WO2022153794A1

WO2022153794A1 - フィルム及び半導体パッケージの製造方法

Info

Publication number: WO2022153794A1
Application number: PCT/JP2021/047062
Authority: WO
Inventors: 聡史竹中; 省吾小寺; 哲也長谷川
Original assignee: Ａｇｃ株式会社
Priority date: 2021-01-18
Filing date: 2021-12-20
Publication date: 2022-07-21
Also published as: TW202230543A; DE112021006833T5; MX2023008318A; KR20230135057A; CN116783259A; US20230348759A1; JPWO2022153794A1

Abstract

基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備え、前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上であるフィルム：伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））、及び当該フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法。

Description

フィルム及び半導体パッケージの製造方法

　　本開示は、フィルム及び半導体パッケージの製造方法に関する。

　半導体素子は外気からの遮断及び保護のため、パッケージの形態に封止されて基板上に実装される。半導体素子の封止には、エポキシ樹脂等の硬化性樹脂が用いられる。樹脂封止は、半導体素子を金型内の所定の場所に配置し、金型内に硬化性樹脂を充填して硬化させることによって行われる。封止の方法としては、トランスファ成形法及び圧縮成形法が一般的に知られている。半導体素子の封止において、金型からのパッケージの離型性向上のため、金型の内面に離型用のフィルムを配置することが多い。例えば、特許文献１～３には、半導体パッケージの製造に適したフィルムが記載されている。

国際公開第２０１５／１３３６３０号国際公開第２０１６／０９３１７８号国際公開第２０１６／１２５７９６号

　半導体パッケージにおいて、放熱性の向上又は薄型化を目的として、半導体素子、ソース電極、シーリングガラス等の電子部品を封止樹脂から露出させることがある。このような露出部を有する電子部品装置としては、センサが代表的である。電子部品の一部が封止樹脂から露出した半導体パッケージは、露出させたい部分を金型に押し当てたまま硬化性樹脂を充填して硬化させることにより製造される。

　かかる露出部を有する半導体パッケージの製造において離型用のフィルムを用いる場合、フィルムと電子部品の露出部とを直接接触させた状態で封止を行う。このとき、封止後の半導体パッケージをフィルムから剥離する際にフィルムの粘着層等の成分の一部が電子部品に付着したまま残り、電子部品を汚染してしまうことがある。フィルムの成分の移行による電子部品の汚染に対処するため、特許文献３では、特定の貯蔵弾性率を有する基材と、特定の官能基比率を有するアクリル重合体と多官能イソシアネート化合物との反応硬化物を含む粘着層と、を備えるフィルムが提案されている。

　しかしながら、近年の半導体パッケージ形状のさらなる複雑化、露出部を有する半導体パッケージの高低差の増加等に伴い、フィルムを複雑な形状に追従させて用いることが増えている。このとき、フィルムの伸張に伴い粘着層の成分が封止体に移行する、いわゆる糊残りが発生しやすく、封止体を汚染させやすいことがわかった。

　本開示は、伸張させても粘着層の成分が封止体に移行することを抑制可能なフィルム、及び当該フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することに関する。

　前記課題を解決するための手段は、以下の態様を含む。
＜１＞　基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、
　前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、
　引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上であることを特徴とする、フィルム。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
＜２＞　基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、
　前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである硬化剤と、の反応硬化物を含み、
　前記（メタ）アクリル重合体はカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体を含むことを特徴とする、フィルム。
＜３＞　引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上である、＜２＞に記載のフィルム。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
＜４＞　前記下地層の酸価が、１～８０ｍｇＫＯＨ／ｇである、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜５＞　前記硬化剤が金属キレートを含み、前記（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する前記金属キレートの量が０．１～１０質量部である、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜６＞　前記硬化剤がエポキシ化合物を含み、前記（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する前記エポキシ化合物の量が０．１～１０質量部である、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜７＞　前記基材がフッ素樹脂を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜８＞　前記フッ素樹脂が、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン－ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、及びテトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－ビニリデンフルオリド共重合体からなる群より選択される少なくとも１つを含む、＜７＞に記載のフィルム。
＜９＞　前記基材がコロナ処理又はプラズマ処理されている、＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜１０＞　前記粘着層が、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体と、多官能イソシアネート化合物と、の反応硬化物を含む、＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜１１＞　前記下地層と前記粘着層との間に更に帯電防止層を備える、＜１＞～＜１０＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜１２＞　半導体素子を硬化性樹脂で封止する工程で用いられる離型フィルムである、＜１＞～＜１１＞のいずれか１項に記載のフィルム。
＜１３＞　前記＜１＞～＜１２＞のいずれか１項に記載のフィルムを金型内面に配置することと、
　前記フィルムが配置された前記金型内に、半導体素子が固定された基板を配置することと、
　前記金型内の半導体素子を硬化性樹脂で封止して、封止体を作製することと、
　前記封止体を前記金型から離型することと、
を含む、半導体パッケージの製造方法。

　本開示によれば、伸張させても粘着層の成分が封止体に移行することを抑制可能なフィルム、及び当該フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法が提供される。

本開示の一態様におけるフィルムの概略断面図を示す。

　以下、本開示の実施形態を詳細に説明するが、本開示の実施形態は以下の実施形態に限定されるものではない。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
　本開示において、重合体の「単位」とは、重合体中に存在して重合体を構成する、単量体に由来する部分を意味する。また、ある単位の構造を重合体形成後に化学的に変換したものも単位という。なお、場合によっては、個々の単量体に由来する単位をその単量体名に「単位」を付した名称で呼ぶ。
　本開示において、フィルム及びシートを、その厚さにかかわらず「フィルム」と称する。
　本開示において、アクリレート及びメタクリレートを「（メタ）アクリレート」と総称し、アクリル及びメタクリルを「（メタ）アクリル」と総称する。
　本開示において、第１の実施形態に係るフィルム及び第２の実施形態に係るフィルムを包括して「本開示のフィルム」ということがある。

≪フィルム≫
　本開示の第１の実施形態に係るフィルムは、基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上である。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
　以下、前記方法で測定される伸び率を単に「伸び率」ともいう。

　本開示の第２の実施形態に係るフィルムは、基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである硬化剤と、の反応硬化物を含み、前記（メタ）アクリル重合体はカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体を含む。

　本開示のフィルムは、特に複雑な形状を有する半導体パッケージの素子封止において、糊残りの発生を抑制可能であることが見出された。発明者らは、複雑な形状を有する半導体パッケージの素子封止において、フィルムを伸張させると、フィルムの粘着層が複雑な形状に追従できずに割れてしまい、その結果、粘着層が基材から剥離して半導体パッケージの封止樹脂に転移すると推測した。そこで、粘着層が複雑な形状にも追従可能であり、これにより基材から剥離しにくいフィルムの作製を試み、本開示のフィルムを開発するに至った。
　第１の実施形態に係るフィルムは、基材と粘着層との間に下地層を有し、下地層が（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、下地層の伸び率が９０％以上である。基材と粘着層の間に、伸び率９０％以上の下地層を設けることにより、基材の伸張による応力の粘着層への伝播が緩和され、粘着層の割れが抑制されると考えられる。また、これによって、粘着層が基材から剥離しにくく、粘着層の成分の移行が抑制されると考えられる。
　第２の実施形態に係るフィルムは、基材と粘着層との間に下地層を有し、下地層が、カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体を含む（メタ）アクリル重合体と、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである硬化剤と、の反応硬化物を含む。（メタ）アクリル重合体に対して硬化剤として金属キレートを用いると、（メタ）アクリル重合体中のカルボキシ基と金属キレートとが配位結合による緩い架橋構造を形成するため、伸張性の高い下地層が得られるものと推測される。また、硬化剤としてエポキシ化合物を用いても、伸張性の高い下地層が得られることが見出された。基材と粘着層の間に、かかる下地層を設けることにより、基材の伸張による応力の粘着層への伝播が緩和され、粘着層の割れが抑制されると考えられる。また、これによって、粘着層が基材から剥離しにくく、粘着層の成分の移行が抑制されると考えられる。

