CN101864249A - 粘接膜及晶片加工用带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种粘接膜及晶片加工用带，所述粘接膜可以将用于粘接剂层的树脂通用化为丙烯酸树脂等，可以确保晶片的贴合性，并且减少切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片。晶片加工用带10具有由基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b构成的粘合膜12、和层压在粘合膜12上的粘接剂层13。将粘接剂层13的密度设定为ρ(g/cm3)、粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上。通过组合Gmin和ρ这2个要素并使其相互补充，可以确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性，并且减少切割时的屑片。

Description

粘接膜及晶片加工用带
技术领域
本发明涉及一种具有与半导体晶片贴合(貼合)的粘接剂(接着剤)层的粘接膜以及晶片加工用带，其具有：由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜和设置在粘合剂层上的粘接剂层。
背景技术
在对半导体晶片进行加工而制造半导体装置时，近年来，在半导体晶片背面上热压接粘接膜的粘接剂层，得到带粘接剂层半导体晶片，将该带粘接剂层半导体晶片粘贴在切割片上，通过切割，将半导体元件切断(切割)成芯片单元。
但是，随着半导体元件(芯片)的进一步薄型化，在切割成单片的半导体元件时，通过切割刀的旋转振动，相邻的芯片之间接触，存在产生芯片破裂或芯片缺损等切割时的屑片(Chipping)的问题。
作为解决这种问题的粘接膜，公开有一种半导体用粘接膜，其特征在于，玻璃化转变温度为90℃以下，在100～200℃下加热处理5～120分钟时，玻璃化转变温度为100℃以上(参照专利文献1)。
另外，为了减少切割时的屑片，已知有一种晶片加工用带，其将半导体元件的厚度设定为W(μm)、粘接剂层的厚度设定为A(μm)、粘接剂层的固化后的25℃时的储存弹性模量设定为E(GPa)时，W×E/A＝Q表示的Q的值为0.5～80(例如参照专利文献2)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2003-213224号公报
[专利文献2]日本特开2005-026547号公报
发明内容
在上述专利文献1记载的粘接膜中，通过将聚酰亚胺树脂用作主要成分来实现关于玻璃化转变温度的上述条件，但存在如下问题：难以与丙烯酸树脂等通用化，且聚酰亚胺树脂比丙烯酸树脂等贵。
另外，在上述专利文献2中，表明通过选择芯片、粘接剂层的厚度和固化后的储存弹性模量，可以减少屑片，但切割工序在粘接剂层的固化前进行，即使选择粘接剂层的厚度和固化后的储存弹性模量，也基本上不能减少切割时的屑片。在此，也考虑通过降低粘接剂层的固化前的储存弹性模量来减少屑片，但存在如下问题：如果仅降低储存弹性模量，则不能贴合晶片。
于是，本发明的目的在于，提供一种粘接膜及晶片加工用带，所述粘接膜可以将用于粘接剂层的树脂与丙烯酸树脂等通用化，可以确保晶片的贴合性，并且可以减少切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片。
本发明的第1方式所述的粘接膜具有与半导体晶片贴合的粘接剂层，其特征在于，将所述粘接剂层的密度设定为ρ(g/cm3)、所述粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上，使所述粘接剂层在60℃下与所述半导体晶片贴合时的所述粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上。
为了减少屑片(チツピング)，粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量Gmin需要设定得较低，但当其过低时，不能贴合晶片。相对于此，为了减少屑片，需要提高粘接剂层的密度ρ，但当其过高时，不能贴合晶片。根据该构成，ρ×Gmin为0.2以上，因此，通过组合ρ和Gmin这2个要素并相互补充，可以确保对晶片的贴合性，并且减少屑片。另外，由于使粘接剂层在60℃下与半导体晶片贴合时的粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上，因此，在切割时，可以减少芯片因切割刀的旋转振动而飞溅的情况。另外，可以使用丙烯酸树脂等廉价的树脂作为粘接剂层的主要成分，可以将用于粘接剂层的树脂通用化于丙烯酸树脂等。因此，可以实现低成本的粘接膜。
