CN115141567A - 工件加工用片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够发挥优异的抗静电性并能够良好地抑制切削片的产生的工件加工用片。所述工件加工用片具备基材(11)与层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12),其中,基材(11)具备靠近粘着剂层(12)的表面层(111)、远离粘着剂层(12)的背面层(113)、及位于表面层(111)与背面层(113)之间的中间层(112),表面层(111)及背面层(113)分别含有抗静电剂,表面层(111)的厚度为10μm以下。

Description

工件加工用片
技术领域
本发明涉及一种用于加工半导体晶圆等工件的工件加工用片。
背景技术
硅、砷化镓等半导体晶圆或各种封装类被制造成大直径的状态,在被切断(切割)成芯片且被剥离(拾取)后,被转移至作为后续工序的安装工序中。此时,半导体晶圆等工件以层叠在具备基材及粘着剂层的粘着片(以下,有时称为“工件加工用片”)上的状态,进行背面研磨、切割、清洗、干燥、扩展、拾取、安装等加工。
在作为上述切割的具体方法的常规的全切切割(Full-cut Dicing)中,利用旋转的圆刀片(切割刀片)切断工件。此时,为了确保切断层叠在工件加工用片上的工件,通常不仅切断工件,也切断粘着剂层,进一步还切断部分基材。此时,工件加工用片上产生由构成粘着剂层及基材的材料形成的切削片,通过切断工件而得到的芯片有时会被切削片污染。作为该切削片的典型的形态之一,存在一种附着在切割线上或附着在通过切割而分离的芯片的截面附近的线状切削片。
若上述线状切削片大量附着在芯片上,则有时会阻碍引线结合,进一步,若以该状态直接进行芯片的密封,则附着在芯片上的线状切削片会因密封的热而分解,该热分解物会破坏封装,或导致所获得的器件发生故障。由于难以通过清洗去除该线状切削片,因此切割工序的成品率因产生线状切削片而显著下降。由此,要求在使用工件加工用片进行切割时,防止产生线状切削片。
此外,特定的处理工序结束后会从被粘物上剥离工件加工用片,但此时有时会在工件加工用片与被粘物之间产生被称为剥离静电的静电。这样的静电导致灰尘等附着在工件或装置上,同时会导致工件等的破损。因此,还要求工件加工用片具有抗静电性。
在专利文献1中公开了一种以特定的掺合比掺合特定的抗静电剂、特定的聚烯烃类树脂及特定的橡胶状弹性体而成的基材,其目的在于提供一种具有优异的切削片抑制效果及抗静电性的工件加工用片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5056112号
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,在半导体晶圆的切割工序之后,通常对所得到的芯片进行清洗。具体而言,将载置有多个芯片的工件加工用片吸附并固定在旋转台上,在工件加工用片上使用超纯水进行芯片的清洗及清洗之后的干燥(风干)。在这些处理结束后,会从旋转台上分离载置有多个芯片的工件加工用片,但本申请的发明人确认到了在进行该分离时也会产生剥离静电。
若考虑到上述剥离静电,则不能说专利文献1等现有的工件加工用片高水平地实现了切削片抑制效果与抗静电性。
本发明是鉴于这些实际状况而完成的,目的在于提供一种能够在发挥优异的抗静电性的同时还能够良好地抑制产生切削片的工件加工用片。
解决技术问题的技术手段
为了实现上述目的,第一,本发明提供一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的一面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,所述基材具备靠近所述粘着剂层的表面层、远离所述粘着剂层的背面层、及位于所述表面层与所述背面层之间的中间层,所述表面层及所述背面层分别含有抗静电剂,所述表面层的厚度为10μm以下(发明1)。
通过使上述发明(发明1)的工件加工用片的基材具备上述三个层,并且使其中的表面层及背面层分别含有抗静电剂,进一步使表面层的厚度在上述范围内,能够发挥优异的抗静电性并良好地抑制切削片的产生。
在上述发明(发明1)中,优选粘着剂层的与基材为相反侧的面的表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中,优选所述中间层不含所述抗静电剂,或所述中间层含有所述抗静电剂且其含量(单位:质量%)少于所述表面层及所述背面层各自的所述抗静电剂的含量(发明3)。
在上述发明(发明1~3)中,优选所述抗静电剂为高分子型抗静电剂(发明4)。
在上述发明(发明1~4)中,优选所述中间层的厚度为40μm以上且75μm以下(发明5)。
在上述发明(发明1)中,优选所述背面层的厚度为2μm以上且40μm以下。
在上述发明(发明1~6)中,优选所述工件加工用片为切割片(发明7)。
发明效果
本发明的工件加工用片能够发挥优异的抗静电性并能够良好地抑制切削片的产生。
