JP2017177463A - 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂封止後の成形品を、金型構造や離型剤量によることなく容易に離型でき、かつ皺や欠け等の外観不良のない成形品を得ることができるプロセス用離型フィルムを提供する。【解決手段】離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、所望により離型層Ａ’と、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、前記積層フィルムの離型層Ａ（及び存在する場合離型層Ａ’）の水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、離型層Ａの表面固有抵抗値が１×１０１３Ω／□以下であって、前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である、上記プロセス用離型フィルム。【選択図】 図１

Description

本発明は、プロセス用離型フィルム、好適には半導体封止プロセス用離型フィルムに関し、特に金型内に半導体チップ等を配置して樹脂を注入成形する際に、半導体チップ等と金型内面との間に配置されるプロセス用離型フィルム、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法に関する。

近年、半導体パッケージ等の小型軽量化に伴い、封止樹脂の使用量を減らすことが検討されている。そして、封止樹脂の使用量を減らしても、半導体チップ等と樹脂との界面を強固に接着できるようにするため、封止樹脂に含まれる離型剤の量を減らすことが望まれている。このため、硬化成形後の封止樹脂と金型との離型性を得る方法として、金型内面と半導体チップ等との間に離型フィルムを配置する方法が採られている。

このような離型フィルムとして、離型性および耐熱性に優れる、フッ素系樹脂フィルム（例えば、特許文献１〜２）、ポリ４−メチル−１−ペンテン樹脂フィルム（例えば、特許文献３）等が提案されている。しかしながら、これらの離型フィルムは、金型内面に装着された際に皺が発生し易く、この皺が成形品の表面に転写されて外観不良を生じるという問題があった。

これに対して、離型層と、耐熱層とを有する積層離型フィルムが提案されている。これらの離型フィルムは、離型層で離型性を得るとともに、耐熱層で外観不良を抑制しようとするものである。これらの提案の代表的なものは、離型層と、耐熱層との貯蔵弾性率の関係に着目したものである（例えば、特許文献４参照。）。特許文献４には、離型層の貯蔵弾性率が比較的低く、耐熱層の貯蔵弾性率が比較的高い構成の積層離型フィルム、より具体的には、離型層の１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、４５ＭＰａ以上１０５ＭＰａ以下であり、耐熱層の１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１００ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下である、半導体封止プロセス用離型フィルムが記載されている。

また、離型フィルムの帯電も、成形品の外観不良の原因となる。半導体封止工程において用いられる離型フィルムは、上記の様に樹指フィルムであるので、一般に帯電しやすい。例えば離型フィルムを巻き出して使用する場合、離型フィルムの剥離時に静電気が発生し、製造雰囲気下に存在する粉塵等の異物が帯電した離型フィルムに付着して成形品の形状異常(異物付着等)や金型汚れの原因になる。とりわけ、半導体チップの封止装置のなかには封止用樹脂として顆粒樹脂を採用するものがあり、離型フィルムに顆粒樹脂から発生する粉じんが付着することによる形状異常や金型汚れ、及びそれによりもたらされる外観不良は無視できないものとなっている。
また、近年はパッケージの薄型化や、放熱性の向上の要請から、半導体チップをフリップチップ接合し、チップの背面を露出させるパッケージが増えてきている。この工程はモールドアンダーフィル（Ｍｏｌｄｅｄ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｍ； ＭＵＦ）工程と呼ばれる。ＭＵＦ工程では、半導体チップの保護とマスキングのために、離型フィルムと半導体チップとが直接接触した状態で封止が行われる。この際、離型フィルムが帯電しやすいと、剥離時の帯電−放電により半導体チップが破壊される懸念がある。
このため、封止フィルムの帯電を防止する技術が種々提案されている。例えば、特許文献５には、形成時に硬化性樹脂と接する第１の熱可塑性樹脂層と、金型と接する第２の熱可塑性樹脂層と、第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、該中間層が高分子系帯電防止剤を含有する層を含むことを特徴とする離型フィルムが記載されている。

特開２００１−３１０３３６号公報 特開２００２−１１０７２２号公報 特開２００２−３６１６４３号公報 特開２０１０−２０８１０４号公報 国際公開第２０１５／１３３６３０ Ａ１号パンフレット

しかしながら、当該技術分野の発展に伴い半導体封止プロセス用離型フィルム等のプロセス用離型フィルムに対する要求水準は年々高まっており、より過酷なプロセス条件においても成形品の外観不良が抑制されたプロセス用離型フィルムが求められており、特に、離型性、外観不良の抑制、及び金型追従性が極めて高いレベルでバランスしたプロセス用離型フィルムが強く求められている。

本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、樹脂封止後の成形品を、金型構造や離型剤によることなく容易に離型でき、かつ皺や欠け、形状異常(例えば、常温で顆粒状の封止樹脂の離型フィルムへの静電気による付着等に起因して発生するバリ、異物付着等)等の外観不良のない成形品を得ることができるプロセス用離型フィルムを提供することを目的とする。

本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、プロセス用離型フィルムの特定の温度における熱寸法変化率、とりわけプロセス用離型フィルムを構成する積層フィルムのＴＤ方向（フィルムの面内であって、フィルムの製造時の長手方向に対して直行する方向。以下、「横方向」ともいう。）の熱寸法変化率を適切に制御し、かつ当該積層フィルムを構成する耐熱樹脂層に、高分子系帯電剤を含有する層を設けることが、外観不良の抑制に重要であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明及びその各態様は、下記［１］から［２１］に記載のとおりである。

［１］
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角（以下、「水に対する接触角」を「水接触角」と表記することがある。）が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
なお、本発明において、表面固有抵抗値とは、１０×１０ｃｍの試験片を、温度２３℃、湿度５０％ＲＨに２４時間放置して養生後、デジタル超高抵抗／微量電流計とレジスチビティチェンバを用いて、印加電圧を０．１０Ｖ、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件のもとで測定した表面固有抵抗値をいう。
［２］
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が６％以下である、［１］に記載のプロセス用離型フィルム。
［３］
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
なお、本発明において、表面固有抵抗値とは、１０×１０ｃｍの試験片を、温度２３℃、湿度５０％ＲＨに２４時間放置して養生後、デジタル超高抵抗／微量電流計とレジスチビティチェンバを用いて、印加電圧を０．１０Ｖ、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件のもとで測定した表面固有抵抗値をいう。
［４］
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率の和が７％以下である、［３］に記載のプロセス用離型フィルム。
［５］
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１と、接着剤を含有する接着層Ｂ２とを含んでなる、［１］から［４］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［６］
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、［１］から［５］のいずれかに記載のプロセス用離型フィルム。
［７］
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が６％以下である、［６］に記載のプロセス用離型フィルム。
［８］
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、［１］から［５］のいずれかに記載のプロセス用離型フィルム。
［９］
前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が４％以下である、［８］に記載のプロセス用離型フィルム。
［１０］
前記離型層Ａが、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及びポリスチレン系樹脂からなる群より選ばれる樹脂を含む、［１］から［９］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［１１］
前記耐熱樹脂層Ｂが、延伸フィルムを含んでなる、［１］から［１０］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［１２］
前記延伸フィルムが、延伸ポリエステルフィルム、延伸ポリアミドフィルム、及び延伸ポリプロピレンフィルムからなる群より選ばれる、［１１］に記載のプロセス用離型フィルム。
［１３］
前記耐熱樹脂層ＢのＪＩＳＫ７２２１に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した第１回昇温工程での結晶融解熱量が１５Ｊ／ｇ以上、６０Ｊ／ｇ以下である、［１］から［１２］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。

［１４］
前記積層フィルムが、更に離型層Ａ’を有し、かつ、該離型層Ａと、前記耐熱樹脂層Ｂと、前記離型層Ａ’と、をこの順で含み、
該離型層Ａ’の水に対する接触角が、９０°から１３０°である、［１］から［１３］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［１５］
前記離型層Ａ’の表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下である、［１４］に記載のプロセス用離型フィルム。
［１６］
前記離型層Ａ及び前記離型層Ａ’の少なくとも一方が、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及びポリスチレン系樹脂からなる群より選ばれる樹脂を含む、［１４］又は［１５］に記載のプロセス用離型フィルム。
［１７］
熱硬化性樹脂による封止プロセスに用いる、［１］から［１６］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム
［１８］
半導体封止プロセスに用いる、［１］から［１７］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［１９］
繊維強化プラスチック成形プロセス、またはプラスチックレンズ成形プロセスに用いる、［１］から［１７］のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
［２０］
樹脂封止半導体の製造方法であって、
成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
前記成形金型内面に、［１］から［１６］のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記離型層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
を有する、上記樹脂封止半導体の製造方法。
［２１］
樹脂封止半導体の製造方法であって、
成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
前記成形金型内面に、［１４］から［１６］のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記離型層Ａ’が前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
を有する、上記樹脂封止半導体の製造方法。

本発明のプロセス用離型フィルムは、従来技術では実現できなかった高いレベルの離型性、外観不良の抑制、及び金型追従性を兼ね備えるので、これを用いることで、半導体チップ等を樹脂封止等して得られる成形品を容易に離型できるとともに、皺や欠け、形状異常(異物付着等)などの外観不良のない成形品を、高い生産性で製造することができる。さらに封止樹脂が常温で固体の顆粒状であっても、静電気による離型フィルムへの封止樹脂の付着に起因するバリ等の成形不良を未然に抑止することができる。本発明のプロセス用離型フィルムは、封止用樹脂として顆粒樹脂を採用する封止装置における使用に特に好適である。

