JP2006013452A - 半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体基板加工用の粘着シート - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェハ等の表面の凹凸差が大きくても、その凹凸に追従可能な半導体基板加工用粘着シートを用いて、パターン面の汚染やチッピング、チップ飛び等を防止し、半導体ウェハ等の破損が低減可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体基板加工用の粘着シートを提供する。
【解決手段】 半導体基板加工用の粘着シート１３を、所定のパターン面が形成された半導体ウェハ１１に貼り付けて、該半導体ウェハ１１を加工する半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハ１１と、粘着シート１３であって気泡を有する粘着剤層１３ｂを基材１３ａ上に少なくとも備えた粘着シート１３とを、前記パターン面を接着面として貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハ１１をダイシングにより切断する工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体基板加工用の粘着シートに関する。より詳細には、半導体基板加工用の粘着シートを用いて半導体ウェハや半導体パッケージ等の切断等を行う半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体基板加工用の粘着シートに関する。

半導体ウェハを含む半導体基板を個々のチップに切断する為のダイシング工程では、該半導体ウェハ等のパターン面（他基板と電気的に接続する為の接続端子が設けられている場合には、その面）が損傷したり、ダイシングの際の加工くずや加工時に使用した水などによって汚染されることがある。特に、ＭＥＭＳ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等は前記の汚染に敏感であり、汚染されるとこれらは機能しなくなることがある。また、パターン面は凹凸状であるため、わずかな外力によっても破損しやすいという性質がある。この為、半導体ウェハのパターン面は保護する必要がある。

更に、半導体基板のパターン面とは反対側の面に樹脂を形成し、該樹脂にレーザー刻印をして加工後のチップを認識可能にする方法がある。この様な半導体基板のレーザー刻印された面に粘着シートを貼り合わせた場合、レーザー刻印により形成された文字等が消えてしまい、その結果、製造歩留まりが低下するという問題がある。

半導体ウェハの加工時におけるパターン面の保護と半導体ウェハの破損防止とを図る為、ダイシング時にはダイシングテープと呼ばれる保護用の粘着シートをパターン面に貼着する方法が知られている。例えば下記特許文献１には、ベース樹脂がアクリル酸ブチルとアクリル酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとメタクリル酸２−ヒドロキシエチルからなる群より選ばれた２種類以上の樹脂を共重合して得られたフィルムからなる半導体基板加工用粘着シートが開示されている。また、下記特許文献２には、樹脂フィルム基材面上に、帯電防止剤層及び粘着剤層が順次形成された半導体基板加工用粘着シートが開示されている。この特許文献２によれば、前記粘着剤層は、ベースポリマー、放射線重合性化合物および放射線重合性重合開始剤を含む粘着剤を塗布して形成されたものであることが記載されている。

その一方、半導体ウェハを加工する際に使用するバックグラインドテープやダイシングテープは、感圧型粘着剤の他に、加工後の剥離を容易にすべく放射線硬化型の粘着シートを用いる場合が多くなってきている。

ところで、近年、半導体ウェハや半導体基板の表面は、凹凸差が大きくなってきている。例えば、ポリイミド膜付きの半導体ウェハでは凹凸差が１〜２０μｍ程度ある。また、不良半導体チップを識別するための不良マーク（パッドマーク）が設けられる場合、凹凸差は１０〜７０μｍ程度となる。さらに、パターン状の電極上に外部接続端子として形成されるバンプの高さは、２０〜２００μｍ程度である。また、ウェハレベルチップサイズパッケージ（Ｗ−ＣＳＰ）と呼ばれるＤＲＡＭやフラッシュメモリーといった記憶素子が主に開発・製造されている半導体ウェハが存在する。この様な半導体ウェハは、最大４００μｍ程度までのバンプが形成されるが、この様な半導体ウェハについても、ダイシング実現の要求がある。また、高さ２０〜４００μｍ程度のバンプが設けられた半導体基板や、凹凸差が２０〜３００μｍ程度の半導体基板に対してもダイシング実現の要求がある。

しかしながら、従来の半導体基板加工用粘着シートでは、半導体ウェハ等の表面の凹凸に十分に追従することができず、粘着シートと半導体ウェハ等との間に隙間ができて接着が不十分であった。その結果、半導体ウェハ等の加工時において、パターン面と粘着シートとの間の隙間から加工時の水や異物が浸入するという問題点があった。また、半導体ウェハ等を十分に固定できないことから、チップ欠けやチップ飛び等が発生したり、さらには該半導体ウェハが破損するという問題点が有る。

また、この様な問題に対し、凹凸に対する追従性を高めることにより上述の不具合は解消する方法も考えられるが、粘着シートが基板の凹凸面に対し非常に密着している為、半導体ウェハをダイシングした後の半導体チップのピックアップが非常に困難になる。更に、ピックアップ時に、外部接続端子としての電極部に形成されたバンプをも引き抜いてしまい、これを破壊するという問題点もある。

特開２００２−２２６８０４号公報 特開２００３−１４２４３０号公報

本発明は前記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハ等の表面の凹凸差が大きくても、その凹凸に追従可能な半導体基板加工用粘着シートを用いて、パターン面の汚染やチッピング、チップ飛び等を防止し、半導体ウェハ等の破損が低減可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体基板加工用の粘着シートを提供することにある。

本願発明者は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる半導体基板加工用の粘着シートについて鋭意検討した。その結果、以下の構成とすることにより、前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

すなわち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板加工用の粘着シートを、所定のパターン面が形成された半導体基板に貼り付けて、該半導体基板を加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板と、前記粘着シートであって気泡を有する粘着剤層を基材上に少なくとも備えた粘着シートとを、前記パターン面を接着面として貼り合わせる工程と、前記半導体基板をダイシングにより切断する工程とを含むことを特徴とする。

前記半導体基板のパターン面側には、例えば外部接続端子としてのバンプが設けられており、表面が凹凸となっている。この様な半導体基板と、従来の粘着シートとを貼り合わせると、粘着シートとの間に隙間が生じる。しかし、気泡を有する粘着剤層を備えた粘着シートであると、該粘着剤層に於ける気泡がスプリング効果を発揮するので、従来の粘着シートと比較して弾力性が向上する。この為、本発明の粘着シートは、凹凸となっている半導体基板の表面にも十分に追従することが可能となり、半導体基板と粘着シートとの隙間を埋めた状態で半導体基板を粘着シートに確実に接着固定することができる。その結果、半導体基板をダイシングにより個片化しても、チップ欠けやチップ飛びを防止することができる。また、半導体基板の破損を低減することができる。更に、半導体基板と粘着シートとの間に隙間がないことから、シリコンダスト等の異物の浸入を防止し、半導体基板の汚染を防ぐこともできる。

前記粘着シートとして、前記基材と粘着剤層との間に中間層を備えるものを使用し、前記中間層の厚さＴ_１が２０〜４００μｍであり、前記粘着剤層の厚さＴ_２が１〜１００μｍであり、かつその比がＴ_２／Ｔ_１＝０．０１〜０．５であることが好ましい。

