KR20140085715A - 반도체용 유브이 경화형 다이싱 필름 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 웨이퍼와 부착 후 레이저 다이싱 작업시 다이싱 미스(miss)가 발생되지 않고, UV 조사 후 우수한 픽업성을 가지는 UV 경화형 다이싱 필름에 관한 것으로, 상기한 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름은 기재필름, 점착층 및 점착제 보호필름이 순차적으로 적층된 구조의 다이싱 필름에 있어서, 상기 기재필름의 두께와 상기 점착층 두께는 다음의 수학식 1을 만족하는 것임을 특징으로 한다:
C = A/B, 0.09 < C < 0.43 --- (수학식 1)
여기서, "A"는 점착층의 두께이고, "B"는 기재필름의 두께이고, "C"는 점착층와 기재필름 간의 두께비율을 나타냄.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름은 다이싱 필름의 기재필름과 점착제 및 보호필름으로 구성되어 있는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름으로 기재필름과 점착제 두께를 최적화하여 우수한 픽업성과 다이싱 공정에서 발생하는 다이싱 버를 최소화하여 공정 안정성 및 공정 수율을 높여주어 상기한 종래의 문제점을 간단하게 해결하였다.

Description

반도체용 유브이 경화형 다이싱 필름{UV Dicing Film for Semiconductor Device}

본 발명은 반도체용 UV경화형 다이싱 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 웨이퍼와 부착 후 레이저 다이싱 작업시 다이싱 미스(miss)가 발생되지 않고, UV 조사 후 우수한 픽업성을 가지는 UV 경화형 다이싱 필름에 관한 것이다.

최근 IT기술의 발전으로 인해 경박단소화가 이루어지면서 칩 제조업체들의 박형 웨이퍼 사용이 증가하고 있으며, 웨이퍼 두께는 점점 더 얇아지고 있다. 이러한 생산에서의 변화는 주로 플래시 메모리와 멀티칩 메모리 디바이스 등의 모바일 컴퓨팅과 무선 통신에서 비롯된 것이다.

박형 웨이퍼를 이용한 공정에서 수율에 가장 큰 영향을 주는 인자는 웨이퍼 다이싱 및 다이싱된 칩을 픽업하는 픽업공정이다.

먼저, 현재의 웨어퍼 다이싱 기술은 갈수록 더 많은 어려움을 겪고 있다. 일반적으로, 표준 실리콘 웨이퍼 다이싱과 관련한 수율 문제는 웨이퍼 오염, 다이싱 공정 중 실리콘 치핑(Chipping) 혹은 박형 톱 레이어 박리로 인해 발생된다.

이런 문제들은 기존의 기계식 다이싱 소(Dicing Saw) 솔루션으로 해결될 수 있었다. 경우에 따라 박리 및 치핑을 줄이기 위한 특수 소재를 처리할 수 있도록 듀얼 스핀들 소(Dual-spindle Saw)나 블레이드 같은 좀 더 고급 절삭 기술을 사용하기도 했다. 그러나, 박형 웨이퍼 다이싱 분야가 성장하면서 디바이스 수율에 영향을 미치고 기존 다이싱 소를 더욱 복잡하게 만드는 새로운 문제들이 발생하기 시작했다. 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 레이저 다이싱 기술이 개발되었으며, 이들 기술이 아직까지는 표준 두께의 웨이퍼를 다이싱하는 데 있어서 큰 경쟁력을 갖지는 못하지만, 박형 실리콘 다이싱의 경우에는 상당한 이점을 제공한다.

칩 제조업체들은 양품당 발생하는 비용에 민감하다. 이 비용은 전체 최종 제품의 비용과 시장에서 제조업체의 마진에 영향을 준다. 박형 웨이퍼 다이싱 비용에 직접적인 영향을 미치는 상관 요인은 주로 수율, 자본비용, 쓰루풋과 소비재 비용이다.

먼저, 비용은 최종생산물 기기 수요를 충족하기 위해 필요한 자본재 용량에서 발생한다. 이들은 보통 웨이퍼당 사용되는 가스, 물, 전기와 같은 자원의 사용량과 유닛당 비용 요인에서 발생한다. 또한, 장비와 부품이 오래되어 낡고, 교체와 유지보수가 필요해지면 고장으로 인해 가동되지 못하는 경우가 있기 때문에 시스템별로 추가적인 소비재 비용이 발생하게 된다.

