TWI391462B - 應用於切割作用面之感壓黏著片及拾取加工屑片之方法 - Google Patents

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Takahashi Tomokazu
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Description

應用於切割作用面之感壓黏著片及拾取加工屑片之方法
本發明係關於一種應用於切割作用面之感壓黏著帶或片及一種利用此應用於切割作用面之感壓黏著帶或片拾取加工屑片之方法。更特定言之，本發明係關於一種應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，其之使用方式為當要切割由包含諸如矽化合物、鍺化合物、或鎵－砷化合物之化合物材料所製成之加工件(例如，半導體晶圓、半導體封裝、玻璃、或陶瓷)，且要拾取所產生之屑片時，將帶或片黏貼至呈未被天然氧化物膜完全覆蓋狀態之加工件之作用面。本發明進一步關於一種使用應用於切割作用面之感壓黏著帶或片拾取加工屑片之方法。
在迄今為止所使用的一般方法中，以大直徑形式製造使用諸如矽化合物、鍺化合物、或鎵－砷化合物之化合物作為材料的半導體晶圓，進行背面研磨以產生指定厚度，且隨後根據需求進行背面加工(例如，蝕刻或拋光)。接著將切割用之感壓黏著帶或片黏貼至半導體晶圓之背側。其後將此晶圓切割(方粒切製)成元件屑片，且隨後進行諸如清潔步驟、擴大步驟、拾取步驟、及裝置步驟之各種步驟。切割用之感壓黏著帶或片一般具有包括由塑膠薄膜或其類似物所構成之基材，及經由塗布諸如丙烯酸系感壓黏著劑之感壓黏著劑組成物，且將其乾燥，而形成於基材上之感壓黏著層(厚度約1至50微米)的構造。切割用之感壓黏著帶或片需具有足以防止半導體晶圓於切割過程中自帶或片分離的黏著力。由此觀點，迄今為止一般用於切割的感壓黏著帶或片在拾取，例如，矽鏡面晶圓時，具有2.5(牛頓/25毫米寬度)或更高之剝離黏著力(剝離角度：15°；拉引速率：150毫米/分鐘；黏貼時之溫度：23℃；剝離時之溫度：23℃)。另一方面，黏著力需夠低，以致於切割後在拾取時，可容易地將半導體晶圓自帶或片分離，而不會發生斷裂。再者，切割用之感壓黏著帶或片所需之其中一個重要性質為較不易導致污染的性質，例如，不會於半導體晶片上留下黏著劑殘留物(感壓黏著層中之成分殘留於黏附體表面上的現象)。關於具有此等性質之切割用之感壓黏著帶或片，已有人揭示，例如，具有由其中具105 或以下之分子量之低分子成分含量在10重量%或以下之聚合物所構成之感壓黏著層的可移除式感壓黏著片(見專利文件1)。
附帶一提，拾取步驟通常係在將半導體晶片間之間隔擴大的擴大步驟之後進行。擴大步驟係使半導體晶片可容易地自切割用之感壓黏著帶或片分離的步驟。此擴大步驟係，例如，經由使切割用之感壓黏著帶或片保持在經拉伸至某種程度之狀態，且將位在待拾取之半導體晶片下方之切割用之感壓黏著帶或片之點區域或線性區域抬起而完成。在目前主要使用之方法中，使半導體晶片達到此一可容易分離之狀態，且隨後藉由吸力自上側抓持(真空抓持)並拾取。
然而，近年來，於晶圓背面研磨步驟完成後或於晶圓背面研磨步驟及隨後之研磨塵層移除步驟(機械研磨塵層移除、化學研磨塵層移除、或其兩者之步驟)完成後之數小時內將半導體晶圓黏合至切割用之感壓黏著帶或片之情況經常用於改良工作時間(tact time)，防止厚度降低之半導體晶圓破裂等等。研磨塵層移除步驟的實例包括各種處理，包括乾式拋光處理、所謂的「CMP」處理、濕式蝕刻處理、及乾式蝕刻處理。
當於晶圓背面研磨步驟完成後或於研磨後之研磨塵層移除步驟完成後之數小時內將切割用之感壓黏著帶或片如此黏貼至半導體晶圓之經研磨表面(經加工表面)時，會有黏著力於黏貼之後隨著時間通過而增加(隨時間之經過)，以致對於拾取之適用性減小的問題。據推測其原因如下。半導體晶圓之經研磨表面未經天然氧化物膜完全覆蓋，且係其中存在呈未氧化狀態之活性原子的作用面。由於切割用之感壓黏著帶或片係黏貼至此未經天然氧化物膜完全覆蓋之作用面，因此呈未氧化狀態之活性原子(例如，矽原子)會與感壓黏著層之成分反應，而於未氧化之活性原子與感壓黏著層之成分之間形成化學鍵，因而產生該問題。
在此，術語「作用面」係指呈未經天然氧化物膜完全覆蓋之狀態的表面。明確言之，此術語係指未經天然氧化物膜完全覆蓋，且其中存在呈未氧化狀態之活性原子(例如，可與感壓黏著層之成分反應之原子)的表面。
專利文件1：JP－A－2001－234136
因此，本發明之一目的為提供一種應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，其即使當保持黏合至作用面長時間時，亦可容易地拾取屑片。本發明之另一目的為提供一種拾取加工屑片之方法，其包括使用應用於切割作用面之感壓黏著帶或片。
本發明人為達成該等目的而進行密集的研究。結果，發現當將使用特定丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物且包含特定輻射可聚合化合物之切割用之感壓黏著帶或片使用作為切割用之感壓黏著帶或片，且於晶圓之背面研磨(背面加工)後立即將其黏貼至半導體晶圓之作為作用面之經研磨表面時，則此感壓黏著帶或片即使係於經過長時間後仍可容易地剝除。本發明係基於此發現而完成。
換言之，本發明係關於以下的(1)至(7)。
(1)一種切割用之感壓黏著帶或片，其包括：一基材，及一輻射可固化之感壓黏著層，設置於基材之至少一側上，該感壓黏著層包含具500,000或以上之重量平均分子量的丙烯酸系聚合物(A)及至少一種選自具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團的三聚氰酸酯化合物及具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團的異三聚氰酸酯化合物的輻射可聚合化合物(B)，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率為5至150份重量，及其中該感壓黏著帶或片係要黏貼至呈未被天然氧化物膜完全覆蓋之狀態的作用面。
(2)根據以上(1)之感壓黏著帶或片，其中該輻射可聚合化合物(B)於其分子中具有2至12個含有碳－碳雙鍵之基團。
(3)根據以上(2)之感壓黏著帶或片，其中該輻射可聚合化合物(B)於其分子中具有3至10個含有碳－碳雙鍵之基團。
(4)根據以上(1)之感壓黏著帶或片，其中該輻射可聚合化合物(B)中之一或多個含有碳－碳雙鍵之基團各獨立地為選自乙烯基、烯丙基、丙烯醯氧基、及甲基丙烯醯氧基之基團。
(5)根據以上(1)之感壓黏著帶或片，其中該丙烯酸系聚合物(A)具有800,000或以上之重量平均分子量。
(6)根據(1)之感壓黏著帶或片，其中該丙烯酸系聚合物(A)具有一或多個位於其之側鏈或主鏈中或於其主鏈之末端處的碳－碳雙鍵。
(7)根據以上(1)之感壓黏著帶或片，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率為20至120份重量。
輻射可聚合化合物(B)較佳於其分子中具有2至12個含有碳－碳雙鍵之基團。輻射可聚合化合物(B)中之一或多個含有碳－碳雙鍵之基團較佳各獨立地為選自乙烯基、烯丙基、丙烯醯氧基、及甲基丙烯醯氧基之基團。
此外，本發明進一步係關於以下的(8)。
(8)一種拾取加工屑片之方法，其包括：將根據以上(1)之感壓黏著帶或片黏貼至加工件之作用面，隨後再切割加工件以製備屑片；及拾取屑片。
本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，由於具有上述之構造，因而其即使係於保持黏合至作用面長時間後，仍可容易地拾取屑片。
本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有包括一基材及一設置於基材之至少一側上之輻射可固化之感壓黏著層的構造，且其中位於基材之至少一側上之輻射可固化之感壓黏著層包含具500,000或以上之重量平均分子量的丙烯酸系聚合物(A)(以下通常簡稱為「丙烯酸系聚合物(A)」)及至少一種選自具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團的三聚氰酸酯化合物及具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團的異三聚氰酸酯化合物的輻射可聚合化合物(B)(以下通常簡稱為「輻射可聚合化合物(B)」)，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率為5至150份重量。由於本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有上述構造，其中位於基材之至少一側上之輻射可固化之感壓黏著層包含以具500,000或以上之重量平均分子量之丙烯酸系聚合物(A)為主成分的丙烯酸系感壓黏著劑及以指定比例加入於黏著劑中之輻射可聚合化合物(B)，因而當輻射可固化之感壓黏著層經輻射照射時，可固化而形成有效對抗作用面的三維網狀結構。因此，即使於本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片保持黏合至作用面長時間後，亦可經由照射輻射而使對作用面之黏著力有效地降低。因此，在拾取屑片之過程中可容易地拾取屑片。
