WO2022009940A1 - 保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法 - Google Patents

保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法 Download PDF

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英司 林下
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三井化学東セロ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a protective film for protecting the circuit of the semiconductor wafer when the surface on which the circuit is formed is adsorbed to the fixture, and a method for grinding the back surface of the semiconductor wafer using the protective film.
  • a semiconductor wafer is thinned by being processed to grind the back surface side after a circuit or the like is formed on the front surface side.
  • the protective film 130 is attached to the front surface 111 on which the circuit or the like is formed (see FIG. 9).
  • the surface 111 of the semiconductor wafer 110 is adsorbed on the fixture 141 via the protective film 130.
  • the protective film 130 is protected by covering a circuit or the like.
  • Patent Document 1 is disclosed as a technique relating to the protective film and the back surface grinding method described above.
  • Patent Document 1 describes a semiconductor wafer having a film layer formed on its surface and a chamfered portion formed on its outer peripheral side surface by rotating the semiconductor wafer while cutting a cutting blade from the surface of the semiconductor wafer to the outer peripheral edge. It is provided with a cutting step (trimming process) for cutting and removing at least the film layer on the chamfered portion in a circular shape.
  • the trimmed semiconductor wafer 110 has a step 113 on the outer peripheral edge of the surface 111. Therefore, the fixture 141 that adsorbs the semiconductor wafer 110 is designed in consideration of the step 113.
  • suction defects such as vacuum leaks in the fixture 141.
  • this suction defect is considered to occur due to variations in the dimensions and shape of the step 113 due to the limit of processing accuracy and the like.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a protective film and a method for grinding the back surface of a semiconductor wafer, which can suppress the occurrence of adsorption defects.
  • the present invention is as follows as a means for solving the above problems.
  • the invention according to claim 1 protects the surface on which the circuit is formed when grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state where the surface on which the circuit of the semiconductor wafer is formed is adsorbed on the fixture. It ’s a protective film, It has an adhesive layer, a base material layer, and an auxiliary layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is a layer to be attached to the semiconductor wafer.
  • the auxiliary layer is a layer that comes into contact with the fixture and is a layer that comes into contact with the fixture.
  • the gist of the semiconductor wafer is that the semiconductor wafer has a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed.
  • the invention according to claim 2 is the gist of the invention according to claim 1, wherein the auxiliary layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5 MPa or more and 150 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower. do.
  • the invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the auxiliary layer is an ethylene vinyl acetate copolymer, a polyolefin-based elastomer, a styrene-based elastomer, a polyester-based elastomer, or a polyamide-based elastomer.
  • the gist is to include one or more species selected from the group of.
  • the invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness of the auxiliary layer is 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the base material layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5000 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower. The gist is that.
  • the invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the base material layer contains one or more selected from the group of polyester and polyamide. The gist is that.
  • the invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 6, wherein the thickness of the base material layer is 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 8 comprises a sticking step of sticking a protective film on a surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed.
  • a grinding step of grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is adsorbed on the fixture via the protective film is provided.
  • the protective film has an adhesive layer, a base material layer, and an auxiliary layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is a layer to be attached to the semiconductor wafer.
  • the auxiliary layer is a layer that comes into contact with the fixture and is a layer that comes into contact with the fixture.
  • the gist is that the semiconductor wafer has a step on the outer peripheral edge of the circuit forming surface.
  • the invention according to claim 9 is the gist of the invention according to claim 8, wherein the auxiliary layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5 MPa or more and 150 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower. do.
  • the invention according to claim 10 is the invention according to claim 8 or 9, wherein the auxiliary layer is an ethylene vinyl acetate copolymer, a polyolefin-based elastomer, a styrene-based elastomer, a polyester-based elastomer, or a polyamide-based elastomer.
  • the gist is to include one or more thermoplastic materials selected from the group of.
  • the invention according to claim 11 is the invention according to any one of claims 8 to 10, wherein the thickness of the auxiliary layer is 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the invention according to claim 12 is the invention according to any one of claims 8 to 11, wherein the base material layer is a layer having a tensile elastic modulus of 5000 MPa or less at a temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower.
  • the gist is that.
  • the invention according to claim 13 is the invention according to any one of claims 8 to 12, wherein the base material layer is one or more heats selected from the group of polyester and polyamide.
  • the gist is to include plastic materials.
  • the invention according to claim 14 is the invention according to any one of claims 8 to 13, wherein the thickness of the base material layer is 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the protective film of the present invention protects the surface on which the circuit is formed when grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state where the surface on which the circuit of the semiconductor wafer is formed is adsorbed on the fixture. It is a thing.
  • the protective film has an adhesive layer, a base material layer, and an auxiliary layer (see FIG. 1).
  • the pressure-sensitive adhesive layer is a layer that is attached to a semiconductor wafer.
  • the auxiliary layer is a layer that comes into contact with the fixture.
  • the semiconductor wafer in the present invention is a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed.
  • a semiconductor wafer having such a shape has a step on the outer peripheral edge, when grinding the back surface, a surface (circuit) adsorbed on the fixture is formed as compared with a semiconductor wafer having no step on the outer peripheral edge.
  • the area of the surface to which the protective film is attached) may be reduced. Therefore, since the semiconductor wafer in the present invention has a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed, the suction area of the surface (the surface on which the circuit is formed) attracted to the fixture is reduced. It can be said that it is a semiconductor wafer.
  • non-grinding surface the surface on which the circuit is formed
  • grinding surface the surface to be ground by thinning according to the back surface grinding method
  • the protective film 30 includes a base material layer 31, an auxiliary layer 32 provided on one surface side (lower surface side in FIG. 1) of the base material layer 31, and the base material. It has a pressure-sensitive adhesive layer 33 provided on the other surface side (upper surface side in the drawing) of the layer 31.
  • the protective film 30 is used with the pressure-sensitive adhesive layer 33 side facing the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 in the bonding step according to the back surface grinding method.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 33 is attached to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 (see FIG. 4).
  • the protective film 30 is used in the suction step according to the back surface grinding method with the auxiliary layer 32 side facing the fixture 41.
  • the auxiliary layer 32 is brought into contact with the fixture 41 and is adsorbed on the fixture 41 (see FIG. 5).
  • the auxiliary layer 32 corresponds to the surface shape of the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the surface shape of the fixture 41, and is elastically deformed according to these. That is, the auxiliary layer 32 is elastically deformed to assist the adsorption of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41 (see FIG. 6).
  • the base material layer 31 of the protective film 30 is attached to the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 by the adhesive layer 33 in the attachment step of the back surface grinding method.
  • the base material layer 31 covers the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 in the grinding process of the back surface grinding method, and protects the circuit formed on the non-grinding surface 11.
  • the shape of the protective film 30 is not particularly limited.
  • the protective film 30 can be, for example, circular, square, or the like in a plan view.
  • the average thickness of the protective film 30 is not particularly limited. Specifically, the average thickness of the protective film 30 can be preferably 150 to 1000 ⁇ m, more preferably 175 to 950 ⁇ m or more, and further preferably 200 to 750 ⁇ m.
  • the average thickness shall be the average value of the actually measured thicknesses of the films selected at 10 locations so as to be separated from each other by 2 cm or more.
  • the base material layer 31 is a layer provided for the purpose of protecting a circuit formed on the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10. Further, the base material layer 31 is a layer that improves the handleability, mechanical properties, and the like of the protective film 30.
  • the material used for the base material layer 31 is not particularly limited as long as it has mechanical strength that can withstand an external force in the grinding process of the back surface grinding method. Usually, a synthetic resin film is used as the material of the base material layer 31.
  • Examples of the synthetic resin described above include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene) and poly (1-butene); ethylene / vinyl acetate copolymers; polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; Polyesters such as Nylon-6, Nylon-66, Polymethoxylen adipamide; Polyacrylate; Polymethacrylate; Polyvinyl chloride; Polyetherimide; Polyacrylonitrile; Polycarbonate; Polyester; Ionomer; Polysulfone; Polyethersulfone; Polyphenylene ether And the like, one kind or two or more kinds of thermoplastic resins selected from the above can be mentioned.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene) and poly (1-butene); ethylene / vinyl acetate copolymers
  • polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate
  • the base material layer 31 preferably contains one or more selected from the group of polyester and polyamide.
  • the handleability of the protective film 30 can be made suitable.
  • Additives can be added to the synthetic resin described above. Additives include plasticizers, softeners (mineral oil, etc.), fillers (carbonates, sulfates, titanates, silicates, oxides (titanium oxide, magnesium oxide), silica, talc, mica, clay, fibers. Fillers, etc.), antioxidants, light stabilizers, antistatic agents, lubricants, colorants, etc. are exemplified. These additives may be used alone or in combination of two or more.
  • the film used as the material of the base material layer 31 may or may not be stretched.