本发明的其它方式所述的粘接膜的特征在于，所述粘接剂层含有分子量为50万以上、分散度小于4的热塑性树脂(A)、热固化性树脂(B)及热活性固化剂(C)。
根据该构成，由于粘接剂层中所含的热塑性树脂(A)的分子量为50万以上，且分散度小于4，因此，可以使耐回流性提高。
本发明的第2方式所述的晶片加工用带具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂(粘着剤)层构成的粘合膜、和设置在所述粘合剂层上的粘接剂层，其特征在于，将所述粘接剂层的密度设定为ρ(g/cm3)、所述粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上，使所述粘接剂层在60℃与所述半导体晶片贴合时的所述粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上。
根据该构成，通过组合ρ和Gmin这2个要素并相互补充，可以确保对晶片的贴合性，并且减少屑片。另外，由于使粘接剂层在60℃与半导体晶片贴合时的粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上，因此，在切割时，可以减少芯片因切割刀的旋转振动而飞溅的情况。另外，可以使用丙烯酸树脂等廉价的树脂作为粘接剂层的主要成分，可以将用于粘接剂层的树脂通用化于丙烯酸树脂等。因此，可以实现低成本的晶片加工用带。
根据本发明，可以实现粘接膜及晶片加工用带，所述粘接膜可以将用于粘接剂层的树脂通用化为丙烯酸树脂等，可以确保晶片的贴合性，并且可以减少切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的晶片加工用带的剖面图。
图2是在晶片加工用带上贴合有半导体晶片的图。
图3是用于说明切割工序的图。
图4是用于说明扩展工序的图。
图5是用于说明拾取工序的图。
符号的说明
1：半导体晶片
2：半导体芯片(半导体元件)
10：晶片加工用带
12：粘合膜
12a：基材膜
12b：粘合剂层
13：粘接剂层
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式的粘接膜及晶片加工用带，基于附图进行说明。
(一实施方式的晶片加工用带)
对本发明的一实施方式的晶片加工用带，基于图1～图5进行说明。图1是表示一实施方式的晶片加工用带10的剖面图。
该晶片加工用带10具有由基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b构成的粘合膜12、和层压在该粘合膜12上的粘接剂层13。
晶片加工用带10在将半导体晶片切割成半导体元件(芯片)的切割工序和将切割成的芯片与引线架或其它芯片粘接的小片接合(die bonding)工序这两个工序中使用。
需要说明的是，粘合剂层12b可以由一层粘合剂层构成，也可以由层压有两层以上的粘合剂层的粘合剂层构成。需要说明的是，在图1中，为了保护粘接剂层13，在晶片加工用带10上设置剥离衬里11。
粘接膜12及粘接剂层13可以根据使用工序或装置预先切割成规定形状(预切割)。本发明的晶片加工用带包含按半导体晶片的每一片切割的方式和将形成有多个其的长条的片材卷绕在辊上的方式。
下面，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素进行详细说明。
(粘接剂层)
粘接剂层13与半导体晶片1等粘合并切割后，在拾取半导体芯片2时，从粘合膜12剥离，附着在半导体芯片2上，用作将半导体芯片2固定在基板或引线架上时的粘接剂。因此，粘接剂层13在拾取工序中，具有可以以附着在单片化而成的半导体芯片2上的状态从粘合膜12剥离的剥离性，进而，具有在小片接合工序中将半导体芯片2粘接固定于基板或引线架的充分的粘接可靠性。
粘接剂层13为将粘接剂预先进行膜化而得的粘接剂层，可以使用例如用于粘接剂的公知的丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物。