關於輻射可聚合化合物(B)，含有碳－碳雙鍵之基團應具有可藉由照射輻射而聚合的性質(輻射可聚合性)。
<丙烯酸系聚合物(A)>
丙烯酸系聚合物(A)係具有500,000或以上之重量平均分子量(例如，500,000至5,000,000)的丙烯酸系聚合物，且其可使用作為輻射可固化之感壓黏著劑組成物的基礎聚合物。當丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量低於500,000時，會有防止對諸如半導體晶圓之加工件之污染的性質降低，且感壓黏著帶或片於黏貼至作用面且稍後自其剝除時留下黏著劑殘留物的情況發生。丙烯酸系聚合物(A)較佳具有低含量的低分子物質(成分)。由此觀點，丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量較佳係800,000或以上(例如，800,000至3,000,000)。
丙烯酸系聚合物(A)係含有(甲基)丙烯酸酯作為主要單體成分的聚合物(均聚物或共聚物)。作為丙烯酸系聚合物(A)之主要單體成分之(甲基)丙烯酸酯的實例包括(甲基)丙烯酸之烷基酯，諸如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、及(甲基)丙烯酸十八烷酯；(甲基)丙烯酸之環烷基酯，諸如(甲基)丙烯酸環己酯；及(甲基)丙烯酸之芳基酯，諸如(甲基)丙烯酸苯酯。此等(甲基)丙烯酸酯可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。較佳的(甲基)丙烯酸酯為(甲基)丙烯酸之烷基酯，諸如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯、及(甲基)丙烯酸辛酯。
在製造丙烯酸系聚合物(A)時，可使用一或多種可與(甲基)丙烯酸酯共聚合之單體(可共聚合單體)作為單體成分，以(例如)根據需求而修改諸如內聚力及耐熱性之性質。可共聚合單體可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。可共聚合單體的實例包括含羧基單體諸如(甲基)丙烯酸(丙烯酸及甲基丙烯酸)、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、巴豆酸、及異巴豆酸；含酸酐基之單體，諸如順丁烯二酸酐及伊康酸酐；含羥基單體諸如(甲基)丙烯酸2－羥乙酯、(甲基)丙烯酸2－羥丙酯、(甲基)丙烯酸4－羥丙酯、(甲基)丙烯酸6－羥己酯、(甲基)丙烯酸8－羥辛酯、(甲基)丙烯酸10－羥癸酯、(甲基)丙烯酸12－羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4－羥甲基環己基)甲酯、乙烯醇、烯丙醇、2－羥乙基乙烯基醚、2－羥丙基乙烯基醚、4－羥丁基乙烯基醚、乙二醇單乙烯基醚、二甘醇單乙烯基醚、丙二醇單乙烯基醚、及二丙二醇單乙烯基醚；含磺酸酯基之單體諸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯醯胺基－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸；含磷酸酯基之單體，諸如丙烯醯基磷酸2－羥乙酯；醯胺單體諸如(甲基)丙烯醯胺、N,N－二甲基(甲基)丙烯醯胺、N－丁基(甲基)丙烯醯胺、N－羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N－羥甲基丙基(甲基)丙烯醯胺、N－甲氧甲基(甲基)丙烯醯胺、及N－丁氧甲基(甲基)丙烯醯胺；含氰基單體諸如(甲基)丙烯腈；含胺基單體諸如(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸N,N－二甲基胺乙酯、及(甲基)丙烯酸第三丁基胺乙酯；含環氧基單體諸如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯；烯烴單體諸如乙烯、丙烯、異丙烯、丁二烯、及異丁烯；苯乙烯單體諸如苯乙烯、α－甲基苯乙烯、及乙烯基甲苯；乙烯基酯單體諸如乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯；乙烯基醚單體諸如甲基乙烯基醚及乙基乙烯基醚；含一或多個鹵原子之單體，諸如氯乙烯及二氯亞乙烯；含異氰酸酯基之單體，諸如(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧基甲酯、異氰酸2－(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2－(甲基)丙烯醯氧基丙酯、異氰酸3－(甲基)丙烯醯氧基丙酯、異氰酸4－(甲基)丙烯醯氧基丁酯、及異氰酸間丙烯基－α,α－二甲基苄酯；及具有含一或多個氮原子之環的單體，諸如N－乙烯基－2－吡咯啶酮、N－甲基乙烯基吡咯啶酮、N－乙烯基吡啶、N－乙烯基哌啶酮、N－乙烯基嘧啶、N－乙烯基哌、N－乙烯基吡、N－乙烯基吡咯、N－乙烯基咪唑、N－乙烯基唑、N－乙烯基啉、N－乙烯基己內醯胺、及N－(甲基)丙烯醯基啉。
根據需求，可使用多官能單體作為可共聚合單體，以進行交聯等等。多官能單體的實例包括(甲基)丙烯酸1,6－己二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙酯、三(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二異戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、(甲基)丙烯酸環氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁二酯、及二(甲基)丙烯酸己二酯。
以所有單體成分之總量計，可共聚合單體之使用量(比例)較佳係40重量%或以下。在使用多官能單體作為可共聚合單體之情況中，由感壓黏著性質等等的觀點來看，多官能單體之使用量較佳係以所有單體成分之總量計為30重量%或以下。
丙烯酸系聚合物(A)可藉由聚合單一單體成分或兩種或兩種以上單體成分之混合物而製備得。聚合可藉由溶液聚合方法、乳液聚合方法、本體聚合方法、懸浮聚合方法、及其類似方法的任何方法進行。
在本發明，所使用之丙烯酸系聚合物(A)較佳係具有一或多個位於其之側鏈或主鏈中或於其主鏈之末端處之碳－碳雙鍵的丙烯酸系聚合物(以下通常將此聚合物稱為「含雙鍵之丙烯酸系聚合物」)。在丙烯酸系聚合物(A)係含雙鍵之丙烯酸系聚合物的情況中，產生以下優點。當將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至作用面，且其後藉由照射輻射而使對作用面之黏著力降低時，則可不需加入低分子成分諸如另一輻射可固化單體或寡聚物，而使對作用面之黏著力更有效地降低。
此含雙鍵之丙烯酸系聚合物的一較佳實例係分子中之至少1/100的側鏈各具有一碳－碳雙鍵的含雙鍵之丙烯酸系聚合物(以下通常稱為「側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物」)。由分子設計的觀點來看，如此將碳－碳雙鍵引入至丙烯酸系聚合物之側鏈中亦有利。此側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物亦可具有位於主鏈中及位於主鏈之末端的碳－碳雙鍵。此種含雙鍵之丙烯酸系聚合物並不一定包含低分子成分諸如寡聚物成分，或不包含大量的此等成分。因此，可抑制或防止感壓黏著層中之低分子成分諸如寡聚物成分隨時間經過而遷移，且可形成具有穩定層結構的感壓黏著層。
