JPWO2015133630A1 - 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる離型フィルム、その製造方法、および前記離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の提供。半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型の硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の熱可塑性樹脂層と、樹脂封止部の形成時に金型と接する第２の熱可塑性樹脂層と、第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層それぞれの１８０℃における貯蔵弾性率が１０〜３００ＭＰａで、２５℃における貯蔵弾性率の差が１，２００ＭＰa以下で、厚さが１２〜５０μｍであり、中間層が高分子系帯電防止剤を含有する層を含む離型フィルム。

Description

本発明は、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型のキャビティ面に配置される離型フィルム、その製造方法、および前記離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。

半導体チップは通常、外気からの遮断・保護のため樹脂で封止され、パッケージと呼ばれる成形品として基板上に実装されている。半導体チップの封止には、エポキシ樹脂系等の熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が用いられる。半導体チップの封止方法としては、たとえば、半導体チップが実装された基板を、該半導体チップが金型のキャビティ内の所定の場所に位置するように配置し、キャビティ内に硬化性樹脂を充填して硬化させる、いわゆるトランスファ成形法または圧縮成形法が知られている。
従来、パッケージは、硬化性樹脂の流路であるランナーを介して連結した１チップ毎のパッケージ成形品として成形されている。この場合、金型からのパッケージの離型性向上は、金型構造の調整、硬化性樹脂への離型剤の添加等によりなされることが多い。一方、パッケージの小型化、多ピン化の要請からＢＧＡ方式やＱＦＮ方式、さらにはウエハレベルＣＳＰ（ＷＬ−ＣＳＰ）方式のパッケージが増加している。ＱＦＮ方式では、スタンドオフの確保および端子部への樹脂バリ発生を防止するため、またＢＧＡ方式およびＷＬ−ＣＳＰ方式では、金型からのパッケージの離型性向上のため、金型のキャビティ面に離型フィルムが配置されることが多い。
金型のキャビティ面への離型フィルムの配置は、一般的に、巻き重ねられた状態の長尺の離型フィルムを巻出ロールから巻き出し、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られた状態で金型上に供給し、真空でキャビティ面に吸着せしめることによって行われる。また、最近では、予め金型に合わせてカットした短尺の離型フィルムを金型に供給することも行われている（特許文献１）。

離型フィルムとしては、樹脂フィルムが一般的に用いられている。しかし、かかる離型フィルムは帯電しやすい問題がある。たとえば巻き出して使用する場合、離型フィルムの剥離時に静電気が発生し、製造雰囲気下に存在する粉塵等の異物が帯電した離型フィルムに付着してパッケージの形状異常（バリ発生、異物付着等）や金型汚れの原因になる。とりわけ、半導体チップの封止装置として顆粒樹脂を採用する装置が増えており（たとえば特許文献２）、離型フィルムに顆粒樹脂から発生する粉じんが付着することによる形状異常や金型汚れは無視できなくなっている。
また、近年はパッケージの薄型化や、放熱性の向上の要請から、半導体チップをフリップチップ接合し、チップの背面を露出させるパッケージが増えてきている。この工程はモールドアンダーフィル（Molded Underfill；ＭＵＦ）工程と呼ばれる。ＭＵＦ工程では、半導体チップを保護とマスキングのために、離型フィルムと半導体チップとが直接接触した状態で封止が行われる（たとえば特許文献３）。この際、離型フィルムが帯電しやすいと、剥離時の帯電−放電により半導体チップが破壊される懸念がある。
この対策として、（１）離型フィルムが金型に運ばれる前に、高電圧が印加された電極間を通して、イオン化されたエアーを離型フィルムに吹き付けて除電する方法（特許文献４）、（２）カーボンブラックを含有させて離型フィルムの表面抵抗値を下げる方法（特許文献５）、（３）離型フィルムを構成する基材に帯電防止剤を塗工し、さらに架橋型アクリル系粘着剤を塗工し架橋させて、離型フィルムに離型層を設ける方法（特許文献６、７）等が提案されている。

特開２００９−２７２３９８号公報 特開２００８−２７９５９９号公報 特開２０１３−１２３０６３号公報 特開２０００−２５２３０９号公報 特開２００２−２８０４０３号公報 特開２００５−１６６９０４号公報 特開２０１３−０８４８７３号公報

しかし、（１）の方法では、離型フィルムは除電されるが、エアーによる埃の巻き上げのリスクが高まるうえ、剥離時の帯電−放電を防ぐことはできない。
（２）の方法では、表面抵抗値を充分に下げるだけのカーボンブラックを含有すると、離型フィルムからカーボンブラックが脱離しやすく、脱離したカーボンブラックが金型を汚す問題がある。
（３）の方法では、架橋型アクリル系粘着剤を基材の片面に塗工し架橋させるため、基材にある程度の厚さと弾性率がなければ離型フィルムがカールする。離型フィルムがカールすると、離型フィルムを金型に吸着させる際に、離型フィルムが金型にうまく吸着されない場合がある。特に特許文献１に記載のような、短尺の離型フィルムを金型に供給する装置を用いる場合、カールの問題は顕著である。高弾性率あるいは厚い基材を含む離型フィルムはカールしないが、金型追従性が不充分で、金型追従性が求められる用途には使用できない。

本発明の目的は、帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる離型フィルム、その製造方法、および前記離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することにある。

