CN108624250B - 切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯片的制造方法 - Google Patents

切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯片的制造方法，即使在贴付于半导体元件用基板的活性面时，也易于剥取半导体芯片。该切割用粘着胶带(1)具有基材(2)和在基材(2)的至少一个表面侧设置的粘着剂层(3)，粘着剂层(3)至少具备具有羟基、羧基中的任一种作为官能团的丙烯酸酯系共聚物、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳‑碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物、以及与丙烯酸酯系共聚物所具有的官能团反应的交联剂。

Description

切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法以及半导体芯 片的制造方法
技术领域
本发明涉及元件用基板的切割中所使用的切割用粘着胶带、切割用粘着胶带的制造方法、以及半导体芯片的制造方法。
背景技术
半导体封装等半导体关联材料、半导体晶片等半导体元件用基板例如使用旋转刃使其切断，与小片的半导体元件、IC部件分离。
例如，以硅、锗、镓-砷等作为材料的半导体晶片在大直径状态下被制造后，要对其背面研磨至事先预定的厚度(背面研磨处理)，进而根据需要实施背面处理(蚀刻处理、抛光处理等)。
然后，进行对半导体晶片的研磨面贴付切割用粘着胶带的安装工序、在半导体晶片上贴付粘着胶带的状态下将半导体晶片切割为单个的半导体芯片的切割工序、清洗半导体晶片的清洗工序、为了容易地进行后续进行的半导体芯片的拾取而拉伸粘着胶带的扩张工序、将半导体芯片从粘着胶带剥离的拾取工序等。
而且，在上述拾取工序中，采用如下的方式，即，在将切割用粘着胶带拉伸为一定程度的状态，使用1个或多个顶出用销(针)，从基材所处位置将半导体芯片相对于切割用粘着胶带向上拉，在促进半导体芯片和切割用粘着胶带的剥离的状态，使用弹簧筒(コレット)通过真空吸附等来取出半导体芯片。
以往，作为在制备半导体芯片中所使用的切割用粘着胶带，已知有具有放射线固化性粘着剂层的粘着胶带。例如，已知有这样的粘着胶带，其含有具有直链烷基的碳原子数为14～18的(甲基)丙烯酸系聚合物的放射线固化性粘着剂层(参照专利文献1)。
此外，作为切割用粘着胶带，已知有含有具有羟值为15～60mg KOH/g的丙烯酸聚合物的放射线固化性粘着剂层的粘着胶带(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-232629号公报
专利文献2：日本特开2012-216842号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，近年来，在半导体制造工序中，出于提高半导体芯片的生产效率、防止起因于半导体晶片的薄膜化(例如，100μm以下)的破损的目的，在研磨半导体晶片的背面之后，或在背面研磨和背面处理之后，有时需要在短时间内对于半导体晶片的研磨面贴付切割用粘着胶带。
即，为了提高通过切断半导体晶片所制作的半导体芯片的生产率，在半导体芯片的制作过程中，在背面研磨处理之后，立刻在线(インライン)进行半导体晶片切割的情形日益增加。这种情况下，在研磨半导体晶片的背面并使半导体晶片薄膜化后，在短时间之内，要对该半导体晶片的研磨面贴付切割用粘着胶带。
此外，伴随着上述的半导体晶片的薄膜化，半导体晶片由于自重而易于产生翘曲，多发生在操作时、搬送用箱内保管时易于破损的问题。从改善该不良状况、提高作业性的角度出发，不断增加有采用在研磨半导体晶片的背面后、立刻在线进行切割的方法这样的情况。贴付于半导体晶片的研磨面的切割用粘着胶带，由于具有半导体晶片的支撑体的功能，贴付了切割用粘着胶带的半导体晶片不保管于搬送用箱而直接在线被切割。由此，能够抑制上述的薄膜化了的半导体晶片的破损。
这样，在研磨半导体晶片之后立刻在研磨面贴付粘着胶带的情形变多，但对于以往的切割用粘着胶带有以下的问题。即，半导体晶片等的半导体元件用基板在刚刚研磨后的表面变为存在有活性的原子的活性面，如果对该活性面贴付以往的切割用粘着胶带，则粘着胶带相对于半导体元件用基板的粘着力变得过大，其结果是，即使对粘着胶带照射放射线来使粘着剂层固化，也存在难以将半导体芯片从粘着胶带剥取这样的问题。
本发明的目的在于，提供即使贴付于半导体元件用基板的活性面的情况，也容易将得到的半导体芯片剥取的切割用粘着胶带。
解决课题的方法
为了解决上述课题，本发明人认真研究的结果发现，只要使用具有并用了放射线固化性低聚物和丙烯酸酯系共聚物作为主成分的粘着剂层的粘着胶带，其中，放射线固化性低聚物具有特定范围的重均分子量和羟值，且具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键，就能抑制粘着剂层与刚研磨后的半导体元件用基板表面的活性面之间的过度的相互作用，通过对粘着胶带照射放射线而导致的粘着剂层的有效的固化和收缩一起，使得由切割所形成的单个半导体芯片易于从粘着剂层剥取，从而完成本发明。