製備含雙鍵之丙烯酸系聚合物之方法(即將碳－碳雙鍵引入至丙烯酸系聚合物中之方法)並無特殊之限制，而可採用適當地選自各種習知方法的方法。製備含雙鍵之丙烯酸系聚合物之方法(即將碳－碳雙鍵引入至丙烯酸系聚合物中之方法)的實例包括包含以下步驟之方法：使包含具有官能基之單體作為可共聚合單體的單體共聚合，以製備得含有官能基之丙烯酸系聚合物(以下通常稱為「含有官能基之丙烯酸系聚合物」)，然後使具有可與含有官能基之丙烯酸系聚合物中所含之官能基反應之官能基及碳－碳雙鍵兩者的化合物(以下通常將此化合物稱為「含有碳－碳雙鍵之反應性化合物」)與含有官能基之丙烯酸系聚合物經歷縮合反應或加成反應，同時維持碳－碳雙鍵之輻射可固化性(輻射可聚合性)，因而製備得含雙鍵之丙烯酸系聚合物。可用於將碳－碳雙鍵引入至丙烯酸系聚合物之所有側鏈之至少1/100之各者中之控制方法的實例，包括於其中適當調整待與含有官能基之丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應之含有碳－碳雙鍵之反應性化合物之量的方法。當使含有碳－碳雙鍵之反應性化合物與含有官能基之丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應時，可使用催化劑，因而使反應可有效地進行。雖然催化劑並無特殊之限制，但其較佳係錫催化劑(尤其係二月桂酸二丁基錫)。催化劑(錫催化劑諸如二月桂酸二丁基錫)之使用量並無特殊之限制。舉例來說，相對於100份重量之含有官能基之丙烯酸系聚合物，其之量較佳係約0.05至1份重量。
如前所述，在側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物中，各經引入碳－碳雙鍵之側鏈的比例較佳係1/100或以上(自1/100至100/100)，自10/100至98/100(尤其係自50/100至95/100)為特佳，以上係以此等側鏈對所有側鏈中之官能基(例如，羥基)的數目比例計。因此，側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物中之各經引入碳－碳雙鍵之側鏈的比例可，例如，經由適當地調整基於含有官能基之丙烯酸系聚合物中之官能基數目之含有碳－碳雙鍵之反應性化合物的使用量而控制。
含有官能基之丙烯酸系聚合物中之官能基與含有碳－碳雙鍵之反應性化合物中之官能基之組合的實例包括各種組合，諸如羧酸基(羧基)與環氧基之組合、羧酸基與吖基之組合、及羥基與異氰酸酯基之組合。由反應可追蹤性等等的觀點來看，此等官能基組合中之較佳者為羥基與異氰酸酯基之組合。在該等官能基組合之各者中，任一官能基可為含有官能基之丙烯酸系聚合物的官能基或含有碳－碳雙鍵之反應性化合物的官能基。然而，在(例如)羥基與異氰酸酯基之組合的情況中，羥基較佳係含有官能基之丙烯酸系聚合物中之官能基及異氰酸酯基係含有碳－碳雙鍵之反應性化合物中之官能基。在此情況，包含異氰酸酯基作為官能基之含有碳－碳雙鍵之反應性化合物(即含有碳－碳雙鍵之異氰酸酯化合物)的實例包括(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯氧甲基異氰酸酯、2－(甲基)丙烯醯氧乙基異氰酸酯、2－(甲基)丙烯醯氧丙基異氰酸酯、3－(甲基)丙烯醯氧丙基異氰酸酯、4－(甲基)丙烯醯氧丁基異氰酸酯、及異氰酸間－丙烯基－α,α－二甲基苄酯。另一方面，包含羥基作為官能基之含有官能基之丙烯酸系聚合物的實例包括可經由使包括含羥基單體[例如，(甲基)丙烯酸2－羥乙酯、(甲基)丙烯酸2－羥丙酯、(甲基)丙烯酸4－羥丁酯、(甲基)丙烯酸6－羥己酯、(甲基)丙烯酸8－羥辛酯、(甲基)丙烯酸10－羥癸酯、(甲基)丙烯酸12－羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4－羥甲基環己基)甲酯、乙烯醇、烯丙醇、2－羥乙基乙烯基醚、2－羥丙基乙烯基醚、4－羥丁基乙烯基醚、乙二醇單乙烯基醚、二甘醇單乙烯基醚、丙二醇單乙烯基醚、或二丙二醇單乙烯基醚]作為可共聚合單體之單體共聚合而獲得之含羥基之丙烯酸系聚合物。
含有雙鍵之丙烯酸系聚合物經由照射輻射而固化，且當系統中存在光聚合引發劑時，此固化反應可更容易地進行。關於光聚合引發劑，可使用經由照射輻射而用於固化輻射可聚合化合物(B)的光聚合引發劑。
丙烯酸系聚合物(A)可藉由利用交聯劑交聯而經調整成具有500,000或以上之重量平均分子量。交聯劑並無特殊之限制，而可使用適當地選自習知之交聯劑(例如，聚異氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑、吖化合物交聯劑、三聚氰胺樹脂交聯劑、脲樹脂交聯劑、酸酐交聯劑、聚胺交聯劑、及含羧基之聚合交聯劑)的一者。交聯劑之使用量並無特殊之限制，其可根據與待交聯聚合物(呈未交聯狀態之丙烯酸系聚合物(A))、感壓黏著劑之預計用途等等之平衡而適當地決定。一般而言，相對於100份重量之待交聯聚合物之交聯劑的使用量較佳係0.01至5份重量。
在丙烯酸系聚合物(A)要利用交聯劑交聯的情況中，丙烯酸系聚合物(A)應係具有可與交聯劑反應之官能基(反應性官能基)的丙烯酸系聚合物(例如，具有諸如羥基或羧基之可與交聯劑反應之官能基的含雙鍵之丙烯酸系聚合物)。
<輻射可聚合化合物(B)>
輻射可聚合化合物(B)係選自具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團(以下通常稱為「碳－碳雙鍵基」)的三聚氰酸酯化合物(以下通常將此等化合物稱為「含有碳－碳雙鍵之三聚氰酸酯化合物」)及具一或多個含有碳－碳雙鍵之基團的異三聚氰酸酯化合物(以下通常稱為「含有碳－碳雙鍵之異三聚氰酸酯化合物」)的至少一者。含有碳－碳雙鍵之三聚氰酸酯化合物或含有碳－碳雙鍵之異三聚氰酸酯化合物各於其分子中具有三環或異三環(異三聚氰酸酯環)，且進一步具有一或多個輻射可聚合之碳－碳雙鍵。此種輻射可聚合化合物(B)較佳係單體、寡聚物、或單體及寡聚物之兩種或兩種以上的混合物。
製備輻射可聚合化合物(B)的方法並無特殊之限制。一般而言，輻射可聚合化合物(B)可經由使作為起始物料之鹵氰化物、二苯胺化合物、二異氰酸酯化合物、或其類似物進行一般的環化反應，以製備具有三環或異三環之化合物，且隨後再將一或多個輻射可聚合之碳－碳雙鍵基(例如，乙烯基、烯丙基、丙烯醯氧基、或甲基丙烯醯氧基)加入至化合物中而製備得。
由經由照射輻射而有效形成三維網狀結構的觀點來看，在本發明中，輻射可聚合化合物(B)較佳於其分子中具有兩個或兩個以上之碳－碳雙鍵基。尤其當輻射可聚合化合物(B)為單體時，該單體較佳具有每分子兩個或兩個以上之碳－碳雙鍵基。另一方面，在寡聚物的情況中，該寡聚物較佳具有每重複單元兩個或兩個以上之碳－碳雙鍵基。輻射可聚合化合物(B)中所含之碳－碳雙鍵基的數目為2至12更佳，3或3以上特佳(尤其係3至10)。當輻射可聚合化合物(B)中所含之碳－碳雙鍵基之數目小於2時，會有利用輻射照射無法產生足以降低黏著力之交聯度的情況發生。當其數目超過12時，會有利用輻射照射使感壓黏著劑過度變脆的情況發生。
碳－碳雙鍵基的較佳實例包括乙烯基、烯丙基、丙烯醯氧基、及甲基丙烯醯氧基。碳－碳雙鍵基可為一種或可為兩種或兩種以上之組合。
在輻射可聚合化合物(B)中，碳－碳雙鍵基一般各係透過另一基團(以下通常稱為「連接基團」)或未透過連接基團而鍵結至構成三環或異三環之任何的氮原子。碳－碳雙鍵基及位於各碳－碳雙鍵基與三環或異三環之間的連接基團(尤其係碳－碳雙鍵基)皆不具有所謂的「剛性分子結構」(例如，具有芳環之分子結構或具有雜環之分子結構)較佳。在碳－碳雙鍵基或連接基團具有剛性的情況中，會賦予輻射可聚合化合物(B)過多的剛性，且輻射可固化之感壓黏著層會因照射輻射(例如，紫外光)而過度變脆。因此，會有固化產生，例如，已脆化之感壓黏著層當擴大或在拾取步驟中拾取時，發生龜裂之問題的情況。
因此，碳－碳雙鍵基及連接基團各包含富含自由旋轉原子的基團較佳。富含自由旋轉原子之基團的實例包括不含芳環及雜環的二價有機基團，諸如脂族烴基(例如，伸烷基諸如亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、七亞甲基、及八亞甲基及對應於此等伸烷基之亞烷基)，氧基(－O－)，羰基(－CO－)，氧羰基(－OCO－)，羰氧基(－COO－)，亞胺羰基(－NHCO－)，羰胺基(－CONH－)，亞胺羰氧基(－NHCOO－)，及氧羰胺基(－OCONH－)；及包含此等基團之兩者或兩者以上之組合的基團(例如，各由脂族烴基及至少一選自氧基、羰基、氧羰基、羰氧基、亞胺羰基、羰胺基、亞胺羰氧基、及氧羰胺基之二價有機基團所構成的基團)。
在構成碳－碳雙鍵之碳原子係透過氧基鍵結至三環或異三環的情況中，構成碳－碳雙鍵之碳原子(位於三環或異三環側上之碳原子)較佳係透過伸烷氧基或亞烷氧基鍵結至三環或異三環。構成碳－碳雙鍵之碳原子係透過具有2或多個碳原子之伸烷氧基或透過具有2或多個碳原子之亞烷氧基鍵結至三環或異三環為特佳。在此情況，當有2個或2個以上之碳－碳雙鍵基鍵結至一個三環或異三環時，則至少一個碳－碳雙鍵基係其中構成碳－碳雙鍵之碳原子係透過具有2或多個碳原子之伸烷氧基或透過具有2或多個碳原子之亞烷氧基鍵結至三環或異三環的碳－碳雙鍵基較佳。