本発明のプロセス用離型フィルムの一例を示す模式図である。 本発明のプロセス用離型フィルムの他の例を示す模式図である。 本発明のプロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。 本発明のプロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。 本発明のプロセス用離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。 図４Ａおよび図４Ｂの樹脂封止半導体の製造方法で得られた樹脂封止半導体の一例を示す模式図である。

プロセス用離型フィルム
本発明のプロセス用離型フィルムは、以下の４態様を含む。
（第１態様）
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
（第２態様）
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
（第３態様）
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、離型層Ａ’と、をこの順で含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａ、及び前記離型層Ａ’の水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、前記離型層Ａの表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
（第４態様）
離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、離型層Ａ’と、をこの順で含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
前記積層フィルムの離型層Ａ、及び前記離型層Ａ’の水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、前記離型層Ａの表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である、上記プロセス用離型フィルム。

上記各態様から明らかな様に、本発明のプロセス用離型フィルム（以下、単に「離型フィルム」ともいう）は、成形品や金型に対する離型性を有する離型層Ａ、及び所望により離型層Ａ’、並びに該離型層を支持する耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムであって、該耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含むものである。

本発明のプロセス用離型フィルムは、成形金型の内部で半導体素子等を樹脂封止するときに、成形金型の内面に配置される。このとき、離型フィルムの離型層Ａ（離型層Ａ’が存在する場合には離型層Ａ’であってもよい）を、樹脂封止される半導体素子等（成形品）側に配置することが好ましい。本発明の離型フィルムを配置することで、樹脂封止された半導体素子等を、金型から容易に離型することができる。
離型層Ａの水に対する接触角は、９０°から１３０°であり、この様な接触角を有することにより離型層Ａは濡れ性が低く、硬化した封止樹脂や金型表面に固着することなく、成形品を容易に離型することができる。
離型層Ａの水に対する接触角は、好ましくは９５°から１２０°であり、より好ましくは９８°から１１５°、更に好ましくは１００°から１１０°である。
また、離型層Ａの表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であることにより、離型フィルムへの異物や封止樹脂等の付着を効果的に防止することができる。離型層Ａの表面固有抵抗値は好ましくは５×１０^１2Ω／□以下、より好ましくは１×１０^１2Ω／□以下、さらに好ましくは５×１０^１１Ω／□以下である。

前記の通り、離型層Ａ（場合によっては離型層Ａ’）は成形品側に配置されるので、成形品の外観の観点から、樹脂封止工程における離型層Ａ（場合によっては離型層Ａ’）での皺の発生を抑制することが好ましい。発生した皺が成形品に転写されて、成形品の外観不良が生じる可能性が高いためである。

本発明においては、上記目的を達成するために、プロセス用離型フィルムを構成する積層フィルムとして、離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに該離型層を支持する耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムであって、その横（ＴＤ）方向の熱寸法変化率が特定の値を示す積層フィルムを用い、かつ耐熱樹脂層Ｂとして高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含むものを用いる。ここで、離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに該離型層を支持する耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である。
横（ＴＤ）方向の熱寸法変化率が上記の特定の値を示す積層フィルムと、高分子系帯電防止剤を含有する層を含む耐熱樹脂層とを組み合わせることで、成形品の外観不良が極めて効果的に抑制されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、積層フィルムの横（ＴＤ）方向の熱寸法変化率が上記の特定の値であることによる皺の発生の抑制と、高分子系帯電防止剤を含有する層を有することによる静電気の抑制及びプロセスへの粉体等の異物の取り込みの抑制とが、何らかの相乗効果を発揮しているものと推定される。すなわち、粉体等の異物が皺の起点となり得るところから、異物の取り込みを抑制することによって、皺の発生の抑制が一層効果的となる一方で、皺が異物の凝集点となり得るところ、皺の発生を抑制することによって、異物の凝集、成長が一層効果的に抑制されることが、従来技術では予測できなかった高いレベルでの成形品の外観不良の抑制と、何らかの関係があるものと推定される。

上述のように、離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに該離型層を支持する耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である。さらに、前記積層フィルムは、ＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であってかつＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下であることがより好ましい。
上記積層フィルムのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下であることにより、樹脂封止工程等における離型層の皺の発生を有効に抑制することができる。プロセス用離型フィルムを構成する積層フィルムとして横（ＴＤ）方向の熱寸法変化率が上記の特定の値を示すもの用いることで、離型層の皺の発生が抑制されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、比較的熱膨張／収縮の小さい積層フィルムを用いることにより、プロセス時の加熱／冷却による離型層Ａ（又は離型層Ａ’）の熱膨張／収縮が抑制されることと関連があるものと推測される。

本発明のプロセス用離型フィルムを構成する積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が２．５％以下であることが好ましく、２．０％以下であることより好ましく、１．５％以下であることが更に好ましくい。一方、積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が−５．０％以上であることが好ましい。
本発明のプロセス用離型フィルムを構成する積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３．５％以下であることが好ましく、３．０％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更に好ましくい。一方、積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が−５．０％以上であることが好ましい。

耐熱樹脂層Ｂとして、横（ＴＤ）方向の熱寸法変化率が上記の特定の値を示す樹脂層を用いることで、より効果的に離型層の皺の発生が抑制されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、比較的熱膨張／収縮の小さい耐熱樹脂層Ｂを用いることにより、プロセス時の加熱／冷却による離型層Ａ（又は離型層Ａ’）の熱膨張／収縮が抑制されることと関連があるものと推測される。

離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに該離型層を支持する耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムである本発明のプロセス用離型フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の熱寸法変化率とＭＤ方向（フィルムの製造時の長手方向。以下、「縦方向」ともいう）の熱寸法変化率の和が特定の値以下であることが好ましい。
すなわち、上記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和は、６％以下であることが好ましく、一方、前記積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が−５．０％以上であることが好ましい。
離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が６％以下であることにより、金型内面に装着された際の皺の発生を一層有効に抑制することができる。

また、離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）、並びに耐熱樹脂層Ｂ、を含む積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率の和は、７％以下であることが好ましく、一方、前記積層フィルムは、そのＴＤ方向（横方向）の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率の和が−５．０％以上であることが好ましい。
上記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率の和が７％以下であることにより、金型内面に装着された際の皺の発生を更に有効に抑制することができる。

離型層Ａ
本発明のプロセス用離型フィルムを構成する離型層Ａは、水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、好ましくは９５°から１２０°であり、より好ましくは９８°から１１５°、更に好ましくは１００°から１１０°である。また、離型層Ａの表面固有抵抗値は１×１０^１３Ω／□以下であり、好ましくは５×１０^１2Ω／□以下、より好ましくは１×１０^１2Ω／□以下、さらに好ましくは５×１０^１１Ω／□以下である。
成形品の離型性に優れること、入手の容易さなどから、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及びポリスチレン系樹脂からなる群より選ばれる樹脂を含むことが好ましい。

離型層Ａに用いることができるフッ素樹脂は、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位を含む樹脂であってもよい。テトラフルオロエチレンの単独重合体であってもよいが、他のオレフィンとの共重合体であってもよい。他のオレフィンの例には、エチレンが含まれる。モノマー構成単位としてテトラフルオロエチレンとエチレンとを含む共重合体は好ましい一例であり、この様な共重合体においては、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位の割合が５５〜１００質量％であり、エチレンに由来する構成単位の割合が０〜４５質量％であることが好ましい。

離型層Ａに用いることができる４−メチル−１−ペンテン（共）重合体は、４−メチル−１−ペンテンの単独重合体であってもよく、また４−メチル−１−ペンテンと、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィン（以下「炭素原子数２〜２０のオレフィン」という）との共重合体であってもよい。

４−メチル−１−ペンテンと、炭素原子数２〜２０のオレフィンとの共重合体の場合、４−メチル−１−ペンテンと共重合される炭素原子数２〜２０のオレフィンは、４−メ
チル−１−ペンテンに可とう性を付与し得る。炭素原子数２〜２０のオレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン等が含まれる。これらのオレフィンは、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合せて用いてもよい。

４−メチル−１−ペンテンと、炭素原子数２〜２０のオレフィンとの共重合体の場合、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位の割合が９６〜９９質量％であり、それ以外の炭素原子数２〜２０のオレフィンに由来する構成単位の割合が１〜４質量％であることが好ましい。炭素原子数２〜２０のオレフィン由来の構成単位の含有量が少なくすることで、共重合体を硬く、すなわち貯蔵弾性率Ｅ’が高くすることができ、封止工程等における皺が発生の抑制に有利である。一方、炭素原子数２〜２０のオレフィン由来の構成単位の含有量が多くすることで、共重合体を軟らかく、すなわち貯蔵弾性率Ｅ’を低くすることができ、金型追従性を向上させるのに有利である。

４−メチル−１−ペンテン（共）重合体は、当業者において公知の方法で製造されうる。例えば、チーグラ・ナッタ触媒、メタロセン系触媒等の公知の触媒を用いた方法により製造されうる。４−メチル−１−ペンテン（共）重合体は、結晶性の高い（共）重合体であることが好ましい。結晶性の共重合体としては、アイソタクチック構造を有する共重合体、シンジオタクチック構造を有する共重合体のいずれであってもよいが、特にアイソタクチック構造を有する共重合体であることが物性の点からも好ましく、また入手も容易である。さらに、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体は、フィルム状に成形でき、金型成形時の温度や圧力等に耐える強度を有していれば、立体規則性や分子量も、特に制限されない。４−メチル−１−ペンテン共重合体は、例えば、三井化学株式会社製ＴＰＸ（登録商標）等、市販の共重合体であってもよい。