前記の構成であると、半導体基板に対する粘着シートの剥離性を良好なものにできる。また、半導体基板のバンプ形成面等に於ける凹凸に対して、粘着剤層の追従性も良好なものとすることができる。その結果、ダイシングの際の切断ミス、チップ飛び、及びチップ欠けなどを低減できる。更に、半導体基板の破損を低減し、異物等の浸入を防止して半導体基板の汚染を防ぐこともできる。尚、前記中間層はアクリル系ポリマーを構成材料とするものが好ましい。

前記粘着剤層は、アクリル系ポリマーを構成材料とするものが好ましい。

アクリル系ポリマーは、モノマーの選択、組み合わせによって分子設計が容易なポリマーである。従って、前記構成であると、例えば半導体基板等との接着性（投錨性）が良好なものにできる。また、粘着剤層の剪断弾性率の調整も可能となる。その結果、半導体基板表面の凹凸差に応じて、粘着剤層のバンプ形成面に対する密着性を適切なものにできる。

前記アクリル系ポリマーとして、分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のポリマーを使用することが好ましい。

前記の構成であると、放射線照射によって粘着力を低下させることが可能な粘着剤層とすることができる。従って、例えばダイシング後に放射線を照射することによって、ダイシング後の半導体基板から粘着シートを容易に剥離できる。

前記粘着シートとして、２５℃における剪断弾性率が５〜７５０ｋＰａであり、ゲル分率が１０〜５０重量％であり、かつ、厚さが２０〜５００μｍの粘着剤層を有するものを使用するのが好ましい。なお、粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されている場合には、せん断弾性率は放射線硬化前の値である。

前記粘着シートとして、剪断弾性率、ゲル分率および粘着剤層の厚さが、前記各数値範囲内であると、粘着剤層が柔らかくなり過ぎるのを防止すると共に、半導体基板のバンプ形成面の凹凸にも適切に追従可能となる。よって、この様な粘着シートを使用すると、ダイシングの際に切断ミスやチップ飛び、チップの欠け等の発生を低減でき、歩留まりの向上が図れる。また、半導体基板に対する保持性や保護性が良好なので、作業性が向上する。

前記半導体基板と粘着シートとを貼り合わせる工程の後であって、半導体基板を切断する工程の前又は後に、該半導体基板のパターン面とは反対側の面を薄型加工する工程を行ってもよい。

これにより、半導体基板の薄型加工をする際にも、該半導体基板を確実に密着固定するので、歩留まりの向上が一層図れる。

前記粘着シートとして透過性を有するものを使用し、前記粘着シートが貼り合わされた前記半導体基板の位置合わせを行う為に、該粘着シート又は半導体基板側からレーザーを照射することが好ましい。粘着シートとして透過性を有するものを使用するので、レーザー照射による位置認識を可能にする。この結果、半導体基板の加工精度を一層向上させることが可能になる。

前記半導体基板として、半導体メモリー用のものを使用することができる。ここで、前記半導体メモリーとは、ＤＲＡＭ等の揮発性メモリーや、フラッシュメモリー等の不揮発性メモリーを意味する。

また、本発明に係る半導体基板加工用の粘着シートは、前記に記載の半導体装置の製造方法に用いられるものであることを特徴とする。

前記の粘着シートであると、バンプが形成された半導体基板と、粘着シートとを貼り合わせた場合に生じる間隙を、気泡を有する粘着剤層により埋めることができる。これにより、半導体基板を粘着シートで確実に接着固定することが可能となる。その結果、半導体基板をダイシングにより個片化する場合にも、チップ欠けやチップ飛びを防止することができる。更に、半導体基板の破損を低減することができる。また、異物等の浸入を防止し、半導体基板の汚染を防ぐこともできる。

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明によれば、バンプが形成された半導体基板と粘着シートとの間の隙間を、該粘着シートに於ける粘着剤層の発泡により隙間なく固定することから、半導体基板のダイシング加工に於ける半導体基板表面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、ウェハ割れなどの不具合を著しく減少させることが出来る。また、発泡剤の効果によりピックアップの際には、パターン面を損傷することなく容易にピックアップすることができる。その結果、歩留まりよく半導体装置を製造することが可能になる。

本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。

（半導体装置の製造方法）
先ず、半導体装置の製造方法について、半導体基板として半導体ウェハを用いた態様を例にして以下に説明する。図１は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１１と粘着シート１３とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１１をダイシングにより切断する工程とを有する。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法で使用される半導体ウェハ１１には、外部接続端子として電極部（図示しない）にバンプ１２が設けられている。バンプ１２の高さは特に限定されないが、通常は２０〜４００μｍ程度である。尚、半導体ウェハ１１とは、半導体素子が形成された基板を意味する。半導体ウェハ１１の原料としては、例えばシリコン(Ｓｉ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはガリウムヒ素(ＧａＡｓ)等が挙げられる。

前記半導体ウェハ１１と粘着シート１３とを貼り合わせる工程は、該半導体ウェハ１１のバンプ形成面（パターン形成面）に粘着シート１３を貼り付けて、バンプ形成面を保護する為に行うものである（図１（ｂ）参照）。粘着シート１３は、基材１３ａ上に粘着剤層１３ｂが積層された構成である。尚、この粘着シート１３の詳細については、後段にて述べる。

貼り付けは、テーブル上にバンプ形成面が上になるように半導体ウェハ１１を載置し、粘着シート１３の粘着剤層１３ｂをバンプ形成面に重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブなど）中で、半導体ウェハ１１と粘着シート１３を前記のように重ね、容器内を加圧するにより半導体ウェハ１１に貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、前記と同様に貼り付けることもできる。これらの方法で貼り付ける際には、粘着シート１３を３０〜１５０℃程度まで加熱してもよい。

尚、半導体ウェハ１１に貼り合せる粘着シート１３のカットについては貼り合せ後にカットしても良いし、半導体ウェハ１１に貼り合せる前に、貼り合せる半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工してもよい。また、半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工した粘着シート１３と半導体ウェハ１１の位置合せは、画像認識装置により行い、正確な位置を認識して現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。

半導体ウェハ１１をダイシングにより切断する工程は、該半導体ウェハ１１を個片化して半導体チップ１７を製造する為に行うものである（図１（ｃ）参照）。ダイシングは、半導体ウェハ１１のバンプ形成面とは反対側の面から行う。このとき、半導体ウェハ１１（粘着シート１３を含む）の全厚みをフルカットしてもよく、または所定厚みまで切断する切構をしてもよい。後者の場合、半導体ウェハ１１は、その裏面（パターンの形成面とは反対側の面）を研削などの薄型加工をして、切断残りの厚み分を研削除去することにより、チップ化する。本工程で用いるダイシング装置１４としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。本実施の形態に於いては、粘着シート１３は半導体ウェハ１１に隙間なく接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びが防止される。また、半導体ウェハ１１の破損も低減できる。ダイシングの際に於ける半導体ウェハ１１のパターン面の位置識別は、例えばダイサーに予め設置されたエネルギー線照射部よりエネルギー線を半導体ウェハ１１の裏面に照射する等して行う。前記エネルギー線としては、一般的には赤外線がよく使用されるが、位置識別機能を発揮できるのであれば特に限定されるものではない。具体的には、例えば可視光線、エックス線、ベータ線、マイクロ波、またはレーザー光等が例示できる。