即，本发明的切割用粘着胶带的特征在于，具有基材和在上述基材的至少一个表面侧设置的粘着剂层，上述粘着剂层至少具备具有作为官能团的羟基、羧基中的任一种的丙烯酸酯系共聚物、与该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团反应的交联剂、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物。
在这里，上述粘着剂层在照射放射线并固化后的储能模量优选为1.0×106Pa以上7.0×108Pa以下。
此外，上述粘着剂层在上述丙烯酸酯系共聚物为100质量份时，优选含有80质量份以上180质量份以下的上述放射线固化性低聚物。
此外，本发明的切割用粘着胶带的制造方法的特征在于，包括：准备基材的基材准备工序；制作用于形成粘着剂层的涂布溶液的涂布溶液制作工序，所述涂布溶液含有：具有作为官能团的羟基、羧基中的任一种的丙烯酸酯系共聚物、与该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团反应的交联剂、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物；使用上述涂布溶液，在上述基材的至少一个表面侧形成上述粘着剂层的粘着剂层形成工序；包括使上述丙烯酸酯系共聚物与上述交联剂交联的处理并使所形成的上述粘着剂层热固化的热固化工序。
此外，本发明的半导体芯片的制造方法的特征在于，包括：对在基板上形成有多个半导体元件的元件用基板贴付切割用粘着胶带的贴付工序；将贴付有上述切割用粘着胶带的上述元件用基板切断成多个半导体芯片的切断工序；对贴付在上述半导体芯片上的上述切割用粘着胶带照射放射线以使该切割用粘着胶带的粘着力降低的照射工序；从粘着力降低了的上述切割用粘着胶带剥取上述半导体芯片的剥离工序；上述切割用粘着胶带具有基材和在上述基材的至少一个表面侧设置的粘着剂层，上述粘着剂层至少具备具有作为官能团的羟基、羧基中的任一种的丙烯酸酯系共聚物、与该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团反应的交联剂、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物。
发明效果
根据本发明，可以提供即使贴付于半导体元件用基板的活性面的情况，也易于剥取半导体芯片的切割用粘着胶带等。
附图说明
图1是显示适用本实施方式的粘着胶带的构成的一例的图。
图2是对于粘着胶带的制造方法进行说明的流程图。
图3是对于半导体芯片的制造方法进行说明的流程图。
图4的(a)～(d)是显示使用粘着胶带的半导体芯片的制造例的图。
图5是对实施例和比较例进行显示的图。
符号说明
1…粘着胶带、2…基材、3…粘着剂层
具体实施方式
以下，对实施本发明的方式进行详细说明。需说明的是，本发明不限定于以下的实施方式。另外，在其要旨的范围内可以进行各种变形来实施。进而，所使用的附图仅用于对本实施方式进行说明，不表示实际的大小。
＜粘着胶带的构成＞
图1是显示本实施方式所适用的粘着胶带1的构成的一例的图。本实施方式的粘着胶带1被用于作为元件用基板一例的半导体晶片的切割的用途中。
如图1所示，本实施方式的粘着胶带1具有使基材2和粘着剂层3层叠的结构。
需说明的是，虽省略图示，但在基材2与粘着剂层3之间，根据需要，粘着胶带1还可以具有内涂层。此外，在粘着剂层3的与基材2相反的表面侧(一个表面侧)还可以具有剥离衬里。
＜基材＞
基材2成为粘着剂层3的支撑体。此外，基材2要求具有放射线透过性。
作为在这样的基材2中所使用的材料，可以使用塑料制、金属制、纸制等材质，本实施方式中，从容易透过放射性的观点出发，可以合适地使用塑料制的材质。作为塑料制的基材2的材料，例如，可以使用聚烯烃系树脂(低密度聚乙烯、直链型聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键聚合物系树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物(无规共聚物、交替共聚物等)、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯系树脂、聚酯系树脂(聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯，聚萘二甲酸丁二醇酯等)、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、聚醚酮系树脂、聚醚系树脂、聚醚砜系树脂、聚苯乙烯系树脂(聚苯乙烯等)、聚氯乙烯系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚乙酸乙烯酯系树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚碳酸酯系树脂、氟系树脂、有机硅系树脂、纤维素系树脂、这些树脂的交联体等。这些可以单独使用，也可以2种以上组合使用。此外，这些材料还可以具有官能团。此外，这些材料中还可以接枝有功能性单体、改性单体。进而，为了提高基材2的表面与该基材2邻接的层之间的密合性，还可以对基材2的表面实施表面处理。作为这样的表面处理，可以列举例如，电晕放电处理、臭氧暴露处理、高压电击暴露处理、离子化放射线处理等。此外，还可以对基材2实施由底漆涂剂进行的涂覆处理、底漆处理、消光处理、交联处理等。