離型層Ａに用いることができるポリスチレン系樹脂には、スチレンの単独重合体及び共重合体が包含され、その重合体中に含まれるスチレン由来の構造単位は少なくとも６０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは８０重量％以上である。
ポリスチレン系樹脂は、アイソタクチックポリスチレンであってもシンジオタクチックポリスチレンであってもよいが、透明性、入手の容易さなどの観点からはアイソタクチックポリスチレンが好ましく、離型性、耐熱性などの観点からは、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。ポリスチレンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

離型層Ａは、成形時の金型の温度（典型的には１２０〜１８０℃）に絶え得る耐熱性を有することが好ましい。かかる観点から、離型層Ａとしては、結晶成分を有する結晶性樹脂を含むことが好ましく、当該結晶性樹脂の融点は１９０℃以上であることが好ましく、２００℃以上３００℃以下がより好ましい。
離型層Ａに結晶性をもたらすため、例えばフッ素樹脂においてはテトラフルオロエチレンから導かれる構成単位を少なくとも含むことが好ましく、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体においては４−メチル−１−ペンテンから導かれる構成単位を少なくとも含むことが好ましく、ポリスチレン系樹脂においてはシンジオタクチックポリスチレンを少なくとも含むことが好ましい。離型層Ａを構成する樹脂に結晶成分が含まれることにより、樹脂封止工程等において皺が発生し難く、皺が成形品に転写されて外観不良を生じることを抑制するのに好適である。

離型層Ａを構成する上記結晶性成分を含む樹脂は、ＪＩＳＫ７２２１に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した第１回昇温工程での結晶融解熱量が１５Ｊ／ｇ以上、６０Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、２０Ｊ／ｇ以上、５０Ｊ／ｇ以下であることがより好ましい。１５Ｊ／ｇ以上であると、樹脂封止工程等での熱プレス成形に耐え得る耐熱性及び離型性をより効果的に発現することが可能であることに加え、寸法変化率も抑制することができるため、皺の発生も防止することができる。一方、前記結晶融解熱量が６０Ｊ／ｇ以下であると、離型層Ａが適切な硬度となるため、樹脂封止工程等においてフィルムの金型への十分な追随性を得ることができるため、フィルムの破損のおそれもない。

離型層Ａは、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン共重合体、及び／又はポリスチレン系樹脂の他に、さらに他の樹脂を含んでもよい。この場合、他の樹脂の硬度が比較的高いことが好ましい。他の樹脂の例には、ポリアミド−６、ポリアミド−６６、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートが含まれる。このように、離型層Ａが、例えば柔らかい樹脂を多く含む場合（例えば、４−メチル−１−ペンテン共重合体において炭素原子数２〜２０のオレフィンを多く含む場合）でも、硬度の比較的高い樹脂をさらに含むことで、離型層Ａを硬くすることができ、封止工程等における皺の発生の抑制に有利である。

これらの他の樹脂の含有量は、離型層Ａを構成する樹脂成分に対して例えば３〜３０質量％であることが好ましい。他の樹脂の含有量を３質量以上とすることで、添加による効果を実質的なものとすることができ、３０質量％以下とすることで、金型や成形品に対する離型性を維持することができる。

また離型層Ａは、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及び／又はポリスチレン系樹脂に加えて、本発明の目的を損なわない範囲で、耐熱安定剤、耐候安定剤、発錆防止剤、耐銅害安定剤、帯電防止剤等、フィルム用樹脂に一般的に配合される公知の添加剤を含んでもよい。これらの添加剤の含有量は、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン共重合体、及び／又はポリスチレン系樹脂１００重量部に対して、例えば０．０００１〜１０重量部とすることができる。

離型層Ａの厚みは、成形品に対する離型性が十分であれば、特に制限はないが、通常１〜５０μｍであり、好ましくは５〜３０μｍである。

離型層Ａの表面は、必要に応じて凹凸形状を有していてもよく、それにより離型性を向
上させることができる。離型層Ａの表面に凹凸を付与する方法は、特に制限はないが、エ
ンボス加工等の一般的な方法が採用できる。

離型層Ａ’
本発明のプロセス用離型フィルムは、離型層Ａ及び耐熱樹脂層Ｂに加えて、更に離型層Ａ’を有していてもよい。すなわち、本発明のプロセス用離型フィルムは、離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、離型層Ａ’とをこの順で含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであってもよい。
本発明のプロセス用離型フィルムを構成してもよい離型層Ａ’の水に対する接触角は、９０°から１３０°であり、好ましくは９５°から１２０°であり、より好ましくは９８°から１１５°、更に好ましくは１００°から１１０°である。そして、離型層Ａ’の好ましい材質、構成、物性等は、上記において離型層Ａについて説明したものと同様である。
また、離型層Ａ’の表面固有抵抗値は１×１０^１３Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは５×１０^１2Ω／□以下、更に好ましくは１×１０^１2Ω／□以下、特に好ましくは５×１０^１１Ω／□以下である。離型層Ａ’の表面固有抵抗値が上記範囲にあることで、プロセス時等における異物付着を一層効果的に抑制できる。

プロセス用離型フィルムが、離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、離型層Ａ’とをこの順で含む積層フィルムである場合の離型層Ａと離型層Ａ’とは同一の構成の層であってもよいし、異なる構成の層であってもよい。
反りの防止や、いずれの面も同様の離型性を有することによる取り扱いの容易さ等の観点からは、離型層Ａと離型層Ａ’とは同一または略同一の構成であることが好ましく、離型層Ａと離型層Ａ’とを使用するプロセスとの関係でそれぞれ最適に設計する観点、例えば、離型層Ａを金型からの離型性に優れたものとし、離型層Ａ’を成形物からの剥離性に優れたものとする等の観点からは、離型層Ａと離型層Ａ’とを異なる構成のものとすることが好ましい。
離型層Ａと離型層Ａ’とを異なる構成のものとする場合には、離型層Ａと離型層Ａ’とを同一の材料であって厚み等の構成が異なるものとしてもよいし、材料もそれ以外の構成も異なるものとしてもよい。

耐熱樹脂層Ｂ
本発明のプロセス用離型フィルムを構成する耐熱樹脂層Ｂは、離型層Ａ（及び場合により離型層Ａ’）を支持し、かつ金型温度等による皺発生を抑制する機能を有する。
本発明のプロセス用離型フィルムを構成する耐熱樹脂層Ｂは、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含むものである。ここで、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を「含む」とは、耐熱樹脂層Ｂの全体が高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１で構成されている場合、及び耐熱樹脂層Ｂの一部が高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１で構成されている場合、の双方を包含する趣旨で用いられる。したがって、耐熱樹脂層Ｂは、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１以外の他の層をさらに含んでいてもよいし、含んでいなくともよい

本発明のプロセス用離型フィルムを構成する耐熱樹脂層Ｂは、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含むことにより離型層Ａ（及び場合により離型層Ａ’）の表面固有抵抗値が低く、帯電防止に寄与する。
高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１が存在することにより、本発明のプロセス用離型フィルムの表面においても帯電防止性が効果的に発現される。そのため、静電気による粉塵等の異物の付着を効果的に抑制できるとともに、例えば半導体パッケージの製造時に、半導体素子の一部がプロセス用離型フィルムに直接接するような場合でも、プロセス用離型フィルムの帯電−放電による半導体素子の破壊を効果的に抑制できる。
耐熱樹脂層Ｂの表面抵抗値は、帯電防止の観点からは低いほど好ましく、下限は特に限定されない。耐熱樹脂層Ｂの表面抵抗値は、高分子系帯電防止剤の導電性能が高いほど、また高分子系帯電防止剤の含有量が多いほど、小さくなる傾向がある。

高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１以外の他の層としては、例えば接着剤を含む接着層Ｂ２を好ましく用いることができる。すなわち、耐熱樹脂層Ｂは、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１と、接着剤を含む接着層Ｂ２とを含むものであってもよい。
この場合において、耐熱樹脂層Ｂは、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１、及び接着剤を含む接着層Ｂ２のみで構成されていてもよいし、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１、及び接着剤を含む接着層Ｂ２以外の他の層、例えば帯電防止剤及び接着剤を含まない熱可塑性樹脂の層、ガスバリア層等を更に含んでいても良い。

本発明のプロセス用離型フィルムにおいては、耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３％以下であることが好ましい。さらに、耐熱樹脂層Ｂは、その横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であってかつ横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３％以下であることがより好ましい。
耐熱樹脂層Ｂには、無延伸フィルムも含め任意の樹脂層を用いることができるが、延伸フィルムを含んでなることが特に好ましい。
延伸フィルムは、製造のプロセスにおける延伸の影響で、熱膨張率が低いか又は負となる傾向があり、横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるか、又は耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３％以下であるという特性を実現することが比較的容易であるので、耐熱樹脂層Ｂとして好適に使用することができる。
耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、２％以下であることが好ましく、１．５％以下であることがより好ましく、１％以下であることが更に好ましく、一方、−１０％以上であることが好ましい。
耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率は、２％以下であることが好ましく、１．５％以下であることがより好ましく、１％以下であることが更に好ましく、一方、−１０％以上であることが好ましい。

