JP2005166904A - 半導体モールド用離型シート - Google Patents
半導体モールド用離型シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005166904A JP2005166904A JP2003402985A JP2003402985A JP2005166904A JP 2005166904 A JP2005166904 A JP 2005166904A JP 2003402985 A JP2003402985 A JP 2003402985A JP 2003402985 A JP2003402985 A JP 2003402985A JP 2005166904 A JP2005166904 A JP 2005166904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- layer
- sheet
- release
- release sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 本発明は、シートを利用して半導体パッケージをモールドする際に、離型シートへの封止材等に起因する異物の付着を防止する半導体モールド用離型シートを提供するものである。これにより、パッケージに異物が付着するのを防止し、さらには離型シートとリードフレームの間に異物の噛み込みが原因となるバリを防止することができ、パッケージの生産効率向上が望める。
【解決手段】
1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止層を積層し、その層の上に離型層を設けるか、帯電防止剤含有離型層を設けてなる半導体モールド用離型シート、離型層表面の表面固有抵抗値が1×1013Ω/□以下であることが好ましい。
【選択図】 なし
【解決手段】
1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止層を積層し、その層の上に離型層を設けるか、帯電防止剤含有離型層を設けてなる半導体モールド用離型シート、離型層表面の表面固有抵抗値が1×1013Ω/□以下であることが好ましい。
【選択図】 なし
Description
本発明は離型シートに関し、さらに詳しくは半導体パッケージのモールド時の離型を容易にするための離型シートでかつ離型層表面に帯電防止性を有する離型シートに関する。
半導体チップは通常、外気からの遮断・保護のため樹脂で封止されパッケージと呼ばれる成形品として基板上に実装される。従来、成形品は封止樹脂の流路であるランナーを介して連結した1チップ毎のパッケージ成形品として成形されている。この場合の離型は金型構造、封止樹脂への離型剤添加等によりなされている。一方、パッケージの小型化、多ピン化の要請からBGA方式やQFN方式、さらにはウエハレベルCSP(W−CSP)のパッケージが増加している。QFN方式では、スタンドオフの確保および端子部への封止材バリ発生を防止するため、またBGA方式およびW−CSP方式では、金型からパッケージの離型性向上のため、樹脂製シート(例えば、特許文献1参照)が用いられる。
ところが離型シートを巻き出して使用する際に、シートの剥離時に静電気が発生するため、製造雰囲気下に存在する粉塵等の異物がシートに付着してパッケージの形状変化(バリ発生、異物付着等)の原因になる。
特開2002−158242号公報
ところが離型シートを巻き出して使用する際に、シートの剥離時に静電気が発生するため、製造雰囲気下に存在する粉塵等の異物がシートに付着してパッケージの形状変化(バリ発生、異物付着等)の原因になる。
本発明は、シートを利用して半導体パッケージをモールドする際に、離型シートへの封止材等に起因する異物の付着を防止する半導体モールド用離型シートを提供するものである。これにより、パッケージに異物が付着するのを防止し、さらには離型シートとリードフレームの間に異物の噛み込みが原因となるバリを防止することができ、パッケージの生産効率向上が望める。
本発明は、次のものに関する。
1. 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止層を積層し、その層の上に離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
2. 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止剤を添加した離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
3. 離型層表面の表面固有抵抗値が1×1013Ω/□以下であることを特徴とする項1又は項2記載の半導体モールド用離型シート。
4. 帯電防止層の成分が、第4級アンモニウム塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする項1〜3のいずれかに記載の表面保護用粘着フィルム。
5. 帯電防止層の成分が、スルホン酸塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする項1〜3のいずれかに記載の表面保護用粘着フィルム。
6. プラスチックフィルムの少なくとも1層がポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンテレフタレートを主成分とする樹脂又はポリエチレンテレフタレートを含む共重合体であることを特徴とする項1〜5のいずれかに記載の半導体モールド用離型シート。
1. 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止層を積層し、その層の上に離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
2. 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止剤を添加した離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
3. 離型層表面の表面固有抵抗値が1×1013Ω/□以下であることを特徴とする項1又は項2記載の半導体モールド用離型シート。
4. 帯電防止層の成分が、第4級アンモニウム塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする項1〜3のいずれかに記載の表面保護用粘着フィルム。