최근에는 패키지에 한 개 이상의 칩이나 다이가 탑재되는 등 패키지 디바이스가 더욱 복잡해짐에 따라 전체 패키징 공정과 관련된 수율 문제가 더욱 중요한 부분을 차지하게 됐다. 100μm 이하로 웨이퍼를 얇게 하기 위한 더 많은 백그라인딩, 응력 제거 단계, 멀티레벨 칩을 위한 새로운 와이어 본딩 기술, 테스팅 단계와 보다 얇은 패키징 폼팩터 등 이전보다 공정 과정이 훨씬 더 복잡해졌다. 뿐만 아니라 다이는 더 얇아지고 패키지는 더 작은 풋프린트에 더 많은 기능을 갖추어야 함에 따라 이런 과정들은 더욱 복잡해지고 상호연관성을 갖게 된다. 박형 웨이퍼 다이싱의 이용이 늘어나면서 웨이퍼 두께 감소, DAF(Die-Attach Film) 사용 및 다이 강도에 대한 강조성 증가와 같이 디바이스 수율에 영향을 미치는 새로운 문제들이 대두되고 있다.

따라서, 상기 문제들을 개선하기 위해 레이저 다이싱이 개발되었으며, 레이저 다이싱의 경우 빠른 다이싱 속도가 가능하며, 깨끗이 절단된 칩 후면의 DAF 성능에 영향을 미치지 않는 이점이 있다.

DAF와 실리콘을 깨끗이 절단하는 능력은, DAF가 필수적인 추가 요소이기 때문에, 박형 웨이퍼를 처리하는데 있어 기존의 다이싱 방법에 비해 레이저의 중대한 이점을 제공한다. 사실, 이는 다이 부착 동안 다이 평면성을 유지해 주지만, 적층의 목적은 더 많은 칩을 더 얇은 패키지에 집어넣기 위한 것이므로 다이 부착 레이어도 제공한다. DAF는 일반적으로 두께가 약 10 내지 40μm이고, 다이싱 전 백그라인딩과 응력 제거 후에 박형 웨이퍼에 부착된다. 비용에 따라 합리적인 선택이 결정되는데, 웨이퍼 전체에 균일한 테이프를 적용하는 것이 다이싱된 디바이스에 테이프를 적용하는 것보다 훨씬 수월하고 저렴하다.

다음으로 다이싱된 칩을 픽업하는 공정인데, 일반적으로 웨이퍼와 라미된 DAF를 픽업하는 공정에 있어서 사용되는 다이싱 점착제는 UV 경화형과 Non UV 방식의 점착제를 사용하는데, 상기 UV 경화형 다이싱 점착제의 경우 UV 조사 전에는 높은 점착력을 유지하여 접착제와의 우수한 계면 밀착력으로 인해 웨이퍼와 접착필름을 라미 작업시 박리불량 및 라미불량이 발생되지 않고 다이싱 공정에서의 칩 플라이, 크랙과 같은 문제가 발생되지 않으며 UV 조사 후 점착제층의 점착력이 낮아지기 때문에 Non UV 다이싱 점착제 대비 우수한 픽업성을 보이므로 어셈블리 공정에 많이 사용되고 있으나 기본 공정 외 UV 조사 공정이 추가로 필요하며 반도체 장비특성 및 UV 램프의 사용시간에 따른 광량 차이로 인해 픽업성이 영향을 받게 되는 문제점이 있다.

또한, 상기 Non UV경화(열경화)형 다이싱 점착제는 UV 조사공정이 불필요하므로 공정단축이 가능하나 웨이퍼 라미 작업시 접착제와의 낮은 계면 밀착력으로 인해 박리불량 및 라미불량이 발생할 수 있으며 1 mil 이하의 박막 칩을 픽업시 다이 크랙에 의한 불량이 발생되며 점착력 조정을 통해 픽업성을 개선할 경우 웨이퍼링과의 탈락문제가 발생되어 반도체 공정에서 심각한 품질문제를 발생시킨다. 따라서, 이러한 문제점을 개선하기 위한 방법들이 제안되었는데, 예를 들어 일본국 특허공개공보 제2006-203000호 및 제2009-065191호와 같이 열경화형 점착제와 다이본딩 접착제 사이에 픽업성을 용이하게 하는 지지체를 사용하는 기술이 개발되었다.