上記延伸フィルムは、一軸延伸フィルムであってもよく、二軸延伸フィルムであってもよい。一軸延伸フィルムである場合には、縦延伸、横延伸のいずれであっても良いが、少なくとも横（ＴＤ）方向に延伸が行われたものであることが望ましい。
上記延伸フィルムを得るための方法、装置にも特に限定は無く、当業界において公知の方法で延伸を行えばよい。例えば、加熱ロールやテンター式延伸機で延伸することができる。

上記延伸フィルムとしては、延伸ポリエステルフィルム、延伸ポリアミドフィルム、及び延伸ポリプロピレンフィルムからなる群より選ばれる延伸フィルムを使用することが好ましい。これらの延伸フィルムは、延伸により、横（ＴＤ）方向の熱膨張率を低下させ、又は負とすることが比較的容易であり、機械的物性が本発明の用途に適したものであり、また低コストで入手が比較的容易であるため、耐熱樹脂層Ｂにおける延伸フィルムとして特に好適である。

延伸ポリエステルフィルムとしては、延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、延伸ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）フィルムが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが特に好ましい。
延伸ポリアミドフィルムを構成するポリアミドには特に限定は無いが、ポリアミド−６、ポリアミド−６６等を好ましく用いることができる。
延伸ポリプロピレンフィルムとしては、一軸延伸ポリプロピレンフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルム等を好ましく用いることができる。
延伸倍率には特に限定はなく、熱寸法変化率を適切に制御し、好適な機械的性質を実現するために適切な値を適宜設定すれば良いが、例えば延伸ポリエステルフィルムの場合は、縦方向、横方向ともに２．７〜８．０倍の範囲であることが好ましく、延伸ポリアミドフィルムの場合は、縦方向、横方向ともに２．７〜５．０倍の範囲であることが好ましく、延伸ポリプロピレンフィルムの場合は、二軸延伸ポリプロピレンフィルムの場合は、縦方向、横方向ともに５．０〜１０．０倍の範囲であることが好ましく、一軸延伸ポリプロピレンフィルムの場合は、縦方向に１．５〜１０．０倍の範囲であることが好ましい。

耐熱樹脂層Ｂは、フィルムの強度や、その熱寸法変化率を適切な範囲に制御する観点から、成形時の金型の温度（典型的には１２０〜１８０℃）に絶え得る耐熱性を有することが好ましい。かかる観点から、耐熱樹脂層Ｂは、結晶成分を有する結晶性樹脂を含むことが好ましく、当該結晶性樹脂の融点は１２５℃以上であることが好ましく、融点が１５５℃以上３００℃以下であることがより好ましく、１８５以上２１０℃以下であることが更に好ましく、１８５以上２０５℃以下であることが特に好ましい。

上述の様に、耐熱樹脂層Ｂは結晶成分を有する結晶性樹脂を含むことが好ましい。耐熱樹脂層Ｂに含有させる結晶性樹脂として、例えばポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂等の結晶性樹脂をその一部または全部に用いることができる。具体的にはポリエステル樹脂においてはポリエチレンテレフタレートまたはポリブチレンテレフタレート、ポリアミド樹脂においてはポリアミド６やポリアミド６６、ポリプロピレン樹脂においてはアイソタクチックポリプロピレンを用いることが好ましい。

耐熱樹脂層Ｂに前記結晶性樹脂の結晶成分を含ませることにより、樹脂封止工程等において皺が発生し難く、皺が成形品に転写されて外観不良を生じることを抑制するのにより有利となる。
耐熱樹脂層Ｂを構成する樹脂は、ＪＩＳＫ７２２１に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した第１回昇温工程での結晶融解熱量が２０Ｊ／ｇ以上、１００Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、２５Ｊ／ｇ以上、６５Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、２５Ｊ／ｇ以上、５５Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、２８Ｊ／ｇ以上、５０Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、２８Ｊ／ｇ以上、４０Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、２８Ｊ／ｇ以上、３５Ｊ／ｇ以下であることがさらに好ましい。２０Ｊ／ｇ以上であると、樹脂封止工程等での熱プレス成形に耐え得る耐熱性及び離型性を効果的に発現させることができ、また寸法変化率も僅少に抑制することができるため、皺の発生も防止することができる。一方、前記結晶融解熱量が１００Ｊ／ｇ以下であることにより、耐熱樹脂層Ｂに適度な硬度を付与することができるため樹脂封止工程等においてフィルムの十分な金型への追随性が確保することができることに加えフィルムが破損しやすくなるおそれもない。なお、本実施形態において、結晶融解熱量とは、ＪＩＳＫ７２２１に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による測定での第１回昇温工程で得られた縦軸の熱量（Ｊ／ｇ）と横軸の温度（℃）との関係を示すチャート図において、１２０℃以上でピークを有するピーク面積の和によって求められる数値をいう。
耐熱樹脂層Ｂの結晶融解熱量は、フィルム製造時の加熱、冷却の条件や、延伸の条件を適宜設定することで調節することができる。

耐熱樹脂層Ｂの厚みは、フィルム強度を確保できれば、特に制限はないが、通常１〜１
００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。

高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１
本発明の積層体を構成する耐熱樹脂層Ｂにおいて好適に用いられる、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１における高分子系帯電防止剤としては、帯電防止機能を有することが知られている高分子化合物を用いることができる。たとえば、側基に４級アンモニウム塩基を有するカチオン系共重合体、ポリスチレンスルホン酸を含むアニオン系化合物、ポリアルキレンオキシド鎖を有する化合物（ポリエチレンオキシド鎖、ポリプロピレンオキシド鎖が好ましい。）、ポリエチレングリコールメタクリレート共重合体、ポリエーテルエステルアミド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエーテルエステル、エチレンオキシド−エピクロルヒドリン共重合体等の非イオン系高分子、π共役系導電性高分子等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

側基に４級アンモニウム塩基を有する共重合体中の４級アンモニウム塩基は、誘電分極性と導電性による速やかな誘電分極緩和性を付与する効果を有する。
前記共重合体は、側基に、４級アンモニウム塩基とともに、カルボキシ基を有することが好ましい。カルボキシ基を有すると、前記共重合体は架橋性を有し、単独でも中間層４を形成し得る。また、ウレタン系接着剤等の接着剤と併用した場合に、該接着剤と反応して架橋構造を形成し、接着性、耐久性、その他力学特性を著しく向上させ得る。
前記共重合体は、側基にヒドロキシ基をさらに有してもよい。ヒドロキシ基は接着剤中の官能基、例えばイソシアネート基と反応して接着性を高める効果を有する。

前記共重合体は、上記の各官能基を有する単量体を共重合することによって得ることができる。４級アンモニウム塩基をもつ単量体の具体例としてはジメチルアミノエチルアクリレート４級化物（対イオンとしてのクロライド、サルフェート、スルホネート、アルキルスルホネート等のアニオンを含む）等が挙げられる。カルボキシ基を有する単量体の具体例としては（メタ）アクリル酸、（メタ）アクロイルオキシエチルコハク酸、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等が挙げられる。
これら以外の他の単量体を共重合させることもできる。他の単量体としては、アルキル（メタ）アクリレート、スチレン、酢酸ビニル、ハロゲン化ビニル、オレフィン等のビニル誘導体等が挙げられる。

前記共重合体中の各官能基を有する共重合単位の割合は適宜設定し得る。４級アンモニウム塩基を有する共重合単位の割合は、全共重合単位の合計に対して１５〜４０モル％が好ましい。この割合が１５モル％以上であると、帯電防止効果に優れる。４０モル％を越えると、共重合体の親水性が高くなり過ぎるおそれがある。カルボキシ基を有する単位の割合は、全単位の合計に対して３〜１３モル％が好ましい。

前記共重合体が側基にカルボキシ基を有する場合、前記共重合体に、架橋剤（硬化剤）が添加されてもよい。架橋剤としては、グリセリンジグリシジルエーテル等の２官能エポキシ化合物、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル等の３官能エポキシ化合物、トリメチロールプロパントリアジリジニルエーテル等のエチレンイミン化合物等の多官能化合物が挙げられる。
前記共重合体に、前記２官能、３官能のエポキシ化合物の開環反応触媒として、２−メチルイミダゾール、２−エチル、４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体やその他アミン類が添加されてもよい。

π共役系導電性高分子は、π共役が発達した主鎖を持つ導電性高分子である。π共役系導電性高分子としては、公知のものを用いることができ、たとえばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、それらの誘導体等が挙げられる。

高分子系帯電防止剤は、公知の方法により製造したものを用いてもよく、市販品のものを用いてもよい。たとえばＰＥＤＯＴポリチオフェン系樹脂の市販品として、化研産業社製の「ＭＣ−２００」等が挙げられる。

高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１の好ましい態様としては、以下の層（１）および層（２）等が挙げることができる。
層（１）：高分子系帯電防止剤自体がフィルム形成能を有するものであり、前記高分子系帯電防止剤をそのまま、または溶媒に溶解させて湿式塗布し、必要に応じて乾燥して形成された層。
層（２）：高分子系帯電防止剤自体がフィルム形成能を有し、かつ溶融可能なものであり、前記高分子系帯電防止剤を溶融塗布して形成された層。

層（１）において、高分子系帯電防止剤自体がフィルム形成能を有するとは、高分子帯電防止剤が有機溶剤等の溶媒に可溶であり、その溶液を湿式塗布し、乾燥させたときに膜が形成されることを意味する。
層（２）において、高分子系帯電防止剤自体が溶融可能とは、加熱により溶融することを意味する。