本発明は、以下の［１］〜［９］の構成を有する離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法を提供する。
［１］半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型の前記硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、
前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の熱可塑性樹脂層と、前記樹脂封止部の形成時に金型と接する第２の熱可塑性樹脂層と、第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、
前記第１の熱可塑性樹脂層および前記第２の熱可塑性樹脂層それぞれの１８０℃における貯蔵弾性率が１０〜３００ＭＰａで、２５℃における貯蔵弾性率の差が１，２００ＭＰａ以下で、厚さが１２〜５０μｍであり、
前記中間層が、高分子系帯電防止剤を含有する層を含むことを特徴とする離型フィルム。
［２］前記中間層が、高分子系帯電防止剤を含有する層と、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤から形成された接着層とを有するものであるか、または、高分子系帯電防止剤を含有する接着剤から形成された層を有するものである、［１］の離型フィルム。
［３］前記第１の熱可塑性樹脂層および前記第２の熱可塑性樹脂層がともに無機系添加剤を含まない、［１］または［２］の離型フィルム。
［４］ＪＩＳ Ｋ６８５４−２に準拠し、１８０℃にて測定される、前記第１の熱可塑性樹脂層と前記第２の熱可塑性樹脂層との間の剥離強度が、０．３Ｎ／ｃｍ以上である、［１］〜［３］のいずれかの離型フィルム。
［５］前記高分子系帯電防止剤を含有する層の表面抵抗値が１０^１０Ω／□以下である、［１］〜［４］のいずれかの離型フィルム。
［６］以下の測定方法で測定されるカールが１ｃｍ以下である、［１］〜［５］のいずれかの離型フィルム。
（カールの測定方法）
２０〜２５℃で、平らな金属板上に１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形状の離型フィルムを３０秒間静置し、前記離型フィルムの金属板から浮き上がった部分の最大高さ（ｃｍ）を測定し、その値をカールとする。
［７］半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接する面に、［１］〜［６］のいずれかの離型フィルムを配置する工程と、
半導体素子が実装された基板を前記金型内に配置し、前記金型内の空間に硬化性樹脂を満たして硬化させ、樹脂封止部を形成することにより、前記基板と前記半導体素子と前記樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
［８］前記封止体を得る工程で、前記半導体素子の一部が前記離型フィルムに直接接する、［７］の半導体パッケージの製造方法。
［９］第１の熱可塑性樹脂層を形成する第１のフィルムと第２の熱可塑性樹脂層を形成する第２のフィルムとを、接着剤を用いてドライラミネートする工程を含み、
前記第１のフィルムおよび前記第２のフィルムのうちの一方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_１’（ＭＰａ）、厚さＴ_１（μｍ）、幅Ｗ_１（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_１（Ｎ）と、他方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_２’（ＭＰａ）、厚さＴ_２（μｍ）、幅Ｗ_２（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_２（Ｎ）とが、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする請求項２に記載の離型フィルムの製造方法。
０．８≦｛（Ｅ_１’×Ｔ_１×Ｗ_１）×Ｆ_２｝／｛（Ｅ_２’×Ｔ_２×Ｗ_２）×Ｆ_１｝≦１．２ …（Ｉ）
ただし、１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ_１’（１８０）とＥ_２’（１８０）が１０〜３００ＭＰａであり、２５℃における貯蔵弾性率の差｜Ｅ_１’（２５）−Ｅ_２’（２５）｜は１，２００ＭＰａ以下であり、Ｔ_１およびＴ_２はそれぞれ１２〜５０（μｍ）である。

本発明の離型フィルムは、帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる。
本発明の離型フィルムの製造方法によれば、帯電しにくく、カールしにくく、かつ金型追従性に優れる離型フィルムを製造できる。
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、離型フィルムの剥離時の帯電−放電によって生じる不具合、たとえば帯電した離型フィルムへの異物の付着、それに伴う半導体パッケージの形状異常や金型汚れ、離型フィルムからの放電による半導体チップの破壊等、を抑制できる。また、離型フィルムの金型への吸着を良好に行うことができる。

本発明の離型フィルムの第１実施形態の概略断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法で得られる半導体パッケージの一例の概略断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法で得られる半導体パッケージの他の一例の概略断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α３）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α４）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態の工程（α４）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態に用いる金型の一例の模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態の工程（β１）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態の工程（β２）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態の工程（β３）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態の工程（β４）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態の工程（β５）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第３実施形態の工程（γ１）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第３実施形態の工程（γ３）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第３実施形態の工程（γ４）を示す模式断面図。 本発明の半導体パッケージの製造方法の第３実施形態の工程（γ５）を示す模式断面図。 実施例で使用した１８０℃における追従性試験の装置を示す図。

本明細書における以下の用語は、それぞれ、次の意味で使用される。
「熱可塑性樹脂層」は、熱可塑性樹脂からなる層である。熱可塑性樹脂には、必要に応じて、無機添加剤、有機添加剤等の添加物が配合されていてもよい。
樹脂における「単位」は、当該樹脂を構成する構成単位（モノマー単位）を示す。
「フッ素樹脂」とは、構造中にフッ素原子を含む樹脂を示す。
「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸とメタクリル酸の総称である。「（メタ）アクリレート」とは、アクリレートとメタクリレートの総称である。「（メタ）アクリロイル」とは、アクリロイルとメタクリロイルの総称である。

熱可塑性樹脂層の厚さは、ＩＳＯ ４５９１：１９９２（ＪＩＳ Ｋ７１３０：１９９９のＢ１法、プラスチックフィルム又はシートから採った試料の質量法による厚さの測定方法）に準拠して測定される。

熱可塑性樹脂層の貯蔵弾性率Ｅ’は、ＩＳＯ ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される。周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とする。温度ｔ（℃）で測定された貯蔵弾性率Ｅ’をＥ’（ｔ）とも記す。温度を２０℃から２℃／分の速度で上昇させて、２５℃および１８０℃の値において測定したＥ’を、それぞれ、２５℃におけるＥ’（２５）、１８０℃におけるＥ’（１８０）という。

算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される算術平均粗さである。粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとした。

離型フィルムは、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において使用される、金型の前記硬化性樹脂が接する面に配置されるフィルムである。本発明の離型フィルムは、例えば、半導体パッケージの樹脂封止部を形成する際に、該樹脂封止部の形状に対応する形状のキャビティを有する金型のキャビティ面を覆うように配置され、形成した樹脂封止部と金型のキャビティ面との間に配置されることによって、得られた半導体パッケージの金型からの離型を容易にする。

〔第１実施形態の離型フィルム〕
図１は、本発明の離型フィルムの第１実施形態を示す概略断面図である。
第１実施形態の離型フィルム１は、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の熱可塑性樹脂層２と、前記樹脂封止部の形成時に金型と接する第２の熱可塑性樹脂層３と、それらの間に配置された中間層４とを備える。
離型フィルム１は、半導体パッケージの製造時に、第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａを金型のキャビティに向けて配置され、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接触する。また、この時、第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａは金型のキャビティ面に密着する。この状態で硬化性樹脂を硬化させることにより、金型のキャビティの形状に対応した形状の樹脂封止部が形成される。