作为基材2，可以使用单层结构和层叠结构的任一种。此外，基材2中，根据需要，可以含有填充剂、阻燃剂、防老化剂、防静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等添加剂。基材的厚度没有特别限制，优选为10～300μm，更优选为30～200μm。
＜粘着剂层＞
粘着剂层3具有粘着性，是在粘着胶带1和被粘物之间发挥粘着力的功能层。此外，本实施方式的粘着剂层3具有受到放射线照射就固化、收缩且粘着力降低的性质。
由此，在将粘着胶带1用于半导体晶片的切割时，相对于半导体晶片粘着胶带1具有良好的粘着性。此外，如果通过切割将半导体晶片等间隔地切断，就形成单个的半导体芯片，通过对粘着胶带1照射放射线，易于将该半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。作为放射线，例如可以列举X射线、电子束、紫外线等。其中，本实施方式中可以更适宜地使用紫外线。
本实施方式的粘着剂层3含有作为粘着剂的丙烯酸酯系共聚物和放射线固化性低聚物。此外，粘着剂层3含有与丙烯酸酯系共聚物所具有的官能团反应的交联剂和光聚合引发剂。此外，粘着剂层3根据需要，还可以含有着色剂等。
粘着剂层3优选使用照射放射线并固化后的储能模量为1.0×106Pa以上7.0×108Pa以下的材料。
储能模量如果小于1.0×106Pa，即使对粘着胶带1照射放射线，粘着力也难以降低。其结果是，难以将通过切割所形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。
此外，储能模量如果大于7.0×108Pa，则粘着剂层3变硬，弯曲模量变得过高，因而在隔着粘着胶带1将半导体芯片顶出来而从粘着胶带1剥取半导体芯片时，在半导体芯片薄的情况下，有破裂的危险。
此外，粘着剂层3的厚度优选为3μm～50μm的范围，更优选为5μm～20μm的范围。
粘着剂层3的厚度如果小于3μm，则有粘着胶带1的粘着力过度降低的危险。此时，在切割半导体晶片时，粘着胶带1不能充分地保持半导体芯片，有半导体芯片飞散的危险。
另一方面，如果粘着剂层3的厚度比50μm厚，则切割时振动易于传导至粘着剂层3，振幅变大，在半导体晶片的切割中有该半导体晶片从基准位置偏移的危险。此时，有半导体芯片产生欠缺(碎片)、每个单个半导体芯片产生尺寸大小的偏移的危险。
(丙烯酸酯系共聚物)
对于丙烯酸酯系共聚物没有特别的限定，例如，是以(甲基)丙烯酸系聚合物为主剂的粘着剂。(甲基)丙烯酸系聚合物例如通过使含有直链和/或支链烷基的(甲基)丙烯酸系单体与具有官能团的(甲基)丙烯酸系单体和根据需要的其他单体进行共聚来获得。
作为丙烯酸酯系共聚物，可以适宜地使用具有羟基、羧基中的任一种作为官能团的丙烯酸酯系共聚物。
作为含有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸系单体，例如，可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯等。这些可以单独使用或并用2种以上。其中，本实施方式中，可以适宜地使用含有碳原子数为4以上且12以下的烷基的(甲基)丙烯酸系单体，可以进一步适宜地使用含有碳原子数为8的烷基的(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
作为含有羟基的(甲基)丙烯酸系单体，例如，可以举出(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯等。这些可以单独使用，也可以2种以上组合使用。
作为含有羧基的(甲基)丙烯酸系单体，例如，可以举出(甲基)丙烯酸、衣康酸、肉桂酸、富马酸、邻苯二甲酸等。这些可以单独使用，也可以2种以上组合使用。