前記ダイシングの後は、半導体チップ１７のピックアップ工程を行うことができる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ１７を粘着シート１３側（下方側）からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ１７をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

尚、半導体ウェハ１１のダイシングを行う前に、粘着シート１３が貼り合わされた半導体ウェハ１１の位置合わせを行うのが好ましい。位置合わせとしては、例えば粘着シート１３として透明性を有するものを使用し、粘着シート１３又は半導体ウェハ１１側からレーザーを照射して位置認識を行う方法が挙げられる。当該位置合わせを行うことにより、半導体ウェハ１１の加工精度を一層向上させることが可能になる。

ここで、後述の熱発泡性又は熱膨張性成分を含む発泡層を備えた粘着シートを用いる場合には、発泡層を加熱処理してもよい。該発泡層を加熱すると、熱発泡性又は熱膨張性成分により発泡層が膨張して、半導体チップとの接着面積を著しく減少させることができる。これにより、半導体チップに対する粘着シートの粘着力が低下し、半導体チップからの粘着シートの剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。加熱温度、加熱時間等の加熱の条件は特に限定されず、熱発泡性又は熱膨張性成分に応じて適宜設定すればよい。

尚、本実施の形態に於いては、ダイシング工程の前に半導体ウェハ１１と粘着シート１３とを貼り合わせ、その状態で半導体ウェハ１１の裏面の薄型加工を施してもよい。薄型加工としては、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）またはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、半導体ウェハ１１の位置を上下反転し、支持ウェハをチャッキングして半導体ウェハの裏面の薄型加工を行う。この様な薄型加工に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。薄型加工は、半導体ウェハ１１が所望の厚さになるまで行われる。本実施の形態に於いては、半導体ウェハ１１は粘着シート１３に隙間なく接着固定されているので、研削時に生じる研削屑等によってバンプ形成面が汚染されるのを防止する。

（粘着シート）
次に、本実施の形態に係る半導体ウェハ加工用の粘着シート１３について説明する。本実施の形態に係る粘着シート１３は、基材１３ａ上に粘着剤層１３ｂが積層された構成である（図２参照）。

前記基材１３ａは、粘着剤層１３ｂ等の支持母体となるもので、半導体ウェハ加工用粘着シートに使用される各種の材料を特に制限なく使用することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン系樹脂；ポリイミド（ＰＩ）；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのポリ塩化ビニル系樹脂；ポリ塩化ビニリデン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリウレタン；ポリスチレン系樹脂；アクリル系樹脂；フッ素樹脂；セルロース系樹脂；ポリカーボネート系樹脂などの熱可塑性樹脂のほか、熱硬化性樹脂、金属箔、紙などが例示できる。なお、基材１３ａは、同種、または異種の材料からなる複数の層により多層構造としてもよい。また、これらの材料は必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。基材１３ａの厚み（積層体の場合は総厚み）は特に限定されないが、粘着シート付きウェハの剛性を高める観点から厚い方が良い。但し、粘着シート１３の剥離などの作業性を考慮すると５００μｍ以下が好ましく、５〜２５０μｍがより好ましい。

基材１３ａは、無延伸のものを用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。また、その表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理（化学架橋（シラン））などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。

本発明に係る粘着剤層１３ｂは気泡を有する層であり、これにより半導体ウェハ１１の凹凸面に対しても十分に追従可能とする弾力性を備えている。粘着剤層１３ｂは、平均気泡径の異なる気泡を有する他の層を積層した複層構造体であってもよい。

気泡の平均気泡径は、０．０１〜４００μｍが好ましく、０．１〜２５０μｍがより好ましい。平均気泡径が０．０１μｍ未満であると、従来の粘着シートに用いられる粘着層と弾力性の点で変わらず、気泡の持つ効果が発揮されない。即ち、発泡層の柔軟性が不十分な為、異物の浸入等を効果的に防止することができない。その一方、平均気泡径が４００μｍを超える場合には、粘着シート１３表面の平滑性が低下する為、結果的に凹凸差の大きい半導体ウェハ１１を確実に固定できないという不具合を生じる。この為、ダイシングの際に切断ミスが発生する可能性がある。

粘着剤層１３ｂの厚さは、半導体ウェハ１１の表面の凹凸の高さや、半導体ウェハ１１に対する保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できる。具体的には、２０〜５００μｍ程度が好ましく、３０〜４５０μｍ程度がより好ましい。粘着剤層１３ｂの厚さが２０μｍ未満であると、半導体ウェハ１１の表面の凹凸への追従性が不十分となり、ダイシングの際に確実に半導体ウェハ１１を固定することができない。その結果、パターン面への加工時の水や異物の浸入、チップ欠け、チップ飛びなどが発生したり、半導体ウェハ１１が破損する場合がある。その一方、粘着剤層１３ｂの厚さが５００μｍを超えると、ダイシング後の半導体チップ１７のピックアップ性が低下する。

粘着剤層１３ｂの密度は０．００１〜１．２ｇ／ｃｍ^３程度が好ましく、０．０５〜１．０ｇ／ｃｍ^３がより好ましい。粘着剤層１３ｂの密度は、前記発泡剤の配合量を調整することにより目的の範囲内に調整可能である。

粘着剤層１３ｂのゲル分率は、１０〜５０重量％が好ましく、１５〜４５重量％程度がより好ましい。ゲル分率が１０重量％未満の場合、ダイシングの際の切断ミスやチップ飛び、チップの欠け等の発生率が増加する傾向にあり好ましくない。その一方、４５重量％を超えると、半導体ウェハ１１の凹凸面に対する密着性が低下し、ダイシングの際にパターン面に異物が付着したり、接着面から水が浸入するという不具合が生じる。

粘着剤層１３ｂの剪断弾性率は、半導体ウェハ１１に対する接着性や保持性を損なわない範囲で適宜設定できる。具体的には、２５℃におけるせん断弾性率が５〜７５０ｋＰａであることが好ましい。剪断弾性率が５ｋＰａ未満であると、粘着剤層１３ｂが柔らかくなり過ぎるため半導体ウェハ１１の保持性や保護性が低下したり、作業性が著しく低下する傾向にある。即ち、半導体ウェハ１１の凹凸面に対し非常に密着している為、ダイシング後の半導体チップのピックアップが非常に困難になったり、或いはバンプも同時に引き抜かれ、これを破壊するという不具合がある。その一方、７５０ｋＰａを超えると、初期接着力が十分でないためパターン面や裏面との密着性が得られず、ダイシングの際の異物の浸入や、切断ミス、チップ飛び、及びチップの破損などが発生する傾向にある。なお、粘着剤層１３ｂが放射線硬化型粘着剤を含み構成されている場合には、前記せん断弾性率は放射線硬化前の値を意味する。また、剪断弾性率が前記数値範囲内であっても、ゲル分が高いと追従性が低下する。よって、ゲル分についても前記数値範囲内であることが好ましい。

