CN112334558A - 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。

Description

半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体加工用粘着胶带，更详细而言，涉及一种当使用在晶圆的表面设置沟槽或用激光在晶圆内部设置改质区域，并利用晶圆背面研磨时的应力等而进行晶圆的单颗化(singulation)的方法来制造半导体装置时，优选用于暂时保持半导体晶圆或芯片的粘着胶带，以及使用该粘着胶带的半导体装置的制造方法。
背景技术
随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展，也同样要求其中所搭载的半导体芯片的小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常研磨半导体晶圆的背面而进行厚度调节。此外，为了得到经薄型化的芯片，有时也会利用被称为预切割法(DBG：Dicing BeforeGrinding；研磨前切割)的技术，该技术中，使用切割刀片从晶圆的表面侧形成一定深度的沟槽，然后从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨将晶圆单颗化而得到芯片。对于DBG，由于能够同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。
以往，在进行半导体晶圆的背面研磨时或通过DBG制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路且保持半导体晶圆及半导体芯片，通常在晶圆表面贴附被称为背磨片的粘着胶带。
作为在DBG中使用的背磨片，使用具备基材与设置于基材的一个面的粘着剂层的粘着胶带。作为这样的粘着胶带的一个例子，专利文献1(日本特开2015-183008号公报)中提出了一种具有刚性基材、设置在刚性基材的一面侧的缓冲层、及设置在刚性基材的另一面侧的粘着剂层的粘着片。专利文献1中公开了刚性基材的杨氏模量为1000MPa以上，将尖端曲率半径为100nm且棱间角为115°的三角锥形压头的尖端以10μm/分钟的速度压入缓冲层时，压缩载荷达到2mN所需的压入深度为2.5μm以上。此外，专利文献2(日本专利第5068793号)中提出了一种在由能量射线固化型组合物固化而成的片的至少一面具有粘着剂层的粘着片。专利文献2中公开了粘着片的断裂伸长率为50％以上，且拉伸弹性模量为10～1000MPa。
近年来，作为预切割法的变形例，提出了用激光在晶圆内部设置改质区域，利用晶圆背面研磨时的应力等而进行晶圆的单颗化的方法。以下，有时将该方法记载为LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前激光切割)。对于LDBG，由于晶圆以改质区域为起点而在晶体方向上被切断，因此相较于使用切割刀片的预切割法，能够减少碎屑(chipping)的产生。其结果，能够得到抗折强度优异的芯片，并有助于芯片的进一步薄型化。此外，相较于使用切割刀片在晶圆表面形成规定深度的沟槽的DBG，由于不存在使用切割刀片削掉晶圆的区域，即由于切口宽度(kerf width)极小，因此芯片的产率优异。
对于DBG和LDBG，使用研磨机等对晶圆进行背面研磨而使厚度极薄时，若晶圆的外周有多余的粘着胶带，则研磨机有时会咬入多余的粘着胶带。因此，在背面研磨前沿着晶圆的外周切断粘着胶带。但是，若使用专利文献1、2中记载的粘着胶带，将芯片的精加工厚度薄化至30μm以下时，有时会产生芯片的缺损或破损(以下，有时记载为“芯片龟裂”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-183008号公报
专利文献2：日本专利第5068793号
发明内容
本发明要解决的技术问题
为了解决上述技术问题，本申请的发明人进行了认真研究，结果发现，将粘着胶带贴附在半导体晶圆上，用切刀沿着晶圆的外周切断该粘着胶带时所产生的胶带屑导致在芯片上产生龟裂。将粘着胶带贴附在晶圆上，沿着外周切断粘着胶带后，经由粘着胶带而将晶圆设置在卡盘工作台(chuck table)上，使用研磨机等进行背面研磨。此时，若胶带屑位于粘着胶带与卡盘工作台之间，则粘着胶带及晶圆会因胶带屑而挠曲，且会在晶圆的研磨面产生少许的应变。对这种具有应变的晶圆进行研磨时，研磨机会被应变部分卡住且无法均匀地研磨，其结果容易在芯片上产生龟裂。
胶带屑在用切刀切断粘着胶带时产生，具体而言，因切断时粘着胶带的部分结构剥落或破碎而产生。此外，有时也因粘着胶带的部分结构附着在切刀的刀刃上而更容易产生胶带屑。
本发明是鉴于上述现有技术而完成的，其目的在于提供一种即便用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。
解决技术问题的技术手段
以解决上述技术问题为目的的本发明的要点如下。
(1)一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，
所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，
所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
(2)根据(1)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上。
(3)根据(1)或(2)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层的厚度小于100μm。
(5)一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
将所述(1)～(4)中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附在半导体晶圆的表面，沿着该半导体晶圆的外周切断该粘着胶带的工序；
从所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
对于表面贴附有所述粘着胶带、且形成有所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆，从背面侧进行研磨，将所述沟槽或所述改质区域作为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
将所述粘着胶带从所述多个芯片上剥离的工序。
发明效果
本发明的半导体加工用粘着胶带能够抑制用切刀沿着晶圆的外周切断粘着胶带时产生胶带屑。其结果，能够减少半导体芯片中的龟裂的产生。
附图说明
图1为本发明的实施方式的粘着片的示意图。
具体实施方式
以下，对本发明的半导体加工用粘着胶带进行具体说明。首先，对本说明书中所使用的主要用语进行说明。
在本说明书中，例如“(甲基)丙烯酸酯”是用于表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的用语，其他类似用语也同样。
“半导体加工用”是指能够使用在半导体晶圆的搬运、背面研磨、切割、半导体芯片的拾取等各工序中。
半导体晶圆的“表面”是指形成有电路的面，“背面”是指未形成电路的面。
半导体晶圆的单颗化是指将半导体晶圆分割为各个电路而得到半导体芯片。
DBG是指在晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽之后，从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨而将晶圆单颗化的方法。形成在晶圆的表面侧的沟槽能够通过刀片切割、激光切割、等离子切割等方法形成。此外，LDBG是DBG的变形例，是指用激光在晶圆内部设置改质区域，利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的方法。
接着，对本发明的半导体加工用粘着胶带的各构件的构成进行进一步详细的说明。另外，有时将本发明的半导体加工用粘着胶带简记为“粘着胶带”。
在本发明的实施方式中，如图1所示，粘着胶带10是指包含基材11、设置在基材11的至少一面侧的缓冲层12、及设置在基材11的另一面侧的粘着剂层13的层叠体。另外，也可以包含除此之外的其他的构成层。例如，可在粘着剂层侧的基材表面上形成底漆层，也可在粘着剂层的表面上层叠用于保护粘着剂层至使用时为止的剥离片。此外，基材可为单层，也可为多层。缓冲层及粘着剂层也同样。
以下，对本发明的实施方式的半导体加工用粘着胶带的各构件的构成进行进一步详细的说明。
[基材]
基材在23℃下的杨氏模量大于后述的缓冲层在23℃下的杨氏模量。通过使基材在23℃下的杨氏模量大于后述的缓冲层的杨氏模量，能够抑制胶带屑的产生。