層（１）における高分子系帯電防止剤は架橋性を有するものでもよく、架橋性を有しないものでもよい。高分子系帯電防止剤が架橋性を有する場合、架橋剤を併用してもよい。
フィルム形成能および架橋性を有する高分子系帯電防止剤としては、前記側基に４級アンモニウム塩基およびカルボキシ基を有する共重合体等が挙げられる。
架橋剤としては前記と同様のものが挙げられる。
層（１）の厚さは、０．０１〜１．０μｍが好ましく、０．０３〜０．５μｍが特に好ましい。層（１）の厚さが０．０１μｍ以上であることにより充分な帯電防止効果を容易に獲ることが可能であり、１．０μｍ以下であることにより、積層時に十分な接着性を得ることが容易になる。
層（２）における高分子系帯電防止剤としては、界面活性剤やカーボンブラック等を含有したポリオレフィン樹脂等が挙げられる。市販品としては、ペレクトロンＨＳ（三洋化成工業社製）等が挙げられる。層（２）の厚さの好ましい範囲は、層（１）の厚さの好ましい範囲と同様である。

高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１は、１層でもよく２層以上でもよい。たとえば層（１）〜（２）のいずれか１種のみを有してもよく、層（１）および層（２）の双方を有してもよい。
高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１としては、製造しやすい点で、層（１）が好ましい。層（１）と層（２）とを併用してもよい。

接着層Ｂ２
本発明の積層体を構成する耐熱樹脂層Ｂにおいて好適に用いられる、接着層Ｂ２に含有される接着剤としては、従来公知の接着剤を適宜使用することができる。本発明の積層体の製造効率の観点からは、ドライラミネート用の接着剤を好ましく使用することができる。例えば、ポリ酢酸ビニル系接着剤；アクリル酸エステル（アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル等）の単独重合体もしくは共重合体、またはアクリル酸エステルと他の単量体（メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等）との共重合体等からなるポリアクリル酸エステル系接着剤；シアノアクリレ−ト系接着剤；エチレンと他の単量体（酢酸ビニル、アクリル酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸等）との共重合体等からなるエチレン共重合体系接着剤；セルロ−ス系接着剤；ポリエステル系接着剤；ポリアミド系接着剤；ポリイミド系接着剤；尿素樹脂またはメラミン樹脂等からなるアミノ樹脂系接着剤；フェノ−ル樹脂系接着剤；エポキシ系接着剤；ポリオール（ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等）とイソシアネートおよび／またはイソシアヌレートと架橋させるポリウレタン系接着剤；反応型（メタ）アクリル系接着剤；クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム等からなるゴム系接着剤；シリコーン系接着剤；アルカリ金属シリケ−ト、低融点ガラス等からなる無機系接着剤；その他等の接着剤を用いることができる。

それ以外の層
本発明のプロセス用離型フィルムは、本発明の目的に反しない限りにおいて、離型層Ａ、耐熱樹脂層Ｂ及び離型層Ａ’以外の層を有していてもよい。例えば、離型層Ａ（又は離型層Ａ’）と耐熱樹脂層Ｂとの間に、必要に応じて接着層を有してもよい。接着層に用いる材料は、離型層Ａと耐熱樹脂層Ｂとを強固に接着でき、樹脂封止工程や離型工程においても剥離しないものであれば、特に制限されない。

例えば、離型層Ａ（又は離型層Ａ’）が４−メチル−１−ペンテン共重合体を含む場合は、接着層は、不飽和カルボン酸等によりグラフト変性された変性４−メチル−１−ペンテン系共重合体樹脂、４−メチル−１−ペンテン系共重合体とα−オレフィン系共重合体とからなるオレフィン系接着樹脂等であることが好ましい。離型層Ａ（又は離型層Ａ’）がフッ素樹脂を含む場合は、接着層は、ポリエステル系、アクリル系、フッ素ゴム系等の粘着剤であることが好ましい。接着層の厚みは、離型層Ａ（又は離型層Ａ’）と耐熱樹脂層Ｂとの接着性を向上できれば、特に制限はないが、例えば０．５〜１０μｍである。

本発明のプロセス用離型フィルムの総厚みには特に制限は無いが、例えば１０〜３００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることがより好ましい。離型フィルムの総厚みが上記範囲にあると、巻物として使用する際のハンドリング性が良好であるとともに、フィルムの廃棄量が少ないため好ましい。

以下、本発明のプロセス用離型フィルムの好ましい実施形態について更に具体的に説明する。図１は、３層構造のプロセス用離型フィルムの一例を示す模式図である。図１に示されるように、離型フィルム１０は、耐熱樹脂層１２と、その片面に接着層１４を介して形成された離型層１６とを有する。

離型層１６は前述の離型層Ａであり、耐熱樹脂層１２は前述の耐熱樹脂層Ｂであり、接着層１４は前述の接着層である。離型層１６は、封止プロセスにおいて封止樹脂と接する側に配置されることが好ましく；耐熱樹脂層１２は、封止プロセスにおいて金型の内面と接する側に配置されることが好ましい。

図２は、５層構造のプロセス用離型フィルムの一例を示す模式図である。図１と同一の機能を有する部材には同一の符号を付する。図２に示されるように、離型フィルム２０は、耐熱性樹脂層１２と、その両面に接着層１４を介して形成された離型層１６Ａおよび離型層１６Ｂとを有する。離型層１６Ａは前述の離型層Ａであり、耐熱樹脂層１２は前述の耐熱樹脂層Ｂであり、離型層１６Ｂは前述の離型層Ａ’であり、接着層１４はそれぞれ前述の接着層である。

離型層１６Ａおよび１６Ｂの組成は、互いに同一でも異なってもよい。離型層１６Ａおよび１６Ｂの厚みも、互いに同一でも異なってもよい。ただし、離型層１６Ａおよび１６Ｂが互いに同一の組成および厚みを有すると、対称な構造となり、離型フィルム自体の反りが生じ難くなるため好ましい。特に、本発明の離型フィルムには、封止プロセスにおける加熱により応力が生じることがあるので、反りを抑制することが好ましい。このように、離型層１６Ａおよび１６Ｂが、耐熱樹脂層１２の両面に形成されていると、成形品および金型内面のいずれおいても、良好な離型性が得られるため好ましい。

プロセス用離型フィルムの製造方法
本発明のプロセス用離型フィルムは、任意の方法で製造されうる。例えば、１）離型層Ａと耐熱樹脂層Ｂを共押出成形して積層することにより、プロセス用離型フィルムを製造する方法（共押出し形成法）、２）耐熱樹脂層Ｂとなるフィルム上に、離型層Ａや接着層となる樹脂の溶融樹脂を塗布・乾燥したり、または離型層Ａや接着層となる樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液を塗布・乾燥したりして、プロセス用離型フィルムを製造する方法（塗布法）、３）予め離型層Ａとなるフィルムと、耐熱樹脂層Ｂとなるフィルムとを製造しておき、これらのフィルムを積層（ラミネート）することにより、プロセス用離型フィルムを製造する方法（ラミネート法）などがある。

３）の方法において、各樹脂フィルムを積層する方法としては、公知の種々のラミネート方法が採用でき、例えば押出ラミネート法、ドライラミネート法、熱ラミネート法等が挙げられる。
ドライラミネート法では、接着剤を用いて各樹脂フィルムを積層する。接着剤としては、ドライラミネート用の接着剤として公知のものを使用できる。例えばポリ酢酸ビニル系接着剤；アクリル酸エステル（アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル等）の単独重合体もしくは共重合体、またはアクリル酸エステルと他の単量体（メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等）との共重合体等からなるポリアクリル酸エステル系接着剤；シアノアクリレ−ト系接着剤；エチレンと他の単量体（酢酸ビニル、アクリル酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸等）との共重合体等からなるエチレン共重合体系接着剤；セルロ−ス系接着剤；ポリエステル系接着剤；ポリアミド系接着剤；ポリイミド系接着剤；尿素樹脂またはメラミン樹脂等からなるアミノ樹脂系接着剤；フェノ−ル樹脂系接着剤；エポキシ系接着剤；ポリオール（ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等）とイソシアネートおよび／またはイソシアヌレートと架橋させるポリウレタン系接着剤；反応型（メタ）アクリル系接着剤；クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム等からなるゴム系接着剤；シリコーン系接着剤；アルカリ金属シリケ−ト、低融点ガラス等からなる無機系接着剤；その他等の接着剤を使用できる。３）の方法で積層する樹脂フィルムは、市販のものを用いてもよく、公
知の製造方法により製造したものを用いてもよい。樹脂フィルムには、コロナ処理、大気圧プラズマ処理、真空プラズマ処理、プライマー塗工処理等の表面処理が施されてもよい。樹脂フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を利用できる。

１）共押出し成形法は、離型層Ａとなる樹脂層と耐熱樹脂層Ｂとなる樹脂層との間に、異物が噛み込む等による欠陥や、離型フィルムの反りが生じ難い点で好ましい。３）ラミネート法は、耐熱樹脂層Ｂに延伸フィルムを用いる場合に好適な製造方法である。この場合は、必要に応じてフィルム同士の界面に適切な接着層を形成することが好ましい。フィルム同士の接着性を高める上で、フィルム同士の界面に、必要に応じてコロナ放電処理等の表面処理を施してもよい。

プロセス用離型フィルムは、必要に応じて１軸または２軸延伸されていてもよく、それによりフィルムの膜強度を高めることができる。

上記２）塗布法における塗布手段は、特に限定されないが、例えばロールコータ、ダイコータ、スプレーコータ等の各種コータが用いられる。溶融押出手段は、特に限定されないが、例えばＴ型ダイやインフレーション型ダイを有する押出機などが用いられる。