5. 帯電防止層の成分が、スルホン酸塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする項1〜3のいずれかに記載の表面保護用粘着フィルム。
6. プラスチックフィルムの少なくとも1層がポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンテレフタレートを主成分とする樹脂又はポリエチレンテレフタレートを含む共重合体であることを特徴とする項1〜5のいずれかに記載の半導体モールド用離型シート。
本発明によれば、半導体パッケージを離型シートを使用して成形する際のシートの帯電を防止でき、異物の付着やそれによるバリの発生の低減が期待でき、生産効率の向上が望める。
本発明に用いられるプラスチックフィルムの素材としては、4−メチルペンテン、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、トリアセチルセルロース樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、6−ナイロン、6,6−ナイロン等がある。このプラスチックフィルムはT型ダイやインフレーション用ダイをもつ押出機による押出法、または流延法などにより製造される。また、2軸延伸を加えて所定の厚さに加工する方法等で加工しても良い。これらのフィルムは次の方法で2層以上の多層フィルムにして用いることができる。即ち、シート状材料を2枚以上ラミネートする方法、共押出法により所定の厚さをもつシートに加工する方法、シートの表面に溶剤分散あるいは乳化した樹脂をコーティングする方法、これらの方法の適切な組合せにより製造される。ラミネートにあたっては適切な接着剤を介してもよい。シートの厚さは特に規定されないが、金型内面に設置されるため、パッケージ肉厚に影響する場合があり、20〜70μmであることが好ましく、更に好ましくは38〜50μmである。
本発明に用いられる離型層の主成分にはパッケージとの離型性や耐熱性の観点から、アクリル系樹脂やシリコーン樹脂が用いられ、より好適には架橋型アクリル系粘着剤が用いられる。この架橋型アクリル系粘着剤はアクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、2−エチルヘキシルアクリレート等の低Tgモノマーを主モノマーとし、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーと共重合することで得られ、架橋剤にて架橋することができる。上記アクリル共重合体に添加する架橋剤としては、ヘキサメチレンジイソシアネート、トルイジンジイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤、メラミン、ベンゾグアナミン等のメラミン系架橋剤、エポキシ樹脂等の公知の架橋剤を用いることができる。また、この架橋剤としては、樹脂中に緩やかに広がった網目状構造を形成するために、3官能、4官能といった多官能架橋剤がより好ましく用いられる。
また、本発明の離型層は半導体パッケージからの剥離性および基材層との接着性を考慮すると、その表面自由エネルギーが15〜26mN/mの範囲であることが好ましい。
また、本発明の離型層は半導体パッケージからの剥離性および基材層との接着性を考慮すると、その表面自由エネルギーが15〜26mN/mの範囲であることが好ましい。
本発明では離型シート剥離時の帯電防止および作業雰囲気下の異物がシートに付着することを防止するため、帯電防止剤が用いられる。帯電防止性は、表面固有抵抗で1013Ω/□以下、さらには1011Ω/□以下が好ましい。ここでの帯電防止剤としては、透明性が良好な、例えば、第4級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、第1〜3級アミノ基等のカチオン性基を有する各種カチオン性帯電防止剤、スルホン酸塩基、硫酸エステル塩基、リン酸エステル塩基、スルホン酸塩基等のアニオン性基を有するアニオン系帯電防止剤、アミノ酸系、アミノ硫酸エステル系等の両性帯電防止剤、アミノアルコール系、グリセリン系、ポリエチレングリコール系等のノニオン性帯電防止剤等の各種帯電防止剤、更には、これらの帯電防止剤を高分子量化した高分子型帯電防止剤等が挙げられる。特に第4級アンモニウム塩を有するカチオン性帯電防止剤は帯電防止性に優れるため、好適に用いられる。帯電防止層の厚みは0.01〜1.0μmであり更に好ましくは0.03〜0.5μmである。厚みが0.01μm未満であると十分な帯電防止効果が得られないことがあり、一方1.0μmを超える層は、過剰品質であり不経済である。
帯電防止層を形成する場合、帯電防止剤がフィルム系形成能を有するものであれば、そのまま、又は、適当な有機溶剤に溶解させて塗布乾燥する方法、それが溶融可能であれば溶融塗布する方法などにより形成することが出来る。帯電防止剤がフィルム系形成能を有しないものであれば、適当な結合剤に分散又は溶解させて、上記と同様に塗布乾燥する方法、溶融塗布する方法などにより形成することができる。結合剤としては上気した剥離層に使用する材料やその他ポリメチルメタクリレート等の熱可塑性樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂などの材料を使用することができる。この場合、帯電防止剤の量は、帯電防止層全体に対して0.5〜20重量部が好ましく、更には1〜10重量部が好ましい。
また、帯電防止剤を離型層中に含有させて使用する時には含有量は離型層構成成分の0.5〜20重量部が好ましく、更には1〜10重量部が好ましい。添加量が0.5部未満であると十分な帯電防止効果が得られないことがあり、一方20重量部を超える場合は過剰品質でありさらにはブリードアウトによりパッケージに転着する可能性がある。
本発明の離型シートは、プラスチックフィルムに、静電防止層のための材料及び離型層のための材料を順次、溶解塗工、溶融塗工、ラミネート等することにより、また、静電防止剤をむくむ離型層を形成するための材料を溶解塗工、溶融塗工、ラミネート等することにより製造することができる。