  • any stretched film such as a non-stretched film, a uniaxially stretched film or a biaxially stretched film can be used.
  • the stretched film is useful from the viewpoint of improving the mechanical strength.
  • either a single-layer film or a multilayer film having a plurality of layers can be used.
  • Specific examples of the surface treatment include corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coating treatment and the like.
  • the thickness of the base material layer 31 is not particularly limited.
  • the thickness T 31 (see FIG. 1) of the base material layer 31 is preferably 10 to 200 ⁇ m, more preferably 20 to 150 ⁇ m, and even more preferably 30 to 100 ⁇ m.
  • the range of the thickness is from the viewpoint that the base material layer 31 can obtain good properties.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer 31 and the auxiliary layer 32 is measured by a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA) from 25 ° C. to 35 ° C., and the data of each temperature is read from the obtained data. can get.
  • the measurement conditions are a sample size of 10 mm in width, a length of 20 mm between chucks, a frequency of 1 Hz, and a heating rate of 5 ° C./min.
  • the value at 25 ° C. is E'32 (25)
  • the value at 35 ° C. is E'32 (35)
  • the value at each temperature of 25 ° C. or higher and 35 ° C. or lower is E'. It is 32 (t).
  • Tensile modulus of the base layer 31 is usually E '31 (t) ⁇ 5000MPa . That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the base material layer 31 is always 5000 MPa or less. Accordingly, E '31 (25) ⁇ 5000MPa, E' is 31 (35) ⁇ 5000MPa. Also, usually, E '31 (t)> E' 32 (t). That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the base material layer 31 is always higher than the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32.
  • the degree of height is not limited, E '31 (t) is, E' from 32 (t), it is preferably 20 ⁇ 4850MPa high, and more preferably higher 700 ⁇ 4850MPa.
  • a tensile elastic modulus, and tensile modulus of the auxiliary layer 32 the difference between the base layer 31 (E '31 (25) -E' 32 (25)) is, 20 MPa ⁇ E ' 31 (25) -E '32 ( 25) ⁇ 4850MPa are preferred, 700MPa ⁇ E' 31 (25 ) -E '32 (25) ⁇ 4850MPa is more preferable.
  • the difference (E '31 (35) -E ' 32 (35)) is, 20 MPa ⁇ E '31 (35) -E' 32 (35) ⁇ 4850MPa are preferred, 700MPa ⁇ E '31 (35 ) -E' 32 (35) ⁇ 4850MPa is more preferable.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer 31 and the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32 have the above-mentioned relationship.
  • the substrate layer 31 protects the circuit of the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 because its tensile elastic modulus is always higher than the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32. Therefore, the shape covering the non-ground surface 11 is maintained (see FIG. 5).
  • the auxiliary layer 32 is elastically deformed because its tensile elastic modulus is always lower than that of the base material layer 31.
  • the back layer portion on the base material layer 31 side has a shape that follows the base material layer 31, and the surface layer portion on the fixture 41 side follows the surface shape of the fixture 41. It becomes a shape (see FIG. 5).
  • the auxiliary layer 32 is a layer provided for the purpose of assisting the adsorption of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41 in the adsorption step of the back surface grinding method.
  • the auxiliary layer 32 is a layer that can be elastically deformed according to both the surface shape of the semiconductor wafer 10 having the step 13 and the surface shape of the fixture 41 (see FIG. 5). Then, the elastically deformed auxiliary layer 32 assists the adsorption of the semiconductor wafer 10 to the fixture 41.
  • the auxiliary layer 32 becomes more flexible when the tensile modulus is lowered.
  • the auxiliary layer 32 it is possible to improve the followability of the auxiliary layer 32 to the surface shapes of the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the fixture 41 (chuck table or the like). Further, the hardness of the auxiliary layer 32 increases when the tensile elastic modulus is increased. In this case, sticking of the auxiliary layer 32 to the fixing tool 41 (chuck table or the like) is suppressed, and the detachability between the auxiliary layer 32 and the fixing tool 41 can be improved.
  • the tensile modulus of the auxiliary layer 32 is preferably a 5MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 150MPa. That is, in the temperature range of 25 ° C. ⁇ t ⁇ 35 ° C., the tensile elastic modulus of the auxiliary layer 32 is 5 MPa or more and 150 MPa or less. In this case, the auxiliary layer 32 can exhibit sufficient elasticity (mechanical elasticity) under the environmental temperature at which the back surface grinding method is carried out.
  • the tensile modulus is more preferably 6MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 120MPa. More preferably 7MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 80MPa. Particularly preferred are 8MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 60MPa. Especially preferred are 9MPa ⁇ E '32 (t) ⁇ 45MPa.
  • the material used for the auxiliary layer 32 is not particularly limited.
  • the material of the auxiliary layer 32 is preferably a resin, and among the resins, a resin having sufficient elasticity (mechanical elasticity) is more preferable, and a resin containing a thermoplastic material having an elastomeric property is particularly preferable.
  • the thermoplastic material having an elastomeric property may be made of a block copolymer having a hard segment and a soft segment, or may be made of a polymer alloy of a hard polymer and a soft polymer, and has both of these properties. It may be a thing.
  • thermoplastic material examples include ethylene-vinyl acetate copolymer, polyolefin-based elastomer, styrene-based elastomer, polyester-based elastomer, and polyamide-based elastomer. Only one of these may be used, or two or more thereof may be used in combination.
  • the ratio of the thermoplastic material material is preferably 40 to 100% by mass, more preferably 60 to 60 to the total amount of the resin constituting the auxiliary layer 32. It can be 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass. That is, the resin constituting the auxiliary layer 32 may be made of only the above-mentioned thermoplastic material. Further, among the above-mentioned thermoplastic materials, the ethylene-vinyl acetate copolymer is particularly preferable because its elasticity can be adjusted according to the content of vinyl acetate.
  • the content of vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is preferably 4 to 30% by mass, more preferably 5 to 25% by mass, and further preferably 8 to 20% by mass when the whole polymer is 100% by mass. %.
  • the thickness of the auxiliary layer 32 is not particularly limited.
  • the thickness T 32 (see FIG. 1) of the auxiliary layer 32 is preferably 100 to 500 ⁇ m, more preferably 100 to 400 ⁇ m, and even more preferably 100 to 250 ⁇ m.
  • the range of the thickness is from the viewpoint of maintaining a sufficient grace period for elastic deformation.
  • the thickness T 32 of the auxiliary layer 32, than the height H of the step 13 in the thickness direction of the semiconductor wafer 10 (see FIG. 2) is usually 1.0 times or more (H ⁇ T 32), It is preferably 1.5 times or more (1.5 ⁇ H ⁇ T 32 ), and more preferably 2.0 times or more (2.0 ⁇ H ⁇ T 32 ).
  • Adhesive layer 33 is a layer provided for the purpose of being attached to the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 in the attachment step according to the back surface grinding method.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 33 can be formed by applying or laminating a pressure-sensitive adhesive or the like on the surface (upper surface in FIG. 1) of the base material layer 31 on the non-grinding surface 11 side.
  • the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer 33 is not particularly limited.
  • this adhesive include (meth) acrylic adhesives, silicone adhesives, urethane adhesives, rubber adhesives, energy ray curable adhesives, acrylic adhesives, silicone adhesives, silicone adhesives and the like. Can be mentioned.
  • the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 33 is not particularly limited. This adhesive force is preferably 0.1 to 10 N / 25 mm. The adhesive strength is more preferably 0.2 to 9 N / 25 mm, still more preferably 0.3 to 8 N / 25 mm. The range of the adhesive force is from the viewpoint that the adhesive residue on the semiconductor wafer can be suppressed at the time of peeling while ensuring good adhesiveness with the semiconductor wafer.
  • This adhesive strength is the adhesive strength with respect to the silicon wafer measured in accordance with JIS Z0237. Specifically, it is a measured value when it is attached to the surface of a silicon wafer in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%, left for 60 minutes, and then peeled off from the surface of the silicon wafer.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 33 is not particularly limited.
  • the thickness T 33 (see FIG. 1) of the pressure-sensitive adhesive layer 33 is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 45 ⁇ m, and even more preferably 3 to 40 ⁇ m.
  • the range of the thickness is from the viewpoint that it can be peeled off without adhesive residue while exhibiting a suitable adhesive force.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 33 of the protective film 30 may be provided on the surface of the base material layer 31 on the non-grinding surface 11 side at the time of being attached to the semiconductor wafer 10.
  • a laminate of the base material layer 31 and the auxiliary layer 32 is prepared in advance, and immediately before the laminate is attached to the semiconductor wafer 10, an adhesive or the like is applied or laminated on the laminate or the semiconductor wafer 10.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 33 can be formed by laminating the laminate and the semiconductor wafer 10.
  • the protective film 30 is not limited to the above-mentioned structure having each layer, but may have a structure having other layers.
  • a concave-convex absorption layer that absorbs the uneven shape due to the bump 15 can be mentioned.