그러나, 상기 일본국 특허공개공보 제2006-203000호의 경우 지지체 사용을 통해서 1 mil 이하의 박막 칩에 대한 픽업성 및 웨이퍼링과의 밀착력 개선은 가능하나 지지체와 다이본딩 접착제 간의 박리력이 지지체와 다이싱 점착제 간의 박리력 보다 낮아 실제 웨이퍼 다이싱을 위해서 웨이퍼와 다이싱 다이본딩 일체형 필름을 부착시 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리강도가 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력보다 클 경우 지지체와 다이본딩 접착제 및 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름 간 계면의 박리강도 차이에 의해서 지지체와 다이본딩 접착제 사이에 층간 박리가 발생되어 다이본딩 접착제가 웨이퍼와 합지되지 못하거나 레이저 다이싱 작업시 지지체가 UV 레이저를 흡수하지 못해 다이싱 레이저가 지지체를 통과하여 다이싱 미스가 발생되어 픽업시 다이 플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있으며, 상기 일본국 특허공개공보 제2009-065191호의 경우 지지체의 한쪽 면, 즉 다이본딩 접착제와의 계면에 이형처리가 되어 있지 않아 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름 간 박리강도 보다 지지체와 다이본딩 접착제 간의 박리력이 높아 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 지지체와 다이본딩 접착제 간의 층간 분리가 발생되지 않을 수 있으나 지지체가 다이본딩 접착제와 접촉하는 계면의 표면에너지를 40N/m 이하로 한정될 경우 지지체와 접촉하는 다이본딩 접착제에 사용되는 열경화성 수지, 열가소성 수지의 종류 및 함량에 따라서 지지체와 다이본딩 접착제 간의 박리강도가 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름 간의 박리강도보다 낮게 되어 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 상기 일본 특허공개공보 제2006-203000호와 동일하게 웨이퍼와 합지되지 못하거나 또한 지지체가 UV 레이저를 흡수하는 특성을 보유하지 않아 레이저 다이싱 작업시 다이싱 레이저가 지지체를 통과하여 다이싱 미스 및 이로 인해 픽업시 다이플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있다.

특허문헌 1: 일본국 특허공개공보 제2006-203000호 특허문헌 2: 일본국 특허공개공보 제2009-065191호

따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술에 있어서의 기술적 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 본 발명의 주요 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착시 박리불량이 발생되지 않고 웨이퍼와 부착 후 레이저 다이싱 작업시 다이싱 미스가 발생되지 않고, UV 조사 후 우수한 픽업성을 가지는 UV 경화형 다이싱 필름을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기한 우수한 특성을 갖는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름을 보다 용이하게 제조할 수 있는 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 또한 상기한 명확한 목적 이외에 이러한 목적 및 본 명세서의 전반적인 기술로부터 이 분야의 통상인에 의해 용이하게 도출될 수 있는 다른 목적을 달성함을 그 목적으로 할 수 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름은;

기재필름, 점착층 및 점착제 보호필름이 순차적으로 적층된 구조의 다이싱 필름에 있어서,

상기 기재필름의 두께와 상기 점착층 두께는 다음의 수학식 1을 만족하는 것임을 특징으로 한다:

C = A/B, 0.09 < C < 0.43 --- (수학식 1)

여기서, "A"는 점착층의 두께이고, "B"는 기재필름의 두께이고, "C"는 점착층와 기재필름 간의 두께비율을 나타냄.

본 발명의 다른 구성에 따르면, 상기 기재필름의 두께는 70㎛ 내지 110㎛이며, 상기 점착층의 두께는 10㎛ 내지 30㎛로 된 것임을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 구성에 따르면, 상기 기재필름은 저밀도폴리올리핀, 중밀도폴리올리핀, 고밀도 폴리에폴리핀 필름을 포함하고, 상기 필름들의 가교필름 및 복합가공필름이 사용된 것임을 특징으로 한다.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름은 다이싱 필름의 기재필름과 점착제 및 보호필름으로 구성되어 있는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름으로 기재필름과 점착제 두께를 최적화하여 우수한 픽업성과 다이싱 공정에서 발생하는 다이싱 버를 최소화하여 공정 안정성 및 공정 수율을 높여주어 상기한 종래의 문제점을 간단하게 해결하였다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름의 단면도이다.