粘着剤層１３ｂを形成するベースポリマーとしては、せん断弾性率の調整の容易さ等の観点からは、アクリル系ポリマーを用いるのが好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどのアルキル基の炭素数が４〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。これらのアルキルエステルの中から、その１種または２種以上が用いられる。

前記アクリル系ポリマーは、接着性やせん断弾性率などの改質を目的として、必要に応じ、前記モノマーと共重合可能な他のモノマーを併用しても良い。

前記他のモノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、及びイソプロピル（メタ）アクリレートなどの炭素数１〜３のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、及びステアリル（メタ）アクリレートなどの炭素数１３〜１８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有モノマー；アミノエチル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能性モノマー；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートなどの多官能性モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリロイルモルホリン、シクロへキシルマレイミド、イソプロピルマレイミドなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用することができる。また、他のモノマー成分の使用量は、適宜調整することができるが、全モノマー成分の３０重量％未満であることが好ましい。

本発明に使用されるアクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合法、乳化重合法、塊状重合法、懸濁重合法、またはＵＶ重合法等の適宜な方式を適用して行うことができる。

重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系が挙げられる。重合開始剤は、単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤である。具体的には、例えば２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、前記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。

反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでは溶液重合法が好ましい。また、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては、一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。更に、溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。

粘着剤層１３ｂに用いるベースポリマーの数平均分子量は、前記範囲の特性を保てば限定はされないが、１万〜２００万の範囲であることが好ましい。数平均分子量が１万未満であると、高温状態で軟化しやすくなり、シート形状の保持が困難になる場合がある。その一方、数平均分子量が２００万を超えると、パターン面の凹凸に対する追従性が低下する傾向にある。

粘着剤層１３ｂに用いるベースポリマーには、上述の範囲でゲル分を含ませることができ、このために架橋剤を添加することができる。該架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤等の周知のものが挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤層１３ｂの特性を考慮して適宜決定される。一般的には、ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。また、紫外線や、電子線などの放射線照射により架橋を起こし、ゲル分を持たせることもできる。

粘着剤層１３ｂを構成するベースポリマーは架橋構造を有していてもよい。このようなベースポリマーは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基などの官能基を有するモノマー（例えばアクリル系モノマー）を含むモノマー混合物を架橋剤の存在下で重合させることにより得られる。粘着剤層１３ｂが架橋構造を有するポリマーを含み構成される場合、粘着シート１３の自己保持性は向上する。この為、粘着シート１３の変形を防止でき、シートの平板状態を維持できる。よって、半導体ウェハ１１に正確に且つ自動貼り付け装置などを用いて簡易に貼り付けることができる。

粘着剤層１３ｂ中に気泡を形成する方法としては、例えば発泡剤を使用することができる。発泡剤としては特に限定されず、化学反応型発泡剤や加熱型発泡剤などが挙げられる。

前記化学反応型発泡剤とは、化学反応を伴い気体が発生することを利用して発泡させる発泡剤である。この様な化学反応型発泡剤としては、例えば水、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、またはアジ化ナトリウム等のアジド類などの無機系発泡剤が挙げられる。また、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン；アゾヘキサヒドロベンゾニトリル、アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３′−ジスルホニルヒドラジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジド化合物；α−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ′−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ′−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物などの有機系発泡剤も挙げられる。これら無機系および有機系発泡剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

前記加熱型発泡剤とは、加熱によりガスが膨張発泡し、或いは加熱により液体や固体が気化して発泡する発泡剤である。この様な加熱型発泡剤としては、例えば熱膨張性微小球が挙げられる。更に、熱膨張性微小球としては、熱膨張性物質を、コアセルベーション法や界面重合法等の適宜な方式により、弾性を有する殻内に内包させた熱膨張性マイクロカプセルなどが特に好ましい。熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなるものは、混合操作が容易だからである。

熱膨張性物質としては、例えばイソブタン、プロパン、ペンタンなど、加熱により容易にガス化して膨張する物質が挙げられる。また、熱膨張性物質を内包する殻としては、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などが挙げられる。より具体的には、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが例示できる。尚、熱膨張性マイクロカプセルは、前記粘着剤との分散混合性に優れているなどの利点も有する。また、熱膨張性マイクロカプセルの市販品としては、例えばマイクロスフェアー（商品名：松本油脂社製）などが挙げられる。さらに本発明に於いては、必要に応じて熱膨張助剤を添加してもよい。

これら熱膨張性微小球の使用により、加熱による被着体の汚染度の増大を安定して抑制することができる。マイクロカプセル化していない発泡剤等では、表面を形成する粘着剤層１３ｂを凝集破壊するため前記汚染度増大の抑制効果に乏しくなる。加熱による接着力低減の操作性、特にその接着力低減の安定した達成性などの点からは、破裂するまでの体積膨張が５倍以上、特に７倍以上、特に１０倍以上の熱膨張性微小球が好ましく用いられる。尚、熱膨張性微小球の平均粒径は、適宜に決定することができる。一般には、１００μｍ以下が好ましく、８０μｍ以下がより好ましく、１〜５０μｍが特に好ましい。但し、当該平均粒径はこれらの値に限定されない。

前記熱膨張性微小球を発泡剤として使用する場合、粘着剤層１３ｂは、該熱膨張性微小球と結合剤の混合層などとして形成される。結合剤としては、熱膨張性微小球の加熱による発泡及び／又は膨張を許容するポリマー類やワックス類などの適宜なものを用いうる。特に、熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張を可及的に拘束しないものが好ましい。特に好ましい結合剤としては、例えば粘着剤等が挙げられる。熱膨張性微小球の加熱膨張性や、被着体（半導体ウェハ１１）に対する接着力等の粘着特性の制御性などが良好だからである。

前記発泡剤の配合量は、粘着剤層１３ｂの密度や弾性率等を考慮して適宜調整することができる。ベースポリマー１００重量部（以下「部」と略す）に対して５〜３００部の範囲に設定することが好ましく、１０〜２５０部の範囲がより好ましい。即ち、発泡剤の配合量が５部未満では、気泡の形成が不十分であり、半導体ウェハ１１の凹凸吸収性の効果が発揮できない。その一方、３００部を超えると、粘着剤層１３ｂに隣接する基材１３ａ等との粘着特性が低下する傾向がある。

また、粘着剤層１３ｂには、密度や弾性率や粘着力などを調整する目的で充填剤を配合することができる。充填剤としては、無機系充填剤や有機系充填剤が挙げられる。

無機系充填剤としては、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、炭酸バリウム、硫酸バリウム、ベントナイト、炭酸カルシウム、カオリン、珪藻土、ガラス粉末、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、マイカ、ケイ酸アルミニウム、白雲母、シリカ、またはタルク等が挙げられる。