  • the uneven absorption layer can be formed by laminating one surface of the base material layer 31 on the non-grinding surface 11 side, particularly between the base material layer 31 and the pressure-sensitive adhesive layer 33.
  • the material of the unevenness absorbing layer is not particularly limited as long as it has unevenness absorbing property due to the development of fluidity or plasticity. Examples of this material include acrylic resins, olefin resins, ethylene / polar monomer copolymers, and the like.
  • the thickness of the unevenness absorbing layer is not particularly limited as long as it can exhibit the unevenness absorbing property for the uneven shape of the bump 15.
  • the thickness is preferably 20 ⁇ m or more, more preferably 80 ⁇ m or more, still more preferably 170 ⁇ m or more.
  • a layer having the same structure as the auxiliary layer 32 can be provided on one surface of the base material layer 31 on the non-grinding surface 11 side, particularly between the base material layer 31 and the pressure-sensitive adhesive layer 33.
  • the protective film 30 can prevent the attached semiconductor wafer 10 from warping.
  • an interface strength improving layer for improving the interface strength with the pressure-sensitive adhesive layer 33 for example, an interface strength improving layer for improving the interface strength with the pressure-sensitive adhesive layer 33, a migration prevention layer for suppressing the transfer of low molecular weight components to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 33, and an antistatic film 30 are charged.
  • An antistatic layer or the like for preventing the above can be mentioned.
  • only one type may be used, or two or more types may be used in combination.
  • the semiconductor wafer used in the present invention is used for manufacturing semiconductor parts, and if a circuit is formed on one surface (non-grinding surface) thereof, the material and shape thereof are particularly high. Not limited. Usually, a semiconductor wafer is formed in a disk shape using silicon as a material (see FIG. 2). This semiconductor wafer is thinned by grinding the back surface (grinding surface) opposite to the surface (non-grinding surface) on which the circuit is formed.
  • the protective film of the present invention is used in the back surface grinding method for thinning a semiconductor wafer.
  • a wafer having no step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed can be used, but on the surface on which the circuit is formed (non-grinding surface). It can also be suitably used for those having a step on the outer peripheral edge. That is, when the back surface of the semiconductor wafer is ground, a protective film is attached to the non-ground surface in order to protect the non-grinded surface.
  • the surface (non-grinding surface) side to which the protective film is attached is fixed to the fixture by vacuum suction or the like.
  • a protective film is attached to the non-grinding surface of a semiconductor wafer and fixed to a fixative, a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge of the non-grinding surface is a semiconductor wafer having no step on the outer peripheral edge of the non-grinding surface.
  • the area of the non-grinded surface attracted to the fixture may be smaller than that of the fixture.
  • the protective film of the present invention can be applied to a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge of the surface (non-grinding surface) on which the circuit is formed and the suction area of the non-grinding surface to the fixture is reduced. It can be suitably used. Therefore, since the semiconductor wafer in the present invention has a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed, the suction area of the surface (the surface on which the circuit is formed) attracted to the fixture is reduced. It can be said that it is a semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer 10 is formed in a plate shape as shown in FIG. A circuit is formed on the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10.
  • the semiconductor wafer 10 is thinned to a desired thickness by grinding the ground surface 12 (see FIG. 6). Further, as shown in FIG. 7, the present invention can also be used for grinding the grinding surface 12 in DBG (Dicing Before Grinding) or SDBG (Stealth Dicing Before Grinding).
  • the semiconductor wafer 10 has an arcuate surface 14 at a portion extending from the non-grinded surface 11 or the ground surface 12 to the outer surface by chamfering. In the trimming process, of the arcuate surfaces 14, the arcuate surface 14 on the non-grinding surface 11 side is cut and removed (see FIG. 3).
  • the trimmed semiconductor wafer 10 has a concave step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 (see FIG. 2).
  • Examples of the trimming device 20 used in the trimming process include a chuck table 21 for sucking the semiconductor wafer 10 by vacuum suction and a trimming blade 22 as shown in FIG.
  • the grinding surface 12 of the semiconductor wafer 10 is attracted to the chuck table 21 and fixed to the chuck table 21.
  • the trimming process is performed by pressing the trimming blade 22 against the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 while rotating the chuck table 21 on which the semiconductor wafer 10 is attracted and fixed.
  • the arc surface 14 on the non-grinding surface 11 side is cut off by the trimming blade 22, so that a concave step 13 is formed on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11.
  • the step 13 caused by the above-mentioned trimming process has a width W of the semiconductor wafer 10 in the radial direction, preferably 1 to 10 mm, more preferably 2 to 8 mm, and particularly preferably 3 to 7 mm (see FIG. 2). Further, the height H of the semiconductor wafer 10 in the thickness direction of the step 13 is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 20 to 80 ⁇ m, and particularly preferably 30 to 70 ⁇ m (see FIG. 2).
  • the step 13 is not limited to the one generated by the trimming process.
  • Examples of the semiconductor wafer 10 having a step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 include the semiconductor wafer 10 having the following configuration, in addition to the one obtained by trimming.
  • a plurality of bumps 15 are formed on the non-grinding surface 11, so that a step 13 is formed on the outer peripheral edge on the non-grinding surface 11 side.
  • examples of the semiconductor wafer having the above-mentioned step include a wafer in which a multilayer film is formed on a non-grinding surface.
  • the width W and the height H are the average values of the measured width and the measured height of the four steps selected so as to be spaced by 10 to 90 degrees at the central angle, respectively. do.
  • the step 13 of the semiconductor wafer 10 includes a step caused by the trimming process and a step caused by the formation of bumps and multilayer films.
  • the step 13 caused by the formation of the bump or the multilayer film has a height difference (height in the thickness direction of the semiconductor wafer 10) within a range of a width W of 1 to 30 mm in the radial direction of the semiconductor wafer 10 from the outer peripheral edge. It can be said that H) is 10 to 300 ⁇ m (see FIG. 8).
  • the semiconductor wafer 10 utilizing the protective film of the present invention may be any kind.
  • a wafer having a reduced suction area for a fixture such as a chuck table is particularly useful.
  • Examples of the semiconductor wafer 10 having a reduced suction area include a trimmed wafer.
  • the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 is trimmed (cut) and a step 13 is provided, so that the suction area for the fixture 41 (chuck table or the like) is reduced. ..
  • the above-mentioned "adsorption area” indicates an area on which the adsorption force of the fixture 41 can be applied.
  • the trimmed semiconductor wafer 10 has a step 13 formed by the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 being cut into a concave shape.
  • the step 13 and the portion other than the step 13 do not come into contact with the fixture 41 on the same surface. For this reason, the suction force of the fixture 41 is difficult or non-acting at the step 13.
  • the actual adsorption area ar1 on the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10 is a value obtained by subtracting the flat area of the portion corresponding to the step 13 from the flat area ar2 of the semiconductor wafer 10 (see FIG. 2).
  • the semiconductor wafer 10 having the step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 is in a state where the suction force of the fixture 41 acts only on the suction area ar1 smaller than the flat area ar2.
  • the semiconductor wafer 10 has a step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11, so that the adsorption area ar1 of the non-grinding surface 11 with respect to the fixture 41 is the flat area ar2 of the semiconductor wafer 10 (non-grinding surface 11). It can be said that it is a semiconductor wafer reduced from.
  • the backside grinding method for a semiconductor wafer of the present invention includes a sticking step, an adsorption step, and a grinding step.
  • the sticking step is a step of sticking a protective film on the surface of the semiconductor wafer on which the circuit is formed.
  • the adsorption step is a step of interposing a protective film between the semiconductor wafer and the fixture that adsorbs the semiconductor wafer, and adsorbing the semiconductor wafer to the fixture via the protective film.
  • the grinding step is a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is adsorbed on the fixture via the protective film.
  • the protective film has an adhesive layer, a base material layer, and an auxiliary layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is a layer that is attached to a semiconductor wafer.
  • the auxiliary layer is a layer that comes into contact with the fixture.
  • the semiconductor wafer in the present invention is a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed. Since a semiconductor wafer having such a shape has a step on the outer peripheral edge, when grinding the back surface, a surface (circuit) adsorbed on the fixture is formed as compared with a semiconductor wafer having no step on the outer peripheral edge. The area of the surface to which the protective film is attached) may be reduced.
  • the semiconductor wafer in the present invention has a step on the outer peripheral edge of the surface on which the circuit is formed, the suction area of the surface (the surface on which the circuit is formed) attracted to the fixture is reduced. It is a semiconductor wafer made.
  • the back surface grinding method is a method for thinning the semiconductor wafer 10 by grinding the back surface of the semiconductor wafer 10.
  • This back surface grinding method includes a processing apparatus 40 including a fixture 41 for sucking and fixing the semiconductor wafer 10 and a grinding tool 42 for grinding the grinding surface 12 of the semiconductor wafer 10, as shown in FIGS. 5 and 6. Is done using.