丙烯酸树脂例如通过使由具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯单体、丙烯腈及其它共聚性单体构成的单体溶液利用自由基聚合法等进行溶液聚合来得到。另外，在聚合时，作为聚合引发剂，可使用过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、二丁基过氧化物、叔丁基过氧化苯甲酸酯等有机过氧化物、偶氮二异丁腈、偶氮二戊腈等偶氮二(azo bis)类化合物。
作为具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯单体，可使用甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯等具有共聚性双键的化合物。
作为其它共聚性单体，有：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸环己酯等(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸环烷基酯；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；(甲基)丙烯酸氨基甲酯、(甲基)丙烯酸N-甲基氨基甲酯、(甲基)丙烯酸N，N-二乙基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯；甲基丙烯酸、丙烯酸、苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；氯乙烯、偏氯乙烯、醋酸乙烯酯、醋酸异丙烯酯等乙烯基衍生物；马来酸、富马酸等不饱和二元酸、其酸酐、其单甲酯、单乙酯等单酯或其二甲酯、二乙酯等二酯。
另外，为了强化对半导体芯片2或引线架20的粘接力，优选将硅烷偶联剂或钛偶联剂作为添加剂添加于上述树脂材料或其混合物中。另外，可以以耐热性的提高或流动性的调节为目的而添加填料。作为这种填料，有二氧化硅、氧化铝、锑氧化物等。这些填料只要最大粒径比粘接剂层13的厚度小，就可以以任意的比例配合不同粒径的填料。
就粘接剂层13而言，将密度设定为ρ(g/cm3)、粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上。在此，所谓最小储存弹性模量，为在频率1Hz的条件下、在升温速度10℃/分钟的条件下从室温升温至200℃时的储存弹性模量的最小值。
为了减少屑片，需要使粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量Gmin较低，但当其过低时，不能贴合半导体晶片。相对于此，为了减少屑片，需要使粘接剂层13的密度ρ较高，但当其过高时，不能贴合半导体晶片。因此，通过组合最小储存弹性模量Gmin和密度ρ这2个要素并使其相互补充，可以确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性，并且减少切割时的屑片。
ρ×Gmin小于0.2时，不能确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性，在切割时，通过切割刀的旋转振动，相邻的芯片之间接触，产生芯片破裂或芯片缺损等切割时的屑片。
<ρ×Gmin的调整方法>
(ρ的调整方法)
粘接剂层13的密度ρ可以通过调整填料量(例如二氧化硅填料量)来增减。填料量越多，密度越高，减少填料量时，密度降低。
(Gmin的调整方法)
粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量Gmin可以通过使填料量或低分子量的成分(环氧树脂、酚醛树脂)或丙烯酸聚合物的分子量增减来调整。通过减少填料量或通过使低分子量的成分增加或通过使丙烯酸聚合物的分子量降低，最小储存弹性模量Gmin变低。为了提高最小储存弹性模量Gmin，进行相反操作。通过这样调整粘接剂层13的密度ρ和Gmin，可以将ρ×Gmin设定为0.2以上。
另外，在晶片加工用带10方面，使粘接剂层13在60℃下与半导体晶片1(参照图2)贴合时的粘接剂层13的剥离力小于50mN/cm时，在切割时，芯片因振动(切割刀的旋转振动)而飞溅，因此，剥离力优选为50mN/cm以上。
<剥离力的调整方法>
剥离力可以通过使丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度Tg或最小储存弹性模量Gmin增减来调整。通过降低丙烯酸聚合物的Tg或通过降低Gmin，剥离力增加。
需要说明的是，由于贴合剥离力为50mN/cm以上的Gmin为10MPa以下，因此，该10MPa乘以不损害作为粘接剂层13的功能的最大密度所积算得到的值为ρ×Gmin的上限。例如，作为粘接剂层13的密度大的情况，可列举配合有50wt％的银的填料的情况，此时，密度ρ为5.0左右，因此，ρ×Gmin为50。