　以下、図面を用いてフィルムの構成例を説明する。なお、本開示のフィルムは図面の態様に限定されない。
　図１は、本開示のフィルムの一態様を示す概略断面図である。フィルム１は、基材２と、下地層３と、粘着層４と、をこの順に備える。フィルムが半導体素子の封止に用いられる場合には、基材２が金型と接するように配置され、樹脂封止後、粘着層４は、封止体（すなわち、半導体素子が封止された半導体パッケージ）と接する。フィルム１は、帯電防止層等、他の層を備えていてもよい。
　以下、本開示のフィルムの各層について詳述する。

＜基材＞
　基材の材質は特に制限されず、フィルムの離型性の観点から、離型性を有する樹脂（以下、「離型性樹脂」ともいう。）を含むことが好ましい。離型性樹脂とは、当該樹脂のみからなる層が離型性を有する樹脂を意味する。離型性樹脂としては、フッ素樹脂、ポリメチルペンテン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリシクロオレフィン、シリコーンゴム、ポリエステルエラストマー、ポリブチレンテレフタレート、無延伸ナイロン等が挙げられる。金型からの離型性、封止時の金型の温度（例えば１８０℃）における耐熱性、硬化性樹脂の流動及び加圧力に耐え得る強度、高温における伸び等の観点から、フッ素樹脂、ポリメチルペンテン、シンジオタクチックポリスチレン、及びポリシクロオレフィンが好ましく、離型性に優れる観点から、フッ素樹脂がより好ましい。基材に含まれる樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。基材は、フッ素樹脂のみからなることが特に好ましい。

　フッ素樹脂としては、離型性及び耐熱性に優れる観点から、フルオロオレフィン重合体が好ましい。フルオロオレフィン重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位を有する重合体である。フルオロオレフィン重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位以外の他の単位を更に有してもよい。
　フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。フルオロオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　フルオロオレフィン重合体としては、ＥＴＦＥ、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン－ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－ビニリデンフルオリド共重合体（ＴＨＶ）等が挙げられる。フルオロオレフィン重合体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　フルオロオレフィン重合体としては、高温での伸びが大きい観点から、ＥＴＦＥが好ましい。ＥＴＦＥは、ＴＦＥ単位とエチレン単位（以下、「Ｅ単位」ともいう。）とを有する共重合体である。
　ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥ単位と、Ｅ単位と、ＴＦＥ及びエチレン以外の第３の単量体に基づく単位と、を有する重合体が好ましい。第３の単量体に基づく単位の種類及び含有量によって、ＥＴＦＥの結晶化度を調整しやすく、これにより基材の貯蔵弾性率又は他の引張特性を調整しやすい。例えばＥＴＦＥが第３の単量体（特にフッ素原子を有する単量体）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する傾向にある。

　第３の単量体としては、フッ素原子を有する単量体と、フッ素原子を有しない単量体とが挙げられる。
　フッ素原子を有する単量体としては、下記の単量体（ａ１）～（ａ５）が挙げられる。
　単量体（ａ１）：炭素数２又は３のフルオロオレフィン類。
　単量体（ａ２）：Ｘ（ＣＦ_２）_ｎＣＹ＝ＣＨ_２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子又はフッ素原子であり、ｎは２～８の整数である。）で表されるフルオロアルキルエチレン類。
　単量体（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
　単量体（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
　単量体（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素単量体。

　単量体（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、２－ヒドロペンタフルオロプロピレン等）などが挙げられる。

　単量体（ａ２）としては、ｎが２～６の単量体が好ましく、ｎが２～４の単量体がより好ましい。また、Ｘがフッ素原子であり、Ｙが水素原子である単量体、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが好ましい。
　単量体（ａ２）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２（（ペルフルオロブチル）エチレン（ＰＦＢＥ））、
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２等。

　単量体（ａ３）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。なお、下記のうちジエンである単量体は環化重合し得る単量体である。
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ））、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_２（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_２ＣＦ＝ＣＦ_２等。

　単量体（ａ４）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_２Ｆ等。

　単量体（ａ５）の具体例としては、ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）、２，２，４－トリフルオロ－５－トリフルオロメトキシ－１，３－ジオキソール、ペルフルオロ（２－メチレン－４－メチル－１，３－ジオキソラン）等が挙げられる。

　フッ素原子を有しない単量体としては、下記の単量体（ｂ１）～（ｂ４）が挙げられる。
　単量体（ｂ１）：オレフィン類、
　単量体（ｂ２）：ビニルエステル類、
　単量体（ｂ３）：ビニルエーテル類、
　単量体（ｂ４）：不飽和酸無水物。

　単量体（ｂ１）の具体例としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
　単量体（ｂ２）の具体例としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
　単量体（ｂ３）の具体例としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
　単量体（ｂ４）の具体例としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等が挙げられる。

　第３の単量体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　第３の単量体としては、結晶化度を調整しやすい観点、及び高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度に優れる観点から、単量体（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、及び酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、及びＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが更に好ましい。すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位と、を有する共重合体が好ましい。

　ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥ単位と、Ｅ単位とのモル比（ＴＦＥ単位／Ｅ単位）は、８０／２０～４０／６０が好ましく、７０／３０～４５／５５がより好ましく、６５／３５～５０／５０が更に好ましい。ＴＦＥ単位／Ｅ単位が前記範囲内であると、ＥＴＦＥの耐熱性及び機械的強度に優れる。

　ＥＴＦＥ中の第３の単量体に基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．０１～２０モル％が好ましく、０．１０～１５モル％がより好ましく、０．２０～１０モル％が更に好ましい。第３の単量体に基づく単位の割合が前記範囲内であると、ＥＴＦＥの耐熱性及び機械的強度に優れる。

　第３の単量体に基づく単位がＰＦＢＥ単位を含む場合、ＰＦＢＥ単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．５～４．０モル％が好ましく、０．７～３．６モル％がより好ましく、１．０～３．６モル％が更に好ましい。ＰＦＢＥ単位の割合が前記範囲内であると、フィルムの１８０℃における引張弾性率を前記範囲内に調整できる。また、高温、特に１８０℃前後における引張強伸度が向上する。

　基材は、離型性樹脂のみからなってもよく、離型性樹脂に加えて、他の成分を更に含んでもよい。他の成分としては、滑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、可塑剤、離型剤等が挙げられる。基材は、金型を汚しにくい観点からは、他の成分を含まないことが好ましい。

　基材の厚さは、２５～２５０μｍが好ましく、２５～１００μｍがより好ましく、２５～７５μｍが更に好ましい。基材の厚さが前記範囲の上限値以下であると、フィルムが容易に変形可能で、金型追従性に優れる。基材の厚さが前記範囲の下限値以上であると、フィルムの取り扱い、例えばロール・トゥ・ロールでの扱いが容易であり、フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。
　基材の厚さは、ＩＳＯ　４５９１：１９９２（ＪＩＳ　Ｋ７１３０：１９９９）のＢ１法：プラスチックフィルム又はシートから採った試料の質量法による厚さの測定方法）に準拠して測定できる。以下、フィルムの各層の厚さについても同様である。

　基材の表面は表面粗さを有していてもよい。基材の表面の算術平均粗さＲａは、０．２～３．０μｍが好ましく、０．２～２．５μｍがより好ましい。基材の表面の算術平均粗さＲａが前記範囲の下限値以上であると、金型からの離型性がより優れる。また、基材の表面と金型がブロッキングを起こしにくく、ブロッキングによるシワが生じにくい。基材の表面の算術平均粗さＲａが前記範囲の上限値以下であると、フィルムにピンホールが開きにくい。
　算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ　４２８７：１９９７、Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される。粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとする。

　基材の、他の層と隣接する表面には任意の表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、コロナ処理、プラズマ処理、シランカップリング剤塗工、接着剤の塗布等が挙げられる。基材と他の層との密着性の観点からは、コロナ処理又はプラズマ処理が好ましい。

　基材と隣接する層との密着性の観点からは、基材の、下地層側の表面の濡れ張力は、２０ｍＮ／ｍ以上が好ましく、３０ｍＮ／ｍ以上がより好ましく、３５ｍＮ／ｍ以上が特に好ましい。濡れ張力の上限は特に制限されず、８０ｍＮ／ｍ以下でもよい。