具体而言，基材在23℃下的杨氏模量优选为1000MPa以上。使用杨氏模量小于1000MPa的基材时，粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能降低，无法抑制背面研磨时的振动等，半导体芯片容易产生缺损和破损。另一方面，通过使基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上，粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能得以提高，能够抑制背面研磨时的振动等，能够防止半导体芯片的缺损和破损。此外，能够减小将粘着胶带从半导体芯片上剥离时的应力，能够防止胶带剥离时发生的芯片缺损和破损。进一步，还能够使将粘着胶带贴附于半导体晶圆时的操作性良好。从这种角度出发，基材在23℃下的杨氏模量更优选为1800～30000MPa，进一步优选为2500～6000MPa。
基材的厚度没有特别限定，但优选为110μm以下，更优选为15～110μm，进一步优选为20～105μm。通过将基材的厚度设为110μm以下，容易控制粘着胶带的剥离力。此外，通过将基材的厚度设为15μm以上，基材容易发挥作为粘着胶带的支撑体的功能。
作为基材的材质，只要为满足上述物性的材质，则没有特别限定，能够使用各种树脂膜。此处，作为23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、全芳香族聚酯等聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚砜、聚醚酮、双轴拉伸聚丙烯等树脂膜。
在这些树脂膜中，优选包含选自聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、双轴拉伸聚丙烯膜中的一种以上的膜，更优选包含聚酯膜，进一步优选包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
此外，在不损害本发明的效果的范围内，基材中也可含有增塑剂、润滑剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、填料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、催化剂等。此外，基材可以是透明的，也可以是不透明的，还可根据所需进行着色或蒸镀。
此外，为了提高与缓冲层及粘着剂层中的至少一个层的密合性，可以对基材的至少一个表面实施电晕处理等粘合处理。此外，基材也可以是具有上述树脂膜与覆膜在树脂膜的至少一个表面上的易粘合层的基材。
作为形成易粘合层的易粘合层形成用组合物，没有特别限定，例如可列举出含有聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚酯氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸类树脂等的组合物。易粘合层形成用组合物也可以根据需要而含有交联剂、光聚合引发剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。
作为易粘合层的厚度，优选为0.01～10μm，更优选为0.03～5μm。另外，由于本申请实施例中的易粘合层的厚度比基材的厚度小，因此具有易粘合层的树脂膜的厚度与基材的厚度实质上相同。此外，由于易粘合层的材质柔软，因此对杨氏模量造成的影响较小，即便在具有易粘合层的情况下，基材的杨氏模量也与树脂膜的杨氏模量实质上相同。
例如，能够通过树脂组成的选择、增塑剂的添加、树脂膜制造时的拉伸条件等来控制基材的杨氏模量。具体而言，作为基材而使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜时，若共聚成分中的乙烯成分的含有比例增多，则基材的杨氏模量有降低的倾向。此外，若增塑剂的掺合量相对于构成基材的树脂组合物增多，则基材的杨氏模量有降低的倾向。
[缓冲层]
缓冲层缓和半导体晶圆在背面研磨时的应力，防止在半导体晶圆上产生裂纹及缺损。将粘着胶带贴附在半导体晶圆上，沿着外周切断粘着胶带后，经由粘着胶带而将半导体晶圆配置在卡盘工作台上并进行背面研磨，通过使粘着胶带具有缓冲层作为构成层，容易将半导体晶圆适当地保持在卡盘工作台上。另一方面，由于缓冲层相较于基材为软质，因此可知在切断粘着胶带时会产生胶带屑。对此，根据研究结果得知，通过使缓冲层具有以下的特性，能够抑制胶带屑的产生。
缓冲层在23℃下的杨氏模量小于基材在23℃下的杨氏模量。具体而言，缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa。当缓冲层在23℃下的杨氏模量小于10MPa时，缓冲层在切断时会沿着切刀的刀刃产生极大的变形，密合于切刀的刀刃而导致摩擦增大，因此有产生胶带屑的可能性。此外，当缓冲层在23℃下的杨氏模量大于400MPa时，缓冲层在切断时不会沿着切刀的刀刃变形，因此应力不集中在切断面，有切断面变粗糙并产生胶带屑的可能性。从这种角度出发，缓冲层在23℃下的杨氏模量优选为10～350MPa，更优选为15～300MPa。
缓冲层在23℃下的断裂能为1～9MJ/m3。粘着胶带在常温(23℃)附近贴附于半导体晶圆且沿着晶圆的外周被切断。当缓冲层在常温(23℃)下的断裂能为1～9MJ/m3时，若缓冲层在切断时与切刀的刀刃碰触，则会立刻被切断，因此能够抑制切断时的缓冲层的扭曲和变形，能够抑制产生胶带屑。另一方面，当缓冲层在23℃下的断裂能小于1MJ/m3时，有缓冲层的强度变得不充分的可能性。此外，当缓冲层在23℃下的断裂能大于9MJ/m3时，若缓冲层在切断时与切刀的刀刃碰触，则会发生变形并保持变形而不恢复到原来的形状，因此缓冲层会扭曲或破碎，有产生胶带屑的可能性。
另外，即使在加热切刀的刀刃而实施切断时，只要缓冲层在23℃下的断裂能为1～9MJ/m3，就能够抑制缓冲层在切断时的扭曲和变形，能够抑制产生胶带屑。
从上述角度出发，缓冲层在23℃下的断裂能优选为1.0～8.0MJ/m3，更优选为1.5～6.0MJ/m3，进一步优选为1.5～5.0MJ/m3。
断裂能是在对基于JIS K7161:1994及JIS K7127:1999且通过23℃下的拉伸试验而得到的应力与应变进行绘图而得到的应力-应变图表中，进行积分至断裂点为止而得到的值。应变(mm)能够通过初期的试验片长度(mm)×伸长率(％)而求出。另外，后述断裂应力及断裂伸长率分别为上述拉伸试验中的断裂时的应力及伸长率。
从得到上述范围的断裂能的角度出发，缓冲层在23℃下的断裂应力优选为3～40MPa，更优选为5～20MPa，进一步优选为8～15MPa。
断裂应力能够基于JIS K7161:1994及JIS K7127:1999而测定。
缓冲层在23℃下的断裂伸长率优选为5～150％，更优选为10～100％，进一步优选为20～70％。当断裂伸长率小于5％时，由于缓冲层在切断时不会沿着切刀的刀刃变形，因此应力不集中，有切断面变粗糙并产生胶带屑的可能性。另一方面，当断裂应力大于150％时，因切断时发生了变形的缓冲层保持变形而不恢复到原来的形状，因此缓冲层会扭曲或破碎，有产生胶带屑的可能性。因此，缓冲层在23℃下的断裂伸长率优选为上述范围。
断裂伸长率能够基于JIS K7161:1994及JIS K7127:1999而测定。
缓冲层的厚度优选为1～100μm，更优选为5～80μm，进一步优选为10～60μm。通过将缓冲层的厚度设为上述范围，能够适当地缓和缓冲层在背面研磨时的应力。
缓冲层优选为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。此外，可以是包含聚烯烃树脂膜的层，也可以是以聚醚为主剂的层。
以下，依次对由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层中所含有的各成分、包含聚烯烃树脂膜的层中所含有的各成分进行说明。
<由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层>
含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物能够通过照射能量射线而固化。另外，“能量射线”是指紫外线、电子束等，优选使用紫外线。
此外，更具体而言，含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物优选含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)与具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2)。通过使缓冲层形成用组合物含有这两种成分，容易使缓冲层的断裂能在上述范围内。此外，缓冲层形成用组合物除了含有上述(a1)和(a2)成分以外，还可含多官能度聚合性化合物(a3)和/或具有官能团的聚合性化合物(a4)。进一步，缓冲层形成用组合物优选除了含有上述(a1)～(a4)成分以外，还含有光聚合引发剂，在不损害本发明的效果的范围内，也可以含有其他添加剂或树脂成分。
以下，对含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物中所含有的各成分进行详细说明。
(氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1))