本实施方式中，丙烯酸酯系共聚物在不妨碍本发明效果的限度内，根据需要还可以含有其他共聚单体成分。作为这样的其他共聚单体成分，具体而言，可以举出例如马来酸酐、衣康酸酐等含有酸酐基团的单体、(甲基)丙烯酸酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸酰胺等酰胺系单体、(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯等含有氨基的单体、(甲基)丙烯腈等含有氰基的单体、乙烯、丙烯、异戊二烯、丁二烯等烯烃系单体、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等苯乙烯系单体、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系单体、甲基乙烯醚、乙基乙烯醚等乙烯醚系单体、氯乙烯、偏氯乙烯等含有卤原子的单体、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含有烷氧基的单体、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯吡咯烷酮等具有含氮原子环的单体等。
此外，本实施方式中，丙烯酸酯系共聚物还可以使用在侧链中导入了放射线聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯系共聚物。例如，可以举出合成含有羟基的丙烯酸酯系共聚物，然后，使合成的丙烯酸酯系共聚物的羟基与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯反应，在侧链导入作为放射线聚合性碳-碳双键而起作用的甲基丙烯酰基的丙烯酸酯系共聚物等。
(放射线固化性低聚物)
放射线固化性低聚物具有照射放射线则进行固化的性质。作为放射线固化性低聚物，没有特别限定，可以使用环氧丙烯酸酯系低聚物、聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、聚酯丙烯酸酯系低聚物等。环氧丙烯酸酯通过环氧化合物与羧酸的加成反应来合成。聚氨酯丙烯酸酯例如通过使在多元醇和多异氰酸酯的加成反应物中的在末端残留的异氰酸酯基与含有羟基的丙烯酸酯反应，从而在分子末端导入丙烯酸基来合成。聚酯丙烯酸酯通过聚酯多元醇与丙烯酸的反应来合成。
本实施方式中，可以适宜地使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。通过该放射线固化性低聚物的固化，使粘着剂层3的粘着力降低。
粘着剂层3在丙烯酸酯系共聚物为100质量份时，优选含有80质量份以上180质量份以下的放射线固化性低聚物。
如果放射线固化性低聚物的含量小于80质量份，即使对粘着胶带1照射放射线，粘着剂层3也不能充分固化、收缩，变得难以降低粘着力。其结果是，难以将半导体晶片的通过切割形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取，同时，在该剥取时，半导体芯片有部分缺损的危险。
此外，如果放射线固化性低聚物的含量超过180质量份，在对粘着胶带1照射放射线时，受到固化的低聚物量增大的影响，粘着剂层3变硬，弯曲模量变得过高，在隔着粘着胶带1将半导体芯片顶出来而将半导体芯片从粘着胶带1上剥取时，在半导体芯片薄的情况下，有破裂的危险。
本实施方式中，作为放射线固化性低聚物，优选使用羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物。这里，羟值是用于将对象物1g中所含的OH基乙酰化所需要的氢氧化钾的量(mg)。
这里，如果放射线固化性低聚物的羟值比3mg KOH/g大，尤其是在刚研磨后的半导体晶片上贴付粘着胶带1时，粘着剂层3对于半导体晶片的粘着力变得过大。其结果是，即使对粘着胶带1照射放射线，也有通过切割形成的单个半导体芯片难以从粘着胶带1上剥取的危险、半导体芯片破损的危险。
即，在半导体芯片的制作过程中，如果通过研磨使半导体晶片薄膜化，在该半导体晶片的表面会随着时间形成天然氧化膜。这里，为了提高半导体芯片的生产率，在对半导体晶片进行研磨来进行薄膜化后立刻进行在研磨面上贴付粘着胶带1的工序时，研磨后的半导体晶片的表面处于未氧化状态，同时，成为存在活性的原子(例如硅原子等)的活性面。如果该活性面的活性原子与放射线固化性低聚物的羟基结合，粘着剂层3的粘着力就变得过大。
其结果是，即使在照射放射线后，难以将通过切割形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来的同时，这时，有半导体芯片部分缺损的危险。
与此相对，在使用羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物时，与半导体晶片的活性面的活性原子结合的羟基(放射线固化性低聚物的羟基)少，能够抑制放射线照射后的粘着剂层3的粘着力变得过大。其结果是，易于将半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。放射线固化性低聚物的羟值优选为0mg KOH/g。
此外，作为放射线固化性低聚物，优选使用分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键的放射线固化性低聚物。