附图说明
图1为本发明的一个实施方案的工件加工用片的截面图。
附图标记说明
1:工件加工用片;11:基材;111:表面层;112:中间层;113:背面层;12:粘着剂层。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方案进行说明。
图1示出了一个实施方案的工件加工用片的截面图。图1所示的工件加工用片1具备基材11与层叠于基材11的一面侧的粘着剂层12。
如图1所示,上述基材11具备靠近粘着剂层12的表面层111、远离粘着剂层12的背面层113、及位于表面层111与背面层113之间的中间层112。
并且,表面层111及背面层113分别含有抗静电剂。由此,本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。因此,能够良好地抑制从工件加工用片1上分离剥离片或工件时的剥离静电。进一步,能够良好地防止在对工件加工用片1上的工件进行清洗及干燥之后从旋转台上分离工件加工用片1时的剥离静电。
进一步,本实施方案的表面层111的厚度为10μm以下。如此,通过使靠近粘着剂层12的表面层111的厚度为10μm以下,在使用本实施方案的工件加工用片进行切割时,能够良好地抑制切削片的产生。本申请的发明人发现,与不含抗静电剂的层相比,含有抗静电剂的层容易产生切削片。通过使本实施方案的工件加工用片1的含有抗静电剂的表面层111薄至10μm以下,能够发挥所需的抗静电性并能够良好地抑制切削片的产生。
从更容易有效地抑制切削片的产生的角度出发,表面层111的厚度优选为8μm以下,特别优选为4μm以下。此外,从容易具有更良好的抗静电性的角度出发,表面层111的厚度优选为1μm以上,特别优选为2μm以上。
1.工件加工用片的构成
(1)基材
如上所述,本实施方案的基材11具备表面层111、中间层112及背面层113。对于这些层的组成,只要满足表面层111及背面层113分别含有抗静电剂,则没有特别限定。
其中,虽然中间层112可含有抗静电剂,但从容易抑制产生切削片的角度出发,优选中间层112不含抗静电剂、或者中间层112含有抗静电剂且其含量(单位:质量%)少于表面层111及背面层113各自的所述抗静电剂的含量,含量的单位为质量%。如此,通过使不含抗静电剂或抗静电剂含量较少的中间层112存在于表面层111与背面层113之间,在进行切割时切割刀片到达中间层112的情况下,能够良好地抑制中间层112产生切削片。
作为构成基材11的各层中的除抗静电剂以外的材料,只要能够形成这些层则没有特别限定,例如可以使用树脂。从容易抑制切削片的产生的角度出发,优选使用聚烯烃类树脂及热塑性弹性体中的至少一种。
另外,表面层与背面层可以为不同的组成,也可以为完全相同的组成。
(1-1)抗静电剂
本实施方案的抗静电剂没有特别限定,可使用公知的抗静电剂。作为抗静电剂的实例,可列举出低分子型抗静电剂或高分子型抗静电剂等,但从容易抑制切削片的产生且不易从表面层111或背面层113渗出的角度出发,优选高分子型抗静电剂。
作为高分子型抗静电剂,可列举出聚醚酯酰胺、聚醚聚烯烃嵌段共聚物等具有聚醚单元的共聚物,这些共聚物中可含有碱金属盐、碱土金属盐等金属盐或离子液体。
表面层111中的抗静电剂的含量优选为3质量%以上,特别优选为5质量%以上,进一步优选为10质量%以上。通过使抗静电剂的含量为3质量%以上,容易发挥良好的抗静电性。此外,表面层111中的抗静电剂的含量优选为40质量%以下,特别优选为35质量%以下,进一步优选为30质量%以下。通过使抗静电剂的含量为40质量%以下,容易抑制切削片的产生。
背面层113中的抗静电剂的含量优选为10质量%以上,特别优选为20质量%以上,进一步优选为30质量%以上。通过使抗静电剂的含量为10质量%以上,容易发挥良好的抗静电性。此外,背面层113中的抗静电剂的含量优选为50质量%以下,特别优选为45质量%以下,进一步优选为40质量%以下。通过使抗静电剂的含量为50质量%以下,容易抑制切削片的产生。
另外,如上所述,优选中间层112不含抗静电剂或中间层112含有抗静电剂且其含量(单位:质量%)少于表面层111及背面层113各自的所述抗静电剂的含量。当中间层112含有抗静电剂时,中间层112中的该抗静电剂的含量优选为10质量%以下,特别优选为5质量%以下,进一步优选为3质量%以下。通过使中间层112中的抗静电剂的含量为5质量%以下,更容易抑制切削片的产生。另外,上述含量的下限值例如可以为0.01质量%以上。
(1-2)聚烯烃类树脂
上述聚烯烃类树脂的具体实例没有特别限定。另外,在本说明书中,聚烯烃类树脂是指以烯烃为单体的均聚物或共聚物、或者以烯烃与除烯烃以外的分子为单体的共聚物,其是在聚合后的树脂中基于烯烃单元的部分的质量比为1.0质量%以上的树脂。
构成上述聚烯烃类树脂的高分子可以为直链状,也可以具有侧链。此外,该高分子可以具有芳香环、脂肪族环。
