TWI568825B - A backing substrate for a polishing film and a sheet for bonding, a method for manufacturing the substrate and the sheet, and a method of manufacturing the workpiece - Google Patents

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Description

背襯研磨膜片用基材以及黏著板片、該基材與板片之製造方法以及工件之製造方法
本發明關於背襯研磨膜片用基材。此外，本發明亦關於包括該背襯研磨膜片用基材的黏著板片及該等製造方法及使用該黏著板片之工件之製造方法。
近幾年，期望於內部構裝半導體的電子機器的小型化，電路的高積體化。因此，產生需要將先前厚度為350μm程度的半導體晶片，變薄至50~100μm或其以下。此外，不僅是半導體晶片，以通常的裁切加工所得之板狀基板(例如陶瓷製基板)的厚度，亦有要求更薄(較藉由裁切加工直接所得之程度更薄)之情形。為因應該要求，加工手法之一，係將半導體晶圓等板狀的被加工構件(在於本說明書稱為「工件」。)的一方的面進行研削。
在於進行如此之加工時，並非將工件直接安裝於吸盤上，而一般多數情形係進行將樹脂系材料所組成之板片狀構件介在於工件與吸盤之間，保護工件與固定板片相對之面。
該板片狀構件，並不單只保護工件的一方的面，有具有各式各樣的功能之情形。例如，工件為半導體晶圓，於研削加工的同時亦進行由半導體晶圓進行分割加工成半導體 晶片，進行所謂先切割法的加工時，將半導體晶圓的一方的主面，形成較晶圓的厚度淺的既定深度的(該深度，係所得半導體晶片的厚度。)溝之後，由與形成該溝之主面之相反側的主面側，進行半導體晶圓的研削。藉由如此之研削加工形成之半導體晶圓的加工面到達上述溝，則半導體晶圓藉由該溝而分割，形成複數半導體晶片。在此，係於進行在於半導體晶圓之溝加工側之主面，黏貼包括基材及黏著劑層之黏著板片，再對沒有進行溝加工側之主面進行加工，則即使去除之厚度超過溝深度之情形，由於形成之半導體晶片藉由黏著劑層固定於基材上，可避免於研削加工中各半導體晶片可個別移動。
此外，亦有藉由對在於該黏著板片之基材進行賦予各式各樣的功能，避免在於半導體晶圓的研削加工過程或其後的步驟可能發生的問題。
例如，研削加工後的半導體晶片以黏貼黏著板片的狀態加熱時，為抑制在於黏著板片的基板因該熱而軟化，使其後的工作性顯著地下降的問題，而提案有：一種半導體晶圓保護用板片，其包括：由單層或複數層組成之支持體；及層積於該支持體上的黏著劑層，支持體，係至少具有1層熔點為160~300℃，拉張彈性模數為0.1~1.5GPa之耐熱支持層(專利文獻1)；一種黏著板片，其特徵在於：其係由：製膜．硬化第1硬化性樹脂而得之基材；於其上將第2硬化性樹脂塗佈形成硬化之頂塗層；及形成於其相反面之黏著劑層所組成(專利文獻2)。
此外，為抑制以上述先切割法製造之半導體晶片 發生缺陷或變色，提案有一種黏著板片，其係由：剛性基材；設於該剛性基材的一方的面之振動緩和層；及設於該剛性基材的另一方的面之黏著層所構成，該剛性基材的厚度為10~150μm，且其彈性模數為1000~30000MPa，該振動緩和層的厚度為5~80μm，且其在於-5~120℃之動態黏彈性之tanδ的最大值為0.5以上(專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利4568465號公報
[專利文獻2]國際公開第2004/065510號
[專利文獻3]日本特開2005-343997號公報
為製造步驟中的方便，有將上述使用於研削加工時之黏著板片，於研削加工之後不由工件剝離，以黏著板片與加工後的工件的層積體(以下，亦稱為「加工後層積體」。)的狀態輸送，保管於晶片盒等。如此之情形，黏著板片通常係以固定於環形框的周邊部的狀態，但沒有被固定的黏著板片的內周部有在加工之後整個工件饒曲，使在於上述加工後層積體之工件破損，或該層積體供於之後的步驟時發生不適。如此之問題，因近年的半導體晶圓的薄化傾向而更加顯著。
此外，藉由上述之先切割法得到附有半導體晶片之黏著板片時，有發生如下問題之虞。即，在將黏著板片黏貼 於半導體晶圓時，以避免發生皺紋等而將板片以伸張的狀態進行黏貼作業。結果，黏貼於半導體晶圓的黏著板片具有拉張方向的殘留應力。以此狀態進行先切割法的研削加工，則在於黏著板片，黏貼於個片化之半導體晶片的部分以外的部分，即對應於晶片間的溝的部分(以下，亦稱為「溝對應部分」。)，由於黏著板片並沒有與半導體晶片接合，故該殘留應力僅藉由黏著板片固定於吸盤上而保持。因此，在於黏貼半導體晶片之黏著板片，當以吸盤的固定被解除的瞬間，在於黏著板片之溝對應部分的殘留應力被釋放，而溝對應部分收縮，使晶片間隔縮短。其結果，薄片化的晶片相互衝撞而發生缺陷，而降低在於之後的步驟(例如單離工程)之作業性。並且，於排列之晶片，黏貼近年廣泛地被採用的晶粒黏合用薄膜狀接著劑時，有難以將薄膜狀接著劑配合晶片形狀，以雷射等裁切。
有鑑於該情況，本發明係以提供，於研削加工中防止工件破損的功能優良，且即使加工後層積體經過伴隨加熱的步驟，在於之後的步驟不容易發生起因於黏著板片之問題，並且，可抑制因工件被薄化或採用先切割法而變得更加顯著的加工後層積體之繞曲或晶片間隔的狹小化等的問題的發生之黏著板片用的基材(在於本說明書，亦稱為「背襯研磨膜片用基材」。)及包括該基材之黏著板片為目標。
為達成上述目的，本發明者們研究，得到將不容易發生過度的繞曲或殘留應力釋放時之變形之材料，與可緩和加工時賦予工件的應力的同時，藉由層積附著力低的材料，可 得可解決上述各式各樣的問題之背襯研磨膜片用基材之見解。
基於該見解所完成之本發明，第1，提供一種背襯研磨膜片用基材，包括：第一層；及第二層，設於該第一層之其中一面，其特徵在於：上述第一層的拉張彈性模數為0.80GPa以上，上述第二層的拉張彈性模數為0.50GPa以下，上述背襯研磨膜片用基材，以在於上述第二層與上述第一層相對之面的相反側之露出面作為測定面，在於70℃進行探頭快黏試驗時，測定之黏著力的頂峰荷重為20.0gf以下(發明1)。
於上述發明(發明1)，其中背襯研磨膜片用基材，具有：由相對較具有剛性之材料所組成之層(第一層)；及由相對較軟質而附著力低的材料所組成之層(第二層)之層積構造。因此，根據上述發明(發明1)，不僅可避免發生工件加工中的破損或因加熱加工後層積體所產生的問題(黏著板片由吸盤的取下不良等)，且可抑制在於加工後層積體之繞曲的問題或晶片間隔狹小化等問題的發生。
在於上述發明(發明1)，其中上述第二層與上述第一層接觸為佳(發明2)。此時，於該等層之間不具有介在層，而提高背襯研磨膜片用基材全體的厚度控制性，容易提升背襯研磨膜片用基材的平滑性。
在於上述發明(發明1、2)，其中上述第二層以熱塑性的樹脂系材料所組成為佳(發明3)。此時，容易將第二層的拉張彈性模數調整在上述範圍。
在於上述發明(發明1至3)，其中上述第二層含有聚烯烴系樹脂為佳(發明4)。此時，容易將第二層的拉張彈性 模數調整在上述範圍，且以低分子量成分較少的情形為多，故黏著頂峰荷重不容易上升，並且由於適於擠出成型，故生產性亦優良。
在於上述發明(發明4)，其中上述聚烯烴系樹脂，以選自由乙烯與其他的單體成分之共聚物及聚乙烯之一種單獨或二種以上的混合物更佳(發明5)。藉由作成如此之材料，容易滿足上述拉張彈性模數及黏著頂峰荷重之規格。
在於上述發明(發明3至5)，其中上述第一層由熱塑性樹脂系材料組成為佳(發明6)。此時，可容易採用共擠出成型等於生產性優良，且背襯研磨膜片用基材的厚度均勻性優良的製造方法。