　基材は単層であってもよく、多層構造を有していてもよい。多層構造としては、それぞれの層が離型性樹脂を含む複数の層が積層した構造が挙げられる。この場合、複数の層にそれぞれ含まれる離型性樹脂は同一でも異なってもよい。金型追従性、引張伸度、製造コスト等の観点からは、基材は単層であることが好ましい。フィルム強度の観点からは、基材は多層構造を有することが好ましい。多層構造は、例えば、前述の離型性樹脂（好ましくはフッ素樹脂）を含む層を、ポリエステル、ポリブチレンテレフタラート、ポリスチレン（シンジオタクチックが好ましい。）、ポリカーボネート等の樹脂を含む樹脂フィルム（樹脂のみを含むフィルムであってもよい。）に積層させた構造であってもよく、第１の離型性樹脂を含む層、前記樹脂フィルム、及び第２の離型性樹脂を含む層、をこの順に積層させた構造であってもよい。離型性樹脂を含む層と樹脂フィルムとは接着剤を介して積層させてもよい。それぞれの離型性樹脂を含む層の片面又は両面に、コロナ処理又はプラズマ処理が施されていてもよい。基材がかかる多層構造を有する場合、離型性樹脂を含む層が下地層側に配置されることが好ましい。基材がかかる多層構造を有する場合、下地層側に配置される離型性樹脂を含む層の下地層側の表面はコロナ処理又はプラズマ処理が施されていることが好ましい。

＜下地層＞
　下地層は、（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、基材と粘着層との間に設けられる。

　下地層の酸価は特に制限されず、１～８０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１～４０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、１～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましく、５～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。酸価が前記範囲の上限値以下であると、下地層の伸張性に優れる。酸価が前記範囲の下限値以上であると、下地層の密着性に優れる。
　下地層の酸価は、ＪＩＳ　Ｋ００７０：１９９２に規定される方法により測定される。また、下地層の酸価は下式から算出できる。

　下地層の酸価（ｍｇＫＯＨｇ／ｇ）＝（（用いたカルボキシル基含有（メタ）アクリル重合体の総質量）×その酸価）÷（用いた（メタ）アクリル重合体、金属キレート及び追加で加えられた材料の固形分総質量）

　なお、下地層に複数種のカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体が用いられる場合は、上式中「その酸価」は、当該複数種のカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体全体の酸価の算術平均値である。

（（メタ）アクリル重合体）
　（メタ）アクリル重合体は、（メタ）アクリロイル基を有する単量体又は（メタ）アクリル酸（以下、（メタ）アクリロイル基を有する単量体又は（メタ）アクリル酸を「（メタ）アクリル単量体」ともいう。）由来の構成単位を有する重合体である。（メタ）アクリル重合体全体に対する（メタ）アクリル単量体由来の構成単位の割合は特に制限されず、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。

　（メタ）アクリル重合体の重合成分である（メタ）アクリル単量体は、１種でも２種以上でもよい。（メタ）アクリル単量体としては、ヒドロキシ基及びカルボキシ基を含有しない（メタ）アクリレート、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート、カルボキシ基含有（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。（メタ）アクリル重合体は、これらの（メタ）アクリル単量体を任意に組み合わせて重合させた重合体であってもよい。

　ヒドロキシ基及びカルボキシ基を含有しない（メタ）アクリレートとしては、アルキル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、トルイル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２－アミノエチル（メタ）アクリレート、３－（メタクリロイルオキシプロピル）トリメトキシシラン、トリフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２－トリフルオロメチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチル－２－ペルフルオロブチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペルフルオロメチル（メタ）アクリレート、ジペルフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロメチル－２－ペルフルオロエチルメチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロヘキシルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロデシルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロヘキサデシルエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～１２の化合物が好ましく、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレートとしては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、２－アクリロイルオキシエチル－２－ヒドロキシエチル－フタル酸等が挙げられる。

　カルボキシ基含有（メタ）アクリレートとしては、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　（メタ）アクリル酸としては、アクリル酸及びメタクリル酸が挙げられる。

　一態様において、（メタ）アクリル重合体は、カルボキシ含有（メタ）アクリル重合体を含むことが好ましい。カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体としては、カルボキシ基含有単量体を構成成分とする（メタ）アクリル重合体、例えばカルボキシ基含有（メタ）アクリル単量体を重合成分とする（メタ）アクリル重合体が挙げられる。カルボキシ基含有（メタ）アクリル単量体としては、前記カルボキシ基含有（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体は、カルボキシ基含有（メタ）アクリル単量体のみを構成成分としてもよく、カルボキシ基含有（メタ）アクリル単量体とその他の単量体との共重合体であってもよい。

　（メタ）アクリル重合体の質量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～１００万が好ましく、５万～８０万がより好ましく、１０万～６０万が更に好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、下地層の強度に優れる。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、下地層の伸張性に優れる。

　カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体のＭｗは、１万～１００万が好ましく、５万～８０万がより好ましく、１０万～６０万が更に好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、下地層の強度に優れる。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、下地層の伸張性に優れる。

　（メタ）アクリル重合体のＭｗは、分子量既知の標準ポリスチレン試料を用いて作成した検量線を用い、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定することによって得られるポリスチレン換算の値である。

　（メタ）アクリル重合体の酸価は特に制限されず、１～８０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１～４０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、１～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましく、５～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。酸価が前記範囲の上限値以下であると、下地層の伸張性に優れる。酸価が前記範囲の下限値以上であると、下地層の密着性に優れる。下地層に複数種の（メタ）アクリル重合体が用いられる場合は、前記範囲は当該複数種の（メタ）アクリル重合体全体の酸価の好ましい範囲である。

　カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体の酸価は特に制限されず、１～８０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１～４０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、１～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましく、５～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。酸価が前記範囲の上限値以下であると、下地層の伸張性に優れる。酸価が前記範囲の下限値以上であると、下地層の密着性に優れる。

　（メタ）アクリル重合体の酸価は、ＪＩＳ　Ｋ００７０：１９９２に規定される方法により測定される。（メタ）アクリル重合体の酸価は、硬化剤と反応したときの架橋の形成しやすさの指標となる。

（硬化剤）
　硬化剤は、（メタ）アクリル重合体と反応して硬化を生じるものであれば特に制限されない。硬化剤としては、多官能イソシアネート化合物、金属キレート、エポキシ化合物等が挙げられる。

　多官能イソシアネート化合物としては、粘着層の成分として後述する多官能イソシアネート化合物が挙げられる。

　一態様において、硬化剤は、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つであってもよい。一態様において、下地層は、（メタ）アクリル重合体と、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む硬化剤と、の反応硬化物を含み、前記（メタ）アクリル重合体はカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体を含む。

－金属キレート－
　金属キレートとしては、多価金属原子及び有機化合物が配位結合している化合物が挙げられる。金属キレートは１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　多価金属原子としては、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｔｉ等が挙げられる。低コスト及び入手し易さの観点からは、Ａｌ、Ｚｒ、及びＴｉからなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、Ａｌがより好ましい。
　多価金属原子と配位結合する有機化合物としては、酸素原子を有する有機化合物が挙げられる。酸素原子を有する有機化合物としては、アルキルエステル、アルコール化合物、カルボン酸化合物、エーテル化合物、ケトン化合物等が挙げられる。

　比較的安定かつ取り扱いが容易な観点から、金属キレートとしては、アルミニウムキレートが好ましい。アルミニウムキレートとしては、アルミニウムトリスアセチルアセトネート等が挙げられる。

　硬化剤が金属キレートを含む場合、（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する金属キレートの量は、０．１～１０質量部が好ましく、０．５～１０質量部がより好ましく、１．０～１０質量部が更に好ましく、２．５～１０質量部が特に好ましい。金属キレートの量が前記範囲の上限値以下であると、未反応の金属キレートの増加による粘着層の剥離を抑制できる。金属キレートの量が前記範囲の下限値以上であると、未反応の（メタ）アクリル重合体の増加による粘着層の剥離を抑制できる。

