WO2021157316A1 - 吸着補助フィルム及び半導体ウエハの吸着方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an adsorption auxiliary film that assists the adsorption when the surface of the semiconductor wafer on which the circuit is formed is adsorbed to the fixture, and a method of adsorbing the semiconductor wafer using the adsorption auxiliary film.
  • a semiconductor wafer is thinned by being subjected to a process of grinding the back surface side after a circuit or the like is formed on the front surface side.
  • a protective film 130 is attached to the front surface 111 of the semiconductor wafer 110, a circuit or the like is covered with the protective film 130 to protect the semiconductor wafer 110, and the front surface 111 is the protective film. It is adsorbed on the fixture 141 via 130 (see FIG. 9).
  • Patent Document 1 is disclosed as a technique for grinding the protective film and the back surface side described above.
  • the semiconductor wafer is rotated while cutting a cutting blade from the surface of the semiconductor wafer to the outer peripheral edge.
  • a cutting step for cutting and removing at least the film layer on the chamfered portion in a circular shape.
  • the trimmed semiconductor wafer 110 has a step 113 on the outer peripheral edge of the surface 111. Therefore, the fixture 141 that attracts the semiconductor wafer 110 is designed in consideration of the step 113.
  • the semiconductor wafer 110 having the step 113 as described above may cause adsorption failure such as a vacuum leak in the fixture 141.
  • adsorption failure such as a vacuum leak in the fixture 141.
  • this adsorption defect is considered to occur due to variations in the dimensions and shapes of the step 113 due to the limit of processing accuracy and the like.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a adsorption auxiliary film and a method for adsorbing a semiconductor wafer, which can suppress the occurrence of adsorption defects.
  • the present invention is as follows as a means for solving the above problems.
  • the invention according to claim 1 is an adsorption auxiliary film that is interposed between the fixture and the semiconductor wafer when the surface on which the circuit of the semiconductor wafer is formed is attracted to the fixture.
  • the invention according to claim 2 is based on the gist of the invention according to claim 1, that the auxiliary layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5 MPa or more and 150 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower. do.
  • the invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the semiconductor wafer has a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed.
  • the gist is that the semiconductor wafer has a reduced suction area for the fixture.
  • the invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the auxiliary layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer, a polyolefin-based elastomer, a styrene-based elastomer, or a polyester-based one.
  • the gist is to include one or more selected from the group of elastomers and polyamide-based elastomers.
  • the invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the auxiliary layer is 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the base material layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5000 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower.
  • the gist is that.
  • the invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 6, wherein the base material layer contains one or more selected from the group of polyester and polyamide.
  • the gist is that.
  • the gist of the invention according to claim 8 is that the thickness of the base material layer is 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less in the invention according to any one of claims 1 to 7.
  • the adsorption auxiliary film is provided by interposing an adsorption auxiliary film between the surface on which the circuit of the semiconductor wafer is formed and the fixture for adsorbing the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is provided with a suction step of adsorbing the semiconductor wafer to the fixture.
  • the semiconductor wafer is a semiconductor wafer in which the suction area of the surface with respect to the fixture is reduced by having a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed.
  • the adsorption auxiliary film A base material layer to be attached to the side of the surface on which the circuit is formed, It is a gist to have an auxiliary layer which is brought into contact with the fixture in a state of being supported by the base material layer to assist adsorption.
  • the gist of the invention according to claim 10 is that, in the invention according to claim 9, the auxiliary layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5 MPa or more and 150 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower. do.
  • the invention according to claim 11 is the invention according to claim 9 or 10, wherein the auxiliary layer is an ethylene vinyl acetate copolymer, a polyolefin-based elastomer, a styrene-based elastomer, a polyester-based elastomer, or a polyamide-based elastomer.
  • the gist is to include one or more species selected from the group of.
  • the invention according to claim 12 is the invention according to any one of claims 9 to 11, wherein the thickness of the auxiliary layer is 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 13 is the invention according to any one of claims 9 to 12, wherein the base material layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5000 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower.
  • the gist is that.
  • the invention according to claim 14 is the invention according to any one of claims 9 to 13, wherein the base material layer contains one or more selected from the group of polyester and polyamide.
  • the gist is that.
  • the gist of the invention according to claim 15 is that the thickness of the base material layer is 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less in the invention according to any one of claims 9 to 14.
  • the occurrence of adsorption defects can be suppressed.
  • the semiconductor wafer used in the present invention is used for manufacturing semiconductor parts, and the material and shape are not particularly limited as long as a circuit is formed on one surface (surface) thereof. ..
  • a semiconductor wafer is formed in a disk shape using silicon as a material (see FIG. 1). This semiconductor wafer is thinned by grinding the back surface opposite to the front surface on which the circuit is formed.
  • the adsorption auxiliary film of the present invention is used in the back surface processing related to this thinning.
  • the surface on which the circuit is formed is also referred to as a “non-ground surface”, and the surface to be ground by thinning the back surface processing is also referred to as a “ground surface”.
  • the suction auxiliary film of the present invention is useful when sucking and fixing a semiconductor wafer in which the suction area of the non-ground surface to the fixture is reduced by having a step on the outer peripheral edge of the semiconductor wafer. Is.
  • the semiconductor wafer 10 is formed in a plate shape as shown in FIG. A circuit is formed on the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10.
  • the semiconductor wafer 10 is thinned to a desired thickness by grinding the ground surface 12 (see FIG. 6). Further, as shown in FIG. 7, the present invention can also be used for grinding the ground surface 12 in DBG (Dicing Before Grinding) or SDBG (Steelth Dicing Before Grinding).
  • the semiconductor wafer 10 has an arcuate surface 14 at a portion extending from the non-ground surface 11 or the ground surface 12 to the outer surface by chamfering. In the trimming process, of the arcuate surfaces 14, the arcuate surface 14 on the non-grinding surface 11 side is cut and removed (see FIG. 3).
  • the trimmed semiconductor wafer 10 has a concave step 13 on the outer peripheral edge of the non-ground surface 11 (see FIG. 1).
  • Examples of the trimming device 20 used in the trimming process include a chuck table 21 for sucking the semiconductor wafer 10 by vacuum suction and a trimming blade 22 as shown in FIG.
  • the grinding surface 12 of the semiconductor wafer 10 is attracted to the chuck table 21 and fixed to the chuck table 21.
  • the trimming process is performed by pressing the trimming blade 22 against the outer peripheral edge of the non-grinded surface 11 of the semiconductor wafer 10 while rotating the chuck table 21 on which the semiconductor wafer 10 is attracted and fixed.
  • the arc surface 14 on the non-grinding surface 11 side is cut off by the trimming blade 22, so that a concave step 13 is formed on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11.
  • the width W of the semiconductor wafer 10 in the radial direction of the step 13 caused by the trimming process is preferably 1 to 10 mm, more preferably 2 to 8 mm, and particularly preferably 3 to 7 mm (see FIG. 1). Further, the height H of the semiconductor wafer 10 in the thickness direction of the step 13 is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 20 to 80 ⁇ m, and particularly preferably 30 to 70 ⁇ m (see FIG. 1).
  • the step 13 is not limited to the one generated by the trimming process.
  • Examples of the semiconductor wafer 10 having a step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinded surface 11 include the semiconductor wafer 10 having the following configuration, in addition to the one obtained by trimming.
  • a plurality of bumps 15 are formed on the non-grinding surface 11, so that a step 13 is formed on the outer peripheral edge on the non-grinding surface 11 side.