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)是指至少具有(甲基)丙烯酰基及氨基甲酸酯键的化合物，其具有通过能量射线照射而聚合固化的性质。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)为寡聚物或聚合物。
成分(a1)的重均分子量(Mw)优选为1,000～100,000，更优选为2,000～60,000，进一步优选为3,000～15,000。此外，作为成分(a1)中的(甲基)丙烯酰基的数目(以下，也称为“官能团数”)，可为单官能度、2官能度或3官能度以上，优选为单官能度或2官能度。
成分(a1)例如能够通过使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物进行反应而得到，所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物通过使多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应而得到。另外，成分(a1)可单独使用或组合使用两种以上。
作为成分(a1)的原料的多元醇化合物只要是具有2个以上羟基的化合物，则没有特别限定。作为具体的多元醇化合物，例如可列举出亚烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。其中，优选聚酯型多元醇或聚碳酸酯型多元醇。
另外，作为多元醇化合物，可以为2官能度的二醇、3官能度的三醇、4官能度以上的多元醇中的任意一种，优选2官能度的二醇，更优选聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇。
作为多异氰酸酯化合物，例如可列举出四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族类多异氰酸酯类；异佛尔酮二异氰酸酯、降冰片烷二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、ω,ω’-二异氰酸酯二甲基环己烷等脂环族类二异氰酸酯类；4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、二甲基联胺二异氰酸酯、四亚甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、萘-1,5-二异氰酸酯等芳香族类二异氰酸酯类等。
其中，优选异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯。
能够使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物进行反应而得到氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物通过使上述多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应而得到。作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，只要为至少在一分子中具有羟基及(甲基)丙烯酰基的化合物，则没有特别限定。
作为具体的具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基环己酯、(甲基)丙烯酸5-羟基环辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等含羟基的(甲基)丙烯酰胺；使(甲基)丙烯酸与乙烯醇、乙烯基苯酚、双酚A的二缩水甘油酯进行反应而得到的反应物等。
其中，优选(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，更优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
作为使末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应的条件，优选在根据需要而添加的溶剂、催化剂的存在下，于60～100℃反应1～4小时的条件。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a1)的含量优选为10～70质量％，更优选为20～60质量％。
(具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2))
成分(a2)为具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物，进一步优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物，更优选为具有一个(甲基)丙烯酰基的化合物。通过使用成分(a2)，能够提高所得到的缓冲层形成用组合物的成膜性。
另外，成分(a2)的定义与后述成分(a4)的定义有重复的部分，但重复部分含括在成分(a4)中。例如，具有至少一个(甲基)丙烯酰基、成环原子数为6～20的脂环基或杂环基以及羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团的化合物含括在成分(a2)与成分(a4)的定义中，但是在本发明中该化合物被视为含括在成分(a4)中。
成分(a2)所具有的脂环基或杂环基的成环原子数优选为6～20，更优选为6～18，进一步优选为6～16，特别优选为7～12。作为形成该杂环基的环结构的原子，例如可列举出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。
另外，成环原子数是表示原子键合成环状的结构的化合物的构成该环本身的原子的数目，未构成环的原子(例如，键合在构成环的原子上的氢原子)及该环被取代基取代时取代基所含有的原子不包含在成环原子数中。
作为具体的成分(a2)，例如可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯等含脂环基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、(甲基)丙烯酸吗啉酯等含杂环基的(甲基)丙烯酸酯等。
另外，成分(a2)可单独使用或组合使用两种以上
在含脂环基的(甲基)丙烯酸酯中，优选(甲基)丙烯酸异冰片酯，在含杂环基的(甲基)丙烯酸酯中，优选(甲基)丙烯酸四氢糠基酯。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)的含量优选为10～85质量％，更优选为15～80质量％。
此外，使用丙烯酸异冰片酯(IBXA)作为成分(a2)时，相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，IBXA的含量优选为15～35质量％。通过将IBXA的含量设定为上述范围，容易将缓冲层在23℃下的杨氏模量控制在上述范围。
(多官能度聚合性化合物(a3))
多官能度聚合性化合物是指具有两个以上光聚合性不饱和基团的化合物。光聚合性不饱和基团为含有碳碳双键的官能团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等。光聚合性不饱和基团也可组合两种以上。通过使多官能度聚合性化合物中的光聚合性不饱和基团与成分(a1)中的(甲基)丙烯酰基进行反应、或使成分(a3)中的光聚合性不饱和基团彼此反应，能够形成立体网状结构(交联结构)。与使用只含有一个光聚合性不饱和基团的化合物时相比，由于使用多官能度聚合性化合物时，通过能量射线照射而形成的交联结构增加，因此缓冲层显示独特的粘弹性，容易将断裂能控制在上述范围内。
另外，成分(a3)的定义与上述成分(a2)及后述成分(a4)的定义有重复的部分，但重复部分被含括在成分(a3)中。例如，具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基且具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物包含在成分(a3)与成分(a2)的定义中，但是在本发明中，该化合物被视为含括在成分(a3)中。此外，含有羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团且具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物包含在成分(a3)与成分(a4)的定义中，但是在本发明中，该化合物被视为含括在成分(a3)中。
从上述角度出发，多官能度聚合性化合物中的光聚合性不饱和基团的数目(官能团数)优选为2～10，更优选为3～6。
此外，成分(a3)的重均分子量优选为30～40000，更优选为100～10000，进一步优选为200～1000。
作为具体的成分(a3)，例如可列举出二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亚甲基双(甲基)丙烯酰胺等。
另外，成分(a3)可单独使用或组合使用两种以上
其中，优选二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a3)的含量优选为2～40质量％，更优选为3～20质量％，进一步优选为5～15质量％。