作为构成聚烯烃类树脂的烯烃单体,可例示出碳原子数为2~8的烯烃单体、碳原子数为3~18的α-烯烃单体、具有环状结构的烯烃单体等。作为碳原子数为2~8的烯烃单体,可例示出乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯等。作为碳原子数为3~18的α-烯烃单体,可例示出丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯等。作为具有环状结构的烯烃单体,可例示出降冰片烯、环戊二烯、环己二烯、双环戊二烯及四环十二碳烯以及这些烯烃的衍生物等。
聚烯烃类树脂可以单独使用一种或混合使用两种以上。
在上述的聚烯烃类树脂的具体实例中,优选使用含有乙烯作为主要聚合单元的聚乙烯及含有丙烯作为主要聚合单元的聚丙烯中的至少一种。
作为上述聚丙烯,例如优选使用均聚丙烯、无规聚丙烯及嵌段聚丙烯。这些聚丙烯可以单独使用一种或混合使用两种以上。特别优选将均聚丙烯与无规聚丙烯混合而进行使用。
作为上述的均聚丙烯、无规聚丙烯及嵌段聚丙烯,可分别使用已上市的市售品。作为均聚丙烯的市售品的实例,可列举出均由Prime Polymer Co.,Ltd.制造的产品名称“Prime Polypro E111G”、产品名称“Prime Polypro E-100GV”、产品名称“Prime PolyproE-100GPL”、产品名称“Prime Polypro E-200GP”等。作为无规聚丙烯的市售品的实例,可列举出均由Prime Polymer Co.,Ltd.制造的产品名称“Prime Polypro B221WA”、产品名称“Prime Polypro B241”、产品名称“Prime Polypro E222”、产品名称“Prime Polypro E-333GV”等。作为嵌段聚丙烯的市售品的实例,可列举出均由Prime Polymer Co.,Ltd.制造的产品名称“Prime Polypro E701G”、产品名称“Prime Polypro E702G”、产品名称“PrimePolypro E702MG”等。
作为上述聚乙烯,可以为高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及线性低密度聚乙烯中的任意一种,也可以为这些聚乙烯中的两种以上的混合物。
作为上述聚乙烯,特别优选使用低密度聚乙烯,作为其市售品的实例,可列举出Mitsubishi Chemical Corporation制造的产品名称“NOVATEC LL”,Prime Polymer Co.,Ltd.制造的NEO-ZEX系列或ULT ZEX系列等。
当构成基材11的任一层含有聚烯烃类树脂时,该层中的聚烯烃类树脂的含量优选为10质量%以上,特别优选为15质量%以上,进一步优选为20质量%以上。此外,上述含量优选为100质量%以下,特别优选为95质量%以下,进一步优选为90质量%以下。通过使聚烯烃类树脂的含量在上述范围内,本实施方案的工件加工用片1容易获得更良好的切削片抑制效果。
(1-3)热塑性弹性体
作为上述的热塑性弹性体,只要为除上述聚烯烃类树脂以外的成分且能够形成基材11,则没有特别限定。作为热塑性弹性体的实例,例如可列举出烯烃类弹性体、橡胶弹性体、氨基甲酸酯类弹性体、苯乙烯类弹性体、丙烯酸类弹性体、氯乙烯类弹性体等。这些热塑性弹性体可以单独使用,也可以组合使用两种以上。
在上述弹性体中,从容易获得良好的切削片抑制效果这一角度出发,优选烯烃类弹性体。另外,在本说明书中,“烯烃类弹性体”是指含有来自烯烃或其衍生物(烯烃类化合物)的结构单元的共聚物,其为一种在包括常温的温度范围内具有类橡胶弹性且同时具有热塑性的材料。
作为烯烃类弹性体的实例,可列举出含有选自由乙烯-丙烯共聚物、乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯-α-烯烃共聚物、丁烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丙烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丁烯-α-烯烃共聚物、丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物及乙烯-丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物组成的组中的至少一种树脂的烯烃类弹性体。在这些共聚物中,优选乙烯-丙烯共聚物。
当构成基材11的任一层含有热塑性弹性体时,该层中的热塑性弹性体的含量优选为1质量%以上,特别优选为10质量%以上,进一步优选为15质量%以上。此外,上述含量优选为90质量%以下,特别优选为80质量%以下,进一步优选为70质量%以下。通过使热塑性弹性体的含量在上述范围内,本实施方案的工件加工用片1容易获得更良好的切削片抑制效果。
另外,构成基材11的层虽然可含有作为热塑性弹性体的苯乙烯类弹性体,但从容易获得更良好的切削片抑制效果这一角度出发,优选其含量少,特别优选构成基材11的层基本上不含苯乙烯类弹性体。另外,在本说明书中,“苯乙烯类弹性体”是指含有来自苯乙烯或其衍生物(苯乙烯类化合物)的结构单元的共聚物,其为一种在包括常温的温度范围内具有类橡胶弹性且同时具有热塑性的材料。