在於上述發明(發明6)，其中上述熱塑性樹脂系材料，以流動開始溫度在200℃以下為佳(發明7)。此時，可容易採用擠出成型等生產性優良的製造方法。
在於上述發明(發明6或7)，其中上述第一層的流動開始溫度與上述第二層的流動開始溫度之差的絕對值，以100℃以下為佳(發明8)。此時，可更容易採用擠出成型等生產性優良之製造方法。
在於上述發明(發明6或8)，其中上述第一層含有聚烯烴系樹脂為佳(發明9)。此時，特別容易採用擠出成型等生產性優良之製造方法，亦容易提高所得背襯研磨膜片用基材之品質。
在於上述發明(發明8)，其中上述聚烯烴系樹脂係選自由環狀烯烴系樹脂、高密度聚乙烯、聚丙烯所組成之群之 一種單獨或二種以上的混合物為佳(發明10)。藉由如此之材料，可容易滿足上述拉張彈性模數的規格。
在於上述發明(發明6至10)，其中上述第二層及上述第一層以共擠出成型製造者為佳(發明11)。藉由該製造方法製造之第二層及第一層之各個厚度均勻性優良，亦不容易發生該等之層間剝離。
本發明，第2，提供一種黏著板片，其特徵在於包括：黏著層，其係直接或經由其他的層設置於上述發明(發明1至11)中任一項之背襯研磨膜片用基材之上述第一層上(發明12)。
該黏著板片，係於該黏著層黏貼半導體晶圓等的板狀工件，將該工件與黏著層之相反側之面研削等，進行減少工件的厚度的加工時，不容易發生上述之加工中的破損，或加工後的取下不良等的問題。
本發明，第3，提供一種背襯研磨膜片用基材之製造方法，製造上述發明(發明2至11)中任一項之背襯研磨膜片用基材，其特徵在於：將形成上述第二層的熱塑性樹脂系材料，與形成上述第一層的熱塑性樹脂系材料共擠出成型，得到成為上述背襯研磨膜片用基材之至少一部分之層積上述第一層與上述第二層而成之層積體(發明13)。
藉由採用該製造方法，可以高的生產性而廉價地製造出厚度均勻性優良且於內部不容易發生層間剝離之背襯研磨膜片用基材。
本發明，第4，提供一種黏著板片之製造方法，製 造關於上述發明(發明12)之黏著板片，其特徵在於：於藉由關於上述發明(發明13)之背襯研磨膜片用基材之製造方法所製造的層積體之上述第一層上，直接或經由其他的層設置黏著層，得到包括上述層積體與上述黏著劑層而成為上述黏著板片之至少一部分之層積體(發明14)。
藉由採用該製造方法，以高的生產性而廉價地地，製造厚度均勻性優良且於內部不容易發生層間剝離之黏著板片。
本發明，第5，提供一種工件之製造方法，製造至少一個面被加工之工件，其特徵在於：於上述工件的一個面的相反側的面黏貼關於上述發明(發明12)之黏著板片，將上述工件的一個面加工(發明15)。
藉由採用該製造方法，可製造不容易發生，工件的加工中破損，加工後的取下不良等的問題。
在於上述發明(發明15)，亦可對在於藉由上述加工所得知上述工件之加工面，使在於具有黏著性或接著性的面之構件之該當面附著，將上述黏著板片剝離(發明16)。
本發明，第6，提供一種附有晶片之黏著板片之製造方法，其特徵在於：於在於板狀工件之主面的一方，形成深度較該工件的厚度淺的溝，於在於上述工件之形成該溝之上述一方的主面，黏貼關於上述發明(發明12)之黏著板片，由上述工件之沒有黏貼上述黏著板片之另一面的主面進行減少上述工件的厚度的去除加工，使藉由上述工件的去除加工所形成之面到達上述溝，使上述工件分割，得到該複數晶片配置於上述 黏著片上的附有晶片之黏著板片(發明17)。
關於上述發明(發明12)之黏著板片所包括之背襯研磨膜片用基材，可減輕工件加工時的振動的影響，而且於工件加工結束之後，將附有晶片之黏著板片由吸盤取下時，可減低晶片相互衝撞，或黏著板片的構成構件熱固著於吸盤上的可能性。因此，藉由上述製造方法製造之附有晶片之黏著板片，不容易發生晶片的缺陷或降低在於之後的步驟之作業性。
本發明，於第6，提供一種附有晶片之構件之製造方法，其特徵在於：於藉由關於上述發明(發明17)之製造方法所得之晶片之加工面，使在於具有黏著性或接著性的面之構件之該當面附著，將接於上述晶片之上述黏著板片剝離(發明18).
由於藉由關於上述發明(發明17)之製造方法所得之附有晶片之黏著板片，不容易發生晶片的缺陷或降低在於之後的步驟之作業性，故使用該黏著板片之附有晶片之構件之製造方法，包括該構件之晶片的品質不容易降低，不容易發生接於吸盤上之構件之熱固著之問題。
關於本發明之背襯研磨膜片用基材，由於具有相對較剛性的材料所組成之層與相對較軟質且附著力低的材料所組成之層之層積構造，不僅可避免發生工件在加工中的破損或對加工後層積體加熱而產生的問題(黏著板片由吸盤的取下不良等)，並且，可抑制加工後層積體之繞曲之問題或晶片間隔的狹小化等的問題的發生。因此，即使使加工後工件的厚度變成數十μm程度的特別薄，且於工件加工時同時進行個片化 (晶片化)之加工之情形，不容易在所得晶片發生不適，且於之後的步驟亦不容易發生不適。
10、11‧‧‧背襯研磨膜片用基材
1‧‧‧第一層
2‧‧‧第二層
3‧‧‧介在層
20‧‧‧黏著板片
4‧‧‧黏著層
30‧‧‧工件
30a‧‧‧被加工面
40‧‧‧吸盤
50‧‧‧板狀工件
51‧‧‧溝
50a‧‧‧沒有黏貼黏著板片20之另一側的主面
50b‧‧‧加工面
52‧‧‧晶片
60‧‧‧附有晶片之黏著板片
61‧‧‧黏貼於個片化之晶片52之部分
62‧‧‧溝對應部分
第1圖係關於本發明之一實施形態之背襯研磨膜片用基材之概略剖面圖。
第2圖係關於本發明之其他的實施形態，具有介在層之背襯研磨膜片用基材的概略剖面圖。
第3圖係本發明之一實施形態之黏著板片之概略剖面圖。
第4圖係示意表示本發明之一實施形態之黏著板片與工件所組成之層積構造體固定於吸盤之狀態之剖面圖。
第5圖係示意表示本發明之一實施形態之黏著板片與施以溝加工之工件所組成之層積構造體固定於吸盤之狀態之剖面圖。
第6圖係示意表示第5圖所示之層積構造體之工件被加工，形成複數晶片之狀態之剖面圖。
以下，說明關於本發明之實施形態。
1.背襯研磨膜片用基材
如第1圖所示，關於本發明之一實施形態之背襯研磨膜片用基材10，包括：第一層1；及設於該第一層1之其中一面之第二層2。於第一層1與第二層2之間，亦可介在1以上的介在層(例如，具有黏著功能之層)，惟提高作為背襯研磨膜片用基材之平滑性等的觀點，第一層1接於第二層2為佳。以下， 詳細地說明關於第一層1及第二層2。
(1)第一層
第一層1，以遵照JIS K7127(試驗條件，係於23℃，50%相對濕度的環境下。)測定所得之張彈性模數(在於本實施形態，略稱為「拉張彈性模數」。)為0.80GPa以上。藉由拉張彈性模數在於0.80GPa以上，不容易過度繞曲，此外，由於不容易產生殘留應力，故可抑制黏貼於晶片的背襯研磨膜片的固定被釋放時顯著地變形。由穩定地避免該等繞曲的發生等的問題之觀點，第一層1的拉張彈性模數以1.2GPa以上為佳。該拉張彈性模數之上限，並無特別限定，由於過度高時有第一層1變脆等的問題之虞，故以5GPa以下為佳，以4GPa以下更佳。
構成第一層1之材料，並無限定。大致區分，則可例示樹脂系材料及紙系材料，由確保平滑性的觀點，以樹脂系材料構成為佳。構成第一層1之材料，以樹脂系材料，即主要構成材料為樹脂時，其樹脂種，亦並無限定，構成第一層1之材料，可為熱塑性樹脂系材料，以可為熱硬化性樹脂系材料。如後所述，第二層2含有聚烯烴系樹脂時，由可防止第一層1與第二層2之間發生剝離，將第一層1，以與構成第二層2的材料同種材料構成為佳。因此，第一層1以熱塑性之樹脂系材料組成為佳，以含有聚烯烴系樹脂更佳。
在此，所謂「聚烯烴系樹脂」，係指具有來自烯烴之構成單位之單獨聚合物及共聚物，以及具有來自烯烴之構成單位及來自烯烴以外的分子之構成單位之共聚物，而來自烯烴之構成單位的質量比例對共聚物全體在1.0質量%以上者之意 思。
聚烯烴系樹脂之具體例，可舉聚乙烯、乙烯系共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等。聚烯烴系樹脂，可以一種聚合物構成，亦可為混合複數種聚合物而成者。
