CN115148655A - 工件加工用片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种拾取性及抗静电性均优异的工件加工用片。所述工件加工用片为具备基材(11)与粘着剂层(12)的工件加工用片(1)，其中，基材(11)具备靠近粘着剂层(12)的表面层(111)、远离粘着剂层(12)的背面层(113)、及位于表面层(111)与背面层(113)之间的中间层(112)，表面层(111)及背面层(113)含有抗静电剂，在温度为23℃及相对湿度为50％RH的环境下对基材(11)进行拉伸试验时，拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为6.5MPa以上且10MPa以下。

Description

工件加工用片
技术领域
本发明涉及一种用于半导体晶圆等工件的加工的工件加工用片。
背景技术
硅、砷化镓等半导体晶圆或各种封装(package)类被制造成大直径的状态，在被切断(切割)为芯片并被剥离(拾取)后，被转移至作为下一个工序的安装(mount)工序。此时，半导体晶圆等工件以层叠在具备基材及粘着剂层的粘着片(以下，有时称为“工件加工用片”)上的状态，进行背面研磨、切割、清洗、干燥、扩展、拾取、安装等加工。
例如，将完成背面研磨后的半导体晶圆贴附于片，并在该片上进行切割。通过切割，半导体晶圆被单颗化(singulation)成多个半导体芯片。然后，将多个半导体芯片从片上逐个拾取。
此外，作为其他方法，在上述切割后，将支撑在上述片上的多个半导体芯片转印至其他片，将多个半导体芯片从该其他片上逐个拾取。
使用芯片分离器(die ejector)等装置进行半导体芯片从如上所述的片上的拾取。该装置从该片的与贴附有半导体芯片的面为相反侧的面，将半导体芯片逐个顶起，将其与其他半导体芯片上分离。通过如此地顶起1个半导体芯片，容易进行利用吸嘴的拾取。此外，此时，通过根据需要将该片扩展从而在半导体芯片间创造间隙，可使顶起及拾取更加容易。
作为顶起的方式，有使用1个或多个销或针的方式。该方式中，销或针的前端与该片以点接触，并以点将半导体芯片顶起。然而，近年来，由于半导体芯片的薄膜化得到发展，且作为半导体材料的硬质且更容易破裂的材料的使用得到推进，因此半导体芯片进一步变脆。对这种半导体芯片进行操作时，若销或针的顶起量较大，则半导体芯片可能会破损。
专利文献1中公开了一种切割膜，其规定了基材包含特定的无规聚丙烯(A)与特定的烯烃类弹性体(B)、并规定了该烯烃类弹性体(B)的100％拉伸应力以获得适宜的扩展性及优异的拾取性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5494132号
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，完成规定的处理工序后会将工件加工用片从被粘物上剥离，此时，有时会在工件加工用片与被粘物之间产生被称作剥离起电的静电。这种静电为尘埃等附着于工件或装置的原因，同时为工件等发生破损的原因。因此，还要求工件加工用片具备抗静电性。
此外，在半导体晶圆的切割工序后，通常会进行所得到的芯片的清洗。具体而言，将载置有多个芯片的工件加工用片吸附并固定于旋转工作台，在工件加工用片上进行利用超纯水的芯片的清洗、及此后的干燥(风干)。完成这些处理后，将载置有多个芯片的工件加工用片从旋转工作台上分离，本申请的发明人确认了进行该分离时也会产生剥离起电。
然而，专利文献1那种以往的工件加工用片无法应对抗静电性，会产生如上所述的剥离起电的问题。
本发明是鉴于这种实际状况而完成的，其目的在于提供一种拾取性及抗静电性均优异的工件加工用片。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述基材具备靠近所述粘着剂层的表面层、远离所述粘着剂层的背面层、及位于所述表面层与所述背面层之间的中间层，所述表面层及所述背面层含有抗静电剂，在温度为23℃及相对湿度为50％RH的环境下对所述基材进行拉伸试验时，拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为6.5MPa以上且10MPa以下(发明1)。
在上述发明(发明1)中，通过使表面层及背面层含有抗静电剂，从而具有优异的抗静电性。此外，通过使表面层含有抗静电剂、且使基材具有上述拉伸物性，从该工件加工用片上拾取芯片时的拾取性优异。
在上述发明(发明1)中，优选所述表面层、所述中间层及所述背面层分别含有烯烃类热塑性弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，优选所述中间层含有苯乙烯类热塑性弹性体(发明3)。
在上述发明(发明1～3)中，优选所述中间层不含抗静电剂，或者所述中间层含有抗静电剂，且含量(单位：质量％)少于所述表面层及所述背面层各自的所述抗静电剂的含量(发明4)。
在上述发明(发明1～4)中，优选所述抗静电剂为高分子型抗静电剂(发明5)。
在上述发明(发明1～5)中，优选所述粘着剂层的与基材为相反侧的面的表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下(发明6)。
在上述发明(发明1～6)中，优选工件加工用片为切割片(发明7)。
发明效果
本发明的工件加工用片的拾取性及抗静电性均优异。
附图说明
图1为本发明的一个实施方案的工件加工用片的剖面图。
附图标记说明
1：工件加工用片；11：基材；111：表面层；112：中间层；113：背面层；12：粘着剂层。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方案进行说明。
图1示出了本发明的一个实施方案的工件加工用片的剖面图。图1所示的工件加工用片1具备基材11与层叠于基材11的单面侧的粘着剂层12。
如图1所示，上述基材11具备靠近粘着剂层12的表面层111、远离粘着剂层12的背面层113、及位于表面层111与背面层113之间的中间层112。
在本实施方案的工件加工用片1中，表面层111及背面层113含有抗静电剂。而且，在温度为23℃及相对湿度为50％RH的环境下对基材11进行拉伸试验时，拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为6.5MPa以上且10MPa以下。以下，有时将与拉伸应力相关的物性称为“拉伸物性”。另外，本说明书中的拉伸试验的具体测定方法如后述的试验例所示。