이하, 본 발명을 첨부도면을 참고로 하여 바람직한 실시형태에 의해 보다 자세하게 설명한다. 이에 앞서, 아래의 실시형태는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 당연한 것으로 이해하여야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름의 단면도이다.

본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명의 다이싱 필름은 기재필름(1)과 점착층(2)으로 구성되어 있으며 기재필름(1)으로는 저밀도폴리올리핀, 중밀도폴리올리핀, 고밀도 폴리에폴리핀 필름 등이 포함될 수 있으며 다이싱 공정에서의 버 특성을 개선하고 픽업작업시 반복되는 연신과 수축과정에서 연신 후 다시 수축되지 않는 문제를 개선하기 위해서 상기 필름들의 가교필름 및 복합가공필름이 사용되며 이들 필름의 적층된 경우에도 가능하다.

상기 다이싱의 경우 기재필름(1) 상에 점착제와의 밀착력을 높이기 위해 일반적으로 기재필름(1)을 코로나 및 플라즈마와 같은 표면처리를 진행하는데 이때의 표면장력은 일반적으로 50dyne 이상, 바람직하게는 60dyne 이상이다.

본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명의 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름은 기재필름(1), 점착층(2) 및 점착제 보호필름(3)이 순차적으로 적층된 구조의 다이싱 필름으로서, 상기 기재필름(1)의 두께와 상기 점착층(2) 두께는 다음의 수학식 1을 만족하는 것이 바람직하다:

C = A/B, 0.09 < C < 0.43 --- (수학식 1)

여기서, "A"는 점착층의 두께이고, "B"는 기재필름의 두께이고, "C"는 점착층와 기재필름 간의 두께비율을 나타냄.

본 발명의 보다 바람직한 실시형태에 따르면, 상기 기재필름(1)의 두께는 일반적으로 10 내지 300㎛, 바람직하게는 50 내지 200㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 80 내지 150㎛ 수준, 가장 바람직하기로는 70 내지 110㎛로 하는 것이 좋다.

상기 다이싱의 점착제는 UV 경화형 타입으로서 점착제층의 두께는 특별히 한정되어 있지는 않지만 다이싱 작업시 버 및 픽업 작업시 다이플라잉을 방지하기 위해 3 내지 50㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 5 내지 30㎛ 수준, 가장 바람직하기로는 10 내지 30㎛으로 하는 것이 좋다.

본 발명의 다이본딩을 위한 점착층(2)은 열가소성고무, 열경화성 수지, 경화제, 촉진제 및 충진제로 구성되며 열가소성 고무는 일반적으로는 30 내지 85중량%, 바람직하게는 30 내지 50중량% 수준이며, 적절한 열가소성 고무는 폴리에스테르계 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아미드계 혹은 나일론계 수지, 이미드계 수지이며 열가소성 수지와의 상용성, 웨이퍼와의 접착력을 높이기 위해서 카르복시, 에폭시, 페닐등이 말단기가 부착된 수지를 사용한다. 또한, 상기 점착층(2)의 접착제에 이용되는 열경화성 수지는 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 열경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지 등을 사용할 수 있으며 바람직하게는 에폭시 수지가 사용되며 에폭시 수지에는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형,크레졸 노볼락형, 페놀, 노보락형 에폭시 수지가 등이 사용되며, 웨이퍼와의 접착력 및 반도체 공정에서의 내열성을 높이기 위해 다수의 에폭시 수지를 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.

본 발명에 따른 점착층(2)에 사용되는 경화제는 특별히 한정되지 않으나, 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 산무수물, 페놀 화합물, 디시안 디아미드 및 그러한 유도체 등이 사용될 수 있다.

상기 점착층(2)의 두께는 제품의 용도에 따라 달라질 수 있으며, 일반적으로는 바텀(bottom) 다이용으로는 10 내지 30㎛, 다이투다이(die to die)용으로는 5 내지 25㎛ 수준이 바람직하다.