(具有官能团的聚合性化合物(a4))
成分(a4)为含有羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团的聚合性化合物，进一步优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物，更优选为具有一个(甲基)丙烯酰基的化合物。
成分(a4)与成分(a1)的相容性良好，容易将缓冲层形成用组合物的粘度调节至适当的范围。此外，容易使由该组合物形成的缓冲层的断裂能为上述范围，即便使缓冲层较薄，缓冲性能也良好。
作为成分(a4)，例如可列举出含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含环氧基化合物、含酰胺基化合物、含氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
作为含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯、丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯等。
作为含环氧基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等，其中，优选(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等含环氧基的(甲基)丙烯酸酯。
作为含酰胺基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等。
作为含氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出含伯氨基的(甲基)丙烯酸酯、含仲氨基的(甲基)丙烯酸酯、含叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
其中，优选含羟基的(甲基)丙烯酸酯，更优选(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯等具有芳香环的含羟基的(甲基)丙烯酸酯。
另外，成分(a4)可单独使用或组合使用两种以上。
为了使缓冲层的断裂能容易位于上述范围，且提高缓冲层形成用组合物的成膜性，相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a4)的含量优选为5～40质量％，更优选为7～35质量％，进一步优选为10～30质量％，特别优选为13～25质量％。
此外，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)与成分(a4)的含量比[(a2)/(a4)]优选为0.5～3.0，更优选为1.0～3.0，进一步优选为1.3～3.0，特别优选为1.5～2.8。
(除成分(a1)～(a4)以外的聚合性化合物(a5))
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物中也可以含有除上述成分(a1)～(a4)以外的其他聚合性化合物(a5)。
作为成分(a5)，例如可列举出具有碳原子数为1～20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯；苯乙烯、羟乙基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基化合物等。另外，成分(a5)能够单独使用或组合使用两种以上。
缓冲层形成用组合物中的成分(a5)的含量优选为0～20质量％，更优选为0～10质量％，进一步优选为0～5质量％，特别优选为0～2质量％。
(光聚合引发剂)
从形成缓冲层时缩短基于光照的聚合时间、并减少光照量的角度出发，缓冲层形成用组合物中优选进一步含有光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮(thioxanthone)化合物、过氧化物化合物、以及胺或醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、2,3-丁二酮、8-氯蒽醌、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦等。
这些光聚合引发剂能够单独使用或组合使用两种以上。
相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的光聚合引发剂的含量优选为0.05～15质量份，更优选为0.1～10质量份，进一步优选为0.3～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物中也可以含有其他添加剂。作为其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。掺合这些添加剂时，相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的各添加剂的含量优选为0.01～6质量份，更优选为0.1～3质量份。
(树脂成分)
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物中也可以含有树脂成分。作为树脂成分，例如可列举出多烯-硫醇类树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃类树脂、及苯乙烯类共聚物等热塑性树脂等。
缓冲层形成用组合物中的这些树脂成分的含量优选为0～20质量％，更优选为0～10质量％，进一步优选为0～5质量％，特别优选为0～2质量％。
由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的缓冲层通过对上述组成的缓冲层形成用组合物照射能量射线而进行聚合固化而得到。即，该缓冲层为缓冲层形成用组合物的固化物。
因此，该缓冲层含有源自成分(a1)的聚合单元及源自成分(a2)的聚合单元。此外，该缓冲层可以含有源自成分(a3)的聚合单元和/或源自成分(a4)的聚合单元，也可以进一步含有源自成分(a5)的聚合单元。缓冲层中各聚合单元的含有比例通常与构成缓冲层形成用组合物的各成分的比例(添加比)一致。例如，当相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a1)的含量为10～70质量％时，缓冲层含有10～70质量％的源自成分(a1)的聚合单元。此外，当相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)的含量为10～85质量％时，缓冲层含有10～85质量％的源自成分(a2)的聚合单元。对于成分(a3)～(a5)也相同。
<包含聚烯烃树脂膜的层>
通过由包含聚烯烃树脂膜的层形成缓冲层，容易使缓冲层的断裂能在上述范围内。
相较于缓冲层为由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层的情况，当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，应力缓和性有时较低。此时，在基材的一面侧具有由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层的粘着胶带可能会发生翘曲。虽然只要在基材的至少一面侧设置由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层即可，但是从防止这种不良情况的角度出发，优选在基材的两面设置由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层。
聚烯烃树脂没有特别限定，例如可列举出超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上且小于910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上且小于930kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：930kg/m3以上且小于942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)等聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚乙烯-聚丙烯共聚物、烯烃类弹性体(TPO)、环烯烃树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-马来酸酐共聚物等。
这些聚烯烃树脂能够单独使用或组合使用两种以上。
从得到具有特定物性的缓冲层的角度出发，上述聚烯烃树脂中，优选聚乙烯树脂，更优选低密度聚乙烯。
在不损害本发明的效果的范围内，上述缓冲层中也可以含有增塑剂、润滑剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、填料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、催化剂等添加剂。此外，上述缓冲层可以是透明的，也可以是不透明的，还可以根据所需进行着色或蒸镀。