  • a wafer in which a multilayer film is formed on a non-ground surface can also be mentioned.
  • the width W and the height H are assumed to be average values of the measured width and the measured height of the four steps selected so as to be spaced by 10 to 90 degrees at the central angle.
  • the step 13 included in the semiconductor wafer 10 includes a step caused by the trimming process and a step caused by the formation of bumps and multilayer films.
  • the step 13 has a height difference (height H in the thickness direction of the semiconductor wafer 10) of 10 to 300 ⁇ m within a range of 1 to 30 mm in width W in the radial direction of the semiconductor wafer 10 from the outer peripheral edge. , Can be said.
  • the semiconductor wafer 10 utilizing the adsorption auxiliary film of the present invention may be any kind.
  • a wafer having a reduced suction area for a fixture such as a chuck table is particularly useful.
  • Examples of the semiconductor wafer 10 having a reduced suction area include a trimmed wafer.
  • the outer peripheral edge of the non-grinded surface 11 is trimmed (cut) and a step 13 is provided, so that the suction area for the fixture 41 (chuck table or the like) is reduced. (See FIG. 5).
  • the "adsorption area” indicates an area on the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 on which the adsorption force of the fixture 41 can be applied.
  • the trimmed semiconductor wafer 10 has a step 13 formed by cutting the outer peripheral edge of the non-grinded surface 11 in a concave shape.
  • the step 13 and the portion other than the step 13 do not come into contact with the fixture 41 on the same surface. For this reason, the suction force of the fixture 41 is difficult or non-acting at the step 13.
  • the actual suction area ar1 on the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 is a value obtained by subtracting the flat area of the portion corresponding to the step 13 from the flat area ar2 of the semiconductor wafer 10 (see FIG. 1).
  • the semiconductor wafer 10 having the step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 is in a state in which the suction force of the fixture 41 acts only on the suction area ar1 smaller than the flat area ar2.
  • the semiconductor wafer 10 has a step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11, so that the adsorption area ar1 of the non-grinding surface 11 with respect to the fixture 41 is the flat area ar2 of the semiconductor wafer 10 (non-grinding surface 11). It can be said that it is a semiconductor wafer reduced from.
  • the adsorption auxiliary film of the present invention is interposed between the fixture and the semiconductor wafer when the surface (non-ground surface) on which the circuit of the semiconductor wafer is formed is adsorbed on the fixture. ..
  • the adsorption auxiliary film has a base material layer and an auxiliary layer (see FIG. 2). The base material layer is attached to the surface side on which the circuit of the semiconductor wafer is formed, that is, the non-ground surface side.
  • the adsorption auxiliary film 30 has a base material layer 31 and an auxiliary layer 32.
  • the adsorption auxiliary film 30 is used with the base material layer 31 side facing the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 in the bonding step related to the back surface processing.
  • the base material layer 31 is attached to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 (see FIG. 4).
  • the suction auxiliary film 30 is used with the auxiliary layer 32 side facing the fixture 41 in the suction step related to the back surface processing.
  • the auxiliary layer 32 is brought into contact with the fixture 41 while being supported by the base material layer 31, and is adsorbed by the fixture 41 (see FIG. 5).
  • the auxiliary layer 32 corresponds to the surface shape of the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the surface shape of the fixture 41, and is elastically deformed according to these. Due to the elastic deformation of the auxiliary layer 32, the suction auxiliary film 30 assists the suction of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41 (see FIG. 6). In addition, the adsorption auxiliary film 30 covers and protects the circuit on the non-ground surface 11 side of the semiconductor wafer 10 during back surface processing.
  • the shape of the adsorption auxiliary film 30 is not particularly limited.
  • the adsorption auxiliary film 30 can have, for example, a circular shape, a square shape, or the like in a plan view.
  • the average thickness of the adsorption auxiliary film 30 is not particularly limited. Specifically, the average thickness of the adsorption auxiliary film 30 can be preferably 150 to 1000 ⁇ m, more preferably 175 to 950 ⁇ m or more, and further preferably 200 to 750 ⁇ m.
  • the average thickness shall be the average value of the measured thicknesses of the films at 10 locations selected so as to be separated from each other by 2 cm or more.
  • the adsorption assisting film 30 is interposed between the fixture and the semiconductor wafer to assist the adsorption, and is directly attached to the semiconductor wafer. It is not limited to being attached to.
  • a protective film that protects the circuit may be attached to the non-ground surface of the semiconductor wafer, and the adsorption auxiliary film 30 may be attached on top of the protective film.
  • each layer of the adsorption auxiliary film 30 will be described.
  • the base material layer 31 is a layer provided for the purpose of protecting the circuit formed on the semiconductor wafer 10 and improving the handleability, mechanical properties, and the like of the adsorption auxiliary film 30.
  • the material used for the base material layer 31 is not particularly limited as long as it has mechanical strength capable of withstanding an external force during back surface processing.
  • a synthetic resin film is used as the material of the base material layer 31.
  • Examples of the synthetic resin described above include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene) and poly (1-butene); ethylene / vinyl acetate copolymers; polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; Polyesters such as Nylon-6, Nylon-66, Polymethaxylene adipamide; Polyacrylate; Polymethacrylate; Polyvinyl chloride; Polyetherimide; Polyacrylonitrile; Polycarbonate; Polyester; Ionomer; Polysulfone; Polyethersulfone; Polyphenylene ether And the like, one kind or two or more kinds of thermoplastic resins selected from the above can be mentioned.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene) and poly (1-butene); ethylene / vinyl acetate copolymers
  • polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate
  • the base material layer 31 preferably contains one or more selected from the polyester and polyamide groups.
  • Additives can be added to the synthetic resin described above. Additives include plasticizers, softeners (mineral oil, etc.), fillers (carbonates, sulfates, titanates, silicates, oxides (titanium oxide, magnesium oxide), silica, talc, mica, clay, fibers. Fillers, etc.), antioxidants, light stabilizers, antioxidants, lubricants, colorants, etc. are exemplified. Only one of these additives may be used, or two or more of these additives may be used in combination.
  • the film used as the material of the base material layer 31 may or may not be stretched.
  • any stretched film such as a non-stretched film, a uniaxially stretched film or a biaxially stretched film can be used.
  • the stretched film is useful from the viewpoint of improving the mechanical strength.
  • either a single-layer film or a multilayer film having a plurality of layers can be used.
  • a surface-treated film for the base material layer 31 In that case, the adhesiveness with the auxiliary layer 32 and the like can be improved.
  • Specific examples of the surface treatment include corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coating treatment and the like.
  • the thickness T1 of the base material layer 31 is not particularly limited (see FIG. 2). Its thickness T1 is preferably 10 to 200 ⁇ m, more preferably 20 to 150 ⁇ m, and even more preferably 30 to 100 ⁇ m. The range of the thickness T1 is based on the viewpoint that the base material layer 31 can obtain good characteristics.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer 31 and the auxiliary layer 32 is obtained by reading the data of each temperature from the data obtained by measuring from 25 ° C. to 35 ° C. by a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). can get.
  • the measurement conditions are a sample size of 10 mm in width, a length of 20 mm between chucks, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5 ° C./min.
  • the tensile modulus of the auxiliary layer 32 E the value of 25 ° C. and '32 (25), the value of 35 ° C. E' and 32 (35), E the value of each temperature of 25 ° C. or higher 35 ° C. or less' It is 32 (t).