通过使表面层111及背面层113含有抗静电剂，本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。因此，能够良好地抑制从工件加工用片1上分离剥离片或工件时的剥离起电。进一步，在进行工件加工用片1上的工件的清洗及干燥后，也能够良好地防止从旋转工作台上分离工件加工用片1时的剥离起电。
此外，对于本实施方案的工件加工用片1，通过使表面层111含有抗静电剂并使基材11具有上述拉伸物性，从该工件加工用片1上拾取芯片时的拾取性优异。具体而言，能够将拾取时用于将芯片顶起的销或针的顶起量抑制得较小。其结果，能够有效地抑制芯片因该顶起而破损等损坏。虽然通过使表面层111含有抗静电剂从而获得优异的拾取性的理由未必确定，但认为是发挥了作为某种添加剂的效果。此外，认为通过使基材11具有上述拉伸物性从而可获得优异的拾取性的理由在于，该基材11通过顶起而发挥以粘着剂层12与芯片的接触面变小的方式变形的硬度或延伸性。
对于本实施方案的基材11，从获得优异的拾取性的角度出发，基于上述拉伸试验的拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为6.5MPa以上，优选为6.6MPa以上，特别优选为6.7MPa以上，进一步优选为6.8MPa以上。此外，同样从获得优异的拾取性的角度出发，上述拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为10MPa以下，优选为9.8MPa以下，特别优选为9.4MPa以下，进一步优选为9.0MPa以下。
对于本实施方案的基材11，从获得优异的拾取性的角度出发，基于上述拉伸试验的拉伸伸长率为100％时的拉伸应力优选为5.0MPa以上，特别优选为5.2MPa以上，进一步优选为5.4MPa以上。此外，同样从获得优异的拾取性的角度出发，上述拉伸伸长率为100％时的拉伸应力优选为7.8MPa以下，特别优选为7.4MPa以下，进一步优选为7.0MPa以下。
1.工件加工用片的构成
1-1.基材
如上所述，本实施方案的基材11具备表面层111、中间层112及背面层113。
(1)表面层
在本实施方案的工件加工用片1中，表面层111含有抗静电剂。由此，可获得优异的抗静电性，同时还可获得优异的拾取性。另外，如后文所述，抗静电剂为在切割时产生切削片的原因，但通过将表面层111的厚度减薄，并使中间层112不含抗静电剂或减少抗静电剂的含量，与基材整体含有抗静电剂的情况相比，可使切削片的产生显著减少。
对本实施方案的抗静电剂没有特别限定，能够使用公知的抗静电剂。作为抗静电剂的实例，可列举出低分子型抗静电剂或高分子型抗静电剂等，从获得优异的拾取性的角度、以及不易从所形成的层渗出(bleedout)的角度出发，优选高分子型抗静电剂。
作为高分子型抗静电剂，可列举出聚醚酯酰胺、聚醚聚烯烃嵌段共聚物等具有聚醚单元的共聚物，这些共聚物中也可包含碱金属盐、碱土金属盐等金属盐、或者离子液体。
表面层111中的抗静电剂的含量优选为3质量％以上，特别优选为5质量％以上，进一步优选为10质量％以上。由此，抗静电性及拾取性更加优异。此外，该含量优选为40质量％以下，特别优选为35质量％以下，进一步优选为30质量％以下。由此，可将切削片的产生抑制得较低。
作为构成表面层111的除抗静电剂以外的材料，只要满足上述拉伸物性，则没有特别限定，为了满足上述拉伸物性，优选至少含有烯烃类热塑性弹性体(以下，有时称为“烯烃类弹性体”)及聚烯烃类树脂中的至少一种，特别优选至少含有烯烃类弹性体且根据所需进一步含有聚烯烃类树脂。通过这些成分，易于满足上述拉伸物性，拾取性更加优异。另外，“烯烃类弹性体”为包含来自烯烃或其衍生物(烯烃类化合物)的结构单元的共聚物，且为在包含常温的温度区域具有类橡胶弹性并同时具有热塑性的材料。
作为烯烃类弹性体的实例，可列举出包含选自由乙烯-丙烯共聚物、乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯-α-烯烃共聚物、丁烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丙烯-α-烯烃共聚物、乙烯-丁烯-α-烯烃共聚物、丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物及乙烯-丙烯-丁烯-α-烯烃共聚物组成的组中的至少一种树脂的烯烃类弹性体。其中，优选乙烯-丙烯共聚物。
表面层111中的烯烃类弹性体的含量优选为3质量％以上，特别优选为5质量％以上，进一步优选为7质量％以上。此外，该含量优选为50质量％以下，特别优选为47质量％以下，进一步优选为45质量％以下。通过使表面层111中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，更容易达成上述拉伸物性，拾取性更加优异。
通过使表面层111含有聚烯烃类树脂，在制膜时的制膜性、抑制切屑(chipping)方面是优异的。另外，在本说明书中，聚烯烃类树脂是指为以烯烃为单体的均聚物或共聚物、或者以烯烃与除烯烃以外的分子为单体的共聚物，且聚合后的树脂中的基于烯烃单元的部分的质量比为1.0质量％以上的树脂。
只要不阻碍上述拉伸物性、可获得所需的效果，则对聚烯烃类树脂没有特别限定。构成聚烯烃类树脂的高分子可以为直链状，也可以具有侧链。此外，还可以具有芳香环、脂肪族环。
作为构成聚烯烃类树脂的烯烃单体，可例示出碳原子数为2～8的烯烃单体、碳原子数为3～18的α-烯烃单体、具有环状结构的烯烃单体等。作为碳原子数为2～8的烯烃单体，可例示出乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯等。作为碳原子数为3～18的α-烯烃单体，可例示出丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯等。作为具有环状结构的烯烃单体，可例示出降冰片烯、环戊二烯、环己二烯、双环戊二烯及四环十二碳烯以及它们的衍生物等。
聚烯烃类树脂可以单独使用一种或者混合使用两种以上。
上述的聚烯烃类树脂的具体例中，优选使用包含乙烯作为主要聚合单元的聚乙烯及包含丙烯作为主要聚合单元的聚丙烯中的至少一种。
作为上述聚丙烯，通常可列举出均聚丙烯、无规聚丙烯及嵌段聚丙烯。这些聚丙烯可以单独使用一种或者混合使用两种以上。本实施方案中，从扩展性的角度出发，优选使用无规聚丙烯。
当聚烯烃类树脂含有聚乙烯时，聚乙烯可以为高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及线性低密度聚乙烯中的任意一种，也可以为其中的两种以上的混合物。