放射线固化性低聚物在分子中不具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键时，即使对粘着胶带1照射放射线，粘着剂层3也不能充分固化、收缩，粘着力变得难以降低。其结果是，难以将通过切割形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。
需说明的是，在使用分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键的放射线固化性低聚物时，除了该物质之外，在不妨碍本发明的效果的范围内，还可以并用分子中具有2个放射线聚合性碳-碳双键的放射线固化性低聚物。这种情况下，仍优选使用放射线固化性低聚物的羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物。
此外，作为放射线固化性低聚物，优选使用重均分子量Mw为500以上6000以下的放射线固化性低聚物。
在使用重均分子量Mw小于500的放射线固化性低聚物时，在对粘着胶带1照射放射线时，粘着剂层3受到低聚物彼此的交联密度变高的影响而变硬，弯曲模量增高，因此，在隔着粘着胶带1将半导体芯片顶出来而从粘着胶带1上剥取半导体芯片时，在半导体芯片薄的情况下，有破裂的危险。
此外，在使用重均分子量Mw比6000大的放射线固化性低聚物时，在对粘着胶带1照射放射线时，粘着剂层3进行固化、收缩的程度变小，粘着剂层3的粘着力变得难以降低。其结果是，难以将通过半导体晶片的切割所形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。
(交联剂)
作为交联剂，可以适宜地使用与丙烯酸酯系共聚物所具有的官能团反应的交联剂。在丙烯酸酯系共聚物的官能团为羟基时，可以适宜地使用异氰酸酯系交联剂，在丙烯酸酯系共聚物的官能团为羧基时，可以适宜地使用环氧系交联剂。
此外，交联剂的添加量优选为，交联剂中与丙烯酸酯系共聚物所具有的官能团反应的官能团的总量，相对于丙烯酸酯系共聚物的官能团为1mol当量以上的量。
(光聚合引发剂)
光聚合引发剂具有在对粘着胶带1照射放射线时生成自由基，使放射线碳-碳双键开裂并开始聚合反应的作用。
作为光聚合引发剂，可以举出例如，苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉丙烷-1、苯偶酰二甲基缩酮(benzildimethylketal)、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、苯偶酰、苯偶姻、2-甲基-2-羟基苯丙酮、2-萘磺酰氯、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等。这些可以单独使用，也可以2种以上组合使用。
＜内涂层＞
如上所述，在本实施方式的粘着胶带1中，对应于粘着胶带1的制造条件、制造后的粘着胶带1的使用条件等，可以在基材2与粘着剂层3之间设置与基材的种类匹配的内涂层。通过设置内涂层，提高基材2和粘着剂层3的密合力。
＜剥离衬里＞
此外，在粘着剂层3的与基材2相反的表面侧(一个表面侧)，根据需要还可以设置剥离衬里。能够作为剥离衬里来使用的材料没有特别限制，例如，可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂、纸类等。此外，在剥离衬里的表面上，为了提高粘着剂层3的剥离性，还可以通过有机硅系剥离处理剂、长链烷基系剥离处理剂、氟系剥离处理剂等实施剥离处理。剥离衬里的厚度没有特别限定，可以适宜地使用10μm以上200μm以下的厚度。
＜粘着胶带的制造方法＞
图2是对粘着胶带1的制造方法进行说明的流程图。
首先，准备基材2(步骤101：基材准备工序)。
接着，制作用于形成粘着剂层3的粘着剂层3用的涂布溶液(粘着剂层形成用涂布溶液)(步骤102：涂布溶液制作工序)。涂布溶液含有作为粘着剂层3的成分的丙烯酸酯系共聚物、放射线固化性低聚物和交联剂。然后，将这些投入到溶剂中，通过进行搅拌来制作涂布溶液。作为溶剂，可以使用例如甲苯、乙酸乙酯等通用的有机溶剂。
继而，使用在步骤102中制作的粘着剂层3用的涂布溶液，在基材2上形成粘着剂层3(步骤103：粘着剂层形成工序)。
作为在基材2上形成粘着剂层3的方法，可以使用在基材2上直接涂布粘着剂层3用的涂布溶液并干燥的方法，或者在剥离衬里上涂布粘着剂层3用的涂布溶液并干燥，然后，在粘着剂层3上贴合基材2的方法中的任一种方法。
接下来，将形成的粘着剂层3在例如40℃～60℃的环境下进行熟化，通过丙烯酸酯系共聚物与交联剂发生交联而进行热固化(步骤104：热固化工序)。
根据以上详述的本实施方式，粘着剂层3中所含的丙烯酸酯系共聚物的官能团(羟基、羧基中的任一种官能团)与交联剂的官能团发生反应。此外，粘着剂层3中所含的放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键，并且羟值为3mg KOH/g以下。