另外，在晶片加工用带10中，为了使耐回流性提高，优选粘接剂层13的基础聚合物(在本实施方式中为丙烯酸聚合物)的分子量(重均分子量)为50万以上，分散度(分散系数)小于4。丙烯酸聚合物的分子量小于50万、分散度超过4时，回流时裂纹产生率升高，耐回流性恶化。但是，丙烯酸的分子量增加时，Gmin上升，因此，为了降低Gmin，降低热固化性树脂(环氧树脂、酚醛树脂)的分子量即可。例如，在此，使用分子量为50万的丙烯酸橡胶作为热塑性树脂时，使用分子量小于5000且为2官能以上的环氧树脂作为热固化性树脂、使用分子量小于5000的具有酚羟基的酚醛树脂作为热活性固化剂即可。另外，使用分子量为100万的丙烯酸橡胶作为热塑性树脂时，使用分子量小于3000且为2官能以上的环氧树脂作为热固化性树脂、使用分子量小于3000的具有酚羟基的酚醛树脂作为热活性固化剂即可。
粘接剂层13的厚度没有特别限制，通常优选为5～100μm。另外，粘接剂层13可以层压在粘合膜12的粘合剂层12b的整个面上，也可以将预先切割成对应于贴合的半导体晶片1的形状(预切割)的粘接剂层层压在粘合剂层12b的一部分上。层压切割成对应于半导体晶片1的形状的粘接剂层13时，如图2所示，在贴合半导体晶片1的部分具有粘接剂层13，在贴合切割用的环形架20的部分没有粘接剂层13，仅存在粘合膜12的粘合剂层12b。一般而言，粘接剂层13难以与被粘体剥离，因此，通过使用预切割成的粘接剂层13，可得到如下效果：可以使环形架20贴合于粘合膜12上，且在使用后的片材剥离时在环形架上不易产生残浆。
(粘合膜)
在切割半导体晶片1时，粘合膜12具有半导体晶片1不剥离的程度的充分的粘合力，并且，在切割后，在拾取半导体芯片2时，具有可以容易地从粘接剂层13剥离的程度的低粘接力。在本实施方式中，如图1所示，粘合膜12使用在基材膜12a上设有粘合剂层12b的粘合膜。
作为粘合膜12的基材膜12a，只要是现有公知的基材膜，就可以没有特别限制地使用，如后所述，在本实施方式中，作为粘合剂层12b，使用能量固化性的材料中的放射线固化性的材料，因此，使用具有放射线透射性的基材膜。
例如，作为基材膜12a的材料，可以列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或者这些化合物的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯类共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体及这些化合物的混合物。另外，基材膜12a可以为选自这些组中的2种以上的材料混合成的基材膜，也可以为将这些进行单层或多层化而得的基材膜。基材膜12a的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选50～200μm。
在本实施方式中，通过对粘合膜12照射紫外线等放射线，使粘合剂层12b固化，容易从粘接剂层13上剥离粘合剂层12b，因此，优选在粘合剂层12b的树脂中适当配合粘合剂所使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、加成反应型有机聚硅氧烷系树脂、硅丙烯酸酯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚异戊二烯或苯乙烯·丁二烯共聚物或其加氢物等各种弹性体等或在其混合物中适当配合放射线聚合性化合物而制备粘合剂。另外，还可以添加各种表面活性剂或表面平滑剂。粘合剂层的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选5～30μm。
该放射线聚合性化合物使用例如可以通过光照射三维网状化的分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物或取代基中具有光聚合性碳-碳双键基团的聚合物或低聚物。具体而言，可以使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、硅丙烯酸酯等、丙烯酸或各种丙烯酸酯类的共聚物等。