从制膜性及抑制切屑的角度出发，表面层111中的聚烯烃类树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为13质量％以上，进一步优选为16质量％以上。此外，从拾取性的角度出发，该含量优选为36质量％以下，特别优选为33质量％以下，进一步优选为30质量％以下。
表面层111还优选含有除烯烃类弹性体以外的热塑性弹性体、尤其是苯乙烯类热塑性弹性体(以下，有时称为“苯乙烯类弹性体”)。苯乙烯类弹性体为包含来自苯乙烯或其衍生物(苯乙烯类化合物)的结构单元的共聚物，且为在包含常温的温度区域具有类橡胶弹性并同时具有热塑性的材料。通过使表面层111含有苯乙烯类弹性体，在切割时可抑制切削片的产生。
作为苯乙烯类弹性体，可列举出苯乙烯-共轭二烯共聚物及苯乙烯-烯烃共聚物等，其中，优选苯乙烯-共轭二烯共聚物。作为苯乙烯-共轭二烯共聚物的具体例，可列举出苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物等未氢化苯乙烯-共轭二烯共聚物；苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS：苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物的氢化物)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS：苯乙烯-丁二烯共聚物的氢化物)等氢化苯乙烯-共轭二烯共聚物等。苯乙烯类热塑性弹性体可以为氢化物(hydride)也可以为未氢化物，但优选为氢化物。上述苯乙烯-共轭二烯共聚物中，从切削片抑制效果的角度及容易达成上述拉伸物性的角度出发，优选氢化苯乙烯-共轭二烯共聚物，特别优选苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)。
苯乙烯类弹性体中的来自苯乙烯或苯乙烯类化合物的结构单元的含量优选为5质量％以上，特别优选为10质量％以上，进一步优选为15质量％以上。由此，更容易达成上述拉伸物性，此外，切削片抑制效果更加优异。此外，上述结构单元的含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。
当表面层111含有苯乙烯类弹性体时，表面层111中的苯乙烯类弹性体的含量优选为1质量％以上，特别优选为25质量％以上，进一步优选为30质量％以上。此外，该含量优选为45质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。通过使表面层111中的苯乙烯类弹性体的含量在上述范围内，易于满足上述拉伸物性。
还优选表面层111含有酸改性树脂作为除上述以外的成分。在本说明书中，“酸改性树脂”是指来自酸成分的结构加成于高分子链而得到的树脂。来自酸成分的结构可以为酸酐的形态，也可以具有羧基。通过使表面层111如上所述地含有酸改性树脂，基材11与粘着剂层12的密合性提高，能够抑制在拾取时粘着剂残留于芯片侧。
作为酸性树脂的主链，例如，可优选列举出乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯-丙烯酸类共聚物。通过该树脂，容易提高表面层111与粘着剂层12的密合性，同时容易满足上述拉伸物性。另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。
其他类似术语也是相同的。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，优选烷基的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯。例如，可优选列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等。其中，更优选(甲基)丙烯酸乙酯，特别优选丙烯酸乙酯。
乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物中的来自(甲基)丙烯酸酯的结构的含量优选为1质量％以上，特别优选为3质量％以上。此外，该含量优选为30质量％以下，特别优选为25质量％以下。通过使上述含量在上述范围内，容易满足上述拉伸物性。
为了使树脂酸改性，优选使不饱和羧酸与树脂反应。作为不饱和羧酸，例如可列举出马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、戊烯二酸、四氢富马酸、乌头酸、马来酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、柠康酸酐、乌头酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氢富马酸酐等。这些不饱和羧酸可以单独使用一种或者组合使用两种以上。上述不饱和羧酸中，从与粘着剂层12的密合性的角度出发，特别优选马来酸酐。
上述酸改性树脂中的酸成分量(来自酸成分的结构的量)优选为1质量％以上，特别优选为2质量％以上。此外，该酸成分量优选为7质量％以下，特别优选为5质量％以下。通过使上述酸成分量在上述范围内，表面层111与粘着剂层12的密合性进一步得以提高。
当表面层111含有酸改性树脂时，表面层111中的酸改性树脂的含量优选为5质量％以上，特别优选为8质量％以上，进一步优选为10质量％以上。由此，表面层111与粘着剂层12的密合性进一步得以提高。此外，该含量优选为35质量％以下，特别优选为30质量％以下，进一步优选为25质量％以下。由此，容易满足上述拉伸物性。
表面层111还可以含有除上述成分以外的其他成分，例如通常的用于工件加工用片的基材的成分。作为这种成分的实例，可列举出阻燃剂、增塑剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。作为这些添加剂的含量，虽然没有特别限定，但优选设为表面层111发挥所需功能的范围。
(2)中间层
在本实施方案中，作为构成中间层112的材料，只要满足上述拉伸物性则没有特别限定，为了满足上述拉伸物性，优选含有烯烃类弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种，更优选至少含有烯烃类弹性体且根据需要进一步含有聚烯烃类树脂，特别优选至少含有烯烃类弹性体且根据需要进一步含有聚烯烃类树脂及苯乙烯类弹性体。通过这些成分，易于满足上述拉伸物性，拾取性更加优异。特别是，若中间层112含有苯乙烯类弹性体，则更容易达成上述拉伸物性，拾取性更加优异。