明確言之，使用作為輻射可聚合化合物(B)之含有碳－碳雙鍵之三聚氰酸酯化合物的實例包括三聚氰酸 2－丙烯基－二－3－丁烯酯。此外，含有碳－碳雙鍵之異三聚氰酸酯化合物的實例包括2－羥乙基雙(2－丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、參(2－丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、參(2－甲基丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、雙(2－丙烯醯氧乙基)2－[(5－丙烯醯氧己基)氧基]乙基異三聚氰酸酯、參(1,3－二丙烯醯氧基－2－丙氧羰基胺基－正己基)異三聚氰酸酯、參(1－丙烯醯氧乙基－3－甲基丙烯醯氧基－2－丙氧羰基胺基－正己基)異三聚氰酸酯、及參(4－丙烯醯氧基－正丁基)異三聚氰酸酯。
在本發明，關於輻射可聚合化合物(B)，可較佳地使用一或多種呈單體形式的輻射可聚合化合物(例如，前述之含有碳－碳雙鍵的三聚氰酸酯化合物及含有碳－碳雙鍵的異三聚氰酸酯化合物)。此外，呈寡聚物形式之輻射可聚合化合物(B)的實例包括前述之含有碳－碳雙鍵之三聚氰酸酯化合物及含有碳－碳雙鍵之異三聚氰酸酯化合物的寡聚物。
<輻射可固化之感壓黏著層>
應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有包括一基材及形成於其之至少一側上之包含丙烯酸系聚合物(A)及輻射可聚合化合物(B)之輻射可固化之感壓黏著層的構造，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率為5至150份重量(較佳為20至120份重量)。在此，通常將此感壓黏著層稱為「輻射可固化之感壓黏著層(X)」。在丙烯酸系聚合物(A)對輻射可聚合化合物(B)之比率係使得相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率小於5份重量的情況中，藉由照射輻射而於輻射可固化之感壓黏著層(X)中形成三維網狀結構並不足夠。因此，黏著力(元件固定黏著力)無法降低至可容易地拾取元件(屑片)的程度。另一方面，在丙烯酸系聚合物(A)對輻射可聚合化合物(B)之比率係使得相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之輻射可聚合化合物(B)的比率超過150份重量的情況中，使輻射可固化之感壓黏著層(X)塑化的效果相當高，以致無法展現足以使加工件能承受由在切割期間利用旋轉刀片(圓形刀片)切割或清潔水之壓力所造成之衝擊力的元件固定黏著力。
如前所述，輻射可固化之感壓黏著層(X)係由至少包含以指定比例存在之丙烯酸系聚合物(A)及輻射可聚合化合物(B)的感壓黏著劑組成物(以下通常將此組成物稱為「輻射可固化之感壓黏著劑組成物」)所構成。輻射可固化之感壓黏著劑組成物較佳包含光聚合引發劑，以使當輻射可聚合化合物(B)經輻射照射時，能有效地聚合或固化。光聚合引發劑的實例包括安息香烷基醚引發劑諸如安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、安息香異丙基醚、及安息香異丁基醚；二苯基酮引發劑諸如二苯基酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’－二甲基－4－甲氧基二苯基酮、及聚乙烯基二苯基酮；芳族酮引發劑諸如α－羥基環己基苯基酮、4－(2－羥乙氧基)苯基2－羥基－2－丙基酮、α－羥基－α,α’－二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2－二甲氧基－2－苯基苯乙酮、2,2－二乙氧基苯乙酮、及2－甲基－1－[4－(甲硫基)苯基]－2－N－啉基丙烷－1－酮；芳族縮酮引發劑諸如苄基二甲基縮酮；9－氧硫引發劑諸如9－氧硫、2－氯－9－氧硫、2－甲基－9－氧硫、2－乙基－9－氧硫、2－異丙基－9－氧硫、2－十二基－9－氧硫、2,4－二氯－9－氧硫、2,4－二甲基－9－氧硫、2,4－二乙基－9－氧硫、及2,4－二異丙基－9－氧硫；二苯乙二酮引發劑諸如二苯乙二酮；及安息香引發劑諸如安息香。其實例進一步包括α－酮醇化合物(諸如2－甲基－2－羥基丙醯苯)、芳族磺醯氯化合物(諸如2－萘磺醯氯)、旋光性肟化合物(諸如1－苯酮－1,1－丙二酮－2－(O－乙氧羰基)肟)、樟腦醌、鹵化酮、氧化醯基膦、及醯基膦酸酯。此等光聚合引發劑可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。
光聚合引發劑之加入量可適當地選自每100份重量之輻射可聚合化合物(B)自0.5至30份重量(較佳為1至20份重量)之範圍內。在使用含雙鍵之丙烯酸系聚合物作為丙烯酸系聚合物(A)的情況中，由於亦使用引發劑於固化含雙鍵之丙烯酸系聚合物，因而光聚合引發劑之加入量可適當地選自每100份重量之含雙鍵之丙烯酸系聚合物(A)與輻射可聚合化合物(B)之總和自0.5至30份重量(較佳為1至20份重量)之範圍內。
用於形成輻射可固化之感壓黏著層(X)之輻射可固化之感壓黏著劑組成物可根據需求而包含習知之添加劑或成分，諸如交聯劑、增黏劑、填料、阻燃劑、抗老化劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外光吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、表面活性劑、及著色劑。所使用之交聯劑可適當地選自如前所述之習知之交聯劑(例如，聚異氰酸酯交聯劑)。在要利用交聯劑交聯丙烯酸系聚合物(A)的情況中，應使用對丙烯酸系聚合物(A)之官能基具有反應性的交聯劑。明確言之，當丙烯酸系聚合物(A)係具有諸如羥基或羧基之官能基的丙烯酸系聚合物(例如，具有羥基之含雙鍵之丙烯酸系聚合物)時，則可有利地使用聚異氰酸酯交聯劑作為交聯劑。聚異氰酸酯交聯劑的實例包括二異氰酸甲苯酯、二異氰酸六亞甲酯、三羥甲基丙烷三異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯之二聚物及三聚物、三羥甲基丙烷及二異氰酸甲苯酯之反應產物、三羥甲基丙烷及二異氰酸六亞甲酯之反應產物、聚亞甲基－聚苯基異氰酸酯、聚醚聚異氰酸酯、及聚酯聚異氰酸酯。
除了輻射可聚合化合物(B)外，輻射可固化之感壓黏著劑組成物中亦可含有一或多種其他視需要之輻射可聚合化合物。視需要之輻射可聚合化合物可適當地選自習知之輻射可聚合化合物。其實例包括低分子輻射可聚合化合物諸如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、異戊四醇三丙烯酸酯、異戊四醇四丙烯酸酯、二異戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二異戊四醇六丙烯酸酯、1,4－伸丁二醇二丙烯酸酯、1,6－己二醇二丙烯酸酯、及聚乙二醇二丙烯酸酯；及高分子輻射可聚合化合物(輻射可固化樹脂)諸如酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、及各具有位於分子末端之(甲基)丙烯醯基之丙烯酸系樹脂(甲基)丙烯酸酯及硫醇－烯加成型樹脂、及各具有位於分子末端之烯丙基的陽離子可光聚合樹脂、聚(桂皮酸乙烯酯)、重氮化胺基酚醛型環氧(novolak)樹脂、及丙烯醯胺聚合物。
輻射可固化之感壓黏著層(X)可藉由使用含有指定比例之丙烯酸系聚合物(A)及輻射可聚合化合物(B)的感壓黏著劑組成物(輻射可固化之感壓黏著劑組成物)，利用習知之製備感壓黏著層的方法製備得。舉例來說，輻射可固化之感壓黏著層(X)可利用下列方法形成：包括將輻射可固化之感壓黏著劑組成物塗布至基材之一指定側以形成一層之方法；或包括將輻射可固化之感壓黏著劑組成物塗布於一隔離物(例如，經塗布釋離劑之塑膠膜或片)上，以形成一輻射可固化之感壓黏著層，隨後再將輻射可固化之感壓黏著層轉移至基材之一指定側的方法。
輻射可固化之感壓黏著層(X)可具有單層構造或多層構造。
輻射可固化之感壓黏著層(X)的厚度並無特殊之限制。然而，其較佳係在1至50微米之範圍內，在3至20微米之範圍內為特佳。會有經黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之加工件在切割過程中振動的情況發生。在此情況，當振動振幅大時，加工件的經切割物件(屑片)會破損。然而，經由將輻射可固化之感壓黏著層(X)之厚度調整為50微米或更小，可抑制於切割加工件期間所產生之振動振幅防止其變得過大。因此，可有效地達成減小屑片發生破損(減小所謂的「破損」)的現象。再者，經由將輻射可固化之感壓黏著層(X)之厚度調整為1微米或更大，可確實地固定住經黏合至輻射可固化之感壓黏著層(X)的加工件，而防止加工件於切割期間輕易地自黏著層(X)分離。特定言之，經由將輻射可固化之感壓黏著層(X)之厚度調整為3至20微米，可進一步達成減小破損，且於切割期間可以更高的確實度固定加工件。結果，可有效地抑制或防止發生切割失敗。