（第１の熱可塑性樹脂層）
第１の熱可塑性樹脂層２は、１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ’（１８０）が１０〜３００ＭＰａであり、３０〜１５０ＭＰａが特に好ましい。１８０℃は、通常の成形時の金型温度である。
Ｅ’（１８０）が前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムは金型追従性に優れる。半導体素子の封止時に、離型フィルムが確実にキャビティ面に密着し、樹脂封止部に金型形状が角部まで正確に転写される。その結果、精度の高い樹脂封止部が形成され、封止した半導体パッケージの歩留まりが高い。
前記Ｅ’（１８０）が前記範囲の上限値を超えると、離型フィルムを真空で金型に追従させる際に、離型フィルムの金型追従性が不充分となる。そのため、トランスファ成形では、型締め時に、半導体素子が追従しきっていないフィルムにあたって破損したり、封止部の角部が欠ける場合がある。圧縮成形では、離型フィルムの金型追従性が不充分なために、フィルム上に硬化性樹脂を撒いた際に金型からあふれたり、封止部の角部が欠ける場合がある。
Ｅ’（１８０）が前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムがカールしにくい。また、離型フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、離型フィルムが柔らかすぎないため、離型フィルムに張力が均一にかかり、しわが発生しにくい。その結果、離型フィルムのしわが樹脂封止部の表面に転写されることなく、樹脂封止部の表面の外観に優れる。

第１の熱可塑性樹脂層２の貯蔵弾性率Ｅ’は、第１の熱可塑性樹脂層２を構成する熱可塑性樹脂の結晶化度によって調整できる。具体的には、前記熱可塑性樹脂の結晶化度が低いほど、Ｅ’は低くなる。熱可塑性樹脂の結晶化度は、公知の方法によって調整できる。たとえば、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の場合、テトラフルオロエチレンとエチレンに基づく単位の比率、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の他のモノマーに基づく単位の種類や含有量によって調整できる。

第１の熱可塑性樹脂層２の厚さは１２〜５０μｍであり、２５〜４０μｍが好ましい。
第１の熱可塑性樹脂層２の厚さが前記範囲の下限値以上であることにより、離型フィルム１がカールしにくい。また、離型フィルム１の取り扱いが容易であり、離型フィルム１を引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。
第１の熱可塑性樹脂層２の厚さが前記範囲の上限値以下であることにより、離型フィルム１は、容易に変形可能で、金型追従性に優れる。

第１の熱可塑性樹脂層２は、離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａと接した状態で硬化した硬化性樹脂（樹脂封止部）を離型フィルム１から容易に剥離できる離型性を有することが好ましい。また、成形時の金型の温度、典型的には１５０〜１８０℃に耐え得る耐熱性を有することが好ましい。
第１の熱可塑性樹脂層２を構成する熱可塑性樹脂（以下、熱可塑性樹脂Ｉともいう。）としては、前述の離型性および耐熱性、ならびに硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度、高温における伸び等の点から、フッ素樹脂、ポリスチレン、および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの熱可塑性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

フッ素樹脂としては、離型性および耐熱性の点から、フルオロオレフィン系重合体が好ましい。フルオロオレフィン系重合体は、フルオロオレフィンに基づく単位を有する重合体である。フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等が挙げられる。フルオロオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フルオロオレフィン系重合体としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）、ポリテトラフルオロエチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。フルオロオレフィン系重合体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリスチレンとしては、耐熱性および金型追随性の点から、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。ポリスチレンは、延伸されていてもよく、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
融点２００℃以上のポリオレフィンとしては、離型性および金型追随性の点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

熱可塑性樹脂Ｉとしては、ポリメチルペンテンおよびフルオロオレフィン系重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、フルオロオレフィン系重合体がより好ましい。中でも、高温での伸びが大きい点から、ＥＴＦＥが特に好ましい。ＥＴＦＥは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

ＥＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥともいう。）に基づく単位と、エチレン（以下、Ｅともいう。）に基づく単位とを有する共重合体である。
ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＴＦＥおよびＥ以外の第３のモノマーに基づく単位とを有するものが好ましい。第３のモノマーに基づく単位の種類や含有量によってＥＴＦＥの結晶化度、すなわち第１の熱可塑性樹脂層２の貯蔵弾性率を調整しやすい。また、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
第３のモノマーとしては、フッ素原子を有するモノマーと、フッ素原子を有しないモノマー等とが挙げられる。

フッ素原子を有するモノマーとしては、下記のモノマー（ａ１）〜（ａ５）が挙げられる。
モノマー（ａ１）：炭素数３以下のフルオロオレフィン類。
モノマー（ａ２）：Ｘ（ＣＦ_２）_ｎＣＹ＝ＣＨ_２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子またはフッ素原子であり、ｎは２〜８の整数である。）で表されるペルフルオロアルキルエチレン。
モノマー（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
モノマー（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素モノマー。

モノマー（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰともいう。）、２−ヒドロペンタフルオロプロピレン等）等が挙げられる。

モノマー（ａ２）としては、ｎが２〜６のモノマーが好ましく、ｎが２〜４のモノマーが特に好ましい。また、Ｘがフッ素原子、Ｙが水素原子であるモノマー、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが特に好ましい。
モノマー（ａ２）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２（（ペルフルオロブチル）エチレン。以下、ＰＦＢＥともいう。）、
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２等。

モノマー（ａ３）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。なお、下記のうちジエンであるモノマーは環化重合し得るモノマーである。
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）。以下、ＰＰＶＥともいう。）、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_２（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_２ＣＦ＝ＣＦ_２等。

モノマー（ａ４）の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_２Ｆ等。

モノマー（ａ５）の具体例としては、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、２，２，４−トリフルオロ−５−トリフルオロメトキシ−１，３−ジオキソール、ペルフルオロ（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）等が挙げられる。

フッ素原子を有しないモノマーとしては、下記のモノマー（ｂ１）〜（ｂ４）が挙げられる。
モノマー（ｂ１）：オレフィン類。
モノマー（ｂ２）：ビニルエステル類。
モノマー（ｂ３）：ビニルエーテル類。
モノマー（ｂ４）：不飽和酸無水物。

モノマー（ｂ１）の具体例としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
モノマー（ｂ２）の具体例としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
モノマー（ｂ３）の具体例としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
モノマー（ｂ４）の具体例としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ハイミック酸（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物）等が挙げられる。

第３のモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
第３のモノマーとしては、結晶化度の調整すなわち貯蔵弾性率の調整がしやすい点、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度に優れる点から、モノマー（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、ＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが特に好ましい。
すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位とを有する共重合体が特に好ましい。

ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）は、８０／２０〜４０／６０が好ましく、７０／３０〜４５／５５がより好ましく、６５／３５〜５０／５０が特に好ましい。ＴＦＥ／Ｅが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。

ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．０１〜２０モル％が好ましく、０．１０〜１５モル％がより好ましく、０．２０〜１０モル％が特に好ましい。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。

第３のモノマーに基づく単位がＰＦＢＥに基づく単位を含む場合、ＰＦＢＥに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．５〜４．０モル％が好ましく、０．７〜３．６モル％がより好ましく、１．０〜３．６モル％が特に好ましい。ＰＦＢＥに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、離型フィルムの１８０℃における引張弾性率を前記範囲内に調整できる。また、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。

ＥＴＦＥの溶融流量（ＭＦＲ）は、２〜４０ｇ／１０分が好ましく、５〜３０ｇ／１０分がより好ましく、１０〜２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＥＴＦＥのＭＦＲが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの成形性が向上し、離型フィルムの機械特性に優れる。
ＥＴＦＥのＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定される値である。

第１の熱可塑性樹脂層２は、熱可塑性樹脂Ｉのみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物を含有してもよい。無機系添加剤としては、カーボンブラック、シリカ、酸化チタン、酸化セリウム、酸化アルミコバルト、マイカ（雲母）、酸化亜鉛等が挙げられる。有機系添加剤としては、シリコーンオイル、金属石鹸等が挙げられる。
第１の熱可塑性樹脂層２の貯蔵弾性率を低くして金型追従性を向上させる等の観点から、第１の熱可塑性樹脂層２は、無機系添加剤を含まないことが好ましい。
第１の熱可塑性樹脂層２は、単層構造でも多層構造でもよい。金型追従性、引張伸度、製造コスト等の点からは、単層構造であることが好ましい。

第１の熱可塑性樹脂層２は、離型性に優れる点から、フッ素樹脂からなる単層構造であるか、または少なくとも表面２ａ側の最外層にフッ素樹脂からなる層（以下、フッ素樹脂層ともいう。）を含む多層構造であることが好ましく、フッ素樹脂からなる単層構造であることが特に好ましい。
前記多層構造としては、たとえば、複数のフッ素樹脂層からなるもの、１層以上のフッ素樹脂層と１層以上のフッ素樹脂以外の樹脂からなる層（以下、その他の層ともいう。）とを含み、少なくとも表面２ａ側の最外層にフッ素樹脂層が配置されたもの等が挙げられる。その他の層を含む場合の多層構造の例としては、表面２ａ側からフッ素樹脂層とその他の層とがこの順に積層した２層構造、表面２ａ側からフッ素樹脂層、その他の層、フッ素樹脂層がこの順に積層した３層構造等が挙げられる。

第１の熱可塑性樹脂層２がフッ素樹脂からなる場合、離型フィルム１は、離型性に優れ、また、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度等を充分に有し、高温における伸びにも優れる。特に、第１の熱可塑性樹脂層２が単層構造であると、多層構造である場合に比べて、金型追従性、引張伸度等の物性に優れ、離型フィルムとしての適性が向上し、さらには製造コストも少ない傾向がある。

第１の熱可塑性樹脂層２の、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する面、すなわち離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａは、平滑でもよく凹凸が形成されていてもよい。離型性の点では、凹凸が形成されていることが好ましい。
平滑である場合の表面２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。
凹凸が形成されている場合の表面２ａのＲａは、１．０〜２．１μｍが好ましく、１．２〜１．９μｍが特に好ましい。
凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは同じでもよく異なってもよい。
凸部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の凸条、点在する突起等が挙げられる。凹部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の溝、点在する穴等が挙げられる。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。離型フィルム表面においては、複数の凸条または溝が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、三角形（Ｖ字形）等の多角形、半円形等が挙げられる。
突起または穴の形状としては、三角錐形、四角錐形、六角錐形等の多角錐形、円錐形、半球形、多面体形、その他各種不定形等が挙げられる。

（第２の熱可塑性樹脂層）
第２の熱可塑性樹脂層３の１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ’（１８０）および厚さ、それらの好ましい範囲は第１の熱可塑性樹脂層２と同様である。
第２の熱可塑性樹脂層３のＥ’（１８０）および厚さはそれぞれ、第１の熱可塑性樹脂層２のＥ’（１８０）および厚さと同じであっても異なっていてもよい。
ただし、第１の熱可塑性樹脂層の２５℃におけるＥ’（２５）と第２の熱可塑性樹脂層の２５℃におけるＥ’（２５）の差（｜第１の熱可塑性樹脂層のＥ’（２５）−第２の熱可塑性樹脂層のＥ’（２５）｜）は１，２００ＭＰa以下であり、１，０００ＭＰa以下が特に好ましい。Ｅ’（２５）の差が前記範囲の下限値以下であれば、カールを抑制できる。カールの抑制の点で、第１の熱可塑性樹脂層２との厚さの差は２０μｍ以下であることが好ましい。

第２の熱可塑性樹脂層３を構成する熱可塑性樹脂（以下、熱可塑性樹脂ＩＩともいう。）としては、離型フィルム１の金型からの離型性、成形時の金型の温度（典型的には１５０〜１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度、高温における伸び等の点から、フッ素樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミドおよびエチレン／ビニルアルコール共重合体、および融点２００℃以上のポリオレフィンからなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。これらの熱可塑性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フッ素樹脂、ポリスチレン、融点２００℃以上のポリオレフィンとしてはそれぞれ、前記熱可塑性樹脂Ｉと同様のものが挙げられる。
ポリエステルとしては、耐熱性、強度の点から、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴともいう。）、易成形ＰＥＴ、ポリブチレンテレフタレート（以下、ＰＢＴともいう。）、ポリナフタレンテレフタレートが好ましい。
易成形ＰＥＴとは、エチレングリコールおよびテレフタル酸（あるいはジメチルテレフタレート）に加え、その他のモノマーを共重合して成形性を改良したものである。具体的には、以下の方法で測定されるガラス転移温度Ｔｇが１０５℃以下のＰＥＴである。
Ｔｇは、ＩＳＯ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき測定される貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”の比であるｔａｎδ（Ｅ”／Ｅ’）が最大値を取る際の温度である。Ｔｇは周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から１８０℃まで、２℃／分で昇温させて測定する。
ポリエステルは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリアミドとしては、耐熱性、強度、ガスバリア性の点から、ナイロン６、ナイロンＭＸＤ６が好ましい。ポリアミドは延伸されたものでもされていないものでもよい。ポリアミドは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
熱可塑性樹脂ＩＩとしては、前記の中でも、ポリメチルペンテン、フルオロオレフィン系重合体、易成形ＰＥＴおよびＰＢＴからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＥＴＦＥ、易成形ＰＥＴおよびＰＢＴからなる群から選ばれる少なくとも１種が特に好ましい。