  • Tensile modulus of the base layer 31 is usually E '31 (t) ⁇ 5000MPa . That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the base material layer 31 is always 5000 MPa or less. Accordingly, E '31 (25) ⁇ 5000MPa, E' is 31 (35) ⁇ 5000MPa. Also, usually, E '31 (t)> E' 32 (t). That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the base material layer 31 is always higher than the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32.
  • E '31 (t) is, E' from 32 (t), it is preferably 20 ⁇ 4850MPa high, and more preferably higher 700 ⁇ 4850MPa.
  • t 25 ° C.
  • a tensile elastic modulus, and tensile modulus of the auxiliary layer 32 the difference between the base layer 31 (E '31 (25) -E' 32 (25)) is, 20 MPa ⁇ E ' 31 (25) -E '32 ( 25) ⁇ 4850MPa are preferred, 700MPa ⁇ E' 31 (25 ) -E '32 (25) ⁇ 4850MPa is more preferable.
  • the difference (E '31 (35) -E ' 32 (35)) is, 20 MPa ⁇ E '31 (35) -E' 32 (35) ⁇ 4850MPa are preferred, 700MPa ⁇ E '31 (35 ) -E' 32 (35) ⁇ 4850MPa is more preferable.
  • the auxiliary layer 32 is a layer provided for the purpose of assisting the adsorption of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41 during back surface processing.
  • the auxiliary layer 32 is a layer that can be elastically deformed according to both the surface shape of the semiconductor wafer 10 having the step 13 and the surface shape of the fixture 41. Then, the elastically deformed auxiliary layer 32 assists the adsorption of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41 (see FIG. 5).
  • the auxiliary layer 32 becomes more flexible when the tensile elastic modulus is lowered. In this case, it is possible to improve the followability of the auxiliary layer 32 to the surface shapes of the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the fixture 41 (chuck table or the like).
  • the hardness of the auxiliary layer 32 increases when the tensile elastic modulus is increased. In this case, the sticking of the auxiliary layer 32 to the fixture 41 (chuck table or the like) is suppressed, and the detachability of the auxiliary layer 32 and the fixture 41 can be improved.
  • the tensile modulus of the auxiliary layer 32 is preferably a 5MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 150MPa. That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32 is 5 MPa or more and 150 MPa or less. In this case, the auxiliary layer 32 can exhibit sufficient elasticity (mechanical elasticity) under the environmental temperature at which the back surface is processed.
  • the tensile modulus is more preferably 6MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 120MPa. More preferably 7MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 80MPa. Particularly preferred are 8MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 60MPa. Especially preferred are 9MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 45MPa.
  • the material used for the auxiliary layer 32 is not particularly limited.
  • the material of the auxiliary layer 32 is preferably a resin, and among the resins, a resin having sufficient elasticity (mechanical elasticity) is more preferable, and a resin containing an elastomeric thermoplastic material is particularly preferable.
  • the thermoplastic material having an elastomeric property may consist of a block copolymer having a hard segment and a soft segment, or may consist of a polymer alloy of a hard polymer and a soft polymer, and has both of these properties. It may be a thing.
  • thermoplastic material examples include ethylene-vinyl acetate copolymer, polyolefin-based elastomer, styrene-based elastomer, polyester-based elastomer, and polyamide-based elastomer. Only one of these may be used, or two or more thereof may be used in combination.
  • the ratio of the thermoplastic material material is preferably 40 to 100% by mass, more preferably 60 to 60 to the total amount of the resin constituting the auxiliary layer 32. It can be 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass. That is, the resin constituting the auxiliary layer 32 may be made of only the above-mentioned thermoplastic material. Further, among the above-mentioned thermoplastic materials, the ethylene-vinyl acetate copolymer is particularly preferable because its elasticity can be adjusted according to the content of vinyl acetate.
  • the content of vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is preferably 4 to 30% by mass, more preferably 5 to 25% by mass, and further preferably 8 to 20% by mass when the total amount of the polymer is 100% by mass. %.
  • the thickness T2 of the auxiliary layer 32 is not particularly limited (see FIG. 2). Its thickness T2 is preferably 100 to 500 ⁇ m, more preferably 100 to 400 ⁇ m, and even more preferably 100 to 250 ⁇ m. The range of the thickness T2 is from the viewpoint of maintaining a grace period that allows sufficient elastic deformation.
  • the adsorption auxiliary film 30 is not limited to the above-mentioned structure having each layer, but may have a structure having other layers.
  • Other layers include a holding layer for adhering the adsorption auxiliary film 30 to the non-ground surface 11 side of the semiconductor wafer 10, and unevenness that absorbs the uneven shape due to the bump 15 in the case of the semiconductor wafer 10 having the above-mentioned bump 15.
  • Examples include an absorption layer, an interface strength improving layer for improving the interface strength with the holding layer, a migration prevention layer for suppressing the transfer of low molecular weight components to the surface of the holding layer, and an antistatic layer for preventing the adsorption auxiliary film 30 from being charged. Be done. Only one of these may be used, or two or more thereof may be used in combination.
  • the holding layer can be formed by applying or laminating an adhesive or an adhesive on one surface of the base material layer 31 on the non-ground surface 11 side.
  • the adhesive include (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive, silicone-based pressure-sensitive adhesive, urethane-based pressure-sensitive adhesive, rubber-based pressure-sensitive adhesive, energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and the like. Silicone type and the like can be mentioned.
  • the adhesive strength is not particularly limited. This adhesive strength is preferably 0.1 to 10 N / 25 mm. The adhesive strength is more preferably 0.2 to 9 N / 25 mm, still more preferably 0.3 to 8 N / 25 mm.
  • the range of the adhesive strength is from the viewpoint that adhesive residue on the semiconductor wafer can be suppressed at the time of peeling while ensuring good adhesiveness to the semiconductor wafer.
  • This adhesive force is the adhesive force to the silicon mirror wafer. Specifically, it is a measured value when it is attached to the surface of a silicon mirror wafer in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%, left for 60 minutes, and then peeled 180 degrees from the surface of the silicon mirror wafer. be. Other measurement conditions other than those described above are based on JIS Z0237: 2009.
  • the holding layer is an adhesive
  • its thickness is not particularly limited. The thickness is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 45 ⁇ m, and even more preferably 3 to 40 ⁇ m.
  • the range of the thickness is from the viewpoint that it can be peeled off without adhesive residue while exhibiting suitable adhesive strength.
  • the uneven absorption layer can be formed by laminating one surface of the base material layer 31 on the non-grinding surface 11 side, particularly between the base material layer 31 and the holding layer.
  • the material of the uneven absorption layer is not particularly limited as long as it has uneven absorption due to the development of fluidity or plasticity. Examples of this material include acrylic resins, olefin resins, ethylene / polar monomer copolymers, and the like.
  • the thickness of the unevenness absorbing layer is not particularly limited as long as it can exhibit the unevenness absorbing property for the uneven shape of the bump 15. The thickness is preferably 20 ⁇ m or more, more preferably 80 ⁇ m or more, still more preferably 170 ⁇ m or more.
  • the semiconductor wafer 10 is thinned by performing backside processing.
  • This back surface processing includes a sticking step of sticking the adsorption auxiliary film 30 to the semiconductor wafer 10, a suction step of adhering the semiconductor wafer 10 to which the suction auxiliary film 30 is attached to the fixture 41, and a back surface of the semiconductor wafer 10. It is equipped with a processing process for processing.
  • This back surface processing involves a processing device 40 including a fixture 41 for sucking and fixing the semiconductor wafer 10 and a grinding tool 42 for grinding the grinding surface 12 of the semiconductor wafer 10, as shown in FIGS. 5 and 6. Made using.