第一層1含有聚烯烴系樹脂時，由可更穩定地滿足上述拉張彈性模數的規格的觀點，聚烯烴系樹脂，以包含選自由環狀烯烴系樹脂、高密度聚乙烯、聚丙烯所組成之群之一種單獨或包含二種以上的混合物為佳。藉由如此之構成，容易將第一層1之拉張彈性模數調整於上述範圍。
該等之中，由起因於環境變化的尺寸變化少，以包含環狀烯烴系樹脂為佳。
在此，所謂環狀烯烴系樹脂，係指具有來自芳香族系環及脂肪族系環之至少一種烯烴之構成單位之聚合物或以基於該聚合物之材料作為主材之樹脂。關於環狀烯烴系樹脂之聚合物之芳香族系環及/或脂肪族系環之位置係任意。可作為構成環狀烯烴系樹脂之聚合物之主鏈的一部分，亦可作為具有環狀構造之官能基(例如苯基、金剛烷基等)鍵結於該聚合物之主鏈或側鏈。脂肪族系環，成為主鏈的一部分的材料，可例示環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、以降冰片烯作為單體之降冰片烯樹脂、以降冰片烯與乙烯作為單體之共聚物、以四環癸烯及乙烯作為單體之共聚物、以二環戊二烯及乙烯作為單體之共聚物等。作為具有環狀構造之官能基，於上述苯基、金剛烷基之外，亦可例示如芴基、聯苯基等的集合環所組成之基。
芳香族系環與脂肪族系環，亦可含於一個高分子 內，此時的形態，可以雙方成為主鏈的一部分，亦可一方或雙方與主鏈或側鏈作為官能基鍵結。後者之例，可舉如苊烯共聚物成為主鏈的一部分的部分係脂肪族環，而具有萘環構造作為官能基者。
環狀烯烴系樹脂之較佳的構造，使用選自由乙烯系共聚物及聚乙烯之一種單獨或者二種以上的混合物作為第二層2的材料時，由可使第一層1與第二層2的密著性變佳，包含架橋環骨架之環之脂肪族系環構成聚合物之主鏈之至少一部分之構造。包括如此之構造的材料，以降冰片烯系單體之開環複分解聚合物氫化聚合物(具體而言，可以日本ZEON公司製ZEONEX(註冊商標)系列取得。)、降冰片烯與乙烯之共聚物(具體而言，可以POLYPLASTICS公司製TOPAS(註冊商標)系列取得。)、基於二環戊二烯與四環十二烯之開環聚合之共聚物(具體而言，可以日本ZEON公司製ZEONOR(註冊商標)系列取得。)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體而言，可以三井化學公司製APEL(註冊商標)系列取得。)、以二環戊二烯及甲基丙烯酸酯為原料之含有極性基之環狀烯烴樹脂(具體而言，可以JSR公司製之ARTON(註冊商標)系列取得。)等為佳。
此外，作為具有芳香族系環之環狀烯烴系樹脂，可例示苯乙烯-丁二烯共聚物(具體而言，可以旭化成CHEMICALS公司製的ASAFLEX系列、電氣化學工業公司製CLIALEN系列、Chevron Phillipse公司製K resin系列、BASF公司製Styrolux系列、ATOFINA公司製之FINACLEAR系列取得。)。
構成第一層1之材料，例如，以調整拉張彈性模數為目的，亦可進一步調合環狀烯烴系樹脂、高密度聚乙烯、及聚丙烯之外之聚烯烴系樹脂。如此之聚烯烴系樹脂，可舉低密度聚乙烯、超低密度聚烯烴、乙烯系共聚物等。
關於本實施形態之第一層1亦可具有架橋構造，惟以可具有熱塑性的範圍為佳。在此，熱塑性的程度，可藉由熔流速率(MFR)定量地顯示，遵照JIS K7210，於溫度230℃、荷重2.16kgf之熔流速率之值在0.1g/10min以上，因加工性等的觀點而佳，以0.5g/10min以上50.0g/10min以下更佳，以1.0g/10min以上25.0g/10min以下特別佳。
關於本實施形態之第一層1，係由熱塑性樹脂系材料組成時，由確保在於擠出成型等的成型加工之加工性的觀點，該樹脂系列材料的流動開始溫度以200℃為佳。
在此，在於本發明之「流動開始溫度」，係以高化式流動測試器(可舉島津製作所公司製，型號：CFT-100D作為產品例。)測定之值。具體而言，以荷重為49.05N，使用模穴形狀為直徑2.0mm，長度5.0mm的模具，以升溫速度10℃/分測定時，求衝程的變化率。在於熱塑性樹脂之衝程的變化率，以軟化點為界限上升之後會一旦下降。之後，流動化急劇地進行而轉為上升，將降低之後再度開始顯示增加時的溫度定義為流動開始溫度。由於流動開始溫度越低，在於成型加工之加工性會提升，故流動開始溫度以150℃以下更佳，以130℃以下更佳。另一方面，流動開始溫度的下限，並無限定，流動開始溫度過低時，有變得無法確保所期望的拉張彈性模數之情形，通常為70℃程 度以上。再者，無法看到上述衝程的變化率的下降的樹脂系材料，則定義為不具有流動開始溫度者。
在關於本實施形態之第一層1由樹脂系材料組成之情形，亦可含有較成為樹脂系材料的主材之樹脂更硬質之材料所組成之粉體。如此之硬質材料，可例示，如三聚氰胺樹脂等的有機系材料、如氣相二氧化矽等的無機系材料、及如鎳粒子等的金屬系材料。此外，關於本實施形態之第一層1，按照必要，亦可包含顏料、紫外線吸收劑、紫外線穩定劑、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑等的各種添加劑。顏料，可舉例如，二氧化鈦、碳黑等。此外，紫外線吸收劑，可舉例如，二苯甲酮系、苯並三唑系、草酸醯胺苯系、氰基丙烯酸酯系、三嗪系等。如此之粉體或添加劑的含量，並無特別限定，應止於第一層1發揮所期望的功能，不失去所期望的平滑化或柔軟性的範圍。
(2)第二層
關於本實施形態之第二層2，拉張彈性模數為0.50GPa。
此外，如後所述，關於本實施形態之背襯研磨膜片用基材10之第二層2側之面，以探頭快黏在於70℃測定之黏著能力之頂峰荷重(在於本實施形態，亦有稱為「黏著頂峰荷重」。)為20.0gf以下。
藉由拉張彈性模數在於0.50GPa以下，將使用關於本實施形態之背襯研磨膜片用基材10而成之黏著板片黏貼於工件，供於研削等的機械加工時，可以該第二層2緩和．吸收加工所產生的應力。因此，可防止加工時的工件破損。拉張 彈性模數的下限，並無特別限定，拉張彈性模數過低時，由於一般會看黏著頂峰荷重提高的傾向，故難以滿足後述之關於黏著頂峰荷重之範圍的規格。因此，通常下限為0.20GPa程度。
構成關於本實施形態之第二層2之材料，只要拉張彈性模數及黏著頂峰荷重在於上述範圍內，並無特別限定。大致區分，則可例示樹脂系材料及紙系材料，由確保平滑性的觀點，由樹脂系材料構成為佳。構成第二層2的材料在於樹脂系材料時，其樹脂種亦無限定，可為熱塑性樹脂系材料，亦可為熱硬化性樹脂系材料。熱硬化性樹脂系材料，通常在常態有硬質之傾向，而拉張彈性模數在於上述範圍者有限，故構成第二層2之材料，以熱塑性樹脂系材料為佳。
關於本實施形態之第二層2，在由熱塑性樹脂系材料組成時，其具體的種類，並無特別限定，容易將第二層2的拉張彈性模數調整於上述範圍，低分子量成分少而黏著頂峰荷重不容易上升，適於擠出成型等的觀點，第二層2含有聚烯烴系樹脂為佳。
聚烯烴系樹脂，以選自由乙烯與其他的單體成分之共聚物(即乙烯系共聚物)及聚乙烯之一種單獨或二種以上的混合物為佳。該樹脂之具體例，可舉聚乙烯(超低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚合物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。再者，在於本說明書所謂「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸及甲基丙烯酸的雙方。因此，「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」，可為乙烯- 丙烯酸共聚物，亦可為乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，此外，亦可為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。構成上述乙烯-α烯烴共聚物之α烯烴，可舉例如，丙烯、丁烯-1、己烯-1、辛烯-1、4-甲基戊烯-1等的碳數3~18的α-烯烴單體等。此外，在於乙烯-α烯烴共聚合物之來自乙烯之構成單位之質量比例只要在1.0質量%以上即可。