优选的烯烃类弹性体、聚烯烃类树脂及苯乙烯类弹性体分别与在表面层111中例示的物质相同。
中间层112中的烯烃类弹性体的含量优选为30质量％以上，特别优选为35质量％以上，进一步优选为40质量％以上。此外，该含量优选为60质量％以下，特别优选为55质量％以下，进一步优选为50质量％以下。通过使中间层112中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，更容易达成上述拉伸物性，拾取性更加优异。
中间层112中的聚烯烃类树脂的含量优选为15质量％以上，特别优选为20质量％以上，进一步优选为25质量％以上。此外，该含量优选为45质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为35质量％以下。通过使中间层112中的聚烯烃类树脂的含量在上述范围内，更容易达成上述拉伸物性，拾取性更加优异。
中间层112中的苯乙烯类弹性体的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为40质量％以下，特别优选为35质量％以下，进一步优选为30质量％以下。通过使中间层112中的苯乙烯类弹性体的含量在上述范围内，更容易达成上述拉伸物性，拾取性更加优异。
此处，虽然中间层112可含有抗静电剂，但从容易抑制切削片的产生的角度出发，优选中间层112不含抗静电剂。当中间层112含有抗静电剂时，优选中间层112以比表面层111及背面层113更少的含量(单位：质量％)含有抗静电剂。具体而言，在中间层112中，抗静电剂的含量优选小于5质量％，更优选小于3质量％，特别优选小于1质量％，最优选为0质量％。当中间层112含有抗静电剂时，其含量的下限值例如为0.01质量％以上。本申请的发明人发现了抗静电剂为在切割时产生切削片的原因，但如上所述，通过不含抗静电剂、或者使抗静电剂的含量较少的中间层112存在于表面层111(优选为薄层)之下，与基材整体含有抗静电剂的情况相比，可使切削片的产生显著减少。
与表面层111相同，中间层112还可以含有除上述成分以外的其他成分、例如通常的用于工件加工用片的基材的成分。
(3)背面层
在本实施方案中，背面层113含有抗静电剂。由此，可获得优异的抗静电性。另一方面，如上所述，抗静电剂为在切割时产生切削片的原因，但通常切割刀片不会到达背面层113，因此即使背面层113含有抗静电剂，也不会成为产生切削片的原因。
作为背面层113中的抗静电剂，能够使用与表面层111中的抗静电剂相同的抗静电剂。
背面层113中的抗静电剂的含量优选为10质量％以上，特别优选为20质量％以上，进一步优选为30质量％以上。由此，易于发挥良好的抗静电性。此外，该含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。由此，更容易达成上述拉伸物性。
作为构成背面层113的除抗静电剂以外的材料，只要满足上述拉伸物性则没有特别限定，为了满足上述拉伸物性，优选含有烯烃类弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种，特别优选至少含有烯烃类弹性体且根据需要进一步含有聚烯烃类树脂。通过这些成分，易于满足上述拉伸物性，拾取性更加优异。
优选的烯烃类弹性体及聚烯烃类树脂分别与在表面层111中例示的物质相同。
背面层113中的烯烃类弹性体的含量优选为30质量％以上，特别优选为35质量％以上，进一步优选为40质量％以上。此外，该含量优选为85质量％以下，特别优选为80质量％以下，进一步优选为75质量％以下。通过使背面层113中的烯烃类弹性体的含量在上述范围内，更容易达成上述拉伸物性。
当背面层113含有聚烯烃类树脂时，从制膜性及抑制切屑的角度出发，聚烯烃类树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，从拾取性的角度出发，该含量优选为50质量％以下，特别优选为45质量％以下，进一步优选为40质量％以下。
另外，优选背面层113不含苯乙烯类弹性体作为热塑性弹性体。若含有苯乙烯类弹性体，则可能会在制膜时引起粘连(blocking)、或者影响拾取性。即使背面层113含有苯乙烯类弹性体，也优选其含量为2质量％以下，特别优选为1质量％以下。
与表面层111及中间层112相同，背面层113还可以含有除上述成分以外的其他成分、例如通常的用于工件加工用片的基材的成分。
(4)基材的表面处理
为了提高基材11的层叠粘着剂层12的面与该粘着剂层12的密合性，可以对该面实施底漆处理(primer treatment)、电晕处理、等离子体处理、粗化处理(磨砂加工)等表面处理。作为粗化处理，例如可列举出压纹加工法、喷砂加工法等。其中，优选实施电晕处理。
(5)基材的制造方法
本实施方案的基材11的制造方法没有特别限定，例如可利用T型模具法、圆形模具法(丸ダイ法)等熔融挤出法；压延法；干法、湿法等溶液法等。其中，从效率良好地制造基材的角度出发，优选采用熔融挤出法，特别优选采用T型模具法。
此外，通过熔融挤出法制造基材11时，分别混炼构成各层的成分，由得到的混炼物直接制膜即可，或者先将得到的混炼物制造成颗粒(pellet)后，使用公知的挤出机同时挤出(共挤出)多层来制膜即可。
(6)基材的物性等
(6-1)厚度
本实施方案的表面层111的厚度优选为10μm以下，特别优选为8μm以下，进一步优选为4μm以下。如此，通过使靠近粘着剂层12的表面层111的厚度较薄，能够发挥所需的抗静电性，且良好地抑制切削片的产生。
此外，表面层111的厚度优选为1μm以上，特别优选为2μm以上，进一步优选为3μm以上。由此，容易良好地发挥抗静电性，同时拾取性更加优异。此外，当表面层111含有酸改性树脂时，与粘着剂层12的密合性更加优异。
本实施方案的中间层112的厚度优选为40μm以上，特别优选为50μm以上，进一步优选为60μm以上。由此，容易满足上述拉伸物性，拾取性更加优异。此外，工件加工用片1容易具有适当的强度，容易良好地支撑固定在工件加工用片1上的工件。中间层112的厚度优选为100μm以下，特别优选为90μm以下，进一步优选为80μm以下。由此，容易满足上述拉伸物性。
本实施方案的背面层113的厚度优选为2μm以上，特别优选为4μm以上，进一步优选为8μm以上。由此，工件加工用片1的抗静电性更加优异。此外，背面层113的厚度优选为40μm以下，特别优选为30μm以下，进一步优选为25μm以下。由此，容易满足上述拉伸物性。