  • each step of the sticking step, the adsorption step, and the processing step will be described.
  • the sticking step is a step for sticking the above-mentioned adsorption auxiliary film 30 to the semiconductor wafer 10. As shown in FIG. 4, in the sticking step, the adsorption auxiliary film 30 is stuck to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10. In the sticking step, the adsorption auxiliary film 30 is stuck to the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 so as to cover the uneven shape of the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10, particularly the step 13 on the outer peripheral portion.
  • the method and apparatus for sticking the adsorption auxiliary film 30 to the semiconductor wafer 10 are not particularly limited. Existing ones can be used for the method and the device.
  • the adsorption step is a step for the purpose of adsorbing the semiconductor wafer 10 to which the above-mentioned adsorption auxiliary film 30 is attached to the fixture 41.
  • a suction auxiliary film 30 is interposed between the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the fixture 41 that sucks the semiconductor wafer 10, and the semiconductor wafer is interposed through the suction auxiliary film 30. 10 is attracted to the fixture 41. That is, this adsorption step is included in the adsorption method of the present invention.
  • the semiconductor wafer 10 to which the adsorption auxiliary film 30 is attached in the attachment step is attached to the fixture 41 so that the non-grinding surface 11 faces the fixture 41 side. Be adsorbed.
  • the auxiliary layer 32 of the adsorption auxiliary film 30 in this adsorption step the surface layer portion on the fixture 41 side is elastically deformed according to the surface shape of the fixture 41. That is, the auxiliary layer 32 of the suction auxiliary film 30 is not affected by the surface shape of the non-ground surface 11, and in particular, is a fixture regardless of the suction area ar1 which is uncertain due to the variation of the step 13 and the like.
  • the adsorption area ar3 with respect to 41 is elastically deformed so as to be held at substantially the same size as the surface area ar4 of the fixture 41.
  • the suction auxiliary film 30 has the elastically deformable auxiliary layer 32, so that the suction auxiliary film 30 is surely sucked to the fixture 41 without being affected by the surface shape of the semiconductor wafer 10 such as the step 13.
  • the area ar3 can be retained. Therefore, in the semiconductor wafer 10, the suction auxiliary film 30 is interposed between the semiconductor wafer 10 and the fixture 41, so that the occurrence of suction defects due to the step 13 is suppressed. Therefore, the adsorption auxiliary film 30 of the present invention is particularly useful in the adsorption method of the semiconductor wafer 10 having the step 13 generated by the trimming process.
  • the processing process is a process for the purpose of thinning the semiconductor wafer 10 by grinding the ground surface 12 of the semiconductor wafer 10.
  • the semiconductor wafer 10 is brought into contact with the grinding tool 42 against the grinding surface 12 while maintaining the state of being sucked by the fixture 41 in the suction step described above.
  • the grinding tool 42 is rotatably configured with the axis extending in the thickness direction of the semiconductor wafer 10 as the center of rotation, and is movably configured in the thickness direction of the semiconductor wafer 10. .
  • the fixture 41 is rotatably configured with its center as an axis.
  • the present invention can also be used for back surface grinding of DBG and SDBG. That is, as shown in FIG. 7, in DBG and SDBG, the semiconductor wafer 10 has a plurality of half-cut portions 17 in the case of DBG and a plurality of modified layers 17 in the case of SDBG on the non-ground surface 11. There is. In the processing process, the ground surface 12 of the semiconductor wafer 10 is ground to form a thin layer, and the semiconductor wafer 10 is separated into a plurality of chips 10A by each half-cut portion 17 or each modified layer 17 and separated into individual pieces.
  • adsorption auxiliary film As the adsorption auxiliary film 30, a 12-inch film was used. Regarding the structure of the adsorption auxiliary film 30, the base material layer 31 and the auxiliary layer 32 are as follows.
  • Base material layer 31 Material: Polyethylene terephthalate film, E '31 (25): 4726MPa, E' 31 (35): 4581MPa. Thickness: 50 ⁇ m.
  • semiconductor wafer The following semiconductor wafers 10 were used as the semiconductor wafer 10 provided with the circuit. (1) Specifications Diameter: 300 mm. Thickness: 810 ⁇ m. Material: Silicon (silicon). (2) Step 13 The width W was set to 5 mm and the height H was set to 50 ⁇ m, and trimming was performed to form a step 13.