第２の熱可塑性樹脂層３は、熱可塑性樹脂ＩＩのみからなるものでもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等の添加物が配合されていてもよい。無機系添加剤、有機系添加剤としてはそれぞれ前記と同様のものが挙げられる。
金型の汚れを防止する、第２の熱可塑性樹脂層３の貯蔵弾性率を低くして金型追従性を向上させる等の観点から、第２の熱可塑性樹脂層３は、無機系添加剤を含まないことが好ましい。
第２の熱可塑性樹脂層３は、単層構造でも多層構造でもよい。金型追従性、引張伸度、製造コスト等の点からは、単層構造であることが好ましい。

第２の熱可塑性樹脂層３の、樹脂封止部の形成時に金型と接する面、すなわち離型フィルム１の第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａは、平滑でもよく凹凸が形成されていてもよい。
平滑である場合の表面３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１〜０．２μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが特に好ましい。凹凸が形成されている場合の表面３ａのＲａは、１．５〜２．１μｍが好ましく、１．６〜１．９μｍが特に好ましい。
凹凸が形成されている場合の表面形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。凸部、凹部、凸条、突起または穴の具体例としては前記と同様のものが挙げられる。
表面２ａおよび表面３ａの両面に凹凸が形成されている場合、各表面のＲａや表面形状は同じでも異なってもよい。

（中間層）
中間層４は、高分子系帯電防止剤を含有する層（以下、高分子系帯電防止層ともいう。）を含む。高分子系帯電防止層は、高分子系帯電防止剤を含有することで表面抵抗値が低く、離型フィルム１の帯電防止に寄与する。中間層は、高分子系帯電防止層以外の他の層をさらに含んでもよい。

中間層４の表面抵抗値は、帯電防止の観点から、１０^１０Ω／□以下が好ましく、１０^９Ω／□以下が特に好ましい。前記表面抵抗値が１０^１０Ω／□以下であると、離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａにおける帯電防止性が発現できる。そのため、半導体パッケージの製造時に、半導体素子の一部が離型フィルム１に直接接するような場合でも、離型フィルムの帯電−放電による半導体素子の破壊を充分に抑制できる。
中間層４の表面抵抗値は、帯電防止の観点からは低いほど好ましく、下限は特に限定されない。中間層４の表面抵抗値は、高分子系帯電防止剤の導電性能が高いほど、また高分子系帯電防止剤の含有量が多いほど、小さくなる傾向がある。

＜高分子系帯電防止層＞
高分子系帯電防止剤としては、帯電防止剤として公知の高分子化合物を用いることができる。たとえば、側基に４級アンモニウム塩基を有するカチオン系共重合体、ポリスチレンスルホン酸を含むアニオン系化合物、ポリアルキレンオキシド鎖を有する化合物（ポリエチレンオキシド鎖、ポリプロピレンオキシド鎖が好ましい。）、ポリエチレングリコールメタクリレート共重合体、ポリエーテルエステルアミド、ポリエーテルアミドイミド、ポリエーテルエステル、エチレンオキシド−エピクロルヒドリン共重合体等の非イオン系高分子、π共役系導電性高分子等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

側基に４級アンモニウム塩基を有する共重合体中の４級アンモニウム塩基は、誘電分極性と導電性による速やかな誘電分極緩和性を付与する効果を有する。
前記共重合体は、側基に、４級アンモニウム塩基とともに、カルボキシ基を有することが好ましい。カルボキシ基を有すると、前記共重合体は架橋性を有し、単独でも中間層４を形成し得る。また、ウレタン系接着剤等の接着剤と併用した場合に、該接着剤と反応して架橋構造を形成し、接着性、耐久性、その他力学特性を著しく向上させ得る。
前記共重合体は、側基にヒドロキシ基をさらに有してもよい。ヒドロキシ基は接着剤中の官能基、例えばイソシアネート基と反応して接着性を高める効果を有する。

前記共重合体は、上記の各官能基を有する単量体を共重合することによって得ることができる。４級アンモニウム塩基をもつ単量体の具体例としてはジメチルアミノエチルアクリレート４級化物（対イオンとしてのクロライド、サルフェート、スルホネート、アルキルスルホネート等のアニオンを含む）等が挙げられる。カルボキシ基を有する単量体の具体例としては（メタ）アクリル酸、（メタ）アクロイルオキシエチルコハク酸、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等が挙げられる。
これら以外の他の単量体を共重合させることもできる。他の単量体としては、アルキル（メタ）アクリレート、スチレン、酢酸ビニル、ハロゲン化ビニル、オレフィン等のビニル誘導体等が挙げられる。

前記共重合体中の各官能基を有する単位の割合は適宜設定し得る。４級アンモニウム塩基を有する単位の割合は、全単位の合計に対して１５〜４０モル％が好ましい。この割合が１５モル％以上であると、帯電防止効果に優れる。４０モル％を越えると、共重合体の親水性が高くなり過ぎるおそれがある。カルボキシ基を有する単位の割合は、全単位の合計に対して３〜１３モル％が好ましい。

前記共重合体が側基にカルボキシ基を有する場合、前記共重合体に、架橋剤（硬化剤）が添加されてもよい。架橋剤としては、グリセリンジグリシジルエーテル等の２官能エポキシ化合物、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル等の３官能エポキシ化合物、トリメチロールプロパントリアジリジニルエーテル等のエチレンイミン化合物等の多官能化合物が挙げられる。
前記共重合体に、前記２官能、３官能のエポキシ化合物の開環反応触媒として、２−メチルイミダゾール、２−エチル、４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体やその他アミン類が添加されてもよい。

π共役系導電性高分子は、π共役が発達した主鎖を持つ導電性高分子である。π共役系導電性高分子としては、公知のものを用いることができ、たとえばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、それらの誘導体等が挙げられる。

高分子系帯電防止剤は、公知の方法により製造したものを用いてもよく、市販品のものを用いてもよい。たとえば側基に４級アンモニウム塩基およびカルボキシ基を有する共重合体の市販品として、コニシ社製の「ボンディップ（ＢＯＮＤＥＩＰ、商標名）−ＰＡ１００主剤」等が挙げられる。