本实施方式的粘着胶带1可以用于切割半导体晶片来形成单个的半导体芯片的情形。尤其是，适合于用于切割表面具有活性面的半导体晶片来形成单个的半导体芯片的情形。
即，根据本实施方式的粘着胶带1，在将粘着胶带1贴付于具有活性面的半导体晶片时，通过对粘着胶带1照射放射线使粘着剂层3固化，从而充分地降低粘着剂层3的粘着力。这种情况下，变得易于将通过切割形成的单个半导体芯片从粘着胶带1上剥取下来。
因此，即使是对通过研磨半导体晶片而成为活性面的半导体晶片的表面贴付本实施方式的粘着胶带1时，也能良好地进行切割、通过切割形成的单个的半导体芯片的拾取。
需说明的是，本实施方式的粘着胶带1可以是卷绕成辊状的形态、宽度大的片材层叠的形态。此外，也可以将这样形态的粘着胶带1预先切断成预定的大小而形成的片状或带状的形态。
＜半导体芯片的制造方法＞
图3是对使用了本实施方式的粘着胶带1的半导体芯片的制造方法进行说明的流程图。此外，图4(a)～(d)是显示使用了本实施方式的粘着胶带1的半导体芯片的制造例的图。
首先，如图4(a)所示，准备例如在以硅为主成分的基板101上搭载多个集成电路102的半导体晶片100(步骤201：准备工序)。
接下来，研磨半导体晶片100的与搭载有集成电路102的面相反侧的面，使半导体晶片100达到事先预定的厚度(步骤202：研磨工序)。此时，虽未图示，但在半导体晶片100的搭载有集成电路102的面上贴付保护胶带。在切断(切割)工序之前将保护胶带剥离。
接着，对半导体晶片100贴付粘着胶带1，以使得半导体晶片100的研磨面与粘着胶带1的粘着剂层3相对(步骤203：贴付工序)。通过在步骤202中在刚刚研磨半导体晶片100之后就贴付粘着胶带1，使得在半导体晶片100的表面存在活性的原子的状态下将粘着胶带1贴付于半导体晶片100。
这里，在贴付工序中，一般使用挤压粘着胶带1的挤压辊等来将粘着胶带1贴付于半导体晶片100。此外，也可以在能够加压的容器(例如，高压釜等)中将半导体晶片100与粘着胶带1重合，通过对容器内加压来将粘着胶带1贴付于半导体晶片100。进而，也可以在减压室(真空室)内将粘着胶带1贴付于半导体晶片100。
然后，如图4(b)所示，在粘着胶带1与半导体晶片100贴合的状态下，沿着预定切断线X，由切割机等将半导体晶片100切断(步骤204：切断工序)。如图4(c)所示，本例中，进行将半导体晶片100全部切断的所谓“全幅切割”。
这里，在切断工序中，一般地，为了除去摩擦热、防止切断屑的附着，向贴付有粘着胶带的半导体晶片供给清洗水，同时使用例如旋转的切割盘将半导体晶片100切断为事先预定的大小。需说明的是，为了容易地进行通过切割形成的单个的半导体芯片的拾取，在切断工序后还可以对粘着胶带1进行拉伸(扩张)。
然后，通过对粘着胶带1照射放射线，使粘着剂层3固化、收缩，使粘着剂层3的粘着力下降(步骤205：照射工序)。
然后，如图4(d)所示，进行将通过切断半导体晶片100而形成的半导体芯片200从粘着胶带1上剥取的所谓“拾取”(步骤206：剥离工序)。
作为该拾取的方法，可以举出例如将半导体芯片200由顶针300从粘着胶带1侧顶出，使用拾取装置(未图示)将被顶出的半导体芯片200从粘着胶带1上剥取的方法等。
需说明的是，图4(a)～(d)中所说明的方法，只是使用粘着胶带1的半导体芯片200的制造方法的一例，粘着胶带1的使用方法不限于上述方法。即，在切割时只要将本实施方式的粘着胶带1贴付于半导体晶片100，就可以不限于上述的方法来使用。
实施例
以下，使用实施例对本发明进行更详细地说明。本发明在不脱离其要旨的限度内，不受这些实施例的限定。
制作图1所示的粘着胶带1并进行评价。
[粘着胶带1的制作]
(实施例1)
本实施例中，作为基材2，使用厚度为90μm的聚烯烃(PO)系膜。
接着，在基材2的一个表面侧如下所述形成粘着剂层3。
首先，在乙酸乙酯溶剂中以偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂使50质量份的丙烯酸2-乙基己酯、3质量份的丙烯酸2-羟乙酯、37质量份的甲基丙烯酸甲酯和10质量份的N-乙烯-2-吡咯烷酮进行自由基共聚，从而制作具有羟基的丙烯酸酯系共聚物(固形成分浓度：35质量％)。这里，甲基丙烯酸甲酯用于调整粘着剂层3的硬度。
然后，在乙酸乙酯中，溶解所制作的丙烯酸酯系共聚物、放射线固化性聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、作为异氰酸酯系交联剂的东曹公司制的Coronate(注册商标)L和作为光聚合引发剂的BASF日本公司制的Irgacure(注册商标)369，制作粘着剂层3用的涂布溶液。
这里，涂布溶液的混合组分为，相对于丙烯酸酯系共聚物100质量份(固形成分)，放射线固化性聚氨酯丙烯酸酯系低聚物为120质量份(固形成分)，Coronate L为7.5质量份(固形成分)、Irgacure 369为1.0质量份(固形成分)，乙酸乙酯为343质量份。