有機系充填剤としては、例えば、各種の熱硬化性樹脂粉末や熱可塑性樹脂粉末などが挙げられる。

充填剤の配合量は、粘着剤層１３ｂの密度や弾性率や粘着力などの観点から適宜調整することができる。具体的には、粘着剤層１３ｂを形成するベースポリマー１００重量部に対して１〜１００重量部であることが好ましく、さらに好ましくは５〜５０重量部である。

粘着剤層１３ｂは、前記充填剤の他に特性を損なわない範囲で他の成分（添加剤）を含んでいてもよい。このような成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、柔軟剤、酸化防止剤などが挙げられる。

また、ベースポリマーとして粘着剤を使用した場合の粘着剤層１３ｂの接着力は特に限定はされないが、例えば半導体ウェハ１１に対する１８０度ピール接着力の値が、０．５から１５Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．８から１２Ｎ／１０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。

前記粘着剤としては、例えば一般的に使用されている感圧型粘着剤を使用でき、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着剤を用いることができる。なかでも、半導体ウェハへの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、（メタ）アクリル系ポリマーをベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

前記（メタ）アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数１〜３０のアルキル基、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いた（メタ）アクリル系ポリマーなどが挙げられる。

前記（メタ）アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。

さらに、前記（メタ）アクリル系ポリマーは架橋させる為、多官能性モノマーなども必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、粘着シートの平板状態を維持しやすくなる。

多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記（メタ）アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などの放射線を照射して重合する場合には、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより（メタ）アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。

前記ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート等が挙げられる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー：モノマー成分＝９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、さらに好ましくは５０〜７０：５０〜３０（重量％）である。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。

粘着剤層１３ｂは、半導体ウェハ等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量は少ない方が好ましい。この点から、（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は、２０万〜３００万程度が好ましく、さらに好ましくは２５万〜１５０万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度を配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

また、粘着剤としては、放射線硬化型の粘着剤を用いることが好ましい。この粘着剤は、例えば、粘着性物質に、放射線照射により硬化して低接着性物質を形成するオリゴマー成分を配合することにより得られる。粘着剤層１３ｂを放射線硬化型粘着剤で構成すると、粘着シート１３の貼り付け時には、前記オリゴマー成分により粘着剤に塑性流動性が付与されるため、貼り付けが容易になる。また剥離時には、放射線の照射により低接着性物質が生成するため、半導体ウェハ１１から容易に剥離できる。

前記放射線硬化型の粘着剤は、分子内に炭素−炭素２重結合を有するアクリル系ポリマーであることが好ましい。通常、放射線硬化型粘着剤は、放射線硬化型のオリゴマーを添加されるが、テープの保管により、オリゴマーの移動が発生し、テープの保管による変化が現れ易い。

前記放射線としては、ポリマー硬化可能なものであれば特に限定されず、例えばＸ線、電子線、紫外線などが挙げられるが、取り扱いの容易さの観点から紫外線が好ましい。

分子内に炭素−炭素２重結合を有するポリマーを含有する粘着剤層１３ｂの具体的な内容を説明すると、使用するポリマーは、分子設計の容易さからアクリル系ポリマーが望ましい。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基の如き炭素数３０以下、就中４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体などが挙げられる。

本発明においては、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他のモノマーを添加し、官能基や極性基の導入による接着性の改良、または共重合体のガラス転移温度をコントロールして凝集力や耐熱性を改善、改質しても良い。この目的で用いられる共重合可能な他のモノマーとしては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレートやカルボキシベンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸の如きカルボキシル基含有モノマー、あるいは無水マレイン酸や無水イタコン酸の如き酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートの如きヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートの如き燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。

主成分である（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、７０〜１００重量％が好ましく、８５〜９５重量％がより好ましい。これに対し、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他のモノマーは、３０重量％以下が好ましく、１５〜５重量％がより好ましい。この範囲で両成分を使用することにより、接着性、凝集力などのバランスを最適なものにできる。

加えてアクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能性モノマーなども必要に応じて共重合用のモノマー成分として用いうる。かかるモノマーの例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ベンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。多官能性モノマーも１種又は２種以上を用いることができる。またその使用量は、粘着特性等の点より全モノマーの３０重量％以下が好ましい。

このようなアクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式、さらには紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等の放射線を照射する等の方式を適用して行うことができる。特に、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等の放射線を照射する等の方式にて重合を行った場合には、ウレタンアクリラート系オリゴマー、モノマー、および光開始剤を配合してなる液状樹脂をキャストし、硬化させることにより重合する。

前記ウレタンアクリラート系オリゴマーは、分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１，０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能ウレタンアクリラートである。また、モノマー成分としては、モルホリンアクリラート、インポルニル（メタ）アクリラート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリラート、ジシクロペンテニルアクリラート、メトキシ化シクロデカトリエンアクリラート等が挙げられる。ウレタンアクリラート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、５０〜７０：５０〜３０（重量％）であることがより好ましい。ウレタンアクリラート系オリゴマーの含有量が多いと粘度が高くなって重合が困難になる傾向にある。

粘着剤層１３ｂは半導体ウェハ１１等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいものが好ましい。よって、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、例えば２０万〜３００万程度、好ましくは２５万〜１５０万程度である。

このアクリル系ポリマーの分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と付加反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。分子設計が容易となるからである。

これら官能基の組合せとしては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。例示中の組み合わせとしては、前記ポリマーを生成するものであれば特に限定されるものではない。しかしながら、特に反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。

この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えばメタクリロイルイソシアネートや２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロベニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。

また、このようなイソシアネート化合物と反応するヒドロキシル基含有化合物としては、例えば（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルなどの、その分子内にエステル結合を有するものや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルなどの、その分子内にエーテル結合を有する化合物が好適に用いられる。しかしながらいずれも反応後、前記ポリマー構造を生成し得るような化合物であればこれらに限定されない。

本発明の放射線硬化型粘着剤は、通常、重合開始剤を含む。重合開始剤としては、従来公知のものを適宜使用できる。具体的には、例えば紫外線による硬化方式を採る場合に配合されることのある光重合開始剤としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α、α′−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフエノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光学活性オキシム系化合物；ペンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのペンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフイノキシド；アシルホスフオナートなどが挙げられる。重合開始剤の使用量は、例えば前記放射線硬化性ポリマー１００重量部に対して、１〜１０重量部程度である。

また、本発明の放射線硬化型粘着剤においては、公知慣用の架橋剤を使用できる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、ポリイソシアネート等を例示できる。

前記放射線硬化型粘着剤には、特性を悪化させない程度の放射線硬化性オリゴマーを添加することも出来る。放射線硬化性オリゴマーは、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーの選択、組み合わせが可能である。通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下であり、好ましくは１０重量部以下である。

尚、本実施の形態に於いては、粘着剤層１３ｂが一層の場合について述べたが、本発明はこれに限定されない。例えば、同種または異種の複数の層からなる多層構造を有していてもよい。