　硬化剤が金属キレートを含み、カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体と併用される場合、カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する金属キレートの量は、０．１～１０質量部が好ましく、０．５～１０質量部がより好ましく、１．０～１０質量部が更に好ましく、２．５～１０質量部が特に好ましい。金属キレートの量が前記範囲の上限値以下であると、未反応の金属キレートの増加による粘着層の剥離を抑制できる。金属キレートの量が前記範囲の下限値以上であると、未反応のカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体の増加による粘着層の剥離を抑制できる。

－エポキシ化合物－
　エポキシ化合物としては、１分子中に２つ以上のエポキシ基を有する化合物が挙げられる。エポキシ化合物のエポキシ基数は、２以上が好ましく、２～６がより好ましい。

　エポキシ化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、レゾルシノールジグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル等が挙げられる。エポキシ化合物は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　エポキシ化合物としては市販品を用いてもよい。市販品の例としては、三菱ガス化学社製ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（商品名）、ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ（商品名）、ナガセケムテックス社製デナコール（登録商標）ＥＸ－２０１（商品名）、デナコール（登録商標）ＥＸ－３１３（商品名）等が挙げられる。

　エポキシ化合物のエポキシ当量は、架橋密度を高めすぎず、高い伸張性を得る観点からは、３００ｇ／ｅｑ以下が好ましく、２００ｇ／ｅｑ以下がより好ましく、１５０ｇ／ｅｑ以下が更に好ましく、１２０ｇ／ｅｑ以下が特に好ましい。下地層の強度を高める観点からは、エポキシ化合物のエポキシ当量は、３０ｇ／ｅｑ以上が好ましく、５０ｇ／ｅｑ以上がより好ましく、９０ｇ／ｅｑ以上が更に好ましい。かかる観点から、エポキシ化合物のエポキシ当量は、３０～３００ｇ／ｅｑが好ましく、５０～２００ｇ／ｅｑがより好ましく、９０～１２０ｇ／ｅｑが更に好ましい。

　硬化剤がエポキシ化合物を含む場合、（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対するエポキシ化合物の量は０．１～１０質量部が好ましく、０．５～１０質量部がより好ましく、１．０～１０質量部が更に好ましく、２．５～１０質量部が特に好ましい。エポキシ化合物の量が前記範囲の上限値以下であると、未反応のエポキシ化合物の増加による粘着層の剥離を抑制できる。エポキシ化合物の量が前記範囲の下限値以上であると、未反応の（メタ）アクリル重合体の増加による粘着層の剥離を抑制できる。

　硬化剤がエポキシ化合物を含み、カルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体と併用される場合、（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対するエポキシ化合物の量は０．１～１０質量部が好ましく、０．５～１０質量部がより好ましく、１．０～１０質量部が更に好ましく、２．５～１０質量部が特に好ましい。エポキシ化合物の量が前記範囲の上限値以下であると、未反応のエポキシ化合物の増加による粘着層の剥離を抑制できる。エポキシ化合物の量が前記範囲の下限値以上であると、未反応のカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体の増加による粘着層の剥離を抑制できる。

〔下地層の厚さ〕
　下地層の厚さは０．１～３．０μｍが好ましく、０．２～２．５μｍがより好ましく、０．３～２．０μｍが更に好ましい。下地層の厚さが前記範囲の下限値以上であると、基材の伸びに対する応力緩和に優れる。下地層の厚さが前記範囲の上限値以下であると、粘着層の塗工安定性に優れる。

〔下地層の伸び率〕
　下地層の伸び率は９０％以上が好ましく、１００％以上がより好ましく、１５０％以上が更に好ましく、２００％以上が特に好ましく、３００％以上が極めて好ましい。伸び率の上限は特に制限されず、伸び率は６００％以下であってもよく、５００％以下であってもよい。下地層の伸び率は以下の条件で測定される。
　２５℃、速度１００ｍｍ／分の条件で引張試験を行い、伸び率を下記式で求める。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
　伸び率は、具体的には、実施例に記載の方法で測定される。

　下地層の伸び率を調整する方法は特に制限されず、下地層の成分の種類、配合等を調整することにより行える。例えば、架橋密度を低下させるように下地層の成分を配合すること、架橋構造を緩やかなものとするように下地層の成分を選択すること等により、伸び率を９０％以上に調整できる。

＜粘着層＞
　粘着層は、他部材に対する粘着性を有する層である。粘着層の材質は特に制限されない。一態様において、粘着層は、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体と、多官能イソシアネート化合物と、の反応硬化物を含んでいてもよい。この場合、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体が多官能イソシアネート化合物と反応して架橋し、反応硬化物となる。粘着層は、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体と、多官能イソシアネート化合物と、その他の成分と、の反応硬化物であってもよい。

（ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体）
　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体が有するヒドロキシ基は、多官能イソシアネート化合物中のイソシアナート基と反応する架橋官能基である。
　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体の水酸基価は、１～１００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、２９～１００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。水酸基価は、ＪＩＳ　Ｋ００７０：１９９２に規定される方法より測定される。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体は、カルボキシ基を有していてもよく、有していなくてもよい。カルボキシ基は、ヒドロキシ基と同様に、多官能イソシアネート化合物中のイソシアナート基と反応する架橋官能基である。
　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体の酸価は、０～１００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、０～３０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。酸価は、水酸基価と同様にＪＩＳ　Ｋ００７０：１９９２に規定される方法により測定される。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体の架橋官能基当量、すなわちヒドロキシ基とカルボキシ基との合計当量は、２，０００ｇ／モル以下が好ましく、５００～２，０００ｇ／モルがより好ましく、１，０００～２，０００ｇ／モルが更に好ましい。
　架橋官能基当量は、架橋点間分子量に相当し、架橋後の弾性率、すなわち反応硬化物の弾性率を支配する物性値である。架橋官能基当量が前記範囲の上限値以下であると、反応硬化物の弾性率が高くなり、粘着層の、樹脂、電子部品等に対する離型性に優れる。また、樹脂、電子部品等への粘着層の成分の移行が抑制される。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体において、ヒドロキシ基は、側基に存在していてもよく、主鎖末端に存在していてもよく、側鎖と主鎖の両方に存在していてもよい。ヒドロキシ基の含有量を調整しやすい点から、少なくとも側基に存在していることが好ましい。

　ヒドロキシ基が側基に存在しているヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体としては、以下の単位（ｃ１）と単位（ｃ２）とを有する共重合体が好ましい。
　単位（ｃ１）：ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位
　単位（ｃ２）：単位（ｃ１）以外の単位

　単位（ｃ１）としては、例えば以下の単位が挙げられる。
　－（ＣＨ_２－ＣＲ^１（ＣＯＯ－Ｒ^２－ＯＨ））－

　単位（ｃ１）において、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ^２は、炭素数２～１０のアルキレン基、炭素数３～１０のシクロアルキレン基、又は－Ｒ^３－ＯＣＯ－Ｒ^５－ＣＯＯ－Ｒ^４－である。Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に炭素数２～１０のアルキレン基であり、Ｒ^５はフェニレン基である。
　Ｒ^１としては、水素原子が好ましい。
　Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４におけるアルキレン基は、直鎖状でもよく分岐状でもよい。

　単位（ｃ１）となる単量体の具体例としては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、２－アクリロイルオキシエチル－２－ヒドロキシエチル－フタル酸等が挙げられる。単位（ｃ１）となる単量体は１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　単位（ｃ１）としては、ヒドロキシ基の反応性に優れる観点から、Ｒ^２が炭素数２～１０のアルキレン基であるものが好ましい。すなわち、炭素数２～１０のヒドロキシアルキル基を有するヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート単位が好ましい。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体を構成する全単位の合計（１００モル％）に対する単位（ｃ１）の割合は、３～３０モル％が好ましく、３～２０モル％がより好ましい。単位（ｃ１）の割合が前記範囲の下限値以上であると、多官能イソシアネート化合物による架橋密度が充分に高くなり、粘着層の、樹脂、電子部品等に対する離型性に優れる。単位（ｃ１）の割合が前記範囲の上限値以下であると、粘着層の密着性に優れる。