在本实施方式中，当缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物时，例如能够通过调节上述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)的重均分子量或缓冲层的厚度、适当地选择单体种类而控制缓冲层在23℃下的杨氏模量及断裂能。此外，当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，能够通过调节聚烯烃的密度、适当地选择添加剂而控制缓冲层在23℃下的杨氏模量及断裂能。
[粘着剂层]
粘着剂层只要在常温下具有适当的压敏粘合性，则没有特别限定，优选23℃下的剪切储能模量为0.05～0.50MPa。半导体晶圆的表面上形成有电路等，通常具有凹凸。通过使粘着剂层的剪切储能模量在上述范围内，将粘着胶带贴附在具有凹凸的晶圆表面时，能够使晶圆表面的凹凸与粘着剂层充分地接触，且能够适当地发挥粘着剂层的粘合性。因此，能够确实地进行粘着胶带在半导体晶圆上的固定，且在背面研磨时能够适当地保护晶圆表面。从这些角度出发，粘着剂层的剪切储能模量优选为0.12～0.35MPa。另外，当粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，粘着剂层的剪切储能模量是指通过能量射线照射进行固化前的剪切储能模量。
剪切储能模量能够使用以下的方法进行测定。将厚度为约0.5～1mm的粘着剂层冲切成直径为7.9mm的圆形，将其作为测定试样。使用Rheometric公司制造的动态粘弹性测定装置ARES，对频率为1Hz、以3℃/分钟的升温速度在-30℃至150℃的温度范围内发生温度变化时的测定试样的弹性模量进行测定。将23℃的测定温度下的弹性模量作为23℃下的剪切储能模量。
粘着剂层的厚度优选小于100μm，更优选为5～80μm，进一步优选为10～70μm。如此薄化粘着剂层时，能够抑制粘着胶带在切断时产生胶带屑，容易进一步防止在背面研磨时产生的半导体芯片的龟裂。
粘着剂层例如由丙烯酸类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂等形成，优选丙烯酸类粘着剂。
此外，粘着剂层优选由能量射线固化性粘着剂形成。通过使粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成，在通过能量射线照射而进行固化前，能够将23℃下的剪切储能模量设定在上述范围，同时在固化后能够容易地将剥离力设定在1000mN/50mm以下。
以下，对粘着剂的具体例进行详述，但是这些具体例为非限定性例示，本发明的粘着剂层不应该被解释为限定于此。
作为能量射线固化性粘着剂，例如能够使用除了含有非能量射线固化性的粘着性树脂(也称为“粘着性树脂I”)以外，还含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“X型的粘着剂组合物”)。此外，作为能量射线固化性粘着剂，也可使用下述粘着剂组合物(以下，也称为“Y型的粘着剂组合物”)，即含有在非能量射线固化性的粘着性树脂的侧链引入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(以下，也称为“粘着性树脂II”)作为主要成分，且不含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的粘着剂组合物。
进一步，作为能量射线固化性粘着剂，也可使用X型与Y型的并用型，即除了含有能量射线固化性的粘着性树脂II以外，还含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“XY型的粘着剂组合物”)。
其中，优选使用XY型的粘着剂组合物。通过使用XY型的粘着剂组合物，在固化前具有充分的粘着特性，另一方面，在固化后能够充分地降低对半导体晶圆的剥离力。
然而，粘着剂也可由即便照射能量射线也不固化的非能量射线固化性的粘着剂组合物形成。非能量射线固化性的粘着剂组合物至少含有非能量射线固化性的粘着性树脂I，另一方面，不含有上述的能量射线固化性的粘着性树脂II及能量射线固化性化合物。
另外，在以下的说明中，“粘着性树脂”作为指代上述粘着性树脂I及粘着性树脂II中的一者或双者的用语使用。作为具体的粘着性树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、硅酮类树脂等，优选丙烯酸类树脂。
以下，作为粘着性树脂，对使用丙烯酸类树脂的丙烯酸类粘着剂进行更详细的说明。
丙烯酸类树脂中使用丙烯酸类聚合物(b)。丙烯酸类聚合物(b)通过使至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯的单体进行聚合而得到，其含有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，烷基可为直链，也可为支链。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用或组合使用两种以上。
此外，从提高粘着剂层的粘着力的角度出发，丙烯酸类聚合物(b)优选含有源自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯的碳原子数，优选为4～12，进一步优选为4～6。此外，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
在丙烯酸类聚合物(b)中，相对于构成丙烯酸类聚合物(b)的单体总量(以下也简称为“单体总量”)，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为40～98质量％，更优选为45～95质量％，进一步优选为50～90质量％。
丙烯酸类聚合物(b)优选为除了含有源自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还含有源自烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以调节粘着剂层的弹性模量和粘着特性的共聚物。另外，该(甲基)丙烯酸烷基酯优选为碳原子数为1或2的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为(甲基)丙烯酸甲酯，最优选为甲基丙烯酸甲酯。在丙烯酸类聚合物(b)中，相对于单体总量，烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为1～30质量％，更优选为3～26质量％，进一步优选为6～22质量％。
优选丙烯酸类聚合物(b)除了具有上述源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还具有源自含官能团单体的结构单元。作为含官能团单体的官能团，可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。含官能团单体能够与后述的交联剂反应而形成交联起点、或与含不饱和基团化合物反应而将不饱和基团引入丙烯酸类聚合物(b)的侧链。
作为含官能团单体，可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。这些单体可单独使用或组合使用两种以上。其中，优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
作为含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇等。
作为含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
相对于构成丙烯酸类聚合物(b)的单体总量，含官能团单体优选为1～35质量％，更优选为3～32质量％，进一步优选为6～30质量％。
此外，丙烯酸类聚合物(b)除了含有上述结构单元以外，也可以含有源自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等能够与上述丙烯酸类单体共聚的单体的结构单元。
上述丙烯酸类聚合物(b)能够作为非能量射线固化性的粘着性树脂I(丙烯酸类树脂)使用。此外，作为能量射线固化性的丙烯酸类树脂，可列举出使具有光聚合性不饱和基团的化合物(也称为含不饱和基团化合物)与上述丙烯酸类聚合物(b)的官能团进行反应而成的树脂。
含不饱和基团化合物为既具有能够与丙烯酸类聚合物(b)的官能团键合的取代基，又具有光聚合性不饱和基团的化合物。作为光聚合性不饱和基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，优选(甲基)丙烯酰基。
此外，作为含不饱和基团化合物所具有的、能够与官能团键合的取代基，可列举出异氰酸酯基、缩水甘油基等。因此，作为含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