  • Adhesion process A tape affixing machine (part number "DR-3000II” manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) is prepared, and the adsorption auxiliary film 30 is affixed to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 to cut off the excess portion. Then, samples of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were obtained.
  • the adsorption auxiliary film of the present invention is widely used in applications for manufacturing semiconductor parts.
  • a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge since it has a characteristic that suction failure to a fixture can be suitably suppressed, it is suitably used for manufacturing parts having excellent productivity.

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Abstract

吸着不良の発生を抑制することができる吸着補助フィルム及び半導体ウエハの吸着方法を提供することを課題とし、その解決手段として、半導体ウエハ１０の回路が形成された非研削面１１を固定具４１に吸着する際、前記固定具４１と前記半導体ウエハ１０との間に介在させる吸着補助フィルム３０は、前記回路が形成された前記非研削面１１の側に貼着される基材層３１と、前記基材層３１に支持された状態で前記固定具４１に接触されて吸着を補助する補助層３２と、を有している。

Description

吸着補助フィルム及び半導体ウエハの吸着方法
　本発明は、半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着する際に、その吸着を補助する吸着補助フィルム、及びその吸着補助フィルムを用いた半導体ウエハの吸着方法に関する。
　半導体部品の製造時において、半導体ウエハは、表面側に回路等が形成された後、裏面側を研削する加工が施されて薄層化される。この裏面側を研削する加工時において、半導体ウエハ１１０は、その表面１１１に保護フィルム１３０を貼着し、この保護フィルム１３０で回路等を被覆して保護した上で、その表面１１１が該保護フィルム１３０を介して固定具１４１に吸着される（図９参照）。
　上述した保護フィルム及び裏面側を研削する加工に関する技術として、特許文献１が開示されている。特許文献１の加工方法は、表面に膜層が形成され、且つ外周側面に面取り部が形成された半導体ウエハについて、切削ブレードを半導体ウエハの表面から外周縁に切り込ませつつ半導体ウエハを回転させることにより、少なくとも面取り部上の膜層を円形に切削除去する切削ステップ（トリミング加工）を備えている。
　このトリミング加工を施された半導体ウエハ１１０は、表面１１１の外周縁に段差１１３を有している。このため、半導体ウエハ１１０を吸着する固定具１４１は、該段差１１３を配慮して設計されている。
特開２０１２－４３８２５号公報
　上述のような段差１１３を有する半導体ウエハ１１０は、固定具１４１において真空リーク等の吸着不良を起こすものがあることが分かった。この吸着不良は、例えば、トリミング加工の場合、加工精度の限界等による段差１１３の寸法や形状のばらつき等に起因して発生すると考えられる。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、吸着不良の発生を抑制することができる吸着補助フィルム及び半導体ウエハの吸着方法を提供することを目的とする。
　上記の問題点を解決する手段として、本発明は以下の通りである。
　［１］請求項１に記載の発明は、半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着する際、前記固定具と前記半導体ウエハとの間に介在させる吸着補助フィルムであって、
　前記回路が形成された面の側に貼着される基材層と、
　前記基材層に支持された状態で前記固定具に接触されて吸着を補助する補助層と、を有することを要旨とする。
　［２］請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［３］請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記半導体ウエハは、前記回路が形成された前記面の外周縁に段差を有することによって、該面の前記固定具に対する吸着面積が減じられた半導体ウエハであることを要旨とする。
　［４］請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の発明において、前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［５］請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の発明において、前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下であることを要旨とする。
　［６］請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［７］請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［８］請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを要旨とする。
　［９］請求項９に記載の発明は、半導体ウエハの回路が形成された面と、前記半導体ウエハを吸着する固定具と、の間に、吸着補助フィルムを介在させて、該吸着補助フィルムを介して該半導体ウエハを前記固定具に吸着する吸着工程を備え、
　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された面の外周縁に段差を有することによって、該面の前記固定具に対する吸着面積が減じられた半導体ウエハであり、
　前記吸着補助フィルムが、
　前記回路が形成された前記面の側に貼着される基材層と、
　前記基材層に支持された状態で前記固定具に接触されて吸着を補助する補助層と、を有することを要旨とする。
　［１０］請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［１１］請求項１１に記載の発明は、請求項９又は１０に記載の発明において、前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［１２］請求項１２に記載の発明は、請求項９乃至１１のうちのいずれかに記載の発明において、前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下であることを要旨とする。
　［１３］請求項１３に記載の発明は、請求項９乃至１２のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［１４］請求項１４に記載の発明は、請求項９乃至１３のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［１５］請求項１５に記載の発明は、請求項９乃至１４のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを要旨とする。
　本発明の吸着補助フィルム及び半導体ウエハの吸着方法によれば、吸着不良の発生を抑制することができる。
本発明に係る半導体ウエハを説明する正断面図である。 本発明の吸着補助フィルムを説明する拡大した正断面図である。 本発明に係る半導体ウエハのトリミング加工を説明する正断面図である。 本発明の吸着補助フィルムの貼着工程を説明する正断面図である。 本発明の半導体ウエハの吸着方法に係る吸着工程を説明する正断面図である。 本発明に係る半導体ウエハの加工工程を説明する正断面図である。 本発明に係る別形態の半導体ウエハの加工工程を説明する正断面図である。 本発明に係る別形態の半導体ウエハを説明する正断面図である。 従来の半導体ウエハの吸着方法を説明する正断面図である。
　以下、本発明を、図面を参照しながら説明する。ここで示す事項は例示的なもの及び本発明の実施形態を例示的に説明するためのものであり、本発明の原理と概念的な特徴とを最も有効に且つ難なく理解できる説明であると思われるものを提供する目的で述べたものである。この点で、本発明の根本的な理解のために必要で、ある程度以上に本発明の構造的な詳細を示すことを意図してはおらず、図面と合わせた説明によって本発明の幾つかの形態が実際にどのように具現化されるかを当業者に明らかにするものである。
［１］半導体ウエハ
　本発明に供される半導体ウエハは、半導体部品の製造に供されるものであり、その一面（表面）に回路が形成されたものであれば、材料、形状について特に限定されない。通常、半導体ウエハは、珪素（シリコン）を材料に用いて円板状に形成されている（図１参照）。
　この半導体ウエハは、回路が形成された表面とは反対側になる裏面を研削して薄層化される。本発明の吸着補助フィルムは、この薄層化に係る裏面加工で使用される。以下、半導体ウエハにおいて、回路が形成された面を「非研削面」、裏面加工に係る薄層化で研削される面を「研削面」ともいう。
　また、本発明の吸着補助フィルムは、前記半導体ウエハのうち、外周縁に段差を有することで非研削面の固定具に対する吸着面積が減じられた半導体ウエハを、固定具に吸着固定する際に有用である。
　具体的に、半導体ウエハ１０は、図１に示すように、板状に形成されている。半導体ウエハ１０の非研削面１１には、回路が形成されている。この半導体ウエハ１０は、研削面１２を研削することにより、所望の薄さに薄層化される（図６参照）。
　また、本発明は、図７に示すように、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）やＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）における研削面１２の研削に使用することもできる。