　単位（ｃ２）は、単位（ｃ１）を形成する単量体と共重合可能なものであれば特に限定されない。単位（ｃ２）はカルボキシ基を有していてもよいが、カルボキシ基以外のイソシアナート基と反応しうる反応性基（例えば、アミノ基）を有しないことが好ましい。
　単位（ｃ２）となる単量体としては、ヒドロキシ基を有しない（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、不飽和二重結合を有するマクロマー等が挙げられる。不飽和二重結合を有するマクロマーとしては、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテルの（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレン鎖を有するマクロマーなどが挙げられる。
　ヒドロキシ基を有しない（メタ）アクリレートとしては、アルキル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、トルイル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２－アミノエチル（メタ）アクリレート、３－（メタクリロイルオキシプロピル）トリメトキシシラン、トリフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２－トリフルオロメチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチル－２－ペルフルオロブチルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペルフルオロメチル（メタ）アクリレート、ジペルフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロメチル－２－ペルフルオロエチルメチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロヘキシルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロデシルエチル（メタ）アクリレート、２－ペルフルオロヘキサデシルエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　単位（ｃ２）は、少なくともアルキル（メタ）アクリレート単位を含むことが好ましい。
　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体を構成する全単位の合計（１００モル％）に対するアルキル（メタ）アクリレート単位の割合は、６０～９７モル％が好ましく、７０～９７モル％がより好ましく、８０～９７モル％が更に好ましい。アルキル（メタ）アクリレート単位の割合が前記範囲の下限値以上であると、アルキル（メタ）アクリレートの構造に由来するガラス転移点、機械物性等が発現し、粘着層の機械的強度と粘着性に優れる。アルキルアクリレート単位の割合が前記範囲の上限値以下であると、ヒドロキシ基の含有量が充分であるため架橋密度が上がり、高い弾性率を発現できる。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体のＭｗは、１０万～１２０万が好ましく、２０万～１００万がより好ましく、２０万～７０万が更に好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、粘着層の、樹脂、電子部品等に対する離型性に優れる。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、粘着層の密着性に優れる。
　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体のＭｗは、分子量既知の標準ポリスチレン試料を用いて作成した検量線を用い、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定することによって得られるポリスチレン換算の値である。

　ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、２０℃以下が好ましく、０℃以下がより好ましい。Ｔｇが前記範囲の下限値以上であると、低温になっても粘着層が充分な可とう性を発現し、基材と剥離しにくい。
　なお、Ｔｇの下限値は特に制限されないが、前述の分子量範囲では、－６０℃以上が好ましい。
　Ｔｇとは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法で測定した中間点ガラス転移温度を意味する。

（多官能イソシアネート化合物）
　多官能イソシアネート化合物は、２以上のイソシアナート基を有する化合物であり、３～１０個のイソシアナート基を有する化合物が好ましい。
　多官能イソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、トリジンジイソシアネート（ＴＯＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、キシシレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオホスフェート等が挙げられる。また、これらの多官能イソシアネート化合物のイソシアヌレート体（３量体）及びビュレット体、これらの多官能イソシアネート化合物とポリオール化合物とのアダクト体等が挙げられる。

　多官能イソシアネート化合物は、イソシアヌレート環を有することが、該環構造の平面性によって反応硬化物（粘着層）が高い弾性率を示す観点から好ましい。
　イソシアヌレート環を有する多官能イソシアネート化合物としては、ＨＤＩのイソシアヌレート体（イソシアヌレート型ＨＤＩ）、ＴＤＩのイソシアヌレート体（イソシアヌレート型ＴＤＩ）、ＭＤＩのイソシアヌレート体（イソシアヌレート型ＭＤＩ）等が挙げられる。

（他の成分）
　粘着層に用いられる他の成分としては、架橋触媒（アミン類、金属化合物、酸等）、補強性フィラー、着色性染料、顔料、帯電防止剤などが挙げられる。

　架橋触媒は、多官能イソシアネート化合物を架橋剤とする場合に、前記ヒドロキシ基含有アクリル共重合体と架橋剤との反応（ウレタン化反応）に対して触媒として機能する物質であればよく、一般的なウレタン化反応触媒が使用可能である。架橋触媒としては、第三級アミン等のアミン化合物、有機錫化合物、有機鉛化合物、有機亜鉛化合物等の有機金属化合物などが挙げられる。第三級アミンとしては、トリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラアルキルジアミン、Ｎ，Ｎ－ジアルキルアミノアルコール、トリエチレンジアミン、モルホリン誘導体、ピペラジン誘導体等が挙げられる。有機錫化合物としては、ジアルキル錫オキシド、ジアルキル錫の脂肪酸塩、第１錫の脂肪酸塩などが挙げられる。
　架橋触媒としては、有機錫化合物が好ましく、ジオクチル錫オキシド、ジオクチル錫ジラウレート、ジブチル錫ラウリレート、ジブチル錫ジラウリレートがより好ましい。また、ジアルキル錫エステルとアセチルアセトンを溶媒中で反応させることによって合成され、ジアルキル錫１原子に対してアセチルアセトン２分子が配位した構造を持つ、ジアルキルアセチルアセトン錫錯体触媒が使用できる。
　架橋触媒の使用量は、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対して、０．０１～０．５質量部が好ましい。

　帯電防止剤としては、イオン液体、導電性重合体、金属イオン伝導型塩、導電性金属酸化物等が挙げられる。
　導電性重合体とは、重合体の骨格を伝って、電子が移動し、拡散する重合体である。導電性重合体としては、ポリアニリン重合体、ポリアセチレン重合体、ポリパラフェニレン重合体、ポリピロール重合体、ポリチオフェン重合体、ポリビニルカルバゾール重合体等が挙げられる。
　金属イオン伝導型塩としては、リチウム塩化合物等が挙げられる。
　導電性金属酸化物としては、酸化錫、スズドープ酸化インジウム、アンチモンドープ酸化錫、リンドープ酸化錫、アンチモン酸亜鉛、酸化アンチモン等が挙げられる。
　帯電防止剤の使用量は、粘着層の所望の表面抵抗値に応じて適宜設定される。

　粘着層を形成する際に用いる粘着層用組成物中のヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体と多官能イソシアネート化合物との合計の含有量は、粘着層用組成物の全量に対し、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましい。なお、粘着層用組成物には液状媒体は含まれない。

〔粘着層の厚さ〕
　粘着層の厚さは０．０５～３．０μｍが好ましく、０．０５～２．５μｍがより好ましく、０．０５～２．０μｍが更に好ましい。粘着層の厚さが前記範囲の下限値以上であると、離型性に優れる。粘着層の厚さが前記範囲の上限値以下であると、塗工安定性に優れる。また、粘着層の厚さが前記範囲の上限値以下であると、塗工後のタックが強くなりすぎず、連続塗工プロセスが容易になる。

＜他の層＞
　フィルムは、基材、下地層、及び粘着層以外の層を備えていても備えていなくてもよい。他の層としては、ガスバリア層、帯電防止層、着色層等が挙げられる。これらの層は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　剥離時の放電による半導体素子等の破壊を効果的に防げる点では、基材と下地層の間又は下地層と粘着層との間に帯電防止層を有することが好ましい。すなわち、フィルムは、基材、帯電防止層、下地層、及び粘着層をこの順に備えていてもよく、基材、下地層、帯電防止層、及び粘着層をこの順に備えていてもよい。
　帯電防止層は、帯電防止剤を含む層である。帯電防止剤としては、前記と同様のものが挙げられる。
　帯電防止層において、帯電防止剤は、樹脂バインダ中に分散していることが好ましい。樹脂バインダとしては、封止工程での熱（例えば１８０℃）に耐えられる耐熱性を有するものが好ましく、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、酢酸ビニル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－ビニルアルコール共重合体、クロロトリフロロエチレン－ビニルアルコール共重合体、テトラフロロエチレン－ビニルアルコール共重合体等が挙げられる。
　樹脂バインダは、架橋されていてもよい。樹脂バインダが架橋されていると、架橋されていない場合に比べて、耐熱性が優れる。
　帯電防止層の厚さは、０．０５～３．０μｍが好ましく、０．１～２．５μｍがより好ましい。帯電防止層の厚さが前記範囲の下限値以上であると、導電性が発現し、帯電防止機能に優れる。帯電防止層の厚さが前記範囲の上限値以下であると、塗工面の外観安定性をはじめとした生産プロセスの安定性に優れる。
　帯電防止層の表面抵抗値は、１０^１０Ω／□以下が好ましく、１０^９Ω／□以下がより好ましい。