本实施方案的基材11整体的厚度优选为50μm以上，特别优选为60μm以上，进一步优选为70μm以上。此外，该厚度优选为140μm以下，特别优选为120μm以下，进一步优选为100μm以下。通过使基材11整体的厚度在上述范围内，容易满足上述拉伸物性，此外，容易良好地支撑固定在工件加工用片1上的工件。
(6-2)表面电阻率
基材11的表面层111侧的面的表面电阻率优选为1.0×1013Ω/□以下，特别优选为1.0×1012Ω/□以下，进一步优选为1.0×1011Ω/□以下。由此，本实施方案的工件加工用片1能够发挥优异的抗静电性。另外，上述表面电阻率的下限值没有特别限定，例如可以为1.0×108Ω/□以上，尤其可以为1.0×109Ω/□以上。本说明书中的表面电阻率的测定方法的详情如后述的试验例所示。
1-2.粘着剂层
作为构成本实施方案的粘着剂层12的粘着剂，只要能够发挥对被粘物的充分的粘着力(尤其是对工件加工而言充分的对工件的粘着力)，则没有特别限定。作为构成粘着剂层12的粘着剂的实例，可列举出丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。其中，从容易发挥所需的粘着力的角度出发，优选使用丙烯酸类粘着剂。
构成本实施方案的粘着剂层12的粘着剂虽然可以为不具有活性能量射线固化性的粘着剂，但优选为具有活性能量射线固化性的粘着剂(以下，有时称为“活性能量射线固化性粘着剂”)。通过使粘着剂层12由活性能量射线固化性粘着剂构成，能够通过照射活性能量射线而使粘着剂层12固化，容易降低工件加工用片1对被粘物的粘着力。特别是能够通过照射活性能量射线而容易地将加工后的工件从该工件加工用片1上分离。
作为构成粘着剂层12的活性能量射线固化性粘着剂，其可以将具有活性能量射线固化性的聚合物作为主要成分，也可以将非活性能量射线固化性聚合物(不具有活性能量射线固化性的聚合物)与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物作为主要成分。此外，活性能量射线固化性粘着剂也可以为具有活性能量射线固化性的聚合物与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的混合物。
优选上述具有活性能量射线固化性的聚合物为在侧链引入了具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下有时称作“活性能量射线固化性聚合物”)。该活性能量射线固化性聚合物优选通过使具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物与含不饱和基团化合物反应而得到，该含不饱和基团化合物具有与丙烯酸类聚合物的官能团键合的官能团。另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。其他类似术语也是相同的。另外，“聚合物”中也包含“共聚物”的概念。
上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类聚合物可以为将其他单体与含官能团单体一同聚合而成的聚合物。作为这样的含官能团单体及其他单体、以及上述的含不饱和基团化合物，可使用公知的单体及化合物，例如可使用国际公开第2018/084021号中公开的单体及化合物。
上述活性能量射线固化性聚合物的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量优选为150万以下，特别优选为100万以下。另外，本说明书中的重均分子量(Mw)为通过凝胶渗透色谱法(GPC法)测定的标准聚苯乙烯换算的值。
作为上述的非活性能量射线固化性聚合物成分，例如能够使用与含不饱和基团化合物反应前的上述丙烯酸类聚合物。
作为上述非活性能量射线固化性聚合物成分的丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量优选为150万以下，特别优选为100万以下。
此外，作为上述的具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物，例如能够使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
另外，使用紫外线作为用于使活性能量射线固化性粘着剂固化的活性能量射线时，优选向该粘着剂中添加光聚合引发剂。此外，可向该粘着剂中添加非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分、交联剂等。
本实施方案的粘着剂层12的厚度优选为1μm以上，特别优选为3μm以上，进一步优选为5μm以上。此外，粘着剂层12的厚度优选为70μm以下，特别优选为30μm以下，进一步优选为15μm以下。通过使粘着剂层12的厚度为上述范围，本实施方案的工件加工用片1易于发挥所需的粘着性。
1-3.剥离片
对于本实施方案的工件加工用片1，出于保护粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(以下，有时称为“粘着面”)的目的，可以在将该面贴附于工件之前，在该面上层叠剥离片。
上述剥离片的构成为任意，可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行了剥离处理的剥离片。作为该塑料膜的具体例，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜；及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为上述剥离剂，能够使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可获得稳定性能的硅酮类。
对上述剥离片的厚度没有特别限制，例如可以为16μm以上且250μm以下。
1-4.其他
本实施方案的工件加工用片1中，也可以在粘着剂层12的与基材11为相反侧的面上层叠粘合剂层。此时，能够将本实施方案的工件加工用片1用作切割-固晶(die bonding)片。通过将工件贴附在该片中的粘合剂层的与粘着剂层12为相反侧的面上，并将粘合剂层与该工件一同切割，能够得到层叠有被单颗化的粘合剂层的芯片。可利用该被单颗化的粘合剂层而将该芯片容易地固定在搭载该芯片的对象上。作为构成上述粘合剂层的材料，优选使用含有热塑性树脂与低分子量的热固性粘合成分的材料、或含有B阶段(半固化状)的热固化型粘合成分的材料等。