構成熱塑性樹脂系材料之主材，亦可為熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的種類，並無特別限定，具體例，可舉苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段聚合物等的苯乙烯系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚氨酯變性聚酯系、聚醯胺系、聚丁二烯烴系、逆式聚異戊二烯系、氟化橡膠系、氯化聚乙烯系等的各種熱塑性彈性體，該等之中的1種或組合2種以上使用。
關於本實施形態之第二層2，只要滿足關於上述拉張彈性模數等的範圍的規格，只要可維持熱塑性，亦可架橋。在此，熱塑性的程度，係遵照JIS K7210，於溫度230℃，荷重2.16kgf之熔流速率之值在0.1g/10min以上，在加工性等的觀點為佳，以0.5/10min以上50.0g/10min以下更佳，以1.0g/10min以上25.0g/10min以下特別佳。
關於本實施形態之第二層2，由熱塑性樹脂系材料組成時，由提高在於擠出成型等的成型加工之加工性，此外，容易將上述拉張彈性模數調整於上述範圍的觀點，其樹脂系材料之流動開始溫度以200℃以下為佳，以150℃以下更佳，進一步以130℃以下為佳。第二層2由熱塑性樹脂系材料組成 時，其流動開始溫度的下限，並無限定，流動開始溫度過低時，第二層2的黏著頂峰荷重有難以滿足上述範圍之虞，通常下限以80℃程度為佳。
關於本實施形態之第一層1及第二層2的雙方由熱塑性樹脂組成，關於本實施形態之背襯研磨膜片用基材10，包括該等層1、2接觸而成之層積體(以下，亦稱為「直接層積體」。)時，第一層1的流動開始溫度與第二層2的流動開始溫度之差的絕對值，以100℃以下為佳，以85℃以下更佳，以70℃以下特別佳。此時，可將上述直接層積體藉由共擠出成型穩定地形成，而可以很高的生產性製造品質優良的背襯研磨膜片用基材。
關於本實施形態的第二層2由樹脂系材料組成時之情形，亦可含有較成為在於第二層2之樹脂系材料之主材之樹脂更硬質之材料所組成之粉體。如此之硬質材料，可例示，如三聚氰胺樹脂等的有機系材料、如氣相二氧化矽等的無機系材料、及如鎳粒子等的金屬系材料。此外，亦可包含在於第一層1的說明所說明之各種添加劑。如此之粉體或添加劑的含量，並無特別限定，應止於滿足關於第二層2之拉張強度及黏著頂峰荷重之上述規定之範圍。
(3)背襯研磨膜片用基材之其他構成
如第1圖所示，在於本實施形態第二層2露出於表面。然後，關於本實施形態之背襯研磨膜片用基材10之第二層2側的面，在於70℃測定之探頭快黏試驗的黏著力的頂峰荷重(黏著頂峰荷重)為20.0gf以下。在此，黏著頂峰荷重，具體而言， 係以後述之實施例所記載的方法測定。黏著頂峰荷重藉由在於20.0gf以下，將黏貼有加工的工件之黏著板片(加工後層積體)由吸盤取下時，可防止直接與吸盤接觸的狀態的第二層2的對吸盤的附著力過高之不適(該不適係將加工之工件由吸盤取下之前之加熱所產生的可能性較高。)。黏著頂峰荷重的下限，並無特別限定，黏著頂峰荷重過低時，一般拉張彈性模數有升高的傾向，故難以使拉張彈性模數在上述範圍內。因此，通常下限為5.0gf程度。
關於本實施形態之背襯研磨膜片用基材10，可如第1圖所示第一層1與第二層2直接接觸，即，背襯研磨膜片用基材10可直接包括層積體，亦可如第2圖所示，背襯研磨膜片用基材11，於第一層1與第二層2之間，具有介在層3。只要可充分確保第一層1與第二層2的密著性，由提高背襯研磨膜片用基材之厚度的控制性的觀點，第一層1與第二層2，直接接觸為佳。
在於具有介在層3之情形，該介在層的種類，並無特別限定，第一層1與第二層2的各個特性的效果不應因介在層3而喪失。設置介在層3時，一般介於層3係定位在第一層1與第二層2之接著層。此時，形成介在層3的材料係接著劑，介在層3的厚度為數十μm以下。使用如此之接著劑所構成之層作為介在層3時，使其厚度變薄，而充分減低背襯研磨膜片用基材11全體的厚度的離散為佳。背襯研磨膜片用基材11之厚度的離散，有造成加工工件的加工離散增大之情形，結果容易降低加工後工件的良率。
背襯研磨膜片用基材10、11之全體的厚度，並無特別限定，以30μm以上800μm以下程度為佳，以80μm以上300μm以下程度更佳。過厚在經濟性的觀點不利，過薄時，無法充分發揮構成背襯研磨膜片用基材10、11之第一層1及第二層2之各個功能的可能性變高。此外，背襯研磨膜片用基材10、11之厚度離散越少越好。
關於本實施形態之第一層1之厚度，並無特別限定。過厚在經濟性的觀點不利，過薄時，有難以穩定地得到藉由使第一層1的拉張彈性模數在於上述範圍所帶來的效果(防止基材的饒曲等)。因此，第一層1的厚度，以30μm以上為佳，以30μm以上500μm以下更佳，以50μm以上200μm以下更佳。此外，第一層1的厚度對背襯研磨膜片用基材10、11全體之厚度的比例(第一層1/背襯研磨膜片用基材10、11)，並無特別限定，以10%以上90%以下為佳。
關於本實施形態之第二層2之厚度，並無特別限定。過厚在經濟性的觀點不利，過薄時，有難以穩定地得到藉由使第二層2的拉張彈性模數在於上述範圍所帶來的效果(防止工件加工中的破損等)。因此，第二層2的厚度，以20μm以上為佳，以35μm以上500μm以下更佳，進一步以70μm以上200μm以下為佳。此外，第二層2對背襯研磨膜片用基材10、11全體之厚度的比例(第二層2/背襯研磨膜片用基材10、11)，並無特別限定，以10%以上90%以下為佳。第二層2對第一層1之厚度的比例(第二層2/第一層1)，由可穩定地得到基於雙方之層1、2的效果的觀點，以0.1以上10以下為佳。
2.黏著板片
本發明之黏著板片，具有直接於上述背襯研磨膜片用基材10之第一層1上，或經由其他的層設置之黏著層4。關於本發明之一實施形態之黏著板片的具體的一例，如第3圖所示，包括直接設於上述背襯研磨膜片用基材10之第一層1上之黏著層4。背襯研磨膜片用基材，可為第2圖所示之包括介在層3者，黏著板片，亦可係，在於第一層1之與第二層2側之相反側之面形成有其他的層，而於該層之與第一層1側之相反側之面設置黏著層4。
使用黏著板片20時，由確保黏著層4與工件之密著性的觀點，構成黏著層4之材料，在於23℃之儲存彈性模數以5.0×104Pa以上1.0×108Pa以下為佳，以6.0×104Pa以上8.0×107Pa以下更佳，進一步以7.0×104Pa以上5.0×107Pa以下為佳。再者，將黏著層4，以後述之能量線硬化型黏著劑形成時，上述彈性模數係指進行能量線硬化之前的彈性模數。
構成黏著層4之材料，並無特別限定，可以過去使用於半導體加工用黏著板片之各種黏著劑所構成。具體而言，可使用例如，橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯基醚等的黏著劑。此外，亦可使用能量線硬化型或加熱發泡型、水膨潤型的黏著劑。