当构成基材11的层含有苯乙烯类弹性体时,其含量优选小于10质量%,特别优选为5质量%以下,进一步优选为1质量%以下。另外,上述的基本上不含苯乙烯类弹性体的情况具体是指,构成基材11的层中的苯乙烯类弹性体的含量为0.2质量%以下。
(1-4)其他成分
构成基材11的层可含有除上述的抗静电剂、聚烯烃类树脂及热塑性弹性体以外的其他成分。特别是该树脂组合物中可以含有通常的用于工件加工用片的基材中的成分。
作为这样的成分的实例,可列举出阻燃剂、增塑剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。这些添加剂的含量没有特别限定,但优选设为使基材发挥所需功能的范围。
(1-5)基材的表面处理
为了提高基材11的层叠粘着剂层12的面与该粘着剂层12的密合性,可以对该面实施底漆处理(primer treatment)、电晕处理、等离子处理、粗化处理(磨砂加工)等表面处理。作为粗化处理,例如可列举出压纹(Emboss)加工法、喷砂(sand blasting)加工法等。在这些表面处理中,优选实施电晕处理。
(1-6)基材的制造方法
本实施方案的基材11的制造方法没有特别限定,例如可使用T模法、圆模法(丸ダイ法)等熔融挤出法;压延法(calendering);干法、湿法等溶液法等。其中,从高效地制造基材的角度出发,优选采用熔融挤出法,特别优选采用T模法。
此外,当通过熔融挤出法制造基材11时,将构成各层的成分分别进行捏合,由所得到的捏合物直接成膜即可,或将将所得到的捏合物先制造成颗粒(pellet)后,使用公知的挤出机同时挤出多个层而成膜即可。
(1-7)基材的物理特性等
基材11的表面层111侧的面的表面电阻率优选为1.0×1013Ω/□以下,特别优选为1.0×1012Ω/□以下,进一步优选为1.0×1011Ω/□以下。通过使上述表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下,本实施方案的工件加工用片1容易具有良好的抗静电性。另外,上述表面电阻率的下限值没有特别限定,例如可以为1.0×108Ω/□以上,特别可以为1.0×109Ω/□以上。上述表面电阻率的测定方法的详细内容如后述的试验例中的记载所示。
本实施方案的中间层112的厚度优选为40μm以上,特别优选为50μm以上,进一步优选为60μm以上。通过使中间层112的厚度为40μm以上,容易抑制切削片的产生。此外,工件加工用片1容易具有适当的强度,容易良好地支撑固定在工件加工用片1上的工件。中间层112的厚度优选为100μm以下,特别优选为90μm以下,进一步优选为80μm以下。通过使中间层112的厚度为100μm以下,工件加工用片1的厚度具有良好的柔软性,例如容易良好地进行扩展。
本实施方案的背面层113的厚度优选为2μm以上,特别优选为4μm以上,进一步优选为8μm以上。通过使背面层113的厚度为2μm以上,工件加工用片1容易具有良好的抗静电性。此外,背面层113的厚度优选为40μm以下,特别优选为30μm以下,进一步优选为25μm以下。通过使背面层112的厚度为40μm以下,工件加工用片1的厚度具有良好的柔软性,例如容易良好地进行扩展。
(2)粘着剂层
作为构成本实施方案的粘着剂层12的粘着剂,只要能够对被粘物发挥充分的粘着力(特别是对进行工件加工而言充分的对工件的粘着力)则没有特别限定。作为构成粘着剂层12的粘着剂的实例,可列举出丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮(Silicone)类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯醚类粘着剂等。其中,从容易发挥所需的粘着力的角度出发,优选使用丙烯酸类粘着剂。
构成本实施方案的粘着剂层12的粘着剂可以为不具有活性能量射线固化性的粘着剂,但优选为具有活性能量射线固化性的粘着剂(以下,有时称为“活性能量射线固化性粘着剂”)。通过由活性能量射线固化性粘着剂构成粘着剂层12,能够通过照射活性能量射线而使粘着剂层12固化,从而容易降低工件加工用片1对被粘物的粘着力。特别是通过照射活性能量射线,能够容易地将加工后的工件从该工件加工用片1上分离。
作为构成粘着剂层12的活性能量射线固化性粘着剂,其可以为以具有活性能量射线固化性的聚合物为主要成分的粘着剂,也可以为以非活性能量射线固化性聚合物(不具有活性能量射线固化性的聚合物)与具有至少一个以上活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物为主要成分的粘着剂。此外,活性能量射线固化性粘着剂还可以为具有活性能量射线固化性的聚合物与具有至少一个以上活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物。