此外，本实施方案的工件加工用片1中，也可以在粘着剂层12的粘着面上层叠保护膜形成层。此时，能够将本实施方案的工件加工用片1用作保护膜形成兼切割用片。通过将工件贴附在这种片中的保护膜形成层的与粘着剂层12为相反侧的面上，并将保护膜形成层与该工件一同切割，能够得到层叠有被单颗化的保护膜形成层的芯片。作为该工件，优选使用在单面形成有电路的工件，此时，通常在与该形成有电路的面为相反侧的面上层叠保护膜形成层。通过在规定的时间点使被单颗化的保护膜形成层固化，能够在芯片上形成具有充分的耐久性的保护膜。优选保护膜形成层由未固化的固化性粘合剂形成。
2.工件加工用片的物性
本实施方案的工件加工用片1中，粘着剂层12的与基材11为相反侧的面(粘着面)的表面电阻率优选为1.0×1013Ω/□以下，特别优选为1.0×1012Ω/□以下，进一步优选为1.0×1011Ω/□以下。由此，可以说本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。另外，上述表面电阻率的下限值没有特别限定，例如可以为1.0×108Ω/□以上，尤其可以为1.0×109Ω/□以上。另外，当粘着剂层12为活性能量射线固化性时，将上述表面电阻率设为对粘着剂层12照射活性能量射线而使该粘着剂层12固化后的值。
3.工件加工用片的制造方法
本实施方案的工件加工用片1的制造方法没有特别限定。例如，优选在剥离片上形成粘着剂层12，然后在该粘着剂层12的与剥离片为相反侧的面上层叠基材11的表面层111侧的面，由此得到工件加工用片1。
能够通过公知的方法形成上述粘着剂层12。例如，制备含有用于形成粘着剂层12的粘着性组合物、且根据所需进一步含有溶剂或分散介质的涂布液。然后，在剥离片的具有剥离性的面(以下，有时称为“剥离面”)上涂布上述涂布液。接着，使得到的涂膜干燥，由此能够形成粘着剂层12。
能够通过公知的方法涂布上述涂布液，例如可通过棒涂法、刮刀涂布法(knifecoating method)、辊涂法、刮板涂布法(blade coating method)、模涂法(die coatingmethod)、凹版涂布法等进行。另外，涂布液只要能够进行涂布，则对其性状没有特别限定，有含有用于形成粘着剂层12的成分作为溶质的情况，也有含有用于形成粘着剂层12的成分作为分散体的情况。此外，剥离片可作为工序材料而被剥离，也可保护粘着剂层12直到将其贴附于被粘物为止。
当用于形成粘着剂层12的粘着性组合物含有上述交联剂时，优选通过改变上述的干燥条件(温度、时间等)、或者通过另行设置加热处理，使涂膜内的聚合物成分与交联剂进行交联反应，以所需的存在密度在粘着剂层12内形成交联结构。进一步，为了使上述交联反应充分进行，在贴合粘着剂层12与基材11后，例如可进行在23℃、相对湿度为50％的环境下静置数天的熟化。
4.工件加工用片的使用方法
能够将本实施方案的工件加工用片1使用于半导体晶圆等工件的加工。即，能够将本实施方案的工件加工用片1的粘着面贴附于工件，然后在工件加工用片1上进行工件的加工。能够根据该加工，将本实施方案的工件加工用片1用作背面研磨片、切割片、扩展片、拾取片等。此处，作为工件的实例，可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件；玻璃板等玻璃构件。
如上所述，由于本实施方案的工件加工用片1的拾取性优异，因此优选其为在至少包含拾取工序的工序中使用的片。例如，可以为在从切割起到拾取为止的过程中使用的切割片，也可以为转印切割得到的芯片的用于拾取的转印片。
此外，如上所述，通过适当地选择表面层111及中间层112的材料及厚度，本实施方案的工件加工用片1能够在切割时良好地抑制切削片的产生。此时，本实施方案的工件加工用片1尤其适合用作为上述工件加工用片中的切割片。
另外，如上所述，本实施方案的工件加工用片1具有优异的抗静电性。本实施方案的工件加工用片1能够抑制分离剥离片时或分离工件时的剥离起电。另外，本实施方案的工件加工用片1也能够有效地抑制以将工件加工用片固定于旋转工作台的状态进行芯片的清洗及干燥后，从旋转工作台上分离工件加工用片时的剥离起电。因此，也能够将本实施方案的工件加工用片1适当地用于上述清洗、干燥。
另外，当本实施方案的工件加工用片1具备上述粘合剂层时，能够将该工件加工用片1用作切割-固晶片。另外，当本实施方案的工件加工用片1具备上述保护膜形成层时，能够将该工件加工用片1用作保护膜形成兼切割用片。
此外，当本实施方案的工件加工用片1中的粘着剂层12由上述活性能量射线固化性粘着剂构成时，也优选在使用时进行如下所述的活性能量射线的照射。即，在工件加工用片1上完成工件的加工、并将加工后的工件(芯片)从工件加工用片1上分离(拾取)时，优选在进行该分离前对粘着剂层12照射活性能量射线。由此，粘着剂层12固化，粘着片对加工后的工件的粘着力良好地降低，加工后的工件的分离变得容易。
以上所说明的实施方案是为了易于理解本发明而记载的，并非是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方案所公开的各要件也涵盖属于本发明的技术范围内的所有设计变更和均等物。
例如，可以在本实施方案的工件加工用片1的基材11与粘着剂层12之间、或者基材11的与粘着剂层12为相反侧的面上层叠有其他层。此外，可以分别在表面层111的与中间层112为相反侧的面、表面层111与中间层112之间、中间层112与背面层113之间、及背面层113的与中间层112为相反侧的面上层叠有其他层。
实施例
以下，通过实施例等对本发明进行进一步具体的说明，但本发明的范围不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
(1)基材的制作
将28质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“NOVATEC FX3B”)、42质量份的烯烃类弹性体(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)、及30质量份的高分子型抗静电剂(SANYO CHEMICALINDUSTRIES,LTD.制造，产品名称“PELECTRON PVL”)分别干燥后，利用双轴混炼机进行混炼，由此得到表面层用及背面层用的颗粒。
此外，将30质量份的无规聚丙烯树脂(Japan Polypropylene Corporation制造，产品名称“NOVATEC FX3B”)、45质量份的烯烃类弹性体(Japan PolypropyleneCorporation制造，产品名称“WELNEX RFX4V”)、及25质量份的作为苯乙烯类弹性体的苯乙烯-乙烯/(乙烯-丙烯)-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)(KURARAY CO.,LTD.制造，“HYBRAR7311F”，苯乙烯比率：12质量％)分别干燥后，利用双轴混炼机进行混炼，由此得到中间层用颗粒。