本発明の離型シートは、プラスチックフィルムの剥離層と反対の面に金型からの離型性を良くしたり、金型汚染を防止する層をさらに備えていてもよい。この層の材質、厚さは耐熱性、非汚染性、金型からの剥離性等の所望の効果により適宜決定すればよく、限定されないが、例えば、材質としては、ポリ(4−メチルペンテン−1)、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリ4フッ化エチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体等のフッ素樹脂が好ましく、その厚さは、1〜30μmであることが好ましく、1〜10μmであることがより好ましい。
本発明の離型シートを半導体パッケージの樹脂封止工程において使用する方法としては、金型内に樹脂封止すべき半導体チップを載置し、離型層が半導体チップ側になるように本発明の離型シートをセットし、必要に応じてバキューム等により金型内面に離型シートを密着させ、型締めを行い、封止樹脂をトランスファーモールド法等により金型内に注入し、一定時間保持した後、金型を開き半導体パッケージ成型品を取り出す等の方法でよく、従来公知の剥離シートと同様である。ここで、離型シートをロール状にしてセットしている場合には、1回の樹脂封止が完了した段階で金型の大きさだけシートを巻き取り、金型内に容易に新しい離型シートを供給することができるため、好ましい。
図1を用いて、さらに具体的に説明する。図1は本発明の離型シートを使用した半導体パッケージの樹脂封止工程を示す概略図であり、金型(上下)と内部の断面図及び下型平面図を示す。剥離シート1がロール状で供給されるようになっている。この剥離シート1の下方に基板2がセットされ、基板2には半導体チップ3が搭載されている。剥離シート1は、その離型層が半導体チップ3に向かうようにされている。基板2は封止剤注入孔4を有する金型(下型)7の上に載置されており、離型シート1の上にバキューム吸引孔5を有する金型(上型)6が配置されるようになっている。金型を閉じて封止樹脂を注入成形後、金型を開き、離型シートを剥離し、封止された半導体チップが搭載された基板が取り出される。次の工程のために必要な分だけロールで巻き取られ、金型内に新しい離型シート1が送られると共に次の半導体チップ搭載基板が金型(下型)7に載置される。
成形終了後に、成形型からの本発明における離型シート(成形時または成形直後には成形品と離型シートの離型層が接している)を剥離するための力(剥離力)が0.5N/25mm以下になるように調節されることが好ましい。
図1を用いて、さらに具体的に説明する。図1は本発明の離型シートを使用した半導体パッケージの樹脂封止工程を示す概略図であり、金型(上下)と内部の断面図及び下型平面図を示す。剥離シート1がロール状で供給されるようになっている。この剥離シート1の下方に基板2がセットされ、基板2には半導体チップ3が搭載されている。剥離シート1は、その離型層が半導体チップ3に向かうようにされている。基板2は封止剤注入孔4を有する金型(下型)7の上に載置されており、離型シート1の上にバキューム吸引孔5を有する金型(上型)6が配置されるようになっている。金型を閉じて封止樹脂を注入成形後、金型を開き、離型シートを剥離し、封止された半導体チップが搭載された基板が取り出される。次の工程のために必要な分だけロールで巻き取られ、金型内に新しい離型シート1が送られると共に次の半導体チップ搭載基板が金型(下型)7に載置される。
成形終了後に、成形型からの本発明における離型シート(成形時または成形直後には成形品と離型シートの離型層が接している)を剥離するための力(剥離力)が0.5N/25mm以下になるように調節されることが好ましい。
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、第4級アンモニウム塩を有するカチオン性帯電防止剤(コニシ株式会社製、ボンディップPA−100主剤/ボンディップPA−100硬化剤=100重量部/25重量部)を混合溶剤(水/イソプロピルアルコール=1/1)で2.5重量%に希釈したものを塗工乾燥し、その上にアクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを、下型にダミーのTAB基板をセットした図1のようなトランスファーモールド金型の上型に装着し、真空で固定した後、型締めし、封止材をトランスファーモールドした。金型温度は180℃、成形圧力70kgf/cm2、成形時間90秒とした。
このモールドを繰り返し実施し、パッケージのバリ発生頻度を観察した。
このモールドを繰り返し実施し、パッケージのバリ発生頻度を観察した。
ポリ(4−メチルペンテン−1)樹脂(三井化学(株)製TPX)をTダイ法で厚さ50μmのシートに製膜した。このシートを実施例1の2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシートの代わりに用いたこと以外は実施例1と同様に離型シートを製造し、実施例1と同様の成形試験を行なった。
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、アクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加し、帯電防止剤(帝国化学産業(株)製:P−502S)を5重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを離型シートとして実施例1と同様に成形試験を行なった。
(比較例1)
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、アクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを離型シートとして実施例1と同様に成形試験を行なった。
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、アクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを離型シートとして実施例1と同様に成形試験を行なった。
(比較例2)
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、アクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加し、帯電防止剤(帝国化学産業(株)製:P−502S)を0.1重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを離型シートとして実施例1と同様に成形試験を行なった。