  • the protective film 30 is used in order to protect the circuit formed on the non-grinding surface 11 when grinding the back surface of the semiconductor wafer 10.
  • the protective film 30 has a base material layer 31, an auxiliary layer 32, and an adhesive layer 33.
  • the semiconductor wafer 10 has a step 13 on the outer peripheral edge of the non-grinding surface 11 (the surface on which the circuit is formed), so that the suction area of the non-grinding surface 11 with respect to the fixture 41 is reduced. ing.
  • each step of the sticking step, the suction step, and the grinding step will be described.
  • the sticking step is a step for sticking the above-mentioned protective film 30 to the semiconductor wafer 10.
  • the protective film 30 is attached to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10.
  • the protective film 30 is attached to the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 so as to cover the uneven shape of the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10, particularly the step 13 on the outer peripheral portion.
  • a resin such as an adhesive layer can be interposed between the protective film 30 and the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10. In this case, the intervening resin can more reliably protect the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10.
  • the method and apparatus for attaching the protective film 30 to the semiconductor wafer 10 are not particularly limited in the attaching step. Existing ones can be used for the method and the device.
  • the adsorption step is a step for the purpose of adsorbing the semiconductor wafer 10 to which the above-mentioned protective film 30 is attached to the fixture 41.
  • a protective film 30 is interposed between the non-grinding surface 11 of the semiconductor wafer 10 and the fixture 41 that sucks the semiconductor wafer 10, and the semiconductor wafer 10 is placed through the protective film 30. It is adsorbed on the fixture 41.
  • the semiconductor wafer 10 to which the protective film 30 is attached in the attachment step is attracted to the fixture 41 so that the non-grinding surface 11 faces the fixture 41 side. Will be done.
  • the surface layer portion on the fixing tool 41 side is elastically deformed according to the surface shape of the fixing tool 41. That is, the auxiliary layer 32 of the protective film 30 is not affected by the surface shape of the non-ground surface 11, and is particularly affected by the variation of the step 13 and is uncertain regardless of the suction area ar1.
  • the suction area ar3 with respect to the fixture 41 is elastically deformed so as to be held at substantially the same size as the surface area ar4 of the fixture 41.
  • the protective film 30 since the protective film 30 has the elastically deformable auxiliary layer 32, the adsorption area is reliably adsorbed to the fixture 41 without being affected by the surface shape of the semiconductor wafer 10 such as the step 13 and the like. It is possible to hold ar3. Therefore, in the semiconductor wafer 10, the protective film 30 has the auxiliary layer 32, so that the occurrence of adsorption defects due to the step 13 is suppressed. Therefore, the protective film 30 of the present invention is particularly useful in the back surface grinding method of the semiconductor wafer 10 having the step 13 generated by the trimming process.
  • the grinding step is a step for the purpose of thinning the semiconductor wafer 10 by grinding the grinding surface 12 of the semiconductor wafer 10.
  • the semiconductor wafer 10 is brought into contact with the grinding tool 42 against the grinding surface 12 while maintaining the state of being sucked by the fixing tool 41 in the suction step described above.
  • the grinding tool 42 is rotatably configured with the axis extending in the thickness direction of the semiconductor wafer 10 as the center of rotation, and is movably configured in the thickness direction of the semiconductor wafer 10. .
  • the fixture 41 is rotatably configured with the center thereof as the axis.
  • the grinding tool 42 is moved to maintain the state in which the grinding tool 42 is in contact with the grinding surface 12, so that the grinding surface 12 is ground. Therefore, the semiconductor wafer 10 is thinned.
  • the present invention can also be used for backside grinding of DBG and SDBG. That is, as shown in FIG. 7, in DBG and SDBG, the semiconductor wafer 10 has a plurality of half-cut portions 17 in the case of DBG and a plurality of modified layers 17 in the case of SDBG on the non-grinding surface 11. There is. In the processing step, the ground surface 12 of the semiconductor wafer 10 is ground to form a thin layer, and the semiconductor wafer 10 is separated into a plurality of chips 10A by each half-cut portion 17 or each modified layer 17 and individualized.
  • the structure of the protective film 30, the base material layer 31, and the auxiliary layer 32 are as follows.
  • Base material layer 31 Material: Polyethylene terephthalate film, E '31 (25): 4726MPa, E' 31 (35): 4581MPa. Thickness: 50 ⁇ m.
  • Adhesive layer 33 Material: UV curable acrylic adhesive Thickness: 20 ⁇ m.
  • Auxiliary layer 32 ⁇ Example 1> Material: ethylene-vinyl acetate copolymer (content of vinyl acetate: 19%), E '32 (25): 21MPa, E' 32 (35): 17MPa.
  • Thickness 120 ⁇ m.
  • Material ethylene-vinyl acetate copolymer (content of vinyl acetate: 9%), E '32 (25): 40MPa, E' 32 (35): 34MPa. Thickness: 120 ⁇ m.
  • Example 3 Material: ethylene-vinyl acetate copolymer (content of vinyl acetate: 9%), E '32 (25): 40MPa, E' 32 (35): 34MPa. Thickness: 160 ⁇ m.