另外，除如上所述的丙烯酸酯类化合物之外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物是使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应而得到的，该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的。需要说明的是，粘合剂层12b中也可以混合选自上述树脂中的2种以上树脂。
需要说明的是，对于粘合剂层12b的树脂，除对粘合膜12照射放射线而使粘合剂层12b固化的放射线聚合性化合物之外，也可以适当配合丙烯酸类粘合剂、光聚合引发剂、固化剂等而制备粘合剂层12b。
使用光聚合引发剂时，可以使用例如苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对丙烯酸类共聚物100质量份为0.01～5质量份。
(晶片加工用带的使用方法)
在半导体装置的制造工序中，晶片加工用带10如下使用。在图2中，表示在晶片加工用带10上贴合有半导体晶片1和环形架20的情形。
首先，如图2所示，将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴在环形架20上，使半导体晶片1与粘接剂层13贴合。其粘贴顺序没有限制，可以在使半导体晶片1与粘接剂层13贴合后将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴在环形架20上。另外，也可以同时进行粘合膜12在环形架20上的粘贴和半导体晶片1在粘接剂层13上的贴合。
而且，实施半导体晶片1的切割工序(图3)，接着，实施对粘合膜12照射能量射线、例如紫外线的工序。具体而言，为了利用切割刀21切割半导体晶片1和粘接剂层13，利用吸附台22从粘合膜12面侧吸附支撑晶片加工用带10。而且，利用切割刀21将半导体晶片1和粘接剂层13切割成2单元半导体芯片并进行单片化，其后，从粘合膜12的下表面侧照射能量射线。通过该能量射线照射，使粘合剂层12b固化，使其粘合力降低。需要说明的是，可以取代能量射线的照射，利用加热等外部刺激而使粘合膜12的粘合剂层12b的粘合力降低。粘合剂层12b由两层以上的粘合剂层层压而构成时，可以通过能量照射使各粘合剂层中的一层或所有层固化，使各粘合剂层中的一层或所有层的粘合力降低。
其后，如图4所示，实施将保持有切割成的半导体芯片2及粘接剂层13的粘合膜12沿环形架20的圆周方向拉伸的扩展工序。具体而言，相对保持有切割成的多个半导体芯片2及粘接剂层13的状态的粘合膜12，使中空圆柱形状的顶出构件30从粘合膜12的下表面侧上升，使粘合膜12沿环形架20的圆周方向拉伸。
实施扩展工序后，如图5所示，在将粘合膜12扩展了的状态下，实施拾取半导体芯片2的拾取工序。具体而言，从粘合膜12的下表面侧利用针31将半导体芯片2顶出，同时，从粘合膜12的上表面侧用吸附夹具32吸附半导体芯片2，由此，将单片化的半导体芯片2与粘接剂层13一同拾取。
而且，实施拾取工序后，实施小片接合工序。具体而言，利用在拾取工序中与半导体芯片2一同拾取的粘接剂层13，将半导体芯片2与引线架或封装基板等粘接。
接着，对本发明的实施例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
下述的表1及表2表示各实施例及各比较例的晶片加工用带10及粘接剂层13的组成、各晶片加工用带的特性评价和各实施例及各比较例的具有粘接剂层13的粘接膜的特性评价。
[表1]
 粘接剂层的组成   实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5
 丙烯酸聚合物(1)   100   100   100
 丙烯酸聚合物(2)   100
 丙烯酸聚合物(3)   100
 环氧树脂   22   130   23   22   22
 酚醛树脂   17   100   18   17   17
 硅烷偶联剂   0.15   13   0.15   0.15
 二氧化硅填料   15   1300   15   15
 固化促进剂   0.4   2.6   0.4   0.4   0.4
 密度[g/cm2]   1.1   1.8   1.0   1.1   1.1
 Gmin[MPa]   0.35   0.15   0.30   0.3   0.3
 ρ×Gmin   0.385   0.270   0.300   0.33   0.33
  60℃贴合剥离力[mN/cm]   70   100   60   80   60
 粘接剂层的组成   实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5