此外，含不饱和基团化合物优选与丙烯酸类聚合物(b)的部分官能团进行反应，具体而言，优选使含不饱和基团化合物与丙烯酸类聚合物(b)所具有的官能团的50～98摩尔％进行反应，更优选使含不饱和基团化合物与丙烯酸类聚合物(b)所具有的官能团的55～93摩尔％进行反应。如此，在能量射线固化性丙烯酸类树脂中，通过使部分官能团不与含不饱和基团化合物反应而残留，容易通过交联剂进行交联。
另外，丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为30万～160万，更优选为40万～140万，进一步优选为50万～120万。
(能量射线固化性化合物)
作为X型或XY型的粘着剂组合物中所含有的能量射线固化性化合物，优选在分子内具有不饱和基团且可通过能量射线照射而聚合固化的单体或寡聚物。
作为这样的能量射线固化性化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯单体、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物。
其中，从分子量较高、不容易使粘着剂层的剪切储能模量下降的角度出发，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。
能量射线固化性化合物的分子量(为寡聚物时的重均分子量)优选为100～12000，更优选为200～10000，进一步优选为400～8000，特别优选为600～6000。
相对于粘着性树脂100质量份，X型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为40～200质量份，更优选为50～150质量份，进一步优选为60～90质量份。
另一方面，相对于粘着性树脂100质量份，XY型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为1～30质量份，更优选为2～20质量份，进一步优选为3～15质量份。在XY型的粘着剂组合物中，由于粘着性树脂为能量射线固化性，因此即便能量射线固化性化合物的含量少，能量射线照射后也能够使剥离力充分降低。
(交联剂)
粘着剂组合物优选进一步含有交联剂。交联剂例如与源自粘着性树脂所具有的含官能团单体的官能团反应而使粘着性树脂彼此交联。作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等、及它们的加合物等异氰酸酯类交联剂；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三膦三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂；铝螯合物等螯合物类交联剂等。这些交联剂可单独使用或组合使用两种以上。
其中，从提高内聚力并提高粘着力的角度、且从获取容易性等角度出发，优选异氰酸酯类交联剂。
从促进交联反应的角度出发，相对于粘着性树脂100质量份，交联剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～4质量份。
(光聚合引发剂)
此外，当粘着剂组合物为能量射线固化性时，粘着剂组合物优选进一步含有光聚合引发剂。通过含有光聚合引发剂，即便是紫外线等能量较低的能量射线，也能够使粘着剂组合物的固化反应充分进行。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物、以及胺或醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、2,3-丁二酮、8-氯蒽醌、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦等。
这些光聚合引发剂可单独使用或组合使用两种以上。
相对于粘着性树脂100质量份，光聚合引发剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，粘着性组合物也可以含有其他添加剂。作为其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。掺合这些添加剂时，相对于粘着性树脂100质量份，添加剂的掺合量优选为0.01～6质量份。
此外，从提高对基材、缓冲层、剥离片的涂布性的角度出发，粘着性组合物也可以进一步使用有机溶剂进行稀释而制成粘着性组合物的溶液的形态。
作为有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氢呋喃、二噁烷、环己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、异丙醇等。
另外，这些有机溶剂可以直接使用合成粘着性树脂时所使用的有机溶剂，也可以添加除合成时所使用的有机溶剂以外的一种以上的有机溶剂以能够将该粘着剂组合物的溶液均匀涂布。
[剥离片]
也可以在粘着胶带的表面上贴附剥离片。具体而言，可将剥离片贴附在粘着胶带的粘着剂层的表面。通过将剥离片贴附在粘着剂层表面，从而在运输时、储存时保护粘着剂层。剥离片可剥离地贴附在粘着胶带上，可在使用粘着胶带前(即晶圆贴附前)从粘着胶带上剥离而去除。
剥离片可使用至少一面进行了剥离处理的剥离片，具体而言，可列举出在剥离片用基材的表面上涂布剥离剂而成的剥离片等。
作为剥离片用基材，优选树脂膜，作为构成该树脂膜的树脂，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。作为剥离剂，例如可列举出硅酮类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟类树脂等。
剥离片的厚度没有特别限制，但优选为10～200μm，更优选为20～150μm。
[粘着胶带的制造方法]
作为本发明的粘着胶带的制造方法，没有特别限制，能够通过公知的方法制造。
例如，具有基材、设置在该基材的一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带的制造方法如下所述。
当缓冲层由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成时，将缓冲层形成用组合物涂布在剥离片上并使其固化而设置缓冲层，将该缓冲层与基材贴合，去除剥离片，由此得到缓冲层与基材的层叠体。此外，当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，通过将缓冲层与基材贴合而得到缓冲层与基材的层叠体。
并且，能够将设置在剥离片上的粘着剂层贴合在层叠体的基材侧，制造在粘着剂层的表面贴附有剥离片的粘着胶带。贴附在粘着剂层的表面的剥离片只要在使用粘着胶带前适当地剥离而去除即可。
作为在剥离片上形成缓冲层的方法，能够使用公知的涂布方法将缓冲层形成用组合物直接涂布在剥离片上而形成涂布膜，并对该涂布膜照射能量射线，由此形成缓冲层。此外，也可以在基材的单面直接涂布缓冲层形成用组合物，通过加热干燥或对涂布膜照射能量射线而形成缓冲层。
作为缓冲层形成用组合物的涂布方法，例如可列举出旋转涂布法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。此外，为了提高涂布性，也可以向缓冲层形成用组合物中掺合有机溶剂，制成溶液的形态而涂布在剥离片上。
当缓冲层形成用组合物含有能量射线聚合性化合物时，优选通过对缓冲层形成用组合物的涂布膜照射能量射线而使其固化，形成缓冲层。缓冲层的固化可以通过一次固化处理进行，也可以分成多次进行。例如，可以使剥离片上的涂布膜完全固化而形成缓冲层后贴合在基材上，也可以不使该涂布膜完全固化而形成半固化状态的缓冲层形成膜，将该缓冲层形成膜贴合在基材上后，再次照射能量射线使其完全固化而形成缓冲层。作为该固化处理中照射的能量射线，优选紫外线。另外，虽然进行固化时，缓冲层形成用组合物的涂布膜可以为被暴露的状态，但优选以使用剥离片和基材覆盖涂布膜、涂布膜未暴露的状态照射能量射线而进行固化。
当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，可以通过挤出层压使缓冲层与基材贴合。具体而言，使用T型模具制膜机等将构成缓冲层的聚烯烃树脂熔融、捏合，使基材以一定的速度移动，并同时将熔融的聚烯烃树脂挤出层压在基材的一面侧。此外，缓冲层也可通过热封等直接层叠在基材上。进一步，也可以使用干式层压法(dry lamination method)等方法，经由易粘合层进行层叠。
作为在剥离片上形成粘着剂层的方法，能够使用公知的涂布方法将粘着剂(粘着剂组合物)直接涂布在剥离片上并对涂布膜进行加热干燥，由此形成粘着剂层。
此外，也可以在基材的单面上直接涂布粘着剂(粘着剂组合物)而形成粘着剂层。作为粘着剂的涂布方法，可列举出在缓冲层的制造法中已揭示的喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
另外，在基材的两面设置有缓冲层的粘着胶带的制造方法中，例如通过上述方法得到依次层叠有缓冲层、基材及缓冲层的层叠体，然后，在一边的缓冲层侧形成粘着剂层即可。
[半导体装置的制造方法]