  • the auxiliary layer 32 was not provided.
  • Adhesion process A tape affixing machine (part number "DR-3000II” manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) is prepared, a protective film 30 is attached to the non-ground surface 11 of the semiconductor wafer 10, and the excess portion is cut off. , Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were obtained.
  • Adsorption step A processing device (part number "DGP8760" manufactured by DISCO Corporation) was prepared, and each sample of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was adsorbed on the fixture 41, and the presence or absence of adsorption failure was observed. For this observation, each sample was adsorbed to the fixative 41 three times, and the number of occurrences of adsorption failure was measured. As a result of observation, in Examples 1 to 3, no adsorption failure occurred. On the other hand, in Comparative Example 1, adsorption failure occurred in all three adsorptions. From the above results, it was shown that the protective film 30 having the auxiliary layer 32 can prevent the adsorption failure.
  • the protective film of the present invention is widely used in applications for manufacturing semiconductor parts.
  • a semiconductor wafer having a step on the outer peripheral edge since it has a characteristic that suction failure to a fixture can be suitably suppressed, it is suitably used for manufacturing parts having excellent productivity.

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Abstract

吸着不良の発生を抑制することができる保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法を提供する。保護フィルム３０は、半導体ウエハ１０の回路が形成された面１１を固定具４１に吸着した状態で、半導体ウエハ１０の裏面１２を研削する際、面１１を保護するフィルムである。保護フィルム３０は、粘着剤層３３と、基材層３１と、補助層３２と、を有する。粘着剤層３３は、半導体ウエハ１０に貼着される層であり、補助層３２は、固定具４１に接触される層であり、半導体ウエハ１０は、回路が形成された面１１の外周縁に段差１３を有する半導体ウエハである。

Description

保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法
　本発明は、半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着する際に、その回路を保護するための保護フィルム、及びその保護フィルムを用いた半導体ウエハの裏面研削方法に関する。
　半導体部品の製造時において、半導体ウエハは、表面側に回路等が形成された後、裏面側を研削する加工が施されて薄層化される。この裏面側を研削する裏面研削方法において、半導体ウエハ１１０は、回路等が形成された表面１１１に保護フィルム１３０が貼着される（図９参照）。半導体ウエハ１１０の表面１１１は、該保護フィルム１３０を介して固定具１４１に吸着される。そして、保護フィルム１３０は、回路等を被覆することで、保護している。
　上述した保護フィルム及び裏面研削方法に関する技術として、特許文献１が開示されている。特許文献１は、表面に膜層が形成され、且つ外周側面に面取り部が形成された半導体ウエハについて、切削ブレードを半導体ウエハの表面から外周縁に切り込ませつつ半導体ウエハを回転させることにより、少なくとも面取り部上の膜層を円形に切削除去する切削ステップ（トリミング加工）を備えている。
　このトリミング加工を施された半導体ウエハ１１０は、表面１１１の外周縁に段差１１３を有している。このため、半導体ウエハ１１０を吸着する固定具１４１は、該段差１１３を配慮して設計されている。
特開２０１２－４３８２５号公報
　上述のような段差１１３を有する半導体ウエハ１１０は、固定具１４１において真空リーク等の吸着不良を起こすものがあることが分かった。この吸着不良は、例えば、トリミング加工の場合、加工精度の限界等による段差１１３の寸法や形状のばらつき等に起因して発生すると考えられる。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、吸着不良の発生を抑制することができる保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法を提供することを目的とする。
　上記の問題点を解決する手段として、本発明は以下の通りである。
　［１］請求項１に記載の発明は、半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する際、前記回路が形成された面を保護する保護フィルムであって、
　粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有し、
　前記粘着剤層は、前記半導体ウエハに貼着される層であり、
　前記補助層は、前記固定具に接触される層であり、
　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された面の外周縁に段差を有することを要旨とする。
　［２］請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［３］請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［４］請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の発明において、前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下であることを要旨とする。
　［５］請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［６］請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含むことを要旨とする。
　［７］請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを要旨とする。
　［８］請求項８に記載の発明は、半導体ウエハの回路が形成された面に保護フィルムを貼着する貼着工程と、
　前記半導体ウエハと、該半導体ウエハを吸着する固定具と、の間に、前記保護フィルムを介在させて、該保護フィルムを介して前記半導体ウエハを前記固定具に吸着する吸着工程と、
　前記保護フィルムを介して前記半導体ウエハを前記固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する研削工程と、を備え、
　前記保護フィルムは、粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有し、
　前記粘着剤層は、前記半導体ウエハに貼着される層であり、
　前記補助層は、前記固定具に接触される層であり、
　前記半導体ウエハは、前記回路形成面の外周縁に段差を有することを要旨とする。
　［９］請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［１０］請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の発明において、前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上の熱可塑性材料を含むことを要旨とする。
　［１１］請求項１１に記載の発明は、請求項８乃至１０のうちのいずれかに記載の発明において、前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下であることを要旨とする。
　［１２］請求項１２に記載の発明は、請求項８乃至１１のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層であることを要旨とする。
　［１３］請求項１３に記載の発明は、請求項８乃至１２のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上の熱可塑性材料を含むことを要旨とする。
　［１４］請求項１４に記載の発明は、請求項８乃至１３のうちのいずれかに記載の発明において、前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを要旨とする。
　本発明の保護フィルム及び半導体ウエハの裏面研削方法によれば、吸着不良の発生を抑制することができる。
本発明の保護フィルムを説明する拡大した正断面図である。 本発明に係る半導体ウエハを説明する正断面図である。 本発明に係る半導体ウエハのトリミング加工を説明する正断面図である。 本発明の半導体ウエハの裏面研削方法で貼着工程を説明する正断面図である。 本発明の半導体ウエハの裏面研削方法で吸着工程を説明する正断面図である。 本発明の半導体ウエハの裏面研削方法で研削工程を説明する正断面図である。 本発明で別形態の半導体ウエハの研削工程を説明する正断面図である。 本発明に係る別形態の半導体ウエハを説明する正断面図である。 従来の半導体ウエハの吸着方法を説明する正断面図である。
　以下、本発明を、図面を参照しながら説明する。ここで示す事項は例示的なもの及び本発明の実施形態を例示的に説明するためのものであり、本発明の原理と概念的な特徴とを最も有効に且つ難なく理解できる説明であると思われるものを提供する目的で述べたものである。この点で、本発明の根本的な理解のために必要で、ある程度以上に本発明の構造的な詳細を示すことを意図してはおらず、図面と合わせた説明によって本発明の幾つかの形態が実際にどのように具現化されるかを当業者に明らかにするものである。
［１］保護フィルム
　本発明の保護フィルムは、半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する際、前記回路が形成された面を保護するものである。
　保護フィルムは、粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有している（図１参照）。
　粘着剤層は、半導体ウエハに貼着される層である。
　補助層は、固定具に接触される層である。
　本発明における半導体ウエハは、回路が形成された面の外周縁に段差を有する半導体ウエハである。
　このような形状の半導体ウエハは、外周縁に段差を有するため、裏面を研削する際、外周縁に段差を有さない半導体ウエハに比べて、固定具に吸着される面（回路が形成された面であり、保護フィルムが貼着される面）の該固定具への吸着面積が少なくなる場合がある。