〔フィルムの製造方法〕
　フィルムは、例えば以下の方法で製造される。
　基材の一方の面上に、（メタ）アクリル重合体と硬化剤とを含む下地層用組成物と、液状媒体と、を含む下地層用塗工液を付与して乾燥し、下地層を形成する。形成された下地層の、基材と反対側の面に、粘着層用組成物と液状媒体とを含む粘着層用塗工液を付与して乾燥し、粘着層を形成する。下地層を形成した後に帯電防止層を形成し、その後粘着層を形成してもよい。その他の任意の層を形成してもよい。各層の形成において、硬化を促進するために加熱してもよい。

〔フィルムの特性〕
（表面抵抗値）
　フィルムの表面抵抗値は特に制限されず、１０^１７Ω／□以下であってもよく、１０^１１Ω／□以下が好ましく、１０^１０Ω／□以下がより好ましく、１０^９Ω／□以下が更に好ましい。表面抵抗値の下限は特に制限されない。
　フィルムの表面抵抗値は、ＩＥＣ　６００９３：１９８０：二重リング電極法に準拠して、印加電圧５００Ｖ、印加時間１分間で測定する。測定機器としては、例えば超高抵抗計Ｒ８３４０（Ａｄｖａｎｔｅｃ社）を使用できる。

〔フィルムの用途〕
　本開示のフィルムは、例えば、半導体素子を硬化性樹脂で封止する工程で用いられる離型フィルムとして有用である。中でも、複雑な形状を有する半導体パッケージ、例えば電子部品の一部が前記樹脂から露出した封止体を作製する工程で用いられる離型フィルムとして特に有用である。

≪半導体パッケージの製造方法≫
　一態様において、半導体パッケージの製造方法は、
　本開示のフィルムを金型内面に配置することと、
　前記フィルムが配置された前記金型内に、半導体素子が固定された基板を配置することと、
　前記金型内の半導体素子を硬化性樹脂で封止して、封止体を作製することと、
　前記封止体を前記金型から離型することと、
を含む。

　半導体パッケージとしては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子を集積した集積回路；発光素子を有する発光ダイオード等が挙げられる。
　集積回路のパッケージ形状としては、集積回路全体を覆うものであってもよく、集積回路の一部を覆うもの、すなわち集積回路の一部を露出させるものでもよい。具体例としては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
　半導体パッケージとしては、生産性の点から、一括封止及びシンギュレーションを経て製造されるものが好ましく、封止方式がＭＡＰ（Ｍｏｌｄｉｅｄ　Ａｒｒａｙ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式、又はＷＬ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｂｅｌ　ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式である集積回路等が挙げられる。

　硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂がより好ましい。

　一態様において、半導体パッケージは、半導体素子に加え、ソース電極、シールガラス等の電子部品を有するものでもよく、有しないものでもよい。また、当該半導体素子、ソース電極、シールガラス等の電子部品のうち一部が樹脂から露出したものであってもよい。

　前記半導体パッケージの製造方法は、本開示のフィルムを用いること以外は、公知の製造方法を採用できる。例えば半導体素子の封止方法としては、トランスファ成形法が挙げられ、この際に使用する装置としては、公知のトランスファ成形装置を用いることができる。製造条件も、公知の半導体パッケージの製造方法における条件と同じ条件とできる。

　次に本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されない。
　以下の例において、例１～９及び１３～１７は実施例であり、例１０～１２は比較例である。

　各層の形成に用いた材料は以下の通りである。

＜基材＞
・ＥＴＦＥフィルム１：Ｆｌｕｏｎ（登録商標）ＥＴＦＥ　Ｃ－８８ＡＸＰ（ＡＧＣ社製）を、Ｔダイを備えた押出機にフィードし、表面に凹凸のついた押し当てロールと鏡面の金属ロールとの間に引き取り、厚さ５０μｍのフィルムを製膜した。押出機及びＴダイの温度は３２０℃であり、押し当てロール及び金属ロールの温度は１００℃であった。得られたフィルムの表面のＲａは、押し当てロール側が２．０μｍ、鏡面側が０．２μｍであった。
・ＥＴＦＥフィルム２：ＥＴＦＥフィルム１の鏡面側にコロナ処理を施した。コロナ処理した面の、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ　Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力は、５０ｍＮ／ｍであった。
・ＥＴＦＥフィルム３：ＥＴＦＥフィルム１の両面を、気圧０．２トール、アルゴン雰囲気下で１１０ＫＨｚの高周波電圧を印加し、放電電力密度３００Ｗｍｉｎ／ｍ^２でプラズマ処理を施した。プラズマ処理した面の、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ　Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力は５８ｍＮ／ｍであった。
・ＥＴＦＥフィルム４：Ｆｌｕｏｎ（登録商標）ＥＴＦＥ　Ｃ－８８ＡＸＰ（ＡＧＣ社製）を、Ｔダイを備えた押出機にフィードし、表面に凹凸のない押し当てロールと鏡面の金属ロールとの間に引き取り、厚さ１２μｍのフィルムを製膜した。押出機及びＴダイの温度は３２０℃であり、押し当てロール及び金属ロールの温度は１００℃であった。得られたフィルムの表面のＲａは、押し当てロール側が０．２μｍ、鏡面側が０．２μｍであった。得られたフィルムの両方の面にコロナ処理を施した。コロナ処理した面の、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ　Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力は、５０ｍＮ／ｍであった。
・ＥＴＦＥフィルム５：得られたフィルムの鏡面側にコロナ処理を施し、押し当てロール側はコロナ処理を施さなかった以外は、ＥＴＦＥフィルム４と同様にした。
・ＥＴＦＥフィルム６：厚さ２５μｍにした以外はＥＴＦＥフィルム１と同様にして得た。得られたフィルムの表面のＲａは、押し当てロール側が２．０μｍ、鏡面側が０．２μｍであった。

・積層体１：厚さ１２μｍのポリエステルフィルム（東洋紡社製エステル（登録商標）ＮＳＣＷ）の片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１（質量比））を介してＥＴＦＥフィルム４を貼り合わせた。次いで、ポリエステルフィルムのもう片方の面に（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１）を介してＥＴＦＥフィルム５の鏡面側を貼り合わせた。
・積層体２：厚さ２５μｍのポリエステルフィルム（東洋紡社製テトロンＧＥＣ）の片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１（質量比））を介してＥＴＦＥフィルム４を貼り合わせた。次いで、ポリエステルフィルムのもう片方の面に（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１（質量比））を介してＥＴＦＥフィルム５の鏡面側を貼り合わせた。
・積層体３：厚さ３８μｍのポリエステルフィルム（東洋紡社製テトロンＧＥＣ）の片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１）を介してＥＴＦＥフィルム４を貼り合わせた。
・積層体４：厚さ７５μｍのポリエステルフィルム（ＤｕＰｏｎｔ　Ｈｏｎｇｊｉ　Ｆｉｌｍｓ　Ｆｏｓｈａｎ社製テイジンテトロンＨＳ７４）の片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１）を介してＥＴＦＥフィルム４を貼り合わせた。
・積層体５：厚さ１２μｍのポリエステルフィルム（東洋紡社製エステル（登録商標）ＮＳＣＷ）の片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１）を介してＥＴＦＥフィルム４を貼り合わせた。次いで、ポリエステルフィルムのもう片方の面に接着剤（ＤＩＣ社製クリスボン（登録商標）ＮＴ－２５８：東ソー社製コロネート（登録商標）２０９６＝１６：１（質量比））を介してＥＴＦＥフィルム６の鏡面側を貼り合わせた。

＜下地層用塗工液＞
〔（メタ）アクリル重合体〕
・（メタ）アクリル重合体１：以下の（メタ）アクリル単量体１～３を、酸価１８．７ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｍｗ１５万となるよう配合し重合して、（メタ）アクリル重合体１を得た。
（メタ）アクリル単量体１：メチルメタクリレート
（メタ）アクリル単量体２：２－エチルへキシルアクリレート
（メタ）アクリル単量体３：アクリル酸