厚さ50μmの2軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート(ユニチカ製S−50)のコロナ処理面に、アクリルゴム(帝国化学産業(株)製:WS−023)100重量部に対し、架橋剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業(株)商品名)を5重量部添加し、帯電防止剤(帝国化学産業(株)製:P−502S)を0.1重量部添加したものを7%のトルエン溶液として乾燥後の厚さが2μmとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。このシートを離型シートとして実施例1と同様に成形試験を行なった。
上記の各実施例および比較例の離型シートの特性値を下記の方法で測定した。それぞれの結果を表1にまとめた。
(1)離型層厚み
ダイヤルゲージで離型層を塗布する前後での厚みの変化を測定した。
(2)表面固有抵抗
セパレータを剥離した状態で25℃、65%RH雰囲気下に1時間放置した後、500Vの電圧を1分間印加した後の表面抵抗を測定した。
(3)シートのまといつき
重ねた離型シートから1枚をはがし、再度離型シート同士を近づけたときのシート同士の引き合いの有無を観察した。
(1)離型層厚み
ダイヤルゲージで離型層を塗布する前後での厚みの変化を測定した。
(2)表面固有抵抗
セパレータを剥離した状態で25℃、65%RH雰囲気下に1時間放置した後、500Vの電圧を1分間印加した後の表面抵抗を測定した。
(3)シートのまといつき
重ねた離型シートから1枚をはがし、再度離型シート同士を近づけたときのシート同士の引き合いの有無を観察した。
1 離型シート
2 基板
3 半導体チップ
4 封止剤注入孔
5 バキューム吸引孔
6 金型(上型)
7 金型(下型)
2 基板
3 半導体チップ
4 封止剤注入孔
5 バキューム吸引孔
6 金型(上型)
7 金型(下型)
Claims (6)
- 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止層を積層し、その層の上に離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
- 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面に帯電防止剤を添加した離型層を設けることを特徴とする半導体モールド用離型シート。
- 離型層表面の表面固有抵抗値が1×1013Ω/□以下であることを特徴とする請求項1〜2記載の半導体モールド用離型シート。
- 帯電防止層の成分が、第4級アンモニウム塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする請求項1〜3記載の半導体モールド用離型シート。
- 帯電防止層の成分が、スルホン酸塩を有するカチオン性帯電防止剤であることを特徴とする請求項1〜3記載の半導体モールド用離型シート。
- プラスチックフィルムの少なくとも1層がポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンテレフタレートを主成分とする樹脂又はポリエチレンテレフタレートを含む共重合体であることを特徴とする請求項1〜5記載の半導体モールド用離型シート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003402985A JP2005166904A (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | 半導体モールド用離型シート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003402985A JP2005166904A (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | 半導体モールド用離型シート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005166904A true JP2005166904A (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=34726423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003402985A Pending JP2005166904A (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | 半導体モールド用離型シート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005166904A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084873A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープ |
JP2014063971A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物及びそれを利用したマスキングテープ |
KR101486052B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2015-01-23 | 고병수 | 반도체 패키지 제조용 몰드 이형시트 및 제조방법 |
WO2015025661A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | 日東電工株式会社 | 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
WO2016093178A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルムおよび半導体パッケージの製造方法 |
WO2016125796A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 旭硝子株式会社 | フィルム、その製造方法および該フィルムを用いた半導体素子の製造方法 |