本发明的粘着胶带优选贴附在半导体晶圆的表面，在进行晶圆的背面研磨时使用。更优选在同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化的DBG中适宜地使用本发明的粘着胶带。特别优选在将半导体晶圆单颗化时可得到切口宽度较小的芯片组的LDBG中适宜地使用本发明的粘着胶带。另外，“芯片组”是指被保持在本发明的粘着胶带上的晶圆形状的多个半导体芯片。
作为粘着胶带的非限定的使用例，以下，对半导体装置的制造方法进行进一步具体的说明。
具体而言，半导体装置的制造方法至少具备以下的工序1～工序4。
工序1：将上述粘着胶带贴附在半导体晶圆的表面，沿着半导体晶圆的外周切断粘着胶带的工序；
工序2：从半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
工序3：对于表面贴附有粘着胶带、且形成有上述沟槽或改质区域的半导体晶圆，从背面侧进行研磨，将沟槽或改质区域作为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
工序4：将粘着胶带从经单颗化的半导体晶圆(即，多个半导体芯片)上剥离的工序。
以下，对上述半导体装置的制造方法的各工序进行详细说明。
(工序1)
工序1中，将本发明的粘着胶带经由粘着剂层贴附在半导体晶圆表面，沿着半导体晶圆的外周进行切断。以覆盖半导体晶圆及在其外周扩大的外周工作台的方式贴附粘着胶带。并且，使用切刀等沿着半导体晶圆的外周切断粘着胶带。切断速度通常为10～300mm/s。切断时的切刀的刀刃的温度可以为室温，此外，也可以将切刀的刀刃加热再进行切断。
本工序可以在后述的工序2之前进行，也可以在工序2之后进行。例如，在半导体晶圆中形成改质区域时，优选在工序2之前进行工序1。另一方面，通过切割等在半导体晶圆表面形成沟槽时，在工序2之后进行工序1。即，通过本工序1，将粘着胶带贴附于在后述的工序2中形成的具有沟槽的晶圆的表面。
本制造方法中使用的半导体晶圆可以为硅晶圆，此外也可以为砷化镓、碳化硅、钽酸锂、铌酸锂、氮化镓、磷化铟等的晶圆、玻璃晶圆。半导体晶圆的研磨前的厚度没有特别限定，但通常为500～1000μm左右。此外，半导体晶圆通常在其表面形成有电路。能够使用包括蚀刻法、剥离法等以往常用的方法的各种方法而在晶圆表面上形成电路。
(工序2)
工序2中，从半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆的内部形成改质区域。
本工序中形成的沟槽为深度比半导体晶圆的厚度浅的沟槽。能够使用以往公知的晶圆切割装置等并通过切割来形成沟槽。此外，在后述的工序3中，沿着沟槽将半导体晶圆分割成多个半导体芯片。
此外，改质区域是半导体晶圆中进行了脆化的部分，其是成为半导体晶圆被破坏而被单颗化成半导体芯片的起点的区域，半导体晶圆被破坏的原因在于半导体晶圆因研磨工序中的研磨而变薄、或半导体晶圆被施加了由研磨引起的力。即，在工序2中，沿着后述的工序3中将半导体晶圆分割、单颗化成半导体芯片时的分割线而形成沟槽及改质区域。
改质区域的形成通过将焦点对准在半导体晶圆的内部的激光照射而进行，改质区域形成在半导体晶圆的内部。激光的照射可以从半导体晶圆的表面侧进行，也可以从背面侧进行。另外，在形成改质区域的方案中，当在工序1之后进行工序2并从晶圆表面进行激光照射时，隔着粘着胶带对半导体晶圆照射激光。
将贴附有粘着胶带且形成有沟槽或改质区域的半导体晶圆载置在工作盘上，将其吸附并保持在卡盘工作台上。此时，半导体晶圆的表面侧被配置并吸附在工作台侧。
(工序3)
在工序1及工序2之后，对卡盘工作台上的半导体晶圆的背面进行研磨，将半导体晶圆单颗化为多个半导体芯片。
此处，当在半导体晶圆上形成有沟槽时，背面研磨以至少将半导体晶圆薄化至沟槽的底部的位置的方式进行。通过该背面研磨，沟槽成为贯穿晶圆的切口，通过切口分割半导体晶圆，单颗化成各个半导体芯片。
另一方面，形成有改质区域时，可通过研磨使研磨面(晶圆背面)到达改质区域，但也不必精确地到达改质区域。即，以半导体晶圆以改质区域为起点而被破坏并被单颗化为半导体芯片的方式研磨至接近改质区域的位置即可。例如，半导体芯片的实际的单颗化也可以通过贴附后述的拾取胶带后拉伸拾取胶带而进行。
此外，也可以在背面研磨结束后、拾取芯片之前进行干法抛光。
经单颗化的半导体芯片的形状可以为方形，也可以为矩形等细长形状。此外，经单颗化的半导体芯片的厚度没有特别限定，但优选为5～100μm左右，更优选为10～45μm。通过用激光在晶圆内部设置改质区域、利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的LDBG，容易使经单颗化的半导体芯片的厚度为50μm以下，更优选使厚度为10～45μm。此外，经单颗化的半导体芯片的大小没有特别限定，但芯片尺寸优选小于600mm2，更优选小于400mm2，进一步优选小于300mm2。
使用本发明的粘着胶带时，即便是这种薄型和/或小型的半导体芯片，也能够防止在背面研磨时(工序3)及粘着胶带剥离时(工序4)在半导体芯片上产生龟裂。
(工序4)
接着，从经单颗化的半导体晶圆(即，多个半导体芯片)上剥离半导体加工用粘着胶带。本工序例如通过以下方法进行。
首先，当粘着胶带的粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，照射能量射线使粘着剂层固化。接着，将拾取胶带贴附在经单颗化的半导体晶圆的背面侧，以能够进行拾取的方式对准位置及方向。此时，将配置在晶圆的外周侧的环形框架(ring frame)也贴合在拾取胶带上，将拾取胶带的外周缘部固定在环形框架上。可以在拾取胶带上同时贴合晶圆与环形框架，也可以在不同的时机进行贴合。接着，从被保持在拾取胶带上的多个半导体芯片上剥离粘着胶带。
然后，拾取位于拾取胶带上的多个半导体芯片并固定在基板等上，制造半导体装置。
另外，拾取胶带没有特别限定，例如能够由具备基材与设置在基材的至少一个面上的粘着剂层的粘着胶带构成。
此外，也能够使用粘合胶带来代替拾取胶带。作为粘合胶带，可列举出膜状粘合剂与剥离片的层叠体、切割胶带与膜状粘合剂的层叠体、既具有切割胶带的功能又具有固晶胶带(die bonding tape)的功能的由粘合剂层和剥离片构成的切割-固晶胶带等。此外，可在贴附拾取胶带之前，将膜状粘合剂贴合在经单颗化的半导体晶圆的背面侧。使用膜状粘合剂时，膜状粘合剂的形状可以与晶圆相同。
使用粘合胶带时，或者在贴附拾取胶带之前，将膜状粘合剂贴合在经单颗化的半导体晶圆的背面侧时，位于粘合胶带或拾取胶带上的多个半导体芯片和被分割成与半导体芯片相同的形状的粘合剂层一起被拾取。接着，将半导体芯片经由粘合剂层而固定在基板等上，制造半导体装置。粘合剂层的分割可以通过激光和扩展进行。
以上，对将本发明的粘着胶带用于通过DBG或LDBG而将半导体晶圆单颗化的方法的实例进行了说明，但本发明的粘着胶带也能够适宜地使用于将半导体晶圆单颗化时可得到切口宽度较小且进一步被薄化的芯片组的LDBG中。另外，本发明的粘着胶带也能够使用在通常的背面研磨中，此外，也能够在加工玻璃、陶瓷等时用于暂时保持被加工物。并且，还能够作为各种再剥离粘着胶带使用。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行进一步详细的说明，但是本发明不被这些实施例限制。
测定方法、评价方法如下。
[断裂能、杨氏模量、断裂伸长率、断裂应力]
使用精密万能试验机(Shimadzu Corporation制造，装置名称“AUTOGRAPH AG-IS”)，测定缓冲层的断裂能、杨氏模量、断裂伸长率及断裂应力。具体而言，制作由实施例1～5及比较例1～4中使用的缓冲层形成用组合物的固化物构成的、宽度1.5mm×长度150mm×厚度0.2mm的测定用试样，对于该测定用试样，在夹头间距为100mm(将测定用试样的长度方向的两端的各25mm固定在装置上)、拉伸速度为200mm/秒、23℃、50％RH的条件下进行测定。
[胶带屑的评价]
使用背面研磨用贴片机(tape mounter)(LINTEC CORPORATION制造，装置名称“RAD-3510F/12”)，将实施例1～5及比较例1～4中制造的半导体加工用粘着胶带贴附在直径为12英寸、厚度为775μm的硅晶圆上，沿着硅晶圆的外周切断。使用扫描式电子显微镜(SEM)观察切断后的粘着胶带的截面，以下述标准进行评价。
1：片截面粗糙，产生多处破碎。
2：片截面粗糙，观察到了破碎。
3：片截面稍微粗糙，观察到了少许破碎。
4：虽然片截面稍微粗糙，但未观察到破碎。
5：未在片截面观察到粗糙和破碎。
另外，以下实施例及比较例的质量份均为固体成分换算。
[实施例1]
(1)基材
作为基材，准备两面带易粘合层的PET膜(TOYOBO CO.,LTD.制造COSMOSHINE A4300，厚度：50μm，23℃下的杨氏模量：2550MPa，断裂能：55.3MJ/m3)。
(2)缓冲层
(氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物的合成)
使聚酯二醇与异佛尔酮二异氰酸酯反应而得到末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，使丙烯酸2-羟基乙酯与该预聚物进行反应，得到重均分子量(Mw)为约16000的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-2)。