　よって、本発明における半導体ウエハは、回路が形成された面の外周縁に段差を有することから、固定具に吸着される面（回路が形成された面）の該固定具への吸着面積が減じられた半導体ウエハともいえる。
　以下、半導体ウエハにおいて、回路が形成された面を「非研削面」、裏面研削方法に係る薄層化で研削される面を「研削面」ともいう。
　具体的に、図１に示すように、保護フィルム３０は、基材層３１と、該基材層３１の一面側（図１中で下面側）に設けられた補助層３２と、該基材層３１の他面側（図中で上面側）に設けられた粘着剤層３３と、を有している。
　この保護フィルム３０は、裏面研削方法に係る貼着工程において、粘着剤層３３側を半導体ウエハ１０の非研削面１１に向けて使用される。この粘着剤層３３は、半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される（図４参照）。
　また、保護フィルム３０は、裏面研削方法に係る吸着工程において、補助層３２側を固定具４１に向けて使用される。この補助層３２は、固定具４１に接触されて、該固定具４１に吸着される（図５参照）。
　補助層３２は、半導体ウエハ１０の非研削面１１の表面形状と、固定具４１の表面形状とに対応し、これらに倣って弾性変形する。即ち、補助層３２は、弾性変形することにより、半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着を補助する（図６参照）。
　加えて、保護フィルム３０の基材層３１は、裏面研削方法の貼着工程で、粘着剤層３３により、半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される。この基材層３１は、裏面研削方法の研削工程において、半導体ウエハ１０の非研削面１１を被覆し、該非研削面１１に形成された回路を保護する。
　保護フィルム３０の形状は、特に限定されない。保護フィルム３０は、例えば、平面視で円形状、正方形状等とすることができる。
　保護フィルム３０の平均厚さは、特に限定されない。具体的に、保護フィルム３０の平均厚さは、好ましくは１５０～１０００μｍ、より好ましくは１７５～９５０μｍ以上、さらに好ましくは２００～７５０μｍとすることができる。
　尚、平均厚さは、互いに２ｃｍ以上離れるように選択された１０ヶ所のフィルムの実測厚さの平均値であるものとする。
　以下、保護フィルム３０の各層について説明する。
（１）基材層
　基材層３１は、半導体ウエハ１０の非研削面１１に形成された回路の保護を目的として設けられる層である。また、基材層３１は、保護フィルム３０の取り扱い性や機械的特性等を向上させる層である。
　基材層３１に使用される材料は、裏面研削方法の研削工程で、外力に耐え得る機械的強度を有するのであれば、特に限定されない。
　通常、基材層３１の材料には、合成樹脂のフィルムが使用される。
　上述の合成樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリエーテルイミド；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンエーテル等から選択される１種または２種以上の熱可塑性樹脂を挙げることができる。
　基材層３１は、上述した合成樹脂の中でも、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含むものが好ましい。それらを含む場合、保護フィルム３０の取り扱い性を好適にすることができる。
　上述の合成樹脂中には添加剤を添加することができる。添加剤としては、可塑剤、軟化剤（鉱油等）、充填剤（炭酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、珪酸塩、酸化物（酸化チタン、酸化マグネシウム）、シリカ、タルク、マイカ、クレー、繊維フィラー等）、酸化防止剤、光安定化剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤等が例示される。これら添加剤は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　基材層３１の材料に使用されるフィルムは、延伸の有無を問わない。フィルムには、無延伸フィルム、一軸延伸フィルムや二軸延伸フィルム等の延伸フィルムの何れも使用することができる。特に、延伸フィルムは、機械的強度の向上の観点で有用である。
　また、上述のフィルムは、単層フィルム、複数の層を有する多層フィルムの何れも使用することができる。
　基材層３１には、表面処理されたフィルムを使用することが好ましい。その場合、補助層３２等との接着性の向上を図ることができる。表面処理の具体例として、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等が挙げられる。
　基材層３１の厚さは、特に限定されない。この基材層３１の厚さＴ３１（図１参照）は、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍ、さらに好ましくは３０～１００μｍである。該厚さの範囲は、基材層３１が良好な特性を得ることができるという観点による。
　ここで、基材層３１及び補助層３２の引張弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）により、２５℃から３５℃まで測定して得られたデータから各温度のデータを読み取ることで得られる。測定条件は、サンプルサイズを幅１０ｍｍ、チャック間の長さ２０ｍｍとし、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分である。
　以下では、基材層３１の引張弾性率について、２５℃の値をＥ’３１（２５）、３５℃の値をＥ’３１（３５）とし、２５℃以上３５℃以下の各温度の値をＥ’３１（ｔ）とする。
　また、補助層３２の引張弾性率について、２５℃の値をＥ’３２（２５）、３５℃の値をＥ’３２（３５）とし、２５℃以上３５℃以下の各温度の値をＥ’３２（ｔ）とする。
　基材層３１の引張弾性率は、通常、Ｅ’３１（ｔ）≦５０００ＭＰａである。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、基材層３１の引張弾性率は、常に５０００ＭＰａ以下である。従って、Ｅ’３１（２５）≦５０００ＭＰａ、Ｅ’３１（３５）≦５０００ＭＰａである。
　また、通常、Ｅ’３１（ｔ）＞Ｅ’３２（ｔ）である。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、基材層３１の引張弾性率は、常に補助層３２の引張弾性率より高い。その高さの程度は限定されないが、Ｅ’３１（ｔ）は、Ｅ’３２（ｔ）より、２０～４８５０ＭＰａ高いことが好ましく、７００～４８５０ＭＰａ高いことがより好ましい。
　従って、ｔ＝２５℃において、基材層３１の引張弾性率と、補助層３２の引張弾性率と、の差（Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５））は、２０ＭＰａ≦Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５）≦４８５０ＭＰａが好ましく、７００ＭＰａ≦Ｅ’３１（２５）－Ｅ’３２（２５）≦４８５０ＭＰａがより好ましい。
　同様に、ｔ＝３５℃において、基材層３１の引張弾性率と、補助層３２の引張弾性率と、の差（Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５））は、２０ＭＰａ≦Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５）≦４８５０ＭＰａが好ましく、７００ＭＰａ≦Ｅ’３１（３５）－Ｅ’３２（３５）≦４８５０ＭＰａがより好ましい。
　基材層３１の引張弾性率と、補助層３２の引張弾性率とは、上述の関係を有している。
　半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着時において、基材層３１は、その引張弾性率が補助層３２の引張弾性率よりも常に高いことから、半導体ウエハ１０の非研削面１１の回路を保護するべく、該非研削面１１を被覆する形状を保持する（図５参照）。
　一方、補助層３２は、その引張弾性率が基材層３１の引張弾性率よりも常に低いことから、弾性変形する。この補助層３２の弾性変形について、基材層３１側となる裏層部分は、基材層３１に倣った形状となり、固定具４１側となる表層部分は、固定具４１の表面形状に倣った形状となる（図５参照）。
（２）補助層
　補助層３２は、裏面研削方法の吸着工程で、半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着を補助することを目的として設けられる層である。
　具体的に、補助層３２は、段差１３を有する半導体ウエハ１０の表面形状と、固定具４１の表面形状と、の双方に応じて弾性変形することが可能な層である（図５参照）。そして、弾性変形した補助層３２により、半導体ウエハ１０の固定具４１への吸着が補助される。
　補助層３２は、引張弾性率を低くした場合、柔軟性が高まる。この場合、半導体ウエハ１０の非研削面１１と、固定具４１（チャックテーブル等）との表面形状に対する補助層３２の追従性を向上させることができる。
　また、補助層３２は、引張弾性率を高くした場合、硬度が高まる。この場合、補助層３２の固定具４１（チャックテーブル等）への貼りつきが抑制され、補助層３２と固定具４１との着脱性を向上させることができる。
　補助層３２の引張弾性率は、好ましくは、５ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦１５０ＭＰａである。即ち、２５℃≦ｔ≦３５℃の温度範囲において、補助層３２の引張弾性率は、５ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下である。この場合、補助層３２は、裏面研削方法を実施する環境温度下で、十分な弾性（力学的な伸縮性）を発揮することができる。
　この引張弾性率は、より好ましくは、６ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦１２０ＭＰａである。さらに好ましくは、７ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦８０ＭＰａである。特に好ましくは、８ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦６０ＭＰａである。とりわけ好ましくは、９ＭＰａ≦Ｅ’３２（ｔ）≦４５ＭＰａである。
　補助層３２に使用される材料は、特に限定されない。補助層３２の材料は、樹脂が好ましく、樹脂のなかでも、十分な弾性（力学的な伸縮性）を有する樹脂がより好ましく、エラストマー性を有する熱可塑性材料を含む樹脂が特に好ましい。
　エラストマー性を有する熱可塑性材料は、ハードセグメント及びソフトセグメントを有したブロック共重合体からなってもよく、ハードポリマーとソフトポリマーとのポリマーアロイからなってもよく、これらの両方の特性を有したものであってもよい。
　熱可塑性材料料としては、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　補助層３２の材料が上述の熱可塑性材料を含む樹脂の場合、熱可塑性材料料の割合は、補助層３２を構成する樹脂全体に対して、好ましくは４０～１００質量％、より好ましくは６０～１００質量％、さらに好ましくは８０～１００質量％とすることができる。即ち、補助層３２を構成する樹脂は、上述の熱可塑性材料のみからなってもよい。
　また、上述の熱可塑性材料のなかでも、エチレン酢酸ビニル共重合体は、酢酸ビニルの含量に応じて弾性の調整が可能であることから、特に好ましい。エチレン酢酸ビニル共重合体中における酢酸ビニルの含量は、重合体全体を１００質量％とした場合に、好ましくは４～３０質量％、より好ましくは５～２５質量％、さらに好ましくは８～２０質量％である。
　補助層３２の厚さは、特に限定されない。この補助層３２の厚さＴ３２（図１参照）は、好ましくは１００～５００μｍ、より好ましくは１００～４００μｍ、さらに好ましくは１００～２５０μｍである。該厚さの範囲は、十分に弾性変形が可能な程度の猶予を維持するという観点による。
　また、補助層３２の厚さＴ３２は、半導体ウエハ１０の厚さ方向における段差１３の高さＨ（図２参照）に比べ、通常、１．０倍以上であり（Ｈ≦Ｔ３２）、好ましくは１．５倍以上（１．５×Ｈ≦Ｔ３２）、さらに好ましくは２．０倍以上（２．０×Ｈ≦Ｔ３２）である。
（３）粘着剤層
　粘着剤層３３は、裏面研削方法に係る貼着工程で、半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着されることを目的として設けられる層である。