  屑片性能   ○   ○   ○   ○   ○
  回流时裂纹产生率[％]   0   0   0   50   60
[表2]
  粘接剂层的组成   比较例1   比较例2
  丙烯酸聚合物(1)   100   100
  丙烯酸聚合物(2)
  丙烯酸聚合物(3)
  环氧树脂   250   11
  酚醛树脂   200   9
  硅烷偶联剂   3   0.14
  二氧化硅填料   300   14
  固化促进剂   4.5   0.2
  密度[g/cm2]   1.6   1.1
  Gmin[MPa]   0.03   0.5
  ρ×Gmin   0.048   0.55
  60℃贴合剥离力[mN/cm]   100   20
屑片性能 ×   由于切割时多发小片飞溅(ダイフライ)，因此不能进行评价
  回流时裂纹产生率[％]   0   30
<丙烯酸聚合物的制造方法>
首先，对各实施例及各比较例的晶片加工用带的粘接剂层13中所含的丙烯酸聚合物(表1及表2所示的丙烯酸聚合物(1)～(3))的制造方法进行说明。
(丙烯酸聚合物(1))
在安装有混合机及冷却器的反应器中加入甲基丙烯酸缩水甘油酯5重量份、丙烯腈25重量份、丙烯酸丁酯25重量份、丙烯酸乙酯45重量份，加热到85℃，在其中添加2-丁酮2重量份、叔丁基过氧化苯甲酸酯0.05重量份后，保温8小时，冷却后，加入甲醇，使聚合物沉淀，除掉上清液，使残留在聚合物中的甲醇干燥，接着，加入2-丁酮，以固体成分为15％的方式调整，得到丙烯酸聚合物(1)。该聚合物的利用凝胶渗透色谱法(GelPermeation Chromatography：GPC)的重均分子量为85万，分散度为3.5。
(丙烯酸聚合物(2))
除将保温时间设定为4小时之外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造方法制作丙烯酸聚合物(2)。该聚合物的利用凝胶渗透色谱法(GelPermeation Chromatography：GPC)的重均分子量为35万，分散度为2.3。
(丙烯酸聚合物(3))
除将叔丁基过氧化苯甲酸酯的添加量设定为0.2质量份之外，利用与丙烯酸聚合物(1)同样的制造方法制作丙烯酸聚合物(3)。该聚合物的利用凝胶渗透色谱法(Gel Permeation Chromatography：GPC)的重均分子量为80万，分散度为6.6。
<重均分子量的测定方法>
各丙烯酸聚合物(1)～(3)的重均分子量利用凝胶渗透色谱法(GPC)，使用利用标准聚苯乙烯得到的标准曲线进行测定。
(利用GPC法的测定条件)
使用设备：日立635型HPLC[株式会社日立制作所制]
色谱柱：gelpack R-440、R450、R400M[日立化成工业株式会社制商品名]
洗提液：四氢呋喃
测定温度：40℃
流量：2.0ml/min
检测器：差示折射计
(实施例1)
相对得到的上述丙烯酸聚合物(1)，以同表所示的配合比例加入表1所示的各材料，得到粘接剂料组合物的清漆。将得到的清漆涂敷在厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，在120℃下加热干燥10分钟，形成膜厚50μm的B阶段状态的涂膜，制作具有粘接剂层的实施例1的粘接膜。
(实施例2)
相对得到的丙烯酸聚合物(1)，以同表所示的配合比例加入表1所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的实施例2的粘接膜。
(实施例3)
相对得到的丙烯酸聚合物(1)，以同表所示的配合比例加入表1所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的实施例3的粘接膜。
(实施例4)
相对得到的上述丙烯酸聚合物(2)，以同表所示的配合比例加入表1所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的实施例4的粘接膜。
(实施例5)
相对得到的上述丙烯酸聚合物(3)，以同表所示的配合比例加入表1所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的实施例5的粘接膜。
(比较例1)
相对得到的上述丙烯酸聚合物(1)，以同表所示的配合比例加入表2所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的比较例1的粘接膜。
(比较例2)