能量線硬化(能量線硬化，紫外線硬化，電子線硬化)型黏著劑，特別是使用紫外線硬化型黏著劑為佳。再者，藉由紫外線硬化型黏著劑構成黏著層4時，第一層1及第二層2應該使用可使紫外線穿透的材料。能量線硬化型黏著劑，一 般，係以丙烯酸系黏著劑與能量線聚合性化合物作為主成分而成。用於如此之能量線硬化型黏著劑之能量線硬化型化合物，可舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異戊四醇三丙烯酸酯、異戊四醇四丙烯酸酯、二異戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二異戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯，或寡聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯等的寡聚物。如上所述之能量線硬化型黏著劑，於能量線照射前，對工件具有充分的密著力，能量線照射之後密著力顯著地減少。即，於能量線照射前，使黏著板片20充分地密著於工件，而可保護表面，能量線照射後，可容易地將黏著板片20由加工後的工件剝離。
特別是形成適合用於先切割法之黏著層4之黏著劑，可使用例如，日本特開2007-297591號公報、日本特開2008-214384號公報、日本特開2008-214368號公報、日本特開2008-214386號公報、日本特開2008-231243號公報、日本特開2009-138183號公報所記載者等。
關於本實施形態之黏著板片20之黏著層4之厚度，可根據黏貼之工件形狀、表面狀態及其加工方法等的條件適宜決定，以10μm以上500μm以下為佳，以20~300μm特別佳。
於第一層上與黏著劑層之間設其他的層時，其他的層，只要是具有提高第一層1與黏著劑層之密著性之功能，並無特別限定。其他的層的厚度，為數十μm以下。
通常，在於黏著板片20之黏著層4，並不以直接 露出的狀態，直到將黏著層4黏貼於工件之間，以保護黏著層4的目的，於黏著層4之與第一層1側之相反側的面，黏合剝離板片之剝離面。剝離板片之構成係任意，可例示於塑膠薄膜塗佈剝離劑者。塑膠薄膜的具體例，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘酸丁二醇酯等的聚酯膜；及聚丙烯或聚乙烯等的聚烯烴薄膜。剝離劑，可使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等，該等之中，以廉價而可得穩定的性能之矽酮系為佳。亦可取代上述剝離板片的塑膠薄膜，使用玻璃紙、塗層紙、優質紙等的紙基材或對紙基材層壓聚乙烯等的熱塑性樹脂之層壓紙。關於該剝離板片的厚度，並無特別限制，通常為20μm以上250μm左右。
3.背襯研磨膜片用基材之製造方法
製造背襯研磨膜片用基材(作為一例，於第1圖所示背襯研磨膜片用基材10)的方法，並無特別限定，藉由擠出成型第二層2將第一層1層積為佳作，如此之手法，可例示吹膨成型、擠出層壓及共擠出成型等。根據如此之方法，相較於為將第一層1與第二層2接著而另外設置接著劑所組成之層(即，在於背襯研磨膜片用基材11之介在層3)的方法(例如，乾式層壓法)，可防止該接著劑之分解等的經時惡化。再者，由於不具有如此之介在層3，相對較容易控制背襯研磨膜片用基材10之厚度的離散在較小的範圍。特別是，使構成上述第一層1的材料及構成第二層2的材料的雙方為熱塑性樹脂系材料，將該等熱塑性樹脂系材料以共擠出成型形成為佳。根據如此之方法，可以很高的生產性而廉價地製造背襯研磨膜片用基材10。
具體而言，使用複數的擠出機之T模具擠出成型，分別將構成第一層1的材料及構成第二層2的材料熔融．混煉，將該等材料由平行的二個縫隙共擠出之後，與進行冷卻之輥輪接觸而再度成為固體狀態，可得由第一層1及第二層由2所組成之直接層積體作為背襯研磨膜片用基材10。
該共擠出成型，加上可以一次的層積步驟得到背襯研磨膜片用基材10之製造步驟上的優點，由於關於第一層1的材料與關於第二層2的材料在T模具前的熔融狀態接觸，故容易產生相互的構成分子纏繞，或相互作用，有提昇第一層1與第二層2之密著力的優點。再者，第一層1的熱特性與第二層2的熱特性近似(具體而言，可例示流動開始溫度之差的絕對值小，融化熱量之差的絕對值小等。)時，容易藉由共擠出成型製造背襯研磨膜片用基材10，此外，在於製造之背襯研磨膜片用基材10，不容易發生第一層1與第二層2之間的密著力經時下降等的問題。
再者，共擠出成型、並不限於第一層1與第二層2之雙層共擠出成型，只要是第二層2的表面呈露出的構成，亦可進行加上其他的層的三層以上的共擠出成型。藉由此方法，於第一層1與第二層2之間設置介在層3時，可消除以如上所述之共擠出成型之外的方法設置介在層3時有可能產生的，接著劑的分解等之經時惡化及厚度離散的問題。
形成第一層1之材料的熔融溫度，形成第二層2之材料的熔融溫度、及該等材料由T模具擠出機(T模具製膜機)之擠出量、用於冷卻之輥輪之旋轉數等的諸條件，可按照 目的之第一層1及第二層2的厚度適宜調整。
根據如上所述之T模具之共擠出法，只要將在於熔融的狀態之形成第一層1之材料及形成第二層2之材料，由T模具擠出機(T模具製膜機)共擠出層積，即可得到第一層1及第二層2堅固地接合之層積體作為背襯研磨膜片用基材10，可以很高的生產性製造背襯研磨膜片用基材10。
4.黏著板片之製造方法
關於製造本實施形態之黏著板片20之方法，並無特別限定。舉出一例，則於上述背襯研磨膜片用基材10之第一層1的一方的主面上，以將用於形成黏著層4之黏著劑，以刮刀塗佈機、輥輪塗佈機、凹版塗佈機、模具塗佈機、逆式塗佈機等一般習知的方法，以適宜厚度塗層，使之乾燥形成黏著層4，接著，按照必要於黏著層4之與背襯研磨膜片用基材10側之相反側的面上，黏貼剝離板片之剝離面，得到黏著板片20。此外，亦可將用於形成黏著層4的黏著劑，塗佈於剝離板片的剝離面上形成黏著層4，接著將在於背襯研磨膜片用基材10之第一層1側的面，與在於黏著層4之與剝離片側之相反側的相黏合，得到黏著板片20與剝離板片之層積體。
5.使用黏著板片之工件之製造方法
以下，參照第4圖說明，作為關於本實施形態之黏著板片20之具體的使用例之一，至少一面被加工的工件之製造方法。
於該工件之製造方法，於在於工件30之一個面(相當於進行加工的表，以下，將此面稱為「被加工面」。)30a的相反側的面，黏貼上述黏著板片20之黏著層4側之面。此時， 為避免於黏著板片20發生黏貼皺紋，通常，黏著板片20係以伸張的狀態黏貼於工件30。接著，將由黏著板片20與工件30所組成之層積構造體，使在於黏著板片20之第二層2接於吸盤40的配置固定於吸盤40。其結果，上述層積構造體，係其與吸盤側之相反側之露出的成為工件30之被加工面30a，可由被加工面30a側做工件30的加工。
由被加工方30a側對工件30做加工，則施加於工件30之加工力(例如剪力)，由於在傳播到吸盤40之前被第二層2緩和，故可抑制加工中的工件30發生振動，可避免加工中的工件30之破損或損及加工面的平滑性。其另一方面，於工件30的加工結束後，即使對所得加工後層積體進行伴隨加熱之處理，不容易發生第二層2固著於吸盤40而難以將黏著板片20由吸盤40取下之不適。再者，即使加工後的工件30的厚度係數十μm程度的特別薄之情形，由於黏著板片20包含第一層1作為其構成要素，故可防止加工後層積體大幅繞曲，發生晶圓的破損或步驟異常。如此地，根據關於本實施形態之工件之製造方法，在於工件30之加工步驟及之後的步驟，不容易發生降低加工品質或降低加工作業性等的狀況。
加工後層積體，以安裝於吸盤40的狀態或由吸盤40取下，以藉由其他的固定手段固定的狀態，使包括接著性或黏著性的面之構件(可例示例如，包括其他的黏著板片、熱融接型黏著層之黏著板片，以下稱為「轉印構件」。)，使之接觸加工後工件30的加工面地附著，將包括加工後層積體之黏著板片20由加工後工件30剝離，使加工後工件3接觸轉印構件 之具有接著性或黏著性之面上地附著。藉此，可得附有加工後工件之轉印構件。再者，在於此種情況之轉印構件的具體例，可舉切割板片及切割．晶粒接合板片。