高分子系帯電防止層としては、以下の層（１）〜（４）等が挙げられる。
層（１）：高分子系帯電防止剤がフィルム形成能を有するものであり、前記高分子系帯電防止剤をそのまま、または溶媒に溶解させて湿式塗布し、必要に応じて乾燥して形成された層。
層（２）：高分子系帯電防止剤がフィルム形成能を有し、かつ溶融可能なものであり、前記高分子系帯電防止剤を溶融塗布して形成された層。
層（３）：結合剤がフィルム形成能を有するものであり、かつ溶融可能なものであり、前記結合剤に高分子系帯電防止剤を分散または溶解させた組成物を溶融塗布して形成された層。
層（４）：結合剤がフィルム形成能を有するものであり、前記結合剤と高分子系帯電防止剤とを含む組成物をそのまま、または溶媒に溶解させて湿式塗布し、必要に応じて乾燥して形成された層。ただし層（１）に該当するものは、層（４）には該当しないものとする。

層（１）において、高分子系帯電防止剤がフィルム形成能を有するとは、高分子帯電防止剤が有機溶剤等の溶媒に可溶であり、その溶液を湿式塗布し、乾燥させたときに膜が形成されることを意味する。
層（２）において、高分子系帯電防止剤が溶融可能とは、加熱により溶融することを意味する。層（３）（４）における結合剤についての「フィルム形成能を有する」、「溶融可能」も同様の意味である。

層（１）における高分子系帯電防止剤は架橋性を有するものでもよく、架橋性を有しないものでもよい。高分子系帯電防止剤が架橋性を有する場合、架橋剤を併用してもよい。
フィルム形成能および架橋性を有する高分子系帯電防止剤としては、前記側基に４級アンモニウム塩基およびカルボキシ基を有する共重合体等が挙げられる。
架橋剤としては前記と同様のものが挙げられる。
層（１）の厚さは、０．０１〜１．０μｍが好ましく、０．０３〜０．５μｍが特に好ましい。層（１）の厚さが０．０１μｍ未満であると充分な帯電防止効果が得られないことがあり、一方、１．０μｍを超えると、その上に接着層を塗工する場合に、第１の熱可塑性樹脂層２と第２の熱可塑性樹脂層３との間の接着性を低下させるおそれがある。

層（２）における高分子系帯電防止剤としては、界面活性剤やカーボンブラック等を含有したポリオレフィン樹脂等が挙げられる。市販品としては、ペレクトロンＨＳ（三洋化成工業社製）等が挙げられる。層（２）の厚さの好ましい範囲は、層（１）の厚さの好ましい範囲と同様である。

層（３）における結合剤としては、汎用の熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、溶融成形時に接着するように、接着に寄与する官能基をもつ樹脂であることが好ましい。該官能基としては、カルボニル基等が挙げられる。 層（３）における高分子系帯電防止剤の含有量は、層（３）の全体の質量に対して１０〜４０質量部が好ましく、１０〜３０質量部が特に好ましい。層（３）の厚さの好ましい範囲は、層（１）の厚さの好ましい範囲と同様である。

層（４）を形成する組成物の１例は、接着剤である。接着剤は、主剤と硬化剤とを含有し、加熱等により硬化して接着性を発揮するものを意味する。
接着剤は、１液型接着剤でもよく、２液型接着剤でもよい。
層（４）を形成する接着剤（以下、層（４）形成用接着剤ともいう。）としては、たとえば、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤に高分子系帯電防止剤を添加したもの等が挙げられる。
接着剤に添加する高分子系帯電防止剤は、フィルム形成能を有するものでもよく、フィルム形成能を有しないもの（たとえばπ共役系導電性高分子）でもよい。
高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤としては、ドライラミネート用の接着剤として公知のものを使用できる。たとえばポリ酢酸ビニル系接着剤；アクリル酸エステル（アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル等）の単独重合体もしくは共重合体、またはアクリル酸エステルと他の単量体（メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等）との共重合体等からなるポリアクリル酸エステル系接着剤；シアノアクリレ−ト系接着剤；エチレンと他の単量体（酢酸ビニル、アクリル酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸等）との共重合体等からなるエチレン共重合体系接着剤；セルロ−ス系接着剤；ポリエステル系接着剤；ポリアミド系接着剤；ポリイミド系接着剤；尿素樹脂またはメラミン樹脂等からなるアミノ樹脂系接着剤；フェノ−ル樹脂系接着剤；エポキシ系接着剤；ポリオール（ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等）とイソシアネートおよび／またはイソシアヌレートと架橋させるポリウレタン系接着剤；反応型（メタ）アクリル系接着剤；クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム等からなるゴム系接着剤；シリコーン系接着剤；アルカリ金属シリケ−ト、低融点ガラス等からなる無機系接着剤；その他等の接着剤を使用できる。

層（４）形成用接着剤中の高分子系帯電防止剤の含有量は、層（４）の表面抵抗値が１０^１０Ω／□以下となる量が好ましく、１０^９Ω／□以下が特に好ましい。
帯電防止の観点からは、層（４）形成用接着剤中の高分子系帯電防止剤の含有量は多いほど好ましいが、高分子系帯電防止剤がπ共役系導電性高分子であり、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤にπ共役系導電性高分子を添加したものを層（４）形成用接着剤として用いて中間層４を形成する場合、高分子系帯電防止剤の含有量が多くなると、層（４）の接着性が低下し、第１の熱可塑性樹脂層２と第２の熱可塑性樹脂層３との間の密着性が不充分になるおそれがある。そのため、この場合の層（４）形成用接着剤中の高分子系帯電防止剤の含有量は、バインダーとなる樹脂の固形分に対し、４０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下が特に好ましい。下限値は１質量％が好ましく、５質量％が特に好ましい。

層（４）の厚さは、０．２〜５μｍが好ましく、０．５〜２μｍが特に好ましい。層（４）の厚さが前記範囲の下限値以上であると、第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層との接着性に優れ、また、帯電防止性に優れる。前記範囲の上限値以下であると生産性に優れる。

中間層４が有する高分子系帯電防止層は、１層でもよく２層以上でもよい。たとえば層（１）〜（４）のいずれか１種のみを有してもよく、２種以上を有してもよい。
高分子系帯電防止層としては、製造しやすい点で、層（１）が好ましい。層（１）と層（２）〜（４）のいずれか１種以上とを併用してもよい。