相对得到的丙烯酸聚合物(1)，以同表所示的配合比例加入表2所示的各材料，用与实施例1同样的方法制作具有粘接剂层的比较例2的粘接膜。
需要说明的是，表1及表2中的各材料如下所述。
(环氧树脂)
YDCN-703(东都化成株式会社制商品名、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210g/eq、分子量1200、软化点80℃)
(酚醛树脂)
ミレツクスXLC-LL(三井化学株式会社制商品名、羟基当量175g/eq、吸水率1.8％、350℃时的加热重量减少率4％)
(硅烷偶联剂)
Z-6044(东丽·道康宁株式会社制商品名、3-环氧丙氧基丙基甲基甲氧基硅烷)
(二氧化硅填料)
SO-C2(admatechs株式会社制商品名、比重2.2g/cm3、莫氏硬度7、平均粒径0.5μm、比表面积6.0m2/g)
(固化促进剂)
Curesol 2PZ(四国化成株式会社制商品名、2-苯基咪唑)
对如上操作得到的各实施例及各比较例的粘接膜，测定粘接剂层的密度ρ、固化前的最小储存弹性模量Gmin及60℃下的贴合剥离力。
(密度ρ)
表1及表2所示的各实施例及各比较例的粘接剂层的密度ρ根据JISK7112进行测定。
(最小储存弹性模量Gmin)
准备2张得到的实施例1的粘接膜，通过粘接剂使彼此贴合，剥离聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜后，进一步重复通过实施例1的粘接膜的粘接剂层使彼此贴合的工序，层压粘接剂层至其为1mm的厚度，冲压成8mmΦ，设定为实施例1的粘接剂层的样品。实施例2、实施例3、比较例1～4的各粘接剂层的样品也与实施例1的样品同样地制作。
使用动态粘弹性测定装置ARES(REOLOGICA制)，对固化前的各粘接剂层的样品，取在样品厚度1mm、板直径8mmΦ、频率1Hz的条件下、在升温速度10℃/分钟的条件下从室温升温至20℃时的储存弹性模量的最小值，将其设定为Gmin。各实施例及各比较例的Gmin如表1及表2所示。
(60℃贴合剥离力)
在60℃、0.1MPa、300mm/分钟的条件下，将调整为1cm宽度的长条状的各实施例及各比较例的粘接膜层叠在硅片背面后，测定在室温下、以50mm/分钟、90度剥离条件下剥离时的剥离强度。各实施例及各比较例的60℃贴合剥离力如表1及表2所示。
进而，将如下所示的粘合膜及上述粘接膜分别切割成直径370mm、320mm的圆形，使粘合膜的粘合剂层和粘接膜的粘接剂层贴合。最后，将粘接膜的PET膜从粘接剂层剥离，得到各实施例及各比较例的晶片加工用带，进行耐回流性(回流时裂纹产生率)、屑片性能的评价。
(粘合膜的制作)
使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2-羟基乙酯25重量份、丙烯酸10重量份进行自由基聚合，在滴加2-异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯进行反应而合成的重均分子量80万的丙烯酸共聚物中加入作为固化剂的聚异氰酸酯3重量份、作为光聚合引发剂的1-羟基-环己基-苯基-酮1重量份并混合，做成粘合剂层组合物。
将制得的粘合剂层组合物以干燥膜厚为10μm的方式涂敷在膜(基材膜12a以外的涂敷用膜)上，在120℃下干燥3分钟。其后，将涂敷在该膜上的粘合剂层组合物作为基材膜12a，使其转印在100μm的聚丙烯-弹性体(PP∶HSBR＝80∶20的弹性体)树脂膜上，由此制作粘合膜。
需要说明的是，聚丙烯(PP)使用日本pochem株式会社制的novatecFG4，加氢苯乙烯丁二烯(HSBR)使用JSR株式会社制的DYNARON 1320P。另外，涂敷用膜使用进行了硅酮脱模处理的PET膜(帝人：ヒユ一ピレツクスS-314、厚度25μm)。
(回流时的裂纹产生率)
在厚度200μm的硅片的背面粘贴各实施例及各比较例的晶片加工用带的粘接剂层，切割成7.5mm×7.5mm后，在160℃、0.1MPa、1秒的条件下安装在进行了镀银处理的引线架上。进而，用密封材料(kyocera-chemi株式会社制)进行塑型，制作各实施例及各比较例的样品。
将各实施例及各比较例的密封后的样品在85℃/60％RH的恒温恒湿层处理196小时后，使样品通过以样品表面的最高温度为260℃且进行20秒的方式设定的IR(红外线)回流炉中，观察重复了3次在室温放置进行冷却的处理的样品中的裂纹的有无。
需要说明的是，在观察裂纹的有无时，使用超声波图像装置(ScanningAcoustic Tomograph：SAT)观察各样品，存在剥离的情况全部设定为裂纹。