製造プロセス
本発明のプロセス用離型フィルムは、金型内に半導体チップ等を配置して樹脂を注入成形する際に、半導体チップ等と金型内面との間に配置して使用することができる。本発明のプロセス用離型フィルムを用いることで、金型からの離型不良、バリの発生等を効果的に防止することができる。
上記製造プロセスに用いる樹脂は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよいが、当該技術分野においては熱硬化性樹脂が広く用いられており、特にエポキシ系の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
上記製造プロセスとしては、半導体チップの封止が最も代表的であるが、これに限定されるものではなく、本発明は、繊維強化プラスチック成形プロセス、プラスチックレンズ成形プロセス等にも適用することができる。

図３、図４Ａおよび図４Ｂは、本発明の離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。
図３ａに示すように、本発明の離型フィルム１を、ロール状の巻物からロール１−２およびロール１−３により、成形金型２内に供給する。次いで、離型フィルム１を上型２の内面に配置する。必要に応じて、上型２内面を真空引きして、離型フィルム１を上型２内面に密着させてもよい。モールディング成形装置の下金型５に、基板上に配置した半導体チップ６が配置されており、その半導体チップ６上に好ましくは図示されている様な顆粒状の封止樹脂４を配するか、又は図示されていないが別法として半導体チップ６を覆うように液状封止樹脂を注入することで、排気吸引され密着された離型フィルム１を配置した上金型２と下金５型との間に封止樹脂が収容される。次に図３ｂに示すように、上金型２と下金型５とを、本発明の離型フィルム１を介して型閉じし、好ましくは図示されている様な顆粒状の封止樹脂を硬化させる。

型閉め硬化により、図３ｃに示すように封止樹脂４が金型内に流動化し、封止樹脂４が空間部に流入し半導体チップ６の側面周囲を囲むようにして充填され、封止された半導体チップ６を上金型２と下金型５とが型開きして取り出す。型開きし、成形品を取り出した後、離型フィルム１を複数回繰り返して利用するか、新たな離型フィルムを供給し、次の、樹脂モールディング成形に付される。

本発明の離型フィルムを上金型に密着させ、金型と封止樹脂との間に介在させ、樹脂モ
ールドすることにより金型への樹脂の付着を防ぎ、金型の樹脂モールド面を汚さず、かつ
成形品を容易に離型させることができる。
なお、離型フィルムは一回の樹脂モールド操作ごとに新たに供給して樹脂モールドする
こともできるし複数回の樹脂モールド操作ごとに新たに供給して樹脂モールドすることも
できる。

封止樹脂としては、液状樹脂であっても、常温で固体状、例えば顆粒状の樹脂であってもよいが、樹脂封止時液状となるものなどの封止材を適宜採用できる。封止樹脂材料として、具体的には、主としてエポキシ系（ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールエポキシ樹脂、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など）が用いられ、エポキシ樹脂以外の封止樹脂として、ポリイミド系樹脂（ビスマレイミド系）、シリコーン系樹脂（熱硬化付加型）など封止樹脂として通常使用されているものを用いることができる。また、樹脂封止条件としては、使用する封止樹脂により異なるが、例えば硬化温度１２０℃〜１８０℃、成形圧力１０〜５０ｋｇ／ｃｍ^２、硬化時間１〜６０分の範囲で適宜設定することができる。

離型フィルム１を成形金型８の内面に配置する工程と、半導体チップ６を成形金型８内に配置する工程の前後は、特に限定されず、同時に行ってもよいし、半導体チップ６を配置した後、離型フィルム１を配置してもよいし、離型フィルム１を配置した後、半導体チップ６を配置してもよい。

このように、離型フィルム１は、離型性の高い離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）を有するため、半導体パッケージ４−２を容易に離型することができる。また、離型フィルム１は、適度な柔軟性を有するので、金型形状に対する追従性に優れながらも、成形金型８の熱によって皺になり難い。このため、封止された半導体パッケージ４−２の樹脂封止面に皺が転写されたり、樹脂が充填されない部分（樹脂欠け）が生じたりすることなく、外観の良好な封止された半導体パッケージ４−２を得ることができる。また、離型フィルム１は、その表面抵抗が比較的小さいので、顆粒状の封止樹脂の離型フィルムへの静電気による付着等に起因する外観不良を有効に抑制できる。

また、図３で示したような、好ましくは顆粒状である固体の封止樹脂材料４を加圧加熱する圧縮成型法に限らず、後述の様に流動状態の封止樹脂材料を注入するトランスファーモールド法を採用してもよい。

図４Ａおよび図４Ｂは、本発明の離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例であるトランスファーモールド法を示す模式図である。

図４Ａに示されるように、本発明の離型フィルム２２を、ロール状の巻物からロール２４およびロール２６により、成形金型２８内に供給する（工程ａ）。次いで、離型フィルム２２を上型３０の内面３０Ａに配置する（工程ｂ）。必要に応じて、上型内面３０Ａを真空引きして、離型フィルム２２を上型内面３０Ａに密着させてもよい。次いで、成形金型２８内に、樹脂封止すべき半導体チップ３４（基板３４Ａに固定された半導体チップ３４）を配置するとともに、封止樹脂材料３６をセットし（工程ｃ）、型締めする（工程ｄ）。

次いで、図４Ｂに示されるように、所定の加熱および加圧条件下、成形金型２８内に封止樹脂材料３６を注入する（工程ｅ）。このときの成形金型２８の温度（成形温度）は、例えば１６５〜１８５℃であり、成形圧力は、例えば７〜１２ＭＰａであり、成形時間は、例えば９０秒程度である。そして、一定時間保持した後、上型３０と下型３２を開き、樹脂封止された半導体パッケージ４０や離型フィルム２２、を同時にまたは順次離型する（工程ｆ）。

そして、図５に示されるように、得られた半導体パッケージ４０のうち、余分な樹脂部分４２を除去することで、所望の半導体パッケージ４４を得ることができる。離型フィルム２２は、そのまま他の半導体チップの樹脂封止に使用してもよいが、成形が１回終了するごとにロールを操作してフィルムを送り、新たに離型フィルム２２を成形金型２８に供給することが好ましい。

離型フィルム２２を成形金型２８の内面に配置する工程と、半導体チップ３４を成形金型２８内に配置する工程の前後は、特に限定されず、同時に行ってもよいし、半導体チップ３４を配置した後、離型フィルム２２を配置してもよいし、離型フィルム２２を配置した後、半導体チップ３４を配置してもよい。

このように、離型フィルム２２は、離型性の高い離型層Ａ（及び所望により離型層Ａ’）を有するため、半導体パッケージ４０を容易に離型することができる。また、離型フィルム２２は、適度な柔軟性を有するので、金型形状に対する追従性に優れながらも、成形金型２８の熱によって皺になり難い。このため、半導体パッケージ４０の樹脂封止面に皺が転写されたり、樹脂が充填されない部分（樹脂欠け）が生じたりすることなく、外観の良好な半導体パッケージ４０を得ることができる。

本発明の離型フィルムは、半導体素子を樹脂封止する工程に限らず、成型金型を用いて
各種成形品を成形および離型する工程、例えば繊維強化プラスチック成形および離型工程、プラスチックレンズ成形および離型工程等においても好ましく使用できる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これにより何ら限定
されるものではない。

以下の実施例／比較例において、物性／特性の評価は下記の方法で行った。
（熱寸法変化率）
フィルムサンプルをフィルムの長手方向および幅方向にそれぞれ長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍに切り出し、ＴＡインスツルメンツ社製ＴＭＡ（熱機械分析装置、製品名：Ｑ４００）を用い、チャック間距離８ｍｍにて０．００５Ｎの荷重をかけた状態で２３℃５分間保持後、２３℃から１２０℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させ、それぞれの方向の寸法変化を測定し、下記式（１）により寸法変化率を算出した。

熱寸法変化率（％）（２３→１２０℃） ＝ ｛［（Ｌ_２−Ｌ_１）／Ｌ_１］×１００｝
・・・（１）
Ｌ_１：２３℃時のサンプル長（ｍｍ）
Ｌ_２：１２０℃時のサンプル長（ｍｍ）

同様に、２３℃から１７０℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温させ、それぞれの方向の寸法変化を測定し、下記式（２）により寸法変化率を算出した。

熱寸法変化率（％）（２３→１７０℃） ＝ ｛［（Ｌ_３−Ｌ_１）／Ｌ_１］×１００｝
・・・（２）
Ｌ_１：２３℃時のサンプル長（ｍｍ）
Ｌ_３：１７０℃時のサンプル長（ｍｍ）

水に対する接触角（水接触角）
ＪＩＳ Ｒ ３ ２ ５ ７ に準拠して、接触角測定器（Ｋｙｏｗａ Ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製、ＦＡＣＥＣＡ−Ｗ）を用いて離型層Ａの表面の水接触角を測定した。

（表面固有抵抗値）
得られた離型フィルムから切り出した１０×１０ｃｍの試験片を、温度２３℃、湿度５０％ＲＨに２４時間保管した。その後、アドバンテスト社製デジタル超高抵抗／微量電流計（８３４０Ａ）とレジスチビティチェンバ（Ｒ１２７０４）を用いて、印加電圧を０．１０Ｖ、温度２３℃、湿度５０％ＲＨにて測定した。