上述具有活性能量射线固化性的聚合物优选为在侧链引入了具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下,有时称为“活性能量射线固化性聚合物”)。该活性能量射线固化性聚合物优选为使具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物与含不饱和基团化合物进行反应而得到的聚合物,所述含不饱和基团化合物具有与所述丙烯酸类聚合物的官能团键合的官能团。另外,在本说明书中,(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。其他类似术语也相同。进一步,“聚合物”中还包含“共聚物”的概念。
上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物可以为使含官能团单体与其他单体一同聚合而成的聚合物。作为这样的含官能团单体及其他单体、以及上述的含不饱和基团化合物,可以使用公知的单体和化合物,例如可以使用国际公开第2018/084021号中公开的单体和化合物。
上述活性能量射线固化性聚合物的重均分子量优选为1万以上,特别优选为15万以上,进一步优选为20万以上。此外,该重均分子量优选为150万以下,特别优选为100万以下。另外,本说明书中的重均分子量(Mw)为通过凝胶渗透色谱法(GPC法)测定的标准聚苯乙烯换算的值。
作为上述非活性能量射线固化性聚合物成分,例如可使用使含不饱和基团化合物进行反应前的上述丙烯酸类聚合物。
作为上述非活性能量射线固化性聚合物成分的丙烯酸类聚合物的重均分子量,优选为1万以上,特别优选为15万以上,进一步优选为20万以上。此外,该重均分子量优选为150万以下,特别优选为100万以下。
此外,作为上述具有至少一个以上活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物,例如可以使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
另外,当使用紫外线作为用于使活性能量射线固化性粘着剂固化的活性能量射线时,优选向该粘着剂中添加光聚合引发剂。此外,还可向该粘着剂中添加非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分、或者交联剂等。
本实施方案的粘着剂层12的厚度优选为1μm以上,特别优选为3μm以上,进一步优选为5μm以上。此外,粘着剂层12的厚度优选为70μm以下,特别优选为30μm以下,进一步优选为15μm以下。通过使粘着剂层12的厚度在上述范围内,本实施方案的工件加工用片1容易发挥所需的粘着性。
(3)剥离片
在本实施方案的工件加工用片1中,在将粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(以下,有时称为“粘着面”)贴附于工件之前,出于保护该面的目的,可以在该面上层叠剥离片。
上述剥离片的构成是任意的,可例示出使用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的材料。作为该塑料膜的具体实例,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜,及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烃膜。作为上述剥离剂,可以使用硅酮类、氟类、长链烷基类等,其中,优选廉价且可获得稳定性能的硅酮类。
上述剥离片的厚度没有特别限制,例如可以为16μm以上且250μm以下。
(4)其他
在本实施方案的工件加工用片1中,可在粘着剂层12的与基材11为相反侧的面上层叠粘合剂层。此时,本实施方案的工件加工用片1可用作切割-固晶片。对于该片,通过将工件贴附在粘合剂层的与粘着剂层12为相反侧的面上,并将该工件与粘合剂层一同切割,能够得到层叠有经过单颗化的粘合剂层的芯片。该芯片通过该经过单颗化的粘合剂层,可容易地固定在搭载该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料,优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料、或含有B阶段(半固化状)的热固化型粘合成分的材料等。
此外,在本实施方案的工件加工用片1中,可在粘着剂层12的粘着面上层叠保护膜形成层。此时,本实施方案的工件加工用片1可用作保护膜形成用片兼切割用片。对于这样的片,通过将工件贴附在保护膜形成层的与粘着剂层12为相反侧的面上,并将该工件与保护膜形成层一同切割,能够得到层叠有经过单颗化的保护膜形成层的芯片。作为该工件,优选使用在一个面上形成有电路的工件,此时,通常在与形成有该电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过在规定的时机使经过单颗化的保护膜形成层固化,可在芯片上形成具有充分的耐久性的保护膜。保护膜形成层优选由未固化的固化性粘合剂形成。