<基材>
在應用於切割作用面之感壓黏著帶或片中，基材並無特殊之限制。基材可為塑膠基材、金屬基材、由纖維製成之基材、由紙張製成之基材、及其類似物中的任何一者，且使用塑膠基材為較佳。塑膠基材的實例包括塑膠膜或片。構成塑膠膜或片之材料的實例包括聚烯烴樹脂(例如，低密度聚乙烯、線型聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯無規共聚物、丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚丁烯、及聚甲基戊烯)、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物(例如，無規共聚物及交替共聚物)、乙烯/丁烯共聚物、乙烯/己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚酯樹脂(例如，聚(對苯二甲酸乙二酯)、聚(萘二甲酸乙二酯)、聚(對苯二甲酸丁二酯)、及聚(萘二甲酸丁二酯))、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醚酮、聚醚、聚醚碸、聚苯乙烯樹脂(例如，聚苯乙烯)、聚(氯乙烯)、聚(二氯亞乙烯)、聚(乙烯醇)、聚(乙酸乙烯酯)、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚碳酸酯、氟樹脂、纖維素樹脂、及經由交聯此等樹脂而獲得之材料。此等組成材料可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。塑膠膜或片之組成材料可具有根據需求加入於其中之官能基，或可為其上經接枝官能單體或改質單體的材料。
塑膠基材之表面可經歷習知或常用的表面處理(例如，化學或物理處理諸如電暈放電處理、鉻酸處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高電壓電震暴露處理、或游離輻射處理、塗布底塗料、打底、消光、或交聯)，以具有黏著至或固定住相鄰層(輻射可固化之感壓黏著層(X)等等)的增強性質。塑膠基材可具有諸如金屬、合金、或其氧化物之傳導性物質的氣相沈積層，以具有抗靜電性質。此一傳導性物質之氣相沈積層的厚度一般係約30至500埃。
基材較佳係可至少部分透射輻射(例如，X射線、紫外光、或電子束)，以致形成於基材上之輻射可固化之感壓黏著層(X)可藉由甚至自基材側將層(X)照射輻射而固化。
基材可具有單層構造或多層構造。基材可根據需求，而包含習知之添加劑或成分，諸如，比方說，填料、阻燃劑、抗老化劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外光吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、及表面活性劑。
形成基材之方法並無特殊之限制，而可採用適當地選自習知或常用形成方法的方法。形成塑膠基材之方法的實例包括壓延薄膜形成、流延薄膜形成、吹脹擠塑、及T型模頭擠塑。在具有其中層合多層之構造之塑膠基材的情況中，其可藉由諸如共擠塑或乾式層合的層合技術形成。塑膠基材可呈未拉伸狀態，或可經歷拉伸處理且呈單軸或雙軸拉伸狀態。
基材之厚度並無特殊之限制，而可適當地決定。其係，例如，在10至300微米之範圍內，較佳在30至200微米之範圍內。
<應用於切割作用面之感壓黏著帶或片>
如圖1所示，本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有包括一基材及形成於基材之至少一側(於一側或各側上)上之輻射可固化之感壓黏著層(X)的構造。輻射可固化之感壓黏著層(X)經一隔離物保護較佳。
圖1係說明本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之一具體例的概略剖面圖。在圖1中，元件符號1指示應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，元件符號2指示基材，元件符號3指示輻射可固化之感壓黏著層，及元件符號4指示隔離物。圖1所示之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片1具有包括基材2、形成於基材2之一側上之輻射可固化之感壓黏著層3、及藉以保護輻射可固化之感壓黏著層3之隔離物4的構造。在圖1所示之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片1中，輻射可固化之感壓黏著層3係前述之輻射可固化之感壓黏著層X(即包含呈指定比例之丙烯酸系聚合物(A)及輻射可聚合化合物(B)的輻射可固化之感壓黏著層)。基材2係如前所述。
如圖1所示，本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片較佳具有將輻射可固化之感壓黏著層(X)形成於基材之一側上之構造(具體例)。此外，根據需求，其可具有將輻射可固化之感壓黏著層(X)形成於基材之各側上之構造，或可具有包括基材、形成於基材之一側上之輻射可固化之感壓黏著層(X)、及形成於基材之另一側上之除輻射可固化之感壓黏著層(X)外之感壓黏著層(例如，另一輻射可固化之感壓黏著層、可熱剝除之感壓黏著層、或當經照射輻射或加熱時不具有成為可剝除之性質之普通的感壓黏著層)的構造。
如前所述，應用於切割作用面之感壓黏著帶或片可根據需求而具有用於，例如，保護感壓黏著層(例如，輻射可固化之感壓黏著層(X))的隔離物。隔離物並無特殊之限制，而可使用適當選自習知之隔離物者。隔離物之組成材料(基質之材料)的實例包括紙張；及由諸如聚乙烯、聚丙烯、及聚(對苯二甲酸乙二酯)之合成樹脂所構成的合成樹脂薄膜。隔離物之表面可根據需求而經歷釋離劑處理(賦予釋離性之處理)，諸如，比方說，聚矽氧處理、利用長鏈烷基型釋離劑的處理、或氟化學處理，以具有增強之自感壓黏著層的釋離性。再者，隔離物可根據需求經歷紫外光屏蔽處理，以防止感壓黏著層(尤其係輻射可固化之感壓黏著層(X))因環境紫外光之作用而反應。隔離物之厚度並無特殊之限制，其一般係在10至200微米之範圍內(較佳為25至100微米)。
在本發明，當應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有將輻射可固化之感壓黏著層(X)形成於基材之一側上之構造時，則此感壓黏著帶或片可具有形成於基材之另一側上之除輻射可固化之感壓黏著層(X)外之感壓黏著層(另一種類的感壓黏著層)、經由賦予釋離性之處理所形成之釋離層等等。另一種類的感壓黏著層並無特殊之限制，其可為選自除輻射可固化之感壓黏著層(X)外之輻射可固化之感壓黏著層、當加熱時具有可剝除性之可熱剝除之感壓黏著層、當加熱或經照射輻射時不會變為可剝除之普通的感壓黏著層、及其類似物的任何感壓黏著層。為形成另一種類的感壓黏著層，可使用，例如，含有至少一種選自習知之感壓黏著劑(丙烯酸系感壓黏著劑、橡膠基感壓黏著劑、胺基甲酸酯感壓黏著劑、聚矽氧感壓黏著劑、聚酯感壓黏著劑、聚醯胺感壓黏著劑、環氧感壓黏著劑、乙烯基烷基醚感壓黏著劑、氟樹脂感壓黏著劑等等)之感壓黏著劑及視需要之各種添加劑、輻射可聚合化合物、發泡劑等等的感壓黏著劑組成物。另一方面，用於形成位於基材之另一側上之釋離層的釋離劑並無特殊之限制，而可使用適當地選自習知之釋離劑(聚矽氧釋離劑、長鏈烷基型釋離劑、氟化學釋離劑等等)的一者。
應用於切割作用面之感壓黏著帶或片可呈捲筒型態或呈片材堆疊之型態。當將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片用於切割半導體晶圓時，其一般係於經切割成指定形狀後再黏貼至其上。
應用於切割作用面之感壓黏著帶或片應黏貼至呈未經天然氧化物膜完全覆蓋之狀態的表面(作用面)係重要的。在作用面中，存在呈未氧化狀態的活性原子(以下通常稱為「活性原子」)。此等活性原子具有可與感壓黏著層之成分形成化學鍵的性質。換言之，作用面係其中存在對感壓黏著層之成分具有反應性之未氧化狀態原子的表面。在本發明，應用於切割作用面之感壓黏著帶或片即使係於保持黏合至此一作用面長時間後，仍可經由照射輻射而容易地自作用面剝除。可與活性原子形成化學鍵之感壓黏著層的成分係具有可與活性原子反應之官能基的化合物。其實例包括基礎聚合物、增黏劑樹脂、及輻射可聚合化合物。
具有作用面之加工件的實例包括半導體晶圓、半導體封裝、玻璃、及陶瓷。此等加工件使用諸如矽化合物、鍺化合物、或鎵－砷化合物之化合物作為材料。於此一加工件經接受背面研磨或其類似處理以使新表面(新鮮表面)暴露後，在新暴露之表面中存在呈未氧化狀態之活性原子，諸如呈未氧化狀態之活性矽原子(Si)、呈未氧化狀態之活性鍺原子(Ge)、或呈未氧化狀態之活性鎵原子(Ga)。附帶一提，此等活性原子可經由隨時間經過氧化(經由自然暴露而氧化)或經由強制氧化等等去活化，因而變為無活性。