　半導体ウエハ１０は、面取り処理により、非研削面１１又は研削面１２から外側面に至る部位にそれぞれ円弧面１４を有している。トリミング加工では、それら円弧面１４のうち、非研削面１１側の円弧面１４が、切削されて除去される（図３参照）。このトリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁に凹状の段差１３を有している（図１参照）。
　ここで、上述のトリミング加工について説明する。
　トリミング加工で使用されるトリミング装置２０としては、図３に示すような、半導体ウエハ１０を真空吸引により吸着するチャックテーブル２１と、トリミングブレード２２と、を備えるものが例示される。
　トリミング加工時において、半導体ウエハ１０は、研削面１２がチャックテーブル２１に吸着されて、該チャックテーブル２１に固定されている。
　トリミング加工は、半導体ウエハ１０が吸着固定されたチャックテーブル２１を回転させながら、半導体ウエハ１０の非研削面１１の外周縁にトリミングブレード２２を押し当てることによって行われる。
　トリミング加工された半導体ウエハ１０は、トリミングブレード２２によって非研削面１１側の円弧面１４が切削除去されることにより、非研削面１１の外周縁に凹状の段差１３が形成される。
　上述のトリミング加工に起因する段差１３は、半導体ウエハ１０の径方向における幅Ｗが、好ましくは１～１０ｍｍ、より好ましくは２～８ｍｍ、特に好ましくは３～７ｍｍである（図１参照）。
　また、この段差１３は、半導体ウエハ１０の厚さ方向における高さＨが、好ましくは１０～１００μｍ、より好ましくは２０～８０μｍ、特に好ましくは３０～７０μｍである（図１参照）。
　尚、上記段差１３は、上述のトリミング加工で生じたものに限定されない。トリミング加工によるもの以外に、非研削面１１の外周縁に段差１３を有する半導体ウエハ１０として、以下構成の半導体ウエハ１０が挙げられる。
　図８に示す半導体ウエハ１０は、非研削面１１上にバンプ１５が複数形成されることで、非研削面１１側の外周縁に段差１３が生じている。
　また、特に図示しないが、上記段差を有する半導体ウエハとして、非研削面上に多層膜が形成されたウエハも挙げられる。
　上述した段差１３について、幅Ｗ及び高さＨは、中心角で１０～９０度間隔置きになるように選択された４ヶ所の段差の実測幅及び実測高さの平均値であるものとする。
　また、本発明において、半導体ウエハ１０が有する段差１３には、トリミング加工に起因する段差と、更にバンプや多層膜の形成に起因する段差とを含むものとする。
　具体的に、段差１３は、外周縁から半導体ウエハ１０の径方向における幅Ｗが１～３０ｍｍの範囲内において、高低差（半導体ウエハ１０の厚さ方向における高さＨ）が１０～３００μｍのもの、ということができる。
　本発明の吸着補助フィルムを活用する半導体ウエハ１０は、どのようなものであってもよい。この半導体ウエハ１０として、特にチャックテーブル等の固定具に対する吸着面積が減じられたウエハが、有用である。
　吸着面積が減じられた半導体ウエハ１０として、特に、トリミング加工されたウエハが挙げられる。このトリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁がトリミングされ（切り掛かれ）、段差１３が設けられたことにより、固定具４１（チャックテーブル等）に対する吸着面積が減じられている（図５参照）。
　ここで、上記「吸着面積」とは、半導体ウエハ１０の非研削面１１において、固定具４１による吸着力を作用させることができる面積を示す。
　詳しくは、トリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁が凹状に切り掛かれることによって形成された段差１３を有している。この半導体ウエハ１０の非研削面１１において、段差１３と段差１３以外の部分とは、固定具４１に対して同一面上で接触することはない。このため、固定具４１による吸着力は、段差１３において作用し難い又は作用しなくなっている。
　ここで、半導体ウエハ１０の非研削面１１における実際の吸着面積ａｒ１は、半導体ウエハ１０の平面積ａｒ２から、段差１３に該当する部分の平面積を除いた値とする（図１参照）。
　つまり、非研削面１１の外周縁に段差１３を有する半導体ウエハ１０は、平面積ａｒ２よりも小さな吸着面積ａｒ１に対してのみ、固定具４１の吸着力が作用する状態となっている。
　換言すると、半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁に段差１３を有することによって、非研削面１１の固定具４１に対する吸着面積ａｒ１が、半導体ウエハ１０（非研削面１１）の平面積ａｒ２から減じられた半導体ウエハといえる。
［２］吸着補助フィルム
　本発明の吸着補助フィルムは、半導体ウエハの回路が形成された面（非研削面）を固定具に吸着する際、固定具と半導体ウエハとの間に介在させるものである。
　吸着補助フィルムは、基材層と、補助層と、を有している（図２参照）。
　基材層は、半導体ウエハの回路が形成された面側、つまり非研削面側に貼着されるものである。
　具体的には、図２に示すように、吸着補助フィルム３０は、基材層３１と、補助層３２と、を有している。
　この吸着補助フィルム３０は、裏面加工に係る貼着工程において、基材層３１側を半導体ウエハ１０の非研削面１１に向けて使用される。この基材層３１は、該半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される（図４参照）。
　また、吸着補助フィルム３０は、裏面加工に係る吸着工程において、補助層３２側を固定具４１に向けて使用される。この補助層３２は、基材層３１に支持された状態で固定具４１に接触され、該固定具４１に吸着される（図５参照）。
　補助層３２は、半導体ウエハ１０の非研削面１１の表面形状と、固定具４１の表面形状と、に対応し、これらに倣って弾性変形する。この補助層３２の弾性変形により、吸着補助フィルム３０は、半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着を補助する（図６参照）。加えて、吸着補助フィルム３０は、裏面加工時において、半導体ウエハ１０の非研削面１１側で回路を被覆して保護する。
　吸着補助フィルム３０の形状は、特に限定されない。吸着補助フィルム３０は、例えば、平面視で円形状、正方形状等とすることができる。
　吸着補助フィルム３０の平均厚さは、特に限定されない。具体的に、吸着補助フィルム３０の平均厚さは、好ましくは１５０～１０００μｍ、より好ましくは１７５～９５０μｍ以上、さらに好ましくは２００～７５０μｍとすることができる。
　尚、平均厚さは、互いに２ｃｍ以上離れるように選択された１０ヶ所のフィルムの実測厚さの平均値であるものとする。
　吸着補助フィルム３０は、半導体ウエハの非研削面を固定具に吸着する際に、固定具と、半導体ウエハと、の間に介在して、吸着を補助するものであれば、半導体ウエハに直接的に貼着されることに限定されない。
　例えば、半導体ウエハの非研削面に、回路を保護する保護フィルムを貼着し、この保護フィルムに重ねて、吸着補助フィルム３０を貼着してもよい。
　以下、吸着補助フィルム３０の各層について説明する。
（１）基材層
　基材層３１は、半導体ウエハ１０に形成された回路の保護と、吸着補助フィルム３０の取り扱い性や機械的特性等を向上させることを目的として設けられる層である。
　基材層３１に使用される材料は、裏面加工時の外力に耐え得る機械的強度を有するのであれば、特に限定されない。通常、基材層３１の材料には、合成樹脂のフィルムが使用される。
　上述の合成樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリエーテルイミド；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンエーテル等から選択される１種または２種以上の熱可塑性樹脂を挙げることができる。
　基材層３１は、上述した合成樹脂の中でも、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含むものが好ましい。それらを含む場合、吸着補助フィルム３０の取り扱い性を好適にすることができる。
　上述の合成樹脂中には添加剤を添加することができる。添加剤としては、可塑剤、軟化剤（鉱油等）、充填剤（炭酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、珪酸塩、酸化物（酸化チタン、酸化マグネシウム）、シリカ、タルク、マイカ、クレー、繊維フィラー等）、酸化防止剤、光安定化剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤等が例示される。これら添加剤は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　基材層３１の材料に使用されるフィルムは、延伸の有無を問わない。フィルムには、無延伸フィルム、一軸延伸フィルムや二軸延伸フィルム等の延伸フィルムの何れも使用することができる。特に、延伸フィルムは、機械的強度の向上の観点で有用である。
　また、上述のフィルムは、単層フィルム、複数の層を有する多層フィルムの何れも使用することができる。
　基材層３１には、表面処理されたフィルムを使用することが好ましい。その場合、補助層３２等との接着性の向上を図ることができる。表面処理の具体例として、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等が挙げられる。
　基材層３１の厚さＴ１は、特に限定されない（図２参照）。その厚さＴ１は、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍ、さらに好ましくは３０～１００μｍである。該厚さＴ１の範囲は、基材層３１が良好な特性を得ることができるという観点による。
　ここで、基材層３１及び補助層３２の引張弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）により、２５℃から３５℃まで測定して得られたデータから各温度のデータを読み取ることで得られる。測定条件は、サンプルサイズを幅１０ｍｍ、チャック間の長さ２０ｍｍとし、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分である。
　以下では、基材層３１の引張弾性率について、２５℃の値をＥ’３１（２５）、３５℃の値をＥ’３１（３５）とし、２５℃以上３５℃以下の各温度の値をＥ’３１（ｔ）とする。
　また、補助層３２の引張弾性率について、２５℃の値をＥ’３２（２５）、３５℃の値をＥ’３２（３５）とし、２５℃以上３５℃以下の各温度の値をＥ’３２（ｔ）とする。
　基材層３１の引張弾性率は、通常、Ｅ’３１（ｔ）≦５０００ＭＰａである。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、基材層３１の引張弾性率は、常に５０００ＭＰａ以下である。従って、Ｅ’３１（２５）≦５０００ＭＰａ、Ｅ’３１（３５）≦５０００ＭＰａである。
　また、通常、Ｅ’３１（ｔ）＞Ｅ’３２（ｔ）である。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、基材層３１の引張弾性率は、常に補助層３２の引張弾性率より高い。その高さの程度は限定されないが、Ｅ’３１（ｔ）は、Ｅ’３２（ｔ）より、２０～４８５０ＭＰａ高いことが好ましく、７００～４８５０ＭＰａ高いことがより好ましい。
　従って、ｔ＝２５℃において、基材層３１の引張弾性率と、補助層３２の引張弾性率と、の差（Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５））は、２０ＭＰａ≦Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５）≦４８５０ＭＰａが好ましく、７００ＭＰａ≦Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５）≦４８５０ＭＰａがより好ましい。
　同様に、ｔ＝３５℃において、基材層３１の引張弾性率と、補助層３２の引張弾性率と、の差（Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５））は、２０ＭＰａ≦Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５）≦４８５０ＭＰａが好ましく、７００ＭＰａ≦Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５）≦４８５０ＭＰａがより好ましい。
（２）補助層
　補助層３２は、裏面加工時に半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着を補助することを目的として設けられる層である。
　具体的に、補助層３２は、段差１３を有する半導体ウエハ１０の表面形状と、固定具４１の表面形状と、の双方に応じて弾性変形することが可能な層である。そして、弾性変形した補助層３２により、半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着が補助される（図５参照）。
　補助層３２は、引張弾性率を低くした場合、柔軟性が高まる。この場合、半導体ウエハ１０の非研削面１１と、固定具４１（チャックテーブル等）との表面形状に対する補助層３２の追従性を向上させることができる。
　また、補助層３２は、引張弾性率を高くした場合、硬度が高まる。この場合、補助層３２の固定具４１（チャックテーブル等）への貼りつきが抑制され、補助層３２と固定具４１との着脱性を向上させることができる。
　補助層３２の引張弾性率は、好ましくは、５ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦１５０ＭＰａである。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、補助層３２の引張弾性率は、５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下である。この場合、補助層３２は、裏面加工を実施する環境温度下で、十分な弾性（力学的な伸縮性）を発揮することができる。
　この引張弾性率は、より好ましくは、６ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦１２０ＭＰａである。さらに好ましくは、７ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦８０ＭＰａである。特に好ましくは、８ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦６０ＭＰａである。とりわけ好ましくは、９ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦４５ＭＰａである。
　補助層３２に使用される材料は、特に限定されない。補助層３２の材料は、樹脂が好ましく、樹脂のなかでも、十分な弾性（力学的な伸縮性）を有する樹脂がより好ましく、エラストマー性を有する熱可塑性材料を含む樹脂が特に好ましい。
　エラストマー性を有する熱可塑性材料は、ハードセグメント及びソフトセグメントを有したブロック共重合体からなってもよく、ハードポリマーとソフトポリマーとのポリマーアロイからなってもよく、これらの両方の特性を有したものであってもよい。
　熱可塑性材料料としては、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　補助層３２の材料が上述の熱可塑性材料を含む樹脂の場合、熱可塑性材料料の割合は、補助層３２を構成する樹脂全体に対して、好ましくは４０～１００質量％、より好ましくは６０～１００質量％、さらに好ましくは８０～１００質量％とすることができる。即ち、補助層３２を構成する樹脂は、上述の熱可塑性材料のみからなってもよい。
　また、上述の熱可塑性材料のなかでも、エチレン酢酸ビニル共重合体は、酢酸ビニルの含量に応じて弾性の調整が可能であることから、特に好ましい。エチレン酢酸ビニル共重合体中における酢酸ビニルの含量は、重合体全体を１００質量％とした場合に、好ましくは４～３０質量％、より好ましくは５～２５質量％、さらに好ましくは８～２０質量％である。
　補助層３２の厚さＴ２は、特に限定されない（図２参照）。その厚さＴ２は、好ましくは１００～５００μｍ、より好ましくは１００～４００μｍ、さらに好ましくは１００～２５０μｍである。該厚さＴ２の範囲は、十分に弾性変形が可能な程度の猶予を維持するという観点による。
（３）その他の層
　吸着補助フィルム３０は、上述の各層を有する構成に限らず、他の層を有する構成とすることができる。
　他の層としては、吸着補助フィルム３０を半導体ウエハ１０の非研削面１１側に貼着するための保持層、上述のバンプ１５を有する半導体ウエハ１０の場合にバンプ１５による凹凸形状を吸収する凹凸吸収層、保持層との界面強度を向上する界面強度向上層、保持層の表面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層、吸着補助フィルム３０の帯電を防止する帯電防止層等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　上記保持層は、非研削面１１側となる基材層３１の一面に粘着剤や接着剤を塗布又は積層して形成することができる。例えば、粘着剤として、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤等が挙げられ、接着剤として、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系等が挙げられる。
　保持層が粘着剤の場合、粘着力は、特に限定されない。この粘着力は、０．１～１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着力は、より好ましくは０．２～９Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは０．３～８Ｎ／２５ｍｍである。該粘着力の範囲は、半導体ウエハとの良好な接着性を確保しつつ、剥離時に半導体ウエハへの糊残りを抑制できるという観点による。
　なお、この粘着力は、シリコンミラーウエハに対する粘着力である。具体的には、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下にて、シリコンミラーウエハの表面に貼着し、６０分間放置した後、シリコンミラーウエハの表面から１８０度剥離するときの測定値である。前述した以外の他の測定条件は、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９に準拠される。
　保持層が粘着剤の場合、その厚さは、特に限定されない。厚さは、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～４５μｍ、さらに好ましくは３～４０μｍである。該厚さの範囲は、好適な粘着力を発揮しつつ糊残りなく剥離できるという観点による。
　凹凸吸収層は、非研削面１１側となる基材層３１の一面、特に基材層３１と保持層との間に積層し形成することができる。この凹凸吸収層の材料は、流動性又は可塑性の発現による凹凸吸収性を有するものであれば、特に限定されない。この材料として、例えばアクリル系樹脂、オレフィン系樹脂およびエチレン・極性モノマー共重合体等が挙げられる。
　凹凸吸収層の厚さは、バンプ１５による凹凸形状に対する凹凸吸収性を発揮できる厚さであれば、特に限定されない。該厚さは、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、さらに好ましくは１７０μｍ以上である。
［３］裏面加工
　上記半導体ウエハ１０は、上述したように、裏面加工を施すことによって薄層化される。この裏面加工は、半導体ウエハ１０に吸着補助フィルム３０を貼着する貼着工程と、吸着補助フィルム３０が貼着された半導体ウエハ１０を固定具４１に吸着させる吸着工程と、半導体ウエハ１０の裏面を加工する加工工程と、を備えている。
　この裏面加工は、図５及び図６に示すような、半導体ウエハ１０を吸着して固定する固定具４１と、半導体ウエハ１０の研削面１２を研削する研削具４２と、を備える加工装置４０を使用して行われる。
　以下、貼着工程、吸着工程、及び加工工程の各工程について説明する。
（１）貼着工程
　貼着工程は、上述の吸着補助フィルム３０を半導体ウエハ１０に貼着することを目的とする工程である。
　図４に示すように、貼着工程において、吸着補助フィルム３０は、半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される。
　貼着工程において、吸着補助フィルム３０は、半導体ウエハ１０の非研削面１１の凹凸形状、特に外周部の段差１３を覆うようにして、該半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される。
　尚、貼着工程では、吸着補助フィルム３０を半導体ウエハ１０に貼着するための方法及び装置について、特に限定されない。該方法及び該装置には、既存のものを使用することができる。
（２）吸着工程
　吸着工程は、上述の吸着補助フィルム３０が貼着された半導体ウエハ１０を固定具４１に吸着することを目的とする工程である。
　この吸着工程によって、半導体ウエハ１０の非研削面１１と、半導体ウエハ１０を吸着する固定具４１と、の間に、吸着補助フィルム３０が介在されて、該吸着補助フィルム３０を介して該半導体ウエハ１０が固定具４１に吸着される。
　即ち、この吸着工程は、本発明の吸着方法に含まれる。
　具体的には、図５に示すように、上記貼着工程で吸着補助フィルム３０が貼着された半導体ウエハ１０は、非研削面１１が固定具４１側を向くようにして、固定具４１に吸着される。
　この吸着工程における吸着補助フィルム３０の補助層３２において、固定具４１側の表層部分は、固定具４１の表面形状に倣って弾性変形する。
　つまり、吸着補助フィルム３０の補助層３２は、非研削面１１の表面形状に影響されることなく、特に、段差１３のばらつき等に影響されて不確定になる吸着面積ａｒ１と関わりなく、固定具４１に対する吸着面積ａｒ３を、固定具４１の表面の面積ａｒ４と略同じサイズに保持するように、弾性変形する。
　換言すると、吸着補助フィルム３０は、弾性変形可能な補助層３２を有することにより、段差１３等といった半導体ウエハ１０の表面形状に影響されることなく、固定具４１に対して確実に吸着される吸着面積ａｒ３を保持することができる。
　このため、半導体ウエハ１０は、固定具４１との間に吸着補助フィルム３０が介在されることにより、段差１３に起因した吸着不良の発生が抑制される。
　よって、本発明の吸着補助フィルム３０は、トリミング加工で生じた段差１３を有する半導体ウエハ１０の吸着方法で、特に有用なものとなる。
（３）加工工程
　加工工程は、半導体ウエハ１０の研削面１２を研削することにより、該半導体ウエハ１０を薄層化することを目的とする工程である。
　図６に示すように、加工工程において、半導体ウエハ１０は、上述の吸着工程で固定具４１に吸着された状態を保ちつつ、その研削面１２に研削具４２が当接される。
　加工装置４０において、研削具４２は、半導体ウエハ１０の厚さ方向に伸びる軸心を回転中心として、回転自在に構成されているとともに、半導体ウエハ１０の厚さ方向に移動自在に構成されている。また、加工装置４０において、固定具４１は、その中心を軸心として、回転自在に構成されている。
　そして、研削具４２及び固定具４１がそれぞれ回転されつつ、研削具４２が移動することによって研削面１２に研削具４２が当接された状態が保たれることにより、該研削面１２が研削されて、半導体ウエハ１０が薄層化される。
　また、本発明は、ＤＢＧやＳＤＢＧの裏面研削で使用することもできる。即ち、図７に示すように、ＤＢＧやＳＤＢＧにおいて、半導体ウエハ１０は、非研削面１１に、ＤＢＧであれば複数のハーフカット部１７、ＳＤＢＧであれば複数の改質層１７を有している。この半導体ウエハ１０は、加工工程で研削面１２が研削されて薄層化されるとともに、各ハーフカット部１７又は各改質層１７で複数のチップ１０Ａに分離して個片化される。
　以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［吸着補助フィルム］
　吸着補助フィルム３０として、１２インチ用のものを使用した。
　吸着補助フィルム３０の構成について、基材層３１、補助層３２は、以下の通りである。
（１）基材層３１
　材質：ポリエチレンテレフタレートフィルム、Ｅ’３１（２５）：４７２６ＭＰａ、Ｅ’３１（３５）：４５８１ＭＰａ。
　厚さ：５０μｍ。
（２）補助層３２
〈実施例１〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：１９％）、Ｅ’３２（２５）：２１ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：１７ＭＰａ。
　厚さ：１２０μｍ。
〈実施例２〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：９％）、Ｅ’３２（２５）：４０ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：３４ＭＰａ。
　厚さ：１２０μｍ。
〈実施例３〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：９％）、Ｅ’３２（２５）：４０ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：３４ＭＰａ。
　厚さ：１６０μｍ。
〈比較例１〉
　補助層３２を設けなかった。
［半導体ウエハ］
　回路が設けられた半導体ウエハ１０として、以下のものを用いた。
（１）諸元
　直径：３００ｍｍ。
　厚さ：８１０μｍ。
　材質：珪素（シリコン）。
（２）段差１３
　幅Ｗを５ｍｍ、高さＨを５０μｍに設定して、トリミング加工を行い、段差１３を形成した。
［裏面加工］
（１）貼着工程
　テープ貼着機（日東精機製の品番「ＤＲ－３０００ＩＩ」）を用意し、半導体ウエハ１０の非研削面１１に、吸着補助フィルム３０を貼着し、余剰部分を切除して、実施例１～３及び比較例１の試料を得た。
（２）吸着工程
　加工装置（ディスコ社製の品番「ＤＧＰ８７６０」）を用意し、実施例１～３及び比較例１の各試料を加工装置の固定具４１に吸着させ、吸着不良の有無を観測した。
　この観測については、各試料をそれぞれ３回、固定具４１に吸着させ、吸着不良の発生回数を測定することとした。
　観測の結果、実施例１～３は、吸着不良が全く発生しなかった。
　一方、比較例１は、３回の吸着全てで吸着不良が発生した。
　上記の結果から、補助層３２を有する吸着補助フィルム３０によって、吸着不良を防止できることが示された。
（３）加工工程
　上記（２）の吸着工程で、吸着不良が全く発生しなかった実施例１～３について、上記の加工装置を使用し、裏面加工を施した。
　この裏面加工については、各試料をそれぞれ３枚、裏面加工し、ウエハ割れ等の不良の発生数を測定することとした。
　その結果、実施例１～３は、ウエハ割れ等の不良が発生しなかった。
　上記の結果から、補助層３２を有する吸着補助フィルム３０によって、裏面加工時のウエハ割れ等の不良の発生を防止できることが示された。
　本発明の吸着補助フィルムは、半導体部品製造の用途において広く用いられる。特に、外周縁に段差が生じた半導体ウエハにおいて、固定具への吸着不良を好適に抑制できる特性を有するため、生産性に優れた部品製造を行うために好適に利用される。
　１０；半導体ウエハ、１０Ａ；チップ、
　１１；非研削面（回路が形成された面）、
　１２；研削面、
　１３；段差、
　１４；円弧面、
　１５；バンプ、
　１７；ハーフカット部又は改質層、
　２０；トリミング装置、
　２１；チャックテーブル、
　２２；トリミングブレード、
　３０；吸着補助フィルム、
　３１；基材層、
　３２；補助層、
　４０；加工装置、
　４１；固定具、
　４２；研削具。

Claims (15)

  1. 　半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着する際、前記固定具と前記半導体ウエハとの間に介在させる吸着補助フィルムであって、
    　前記回路が形成された面の側に貼着される基材層と、
    　前記基材層に支持された状態で前記固定具に接触されて吸着を補助する補助層と、を有することを特徴とする吸着補助フィルム。
  2. 　前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層である請求項１に記載の吸着補助フィルム。
  3. 　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された前記面の外周縁に段差を有することによって、該面の前記固定具に対する吸着面積が減じられた半導体ウエハである請求項１又は２に記載の吸着補助フィルム。
  4. 　前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の吸着補助フィルム。
  5. 　前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の吸着補助フィルム。
  6. 　前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層である請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の吸着補助フィルム。
  7. 　前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の吸着補助フィルム。
  8. 　前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の吸着補助フィルム。
  9. 　半導体ウエハの回路が形成された面と、前記半導体ウエハを吸着する固定具と、の間に、吸着補助フィルムを介在させて、該吸着補助フィルムを介して該半導体ウエハを前記固定具に吸着する吸着工程を備え、
    　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された面の外周縁に段差を有することによって、該面の前記固定具に対する吸着面積が減じられた半導体ウエハであり、
    　前記吸着補助フィルムが、
    　前記回路が形成された前記面の側に貼着される基材層と、
    　前記基材層に支持された状態で前記固定具に接触されて吸着を補助する補助層と、を有することを特徴とする半導体ウエハの吸着方法。
  10. 　前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層である請求項９に記載の半導体ウエハの吸着方法。
  11. 　前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項９又は１０に記載の半導体ウエハの吸着方法。
  12. 　前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項９乃至１１のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの吸着方法。
  13. 　前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層である請求項９乃至１２のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの吸着方法。
  14. 　前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項９乃至１３のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの吸着方法。
  15. 　前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項９乃至１４のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの吸着方法。
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