2.工件加工用片的物理特性
在本实施方案的工件加工用片1中,紫外线照射前的粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(粘着面)的表面电阻率优选为1.0×1013Ω/□以下,特别优选为1.0×1012Ω/□以下,进一步优选为1.0×1011Ω/□以下。通过使上述表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下,本实施方案的工件加工用片1容易具有良好的抗静电性。另外,上述表面电阻率的下限值没有特别限定,例如可以为1.0×108Ω/□以上,特别可以为1.0×109Ω/□以上。上述表面电阻率的测定方法的详细内容如后述的试验例中的记载所示。
3.工件加工用片的制造方法
本实施方案的工件加工用片1的制造方法没有特别限定。例如,优选在剥离片上形成粘着剂层12后,在该粘着剂层12的与剥离片为相反侧的面上层叠基材11的一个面,由此得到工件加工用片1。
可通过公知的方法进行上述粘着剂层12的形成。例如,制备含有用于形成粘着剂层12的粘着性组合物且根据需要进一步含有溶剂或分散介质的涂布液。然后,在剥离片的具有剥离性的面(以下,有时称为“剥离面”)上涂布上述涂布液。然后,通过将所得到的涂膜干燥,可形成粘着剂层12。
可通过公知的方法进行上述涂布液的涂布,例如可通过棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等进行。另外,只要能够进行涂布,则对涂布液的性状没有特别限定,有时以溶质的形式含有用于形成粘着剂层12的成分,有时以分散体的形式含有用于形成粘着剂层12的成分。此外,剥离片可作为工程材料而剥离,也可以在被贴附至被粘物之前保护粘着剂层12。
当用于形成粘着剂层12的粘着性组合物含有上述交联剂时,优选通过改变上述的干燥条件(温度、时间等)或通过另外设置加热处理,而使涂膜内的聚合物成分与交联剂进行交联反应,以所需的存在密度在粘着剂层12内形成交联结构。进一步,为了充分地进行上述交联反应,可在将粘着剂层12与基材11贴合之后,进行例如在23℃、相对湿度为50%的环境下静置数天的熟化。
4.工件加工用片的使用方法
本实施方案的工件加工用片1可用于半导体晶圆等工件的加工。即,可在将本实施方案的工件加工用片1的粘着面贴附在工件上之后,在工件加工用片1上进行工件的加工。根据该加工,将本实施方案的工件加工用片1用作背磨片、切割片、扩展片、拾取片等。其中,作为工件的实例,可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件、玻璃板等玻璃构件。
如上所述,将本实施方案的工件加工用片1用于使用旋转的圆刀片的切割中时,能够良好地抑制切削片、特别是线状切削片的产生。因此,本实施方案的工件加工用片1特别适合用作上述工件加工用片中的切割片。
进一步,如上所述,本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。本实施方案的工件加工用片1能够抑制分离剥离片时或分离工件时的剥离静电。进一步,本实施方案的工件加工用片1也能够有效地抑制以将工件加工用片固定在旋转台上的状态对芯片进行清洗及干燥之后,从旋转台上分离工件加工用片时的剥离静电。因此,本实施方案的工件加工用片1也适合使用于这样的清洗·干燥。
另外,当本实施方案的工件加工用片1具备上述的粘合剂层时,该工件加工用片1可用作切割-固晶片。进一步,当本实施方案的工件加工用片1具备上述的保护膜形成层时,该工件加工用片1可用作保护膜形成用片兼切割用片。
此外,当本实施方案的工件加工用片1中的粘着剂层12由上述的活性能量射线固化性粘着剂构成时,在使用时,优选如下所述地照射活性能量射线。即,当在工件加工用片1上完成工件加工并将加工后的工件从工件加工用片1上分离时,优选在该分离前对粘着剂层12照射活性能量射线。由此,粘着剂层12固化,粘着片对加工后的工件的粘着力良好地下降,加工后的工件的分离变得容易。
以上所说明的实施方案是为了容易理解本发明而记载的,并非示为了限定本发明而记载。因此,上述实施方案中公开的各要素还包括属于本发明技术范围内的所有设计变更和等同物。
例如,可以在本实施方案的工件加工用片1中的基材11与粘着剂层12之间、或在基材11的与粘着剂层12为相反侧的面上层叠其他层。此外,也可以在表面层111的与中间层112为相反侧的面上、表面层111与中间层112之间、中间层112与背面层113之间、以及背面层113的与中间层112为相反侧的面上分别层叠其他层。
实施例
以下,通过实施例等对本发明进行进一步详细说明,但本发明的范围不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
(1)基材的制作