使用如上所述地得到的2种颗粒，利用小型T型模具挤出机(Toyo Seiki Seisaku-sho,Ltd.制造，产品名称“LABO PLASTOMILL”)进行共挤出成型，得到厚度为4μm的表面层、厚度为72μm的中间层及厚度为4μm的背面层依次层叠而成的三层结构的基材。
(2)粘着性组合物的制备
通过溶液聚合法，使60质量份的丙烯酸正丁酯、10质量份的甲基丙烯酸甲酯及30质量份的丙烯酸2-羟基乙酯聚合，得到(甲基)丙烯酸酯聚合物。接着，添加相对于构成上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯相当于80摩尔％的量的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)，同时以相对于100质量份的上述(甲基)丙烯酸酯聚合物为0.13质量份的量添加作为含锡催化剂的二月桂酸二丁基锡(DBTDL)。然后，在50℃下反应24小时，由此得到在侧链引入了活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物。利用后述方法测定该活性能量射线固化型聚合物的重均分子量，结果为50万。
于溶剂中混合100质量份(固体成分换算，以下相同)的在上述得到的在侧链引入了活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯聚合物、2质量份的作为光聚合引发剂的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(巴斯夫公司制造，产品名称“Omnirad 127”)、1质量份的作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)，得到粘着性组合物的涂布液。
(3)粘着剂层的形成
将上述工序(2)中得到的粘着性组合物的涂布液涂布于在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面形成有硅酮类的剥离剂层的剥离片(LINTEC Corporation制造，产品名称“SP-PET381031”)的剥离面，通过加热使其干燥，由此得到在剥离片上形成有厚度为5μm的粘着剂层的层叠体。
(4)粘着片的制作
对上述工序(1)中得到的基材的表面层侧的面实施电晕处理，并与上述工序(3)中得到的层叠体的粘着剂层侧的面贴合，由此得到工件加工用片。
此处，上述重均分子量(Mw)为使用凝胶渗透色谱(GPC)、在以下的条件下测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
＜测定条件＞
·测定装置：TOSOH CORPORATION制造，HLC-8320
·GPC色谱柱(按以下顺序通过)：TOSOH CORPORATION制造
TSK gel superH-H
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
·测定溶剂：四氢呋喃
·测定温度：40℃
[实施例2～5、比较例1]
除了将用于形成基材的各层的颗粒的组成及各层的厚度变更为表1所记载的以外，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。
另外，在实施例2～5中，在表面层中进一步掺合作为酸改性树脂的乙烯-丙烯酸乙酯共聚物的马来酸酐加成物(SK Functional Polymer公司制造，产品名称“BONDINELX4110”，丙烯酸乙酯含量：5质量％，酸成分量：3质量％)。
此外，在实施例3中，在表面层中进一步掺合32质量份的作为苯乙烯类弹性体的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“TuftecH1062”，苯乙烯比率：18质量％)。
另外，在实施例2及3中，作为中间层的苯乙烯类弹性体，使用苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“Tuftec H1062”，苯乙烯比率：18质量％)。在实施例4中，作为中间层的苯乙烯类弹性体，使用苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物
(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“Tuftec H1041”，苯乙烯比率：30质量％)。在实施例5中，作为中间层的苯乙烯类弹性体，使用苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(Asahi Kasei Corporation制造，产品名称“Tuftec H1517”，苯乙烯比率：43质量％)。
[比较例2]
使用与实施例1相同的装置，制作由单层的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Dow-MitsuiPolychemicals Co.,Ltd.制造，产品名称“NUCREL N0903HC”)形成的膜(厚度：80μm)。对得到的膜的粘着剂层层叠侧的面照射一次10kGy的电子束2.2秒，将其作为基材。使用该基材，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。
[比较例3]
使用与实施例1相同的装置，制作由单层的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Dow-MitsuiPolychemicals Co.,Ltd.制造，产品名称“NUCREL N0903HC”)形成的膜(厚度：80μm)。以每次2.2秒的方式对得到的膜的粘着剂层层叠侧的面照射两次10kGy的电子束，将其作为基材。使用该基材，以与实施例1相同的方式制造工件加工用片。
[试验例1](拉伸试验)
将实施例及比较例中制造的基材裁切成10mm×140mm的试验片，并按照JISK7161:2014，测定温度为23℃且相对湿度为50％RH时的拉伸弹性模量。具体而言，利用拉伸试验机(ORIENTEC Co.,Ltd.制造，产品名称“TENSILON RTA-T-2M”)，将夹头间距设定为100mm后，以200mm/分钟的速度对上述试验片进行拉伸试验，测定拉伸伸长率为100％及250％时的拉伸应力(MPa)。另外，在对基材进行成型时的挤出方向(MD方向)进行测定。将结果示于表2。