　具体的に、粘着剤層３３は、基材層３１の非研削面１１側の面（図１中で上面）に、粘着剤等を塗布又は積層して形成することができる。
　粘着剤層３３に使用される粘着剤等は、特に限定されない。
　この粘着剤等として、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、エネルギー線硬化型粘着剤、あるいはアクリル系、エポキシ系、シリコーン系接着剤などが挙げられる。
　粘着剤層３３の粘着力は、特に限定されない。
　この粘着力は、０．１～１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着力は、より好ましくは０．２～９Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは０．３～８Ｎ／２５ｍｍである。
　該粘着力の範囲は、半導体ウエハとの良好な接着性を確保しつつ、剥離時に半導体ウエハへの糊残りを抑制できるという観点による。
　なお、この粘着力は、ＪＩＳ　Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力である。具体的には、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下にて、シリコンウエハの表面に貼着し、６０分間放置した後、シリコンウエハの表面から剥離するときの測定値である。
　粘着剤層３３の厚さは、特に限定されない。
　この粘着剤層３３の厚さＴ３３（図１参照）は、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～４５μｍ、さらに好ましくは３～４０μｍである。該厚さの範囲は、好適な粘着力を発揮しつつ糊残りなく剥離できるという観点による。
　なお、保護フィルム３０の粘着剤層３３は、半導体ウエハ１０へ貼着される時点で、基材層３１の非研削面１１側の面に設けられていればよい。
　例えば、基材層３１と補助層３２との積層体を予め用意しておき、この積層体を半導体ウエハ１０に貼着する直前で、積層体又は半導体ウエハ１０に粘着剤等を塗布又は積層し、さらに前記積層体と半導体ウエハ１０とを貼り合わせることにより、粘着剤層３３を形成することができる。
（４）その他の層
　保護フィルム３０は、上述の各層を有する構成に限らず、他の層を有する構成とすることができる。
　他の層として、例えば、図８に例示されたバンプ１５を有する半導体ウエハ１０の場合に、バンプ１５による凹凸形状を吸収する凹凸吸収層が挙げられる。
　凹凸吸収層は、非研削面１１側となる基材層３１の一面、特に基材層３１と粘着剤層３３との間に積層し形成することができる。この凹凸吸収層の材料は、流動性又は可塑性の発現による凹凸吸収性を有するものであれば、特に限定されない。この材料として、例えばアクリル系樹脂、オレフィン系樹脂およびエチレン・極性モノマー共重合体等が挙げられる。
　凹凸吸収層の厚さは、バンプ１５による凹凸形状に対する凹凸吸収性を発揮できる厚さであれば、特に限定されない。該厚さは、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、さらに好ましくは１７０μｍ以上である。
　また、非研削面１１側となる基材層３１の一面、特に基材層３１と粘着剤層３３との間には、上記補助層３２と同じ構成の層を設けることができる。この場合、保護フィルム３０は、貼着された半導体ウエハ１０の反りを防止することができる。
　更に、他の層として、例えば、粘着剤層３３との界面強度を向上する界面強度向上層、粘着剤層３３の表面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層、保護フィルム３０の帯電を防止する帯電防止層等が挙げられる。
　上述した他の層は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
［２］半導体ウエハ
　本発明に供される半導体ウエハは、半導体部品の製造に供されるものであり、その一面（非研削面）に回路が形成されたものであれば、材料、形状について特に限定されない。通常、半導体ウエハは、珪素（シリコン）を材料に用いて円板状に形成されている（図２参照）。
　この半導体ウエハは、回路が形成された面（非研削面）とは反対側になる裏面（研削面）を研削して薄層化される。
　本発明の保護フィルムは、半導体ウエハの薄層化に係る裏面研削方法で使用される。この保護フィルムが用いられる半導体ウエハは、回路が形成された面（非研削面）の外周縁に段差を有さないものを用いることができるが、回路が形成された面（非研削面）の外周縁に段差を有するものにも好適に用いることができる。
　即ち、半導体ウエハは、裏面を研削する際、非研削面を保護するべく、該非研削面に保護フィルムが貼着される。保護フィルムが貼着された半導体ウエハは、その保護フィルムが貼着された面（非研削面）側が、真空吸引等によって固定具に固定される。
　半導体ウエハの非研削面に保護フィルムが貼着されて固定具に固定される際、非研削面の外周縁に段差を有する半導体ウエハは、非研削面の外周縁に段差を有さない半導体ウエハに比べて、非研削面の固定具への吸着面積が少なくなる場合がある。このように、回路が形成された面（非研削面）の外周縁に段差を有し、非研削面の固定具への吸着面積が少なくなった半導体ウエハにも、本発明の保護フィルムは、好適に用いることができる。
　よって、本発明における半導体ウエハは、回路が形成された面の外周縁に段差を有することから、固定具に吸着される面（回路が形成された面）の該固定具への吸着面積が減じられた半導体ウエハともいえる。
　具体的に、半導体ウエハ１０は、図２に示すように、板状に形成されている。半導体ウエハ１０の非研削面１１には、回路が形成されている。この半導体ウエハ１０は、研削面１２を研削することにより、所望の薄さに薄層化される（図６参照）。
　また、本発明は、図７に示すように、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）やＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）における研削面１２の研削に使用することもできる。
　半導体ウエハ１０は、面取り処理により、非研削面１１又は研削面１２から外側面に至る部位にそれぞれ円弧面１４を有している。トリミング加工では、それら円弧面１４のうち、非研削面１１側の円弧面１４が、切削されて除去される（図３参照）。このトリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁に凹状の段差１３を有している（図２参照）。
　ここで、上述のトリミング加工について説明する。
　トリミング加工で使用されるトリミング装置２０としては、図３に示すような、半導体ウエハ１０を真空吸引により吸着するチャックテーブル２１と、トリミングブレード２２と、を備えるものが例示される。
　トリミング加工時において、半導体ウエハ１０は、研削面１２がチャックテーブル２１に吸着されて、該チャックテーブル２１に固定されている。
　トリミング加工は、半導体ウエハ１０が吸着固定されたチャックテーブル２１を回転させながら、半導体ウエハ１０の非研削面１１の外周縁にトリミングブレード２２を押し当てることによって行われる。
　トリミング加工された半導体ウエハ１０は、トリミングブレード２２によって非研削面１１側の円弧面１４が切削除去されることにより、非研削面１１の外周縁に凹状の段差１３が形成される。
　上述のトリミング加工に起因する段差１３は、半導体ウエハ１０の径方向における幅Ｗが、好ましくは１～１０ｍｍ、より好ましくは２～８ｍｍ、特に好ましくは３～７ｍｍである（図２参照）。
　また、この段差１３は、半導体ウエハ１０の厚さ方向における高さＨが、好ましくは１０～１００μｍ、より好ましくは２０～８０μｍ、特に好ましくは３０～７０μｍである（図２参照）。
　尚、上記段差１３は、上述のトリミング加工で生じたものに限定されない。トリミング加工によるもの以外に、非研削面１１の外周縁に段差１３を有する半導体ウエハ１０として、以下構成の半導体ウエハ１０が挙げられる。
　図８に示す半導体ウエハ１０は、非研削面１１上にバンプ１５が複数形成されることで、非研削面１１側の外周縁に段差１３が生じている。
　また、特に図示しないが、上記段差を有する半導体ウエハとして、非研削面上に多層膜が形成されたウエハも挙げられる。
　上述した段差１３について、幅Ｗ及び高さＨは、それぞれ、中心角で１０～９０度間隔置きになるように選択された４ヶ所の段差の実測幅及び実測高さの平均値であるものとする。
　また、本発明において、半導体ウエハ１０が有する段差１３には、トリミング加工に起因する段差と、更にバンプや多層膜の形成に起因する段差とを含むものとする。
　具体的に、バンプや多層膜の形成に起因する段差１３は、外周縁から半導体ウエハ１０の径方向における幅Ｗが１～３０ｍｍの範囲内において、高低差（半導体ウエハ１０の厚さ方向における高さＨ）が１０～３００μｍのもの、ということができる（図８参照）。
　本発明の保護フィルムを活用する半導体ウエハ１０は、どのようなものであってもよい。この半導体ウエハ１０として、特にチャックテーブル等の固定具に対する吸着面積が減じられたウエハが、有用である。
　吸着面積が減じられた半導体ウエハ１０として、特に、トリミング加工されたウエハが挙げられる。このトリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁がトリミングされ（切り掛かれ）、段差１３が設けられたことにより、固定具４１（チャックテーブル等）に対する吸着面積が減じられている。
　ここで、上記「吸着面積」とは、固定具４１による吸着力を作用させることができる面積を示す。
　詳しくは、トリミング加工された半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁が凹状に切り掛かれることによって形成された段差１３を有している。この半導体ウエハ１０の非研削面１１において、段差１３と段差１３以外の部分とは、固定具４１に対して同一面上で接触することはない。このため、固定具４１による吸着力は、段差１３において作用し難い又は作用しなくなっている。
　ここで、半導体ウエハ１０の非研削面１１における実際の吸着面積ａｒ１は、半導体ウエハ１０の平面積ａｒ２から、段差１３に該当する部分の平面積を除いた値とする（図２参照）。
　つまり、非研削面１１の外周縁に段差１３を有する半導体ウエハ１０は、平面積ａｒ２よりも小さな吸着面積ａｒ１に対してのみ、固定具４１の吸着力が作用する状態となっている。
　換言すると、半導体ウエハ１０は、非研削面１１の外周縁に段差１３を有することによって、非研削面１１の固定具４１に対する吸着面積ａｒ１が、半導体ウエハ１０（非研削面１１）の平面積ａｒ２から減じられた半導体ウエハといえる。
［３］裏面研削方法
　本発明の半導体ウエハの裏面研削方法は、貼着工程と、吸着工程と、研削工程と、を備える。
　貼着工程は、半導体ウエハの回路が形成された面に保護フィルムを貼着する工程である。
　吸着工程は、半導体ウエハと、該半導体ウエハを吸着する固定具と、の間に、保護フィルムを介在させて、該保護フィルムを介して半導体ウエハを固定具に吸着する工程である。
　研削工程は、保護フィルムを介して半導体ウエハを固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する工程である。
　保護フィルムは、粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有している。
　粘着剤層は、半導体ウエハに貼着される層である。
　補助層は、固定具に接触される層である。
　本発明における半導体ウエハは、回路が形成された面の外周縁に段差を有する半導体ウエハである。このような形状の半導体ウエハは、外周縁に段差を有するため、裏面を研削する際、外周縁に段差を有さない半導体ウエハに比べて、固定具に吸着される面（回路が形成された面であり、保護フィルムが貼着される面）の該固定具への吸着面積が少なくなる場合がある。
　よって、本発明における半導体ウエハは、回路が形成された面の外周縁に段差を有することから、固定具に吸着される面（回路が形成された面）の該固定具への吸着面積が減じられた半導体ウエハである。
　具体的に、裏面研削方法は、上記半導体ウエハ１０の裏面を研削することにより、該半導体ウエハ１０を薄層化するための方法である。
　この裏面研削方法は、図５及び図６に示すような、半導体ウエハ１０を吸着して固定する固定具４１と、半導体ウエハ１０の研削面１２を研削する研削具４２と、を備える加工装置４０を使用して行われる。