即使係於本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片保持黏合至經由研磨或其類似處理而暴露且具有未經去活化(即呈活性狀態)之活性原子之該加工件之作用面後，為降低厚度等等，為改良工作時間或保護具有經降低厚度之加工件，不管黏合期間為何，其皆可經由照射輻射有效降低對加工件之作用面的黏著力而容易地剝除。因此，即使當在晶圓背面研磨步驟或於晶圓背面研磨步驟之後進行之研磨塵層移除步驟(機械研磨塵層移除、化學研磨塵層移除、或利用兩者之研磨塵層移除的步驟)之後或之後不久，將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至經由研磨而新暴露之作用面時(即甚至當在裝置步驟中如此黏貼感壓黏著帶或片時)，此感壓黏著帶或片亦可有效地利用於諸如切割步驟及拾取步驟的後續步驟中。明確言之，在切割步驟之前，應用於切割作用面之感壓黏著帶或片具有有效保護具有經降低厚度之易碎加工件(例如，半導體晶圓)的功能。在切割步驟中，感壓黏著帶或片具有高度強力地固定住加工件且使其可有效率地被切割的功能。再者，在拾取步驟中，感壓黏著帶或片可經由照射輻射有效地降低對加工件之黏著力，因而可容易地拾取加工件(例如，半導體元件)的屑片。
因此，本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片可有利地使用作為欲黏貼至呈未經天然氧化物膜完全覆蓋之狀態之作用面的切割用之感壓黏著帶或片。
在本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片中，輻射可固化之感壓黏著層(X)具有較佳為2.3牛頓/25毫米寬度或以下，特佳為2.0牛頓/25毫米寬度或以下之黏著力(應用於矽鏡面晶圓；剝離角度：15°；拉引速率：150毫米/分鐘；測量溫度：23±3℃)。當應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之輻射可固化之感壓黏著層(X)的黏著力(剝離角度：15°；拉引速率：150毫米/分鐘；測量溫度：23±3℃)為2.3牛頓/25毫米寬度或以下時，感壓黏著帶或片對於拾取屑片可具有令人滿意的適用性，且可有效減小黏著劑殘留物的轉移。輻射可固化之感壓黏著層(X)之黏著力的值係利用如下之方法所獲得：將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至矽鏡面晶圓之一表面，且隨後在23±3℃之測量溫度及150毫米/分鐘之拉引速率下自其剝除，其中在輻射可固化之感壓黏著層(X)之表面與矽鏡面晶圓之表面之間的角度係如圖2所示維持在15°。以對矽鏡面晶圓之黏著力明確說明輻射可固化之感壓黏著層(X)之黏著力的理由為矽鏡面晶圓具有恒定的表面糙度且光滑，且矽鏡面晶圓之材料與使用作為待切割及拾取之加工件之半導體晶圓或其類似物的材料相同。在23±3℃之測量溫度下測定黏著力的理由為拾取通常係在具室溫(23℃)的環境中進行。
圖2係說明測量應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之黏著力之方法的概略剖面圖。在圖2中，元件符號5指示應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，元件符號51指示基材，元件符號52指示輻射可固化之感壓黏著層(X)，及元件符號6指示矽鏡面晶圓。再者，X指示拉引應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5以將其剝除的方向(以下通常簡稱為「剝除方向」)，及θ指示當將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5剝除時在輻射可固化之感壓黏著層(X)52之表面與矽鏡面晶圓6之表面之間的角度(以下通常將此角度稱為「剝離角度」)。在圖2中，應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5包括基材51及形成於基材51之一側上之輻射可固化之感壓黏著層(X)52，且輻射可固化之感壓黏著層(X)52如前文所述包含以指定比例存在的丙烯酸系聚合物(A)及輻射可聚合化合物(B)。在圖2所示之方法中，經黏貼至矽鏡面晶圓6之一側之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5係經由將其在剝除方向X中，在維持恒定於15°之剝離角度θ下，以150毫米/分鐘之速率拉引而剝除。此黏著力之測量係在23℃之大氣中進行。
應用於切割作用面之感壓黏著帶或片較佳具有以下性質。將感壓黏著帶或片之輻射可固化之感壓黏著層(X)之側黏貼至由矽製成之半導體晶圓(矽晶圓)的一表面，且切割此矽晶圓。隨後將感壓黏著帶或片照射輻射並剝除，且其後利用XPS檢測矽晶圓之表面，以測定碳元素比例C1 (%)。另一方面，亦利用XPS檢測在黏貼感壓黏著帶或片之前的矽晶圓表面，以測定碳元素比例C2 (%)。關於應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，C1 與C2 之值之間的差異(即(C1 －C2 )，通常稱為「△C」)較佳為5或以下(例如，1至5)。具有5或以下之△C值之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片極不易產生污染，且可有效減小所謂「黏著劑轉移」的發生。因此，可改良加工件處理的良率。
碳元素比例(碳元素比例C1 (%)及碳元素比例C2 (%))係利用XPS(X射線光電子光譜術)測定。明確言之，利用XPS的碳元素比例C1 (%)可，例如，以下述方式測定。將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至矽晶圓之一表面，以致輻射可固化之感壓黏著層(X)側與矽晶圓表面接觸。接著，切割此矽晶圓，且將感壓黏著帶或片照射輻射(諸如紫外光或電子束)，隨後再自矽晶圓剝除。其後使經剝除應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之矽晶圓的表面在使用X射線源，將MgKα 設為15仟伏特(300瓦)，將拾取角度設為45°及將檢測面積設為1毫米×3.5毫米的條件下接受X射線光電子光譜儀(5400型，ULVAC－PHI,Inc.製造)的X射線光電子光譜分析。如此可測得C1 。另一方面，利用XPS之碳元素比例C2 (%)可，例如，經由使在黏貼應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之前的矽晶圓表面在使用X射線源，將MgKα 設為15仟伏持(300瓦)，將拾取角度設為45°及將檢測面積設為1毫米×3.5毫米的條件下接受X射線光電子光譜儀(5400型，ULVAC－PHI公司製造)的X射線光電子光譜分析而測定(使用與碳元素比例C1 (%)之測定中相同的裝置及條件)。
<拾取加工屑片之方法>
在根據本發明之拾取加工屑片之方法中，將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至加工件之作用面，並切割此加工件。其後拾取所得之屑片。應用於切割作用面之感壓黏著帶或片應黏貼至加工件，以致輻射可固化之感壓黏著層(X)之表面與加工件之作用面接觸。由於用於切割加工件及拾取屑片之切割用之感壓黏著帶或片係如前所述之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，因而即使係於切割用之感壓黏著帶或片保持黏合至加工件之作用面長時間後，仍可經由照射輻射而容易地進行加工屑片的拾取。因此可獲得改良的良率。再者，在拾取方法中，即使當使用厚度小於100微米之脆性半導體晶圓(半導體元件)作為加工件時，亦可容易地拾取經由將半導體晶圓切割成指定尺寸而獲得的半導體晶片，且可有效地改良良率。
如前所述，根據本發明之拾取加工屑片之方法至少包括將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至加工件之作用面的裝置步驟；於裝置步驟之後切割加工件(將加工件切割成塊)的切割步驟；及於切割步驟之後拾取所得之加工屑片的拾取步驟。