放射线固化性聚氨酯丙烯酸酯系低聚物使用重均分子量Mw为1000，羟值为1mgKOH/g，放射线聚合性碳-碳双键的个数为6的低聚物。
进而，在剥离衬里(厚度38μm、聚酯膜)的剥离处理面侧涂布上述涂布溶液，通过在100℃的温度下加热3分钟使其干燥，以使得粘着剂层3的厚度为10μm，干燥后，在粘着剂层3上贴合基材2，制作粘着胶带1。然后，将粘着胶带1在40℃的温度保存72小时，使粘着剂层3固化。
通过以上工序，制作了本实施例的粘着胶带1。
(实施例2～12)
除了相对于实施例1、如图5所示地对于放射线固化性聚氨酯低聚物进行变更以外，与实施例1同样地制作粘着胶带1。
(实施例13)
相对于实施例1，对于丙烯酸酯系共聚物，将3质量份的丙烯酸2-羟乙酯变更为1质量份的甲基丙烯酸，作为具有羧基的丙烯酸酯系共聚物，对于交联剂，将作为异氰酸酯系交联剂的Coronate L 7.5质量份变更为作为环氧系交联剂的共荣社化学公司制的Epolight40E 2.5质量份，除此之外，与实施例1同样地制作粘着胶带1。
比较例
(比较例1～4)
相对于实施例1，如图5所示，对放射线固化性聚氨酯低聚物进行变更，除此之外，与实施例1同样地制作粘着胶带。其中，比较例1中，放射线固化性低聚物的分子中的放射线聚合性碳-碳键的个数为下限值之下为2个。此外，比较例2中，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为下限值之下为200。此外，比较例3中，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为上限值之上为6500。此外，比较例4中，放射线固化性低聚物的羟值为上限值之上为5mg KOH/g。
[评价方法]
(1)粘着力试验
对于实施例1～13和比较例1～4的粘着胶带，进行粘着力试验。
具体而言，对于刚刚镜面研磨后的半导体晶片贴付粘着胶带，在温度23℃和湿度50％的氛围中保持7日。需说明的是，为了在半导体晶片的研磨面形成天然氧化膜之前贴付粘着胶带，要在半导体晶片研磨后5分钟之内贴付粘着胶带。
然后，对于粘着胶带照射紫外线(积分光量：300mJ/cm2)。然后，在23±3℃的环境下，在沿着粘着胶带表面的方向施加力，以拉伸速度300m/分钟来拉伸粘着胶带，将粘着胶带从半导体晶片上剥离，进行对半导体晶片的粘着力的评价。即，对于粘着力，从半导体晶片剥离粘着胶带所需要的力为0.15N/10mm以下时，评价为“○”，比0.15N/10mm大时，评价为“×”。需说明的是，“○”评价为合格。
(2)拾取试验
对于实施例1～13和比较例1～4的粘着胶，进行拾取试验。
具体而言，使用株式会社Disco制的DAG810(制品名)将半导体晶片研磨至50μm的厚度，然后对存在有活性的原子的半导体晶片的表面贴付粘着胶带。然后，使用株式会社DISCO制的DFD651(制品名，输送速度：50mm/min)进行切割，形成单个的大小为100mm2的半导体芯片，然后，从粘着胶带的基材侧照射紫外线(积分光量：300mJ/cm2)。接着，在进行粘着胶带的拉伸(扩张)后，使用大途电子(DAITRON)株式会社制的WCS-700(制品名，销的个数：5根)进行半导体晶片的拾取，评价拾取性。
即，对于任意的50个半导体元件进行拾取，对全部半导体元件没有破裂地成功拾取时，评价为“◎”。此外，对于1个以上5个以下的半导体元件产生破裂而对于剩余的半导体元件没有破裂地成功拾取时评价为“○”。此外，对于6个以上的半导体元件产生破裂时评价为“×”。需说明的是，“○”或“◎”的评价为合格。
(3)储能模量测定
对于实施例1～13和比较例1～4的粘着胶带，测定各粘着剂层在放射线照射、固化后的储能模量。
具体而言，以所调制的各粘着剂层在干燥后的厚度为500μm的方式进行涂布、干燥，来制作试样，对粘着剂层照射紫外线(积分光量：300mJ/cm2)，然后，使用株式会社日立高技术科学公司制的粘弹性测定装置DMA6100(制品名)测定动态粘弹性，求出储能模量。测定条件为频率1Hz、升温速度为2℃/分钟，将23℃的数值作为储能模量。
[评价结果]
评价结果示于图5。
对于实施例1～13的粘着胶带，粘着力试验中的粘着力均为“○”的良好结果，均为合格。
此外，对于实施例1～13的粘着胶带，拾取试验中的拾取性均为“◎”或“○”的良好结果，均为合格。
进而，如果详细比较实施例，实施例5中，放射线固化性低聚物的羟值为3mg KOH/g，是上限值，因此，拾取性稍微差些(半导体元件的破裂数：1个)。
此外，实施例8中，放射线固化性低聚物的含量为50质量份、较少，因此，储能模量为7.0×105Pa、稍低，拾取性稍差(半导体元件的破裂数：2个)。
此外，实施例9中，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为800、略小，含量为170质量份、略多，因此，储能模量稍高为1.0×109Pa，拾取性稍稍变差(半导体元件的破裂数：1个)。
此外，实施例11中，放射线固化性低聚物的含量为180质量份、略多，储能模量为7.5×108Pa、稍高，拾取性稍稍变差(半导体元件的破裂数：1个)。