本発明の粘着シートは、図３に示すように、基材１３ａと粘着剤層１３ｂとの間に中間層１３ｃを含む構造であってもよい。図３は、本発明の他の態様の粘着シートを示す断面模式図である。中間層１３ｃは、これを構成する材料の組成または数平均分子量の点で粘着剤層１３ｂと異なる層である。この中間層１３ｃを設けることにより、例えば基材１３ａと粘着剤層１３ｂとの密着性を向上させたり、半導体ウェハ１１に於けるパターン面の保護性を向上させることができる。中間層１３ｃの形成は、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂またはエポキシ樹脂などの下塗り処理剤を塗布する等して行われる。

また、中間層１３ｃには、粘着剤層１３ｂと同様に発泡剤を含有させてもよい。中間層１３ｃに発泡剤を含有すると、発泡剤の発泡による中間層１３ｃの体積膨張により、粘着剤層１３ｂと半導体ウェハ１１との接着面積が著しく減少させ、粘着力を低下させることができる。従って、例えば加熱型発泡剤を使用した場合、半導体ウェハ１１のダイシング後に中間層１３ｃの加熱処理を行うと、半導体チップを損傷することなく容易にピックアップが可能となる。

中間層１３ｃを含む構造の場合、粘着剤層１３ｂの厚さは、半導体ウェハ１１の保持性や保護性を損なわない範囲で適宜設定できる。具体的には、１〜１００μｍ程度が好ましく、２〜６０μｍ程度がより好ましい。粘着剤層１３ｂの厚さが１μｍ未満の場合、粘着剤層１３ｂの破壊による中間層１３ｃの析出の恐れがあるので好ましくない。その一方、１００μｍを超えると、若干ではあるがピックアップ性が劣る恐れがある。

中間層１３ｃの厚さは、２０〜４００μｍ程度であることが好ましい。この場合、中間層１３ｃの厚さをＴ_１とし、粘着剤層１３ｂの厚さをＴ_２とすると、Ｔ_２／Ｔ_１＝０．０１〜０．５程度であることが好ましく、０．０２〜０．３程度であることがより好ましい。Ｔ_２／Ｔ_１が０．０１未満の場合、半導体ウェハ１１に対する粘着シート１３の剥離が困難になる傾向にある。その一方、Ｔ_２／Ｔ_１が０．５を超える場合、半導体ウェハ１１の凹凸面に対する粘着剤層１３ｂの密着性が低下する。その結果、ダイシングの際の切断ミス、チップ飛び、及びチップ欠けが増加する傾向にあり、異物等の浸入を招来するので好ましくない。

また、本発明の粘着シートは、図４に示す様に、粘着剤層１３ｂの保護のため、その上に剥離層１５を積層してもよい。剥離層１５としては、従来公知のプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンなど）、紙、非極性材料（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）などからなるものが挙げられる。また、剥離層１５には、シリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の離型処理が施されていても良い。これにより、粘着シートを巻いてテープ状にすることができる。剥離層１５の厚みは特に限定されないが、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。

また、本発明の粘着シートは、図５に示すように、剥離層１５を用いず、基材１３ａの片面（粘着剤層１３ｂが設けられている面とは反対側の面）に剥離処理層１６を設けることもできる。剥離処理層１６を設けることにより、粘着シートの巻き戻しを容易にする。

剥離処理層１６は、従来公知の剥離剤を用いて基材１３ａ上に形成することができる。剥離剤としては、例えばシリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキル基含有ポリマー剥離剤などが挙げられる。

（粘着シートの製造方法）
次に、本実施の形態に係る粘着シート１３の製造方法について説明する。
先ず、基材１３ａ上に粘着剤層１３ｂを形成する。即ち、例えば発泡剤とベースポリマー等の配合成分を必要に応じ溶媒を用いて混合する。次に、その発泡剤を含む層組成物を塗布方式等の適宜な方式で、前記基材１３ａ上に展開してシート状の塗布層を形成する。塗布層の層厚は、その後の発泡による体積変化などを考慮して適宜に決定しうる。一般には、半導体ウェハ１１とのバランスから、３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより好ましい。続いて、塗布層に含まれる発泡剤を発泡させ、粘着剤層１３ｂを形成する。発泡は、例えば発泡剤が加熱型である場合には、所定の温度に加熱する等して行う。尚、塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布は直接基材上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材に転写しても良い。

基材１３ａと粘着剤層１３ｂとの間に中間層を形成する場合には、所定の層組成物を調製した後、塗布方式等の適宜な方式で前記基材１３ａ上に展開してシート状の塗布層を形成する。更に、この塗布層を乾燥して中間層１３ｃを形成する。これにより、本実施の形態に係る粘着シート１３を得ることができる。

（その他の事項）
以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。

例えば、本発明は、基板に半導体チップを搭載し、これを樹脂モールドによって樹脂封止して組み立てられた半導体パッケージに対しても適用可能である。即ち、デバイス領域（１つの半導体装置を形成する領域）が複数個区画形成された多数個取り基板を用い、多数個取り基板上の複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを搭載する。その後、モールド金型の１つのキャビティによって複数のデバイス領域を一括に覆った状態で樹脂モールドする。これにより得られた半導体パッケージに、外部接続端子であるバンプを形成する。更に、バンプ形成面に本発明に係る粘着シートを貼り合わせ、ダイシング装置を用いてデバイス領域ごとにダイシングし個片化する。これにより、半導体装置が得られる。この態様では、半導体パッケージのバンプ形成面の汚染や破損を低減し、歩留まり良く半導体基板を製造可能である。

また、前記実施の形態に於いては、予め気泡を有する粘着剤層を例にして半導体装置の製造方法を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、粘着剤層の前駆体としての発泡剤含有層を備えた粘着シートを半導体基板に貼り合わせた後、発泡剤を発泡させて粘着剤層としてもよい。これにより、粘着シートの貼り合わせ後に、半導体基板との間の隙間を埋めて、半導体基板を確実に接着固定することができる。発泡は、例えば発泡剤が熱発泡型の場合には、粘着シートを所定の温度に加熱することにより行うことができる。

以下、本発明について実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

（半導体ウェハの作製）
先ず、６インチの半導体ウェハに外部接続端子としてのバンプを形成した。バンプの高さは、ウェハ毎にそれぞれ８０、１５０または３５０μｍとした。次に、この半導体ウェハの裏面、即ちバンプ形成面と反対側の面を、シリコンウェハ研削機（（株）ディスコ製）により研削した。研削後の半導体ウェハの厚み（バンプの高さを除く）は３００μｍとした。これらの工程を繰り返し、それぞれバンプの高さが異なる半導体ウェハを２５枚ずつ作製した。