〔金属キレート〕
・金属キレート１：アルミニウムトリスアセチルアセトネート（商品名：アルミキレートＡ、川研ファインケミカル社製）

〔エポキシ化合物〕
・エポキシ化合物１：ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（商品名、三菱ガス化学社製、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン、エポキシ当量９５～１１０ｇ／ｅｑ）

＜帯電防止層用塗工液＞
・帯電防止剤含有材１：アラコート（登録商標）ＡＳ６０１Ｄ（荒川化学工業社製）、固形分３．４質量％、導電性ポリチオフェン０．４質量％、アクリル樹脂３．０質量％
・硬化剤１：アラコート（登録商標）ＣＬ９１０（荒川化学工業社製）、固形分１０質量％、多官能アジリジン化合物

＜粘着層用塗工液＞
・（メタ）アクリル重合体２希釈液：ニッセツ（登録商標）ＫＰ２５６２（日本カーバイド工業社製）、固形分３５％。（メタ）アクリル重合体２はヒドロキシ基含有、カルボキシ基非含有。
・多官能イソシアネート化合物１：ニッセツＣＫ１５７（日本カーバイド工業社製）、固形分１００％、イソシアヌレート型ヘキサメンチレンジイソシアネート、ＮＣＯ含量２１質量％

＜例１＞
〔下地層の作製〕
　（メタ）アクリル重合体１を酢酸エチルで希釈し、固形分４５質量％の（メタ）アクリル重合体１希釈液を得た。
　金属キレート１をトルエン及びアセチルアセトンで希釈して固形分７質量％とし、金属キレート１希釈液を得た。
　（メタ）アクリル重合体１希釈液の１００質量部、金属キレート１希釈液の３７質量部、及び希釈溶剤である酢酸エチルの１５０質量部を混合し、固形分１４質量％の下地層用塗工液を調製した。

　ＥＴＦＥフィルム２のコロナ処理を施した鏡面側表面に、下地層用塗工液を、グラビアコータを用いて塗工し、乾燥して厚さ０．８μｍの下地層を形成した。塗工は、ダイレクトグラビア方式で、グラビア版としてΦ１００ｍｍ×２５０ｍｍ幅の格子１５０＃－深度４０μｍロールを使用して行った。乾燥は、１００℃で１分間、ロールサポート乾燥炉を通り、風量は１９ｍ／秒で行った。次いで、４０℃、１２０時間の条件で養生をして下地層を得た。

　このときの下地層の酸価は、１７．７ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、下地層の酸価は以下の式を適用して算出した。以下他の例の酸価も同様に算出した。

　下地層の酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（（用いたカルボキシル基含有（メタ）アクリル重合体の総質量）×その酸価）÷（用いた（メタ）アクリル重合体、金属キレート及び追加で加えられた材料の固形分総質量）

　また、このときの、下地層における（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する金属キレート含有量は５．８質量部であった。前記金属キレート含有量は以下の式を用いて求めた。以下他の例の金属キレート含有量も同様に算出した。

　金属キレート含有量（質量部）＝塗工液中の金属キレート固形分質量／（塗工液中の（メタ）アクリル重合体１及び２の総質量）×１００

〔粘着層の作製〕
　（メタ）アクリル重合体２希釈液の１００質量部、多官能イソシアネート化合物１の６質量部、及び酢酸エチルを混合して、粘着層用塗工液を調製した。酢酸エチルの配合量は、粘着層用塗工液の固形分が１４質量％になる量とした。
　下地層表面に、粘着層用塗工液を、グラビアコータを用いて塗工し、乾燥して厚さ０．８μｍの粘着層を形成した。塗工は、ダイレクトグラビア方式で、グラビア版としてΦ１００ｍｍ×２５０ｍｍ幅の格子１５０＃－深度４０μｍロールを使用して行った。乾燥は、１００℃で１分間、ロールサポート乾燥炉を通り、風量は１９ｍ／秒で行った。次いで、４０℃、１２０時間の条件で養生をしてフィルムを得た。

＜例２＞
　例１の下地層の上に帯電防止層を形成した以外は、例１と同様にしてフィルムを得た。帯電防止層の形成は以下のように行った。
〔帯電防止層の作製〕
　帯電防止剤含有材１の１００質量部と、硬化剤１の１０質量部と、を混合して、固形分２質量％の帯電防止層用塗工液を調製した。グラビアコータを用いて、下地層表面に帯電防止層用塗工液を塗工し、乾燥して厚さ０．２μｍの帯電防止層を形成した。塗工はダイレクトグラビア方式で、グラビア版としてΦ１００ｍｍ×２５０ｍｍ幅の格子１５０＃－深度４０μｍロールを使用して行った。乾燥は、１００℃で１分間、ロールサポート乾燥炉を通り、風量は１９ｍ／秒で行った。

＜例３＞
　例１と同様の粘着層用塗工液と、例１と同様の下地層用塗工液と、を質量比２：８となるように混合して、下地層用塗工液を調製した。この下地層用塗工液を用いて下地層を作製した以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例４＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、ＥＴＦＥフィルム３を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム３の鏡面側表面に形成した。

＜例５＞
　例１と同様の粘着層用塗工液と、例１と同様の下地層用塗工液と、を質量比５：５となるように混合して、下地層用塗工液を調製した。この下地層用塗工液を用いて下地層を作製した以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例６＞
　下地層の硬化剤として、金属キレート１希釈液に代えて、エポキシ化合物１を酢酸エチル及びイソプロピルアルコールで希釈した固形分７質量％のエポキシ化合物１希釈液を用いた以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例７＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、ＥＴＦＥフィルム３を用いた以外は、例６と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム３の鏡面側表面に形成した。

＜例８＞
　粘着層の厚さを０．１μｍにした以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例９＞
　例１と同様の粘着層用塗工液体と、例１と同様の下地層用塗工液と、を質量比９：１となるように混合して下地層用塗工液を調製した。この下地層用塗工液を用いて下地層を作製した以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例１０＞
　例１と同様の粘着層用塗工液を下地層用塗工液として用いて下地層を作製した以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例１１＞
　下地層を設けなかった以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例１２＞
　下地層及び粘着層を設けなかった以外は例２と同様にしてフィルムを得た。

＜例１３＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、積層体１を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム４のポリエステルフィルムと反対側の面に形成した。

＜例１４＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、積層体２を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム４のポリエステルフィルムと反対側の面に形成した。

＜例１５＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、積層体３を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム４のポリエステルフィルムと反対側の面に形成した。

＜例１６＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、積層体４を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム４のポリエステルフィルムと反対側の面に形成した。

＜例１７＞
　基材として、ＥＴＦＥフィルム２に代えて、積層体５を用いた以外は、例２と同様にしてフィルムを得た。なお、下地層はＥＴＦＥフィルム４のポリエステルフィルムと反対側の面に形成した。

〔評価〕
（厚さ）
　基材、下地層、帯電防止層、及び粘着層の厚さ（μｍ）は、ＩＳＯ　４５９１：１９９２（ＪＩＳ　Ｋ７１３０：１９９９）のＢ１法：プラスチックフィルム又はシートから採った試料の質量法による厚さの測定方法）に準拠して測定した。

（下地層の伸び率）
　以下の１～４の手順にて試験を実施した。
１．硬化前の下地層用塗工液を、シリコーン塗工ＰＥＴ（ＮＳセパレーター　Ａ（商品名）、中本パックス社製）に、硬化後の厚さ１００μｍとなるよう塗工し、乾燥させて下地層付きＰＥＴを作製した。
２．得られた下地層付きＰＥＴを２０ｍｍ幅の短冊状にカットし、ＰＥＴを剥離して、下地層のみの成形物を得た。
３．下地層のみの成形物を端部から巻いていき、円柱状に作製した。
４．円柱状の成形物を、引張試験機（オリエンテック社製ＲＴＣ－１３１－Ａ）を用いて引張前のつかみ具間距離１０ｍｍ幅、１００ｍｍ／分の速度で引張を行い、破断するまでの伸度（以下、「破断時の伸度」ともいう。）（ｍｍ）を計測した。測定は２５℃で行った。
伸び率（％）＝破断時の伸度（ｍｍ）／　引張前のつかみ具間距離（１０ｍｍ）×１００