分别将36质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造,产品名称“NOVATEC FX3B”)、59质量份的烯烃类热塑性弹性体(Japan PolypropyleneCorporation制造,产品名称“WELNEX RFX4V”)及5质量份的抗静电剂(SANYO CHEMICALINDUSTRIES,LTD.制造,产品名称“PELECTRON PVL”)干燥之后,使用双轴捏合机进行捏合,由此得到表面层用及背面层用的颗粒。
此外,分别将38质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造,产品名称“NOVATEC FX3B”)及62质量份的烯烃类热塑性弹性体(Japan PolypropyleneCorporation制造,产品名称“WELNEX RFX4V”)干燥之后,使用双轴捏合机进行捏合,由此得到中间层用颗粒。
利用小型T模挤出机(Toyo Seiki Seisaku-sho,Ltd.制造,产品名称“LABOPLASTOMILL”)使用通过上述方法得到的两种颗粒,进行共挤出成型,得到依次层叠厚度为4μm的表面层、厚度为72μm的中间层、厚度为4μm的背面层而成的三层结构的基材。
(2)粘着性组合物的制备
通过溶液聚合法使62质量份的丙烯酸正丁酯、10质量份的甲基丙烯酸甲酯、28质量份的丙烯酸2-羟基乙酯进行聚合,得到(甲基)丙烯酸酯聚合物。然后,添加相对于构成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯相当于80摩尔%的量的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI),同时以相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物为0.13质量份的量添加作为含锡催化剂的二月桂酸二丁基锡(DBTDL)。然后,在50℃下反应24小时,由此得到在侧链引入了活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物。通过后述的方法测定该活性能量射线固化型聚合物的重均分子量,结果为50万。
在溶剂中混合100质量份(固体成分换算,以下相同)上述得到的在侧链引入了活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物、2质量份的作为光聚合引发剂的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(巴斯夫公司制造,产品名称“Omnirad 127”)、1质量份的作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造,产品名称“CORONATE L”),得到粘着性组合物的涂布液。
(3)粘着剂层的形成
对厚度为38μm的在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一个面上形成有硅酮类的剥离剂层的剥离片(LINTEC Corporation制造,产品名称“SP-PET381031”)的剥离面,涂布在上述工序(2)中得到的粘着性组合物的涂布液,通过加热使其干燥,由此得到在剥离片上形成有厚度为5μm的粘着剂层的层叠体。
(4)粘着片的制作
对上述工序(1)中得到的基材的表面层侧的面实施电晕处理后,通过将该电晕处理面与上述工序(3)中得到的层叠体的粘着剂层侧的面进行贴合,由此得到工件加工用片。
其中,上述重均分子量(Mw)为按照以下的条件、使用凝胶渗透色谱(GPC)测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
<测定条件>
·测定装置:TOSOH CORPORATION制造,HLC-8320
·GPC色谱柱(按照以下的顺序通过):TOSOH CORPORATION制造TSK gel super H-H
TSK gel super HM-H
TSK gel super H2000
·测定溶剂:四氢呋喃
·测定温度:40℃
[实施例2~6,比较例1~2]
除了按照表1的记载变更用于形成基材的各层的颗粒的组成及各层的厚度以外,用与实施例1相同的方法得到工件加工用片。
[试验例1](表面电阻率的测定)
在23℃、50%相对湿度下将实施例及比较例中制造的基材调湿24小时之后,使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST CORPORATION制造),以100V的施加电压测定表面层侧的面的表面电阻率。将结果示于表2。
此外,将实施例及比较例中制造的工件加工用片裁切为100mm×100mm,将其作为表面电阻率测定用样本,在23℃、50%相对湿度下将该表面电阻率测定用样本调湿24小时之后,剥离掉剥离片,用与上述相同的方法测定露出的粘着剂层侧的面(粘着面)的表面电阻率。将该结果也示于表2。
[试验例2](切削片抑制效果的评价)
