조성물을 도포한다.
상기 도포방법으로서는, 예를 들면, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 분사 코팅법, 스핀 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 게이트 롤 코팅법, 다이 코팅법 등을 사용할 수 있다. 또한 건조 방법으로서는, 예를 들면, 열풍건조로 등으로 열건조하는 방법 등을 사용할 수 있다. 건조 온도는 특별히 제한 없으나, 100~200℃가 바람직하며, 건조시간은 10초 내지 5분간이 바람직하다.
다음으로 상기 건조된 접착제면에 접착제 보호필름(1)보다 낮은 박리력을 가지는 한쪽면이 이형처리된 보호필름을 합지하여 다이본딩 접착제를 제조한다.
다음으로 본 발명에 사용되는 지지체(3)를 오프라인 합지기를 이용하여 다이싱 테이프 점착제 보호필름을 제거 후 합지하여 다이싱 테이프/지지체 구조의 필름을 제조한다.
다음으로 상기 공정에서 제조된 다이싱테이프/지지체 구조의 필름을 펀칭기에 장착하여 다이본딩 접착제 외경보다 작은 펀칭나이프를 이용하여 1차 펀칭 후 지지체(3) 펀칭원 외부영역을 제거한 후 한 쪽면이 이형처리된 보호필름과 합지하여 다이싱테이프/지지체 펀칭필름을 제조한다.
다음으로 제조된 다이본딩 접착제를 펀칭기에 장착하여 지지체(3) 펀칭원보다 직경이 큰 펀칭나이프로 1차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거한 다음 다이싱테이프/지지체 펀칭필름의 보호필름을 제거한다. 보호필름이 제거된 다이싱테이프/지지체 펀칭필름을 1차 펀칭된 다이본딩 접착제와 합지후 다이본딩 접착제의 직경보다 큰 펀칭나이프로 2차 펀칭을 진행한다.
다음으로 2차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거하면 최종적으로 다이싱 테이프 점착제(4)와 다이본딩 접착제(2)사이에 다이본딩 접착제(2)의 직경보다 작고 웨이퍼 직경보다 큰 지지체가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름이 완성된다.
상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름은 접착제 보호필름(1)이 제거되는 동시에 웨이퍼와 합지 및 웨이퍼링을 통해 고정된 후 칩사이즈로 다이싱된 후 픽업된 다음 PCB와 리드프레임과 같은 기판재료에 부착되어 다이본딩 공정이 완료된다.
이하 본 발명은 실시예에 의거하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 다음 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1, 2]
다음 표 1에 나타낸 조건으로 실시예 1 및 2에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름을 제조하였다.
[ 비교예 1~4]
다음 표 1에 나타낸 조건으로 비교예 1~4의 다이싱 다이본드 일체형 필름을 제조하였다.
웨이퍼
직경
(B)		 다이본딩
접착제 직경
(C)		 지지체
직경
(A)		 박리강도 Y
(3)&(2)		 박리강도 Z
(2)&(1)
실시예1 203mm 228mm 215mm 0.04N/cm 0.01N/cm
실시예2 203mm 228mm 215mm 0.08N/cm 0.01N/cm
비교예1 203mm 228mm 200mm 0.03N/cm 0.01N/cm
비교예2 203mm 228mm 200mm 0.08N/cm 0.01N/cm
비교예3 203mm 228mm 235mm 0.03N/cm 0.01N/cm
비교예4 203mm 228mm 235mm 0.08N/cm 0.01N/cm
상기 실시예 및 비교예에 따른 다이싱 다이본드 일체형 필름의 성능 평가는 다음의 방법에 의해 실시하였다.
(1)웨이퍼 합지상태
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 합지시 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름과 분리되어 웨이퍼 백면에 부착되는지의 여부를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.
불량: 다이본딩 접착제가 접착제 보호필름에서부터 박리되지 못하고 다이싱 테이프만 웨이퍼와 합지된 상태.
양호: 다이본딩 접착제가 접착제 보호필름에서부터 박리되고 웨이퍼 백면에 기포없이 합지된 상태.
(2)다이 플라잉
반도체 웨이퍼와 다이싱 다이본딩 일체형 필름을 합지 후 다이싱 작업시 다이본딩 접착제층에서 다이싱된 칩이 떨어지는 정도를 평가하였다.
○: 다이싱 작업 후 칩 중에서 1% 이내의 칩이 다이본딩 접착제에서 떨어진 경우.
△: 다이싱 작업 후 칩 중에서 5% 이내의 칩이 다이본딩 접착제에서 떨어진 경우.
X : 다이싱 작업 후 칩 중에서 10% 이내의 칩이 다이본딩 접착제에서 떨어진 경우
(3)픽업성
반도체 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 합지 및 다이싱 후 픽업 작업시 픽업 미스(miss)가 발생되는 정도를 평가하였다.
○: 다이싱 된 칩 중에서 픽업 miss가 발생된 경우가 10% 이내인 경우.
△: 다이싱 된 칩 중에서 픽업 miss가 발생된 경우가 30% 이내인 경우.
X : 다이싱 된 칩 중에서 픽업 miss가 발생된 경우가 50% 이내인 경우.
(4)다이 크랙
반도체 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 합지, 다이싱 후 픽업 작업시 칩이 깨어지는 문제가 발생하는 정도를 평가하였다.
○: 다이싱 된 칩 중에서 픽업 작업시 칩이 깨어지는 경우가 1% 이내인 경우.
△: 다이싱 된 칩 중에서 픽업 작업시 칩이 깨어지는 경우가 5% 이내인 경우.
X : 다이싱 된 칩 중에서 픽업 작업시 칩이 깨어지는 경우가 10% 이내인 경우
상기 평가에 대한 주요물성 평가결과를 다음 표 2에 나타내었다.
물성평가
웨이퍼 합지상태 다이 플라잉 픽업성 다이 크랙
실시예1 양호 ○ ○ ○
실시예2 양호 ○ ○ ○
비교예1 양호 X △ X
비교예2 양호 ○ △ X
비교예3 발생 - - -
비교예4 발생 - - -
* 비교예 3,4의 경우 웨이퍼 합지상태 불량으로 인해서 다이 플라잉, 픽업성 및 다이크랙 특성을 평가하지 못함.
상기 표2에 나타난 바와 같이 비교예 1~4와 같은 종래기술을 사용하면 반도체 패키지 어셈블리 공정에서 많은 문제점이 발생되었으나 본 발명에 따른 실시예 1과 2에서는 웨이퍼 합지상태, 다이 플라잉, 픽업성 및 다이 크랙과 같은 모든 물성에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
1 : 접착제 보호필름 2 : 다이본딩 접착제
3 : 지지체 4 : 다이싱 점착제
5 : 기재필름
　