進行裝置步驟的目的為將應用於切割作用面之感壓黏著帶或片黏貼至加工件之作用面。裝置步驟中的一般程序包括將加工件(例如，半導體晶圓)重疊於應用於切割作用面之感壓黏著帶或片上，以致加工件之作用面與輻射可固化之感壓黏著層(X)側上之感壓黏著劑表面接觸，且隨後再邊利用習知之加壓裝置諸如使用壓力輥之加壓裝置對其施壓，邊使加工件黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片。或者，可使用在可加壓之容器(例如，熱壓釜)中，以與前述方法相同之方式，將加工件重疊於應用於切割作用面之感壓黏著帶或片上，且將容器內部加壓，因而使加工件黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片的方法。在此利用加壓的黏合中，加工件可在同時利用加壓裝置對其進一步施壓的情況下黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片。亦可以如前所述之相同方式在減壓室(真空室)中將加工件黏合至感壓黏著帶或片。雖然黏貼感壓黏著帶或片之溫度並無特殊之限制，但其較佳係在自20至80℃之範圍內。
進行切割步驟的目的係要經由將加工件切割成個別物件，而產生黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之加工件(例如，半導體晶圓)的屑片(例如，半導體晶片)。在切割步驟中，以一般的方式進行經黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之加工件的切割。在加工件係半導體晶圓的情況中，切割通常係自半導體晶圓的電路側進行。在此切割步驟中，一般使刀片在高速度下旋轉，以將加工件(例如，半導體晶圓)切割成指定尺寸。關於此切割步驟，可使用，例如，稱為完全切割的切割技術，其中除加工件之外，亦切割感壓黏著帶或片。切割裝置並無特殊之限制，而可使用適當地選自習知之切割裝置的裝置。在切割步驟中，由於加工件(例如，半導體晶圓)係黏合及固定至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片，因而可抑制或防止屑片破損或脫落。此外，可抑制或防止加工件的本身(例如，半導體晶圓)破裂。
進行拾取步驟的目的係要使經黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片的加工屑片自應用於切割作用面之感壓黏著帶或片分離並拾取。在拾取步驟中，拾取呈黏合至應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之狀態的加工件之屑片(例如，半導體晶片)。此拾取之方法並無特殊之限制，而可使用任何各種習知之拾取方法。其實例包括利用針自應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之側將個別屑片向上推，且利用拾取裝置拾取經如此上推之屑片的方法。拾取應於照射輻射之後再進行。照射輻射可於拾取步驟中之拾取之前進行，或可於拾取步驟之前進行。感壓黏著帶或片經照射之輻射的實例包括α－射線、β－射線、γ－射線、中子束、電子束、及紫外光。紫外光為特佳。用於照射輻射的各種條件諸如照射強度及照射期間並無特殊之限制，其可根據需求適當地設定。
裝置步驟應於晶圓背面研磨步驟之後及當新暴露之表面為作用面時進行。換言之，裝置步驟一般應接著晶圓背面研磨步驟或晶圓背面研磨步驟及後續之研磨塵層移除步驟等等進行(即於晶圓背面研磨步驟或研磨塵層移除步驟之後立即進行)或在此步驟之後不久(即在完成晶圓背面研磨步驟或研磨塵層移除步驟之後的數小時內)在新暴露之作用面尚未去活化且維持活性狀態時進行。切割步驟亦應於裝置步驟之後進行。舉例來說，切割步驟可接著裝置步驟或於裝置步驟之後不久進行，或可於自裝置步驟起經過長時間後進行。再者，拾取步驟應於切割步驟之後進行。舉例來說，拾取步驟可接著切割步驟或於切割步驟之後不久進行，或可於自切割步驟起經過長時間後進行。當然在裝置步驟與切割步驟之間或在切割步驟與拾取步驟之間可進行其他步驟(例如，清潔步驟及擴大步驟)。
(實施例)
本發明將參照實施例更詳細說明於下，但不應將本發明解釋為受限於以下的實施例。
(實施例1)
藉由一般的方法，使75份重量之丙烯酸甲酯、10份重量之丙烯酸甲氧乙酯、10份重量之N－乙烯基吡咯啶酮、及5份重量之丙烯酸2－羥乙酯於乙酸乙酯中共聚合，而獲得含丙烯酸系共聚物之溶液(丙烯酸系共聚物溶液A)。
於丙烯酸系共聚物溶液A中，加入30份重量之異氰酸2－甲基丙烯醯氧基乙酯及0.08份重量之作為催化劑之二月桂酸二丁基錫。使所得混合物在30℃下反應144小時，而獲得含有具位於側鏈端之碳－碳雙鍵之側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物(重量平均分子量500,000)的溶液(將此溶液稱為側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A)。此側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物具有其中丙烯酸系共聚物之90莫耳%之側鏈端羥基(衍生自丙烯酸2－羥乙酯之羥基)經歷與異氰酸2－甲基丙烯醯氧基乙酯之異氰酸酯基之加成反應的結構。
隨後，將50份重量之參(2－丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、3份重量之作為光聚合引發劑之「Irgacure 651」(商品名；Ciba Specialty Chemicals Co.製造)、及2份重量之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)添加至側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A中。如此獲得紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液(紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液A)。
關於基材，使用其之一面經過電暈放電處理之由線型低密度聚乙烯所製成的薄膜(厚度，70微米)。
將紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液A塗布至基材之經電暈放電處理側。將塗層在80℃下加熱10分鐘，以使丙烯酸系聚合物熱交聯。如此形成紫外光可固化之感壓黏著層(厚度，5微米)作為在基材上之輻射可固化之感壓黏著層。隨後將隔離物黏合至紫外光可固化之感壓黏著層之表面，以產生切割用之紫外光可固化之感壓黏著片。紫外光可固化之感壓黏著層包含具有經由使具500,000之重量平均分子量之側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物與聚異氰酸酯化合物交聯而形成之構造的丙烯酸系聚合物。
(實施例2)
以與實施例1相同之方式獲得側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A。於此側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A中加入50份重量之參(4－丙烯醯氧基－正丁基)異三聚氰酸酯、3份重量之作為光聚合引發劑之「Irgacure 651」(商品名；Ciba Specialty Chemicals Co.製造)、及2份重量之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)。如此獲得紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液(紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液B)。
使用與實施例1相同的薄膜作為基材。換言之，使用其之一面經過電暈放電處理之由線型低密度聚乙烯所製成的薄膜(厚度，70微米)。
以與實施例1相同之方式製造切割用之紫外光可固化之感壓黏著片，僅除了使用紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液B。
(比較實施例1)
以與實施例1相同之方式獲得側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A。於此側鏈雙鍵型丙烯酸系聚合物溶液A中加入50份重量之經由使異戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應所獲得的紫外光可固化之寡聚物、3份重量之作為光聚合引發劑之「Irgacure 651」(商品名；Ciba Specialty Chemicals Co.製造)、及2份重量之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)。如此獲得紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液(紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液C)。