（粘着剤の作製）
本実施例及び比較例で使用する粘着剤は、以下の通りにして作製した。

[感圧型粘着剤]
アクリル酸２−エチルヘキシル８２部、アクリル酸３部、及びアクリルアミド１５部を酢酸エチル１００部中で溶液重合し、数平均分子量７０万のアクリル系共重合体ポリマーを得た。続いて、この得られたポリマー１００部に、エステル系可塑剤２０部、メラミン系架橋剤０．１部、及びイソシアネート架橋剤３部を添加して粘着剤を得た。これを感圧型粘着剤Ａとした。

また、感圧型粘着剤Ａに、さらにマイクロカプセルであるマイクロスフィアーを１０部展開して、感圧型粘着剤Ｂを作製した。

[ＵＶ硬化型粘着剤]
アクリル酸エチル７８部、アクリル酸ブチル１００部、及びアクリル酸２−ヒドロキシエチル４０部からなる配合混合物をトルエン溶液中で共重合させ、数平均分子量３０万のアクリル系共重合体ポリマーを得た。続いて、この共重合ポリマーに対し、４３部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００部に対して、さらにポリイソシアネート系架橋剤１部、及びアセトフェノン系光重合開始剤３部を添加して粘着剤を得た。これをＵＶ硬化型粘着剤Ａとした。

また、ＵＶ硬化型粘着剤Ａに、さらにマイクロカプセルであるマイクロスフィアーを１０部展開して、ＵＶ硬化型粘着剤Ｂを作製した。

（ポリマーの作製）
本実施例及び比較例の粘着シートに於いて、発泡層の構成材料として使用するポリマーＡ〜Ｄは、以下の通りにして作製した。

[ポリマーＡ］
アクリル酸ブチル９４部、アクリル酸１部、アクリロニトリル５部を、乳化重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー１００部に対してマイクロカプセル（発泡剤）であるマイクロスフィアー１０部と、イソシアネート系架橋剤０．０５部を添加し、発泡層形成組成物としてのポリマーＡを作製した。

[ポリマーＢ］
アクリル酸２−エチルヘキシル７５部、アクリル酸アミド２０部、アクリル酸５部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー１００部に対して発泡剤としてのトリクロロモノフルオロメタン２０部と、エポキシ系架橋剤０．５部を添加し、発泡層形成組成物としてのポリマーＢを作製した。

[ポリマーＣ］
アクリル酸ブチル９５部、アクリル酸５部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー１００部に対してメラミン系架橋剤５部を添加し、ポリマーＣとした。

[ポリマーＤ］
アクリル酸ブチル９５部、アクリル酸５部をトルエン中で溶液重合法により共重合させ、ポリマーを得た。このポリマー１００部に対してエポキシ系架橋剤０．０２部を添加し、ポリマーＤとした。

（実施例１）
エチレン−酢酸ビニル共重合物（ＥＶＡ）フィルム（厚さ：１４０μｍ）からなる基材上に、予め調製しておいたポリマーＡを塗布し乾燥して塗布層を形成した。更に、加熱温度１３０℃、加熱時間１分間で塗布層を加熱し、発泡剤を発泡させて発泡層（中間層、厚さ：１００μｍ）を形成した。

次いで、基材表面を離型処理した後、発泡層上にＵＶ硬化型粘着剤Ｂを塗布し乾燥して粘着剤層（厚さ：５μｍ）を形成した。これにより、本実施例１に係る粘着シートを得た。

前記の様にして作製した粘着シートを、バンプの高さが８０μｍの半導体ウェハのバンプ形成面にそれぞれ貼り合わせた。貼り合わせは、日東精機（株）製ＤＲ−８５００１１を用いて行った。更に、この粘着シート付きの半導体ウェハをダイシングリングに貼り合せた。

次に、粘着シート付き半導体ウェハのダイシングを行った。ダイシングの条件は、下記の通りとした。即ち、ダイサー：ＤＦＤ−６５１（（株）ディスコ製）、ブレード：２７ＨＥＣＣ（（株）ディスコ製）、ブレード回転数：４００００ｒｐｍ、ダイシング速度：１００ｍｍ／秒、ダイシング深さ：粘着シート表面から３０μｍ、ダイシングサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ、カットモード：ダウンカットとした。

更に、ダイシング後、発泡剤の反応温度に応じて８０〜２５０℃で５〜１５秒間加熱処理をし、次いで半導体チップ（被切断体）２００個をピックアップ（剥離）した。尚、ピックアップの条件は下記の通りとした。即ち、ダイボンダー：ＭａａｃｈｉｎｎｅｒｙＣＰＳ-１００（ＮＥＣ製）、ピン数：４本、ピンの間隔：３．５×３．５ｍｍ、ピン先端曲率：０．２５０ｍｍ、ピン突き上げ性：０．５０ｍｍ、吸着保持時間：０．２秒とした。

（実施例２）
ポリエチレンフィルム（厚さ：２００μｍ）からなる基材上に、実施例１で使用したポリマーＡを塗布し乾燥して塗布層を形成した。更に、加熱温度１３０℃、加熱時間１分間で塗布層を加熱し、発泡剤を発泡させて発泡層（中間層、厚さ：１４０μｍ）を形成した。

次いで、基材表面を離型処理した後、発泡層上に感圧型粘着剤Ｂを塗布し、乾燥して粘着剤層（厚さ：２０μｍ）を形成した。これにより、本実施例２に係る粘着シートを得た。

前記の様にして作製した粘着シートを、バンプの高さが１５０μｍの半導体ウェハのバンプ形成面にそれぞれ貼り合わせた。貼り合わせは、前記実施例１と同様にした。

次に、前記実施例１と同様の条件で、粘着シート付き半導体ウェハのダイシングおよびピックアップを行った。

（実施例３）
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：５０μｍ）からなる基材上に、予め調製しておいたポリマーＢ（発泡層形成組成物）を塗布し乾燥して発泡層（中間層、厚さ：４００μｍ）を形成した。

次いで、基材表面を離型処理した後、発泡層上に前記実施例１で使用したＵＶ硬化型粘着剤Ｂを塗布し、乾燥して粘着剤層（厚さ：４０μｍ）を形成した。これにより、本実施例３に係る粘着シートを得た。

前記の様にして作製した粘着シートを、バンプの高さが３５０μｍの半導体ウェハのバンプ形成面にそれぞれ貼り合わせた。貼り合わせは、前記実施例１と同様にした。

次に、前記実施例１と同様の条件で、粘着シート付き半導体ウェハのダイシングおよびピックアップを行った。

（比較例１）
ＰＥＴフィルム（厚さ：１４０μｍ）からなる基材上に、予め調製しておいたポリマーＣ（発泡層形成組成物）を塗布し、乾燥して発泡層（中間層、厚さ：１００μｍ）を形成した。

次いで、基材表面を離型処理した後、発泡層上に前記実施例２で使用した感圧型粘着剤Ａを塗布し、乾燥して粘着剤層（厚さ：５μｍ）を形成した。これにより、比較例１に係る粘着シートを得た。