从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离掉剥离片之后,使用贴膜机(LINTEC Corporation制造,产品名称“RAD2500m/12”)将露出的粘着剂层的露出面贴附在6英寸的硅晶圆的一个面上。然后,将切割用环形框架附着在工件加工用片的上述露出面的周边部(不与硅晶圆重叠的位置)。进一步,沿环形框架的外径裁切工件加工用片。
然后,使用切割装置(DISCO Corporation制造,产品名称“DFD6362”),按照以下的切割条件进行切割,由此将硅晶圆单颗化成具有5mm×5mm的尺寸的芯片。
切割条件
晶圆的厚度:150μm
刀片:以下的Z1及Z2均为DISCO Corporation制造
Z1:产品名称“ZH05-SD3000-50DD”
Z2:产品名称“NBC-SD3000-50BB”
刀片转速
Z1:55000rpm
Z2:45000rpm
切削速度:20mm/秒
进刀深度
Z1:0.135mm
Z2:0.065mm
切削水量:1.0L/分钟
切削水温度:25℃
切割后,通过使用电子显微镜(KEYENCE CORPORATION制造,产品名称“VHZ-100”,倍率:300倍)观察所得到的芯片的表面,对切削片的数量进行计数。具体而言,对每片晶圆上的存在于该切割线上的削片的数量进行计数。然后,根据以下的标准,对切削片抑制效果进行评价。将切削片数量及评价结果示于表2。
◎:切削片数量为3个以下。
○:切削片数量超过3个且为10个以下。
×:切削片数量超过10个。
[试验例3](抗静电性的评价)
使用研磨机(DISCO Corporation制造,产品名称“DFG8540”),对6英寸硅晶圆的一个面进行研磨,研磨至厚度为350μm。使用层压机,将从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离掉剥离片而露出的粘着剂层的露出面贴附于该研磨面。
在贴附20分钟后,使用切割装置(DISCO Corporation制造,产品名称“DFD6362”),按照以下的切割条件进行切割,由此将硅晶圆单颗化成芯片。
切割条件
芯片尺寸:10mm×10mm
切割高度:60μm
刀片:产品名称“ZH05-SD2000-Z1-90 CC”
刀片转速:35000rpm
切削速度:60mm/秒
切削水量:1.0L/分钟
切削水温度:20℃
切割后,以通过吸附将工件加工用片固定在旋转台上的状态,对通过上述方法得到的芯片进行清洗及干燥。然后,从旋转台上提起工件加工用片之后立刻使用测定器(Prostat Corporation制造,产品名称“PFK-100”),测定工件加工用片的静电压(V)。然后,按照以下标准评价抗静电性。将静电压及评价结果示于表2。
◎:静电压为100V以下。
○:静电压超过100V且为500V以下。
×:静电压超过500V。
Figure BDA0003442251880000201
Figure BDA0003442251880000211
由表2可知,实施例中制造的工件加工用片良好地抑制了切削片并表现出优异的抗静电性。
工业实用性
本发明的工件加工用片可适用于半导体晶圆等工件的加工。

Claims (7)

1.一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的一面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,
所述基材具备靠近所述粘着剂层的表面层、远离所述粘着剂层的背面层、及位于所述表面层与所述背面层之间的中间层,
所述表面层及所述背面层分别含有抗静电剂,
所述表面层的厚度为10μm以下。
2.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,粘着剂层的与基材为相反侧的面的表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下。
3.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,
所述中间层不含所述抗静电剂,或
所述中间层含有所述抗静电剂,且其含量少于所述表面层及所述背面层各自的所述抗静电剂的含量,含量的单位为质量%。
4.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述抗静电剂为高分子型抗静电剂。
5.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述中间层的厚度为40μm以上且75μm以下。
6.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述背面层的厚度为2μm以上且40μm以下。
7.根据权利要求1所述的工件加工用片,其特征在于,所述工件加工用片为切割片。
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