轉印構件，為切割．晶粒接合板片時，轉印構件通常具有熱融接型的黏著層，將切割．晶粒接合板片加熱使黏著層軟化，附著在工件30的加工面。以加工後層積體，安裝於吸盤40的狀態，使轉印構件附著於工件30時，一般係將吸盤升溫，經由黏著板片20及工件30，將切割．晶粒接合板片加熱。此外，即使將切割．晶粒接合板片之加溫，以吸盤以外的手段(例如將層壓輥輪加溫等)進行，熱有經由工件30傳導致黏著板片20及吸盤40之可能性很高。在於伴隨該轉印構件的加熱的附著步驟，藉由使用本發明之黏著板片20，可發揮第二層2不會固著於吸盤而可容易地剝離之效果。
6.使用黏著板片之晶片之製造方法
以下，參照第5圖及第6圖說明，另外一個關於本實施形態之黏著板片20之具體使用例之附有晶片之黏著板片之製造方法。
於關於本實施形態之附有晶片之黏著板片之製造方法，於半導體晶圓等的板狀的工件(亦稱為「板狀工件」。)50之主面的一方，形成較該板狀工件50之厚度更淺的深度的溝51。其次，於板狀工件50之形成該溝51的一方的主面黏貼上述黏著板片20，以與上述工件30之製造方法同樣地，將黏著板片20固定於吸盤40(以上參照第5圖。)。
接著，由板狀工件50之沒有黏貼黏著板片20之 另一方的主面50a側，進行減少板狀工件50之厚度之去除加工(通常可例示研削加工。)。其結果，如第6圖所示，藉由板狀工件50之去除加工所形成之面(以下，亦稱為「加工面」。)50b到達溝51，則板狀工件50被分割成複數晶片52。如此地，得到複數晶片52附著於黏著板片20上而成之附有晶片之黏著板片60。再者，於第6圖所示之板狀工件50之加工，加工面50b到達溝51之後，亦可繼續做去除加工，雖然晶片52的厚度與溝51的深度有相當量的差距，可使晶片52的厚度與溝51的深度之差距極少，或亦可於加工面50b到達溝51之後不久即結束去除加工。
如上所述地，黏著板片20係以伸張的狀態黏貼於板狀板片50，故黏貼於板狀板片50之黏著板片20具有收縮方向的殘留應力。該殘留應力亦存在於加工結束階段的附有晶片的黏著板片60，而黏貼於個片化的晶片52的部分61，由於黏著板片20黏貼於晶片52，故該應力呈沒有被釋放的狀態。另一方面，上述部分61以外的部分(對應於溝的部分)62，該殘留應力係僅以藉由黏著板片20黏固定於吸盤40而保持。因此，當附有晶片之黏著板片60在吸盤40的固定被解除，則與其同時在溝對應部分62的殘留應力被釋放。但是，關於本實施形態之附有晶片之黏著板片60，由於黏著板片20包括作為其構成要素之一，故伸張時所蓄積的殘留應力較少。因此，即使將附有晶片之黏著板片60由吸盤40取下，而在於溝對應部分62之殘留應力被釋放，溝對應部分62的收縮量只有些微，不容易發生晶片52相互的間隔變窄之不利。特別是，可避免晶片 52陷入相互衝撞的情況。因此，於關於本實施形態之附有晶片之黏著板片60，不容易發生薄片化之晶片52破缺，或降低在於之後的步驟(例如使用雷射之單離步驟)之作業性。
此外，由吸盤40取下之附有晶片之黏著板片60，即使有直接保管搬送之情形，附有晶片之黏著板片60，由於黏著板片20包括第一層1作為其構成要素之一，故不容易發生黏著板片20大大地饒曲等變形。因此，不容易發生附有晶片之黏著板片60於搬送保管中起因於黏著板片20的變形，使晶片52破損之情況。
附有晶片之黏著板片60，係以安裝於吸盤40的狀態或由吸盤40取下的狀態，使具有接著性或黏著性之面之構件(轉印構件)，分別與觸晶片52的各個加工面50b接觸地附著，將附有晶片之黏著板片60所包括黏著板片20由晶片52剝離，使晶片52附著於轉印構件之具有接著性或黏著性之面上。藉此，可得附有晶片之轉印構件。再者，在於此種情況之轉印構件的具體例，可例示拾取板片(供於固定晶片，以吸嘴等之晶片採取(拾取)用之板片)及晶粒接合板片。
轉印構件，為晶粒接合板片時，通常包括熱融接型的接著層，將晶粒接合板片加熱使接著層軟化，使晶片52之加工面50b附著。此時，與上述加工後層積體的轉印構件為切割．晶粒接合板片之情形同樣地，通常吸盤40與黏著板片20會被加熱，或被加熱的可能性很高。因此，藉由使用本發明之黏著板片20，可發揮第二層2不會固著於吸盤而可容易地剝離之效果，可防止不適。
以上所說明之實施形態，係為容易理解本發明而記載者，並非限定本發明而記載者。因此，上述實施形態所揭示之各要素，屬於本發明之技術性範圍之所有設計變更或均等物均包含。
[實施例]
以下，藉由實施例等更加具體地說明本發明，惟本發明的範圍不應有任何限定於該等實施例等。
〔實施例1〕
準備，混煉低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)10質量部及環烯烴共聚物(Polyplastics公司製，產品名：TOPAS(註冊商標)8007)90質量部而成之用於形成第一層之材料；及由低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene L705)組成之用於形成第二層之材料。將該等材料，分別投入T模具製膜機(料管溫度：180℃以上，230℃以下，T模具溫度：230℃)，藉由使用共擠出法，得到由厚度75μm之第一層及厚度50μm之第二層所組成之第1圖所示構成之背襯研磨膜片用基材。
於丙烯酸共聚物(使丙烯酸丁酯50質量部、甲基丙烯酸甲酯20質量部及丙烯酸2-羥基乙酯30質量部，共聚合而得之共聚物，與具有共聚物所具有之羥基之80當量的異氰酸酯基的量的異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯反應，於側鏈加成甲基丙烯醯基之共聚物，重量平均分子量：60萬、玻璃轉移溫度：-33℃)100重量部，調合芳香族聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司製Coronate L)0.5質量部作為架橋劑，調製能量線硬化型 黏著劑組成物(固體份30%、稀釋溶劑：甲苯、醋酸乙酯)。接著，將上述能量線硬化型黏著劑組成物，塗佈於剝離薄膜(LINTEC公司製，商品名SP-PET381031，厚度38μm)之剝離處理面，乾燥(90℃，1分鐘)，得到厚度20μm的能量線硬化型黏著劑層，將上述背襯研磨膜片用基材之第一層側之面黏合。換言之，得到第3圖所示，由黏著板片及剝離薄膜所組成之層積體(於本實施例，亦僅稱為「層積體」。)。
〔實施例2〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料之組成，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)40質量部及環烯烴共聚物(Polyplastics公司製，產品名：TOPAS(註冊商標)8007)60質量部之外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔實施例3〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料之組成，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)60質量部及環烯烴共聚物(Polyplastics公司製，產品名：TOPAS(註冊商標)8007)40質量部了之外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔實施例4〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料之組成，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)20質量部及高密度聚乙烯(日本聚乙烯公司製，產品名：Novatec HD(註冊商標)FH560)80質量部之外，進行與實施 例1同樣的操作，得到層積體。