＜他の層＞
高分子系帯電防止層以外の他の層としては、熱可塑性樹脂層、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤から形成された層（以下、非帯電防止性接着層ともいう。）、ガスバリア層等が挙げられる。熱可塑性樹脂層としては、第１の熱可塑性樹脂層２、第２の熱可塑性樹脂層３と同様のものが挙げられる。非帯電防止性接着層における接着剤としては、前記と同様のものが挙げられる。ガスバリア層としては、たとえば、金属層、金属蒸着層、金属酸化物蒸着層等が挙げられる。

＜中間層の層構成＞
中間層４としては、高分子系帯電防止層と、非帯電防止性接着層とを有するものであるか、または、層（４）を有するものであることが好ましい。中間層４がこのような構成であると、ドライラミネート法により離型フィルム１を製造できる。

中間層４の好ましい層構成としては、以下の（１１）〜（１５）等が挙げられる。
（１１）第１の熱可塑性樹脂層２側から順に、層（１）〜（３）のいずれかの層と、非帯電防止性接着層とが積層した層。
（１２）第１の熱可塑性樹脂層２側から順に、層（４）と、非帯電防止性接着層とが積層した層。
（１３）１層の層（４）からなる層。
（１４）第１の熱可塑性樹脂層２側から順に、層（４）と、第３の熱可塑性樹脂層と、非帯電防止性接着層とが積層した層。
（１５）第１の熱可塑性樹脂層２側から順に、層（４）と、第３の熱可塑性樹脂層と、ガスバリア層と、非帯電防止性接着層とが積層した層。
上記の中では、（１１）または（１３）が好ましく、（１１）がより好ましく、層（１）〜（３）のいずれかの層が層（１）であるものが特に好ましい。
第３の熱可塑性樹脂層を構成する熱可塑性樹脂としては、前述した熱可塑性樹脂ＩＩと同様の樹脂が挙げられる。第３の熱可塑性樹脂層の厚さは特に限定されないが、６〜５０μｍが好ましい。

中間層４の厚さは、０．１〜５５μｍが好ましく、０．５〜２５μｍが特に好ましい。中間層４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、帯電防止性と接着性とが充分に優れ、上限値以下であれば、金型追従性に優れる。

（離型フィルムの厚さ）
離型フィルム１の厚さは、２５〜１００μｍが好ましく、４０〜７５μｍが特に好ましい。厚さが前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムがカールしにくい。また、離型フィルムの取り扱いが容易であり、離型フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムが容易に変形でき、金型のキャビティの形状への追従性が向上するため、離型フィルムがしっかりとキャビティ面に密着でき、高品質な樹脂封止部を安定して形成できる。離型フィルム１の厚さは、金型のキャビティが大きいほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。また、多数のキャビティを有する複雑な金型であるほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。

（離型フィルムのカール）
離型フィルム１は、以下の測定方法で測定されるカールが１ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以下が特に好ましい。
（カールの測定方法）
２０〜２５℃で、平らな金属板上に１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形状の離型フィルムを３０秒間静置し、前記離型フィルムの金属板から浮き上がった部分の最大高さ（ｃｍ）を測定し、その値をカールとする。

離型フィルムにカールがあると、離型フィルムが金型にうまく吸着しない。半導体パッケージの製造時における金型への離型フィルムの供給は、ロールトゥロール方式（巻き重ねられた状態の長尺の離型フィルムを巻出ロールから巻き出し、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られた状態で金型上に供給する方式）が一般的であるが、最近ではプリカット方式（予め金型に合わせてカットした短尺の離型フィルムを金型に供給する方式）も採用されている。離型フィルムにカールがあると、特にプリカット方式の場合、離型フィルムが金型にうまく吸着しない問題が生じる。
前記カールが１ｃｍ以下であると、プリカット方式の場合でも、離型フィルムの金型への吸着を良好に行うことができる。
前記カールの大きさは、第１の熱可塑性樹脂層２および第２の熱可塑性樹脂層３の貯蔵弾性率および厚さ、ドライラミネート条件等によって調整できる。

（離型フィルム１の製造方法）
離型フィルム１は、第１の熱可塑性樹脂層２を形成する第１のフィルムと第２の熱可塑性樹脂層３を形成する第２のフィルムとを、接着剤を用いてドライラミネートする工程を含む製造方法により製造することが好ましい。
ドライラミネートは、公知の方法により行うことができる。
たとえば第１のフィルムおよび第２のフィルムのうちの一方のフィルムの片面に、接着剤を塗布し、乾燥させ、その上に他のフィルムを重ね、所定の温度（ドライラミネート温度）に加熱された一対のロール（ラミネートロール）の間に通して圧着する。これにより、第１の熱可塑性樹脂層２と、接着層を有する中間層４と、第２の熱可塑性樹脂層３とがこの順に積層した積層体を得ることができる。

接着剤は、高分子系帯電防止剤を含有してもよく、含有しなくてもよい。
高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤を用いる場合（接着層が非帯電防止性接着層である場合）は、ドライラミネートする工程の前に、第１のフィルムおよび第２のフィルムのいずれか一方または両方の表面（中間層４側）に、高分子系帯電防止層を形成する工程を行う。
たとえば、第１のフィルムおよび第２のフィルムのうちの一方のフィルムの片面に、フィルム形成能を有する高分子系帯電防止剤を塗布し乾燥させ、その上に、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤を塗布し乾燥させ、さらにその上に他のフィルムを重ね、所定の温度（ドライラミネート温度）に加熱された一対のロール（ラミネートロール）の間に通して圧着する。これにより、第１の熱可塑性樹脂層２と、中間層４としての層（１）および非帯電防止性接着層と、第２の熱可塑性樹脂層３とがこの順に積層した積層体を得ることができる。
ドライラミネートする工程の前、かつ高分子系帯電防止層を形成する工程の前または後に、非帯電防止性接着層および高分子系帯電防止層以外の他の層を形成する工程を行ってもよい。
高分子系帯電防止剤を含有する接着剤を用いる場合（接着層が層（４）である場合）は、高分子系帯電防止層を形成する工程や他の層を形成する工程を行ってもよく、行わなくてもよい。
ドライラミネート後、必要に応じて、養生、切断等を行ってもよい。