（表面抵抗値）
　フィルムの表面抵抗値（Ω／□）は、ＩＥＣ　６００９３：１９８０：二重リング電極法に準拠して測定した。測定機器として超高抵抗計Ｒ８３４０（Ａｄｖａｎｔｅｃ社）を使用し、印加電圧５００Ｖ、印加時間１分間で測定を行った。

（粘着層の剥離度）
　各例で作製したフィルムを短冊状（幅５０ｍｍ、長さ１００ｍｍ幅）にカットした。フィルムを、引張試験機（オリエンテック社製ＲＴＣ－１３１－Ａ）を用いてつかみ具に挟みセットした。引張前のつかみ具間距離２５ｍｍ、速度１００ｍｍ／分で伸度が２００％となるまでフィルムを伸ばした。フィルム中央部を、ＪＩＳ－Ｋ５６００－５－６：１９９９に規定の付着性クロスカット法に基づき、クロスカットを入れた後、セロテープ（登録商標）（ニチバン社製ＣＴ－１８）を貼りつけ、セロテープ（登録商標）の上をローラーで２０往復し圧着した後、手で剥離した。ＪＩＳ－Ｋ５６００－５－６：１９９９に規定される、「試験結果の分類０　カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがない」に相当するものを良（Ａ）、相当しないものを不良（Ｂ）とした。

（離型性）
　厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第一の金属板（ＳＵＳ３０４）の上に、厚さ１００μｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のアルミニウム箔を載せた。前記アルミニウム箔の上に、厚さ１００ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたスペーサを載せ、その穴の中心付近に下記のエポキシ樹脂組成物２ｇを載せた。さらにその上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のフィルムを、粘着層側の表面を前記スペーサ側に向けて載せた。その上に、厚さ３ｍｍ、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の第二の金属板（ＳＵＳ３０４）を載せて積層サンプルを作製した。前記積層サンプルを、１８０℃、１０ＭＰａの条件で５分間の条件でプレスして、前記エポキシ樹脂組成物を硬化させた。フィルムとエポキシ樹脂組成物が硬化した層とアルミニウム板との積層体を２５ｍｍ幅に切断し、５個の試験片を作製した。各試験片について、１８０℃における１８０°剥離力を、引張試験機（オリエンテック社製ＲＴＣ－１３１－Ａ）を用いて１００ｍｍ／分の速度で測定した。力（Ｎ）－つかみ移動距離曲線における、つかみ移動距離２５ｍｍから１２５ｍｍまでの剥離力の平均値（単位はＮ／ｃｍ）を求めた。５個の試験片の剥離力の平均値の算術平均を求め、その値を１８０℃におけるエポキシ樹脂に対するフィルムの剥離力とした。０．５Ｎ／ｃｍ以下を良（Ａ）、０．５Ｎ／ｃｍ以上を不良（Ｂ）とした。

　エポキシ樹脂組成物は以下の成分をスーパーミキサーにより５分間粉砕混合したものである。このエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は１３５℃、１３０℃における貯蔵弾性率は６ＧＰａ、１８０℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａであった。
・フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（軟化点５８℃、エポキシ当量２７７ｇ／ｅｑ）　８質量部
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（融点４５℃、エポキシ当量１７２ｇ／ｅｑ）　２質量部
・フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（軟化点６５℃、水酸基当量１６５ｇ／ｅｑ）　２質量部
・フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ）　２質量部、
・硬化促進剤（トリフェニルホスフィン）　０．２質量部
・無機充填材（メディアン径１６μｍの溶融球状シリカ）　８４質量部
・カルナバワックス　０．１質量部
・カーボンブラック　０．３質量部
・カップリング剤（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）　０．２質量部

（モールド試験）
　封止装置（トランスファ成形装置Ｇ－ＬＩＮＥ　Ｍａｎｕａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ、アピックヤマダ株式会社）を用い、封止試験を行った。７０ｍｍ×２３０ｍｍの銅製のリードフレームに半導体素子を固定したものを用いた。封止樹脂としては、離型性評価で用いたものと同様のエポキシ樹脂組成物を用いた。
　上金型に、５ｍｍ×５ｍｍのサイズの突起５個を等間隔に設けた。上金型に１９０ｍｍ幅のフィルムのロールをロール・トウ・ロールでセットした。半導体素子を固定したリードフレームを下型に配置した後、上型にフィルムを真空吸着し、型締めをし、型締めをして硬化性樹脂を流した。このとき、半導体素子を樹脂から露出させるため、上金型の５個の突起部分のフィルムの粘着面と下金型に固定する半導体素子とを直接接触させ、この周囲に封止樹脂が充填されるようにして封止を行った。５分間加圧後、型を開き、封止体を取り出した。フィルムと樹脂封止部との剥離状態、及び封止体の露出部の外観を目視で確認し、以下の基準で評価した。

－フィルムと樹脂封止部との剥離状態－
　良好（Ａ）：正常に剥離した。
　不良（Ｂ）：正常に剥離せず、リードフレームが下金型から外れた。

－半導体素子の露出部の外観－
　良好（Ａ）：フィルムから半導体素子への粘着層の移行が２個未満
　不良（Ｂ）：フィルムから半導体素子への粘着層の移行が２個以上

　なお、封止条件は以下の通りである。
　金型クランプ圧力：半導体素子１つあたり０．５ＭＰａ
　トランスファ圧力：５ＭＰａ
　金型温度（封止温度）：１８０℃

　評価結果を表１及び２に示す。表１及び２中、「－」は該当しないことを表す。

　表１及び２において、例１～９及び１３～１７は本開示の下地層を有するため、伸張させても粘着層の成分が封止体に移行することが抑制されることを確認した。

　本開示のフィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際に、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる封止体の外観不良を生じにくくできる。本開示のフィルムを離型フィルムとして用いて、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子、ソース電極、シーリングガラス等の電子部品を集積した集積回路等の半導体パッケージを製造できる。

　日本国特許出願第２０２１－００５７８０号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に援用されて取り込まれる。

１　フィルム
２　基材
３　下地層
４　粘着層

Claims

　基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、
　前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と硬化剤との反応硬化物を含み、
　引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上であることを特徴とする、フィルム。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
　基材と、下地層と、粘着層と、をこの順に備えるフィルムであって、
　前記下地層は、（メタ）アクリル重合体と、金属キレート及びエポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである硬化剤と、の反応硬化物を含み、
　前記（メタ）アクリル重合体はカルボキシ基含有（メタ）アクリル重合体を含むことを特徴とする、フィルム。
　引張試験により、２５℃、速度１００ｍｍ／分で測定され、下記式で求められる前記下地層の伸び率が９０％以上である、請求項２に記載のフィルム。
　伸び率（％）＝（破断時の伸度（ｍｍ））×１００／（引張前のつかみ具間距離（ｍｍ））
　前記下地層の酸価が、１～８０ｍｇＫＯＨ／ｇである、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記硬化剤が金属キレートを含み、前記（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する前記金属キレートの量が０．１～１０質量部である、請求項１～４のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記硬化剤がエポキシ化合物を含み、前記（メタ）アクリル重合体の１００質量部に対する前記エポキシ化合物の量が０．１～１０質量部である、請求項１～５のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記基材がフッ素樹脂を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記フッ素樹脂が、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン－ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、及びテトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－ビニリデンフルオリド共重合体からなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項７に記載のフィルム。
　前記基材がコロナ処理又はプラズマ処理されている、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記粘着層が、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル重合体と、多官能イソシアネート化合物と、の反応硬化物を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載のフィルム。
　前記下地層と前記粘着層との間に更に帯電防止層を備える、請求項１～１０のいずれか１項に記載のフィルム。
　半導体素子を硬化性樹脂で封止する工程で用いられる離型フィルムである、請求項１～１１のいずれか１項に記載のフィルム。
　請求項１～１２のいずれか１項に記載のフィルムを金型内面に配置することと、
　前記フィルムが配置された前記金型内に、半導体素子が固定された基板を配置することと、
　前記金型内の半導体素子を硬化性樹脂で封止して、封止体を作製することと、
　前記封止体を前記金型から離型することと、
を含む、半導体パッケージの製造方法。