(缓冲层形成用组合物的制备)
掺合上述合成的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-2)20质量份、丙烯酸异冰片酯(IBXA)20质量份、丙烯酸四氢糠基酯(THFA)30质量份及4-丙烯酰吗啉(ACMO)30质量份，进一步掺合作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司制造，产品名称“IRGACURE 1173”)2.0质量份，制备缓冲层形成用组合物。
(3)粘着剂层
(粘着剂组合物的制备)
使丙烯酸正丁酯(BA)52质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20质量份及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)28质量份共聚而得到丙烯酸类聚合物(b)，以加成于丙烯酸类聚合物(b)的所有羟基中的90摩尔％的羟基的方式，使该丙烯酸类聚合物(b)与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)反应，得到能量射线固化性的丙烯酸类树脂(Mw：50万)。
向该能量射线固化性的丙烯酸类树脂100质量份中，掺合作为能量射线固化性化合物的多官能度氨基甲酸酯丙烯酸酯6质量份、异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATON制造，产品名称“CORONATE L”)1质量份、作为光聚合引发剂的苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦1质量份，使用甲基乙基酮进行稀释，制备固体成分浓度为32质量％的粘着剂组合物的涂布液。
(4)粘着胶带的制作
将上述得到的粘着剂组合物的涂布液涂布在剥离片(LINTEC CORPORATION制造，商品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面上，使其加热干燥，在剥离片上形成厚度为30μm的粘着剂层。
此外，将缓冲层形成用组合物涂布在另一剥离片(LINTEC CORPORATION制造，商品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面上，形成涂布膜。接着，对该涂布膜照射紫外线而使涂布膜半固化，形成厚度为53μm的缓冲层形成膜。
另外，使用传送带式紫外线照射装置(EYE GRAPHICS CO.,Ltd制造，装置名称“US2-0801”)及高压汞灯(EYE GRAPHICS CO.,Ltd制造，装置名称“H08-L41”)，在灯高度为230mm、输出功率为80mW/cm、光波长365nm的照度为90mW/cm2、照射量为50mJ/cm2的照射条件下进行上述紫外线照射。
并且，将所形成的缓冲层形成膜的表面与基材贴合，从缓冲层形成膜上的剥离片侧再次照射紫外线，使该缓冲层形成膜完全固化，形成厚度为53μm的缓冲层。另外，使用上述的紫外线照射装置及高压汞灯，在灯高度为220mm、换算输出功率为120mW/cm、光波长365nm的照度为160mW/cm2、照射量为650mJ/cm2的照射条件下进行上述紫外线照射。
随后，将粘着剂层贴合在基材的与形成有缓冲层的面相反的面上，制作半导体加工用粘着胶带。
[实施例2]
在缓冲层的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物的合成中，得到重均分子量(Mw)为约20000的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-3)，在缓冲层形成用组合物的制备中，变更为20质量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-3)，除此以外，以与实施例1相同的方式得到粘着胶带。
[实施例3]
在缓冲层形成用组合物的制备中，掺合氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-2)25质量份、丙烯酸四氢糠基酯(THFA)30质量份及4-丙烯酰吗啉(ACMO)45质量份，进一步掺合作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司制造，产品名称“IRGACURE 1173”)2.0质量份来制备缓冲层形成用组合物，除此以外，以与实施例1相同的方式得到粘着胶带。
[实施例4]
在缓冲层的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物的合成中，得到重均分子量(Mw)为约10000的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)，在缓冲层形成用组合物的制备中，变更为30质量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)及25质量份的丙烯酸四氢糠基酯(THFA)，除此以外，以与实施例3相同的方式得到粘着胶带。
[实施例5]
在缓冲层形成用组合物的制备中，变更为40质量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)、25质量份的丙烯酸四氢糠基酯(THFA)及35质量份的4-丙烯酰吗啉(ACMO)，除此以外，以与实施例4相同的方式得到粘着胶带。
[比较例1]
在缓冲层形成用组合物的制备中，掺合氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-3)30质量份、丙烯酸四氢糠基酯(THFA)20质量份及4-丙烯酰吗啉(ACMO)50质量份，进一步掺合作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司制造，产品名称“IRGACURE 1173”)2.0质量份来制备缓冲层形成用组合物，除此以外，以与实施例1相同的方式得到粘着胶带。
[比较例2]
在缓冲层形成用组合物的制备中，掺合氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)35质量份、丙烯酸异冰片酯(IBXA)40质量份及丙烯酸苯基羟基丙酯(HPPA)25质量份，进一步掺合作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司制造，产品名称“IRGACURE 1173”)2.0质量份来制备缓冲层形成用组合物，除此以外，以与实施例1相同的方式得到粘着胶带。
[比较例3]
在缓冲层形成用组合物的制备中，将氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)变更为30质量份、及将丙烯酸异冰片酯(IBXA)变更为45质量份，除此以外，以与比较例2相同的方式得到粘着胶带。
[比较例4]
在缓冲层形成用组合物的制备中，变更为35质量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯类寡聚物(UA-1)、15质量份的丙烯酸四氢糠基酯(THFA)及50质量份的4-丙烯酰吗啉(ACMO)，除此以外，以与实施例4相同的方式得到粘着胶带。
Figure BDA0002857783260000351
根据以上的结果可知，根据本发明的半导体加工用粘着胶带，能够减少胶带屑的产生。在半导体装置的制造工序中，产生大量胶带屑的粘着片进行龟裂而发生破损的可能性较高。因此，可知使用本发明的粘着胶带时，半导体装置的生产性优异。
附图标记说明
10：粘着片；11：基材；12：缓冲层；13：粘着剂层。

Claims (5)

1.一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，
所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，
所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层的厚度小于100μm。
5.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
将权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附在半导体晶圆的表面，沿着该半导体晶圆的外周切断该粘着胶带的工序；
从所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
对于表面贴附有所述粘着胶带、且形成有所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆，从背面侧进行研磨，将所述沟槽或所述改质区域作为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
将所述粘着胶带从所述多个芯片上剥离的工序。
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