본 발명에 사용되는 점착제 보호필름(3)의 기재필름은 특별히 한정되지 않으나 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등이 사용되며, 본 발명에 따른 다이싱 필름의 점착층(2)을 코팅시 캐리어 필름으로 사용되기 때문에 코팅장치에서의 장력조정과 건조장치 통과시의 내열성 및 치수안정성 등의 이유로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 적합히 사용되며 웨이퍼와 합지시 다이싱 필름의 점착제(2)와 박리가 용이하게 하기 위해서 한쪽 면에 이형제를 코팅하여 사용한다.

상기 이형층에 사용되는 이형제는 실리콘계, 불소계 등이 사용되며 다이본딩 접착제와의 박리강도 조절 및 가격적인 측면을 고려할 때 바람직하게 실리콘계 이형제가 사용된다.

상기 보호필름에 사용되는 기재필름의 두께는 일반적으로 5 내지 100㎛이며 바람직하게는 10 내지 75㎛ 더욱 바람직하게는 38 내지 50㎛ 수준이다. 38㎛ 이하의 경우 펀칭작업시 펀칭나이프 깊이에 따라서 기재필름이 찢어지는 문제가 발생되며 50㎛ 이상의 경우 펀칭공정에서 가이드 롤 통과시 기재필름 각도에 의해서 접착제와 분리되는 문제가 발생된다.

본 발명의 반도체용 UV경화형 다이싱 필름을 제조하는 방법은 점착제 보호필름(3)의 이형처리된 면에 수지와 용해도가 우수한 유기용제로 용액상태로 제조된 점착제 수지 조성물을 도포한다.

도포방법으로서는, 예를 들면, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 분사 코팅법, 스핀 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 게이트 롤 코팅법, 다이 코팅법 등을 사용할 수 있다.

또한, 건조 방법으로서는, 예를 들면, 열풍건조로 등으로 열건조하는 방법 등을 사용할 수 있다. 건조 온도는, 특별히 제한 없으나, 100 내지 200℃가 바람직하며, 건조시간은 10초 내지 5분간이 바람직하다.

건조된 점착제 면에 연신과 수축과정에 우수한 특성을 가지는 폴리올리핀계 필름을 합지하여 UV경화형 다이싱 필름을 제조한다.

상기 공정에서 제조된 구조의 UV경화형 다이싱 필름을 펀칭기에 장착하여 보호필름을 제거 후 다이본딩 접착제 모양으로 1차 펀칭 후 외부영역을 제거 후, 한 쪽면이 다이싱을 합지하고 다이본딩 접착제의 직경보다 큰 펀칭나이프로 2차 펀칭을 진행한다.

2차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거하면 최종적으로 UV 경화형 다이싱 일체형 필름이 완성된다.

상기와 같이 제조된 본 발명의 UV 경화형 다이싱 필름은 점착제 보호필름(3)이 제거되는 동시에 웨이퍼와 합지 및 웨이퍼링을 통해 고정된 후 칩 사이즈로 다이싱된 후 픽업된 다음 PCB와 리드프레임과 같은 기판재료에 부착되어 다이본딩 공정이 완료된다.

이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 다음 실시예에 한정되는 것은 아니다.

실시예 1, 2

다음 표 1에 나타낸 조건으로 실시예 1 및 2에 따른 UV 경화형 다이싱 필름을 제조하였다.

비교예 1 내지 6

다음 표 1에 나타낸 조건으로 비교예 1 내지 6의 UV 경화형 다이싱 필름을 제조하였다.

	기재필름 두께	점착층 두께
실시예1	90㎛	10㎛
실시예2	90㎛	30㎛
비교예1	70 ㎛	5 ㎛
비교예2	90 ㎛	5 ㎛
비교예3	110 ㎛	5 ㎛
비교예4	70 ㎛	50 ㎛
비교예5	90 ㎛	50 ㎛
비교예6	110 ㎛	50 ㎛

상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 6에 따른 UV 경화형 다이싱 필름을 사용하여 다음과 같은 실험예를 통해 성능 평가를 하고 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다.