　また、裏面研削方法では、半導体ウエハ１０の裏面を研削する際、非研削面１１に形成された回路を保護するため、上記保護フィルム３０が使用される。
　この保護フィルム３０は、上述したように、基材層３１と、補助層３２と、粘着剤層３３と、を有している。
　そして、半導体ウエハ１０は、上述したように、非研削面１１（回路が形成された面）の外周縁に段差１３を有しており、固定具４１に対する非研削面１１の吸着面積が減じられている。
　以下、貼着工程、吸着工程、及び研削工程の各工程について説明する。
（１）貼着工程
　貼着工程は、上述の保護フィルム３０を半導体ウエハ１０に貼着することを目的とする工程である。
　図４に示すように、貼着工程において、保護フィルム３０は、半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される。
　貼着工程において、保護フィルム３０は、半導体ウエハ１０の非研削面１１の凹凸形状、特に外周部の段差１３を覆うようにして、該半導体ウエハ１０の非研削面１１に貼着される。
　さらにまた、保護フィルム３０と、半導体ウエハ１０の非研削面１１と、の間には、接着剤層等の樹脂を介在させることができる。この場合、介在させた樹脂により、半導体ウエハ１０の非研削面１１を、より確実に保護することができる。
　尚、貼着工程では、保護フィルム３０を半導体ウエハ１０に貼着するための方法及び装置について、特に限定されない。該方法及び該装置には、既存のものを使用することができる。
（２）吸着工程
　吸着工程は、上述の保護フィルム３０が貼着された半導体ウエハ１０を固定具４１に吸着することを目的とする工程である。
　この吸着工程によって、半導体ウエハ１０の非研削面１１と、半導体ウエハ１０を吸着する固定具４１と、の間に、保護フィルム３０が介在されて、該保護フィルム３０を介して該半導体ウエハ１０が固定具４１に吸着される。
　具体的には、図５に示すように、上記貼着工程で保護フィルム３０が貼着された半導体ウエハ１０は、非研削面１１が固定具４１側を向くようにして、固定具４１に吸着される。
　この吸着工程における保護フィルム３０の補助層３２において、固定具４１側の表層部分は、固定具４１の表面形状に倣って弾性変形する。
　つまり、保護フィルム３０の補助層３２は、非研削面１１の表面形状に影響されることなく、特に、段差１３のばらつき等に影響されて不確定になる吸着面積ａｒ１と関わりなく、固定具４１に対する吸着面積ａｒ３を、固定具４１の表面の面積ａｒ４と略同じサイズに保持するように、弾性変形する。
　換言すると、保護フィルム３０は、弾性変形可能な補助層３２を有することにより、段差１３等といった半導体ウエハ１０の表面形状に影響されることなく、固定具４１に対して確実に吸着される吸着面積ａｒ３を保持することができる。
　このため、半導体ウエハ１０は、保護フィルム３０が補助層３２を有することにより、段差１３に起因した吸着不良の発生を抑制される。
　よって、本発明の保護フィルム３０は、トリミング加工で生じた段差１３を有する半導体ウエハ１０の裏面研削方法で、特に有用なものとなる。
（３）研削工程
　研削工程は、半導体ウエハ１０の研削面１２を研削することにより、該半導体ウエハ１０を薄層化することを目的とする工程である。
　図６に示すように、研削工程において、半導体ウエハ１０は、上述の吸着工程で固定具４１に吸着された状態を保ちつつ、その研削面１２に研削具４２が当接される。
　加工装置４０において、研削具４２は、半導体ウエハ１０の厚さ方向に伸びる軸心を回転中心として、回転自在に構成されているとともに、半導体ウエハ１０の厚さ方向に移動自在に構成されている。また、加工装置４０において、固定具４１は、その中心を軸心として、回転自在に構成されている。
　そして、研削具４２及び固定具４１がそれぞれ回転されつつ、研削具４２が移動することによって研削面１２に研削具４２が当接された状態が保たれることにより、該研削面１２が研削されて、半導体ウエハ１０が薄層化される。
　また、本発明は、ＤＢＧやＳＤＢＧの裏面研削で使用することもできる。
　即ち、図７に示すように、ＤＢＧやＳＤＢＧにおいて、半導体ウエハ１０は、非研削面１１に、ＤＢＧであれば複数のハーフカット部１７、ＳＤＢＧであれば複数の改質層１７を有している。
　この半導体ウエハ１０は、加工工程で研削面１２が研削されて薄層化されるとともに、各ハーフカット部１７又は各改質層１７で複数のチップ１０Ａに分離して個片化される。
　以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［保護フィルム］
　保護フィルム３０として、１２インチ用のものを使用した。
　保護フィルム３０の構成、基材層３１、補助層３２は、以下の通りである。
（１）基材層３１
　材質：ポリエチレンテレフタレートフィルム、Ｅ’３１（２５）：４７２６ＭＰａ、Ｅ’３１（３５）：４５８１ＭＰａ。
　厚さ：５０μｍ。
（２）粘着剤層３３
　材質：紫外線硬化型アクリル系粘着剤
　厚さ：２０μｍ。
（３）補助層３２
〈実施例１〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：１９％）、Ｅ’３２（２５）：２１ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：１７ＭＰａ。
　厚さ：１２０μｍ。
〈実施例２〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：９％）、Ｅ’３２（２５）：４０ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：３４ＭＰａ。
　厚さ：１２０μｍ。
〈実施例３〉
　材質：エチレン酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニルの含量：９％）、Ｅ’３２（２５）：４０ＭＰａ、Ｅ’３２（３５）：３４ＭＰａ。
　厚さ：１６０μｍ。
〈比較例１〉
　補助層３２を設けなかった。
［半導体ウエハ］
　回路が設けられた半導体ウエハ１０として、以下のものを用いた。
（１）諸元
　直径：３００ｍｍ。
　厚さ：８１０μｍ。
　材質：珪素（シリコン）。
（２）段差１３
　幅Ｗを５ｍｍ、高さＨを５０μｍに設定して、トリミング加工を行い、段差１３を形成した（図２参照）。
［裏面研削方法］
（１）貼着工程
　テープ貼着機（日東精機製の品番「ＤＲ－３０００ＩＩ」）を用意し、半導体ウエハ１０の非研削面１１に、保護フィルム３０を貼着し、余剰部分を切除して、実施例１～３及び比較例１の試料を得た。
（２）吸着工程
　加工装置（ディスコ社製の品番「ＤＧＰ８７６０」）を用意し、実施例１～３及び比較例１の各試料を固定具４１に吸着させ、吸着不良の有無を観測した。
　この観測については、各試料をそれぞれ３回、固定具４１に吸着させ、吸着不良の発生回数を測定することとした。
　観測の結果、実施例１～３は、吸着不良が全く発生しなかった。
　一方、比較例１は、３回の吸着全てで吸着不良が発生した。
　上記の結果から、補助層３２を有する保護フィルム３０によって、吸着不良を防止できることが示された。
（３）研削工程
　上記（２）の吸着工程で、吸着不良が全く発生しなかった。実施例１～３について、上記の加工装置を使用し、研削工程を実施した。
　この研削工程については、各試料をそれぞれ３枚、裏面研削し、ウエハ割れ等の不良の発生数を測定することとした。
　その結果、実施例１～３は、ウエハ割れ等の不良が発生しなかった。
　上記の結果から、補助層３２を有する保護フィルム３０によって、研削工程時のウエハ割れ等の不良の発生を防止できることが示された。
　本発明の保護フィルムは、半導体部品製造の用途において広く用いられる。特に、外周縁に段差が生じた半導体ウエハにおいて、固定具への吸着不良を好適に抑制できる特性を有するため、生産性に優れた部品製造を行うために好適に利用される。
　１０；半導体ウエハ、
　１１；非研削面（回路が形成された面）、
　１２；研削面、
　１３；段差、
　１４；円弧面、
　１５；バンプ、
　１７；ハーフカット部又は改質層
　２０；トリミング装置、
　２１；チャックテーブル、
　２２；トリミングブレード、
　３０；保護フィルム、
　３１；基材層、
　３２；補助層、
　３３；粘着剤層、
　４０；加工装置、
　４１；固定具、
　４２；研削具。

Claims (14)

  1. 　半導体ウエハの回路が形成された面を固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する際、前記回路が形成された面を保護する保護フィルムであって、
    　粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有し、
    　前記粘着剤層は、前記半導体ウエハに貼着される層であり、
    　前記補助層は、前記固定具に接触される層であり、
    　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された面の外周縁に段差を有することを特徴とする保護フィルム。
  2. 　前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の層である請求項１に記載の保護フィルム。
  3. 　前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項１又は２に記載の保護フィルム。
  4. 　前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の保護フィルム。
  5. 　前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層である請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の保護フィルム。
  6. 　前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の保護フィルム。
  7. 　前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の保護フィルム。
  8. 　半導体ウエハの回路が形成された面に保護フィルムを貼着する貼着工程と、
    　前記半導体ウエハと、該半導体ウエハを吸着する固定具と、の間に、前記保護フィルムを介在させて、該保護フィルムを介して前記半導体ウエハを前記固定具に吸着する吸着工程と、
    　前記保護フィルムを介して前記半導体ウエハを前記固定具に吸着した状態で、該半導体ウエハの裏面を研削する研削工程と、を備え、
    　前記保護フィルムは、粘着剤層と、基材層と、補助層と、を有し、
    　前記粘着剤層は、前記半導体ウエハに貼着される層であり、
    　前記補助層は、前記固定具に接触される層であり、
    　前記半導体ウエハは、前記回路が形成された面の外周縁に段差を有することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
  9. 　前記補助層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の層である請求項８に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
  10. 　前記補助層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項８又は９に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
  11. 　前記補助層の厚さは、１００μｍ以上５００μｍ以下である請求項８乃至１０のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
  12. 　前記基材層は、温度２５℃以上３５℃以下の引張弾性率が５０００ＭＰａ以下の層である請求項８乃至１１のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
  13. 　前記基材層は、ポリエステル、ポリアミドの群から選ばれる１種又は２種以上を含む請求項８乃至１２のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
  14. 　前記基材層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項８乃至１３のうちのいずれかに記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
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