[试验例2](拾取性的评价)
准备利用研磨机(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)以#2000研磨到了150μm的刚研磨完的硅晶圆(inline)、及研磨后经过7天的硅晶圆(7天后)。
从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片后，使用贴膜机(LINTECCorporation制造，产品名称“Adwill RAD2500m/12”)，将露出的粘着剂层的露出面贴附于上述硅晶圆的研磨面。接着，使切割用环形框架附着在工件加工用片的上述露出面的周边部(不与硅晶圆重叠的位置)。进一步，根据环形框架的外径来裁切工件加工用片。
接着，使用切割装置(DISCO Corporation制造，产品名称“DFD6362”)，在以下的切割条件下进行切割，由此将硅晶圆单颗化为10mm×10mm的尺寸的芯片。
＜切割条件＞
晶圆的厚度：150μm
刀片：DISCO Corporation制造，产品名称“ZH05-SD2000-N1-50 CC”
刀片转速：30000rpm
切削速度：60mm/秒
进刀深度：0.060mm
切削水量：1.0L/分钟
切削水温度：20℃
切割后，在氮气氛围下，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，产品名称“RAD-2000m/12”)，隔着基材对工件加工用片的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)，使粘着剂层固化。
接着，使用拾取装置(Canon Machinery Inc.制造，产品名称“BESTEM D02”)，以以下的拾取条件从工件加工用片上拾取芯片。
＜拾取条件＞
·拾取方式：4销
·拾取速度：20mm/s
·销顶起量：150～450μm
对于inline硅晶圆及研削7天后的硅晶圆，将芯片的拾取所需的销顶起量的结果分别示于表2。然后，采用inline的结果及7天后的结果中顶起量较大的结果，基于以下基准，对拾取性进行评价。将评价结果示于表2。
◎：顶起量小于200μm
〇：顶起量为200μm以上且小于250μm
×：顶起量为250μm以上
[试验例3](表面电阻率的测定)
将实施例及比较例中制造的基材在23℃、50％的相对湿度下调湿24小时后，使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST CORPORATION制造)，以100V的施加电压测定表面层侧的面的表面电阻率。将结果示于表2。
此外，将实施例及比较例中制造的工件加工用片裁切成100mm×100mm，将其作为表面电阻率测定用样品。使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)，隔着基材对该表面电阻率测定用样品的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)，使粘着剂层固化。在23℃、50％的相对湿度下，对该UV照射后的表面电阻率测定用样品进行24小时调湿后，将剥离片剥离，并利用与上述相同的方式测定露出的粘着剂层侧的面(粘着面)的表面电阻率。将该结果也示于表2。
[试验例4](抗静电性的评价)
使用研磨机(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)，对6英寸硅晶圆的单面进行研磨直至厚度成为350μm为止。使用层压机(laminator)，将从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片而露出的粘着剂层的露出面贴附于该研磨面。
在贴附20分钟后，以与试验例2相同的方式进行切割，由此将硅晶圆单颗化为芯片。切割后，以将工件加工用片通过吸附而固定于旋转工作台上的状态，进行如上所述地得到的芯片的清洗及干燥。然后，使用测定器(Prostat Corporation制造，产品名称“PFK-100”)，测定刚将工件加工用片从旋转工作台上提起后的工件加工用片的静电压(V)。然后，基于以下基准，对抗静电性进行评价。将静电压及评价结果示于表2。
○：静电压为300V以下
×：静电压超过300V
Figure BDA0003414886110000271
Figure BDA0003414886110000281
根据表2可知，实施例中制造的工件加工用片的拾取性及抗静电性均优异。
工业实用性
本发明的工件加工用片能够适宜地使用于半导体晶圆等工件的加工。

Claims (7)

1.一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，
所述基材具备靠近所述粘着剂层的表面层、远离所述粘着剂层的背面层、及位于所述表面层与所述背面层之间的中间层，
所述表面层及所述背面层含有抗静电剂，
在温度为23℃及相对湿度为50％RH的环境下对所述基材进行拉伸试验时，拉伸伸长率为250％时的拉伸应力为6.5MPa以上且10MPa以下。
2.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述表面层、所述中间层及所述背面层分别含有烯烃类热塑性弹性体及聚烯烃类树脂中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述中间层含有苯乙烯类热塑性弹性体。
4.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，
所述中间层不含抗静电剂，或者
所述中间层含有所述抗静电剂，且含量少于所述表面层及所述背面层各自的所述抗静电剂的含量，所述含量的单位为质量％。
5.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述抗静电剂为高分子型抗静电剂。
6.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述粘着剂层的与基材为相反侧的面的表面电阻率为1.0×1013Ω/□以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的工件加工用片，其特征在于，其为切割片。
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