Claims (3)

  1. 기재필름(5)상에 적층된 다이싱 점착제(4)와 접착제 보호필름(1)이 적층된 다이본딩 접착제(2) 사이에 지지체(3)가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 있어서,
    상기 지지체(3)의 외경은 웨이퍼의 외경보다는 크고 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경 보다는 작은 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본드 일체형 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지체(3)의 외경, 상기 웨이퍼의 외경 및 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경은 다음의 수학식 1을 만족하되,
    (수학식 1)
    (B+5mm) < A < (C-5mm)
    여기서, “A”는 상기 지지체(3)의 외경이고, “B”는 상기 웨이퍼의 외경이며, “C”는 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경인 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본드 일체형 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지체(3)와 상기 다이본딩 접착제(2)간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도는 다음 수학식 2를 만족하되,
    (수학식 2)
    Y > 3Z
    여기서, “Y”는 상기 지지체(3)와 상기 다이본딩 접착제(2)간의 박리강도이고, “Z”는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도인 것을 특징으로 하는, 다이싱 다이본드 일체형 필름.
KR1020100020616A 2010-03-09 2010-03-09 다이싱 다이본드 일체형 필름 KR20110101550A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020616A KR20110101550A (ko) 2010-03-09 2010-03-09 다이싱 다이본드 일체형 필름

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020616A KR20110101550A (ko) 2010-03-09 2010-03-09 다이싱 다이본드 일체형 필름

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110101550A true KR20110101550A (ko) 2011-09-16

Family

ID=44953548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100020616A KR20110101550A (ko) 2010-03-09 2010-03-09 다이싱 다이본드 일체형 필름

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110101550A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4430085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP5305501B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
KR101017731B1 (ko) 다이싱 시트를 갖는 접착 필름 및 그 제조 방법
JP6295135B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR20120030964A (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US20110008949A1 (en) Adhesive sheet for dicing semiconductor wafer and method for dicing semiconductor wafer using the same
KR100765621B1 (ko) 반도체용 다이싱 다이 접착필름
KR20110019408A (ko) 열경화형 다이본드 필름
JP2007220913A (ja) 半導体装置の製造方法
JP6193663B2 (ja) ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
TWI692519B (zh) 電子零件保護膜、電子零件保護構件、電子零件的製造方法及封裝的製造方法
JP4822532B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2014082498A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
KR20140005794A (ko) 반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP5656741B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP6013709B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR20110101550A (ko) 다이싱 다이본드 일체형 필름
KR20140085715A (ko) 반도체용 유브이 경화형 다이싱 필름
KR20120065563A (ko) 반도체용 접착필름
KR20130074957A (ko) 다이싱 다이본딩 일체형 필름
KR20150042336A (ko) 반도체 패키지용 다이싱 필름 및 그 가공방법
KR20160095526A (ko) 반도체용 다이싱 다이본딩 필름
KR20120059778A (ko) 반도체용 접착필름
JP2012069953A (ja) 半導体装置製造用接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination