CN115053327A - 吸附辅助膜及半导体晶片的吸附方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供能够抑制吸附不良的发生的吸附辅助膜和半导体晶片的吸附方法，作为其解决手段，在将半导体晶片10的形成有电路的非磨削面11吸附于固定件41时，介于上述固定件41与上述半导体晶片10之间的吸附辅助膜30具有：粘贴于形成有上述电路的上述非磨削面11一侧的基材层31，以及以被上述基材层31支撑的状态与上述固定件41接触而辅助吸附的辅助层32。

Description

吸附辅助膜及半导体晶片的吸附方法
技术领域
本发明涉及将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时辅助该吸附的吸附辅助膜、以及使用了该吸附辅助膜的半导体晶片的吸附方法。
背景技术
在半导体部件的制造时，半导体晶片在表面侧形成电路等之后实施磨削背面侧的加工而被薄层化。在将该背面侧进行磨削的加工时，半导体晶片110在其表面111粘贴保护膜130，在利用该保护膜130被覆电路等进行保护后，该表面111隔着该保护膜130而被吸附于固定件141(参照图9)。
作为磨削上述保护膜和背面侧的加工相关的技术，公开了专利文献1。专利文献1的加工方法具备下述切削步骤(剪裁加工)：对于在表面形成有膜层且在外周侧面形成有倒棱部的半导体晶片，将切削刮刀从半导体晶片的表面切入至外周缘的同时使半导体晶片旋转，从而至少将倒棱部上的膜层切削除去为圆形。
实施了该剪裁加工的半导体晶片110在表面111的外周缘具有台阶113。因此，吸附半导体晶片110的固定件141考虑该台阶113而设计。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-43825号公报
发明内容
发明所要解决的课题
已知具有上述那样的台阶113的半导体晶片110存在在固定件141上发生真空泄露等吸附不良的情况。关于该吸附不良，例如，在剪裁加工的情况下，认为是由于加工精度的极限等引起的台阶113的尺寸、形状的偏差等而发生的。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供能够抑制吸附不良的发生的吸附辅助膜以及半导体晶片的吸附方法。
用于解决课题的手段
作为解决上述问题的手段，本发明如下。
[1]权利要求1所述的发明的主旨在于，一种在将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时，介于上述固定件与上述半导体晶片之间的吸附辅助膜，其具有：
粘贴于形成有上述电路的面一侧的基材层、以及
以被上述基材层支撑的状态与上述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
[2]权利要求2所述的发明的主旨在于，在权利要求1所述的发明中，上述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
[3]权利要求3所述的发明的主旨在于，在权利要求1或2所述的发明中，上述半导体晶片为通过在形成有上述电路的上述面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于上述固定件的吸附面积的半导体晶片。
[4]权利要求4所述的发明的主旨在于，在权利要求1～3中任一项所述的发明中，上述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
[5]权利要求5所述的发明的主旨在于，在权利要求1～4中任一项所述的发明中，上述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
[6]权利要求6所述的发明的主旨在于，在权利要求1～5中任一项所述的发明中，上述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
[7]权利要求7所述的发明的主旨在于，在权利要求1～6中任一项所述的发明中，上述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
[8]权利要求8所述的发明的主旨在于，在权利要求1～7中任一项所述的发明中，上述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
[9]权利要求9所述的发明的主旨在于，具备吸附工序：使吸附辅助膜介于半导体晶片的形成有电路的面与吸附上述半导体晶片的固定件之间，经由该吸附辅助膜将该半导体晶片吸附于上述固定件，
上述半导体晶片为通过在形成有上述电路的面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于上述固定件的吸附面积的半导体晶片，
上述吸附辅助膜具有：
粘贴于形成有上述电路的上述面一侧的基材层、以及
以被上述基材层支撑的状态与上述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
[10]权利要求10所述的发明的主旨在于，在权利要求9所述的发明中，上述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
[11]权利要求11所述的发明的主旨在于，在权利要求9或10所述的发明中，上述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
[12]权利要求12所述的发明的主旨在于，在权利要求9～11中任一项所述的发明中，上述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
[13]权利要求13所述的发明的主旨在于，在权利要求9～12中任一项所述的发明中，上述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
[14]权利要求14所述的发明的主旨在于，在权利要求9～13中任一项所述的发明中，上述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
[15]权利要求15所述的发明的主旨在于，在权利要求9～14中任一项所述的发明中，上述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
发明的效果
根据本发明的吸附辅助膜以及半导体晶片的吸附方法，能够抑制吸附不良的发生。
附图说明
图1为说明本发明涉及的半导体晶片的正截面图。
图2为说明本发明的吸附辅助膜的放大后的正截面图。
图3为说明本发明涉及的半导体晶片的剪裁加工的正截面图。
图4为说明本发明的吸附辅助膜的粘贴工序的正截面图。
图5为说明本发明的半导体晶片的吸附方法涉及的吸附工序的正截面图。
图6为说明本发明涉及的半导体晶片的加工工序的正截面图。
图7为说明本发明涉及的其它方式的半导体晶片的加工工序的正截面图。
图8为说明本发明涉及的其它方式的半导体晶片的正截面图。
图9为说明以往的半导体晶片的吸附方法的正截面图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明本发明。这里所示的事项为例示的事项以及用于例示地说明本发明的实施方式的事项，其目的在于提供被认为能够最有效且不难理解本发明的原理和概念性特征的说明。基于这一点，是为了本发明的根本性理解而需要的，并不意图在某种程度以上显示本发明的结构的详细情况，而是通过与附图结合的说明，使本领域技术人员明确在实际中怎样实现本发明的若干方式。
[1]半导体晶片
供于本发明的半导体晶片供于半导体部件的制造，只要是在其一面(表面)形成有电路的半导体晶片，则对于材料、形状没有特别限定。通常，半导体晶片将硅(silicone)用于材料而形成为圆板状(参照图1)。
该半导体晶片将位于与形成有电路的表面相反侧的背面进行磨削而薄层化。在该薄层化涉及的背面加工中使用本发明的吸附辅助膜。以下，半导体晶片中，将形成有电路的面也称为“非磨削面”，将利用背面加工涉及的薄层化被磨削的面也称为“磨削面”。
此外，本发明的吸附辅助膜在将上述半导体晶片中的、通过在外周缘具有台阶而减少了非磨削面对于固定件的吸附面积的半导体晶片吸附固定于固定件时是有用的。
具体而言，半导体晶片10如图1所示那样形成为板状。在半导体晶片10的非磨削面11形成有电路。该半导体晶片10通过将磨削面12进行磨削，从而薄层化成所期望的薄度(参照图6)。
此外，本发明中，如图7所示那样，还能够用于DBG(Dicing Befor Griding)、SDBG(Stealth Dicing Befor Griding)中的磨削面12的磨削。
半导体晶片10通过倒棱处理，在从非磨削面11或磨削面12直至外侧面的部位分别具有圆弧面14。剪裁加工时，这些圆弧面14中，非磨削面11侧的圆弧面14被切削并除去(参照图3)。该被剪裁加工后的半导体晶片10在非磨削面11的外周缘具有凹状的台阶13(参照图1)。
这里，对于上述剪裁加工进行说明。
作为剪裁加工所使用的剪裁装置20，可例示图3所示那样的、具备将半导体晶片10通过抽真空进行吸附的卡盘台(chuck table)21、以及剪裁刮刀22的剪裁装置20。
剪裁加工时，半导体晶片10中，磨削面12被吸附至卡盘台21而固定于该卡盘台21。
剪裁加工通过一边使吸附固定有半导体晶片10的卡盘台21进行旋转，一边对于半导体晶片10的非磨削面11的外周缘按压剪裁刮刀22来进行。
被剪裁加工后的半导体晶片10通过利用剪裁刮刀22来切削除去非磨削面11侧的圆弧面14，从而在非磨削面11的外周缘形成凹状的台阶13。
由上述剪裁加工带来的台阶13在半导体晶片10径向上的宽度W优选为1～10mm，更优选为2～8mm，特别优选为3～7mm(参照图1)。
此外，该台阶13在半导体晶片10厚度方向上的高度H优选为10～100μm，更优选为20～80μm，特别优选为30～70μm(参照图1)。
另外，上述台阶13并不限定于由上述剪裁加工产生的台阶。除了由剪裁加工造成的台阶以外，作为在非磨削面11的外周缘具有台阶13的半导体晶片10，可举出以下构成的半导体晶片10。
图8所示的半导体晶片10通过在非磨削面11上形成多个凸块15，从而在非磨削面11侧的外周缘产生台阶13。
此外，虽没有特别图示，但是作为具有上述台阶的半导体晶片，也可举出在非磨削面上形成有多层膜的晶片。
对于上述台阶13，宽度W和高度H为以圆心角隔着10～90度间隔的方式选择的4处台阶的实测宽度和实测高度的平均值。
此外，在本发明中，半导体晶片10所具有的台阶13包括由剪裁加工带来的台阶，以及由凸块、多层膜的形成带来的台阶。
具体而言，台阶13能够是从外周缘起的半导体晶片10径向上的宽度W为1～30mm的范围内，高低差(在半导体晶片10厚度方向上的高度H)为10～300μm的台阶。
有效利用本发明的吸附辅助膜的半导体晶片10可为任何半导体晶片。作为该半导体晶片10，减少了对于卡盘台等固定件的吸附面积的晶片是特别有用的。
作为减少了吸附面积的半导体晶片10，特别可举出被剪裁加工后的晶片。该被剪裁加工后的半导体晶片10通过非磨削面11的外周缘被剪裁(被切割)而设置了台阶13，从而减少了对于固定件41(卡盘台等)的吸附面积(参照图5)。
这里，上述“吸附面积”表示在半导体晶片10的非磨削面11上，能够使由固定件41带来的吸附力起作用的面积。
详细地说，被剪裁加工后的半导体晶片10具有通过非磨削面11的外周缘被切割成凹状而形成的台阶13。在该半导体晶片10的非磨削面11上，台阶13和台阶13以外的部分不会在同一平面上与固定件41接触。因此，由固定件41带来的吸附力对于台阶13难以起作用或不会起作用。
这里，半导体晶片10的非磨削面11中的实际的吸附面积ar1为从半导体晶片10的平面面积ar2减去相当于台阶13的部分的平面面积的值(参照图1)。
即，在非磨削面11的外周缘具有台阶13的半导体晶片10成为：固定件41的吸附力仅对于比平面面积ar2小的吸附面积ar1起作用的状态。
换句话说，半导体晶片10可以说是通过在非磨削面11的外周缘具有台阶13，从而非磨削面11对于固定件41的吸附面积ar1从半导体晶片10(非磨削面11)的平面面积ar2减少了的半导体晶片。
[2]吸附辅助膜
本发明的吸附辅助膜是在将半导体晶片的形成有电路的面(非磨削面)吸附于固定件时，介于固定件与半导体晶片之间的膜。
吸附辅助膜具有基材层和辅助层(参照图2)。
基材层粘贴于半导体晶片的形成有电路的面侧，即非磨削面侧。
具体而言，如图2所示那样，吸附辅助膜30具有基材层31和辅助层32。
该吸附辅助膜30在背面加工涉及的粘贴工序中，将基材层31侧朝向半导体晶片10的非磨削面11而使用。该基材层31粘贴于该半导体晶片10的非磨削面11(参照图4)。
此外，吸附辅助膜30在背面加工涉及的吸附工序中，将辅助层32侧朝向固定件41而使用。该辅助层32以被基材层31支撑的状态与固定件41接触，被吸附于该固定件41(参照图5)。
辅助层32与半导体晶片10的非磨削面11的表面形状以及固定件41的表面形状对应，配合它们而发生弹性变形。通过该辅助层32的弹性变形，吸附辅助膜30辅助半导体晶片10向固定件41的吸附(参照图6)。此外，吸附辅助膜30在背面加工时，在半导体晶片10的非磨削面11侧被覆电路以进行保护。
吸附辅助膜30的形状没有特别限定。吸附辅助膜30例如能够为俯视时呈圆形状、正方形状等。
吸附辅助膜30的平均厚度没有特别限定。具体而言，吸附辅助膜30的平均厚度能够优选为150～1000μm，更优选为175～950μm以上，进一步优选为200～750μm。
另外，平均厚度为以彼此相距2cm以上的方式选择的10处的膜的实测厚度的平均值。
吸附辅助膜30只要为将半导体晶片的非磨削面吸附于固定件时，介于固定件与半导体晶片之间而辅助吸附的吸附辅助膜，则并不限定于直接粘贴于半导体晶片。
例如，可以在半导体晶片的非磨削面上粘贴保护电路的保护膜，重叠于该保护膜，将吸附辅助膜30进行粘贴。
以下，对于吸附辅助膜30的各层进行说明。
(1)基材层
基材层31为以保护半导体晶片10所形成的电路、以及提高吸附辅助膜30的操作性、机械特性等作为目的而设置的层。
基材层31所使用的材料只要具有可耐受背面加工时的外力的机械强度，则没有特别限定。通常，基材层31的材料使用合成树脂的膜。
作为上述合成树脂，可举出选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醚酰亚胺；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离子交联聚合物；聚砜；聚醚砜；聚苯醚等中的1种或2种以上的热塑性树脂。
在上述合成树脂中，基材层31优选包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。在包含它们的情况下，能够使吸附辅助膜30的操作性变得合适。
能够在上述合成树脂中添加添加剂。作为添加剂，可例示增塑剂、软化剂(矿油等)、填充剂(碳酸盐、硫酸盐、钛酸盐、硅酸盐、氧化物(氧化钛、氧化镁)、二氧化硅、滑石、云母、粘土、纤维填料等)、抗氧化剂、光稳定剂、抗静电剂、润滑剂、着色剂等。这些添加剂可以仅使用1种也可以并用2种以上。
用于基材层31的材料的膜有无拉伸均可。膜能够使用无拉伸膜、单轴拉伸膜、双轴拉伸膜等拉伸膜的任一者。从机械强度的提高的观点考虑，拉伸膜是特别有用的。
此外，上述的膜能够使用单层膜、具有多层的多层膜的任一者。
基材层31优选使用经表面处理的膜。在该情况下，能够实现与辅助层32等的粘接性的提高。作为表面处理的具体例，可举出电晕处理、等离子体处理、底涂处理、底漆涂覆处理等。
基材层31的厚度T1没有特别限定(参照图2)。其厚度T1优选为10～200μm，更优选为20～150μm，进一步优选为30～100μm。该厚度T1的范围基于基材层31能够获得良好的特性这样的观点。
这里，基材层31和辅助层32的拉伸弹性模量可通过利用动态粘弹性测定装置(DMA)，由从25℃直至35℃测定而得的数据读取各温度的数据来获得。测定条件是使样品尺寸为宽度10mm，夹盘间的长度为20mm，频率1Hz，升温速度5℃/分钟。
以下，对于基材层31的拉伸弹性模量，使25℃的值为E’31(25)，使35℃的值为E’31(35)，使25℃以上35℃以下的各温度的值为E’31(t)。
此外，对于辅助层32的拉伸弹性模量，使25℃的值为E’32(25)，使35℃的值为E’32(35)，使25℃以上35℃以下的各温度的值为E’32(t)。
基材层31的拉伸弹性模量通常为E’31(t)≤5000MPa。即，在25℃≤t≤35℃的温度范围内，基材层31的拉伸弹性模量通常为5000MPa以下。因此，E’31(25)≤5000MPa，E’31(35)≤5000MPa。
此外，通常E’31(t)＞E’32(t)。即，在25℃≤t≤35℃的温度范围内，基材层31的拉伸弹性模量通常比辅助层32的拉伸弹性模量高。其高的程度不受限定，E’31(t)比E’32(t)优选高20～4850MPa，更优选高700～4850MPa。
因此，在t＝25℃时，基材层31的拉伸弹性模量与辅助层32的拉伸弹性模量之差(E’31(25)-E’32(25))优选为20MPa≤E’31(25)-E’32(25)≤4850MPa，更优选为700MPa≤E’31(25)-E’32(25)≤4850MPa。
同样地，在t＝35℃时，基材层31的拉伸弹性模量与辅助层32的拉伸弹性模量之差(E’31(35)-E’32(35))优选为20MPa≤E’31(35)-E’32(35)≤4850MPa，更优选为700MPa≤E’31(35)-E’32(35)≤4850MPa。
(2)辅助层
辅助层32是以背面加工时辅助半导体晶片10向固定件41的吸附为目的而设置的层。
具体而言，辅助层32为能够根据具有台阶13的半导体晶片10的表面形状以及固定件41的表面形状这两者而发生弹性变形的层。而且，通过弹性变形的辅助层32，辅助半导体晶片10向固定件41的吸附(参照图5)。
辅助层32在降低了拉伸弹性模量的情况下，柔软性提高。在该情况下，能够提高辅助层32对于半导体晶片10的非磨削面11与固定件41(卡盘台等)的表面形状的追随性。
此外，辅助层32在提高了拉伸弹性模量的情况下，硬度提高。在该情况下，能够抑制辅助层32对于固定件41(卡盘台等)的贴附，提高辅助层32与固定件41的装卸性。
辅助层32的拉伸弹性模量优选为5MPa≤E’32(t)≤150MPa。即，在25℃≤t≤35℃的温度范围内，辅助层32的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下。在该情况下，辅助层32能够在实施背面加工的环境温度下，发挥充分的弹性(力学伸缩性)。
该拉伸弹性模量更优选为6MPa≤E’32(t)≤120MPa。进一步优选为7MPa≤E’32(t)≤80MPa。特别优选为8MPa≤E’32(t)≤60MPa。特别是优选为9MPa≤E’32(t)≤45MPa。
辅助层32所使用的材料没有特别限定。辅助层32的材料优选为树脂，在树脂之中，更优选为具有充分的弹性(力学伸缩性)的树脂，特别优选为包含具有弹性体性的热塑性材料的树脂。
具有弹性体性的热塑性材料可以由具有硬链段和软链段的嵌段共聚物形成，可以由硬聚合物和软聚合物的聚合物合金形成，也可以是具有这两者的特性的材料。
作为热塑性材料料，可举出乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体等。它们可以仅使用1种也可以并用2种以上。
在辅助层32的材料为包含上述热塑性材料的树脂的情况下，相对于构成辅助层32的树脂整体，热塑性材料的比例能够优选为40～100质量％，更优选为60～100质量％，进一步优选为80～100质量％。即，构成辅助层32的树脂可以仅由上述热塑性材料形成。
此外，上述热塑性材料之中，乙烯乙酸乙烯酯共聚物能够根据乙酸乙烯酯的含量进行弹性的调整，因此特别优选。乙烯乙酸乙烯酯共聚物中的乙酸乙烯酯的含量在使聚合物整体为100质量％的情况下，优选为4～30质量％，更优选为5～25质量％，进一步优选为8～20质量％。
辅助层32的厚度T2没有特别限定(参照图2)。该厚度T2优选为100～500μm，更优选为100～400μm，进一步优选为100～250μm。该厚度T2的范围基于维持能够充分进行弹性变形的程度的裕度这样的观点。
(3)其它层
吸附辅助膜30并不限于具有上述各层的构成，能够为具有其它层的构成。
作为其它层，可举出：用于将吸附辅助膜30粘贴于半导体晶片10的非磨削面11侧的保持层；在具有上述凸块15的半导体晶片10的情况下，吸收由凸块15带来的凹凸形状的凹凸吸收层；提高与保持层的界面强度的界面强度提高层；抑制低分子量成分向保持层的表面移动的移动防止层；防止吸附辅助膜30的带电的抗静电层等。它们可以仅使用1种也可以并用2种以上。
上述保持层能够在成为非磨削面11侧的基材层31的一面涂布或层叠粘着剂、粘接剂而形成。例如，作为粘着剂，可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、橡胶系粘着剂、能量射线固化型粘着剂等，作为粘接剂，可举出丙烯酸系、环氧系、有机硅系等。
在保持层为粘着剂的情况下，粘着力没有特别限定。该粘着力优选为0.1～10N/25mm。粘着力更优选为0.2～9N/25mm，进一步优选为0.3～8N/25mm。该粘着力的范围基于能够确保与半导体晶片的良好的粘接性的同时，剥离时抑制在半导体晶片上的残胶这样的观点。
另外，该粘着力为对于硅镜晶片(silicone mirror wafer)的粘着力。具体而言，是在温度23℃，相对湿度50％的环境下，粘贴于硅镜晶片的表面，放置60分钟之后，从硅镜晶片的表面进行180度剥离时的测定值。上述以外的其它测定条件遵循JIS Z0237：2009。
在保持层为粘着剂的情况下，其厚度没有特别限定。厚度优选为1～50μm，更优选为2～45μm，进一步优选为3～40μm。该厚度的范围基于能够发挥适合的粘着力的同时没有残胶地剥离这样的观点。
凹凸吸收层能够在成为非磨削面11侧的基材层31的一面，特别是基材层31与保持层之间层叠并形成。该凹凸吸收层的材料只要具有由流动性或可塑性的显现带来的凹凸吸收性，就没有特别限定。作为其材料，可举出例如丙烯酸系树脂、烯烃系树脂和乙烯-极性单体共聚物等。
凹凸吸收层的厚度只要为能够发挥对于由凸块15带来的凹凸形状的凹凸吸收性的厚度，就没有特别限定。该厚度优选为20μm以上，更优选为80μm以上，进一步优选为170μm以上。
[3]背面加工
如上所述，上述半导体晶片10通过实施背面加工而被薄层化。该背面加工具备：对于半导体晶片10粘贴吸附辅助膜30的粘贴工序；使粘贴有吸附辅助膜30的半导体晶片10吸附于固定件41的吸附工序；以及将半导体晶片10的背面进行加工的加工工序。
该背面加工通过使用如图5和图6所示那样的加工装置40来进行，所述加工装置40具备吸附半导体晶片10而固定的固定件41、以及将半导体晶片10的磨削面12进行磨削的磨削件42。
以下，对于粘贴工序、吸附工序和加工工序的各工序进行说明。
(1)粘贴工序
粘贴工序是以将上述吸附辅助膜30粘贴于半导体晶片10为目的的工序。
如图4所示那样，在粘贴工序中，吸附辅助膜30粘贴于半导体晶片10的非磨削面11。
在粘贴工序中，吸附辅助膜30以覆盖半导体晶片10的非磨削面11的凹凸形状，特别是外周部的台阶13的方式粘贴于该半导体晶片10的非磨削面11。
另外，在粘贴工序中，对于用于将吸附辅助膜30粘贴于半导体晶片10的方法和装置，没有特别限定。该方法和该装置能够使用现有的方法和装置。
(2)吸附工序
吸附工序是以将粘贴有上述吸附辅助膜30的半导体晶片10吸附于固定件41为目的的工序。
通过该吸附工序，吸附辅助膜30介于半导体晶片10的非磨削面11与吸附半导体晶片10的固定件41之间，经由该吸附辅助膜30将该半导体晶片10吸附于固定件41。
即，该吸附工序被包含于本发明的吸附方法。
具体而言，如图5所示那样，通过上述粘贴工序而粘贴有吸附辅助膜30的半导体晶片10以非磨削面11朝向固定件41侧的方式，吸附于固定件41。
该吸附工序中的吸附辅助膜30的辅助层32中，固定件41侧的表层部分配合固定件41的表面形状而发生弹性变形。
即，吸附辅助膜30的辅助层32不受非磨削面11的表面形状的影响，特别是，与受台阶13的偏差等影响而变得不确定的吸附面积ar1无关，以使对于固定件41的吸附面积ar3保持为与固定件41的表面面积ar4大致相同尺寸的方式发生弹性变形。
换句话说，吸附辅助膜30通过具有能够弹性变形的辅助层32，从而能够不受台阶13等这样的半导体晶片10的表面形状的影响，保持对于固定件41确实地吸附的吸附面积ar3。
因此，半导体晶片10通过使吸附辅助膜30介于固定件41之间，从而可抑制由台阶13造成的吸附不良的发生。
由此，本发明的吸附辅助膜30在具有由剪裁加工产生的台阶13的半导体晶片10的吸附方法中是特别有用的。
(3)加工工序
加工工序是以通过将半导体晶片10的磨削面12进行磨削，从而将该半导体晶片10薄层化为目的的工序。
如图6所示那样，在加工工序中，半导体晶片10在保持上述吸附工序中吸附于固定件41的状态的同时，使磨削件42抵接于该磨削面12。
在加工装置40中，磨削件42按照以沿半导体晶片10的厚度方向伸长的轴心作为旋转中心可自由旋转的方式构成，并且按照沿半导体晶片10的厚度方向可自由移动的方式构成。此外，在加工装置40中，固定件41按照以其中心作为轴心可自由旋转的方式构成。
而且，在使磨削件42和固定件41各自旋转的同时移动磨削件42而使磨削件42抵接于磨削面12，通过保持该状态，从而对该磨削面12进行磨削，使半导体晶片10薄层化。
此外，本发明还能够在DBG、SDBG的背面磨削中使用。即，如图7所示那样，在DBG、SDBG中，半导体晶片10在非磨削面11上，如果为DBG，则具有多个半切割(half cut)部17，如果为SDBG，则具有多个改性层17。该半导体晶片10在加工工序中磨削面12被磨削而薄层化的同时，在各半切割部17或各改性层17分离成多张芯片(chip)10A而被单片化。
实施例
以下，通过实施例具体地说明本发明。
[吸附辅助膜]
作为吸附辅助膜30，使用了12英寸用的吸附辅助膜。
对于吸附辅助膜30的构成，基材层31、辅助层32如下所示。
(1)基材层31
材质：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，E’31(25)：4726MPa，E’31(35)：4581MPa。
厚度：50μm。
(2)辅助层32
〈实施例1〉
材质：乙烯乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯的含量：19％)，E’32(25)：21MPa，E’32(35)：17MPa。
厚度：120μm。
〈实施例2〉
材质：乙烯乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯的含量：9％)，E’32(25)：40MPa，E’32(35)：34MPa。
厚度：120μm。
〈实施例3〉
材质：乙烯乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯的含量：9％)，E’32(25)：40MPa，E’32(35)：34MPa。
厚度：160μm。
〈比较例1〉
没有设置辅助层32。
[半导体晶片]
作为设置有电路的半导体晶片10，使用了以下半导体晶片。
(1)规格
直径：300mm。
厚度：810μm。
材质：硅(silicone)。
(2)台阶13
将宽度W设定为5mm，高度H设定为50μm，进行剪裁加工，形成台阶13。
[背面加工]
(1)粘贴工序
准备胶带粘贴机(日东精机制的编号“DR-3000II”)，在半导体晶片10的非磨削面11粘贴吸附辅助膜30，切除剩余部分，获得了实施例1～3和比较例1的试样。
(2)吸附工序
准备加工装置(DISCO公司制的产品编号“DGP8760”)，使实施例1～3和比较例1的各试样吸附于加工装置的固定件41，观测有无吸附不良。
对于该观测，使各试样吸附于固定件41各3次，测定吸附不良的发生次数。
观测的结果是：实施例1～3完全没有发生吸附不良。
而另一方面，比较例1在全部3次吸附中发生了吸附不良。
由上述结果表明，通过具有辅助层32的吸附辅助膜30，能够防止吸附不良。
(3)加工工序
对于在上述(2)的吸附工序中完全没有发生吸附不良的实施例1～3，使用上述加工装置实施了背面加工。
关于该背面加工，对各试样的各3张进行背面加工，测定晶片开裂等不良的发生数。
其结果是：实施例1～3没有发生晶片开裂等不良。
由上述结果表明，通过具有辅助层32的吸附辅助膜30，能够防止背面加工时的晶片开裂等不良的发生。
产业上的可利用性
本发明的吸附辅助膜可广泛用于半导体部件制造的用途。特别是在外周缘产生了台阶的半导体晶片中，具有能够合适地抑制对于固定件的吸附不良的特性，因此适合用于制造生产率优异的部件。
符号说明
10：半导体晶片，10A：芯片，
11：非磨削面(形成有电路的面)，
12：磨削面，
13：台阶，
14：圆弧面，
15：凸块，
17：半切割部或改性层，
20：剪裁装置，
21：卡盘台，
22：剪裁刮刀，
30：吸附辅助膜，
31：基材层，
32：辅助层，
40：加工装置，
41：固定件，
42：磨削件。

Claims (15)

1.一种吸附辅助膜，其特征在于，为在将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时，介于所述固定件与所述半导体晶片之间的吸附辅助膜，其具有：
粘贴于形成有所述电路的面一侧的基材层、以及
以被所述基材层支撑的状态与所述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
2.根据权利要求1所述的吸附辅助膜，所述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
3.根据权利要求1或2所述的吸附辅助膜，所述半导体晶片为通过在形成有所述电路的所述面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于所述固定件的吸附面积的半导体晶片。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的吸附辅助膜，所述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的吸附辅助膜，所述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的吸附辅助膜，所述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
9.一种半导体晶片的吸附方法，其特征在于，具备吸附工序：使吸附辅助膜介于半导体晶片的形成有电路的面与吸附所述半导体晶片的固定件之间，经由该吸附辅助膜将该半导体晶片吸附于所述固定件，
所述半导体晶片为通过在形成有所述电路的面的外周缘具有台阶，从而减少了该面对于所述固定件的吸附面积的半导体晶片，
所述吸附辅助膜具有：
粘贴于形成有所述电路的所述面一侧的基材层、以及
以被所述基材层支撑的状态与所述固定件接触而辅助吸附的辅助层。
10.根据权利要求9所述的半导体晶片的吸附方法，所述辅助层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5MPa以上150MPa以下的层。
11.根据权利要求9或10所述的半导体晶片的吸附方法，所述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体所组成的组中的1种或2种以上。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体晶片的吸附方法，所述辅助层的厚度为100μm以上500μm以下。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的半导体晶片的吸附方法，所述基材层是温度25℃以上35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的半导体晶片的吸附方法，所述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺所组成的组中的1种或2种以上。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的半导体晶片的吸附方法，所述基材层的厚度为10μm以上200μm以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011151163A (ja) 2010-01-21 2011-08-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ表面保護テープ、樹脂製基材フィルム
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