（灰付着試験）
離型フィルムの帯電防止性は、２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下で、離型フィルムをポリエステル繊維の布で１０回摩擦した後、灰の付着を調べ、
付着無し：○
付着が著しい：×
とした。

（融点（Ｔｍ）、結晶融解熱量）
示差走査熱量計（ＤＳＣ）としてティー・エイ・インスツルメント社製Ｑ１００を用い、重合体試料約５ｍｇを精秤し、ＪＩＳＫ７１２１に準拠し、窒素ガス流入量：５０ｍｌ／分の条件下で、２５℃から加熱速度：１０℃／分で２８０℃まで昇温して熱融解曲線を測定し、得られた熱融解曲線から、試料の融点（Ｔｍ）及び結晶融解熱量を求めた。

（離型性）
各実施例／比較例で作製したプロセス用離型フィルムを、図３に示されるように、上型と下型との間に１０Ｎの張力を印加した状態で配置した後、上型のパーティング面に真空吸着させた。次いで、半導体チップを覆うように基板上に封止樹脂を充填後、基板に固定された半導体チップを下型に配置し、型締めした。このとき、成形金型の温度（成形温度）を１２０℃、成形圧力を１０ＭＰａ、成形時間を４００秒とした。そして、図３ｃに示されるように、半導体チップを封止樹脂で封止した後、樹脂封止された半導体チップ（半導体パッケージ）を離型フィルムから離型した。
離型フィルムの離型性を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムが、金型の開放と同時に自然に剥がれる。
△：離型フィルムは自然には剥がれないが、手で引っ張ると（張力を加えると）簡単に剥がれる。
×：離型フィルムが、半導体パッケージの樹脂封止面に密着しており、手では剥がせない。

（成形品の外観）
上記工程で離型を行った後の、離型フィルム、および半導体パッケージの樹脂封止面の外観を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺が全くなく、半導体パッケージ外周部のバリも全くない。
△：離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺が全くないか又はわずかに皺があり、半導体パッケージ外周部にわずかにバリがある。
×：離型フィルムはもちろん、半導体パッケージにも多数の皺あるか、または半導体パッケージ外周部にバリが多くある。

（金型追従性）
上記工程で離型を行った際の離型フィルムの金型追従性を、以下の基準で評価した。
○：半導体パッケージに、樹脂欠け（樹脂が充填されない部分）が全くない。
△：半導体パッケージの端部に、樹脂欠けが僅かにある（ただし皺による欠けは除く） ×：半導体パッケージの端部に、樹脂欠けが多くある（ただし皺による欠けは除く）

［実施例１］
耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａとして、膜厚１６μｍの二軸延伸ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（東レ株式会社製、製品名：ルミラーＦ８６５）を使用した。
帯電防止樹脂ａとして、ＰＥＤＯＴポリチオフェン系樹脂（化研産業社製、製品名：ＭＣ−２００）を使用し、高分子系帯電防止剤を含有する層を形成した。より具体的には、 帯電防止樹脂ａを、耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａの片面に０．１ｇ／ｍ^２の塗布量で塗工し乾燥して高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１ａを形成した。
上記で得られた高分子系帯電防止剤を含有する層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルム（耐熱樹脂層Ｂａ）の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、縦（ＭＤ）方向で−１．８％、横（ＴＤ）方向で−１．４％であった。また、当該二軸延伸ＰＥＴフィルムの融点は、１８７℃であり、結晶融解熱量は、３０．６Ｊ／ｇであった。

離型層Ａ及びＡ’として、無延伸の４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂フィルムＡａ（Ａ’ａ）を使用した。具体的には、三井化学株式会社製４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂（製品名：ＴＰＸ、銘柄名：ＭＸ０２２）」を２７０℃で溶融押出して、Ｔ型ダイのスリット幅を調整することにより、厚み１５μｍの無延伸フィルムを成膜したものを使用した。
無延伸の４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂フィルムは、一方のフィルム表面が、ＪＩＳ Ｒ３２５７に基づく水接触角が３０°以上の場合、３０以下となるように、接着剤による接着性向上の観点からコロナ処理を施した。
当該４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂フィルムＡａの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、縦（ＭＤ）方向で６．５％、横（ＴＤ）方向で３．１％であった。

(接着剤)
各フィルムを貼り合せるドライラミ工程で使用する接着剤としては、以下のウレタン系接着剤αを用いた。
［ウレタン系接着剤α］
主剤：タケラックＡ−６１６（三井化学社製）。硬化剤：タケネートＡ−６５（三井化学社製）。主剤と硬化剤とを、質量比（主剤：硬化剤）が１６：１となるように混合し、希釈剤として酢酸エチルを用いた。

（離型フィルムの製造）
当該帯電防止層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルム（耐熱樹脂層Ｂａ）の一方の面に、グラビアコートでウレタン系接着剤αを１．５ｇ／ｍ^２で塗工し、無延伸の４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂フィルムＡａのコロナ処理面をドライラミネートにて貼り合わせ後、続いてこのラミネートフィルムの二軸延伸ＰＥＴフィルム面の側に、ウレタン系接着剤αを１．５ｇ／ｍ^２で塗工し、無延伸の４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂フィルムＡ’ａのコロナ処理面をドライラミネートにて貼り合わせて、５層構造（離型層Ａ／接着層／耐熱樹脂層Ｂ／接着層／離型層Ａ’）のプロセス用離型フィルムを得た。
ドライラミネート条件は、基材幅９００ｍｍ、搬送速度３０ｍ／分、乾燥温度５０〜６０℃、ラミネートロール温度５０℃、ロール圧力３．０ＭＰａとした。

当該プロセス用離型フィルムの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、縦（ＭＤ）方向で２．２％、横（ＴＤ）方向で１．４％であった。
離型性、成形品の外観、及び金型追従性の評価結果を表１に示す。離型フィルムが、金型の開放と同時に自然に剥がれる良好な離型性を示し、離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺やバリが全くなく、すなわち皺が十分に抑制され、半導体パッケージに樹脂欠けが全くない良好な金型追従性を示した。すなわち、実施例１のプロセス用離型フィルムは、離型性、成形品の外観、及び金型追従性が良好なプロセス用離型フィルムであった。

［実施例２〜８］
表１に示すフィルム構成となるようにした他は、実施例１と同様にしてプロセス用離型フィルムを作製し、封止、離型を行い、特性を評価した。結果を表１に示す。
なお、表１の記載の高分子系帯電防止剤ｂからｅ、及びそれを含む層Ｂ１ｂからＢ１ｅの詳細は、以下のとおりである。
帯電防止樹脂ｂとして、ＰＥＤＯＴポリチオフェン系樹脂（中京油脂社製、製品名：Ｓ−４９５）を使用し、高分子系帯電防止剤を含有する層を形成した。より具体的には、帯電防止樹脂ｂを、耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａ等の片面に０．３ｇ／ｍ^２の塗布量で塗工し乾燥して高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１ｂを形成した。上記で得られた高分子系帯電防止剤を含有する層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルムの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、表１記載の結果であった。
帯電防止樹脂ｃとして、ＰＥＤＯＴポリチオフェン系樹脂（長瀬産業社製、製品名：Ｐ−５３０ＲＬ）を使用し、高分子系帯電防止剤を含有する層を形成した。より具体的には、帯電防止樹脂ｃを、耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａ等の片面に０．１ｇ／ｍ^２の塗布量で塗工し乾燥して高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１ｃを形成した。上記で得られた高分子系帯電防止剤を含有する層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルムの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、表１記載の結果であった。
帯電防止樹脂ｄとして、４級アンモニウム塩含有樹脂（大成ファインケミカル社製、製品名：１ＳＸ−１０９０）を使用し、高分子系帯電防止剤を含有する層を形成した。より具体的には、帯電防止樹脂ｄを、耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａ等の片面に０．４ｇ／ｍ^２の塗布量で塗工し乾燥して高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１ｄを形成した。上記で得られた高分子系帯電防止剤を含有する層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルムの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率は、表１記載の結果であった。
帯電防止樹脂ｅとして、アニオン系合成粘土鉱物含有ポリエステル系樹脂（高松油脂社製、製品名：ＡＳＡ−２０５０）を使用し、高分子系帯電防止剤を含有する層を形成した。具体的には、帯電防止樹脂ｅを、耐熱樹脂層Ｂの基材Ｂ０ａ等の片面に０．４ｇ／ｍ^２の塗布量で塗工し乾燥して高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１ｅを形成した。上記で得られた高分子系帯電防止剤を含有する層を付与した二軸延伸ＰＥＴフィルムの２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率、水接触角等の試験項目および評価結果は表１に示す通りであった。