KR20160130804A (ko) | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR20160130805A (ko) * | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 및 봉지체의 제조 방법 |
JP2017177463A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 三井化学東セロ株式会社 | 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
KR20190033261A (ko) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 주식회사 포리스 | Emc 패키징용 이형필름 |
KR20230006229A (ko) * | 2021-07-02 | 2023-01-10 | (주)제론텍 | 반도체 에폭시 몰드 컴파운드 공정용 내열 세퍼레이터 필름 |
WO2024101232A1 (ja) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | フィルム及び半導体パッケージの製造方法 |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003402985A patent/JP2005166904A/ja active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084873A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープ |
JP2014063971A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物及びそれを利用したマスキングテープ |
KR101486052B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2015-01-23 | 고병수 | 반도체 패키지 제조용 몰드 이형시트 및 제조방법 |
WO2015025661A1 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | 日東電工株式会社 | 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
KR102381495B1 (ko) | 2014-03-07 | 2022-03-31 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 이형 필름, 및 봉지체의 제조 방법 |
KR102389429B1 (ko) | 2014-03-07 | 2022-04-21 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR20160130804A (ko) | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR20160130805A (ko) * | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 및 봉지체의 제조 방법 |
JPWO2015133630A1 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-06 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法 |
TWI687296B (zh) * | 2014-12-09 | 2020-03-11 | 日商Agc股份有限公司 | 脫模膜及半導體封裝件之製造方法 |
WO2016093178A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルムおよび半導体パッケージの製造方法 |
JPWO2016093178A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2017-09-14 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルムおよび半導体パッケージの製造方法 |
KR102476428B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2022-12-09 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
CN107000268A (zh) * | 2014-12-09 | 2017-08-01 | 旭硝子株式会社 | 脱模膜以及半导体封装体的制造方法 |
KR20170093102A (ko) | 2014-12-09 | 2017-08-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR20170115481A (ko) * | 2015-02-06 | 2017-10-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 필름, 그 제조 방법 및 그 필름을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US10141204B2 (en) | 2015-02-06 | 2018-11-27 | AGC Inc. | Film, method for its production, and method for producing semiconductor element using the film |
TWI680175B (zh) * | 2015-02-06 | 2019-12-21 | 日商Agc股份有限公司 | 薄膜、其製造方法及使用該薄膜之半導體元件之製造方法 |
WO2016125796A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 旭硝子株式会社 | フィルム、その製造方法および該フィルムを用いた半導体素子の製造方法 |