前記の様にして作製した粘着シートを、バンプの高さが８０μｍの半導体ウェハのバンプ形成面にそれぞれ貼り合わせてた。貼り合わせは、前記実施例１と同様にした。

次に、前記実施例１と同様の条件で、粘着シート付き半導体ウェハのダイシングおよびピックアップを行った。

（比較例２）
ＥＶＡフィルム（厚さ：５０μｍ）からなる基材上に、予め調製しておいたポリマーＤ（発泡層形成組成物）を塗布し、乾燥して発泡層（中間層、厚さ：２００μｍ）を形成した。

次いで、基材表面を離型処理した後、中間層上に前記実施例１で使用したＵＶ硬化型粘着剤Ａを塗布し、乾燥して粘着剤層（厚さ：４０μｍ）を形成した。これにより、比較例２に係る粘着シートを得た。

前記の様にして作製した粘着シートを、バンプの高さが１５０μｍの半導体ウェハのバンプ形成面にそれぞれ貼り合わせた。貼り合わせは、前記実施例１と同様にした。

次に、前記実施例１と同様の条件で、粘着シート付き半導体ウェハのダイシングおよびピックアップを行った。

なお、粘着剤に感圧接着剤を用いた場合は、研削後粘着シート背面に剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離した。

（物性値の測定方法）
各物性値の測定は、以下の方法により行った。

[数平均分子量の測定]
合成したアクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。アクリル系ポリマーをＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。即ち、ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（東ソー製）、カラム：｛（ＧＭＨ_ＨＲ−Ｈ）＋（ＧＭＨ_ＨＲ−Ｈ）＋（Ｇ２０００Ｈ_ＨＲ）｝（東ソー製）、流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ、濃度：０．１ｗｔ％、注入量：１００μｌ、カラム温度：４０℃、溶離液：ＴＨＦとした。

[せん断弾性率]
実施例１〜３、並びに比較例１および２と同様の方法で作製した粘着シートに於ける粘着剤層ついて、それぞれ２５℃に於ける剪断弾性率の測定を行った。即ち、せん断弾性率測定装置（レオメトリック社製、ＡＲＥＳ）を用いて、温度２５℃、周波数（ω）１Ｈｚ、プレート径７．９ｍｍφ、及び歪み１５％（２５℃）の条件で各粘着シートのせん断弾性率を測定した。また、サンプルの厚さは３ｍｍとした。結果を表１に示す。

[ゲル分]
実施例１〜３、並びに比較例１および２と同様の方法で作製した粘着シートについて、それぞれ粘着剤層のゲル分率の測定を行った。即ち、０．８０ｇのポリマーをフッ素樹脂フィルムに包み、初期重量（Ｗ_１）を測定した。次に、トルエンと酢酸エチルの混合溶剤（混合比１：１）中に２５℃で７日間浸潰させた後、サンプルを１３０℃にて１２時間乾燥し、重量を測定した。その後、以下の式に従い計算を行うことで算出した。結果を表１に示す。

[空孔の有無]
実施例１〜３、並びに比較例１および２と同様の方法で作製した粘着シートについて、それぞれ空孔を観察した。即ち、各粘着シートを凍結ミクロトームで切断した後、その断面をＳＥＭ（ＨＩＴＡＣＨＩ社製、Ｓ−３２００Ｎ）装置を用いて倍率５０００倍にて観察し、空孔の有無を確認した。結果を表１に示す。

（評価）
各実施例１〜３、並びに比較例１および２に於いて、研削、ダイシングおよびピックアップの際の評価を行った。評価項目は、「水浸入」、「ウェハ割れ」および「ピックアップ性」である。各評価項目については、下記に示す通りに行った。

[水浸入評価]
研削中に半導体ウェハと各粘着シートとの間に研削水が染み込んでいるか否かについて、粘着シートを剥離して光学顕微鏡観察（１００倍、２００倍）により観察した。そして、２５枚中１枚でもウェハ個片上に水が確認された半導体ウェハは、水浸入有りとした。尚、粘着シートの剥離は、粘着シートに４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離して行った。また、粘着剤に感圧接着剤を用いた場合は、研削後粘着シート背面に剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離して行った。

[ウェハ割れ]
ダイシングにより、半導体ウェハの割れが２５枚中１枚でも発生した場合は、割れ有りとした。

[ピックアップ性]
ダイシング後の半導体チップをピックアップし、２５枚中ピックアップが成功した枚数をカウントし、その成功率を算出した。

前記評価方法により評価した結果を下記表１に示す。

同表から明らかな様に、実施例１〜３に於いては、水浸入やウェハの汚染、およびウェハ割れは発生しなかった。また、ピックアップ成功率も１００％であり、ピックアップ性も良好であった。その一方、比較例１および２に於いては、各粘着シートは、半導体ウェハの凹凸面に対し追従性がなく水浸入、およびウェハ割れが発生した。また、ピックアップ成功率もそれぞれ５％、８％に留まった。

本発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図であって、図１（ａ）はバンプが形成された半導体ウェハの状態を示し、同図（ｂ）は該半導体ウェハに粘着シートを貼り付けた状態を示し、同図（ｃ）は半導体ウェハをダイシングする状態を示す。 本発明の実施の一形態に係る粘着シートを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態に係る粘着シートを示す断面模式図である。 本発明の更に他の実施の形態に係る粘着シートを示す断面模式図である。 本発明の更に他の実施の形態に係る粘着シートを示す断面模式図である。

符号の説明

１１ 半導体ウェハ
１２ バンプ
１３ 粘着シート
１３ａ 基材
１３ｂ 粘着剤層
１３ｃ 中間層
１５ 剥離層
１６ 剥離処理層
１７ 半導体チップ

Claims (9)

1. 半導体基板加工用の粘着シートを、所定のパターン面が形成された半導体基板に貼り付けて、該半導体基板を加工する半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体基板と、前記粘着シートであって気泡を有する粘着剤層を基材上に少なくとも備えた粘着シートとを、前記パターン面を接着面として貼り合わせる工程と、
   前記半導体基板をダイシングにより切断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記粘着シートとして、前記基材と粘着剤層との間に中間層を備えるものを使用し、
   前記中間層の厚さＴ_１が２０〜４００μｍであり、前記粘着剤層の厚さＴ_２が１〜１００μｍであり、かつその比がＴ_２／Ｔ_１＝０．０１〜０．５であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記粘着剤層は、アクリル系ポリマーを構成材料とすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記アクリル系ポリマーとして、分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のポリマーを使用することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記粘着シートとして、２５℃における剪断弾性率が５〜７５０ｋＰａであり、ゲル分が１０〜５０重量％であり、かつ、厚さが２０〜５００μｍの粘着剤層を有するものを使用することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体基板と粘着シートとを貼り合わせる工程の後であって、半導体基板を切断する工程の前又は後に、該半導体基板のパターン面とは反対側の面を薄型加工する工程を行うことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記粘着シートとして透過性を有するものを使用し、前記粘着シートが貼り合わされた前記半導体基板の位置合わせを行う為に、該粘着シート又は半導体基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体基板として、半導体メモリー用のものを使用することを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法に用いられるものであることを特徴とする半導体基板加工用の粘着シート。

Images