(1) 웨이퍼 합지상태

각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 UV 경화형 다이싱 필름을 웨이퍼와 합지시 다이싱 필름의 점착제층이 반도체 접착필름 접착제층과 분리되어 웨이퍼 백면에 부착되는지의 여부를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.

불량: 다이싱필름의 점착제가 반도체 접착필름 접착제층에서부터 박리되지 못하고 웨이퍼 백면에 기포가 발생한채로 합지된 상태.

양호: 다이싱필름의 점착제가 반도체 접착필름 접착제층에서부터 박리되고 웨이퍼 백면에 기포없이 합지된 상태.

(2)다이싱 미스

반도체 웨이퍼와 다이싱 다이본딩 일체형 필름을 합지 후 다이싱 작업시 지지체가 다이싱되는 정도를 평가하였다.

○: 다이싱 작업 후 웨이퍼의 1% 이내에서 다이싱 미스가 발생된 경우.

△: 다이싱 작업 후 웨이퍼의 5% 이내에서 다이싱 미스가 발생된 경우.

X : 다이싱 작업 후 웨이퍼의 10% 이내에서 다이싱 미스가 발생된 경우.

(3) 다이싱 버(Burr)

반도체 웨이퍼와 다이싱 필름을 합지 후 다이싱 작업 시 다이싱된 칩들의 측면에서 발생하는 접착제, 점착제, 기재필름의 버 발생 정도를 평가하였다.

○: 다이싱 작업 후 칩 중에서 5% 이내의 칩에서 다이싱 버가 발생한 경우.

△: 다이싱 작업 후 칩 중에서 10% 이내의 칩에서 다이싱 버가 발생한 경우.

X: 다이싱 작업 후 칩 중에서 15% 이내의 칩에서 다이싱 버가 발생한 경우.

(4) 다이 픽업 불량

다이싱된 웨이퍼에서 칩을 픽업시 웨이퍼와 다이싱필름의 점착제층 사이에 픽업불량이 발생되는 정도를 평가하였다.

○: 웨이퍼 칩 픽업시 다이픽업 불량이 발생된 경우가 10% 이내인 경우.

△: 웨이퍼 칩 픽업시 다이픽업 불량이 발생된 경우가 30% 이내인 경우.

X : 웨이퍼 칩 픽업시 다이픽업 불량이 발생된 경우가 50% 이내인 경우.

	평가결과
	웨이퍼 합지상태	다이싱 Miss	다이싱 Burr	다이픽업 불량
실시예1	○	○	○	○
실시예2	○	○	○	○
비교예1	○	○	X	○
비교예2	△	○	X	○
비교예3	△	○	X	△
비교예4	○	X	○	X
비교예5	○	△	○	X
비교예6	○	△	○	X

* 상기 표2에 나타난 바와 같이 비교예 1 내지 6과 같은 종래기술을 사용하면 반도체 패키지 어셈블리 공정에서 많은 문제점이 발생되었으나, 본 발명에 따른 실시예 1과 2에서는 다이싱 미스, 다이싱 버(burr), 다이 픽업 불량과 같은 모든 물성에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다.

본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.

1 --- 기재필름
2 --- 점착층
3 --- 점착제 보호필름

Claims (3)

1. 기재필름, 점착층 및 점착제 보호필름이 순차적으로 적층된 구조의 다이싱 필름에 있어서,
   상기 기재필름의 두께와 상기 점착층 두께는 다음의 수학식 1을 만족하는 것임을 특징으로 하는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름:
   C = A/B, 0.09 < C < 0.43 --- (수학식 1)
   여기서, "A"는 점착층의 두께이고, "B"는 기재필름의 두께이고, "C"는 점착층와 기재필름 간의 두께비율을 나타냄.
   
2. 제 1항에 있어서, 상기 기재필름의 두께는 70㎛ 내지 110㎛이며, 상기 점착층의 두께는 10㎛ 내지 30㎛로 된 것임을 특징으로 하는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름.
   
3. 제 1항에 있어서, 상기 기재필름은 저밀도폴리올리핀, 중밀도폴리올리핀, 고밀도 폴리에폴리핀 필름을 포함하고, 상기 필름들의 가교필름 및 복합가공필름이 사용된 것임을 특징으로 하는 반도체용 UV 경화형 다이싱 필름.
   

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