使用與實施例1相同的薄膜作為基材。換言之，使用其之一面經過電暈放電處理之由線型低密度聚乙烯所製成的薄膜(厚度，70微米)。
以與實施例1相同之方式製造切割用之紫外光可固化之感壓黏著片，僅除了使用紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液C以外。
(比較實施例2)
藉由一般的方法，使95份重量之丙烯酸甲酯及5份重量之丙烯酸於乙酸乙酯中共聚合，而獲得含具800,000之重量平均分子量之丙烯酸系共聚物之溶液(丙烯酸系共聚物溶液D)。於此丙烯酸系共聚物溶液D中加入50份重量之經由使異戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應所獲得的紫外光可固化之寡聚物、3份重量之作為光聚合引發劑之「Irgacure 651」(商品名；Ciba Specialty Chemicals Co.製造)、及2份重量之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造)。如此獲得紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液(紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液D)。
使用與實施例1相同的薄膜作為基材。換言之，使用其之一面經過電暈放電處理之由線型低密度聚乙烯所製成的薄膜(厚度，70微米)。
以與實施例1相同之方式製造切割用之紫外光可固化之感壓黏著片，僅除了使用紫外光可固化之丙烯酸系感壓黏著劑溶液D以外。
<評估>
利用以下所示之對於拾取之適用性之評估方法及黏著力之測量方法評估或檢測於實施例1及2及比較實施例1及2中製得之切割用之感壓黏著片之對拾取之適用性及黏著力。基於該評估或測量之結果，進一步進行綜合評估。所得之評估結果示於表1。
<對於拾取之適用性的評估方法>
將於實施例及比較實施例中製得之各切割用之感壓黏著片裝置於已在以下之背面研磨條件下經歷背面研磨之6英寸半導體晶圓(厚度，100微米)的經研磨側上。此裝置係於研磨之後立即(於研磨完成後的5分鐘內)在溫度23℃之環境中進行。隨後將半導體晶圓在以下的切割條件下切割，以形成半導體晶片。
於自裝置起經過指定時間(6小時或7天)後，使切割用之感壓黏著片自其背側照射紫外光(照射期間：20秒；照射強度：500毫焦耳/平方公分)。其後在以下的拾取條件下拾取(自片材分離)100個任意的半導體晶片，並計算經成功拾取之半導體晶片的數目(拾取成功的數目)。將成功拾取所有半導體晶片的情況評定為「良好」，及將其他情況評定為「不良」。如此評估對於拾取的適用性。
<背面研磨條件>
研磨機：DISCO Corporation製造之「DFG－840」一軸：#600研磨輪(旋轉速度：4,800 rpm；向下速度P1：3.0微米/秒；向下速度P2：2.0微米/秒)兩軸：#2000研磨輪(旋轉速度：5,500 rpm；向下速度P1：0.8微米/秒；向下速度P2：0.6微米/秒)於兩軸模式中將半導體晶圓之背側研磨30微米，然後研磨以便產生100微米的最終半導體晶圓厚度。
<切割條件>
切割機：DISCO Corporation製造之「DFD－651」刀片：DISCO Corporation製造之「27HECC」刀片旋轉速度：40,000 rpm切割速度：120毫米/秒切割深度：25微米切割模式：向下切割切割尺寸：5.0毫米×5.0毫米
<拾取條件>
晶粒黏合器：NEC Corporation製造之「Machinery CPS－100」針數：4針間之距離：3.5毫米×3.5毫米針頭之曲率：0.520毫米針之上推量：0.50毫米吸力維持時間：0.2秒擴大量：3毫米
<黏著力之測量方法>
將於實施例及比較實施例中製得之各切割用之感壓黏著片切割成寬度25毫米之條狀物。將此條狀物在23℃(室溫)之大氣中黏貼至經鏡面拋光的鏡面矽晶圓(矽鏡面晶圓)(商品名「CZN<100>2.5－3.5(4英寸)」，Shin－Etsu Semiconductor Co.,Ltd.製造)。其後使所得之測試物件在室溫大氣中靜置30分鐘，然後自切割用之感壓黏著片之背側照射紫外光(照射期間：20秒；照射強度：500毫焦耳/平方公分)。
於紫外光照射後，經由將切割用之感壓黏著片在剝除方向X中以150毫米/分鐘之拉引速率拉引，以致在感壓黏著層之表面與鏡面矽晶圓之表面之間的角度(剝離角度)θ為15°(如圖2所示)將其剝除，而量測黏著力。將產生2.3牛頓/25毫米寬度或以下之黏著力之實測值的感壓黏著片評定為「良好」，同時將產生高於2.3牛頓/25毫米寬度之黏著力之實測值的感壓黏著片評定為「不良」。如此評估感壓黏著片之黏著力。
<綜合評估>
將關於對拾取之適用性及黏著力之所有評估項目皆為「良好」的情況評定為「良好」。另一方面，將其中至少有一個評估項目為「不良」的情況評定為「不良」。如此進行綜合評估。
如由表1明顯可見，當使用根據實施例1及2之切割用之感壓黏著片時，於自裝置起經過6小時後或甚至自裝置起經過7天後，所有的半導體晶片皆可被令人滿意地拾取。經確定此等感壓黏著片對於拾取具有優良的適用性。
再者，根據實施例1及2之切割用之感壓黏著片進一步具有優良的無污染性質，且自其拾取得之半導體晶片之表面未發生所謂的「黏著劑轉移」。
雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例，但熟悉技藝人士當明瞭可不脫離其範疇而於其中進行各種變化及修改。
本申請案係以2006年2月16日提出申請之日本專利申請案第2006－039048號為基礎，將其全體內容併入本文為參考資料。
1．．．應用於切割作用面之感壓黏著帶或片
2．．．基材
3．．．輻射可固化之感壓黏著層
4．．．隔離物
5．．．應用於切割作用面之感壓黏著帶或片
6．．．矽鏡面晶圓
51．．．基材
52．．．輻射可固化之感壓黏著層(X)
X．．．應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5的剝除方向(剝除方向)
θ．．．在應用於切割作用面之感壓黏著帶或片5之剝除期間在輻射可固化之感壓黏著層(X)52之表面與矽鏡面晶圓6之表面之間的角度(剝離角度)
圖1係說明本發明之應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之一具體例的概略剖面圖。
圖2係說明測量應用於切割作用面之感壓黏著帶或片之黏著力之方法的概略剖面圖。
1．．．應用於切割作用面之感壓黏著帶或片
2．．．基材
3．．．輻射可固化之感壓黏著層
4．．．隔離物

Claims (7)

  1. 一種切割用之感壓黏著片，其包括：一基材，及一輻射可固化之感壓黏著層，設置於基材之至少一側上，該感壓黏著層包含具500,000或以上之重量平均分子量的丙烯酸系聚合物(A)及至少一選自具一或多個含有碳-碳雙鍵之基團的三聚氰酸酯化合物及具一或多個含有碳-碳雙鍵之基團的異三聚氰酸酯化合物的輻射可聚合化合物(B)，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之該輻射可聚合化合物(B)的比率為5至150份重量，其中該丙烯酸系聚合物(A)於其分子中至少1/100之側鏈各具有一碳-碳雙鍵，及其中該感壓黏著片係被黏貼至呈未被天然氧化物膜完全覆蓋之狀態的作用面。
  2. 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片，其中該輻射可聚合化合物(B)於其分子中具有2至12個含有碳-碳雙鍵之基團。
  3. 如申請專利範圍第2項之感壓黏著片，其中該輻射可聚合化合物(B)於其分子中具有3至10個含有碳-碳雙鍵之基團。
  4. 如申請專利範圍第1項之或壓黏著片，其中該輻射可聚合化合物(B)中之一或多個含有碳-碳雙鍵之基團係各獨立地選自乙烯基、烯丙基、丙烯醯氧基、及甲基丙烯醯氧基之至少一基團。
  5. 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片，其中該丙烯酸系聚合物(A)具有800,000或以上之重量平均分子量。
  6. 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片，其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物(A)之該輻射可聚合化合物(B)的比率為20至120份重量。
  7. 一種拾取加工屑片之方法，其包括：將申請專利範圍第1項之感壓黏著片黏貼至加工件之作用面，隨後再切割加工件以製備屑片；及拾取屑片。
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