此外，实施例12中，放射线固化性低聚物的含量为190质量份、较多，储能模量为1.0×109Pa、稍高，拾取性稍差(半导体元件的破裂数：2个)。
而相对于此，对于比较例1、比较例3、4的粘着胶带，在粘着力试验中，粘着剂层的粘着力过大，评价为“×”、不合格。
此外，对于比较例1～4的粘着胶带，对于拾取试验中的拾取性，均评价为“×”、不合格。
即，比较例1中，放射线固化性低聚物的分子中的放射线聚合性碳-碳键的个数为下限值之下为2个，在放射线照射后粘着剂层不能充分地固化、收缩，粘着力不能充分降低，因此难以将单片化的半导体芯片从粘着胶带上剥取下来，拾取性降低。
此外，比较例2中，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为下限值之下为200，放射线照射后粘着力虽下降，但受到低聚物彼此的交联密度增高的影响而变硬，弯曲模量增高，因而在将单片化的半导体芯片从粘着胶带上剥取时会产生破裂，拾取性下降。
此外，比较例3中，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为上限值之上为6500，放射线照射后粘着剂层不能充分地固化、收缩，粘着力不能充分降低，因而难以将单片化的半导体芯片从粘着胶带上剥取下来，拾取性下降。
此外，比较例4中，放射线固化性低聚物的羟值为上限值之上为5mg KOH/g，在对刚刚镜面研磨后的半导体晶片贴付粘着胶带时，粘着力过大，即使照射放射线，粘着力也不会充分降低，因而难以将单片化的半导体芯片从粘着胶带上剥取下来，拾取性下降。
由实施例1～13和比较例1～4的结果可以确认出：丙烯酸酯系共聚物需要具有作为官能团的羟基、羧基中的任一种，并且，放射线固化性低聚物的重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键，而且羟值为3mg KOH/g以下。

Claims (4)

1.一种切割用粘着胶带，具有基材和在所述基材的至少一个表面侧设置的粘着剂层，
所述粘着剂层至少具备具有作为官能团的羟基的丙烯酸酯系共聚物、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物、以及具有与作为该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团的羟基反应的官能团的交联剂，
所述交联剂中的所述官能团的总量，相对于所述丙烯酸酯系共聚物的作为所述官能团的羟基为1mol当量以上，
所述粘着剂层在照射放射线并固化后的储能模量为1.0×106Pa以上7.0×108Pa以下。
2.如权利要求1所述的切割用粘着胶带，特征在于，
所述粘着剂层，在所述丙烯酸酯系共聚物为100质量份时，含有80质量份以上180质量份以下的所述放射线固化性低聚物。
3.一种切割用粘着胶带的制造方法，包括：
准备基材的基材准备工序，
制作用于形成粘着剂层的涂布溶液的涂布溶液制作工序，所述涂布溶液至少含有具有作为官能团的羟基的丙烯酸酯系共聚物、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物、以及具有与作为该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团的羟基反应的官能团的交联剂，
使用所述涂布溶液在所述基材的至少一个表面侧形成所述粘着剂层的粘着剂层形成工序，
包含使所述丙烯酸酯系共聚物与所述交联剂进行交联的处理并使所形成的所述粘着剂层热固化的热固化工序，
所述交联剂中的所述官能团的总量，相对于所述丙烯酸酯系共聚物的作为所述官能团的羟基为1mol当量以上，
所述粘着剂层在照射放射线并固化后的储能模量为1.0×106Pa以上7.0×108Pa以下。
4.一种半导体芯片的制造方法，包括：
对在基板上形成有多个半导体元件的元件用基板贴付切割用粘着胶带的贴付工序，
将贴付有所述切割用粘着胶带的所述元件用基板切断成多个半导体芯片的切断工序，
对贴付在所述半导体芯片上的所述切割用粘着胶带照射放射线，使该切割用粘着胶带的粘着力降低的照射工序，
从粘着力降低的所述切割用粘着胶带上剥取所述半导体芯片的剥离工序；
所述切割用粘着胶带具有基材和在所述基材的至少一个表面侧设置的粘着剂层；
所述粘着剂层至少具备具有作为官能团的羟基的丙烯酸酯系共聚物、重均分子量Mw为500以上6000以下且分子中具有3个以上放射线聚合性碳-碳双键并且羟值为3mg KOH/g以下的放射线固化性低聚物、以及具有与作为该丙烯酸酯系共聚物所具有的该官能团的羟基反应的官能团的交联剂，
所述交联剂中的所述官能团的总量，相对于所述丙烯酸酯系共聚物的作为所述官能团的羟基为1mol当量以上，
所述粘着剂层在照射放射线并固化后的储能模量为1.0×106Pa以上7.0×108Pa以下。
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