〔實施例5〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料之組成，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)40質量部及嵌段聚丙烯(普瑞曼聚合物公司公司製，產品名：J704LB)60質量部之外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔實施例6〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為超低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Exellen(註冊商標)VL200)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例7〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為超低密度聚乙烯(住友化學裝、產品名：Exellen(註冊商標)EUL731)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例8〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(TOSO公司製，產品名：Ultracene(註冊商標)510)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例9〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井杜邦聚合化學公司製，產品名：(註冊商標)N0903HC)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例10〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為直鏈狀低密度聚乙烯(普瑞曼聚合物公司製，產品名：Evolue(註冊商標)SP3530)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例11〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)70質量部及乙烯醋酸乙烯酯共聚物(三井杜邦多化學合成的物品公司製，產品名：Evaflex(註冊商標)EV150)30質量部所組成之組成物之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔實施例12〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料，變更為聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polyplastics公司製，產品名：Duranex(註冊商標)300FP)100質量部，將用於形成第二層之材料，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)100質量部之外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔比較例1〕
在於實施例1不使用形成第一層的材料，僅使用形成第二層之材料進行擠出成型，使厚度為100μm，得到僅以第二層構成之薄膜。將該薄膜以與背襯研磨膜片用基材同樣地處理，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體(惟，不具有第一層。)。
〔比較例2〕
在於實施例1，將用於形成第一層之材料，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)70質量部及嵌段聚丙烯(普瑞曼聚合物製，產品名：J704LB)30質量部之外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔比較例3〕
在於實施例1不使用形成第二層的材料，僅使用形成第一層之材料進行擠出成型，得到僅以厚度為75μm之第一層所構成之薄膜。以下，將該薄膜，以與背襯研磨膜片用基材同樣地處理，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體(惟，不具有第二層。)。
〔比較例4〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為低密度聚乙烯(住友化學公司製，產品名：Sumikathene(註冊商標)L705)40質量部及乙烯醋酸乙烯酯共聚物(三井杜邦多化學合成的物品公司製，產品名：Evaflex(註冊商標)EV150)60質量部所組成之組成物之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔比較例5〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為乙烯醋酸乙烯基共聚物(三井杜邦多化學合成的物品公司製，產品名：Evaflex(註冊商標)EV150)之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔比較例6〕
作為第一層，將厚度25μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(TORAY公司製，產品名：Lumirror(註冊商標)T60)之其中一面施以電暈處理(輸出2000W)，將重量平均分子量8100之2官能尿烷丙烯酸酯系寡聚物(日本化藥公司製，產品名：UX-3301)60重量部、二環戊烯丙烯酸酯40重量部、及光聚合起始劑1-羥基環己基苯酮(Ciba．Specialty Chemicals公司製，IRGACURE 184)4.0重量部所組成之組成物，於上述第一層之施以電暈處理之面，使UV硬化後的厚度成45μm地塗佈，藉由照射UV使上述組成物硬化，形成振動緩和層。將如此所得由相異兩層所構成之薄膜，以與背襯研磨膜片用基材同樣的處理，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。
〔比較例7〕
在於實施例2，將用於形成第二層之材料，變更為直鏈狀低密度聚乙烯(普瑞曼聚合物公司製，產品名：Evolue(註冊商標)SP4030)100質量部所組成之組成物之外，進行與實施例2相樣的操作，得到層積體。
〔試驗例1〕<拉張彈性模數>
製造以各個用於上述實施例及比較例，用於形成第一層的材料及用於形成第二層之材料所組成之板片狀構件(厚度：100μm)，對於該構件，使用引張試驗機(Orientec公司，產品名：TENSILON RTA-100)，遵照JIS K7127測定拉張彈性模數(測定溫度：23℃)。將結果示於第1表。
〔試驗例2〕<探頭快黏試驗>
對上述實施例及比較例之背襯研磨膜片用基材，使用 Probe Tack Tester(RHESCA公司製，RPT100)，使探頭與第二層接觸，測定黏著力的頂峰荷重(黏著頂峰荷重)。荷重，係將70℃的金屬板載製於背襯研磨膜片用基材的第一層側，將70℃的不鏽鋼製探頭(直徑5mmφ)押付於第二層上。此時，金屬板的質量，使探頭押付時的荷重成90gf。於180秒之後以速度1mm/分使探頭下降，測定拉剝時的頂峰荷重。再者，在於比較例6，將振動緩和層當作第二層。將結果示於第1表。
〔試驗例3〕<流動開始溫度>