いずれの実施例も離型性、成形品の外観、金型追従性、および灰付着試験のすべての試験項目で良好であり性能面においてバランスの取れたプロセス用離型フィルムであった

なお、表に記載の各フィルムの詳細は、以下のとおりである。
（Ａａ）無延伸４ＭＰ−１（ＴＰＸ）フィルム
三井化学株式会社製４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂（製品名：ＴＰＸ、銘柄名：ＭＸ０２２）を用いて厚み１５μｍの無延伸フィルムを成膜したもの。（融点：２２９℃、結晶融解熱量：２１．７Ｊ／ｇ）
（Ａｂ）無延伸４ＭＰ−１（ＴＰＸ）フィルム
三井化学株式会社製４−メチル−１−ペンテン共重合樹脂（製品名：ＴＰＸ、銘柄名：ＭＸ０２２）を用いて厚み５０μｍの無延伸フィルムを成膜したもの。（融点：２２９℃、結晶融解熱量：２１．７Ｊ／ｇ）
（Ａｃ）フッ素樹脂フィルム
膜厚２５μｍのＥＴＦＥ（エチレン-テトラフルオロエチレン）フィルム（旭硝子株式会社製、製品名：アフレックス２５Ｎ）（融点：２５６℃、結晶融解熱量：３３．７Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ａ）２軸延伸ＰＥＴフィルム
膜厚１６μｍの二軸延伸ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（東レ株式会社製、製品名：ルミラーＦ８６５）（融点：１８７℃、結晶融解熱量：３０．６Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｂ）２軸延伸ポリプロピレンフィルム
膜厚２０μｍの二軸延伸ポリプロピレンフィルム（三井化学東セロ株式会社製、製品名：Ｕ−２）（融点：１６０℃、結晶融解熱量：９３．３Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｃ）無延伸ポリブチレンテレフタレートフィルム
三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製のポリブチレンテレフタレート樹脂（銘柄名：５５０５Ｓ）を用いて厚み２０μｍの無延伸フィルムを成膜したもの。（融点：２１９℃、結晶融解熱量：４８．３Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｄ）２軸延伸ナイロンフィルム
膜厚１５μｍの二軸延伸ナイロンフィルム（出光ユニテック株式会社製、製品名：ユニロンＳ３３０）（融点：２２１℃、結晶融解熱量：６０．３Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｅ）無延伸ナイロンフィルム
膜厚２０μｍの無延伸ナイロンフィルム（三菱樹脂株式会社製、製品名：ダイナミロンＣ）（融点：２２０℃、結晶融解熱量：３９．４Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｆ）２軸延伸ＰＥＴフィルム
膜厚２５μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、製品名：ＦＴ３ＰＥ）（融点：２１４℃、結晶融解熱量：４０．３Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｇ）無延伸ポリブチレンテレフタレートフィルム
三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製のポリブチレンテレフタレート樹脂（銘柄名：５０２０）を用いて厚み２０μｍの無延伸フィルムを成膜したもの。（融点：２２３℃、結晶融解熱量：４９．８Ｊ／ｇ）
（Ｂ０ｈ）無延伸ポリブチレンテレフタレートフィルム
三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製のポリブチレンテレフタレート樹脂（銘柄名：５０２０）を用いて厚み５０μｍの無延伸フィルムを成膜したもの。（融点：２２３℃、結晶融解熱量：４９．８Ｊ／ｇ）

［比較例１〜４］
表１に示すフィルム構成となるようにした他は、実施例１と同様にして封止、離型を行い、プロセス用離型フィルムの特性を評価した。
いずれの比較例も、総合的に実施例には及ばない性能に留まり、特に成形品の外観は劣っていた。さらに、灰付着試験においては比較例２を除いて良好な結果が得られなかった。

［実施例９〜１６］
表２に示す組み合わせで表２記載の各フィルムを離型層Ａ及びＡ’並びに耐熱樹脂層Ｂとした他は、実施例１と同様にしてプロセス用離型フィルムを作製し、封止、離型を行い、特性を評価した。
図３ａに示されるように、離型フィルムを上型と下型との間に２０Ｎの張力を印加した状態で配置した後、上型のパーティング面に真空吸着させた。次いで、半導体チップを覆うように基板上に封止樹脂を充填後、基板に固定された半導体チップを下型に配置し、型締めした。このとき、成形金型の温度（成形温度）を１７０℃、成形圧力を１０ＭＰａ、成形時間を１００秒とした。そして、図３ｃに示されるように、半導体チップを封止樹脂で封止した後、樹脂封止された半導体チップ（半導体パッケージ）を離型フィルムから離型した。結果を表２に示す。
いずれの実施例も１７０℃での高温域の評価にもかかわらず、離型性、成形品の外観、及び金型追従性がおよび灰付着試験のすべての試験項目で良好であり性能面からバランスの取れたプロセス用離型フィルムであった。特に実施例１１、及び実施例１３から１５は、離型性、成形品の外観、及び金型追従性が良好なプロセス用離型フィルムであった。

［比較例５〜７］
表２に示すフィルム構成となるようにした他は、実施例１１から１６と同様にしてプロセス用離型フィルムを作製し、封止、離型を行い、特性を評価した。結果を表２に示す。
離型性は実施例と同様に良好であったが、皺の発生を抑制することができず、成形品の外観は劣っていた。さらに灰付着試験においても比較例６を除き良好な結果は得られなかった。

［比較例８〜１０］
表２に示すフィルム構成となるようにした他は、実施例９と同様にして封止、離型を行い、プロセス用離型フィルムの特性を評価した。結果を表２に示す。
いずれの比較例も、総合的に各実施例には及ばない性能に留まり、特に皺の発生を抑制することができず、成形品の外観は劣っていた。

本発明のプロセス用離型フィルムは、従来技術では実現できなかった高いレベルの離型性、外観不良の抑制、及び金型追従性を兼ね備えるので、これを用いることで、半導体チップ等を樹脂封止等して得られる成形品を容易に離型できるとともに、皺や欠け、形状異常(バリ、異物付着等)などの外観不良のない成形品を、高い生産性で製造することができるという実用上高い価値を有する技術的効果をもたらすものであり、半導体プロセス産業をはじめとする産業の各分野において、高い利用可能性を有する。
また、本発明のプロセス用離型フィルムは、半導体パッケージに限らず、繊維強化プラスチック成形プロセス、プラスチックレンズ成形プロセス等における種々の金型成形にも用いることができるので、半導体産業以外の金型成形を行う産業の各分野においても、高い利用可能性を有する。

１、１−２、１−３： 離型フィルム
２： 上金型
３： 吸引口
４： 封止樹脂
４−２：半導体パッケージ
５： 下金型
６： 半導体チップ
７： 基板
８： 成形金型
１０、２０、２２： 離型フィルム
１２： 耐熱樹脂層Ｂ
１４： 接着層
１６、１６Ａ：離型層Ａ
１６Ｂ： 離型層Ａ´
２４、２６： ロール
２８： 成形金型
３０： 上型
３２： 下型
３４： 半導体チップ
３４Ａ： 基板
３６： 封止樹脂
４０、４４： 半導体パッケージ

Claims (21)

1. 離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
   前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
   前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
   前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
2. 前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が６％以下である、請求項１に記載のプロセス用離型フィルム。
3. 離型層Ａと、耐熱樹脂層Ｂと、を含む積層フィルムであるプロセス用離型フィルムであって、
   前記積層フィルムの離型層Ａの水に対する接触角が、９０°から１３０°であり、表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下であって、
   前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１を含み、
   前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が４％以下である、上記プロセス用離型フィルム。
4. 前記積層フィルムの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率の和が７％以下である、請求項３に記載のプロセス用離型フィルム。
5. 前記耐熱樹脂層Ｂが、高分子系帯電防止剤を含有する層Ｂ１と、接着剤を含有する接着層Ｂ２とを含んでなる、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
6. 前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
7. 前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が６％以下である、請求項６に記載のプロセス用離型フィルム。
8. 前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率が３％以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
9. 前記耐熱樹脂層Ｂの横（ＴＤ）方向の２３℃から１７０℃までの熱寸法変化率と縦（ＭＤ）方向の２３℃から１２０℃までの熱寸法変化率の和が４％以下である、請求項８に記載のプロセス用離型フィルム。
10. 前記離型層Ａが、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及びポリスチレン系樹脂からなる群より選ばれる樹脂を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
11. 前記耐熱樹脂層Ｂが、延伸フィルムを含んでなる、請求項１から１０のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
12. 前記延伸フィルムが、延伸ポリエステルフィルム、延伸ポリアミドフィルム、及び延伸ポリプロピレンフィルムからなる群より選ばれる、請求項１１に記載のプロセス用離型フィルム。
13. 前記耐熱樹脂層ＢのＪＩＳＫ７２２１に準じて示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定した第１回昇温工程での結晶融解熱量１５Ｊ／ｇ以上、６０Ｊ／ｇ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
14. 前記積層フィルムが、更に離型層Ａ’を有し、かつ、該離型層Ａと、前記耐熱樹脂層Ｂと、前記離型層Ａ’と、をこの順で含み、
    該離型層Ａ’の水に対する接触角が、９０°から１３０°である、請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
15. 前記離型層Ａ’の表面固有抵抗値が１×１０^１３Ω／□以下である、請求項１４に記載のプロセス用離型フィルム。
16. 前記離型層Ａ及び前記離型層Ａ’の少なくとも一方が、フッ素樹脂、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体、及びポリスチレン系樹脂からなる群より選ばれる樹脂を含む、請求項１４又は１５に記載のプロセス用離型フィルム。
17. 熱硬化性樹脂による封止プロセスに用いる、請求項１から１６のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム
18. 半導体封止プロセスに用いる、請求項１から１７のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
19. 繊維強化プラスチック成形プロセス、またはプラスチックレンズ成形プロセスに用いる、請求項１から１７のいずれか一項に記載のプロセス用離型フィルム。
20. 樹脂封止半導体の製造方法であって、
    成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
    前記成形金型内面に、請求項１から１６のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記離型層Ａが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
    前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
    を有する、上記樹脂封止半導体の製造方法。
21. 樹脂封止半導体の製造方法であって、
    成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
    前記成形金型内面に、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記離型層Ａ’が前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
    前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
    を有する、上記樹脂封止半導体の製造方法。