(屑片性能)
在厚度200μm的硅片的背面粘贴晶片加工用带的粘接剂层，切割成7.5mm×7.5mm后，用光学显微镜观察模具的剖面，评价芯片缺损的有无。将芯片缺损多发的情况设定为×，将几乎没有观察到芯片缺损的情况设定为○。
由表1得知，在实施例1～5中，由于ρ×Gmin为0.2以上，因此，几乎没有观察到芯片缺损，屑片性能提高，切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片(切割时的屑片)充分地减少。另外，由表1得知，由于粘接剂层的60℃贴合剥离力高达50mN/cm以上，因此，可以减少在切割时芯片因振动(切割时的旋转振动)而飞溅的情况。
进而，在实施例1～3中，由于使用重均分子量为85万、分散度为3.5的丙烯酸聚合物(1)，因此，回流裂纹的产生率为0％。
另一方面，在比较例1中，由于粘接剂层的密度ρ高，但Gmin低，因此，屑片性能降低。
在比较例2中，ρ×Gmin为0.3以上，但60℃贴合剥离力低，因此，在切割时多发芯片飞溅。
根据本实施方式的晶片加工用带10，产生以下的作用效果。
(1)由于将粘接剂层13的密度设定为ρ(g/cm3)、粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上，因此，通过组合Gmin和ρ这2个要素并使其相互补充，可以确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性，并且减少切割时的屑片。
(2)由于使粘接剂层13在60℃下与所述半导体晶片1贴合时的粘接剂层13的剥离力为50mN/cm以上，因此，在切割时，可以减少芯片因切割刀的旋转振动而飞溅的情况。
(3)由于粘接剂层13中所含的丙烯酸聚合物(1)的重均分子量高达85万，且分散度为2.3(小于4)，因此，可以使耐回流性提高。
(4)可以使用丙烯酸树脂等廉价的树脂作为粘接剂层13的主要成分，可以将用于粘接剂层13的树脂通用化为丙烯酸树脂等。因此，可以实现低成本的晶片加工用带10。
本发明不限于上述实施方式的晶片加工用带10，也可应用于粘接膜，所述粘接膜具有与半导体晶片1(图2)贴合的粘接剂层13，且通过切割单片化为与半导体芯片(半导体元件)同样大，将粘接剂层13的密度设定为ρ(g/cm3g/cc)、粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时，ρ×Gmin为0.2以上。
即，本发明也可应用于粘接膜，所述粘接膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等脱模膜(例如图1所示的剥离衬里11)和形成于该脱模膜上的粘接剂层13构成，并且，如上述实施例1～5的粘接膜那样，ρ×Gmin为0.2以上。
本发明的粘接膜可以根据使用工序或装置预先切割成规定形状(预切割)。另外，本发明的粘接膜包含按半导体晶片的每一片切割的方式和将形成有多个其的长的片材卷绕在辊上的方式。

Claims (3)

1.一种粘接膜，其具有与半导体晶片贴合的粘接剂层，其特征在于，
将所述粘接剂层的密度设定为ρ、所述粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin时，ρ×Gmin为0.2以上，其中，ρ的单位是g/cm3，Gmin的单位是MPa，
使所述粘接剂层在60℃与所述半导体晶片贴合时的所述粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上。
2.如权利要求1所述的粘接膜，其特征在于，所述粘接剂层含有热固化性树脂(B)、热活性固化剂(C)及分子量为50万以上且分散度小于4的热塑性树脂(A)。
3.一种晶片加工用带，其具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜以及设置在所述粘合剂层上的粘接剂层，其特征在于，
将所述粘接剂层的密度设定为ρ、所述粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin时，ρ×Gmin为0.2以上，其中，ρ的单位是g/cm3，Gmin的单位是MPa，
使所述粘接剂层在60℃与所述半导体晶片贴合时的所述粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上。
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