關於上述實施例及比較例之第一層及第二層的材料的膠粒，以高化式流動測試儀(島津製造所公司製，型號：CFT-100D)，使用模穴形狀為直徑2.0mm，長度5.0mm的模具，以荷重49.05N，測定以升溫速度10℃/分時之衝程變化率。求所得衝程的變化率，以軟化點為界限上升之後會一旦下降之後，再度開始顯示增加時的溫度，將此時的溫度作為流動開始溫度。
〔試驗例4〕<成型性>
以目視確認在於上述實施例及比較例進行擠出成型而得之層積體，關於其成型性以如下評估基準評估。以判定為「F」時為不合格。
A1：可得良好的面狀態，於各層間不會發生剝離。
A2：於各層間不會發生剝離。
F：於各層間發生剝離。
將評估結果示於第1表。
〔試驗例5〕<盤密著性>
由8英寸鏡面晶圓(厚度720μm)之鏡面側，使用切割裝置(DISCO公司製，產品名：DFD6361)，以10mm×10mm的基板尺寸，形成寬度35μm、深度70μm的切溝(半切)。之後，使用層壓機使用(Lintec公司製，產品名：RAD-3510F/12)，黏貼在由實施例及比較例的層積體剝下剝離板片所得之黏著板片。將黏著板片與基板的層積體，使黏著板片的第二層接觸於晶圓背面研削機(DISCO公司製，產品名：DFP8760)之吸盤地固定，由晶圓之沒有黏貼黏著板片側之主面研削至50μm的厚度的同時分割成晶片。
將如此所得之附有晶片之黏著板片之晶片的黏著板片側固定於加熱在70℃的吸盤，於相反側之面將熱融接型黏著板片(Lintec(股)公司製，型號：LE4424H P8AW)以橡膠輥輪以5mm/s的速度(約1分鐘)黏貼。此時，同時，將熱融接型接著板片之外周部固定於環框。接著，將熱融接型接著板片與附有晶片之黏著板片層積而成的構件(以下，稱為「層積構件」。)對吸盤的固定解除，使層積構件由吸盤離間。
此時，層積構件可容易地由吸盤離間時，判定為良好(A)，無法容易地離間，或附有晶片之黏著板片固著於吸盤時，判定為不合格(F)。將評估結果示於第1表。
〔試驗例6〕<晶片缺角>
進行與試驗例5同樣的操作所得之附有晶片之黏著板片，將黏著板片上分割成240個晶片(10mm×10mm，厚度50μm)之各晶片的角的部分，由研削面以光學顯微鏡(30倍)觀察，將有缺角的晶片的數量計數。沒有缺角的晶片時判定為良好(A)， 只要有1個時判定為不合格(F)。將評估結果示於第1表。
〔試驗例7〕<切割道寬度>
將進行與試驗例5同樣的操作所得之附有晶片之黏著板片，移到加熱為70℃的吸盤之前，解除晶圓背面研削機的吸盤對附有晶片之黏著板片之固定時，測定在於各個邊由鄰接晶片間的距離35μm的偏移量(絕對值)。關於各晶片，該等偏移量的平均值在3μm以下時判定為(A)，超過3μm時判定為不合格(F)。將評估結果示於第1表。
〔試驗例8〕<搬送性>
於8英寸鏡面晶圓(厚度720μm)之鏡面側，使用層壓機(Lintec公司製，產品名：RAD-3510F/12)，由關於實施例及比較例之層積體剝下剝離板片所得之黏著板片。將黏著板片與基板的層積體，使黏著板片的第二層接觸於晶圓背面研削機(DISCO公司製，產品名：DFP8760)之吸盤地固定，由晶圓之沒有黏貼黏著板片側之主面研削至50μm的厚度。之後，實施下一個製程。將已完成研削之黏貼有黏著板片之晶圓，收納於雙槽晶片盒。接著，將晶片盒安裝於晶圓貼片裝置(RAD-2700F/12)，以全自動實施熱融接型黏著板片之貼片。在於此步驟，對每25片晶圓，所有的晶圓均無破裂地實施時判定為良好(A)，於搬送時晶圓鬆弛，振動等而使晶圓發生破裂或龜裂時判定為不合格(F)。將評估結果示於第1表。
[第1表]
由表1可知，滿足本發明之條件之實施例之背襯研磨膜片用基材，不會發生晶片的缺陷或對吸盤的固著，且切割道寬度不容易變動，搬法性亦優良。
[產業上的利用可能性]
關於本發明之背襯研磨膜片用基材及包括黏著層之黏著板片，可良好地使用於作為在將工件薄層化為數十μm程度之加工之背襯研磨膜片。
10‧‧‧背襯研磨膜片用基材
1‧‧‧第一層
2‧‧‧第二層

Claims (12)

  1. 一種背襯研磨膜片用黏著板片，包括：一基材，其具備一第一層及設於該第一層之其中一面的一第二層，及一黏著層，其係直接或經由其他的層設置於該基材之接近上述第一層之面上，其特徵在於：上述第一層由含有聚烯烴系樹脂的熱塑性樹脂系材料所組成，上述第一層的拉張彈性模數為0.80GPa以上，上述第二層由含有聚烯烴系樹脂的熱塑性樹脂系材料所組成，上述第二層的拉張彈性模數為0.50GPa以下，上述基材，以在於上述第二層與上述第一層相對之面的相反側之露出面作為測定面，在於70℃進行探頭快黏試驗時，測定之黏著力的頂峰荷重為20.0gf以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中上述第二層與上述第一層接觸。
  3. 根據申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中在上述第二層之上述聚烯烴系樹脂，係選自由乙烯與其他的單體成分之共聚物及聚乙烯之一種單獨或二種以上的混合物。
  4. 根據申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中在上述第一層之上述熱塑性樹脂系材料，流動開始溫度 在200℃以下。
  5. 根據申請專利範圍第4項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中上述第一層的流動開始溫度與上述第二層的流動開始溫度之差的絕對值為100℃以下。
  6. 根據申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中在上述第一層之上述聚烯烴系樹脂係選自由環狀烯烴系樹脂、高密度聚乙烯、聚丙烯所組成之群之一種單獨或二種以上的混合物。
  7. 根據申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，其中上述第二層及上述第一層係以共擠出成型製造者。
  8. 一種背襯研磨膜片用黏著板片之製造方法，製造如申請專利範圍第1項所述之背襯研磨膜片用黏著板片，其特徵在於包括以下步驟：將用於形成上述第二層之熱塑性樹脂系材料，與用於形成上述第一層的熱塑性樹脂系材料共擠出成型，得到成為上述基材之至少一部分而由上述第一層與上述第二層層積而成之層積體之步驟；及於藉由上述層積體之上述第一層上，直接或經由其他的層設置黏著層，得到包括上述層積體與上述黏著劑層而成為上述黏著板片之至少一部分之黏著性層積體之步驟。
  9. 一種工件之製造方法，製造至少一個面被加工之工件，其特徵在於：於上述工件的一個面的相反側的面黏貼申請專利範圍第1項之背襯研磨膜片用黏著板片，將上述工件的一個面加工。
  10. 申請專利範圍第9項之工件之製造方法，其中藉由上述加 工所得之上述工件之加工面，使在於具有黏著性或接著性的面之構件之該當面附著，將上述背襯研磨膜片用黏著板片剝離。
  11. 一種附有晶片之背襯研磨膜片用黏著板片之製造方法，其特徵在於：於在於板狀工件之主面的一方，形成深度較該工件的厚度淺的溝，於在於上述工件之形成該溝之上述一方的主面，黏貼如申請專利範圍第1項所述之背襯研磨膜片用黏著板片，由上述工件之沒有黏貼上述背襯研磨膜片用黏著板片之另一面的主面進行減少上述工件的厚度的去除加工，使藉由上述工件的去除加工所形成之面到達上述溝，使上述工件分割，得到該複數晶片配置於上述背襯研磨膜片用黏著片上的附有晶片之背襯研磨膜片用黏著板片。
  12. 一種附有晶片之構件之製造方法，其特徵在於：於藉由如申請專利範圍第11項所述之製造方法所得之晶片之加工面，使在於具有黏著性或接著性的面之構件之該當面附著，將接於上述晶片之上述背襯研磨膜片用黏著板片剝離。
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