JPWO2016125796A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-11-16 | 旭硝子株式会社 | フィルム、その製造方法および該フィルムを用いた半導体素子の製造方法 |
KR102444374B1 (ko) | 2015-02-06 | 2022-09-16 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 필름, 그 제조 방법 및 그 필름을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN107210236A (zh) * | 2015-02-06 | 2017-09-26 | 旭硝子株式会社 | 膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法 |
JP2017177463A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 三井化学東セロ株式会社 | 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
KR20190033261A (ko) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 주식회사 포리스 | Emc 패키징용 이형필름 |
KR102059117B1 (ko) * | 2017-09-21 | 2019-12-24 | 주식회사 포리스 | Emc 패키징용 이형필름 |
KR20230006229A (ko) * | 2021-07-02 | 2023-01-10 | (주)제론텍 | 반도체 에폭시 몰드 컴파운드 공정용 내열 세퍼레이터 필름 |
KR102559027B1 (ko) * | 2021-07-02 | 2023-07-24 | (주)제론텍 | 반도체 에폭시 몰드 컴파운드 공정용 내열 세퍼레이터 필름 |
WO2024101232A1 (ja) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | フィルム及び半導体パッケージの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005166904A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
US6879026B2 (en) | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film | |
WO2017094871A1 (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
US20110179997A1 (en) | Protective sheet and use thereof | |
JP3398245B2 (ja) | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法 | |
JP6731782B2 (ja) | 成形品の外観不良を抑制するプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
US20130244377A1 (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape | |
JP6767763B2 (ja) | 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP2002158242A (ja) | 半導体モールド用離型シート及び樹脂封止半導体装置の製造法 | |
JP2003218063A (ja) | ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法 | |
JP7177622B2 (ja) | 圧縮成形法による樹脂封止プロセス用離型フィルム | |
JP2004079566A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
JP2023174688A (ja) | 離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法 | |
EP2639278A1 (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing seminconductor device using the tape | |
JP4096659B2 (ja) | 半導体パッケージ用離型シート及び樹脂封止半導体装置の製造法 | |
JPH08115896A (ja) | 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 | |
KR100734760B1 (ko) | 대전방지 박리필름, 이를 이용한 대전방지 점착 박리필름및 그 제조방법 | |
JP2004074713A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
JP2002361643A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
JP2882953B2 (ja) | ドライフイルムレジスト | |
TW201817842A (zh) | 隱形切割用黏著板片 | |
EP2639277A1 (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape | |
WO2022084855A1 (en) | Protective tapes, articles therefrom, and methods of making and using same | |
TW201726385A (zh) | 製程用離型薄膜,其用途,及使用其的樹脂封裝半導體的製造方法 | |
TWI823831B (zh) | 外觀性能佳的製程用離型薄膜,其用途,及使用其的樹脂封裝半導體的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090827 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091217 |