前記ドライラミネートする工程においては、前記第１のフィルムおよび前記第２のフィルムのうちの一方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_１’（ＭＰａ）、厚さＴ_１（μｍ）、幅Ｗ_１（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_１（Ｎ）と、他方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_２’（ＭＰａ）、厚さＴ_２（μｍ）、幅Ｗ_２（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_２（Ｎ）とが、以下の式（Ｉ）を満たすことが好ましく、以下の式（ＩＩ）を満たすことが特に好ましい。
０．８≦｛（Ｅ_１’×Ｔ_１×Ｗ_１）×Ｆ_２｝／｛（Ｅ_２’×Ｔ_２×Ｗ_２）×Ｆ_１｝≦１．２ …（Ｉ）
０．９≦｛（Ｅ_１’×Ｔ_１×Ｗ_１）×Ｆ_２｝／｛（Ｅ_２’×Ｔ_２×Ｗ_２）×Ｆ_１｝≦１．１ …（ＩＩ）
ただし、１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ_１’（１８０）とＥ_２’（１８０）が１０〜３００ＭＰａであり、２５℃における貯蔵弾性率の差｜Ｅ_１’（２５）−Ｅ_２’（２５）｜は１，２００ＭＰａ以下であり、Ｔ_１およびＴ_２はそれぞれ１２〜５０（μｍ）である。
式（Ｉ）を満たすように前記ドライラミネートする工程を行うことにより、ドライラミネート時の２枚のフィルムに残留する応力の差が最少になるため、得られる離型フィルムが、カールしにくいものとなる。

ドライラミネートするフィルムとしては、市販のものを用いてもよく、公知の製造方法により製造したものを用いてもよい。フィルムには、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー塗工処理等の表面処理が施されてもよい。
フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を利用できる。
両面が平滑である熱可塑性樹脂フィルムの製造方法としては、たとえば、所定のリップ幅を有するＴダイを具備する押出機で溶融成形する方法等が挙げられる。
片面または両面に凹凸が形成されているフィルムの製造方法としては、たとえば、熱加工でフィルムの表面に元型の凹凸を転写する方法が挙げられ、生産性の点から、下記の方法（ｉ）、（ｉｉ）等が好ましい。方法（ｉ）、（ｉｉ）では、ロール状の元型を用いることによって、連続した加工が可能となり、凹凸が形成されたフィルムの生産性が著しく向上する。
（ｉ）フィルムを元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、フィルムの表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
（ｉｉ）押出機のダイスから押し出された熱可塑性樹脂を元型ロールと圧胴ロールとの間に通し、該熱可塑性樹脂をフィルム状に成形すると同時に、該フィルム状の熱可塑性樹脂の表面に元型ロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
方法（ｉ）、（ｉｉ）において、圧胴ロールとして表面に凹凸が形成されたものを用いると、両面に凹凸が形成されている熱可塑性樹脂フィルムが得られる。

以上、本発明の離型フィルムについて、第１実施形態を示して説明したが、本発明はこれに上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。

（作用効果）
本発明の離型フィルムは、帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる。
すなわち、本発明の離型フィルムは、高分子系帯電防止層を有するため、熱可塑性樹脂層（第１の熱可塑性樹脂層、第２の熱可塑性樹脂層等）にカーボンブラック等の無機フィラーを含まなくても、帯電防止性能を発現できる。そのため、半導体パッケージの製造時に、離型フィルムの剥離時の帯電−放電によって生じる不具合、たとえば帯電した離型フィルムへの異物の付着、離型フィルムからの放電による半導体チップの破壊等、を抑制できる。また、離型フィルムに付着した異物や離型フィルムからの無機フィラーの脱離による半導体パッケージの形状異常や金型汚れが生じにくい。また、本発明の離型フィルムは、カールしにくく、かつ半導体パッケージの製造において求められる金型追従性を充分に備える。そのため、半導体パッケージの製造時に、離型フィルムの金型への吸着を良好に行うことができる。

〔半導体パッケージ〕
本発明の離型フィルムを用いて、後述の本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージとしては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子を集積した集積回路；発光素子を有する発光ダイオード等が挙げられる。
集積回路のパッケージ形状としては、集積回路全体を覆うものでも集積回路の一部を覆う（集積回路の一部を露出させる）ものでもよい。具体例としては、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）等が挙げられる。
半導体パッケージとしては、生産性の点から、一括封止およびシンギュレーションを経て製造されるものが好ましく、たとえば、封止方式がＭＡＰ（Moldied Array Packaging）方式、またはＷＬ（Wafer Lebel packaging）方式である集積回路等が挙げられる。

図２は、半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。
この例の半導体パッケージ１１０は、基板１０と、基板１０の上に実装された半導体チップ（半導体素子）１２と、半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４と、樹脂封止部１４の上面１４ａに形成されたインク層１６とを有する。半導体チップ１２は、表面電極（図示なし）を有し、基板１０は、半導体チップ１２の表面電極に対応する基板電極（図示なし）を有し、表面電極と基板電極とはボンディングワイヤ１８によって電気的に接続されている。

樹脂封止部１４の厚さ（基板１０の半導体チップ１２設置面から樹脂封止部１４の上面１４ａまでの最短距離）は、特に限定されないが、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋１ｍｍ」以下が好ましく、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋０．５ｍｍ」以下が特に好ましい。

図３は、半導体パッケージの他の一例を示す概略断面図である。この例の半導体パッケージ１２０は、基板７０と、基板７０の上に実装された半導体チップ（半導体素子）７２と、アンダーフィル（樹脂封止部）７４とを有する。アンダーフィル７４は、基板２０と半導体チップ７２の主面（基板７０側の表面）との間の間隙を充填しており、半導体チップ７２の背面（基板７０側とは反対側の表面）は露出している。

〔半導体パッケージの製造方法〕
本発明の半導体パッケージの製造方法は、半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
金型の前記硬化性樹脂が接する面に、前述した本発明の離型フィルムを、前記第１の熱可塑性樹脂層側の表面または前記第１の離型層側の表面が前記金型内の空間に向くように配置する工程と、
半導体素子が実装された基板を前記金型内に配置し、前記金型内の空間に硬化性樹脂を満たして硬化させ、樹脂封止部を形成することにより、前記基板と前記半導体素子と前記樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする。

本発明の半導体パッケージの製造方法は、本発明の離型フィルムを用いること以外は、公知の製造方法を採用できる。
たとえば樹脂封止部の形成方法としては、圧縮成形法またはトランスファ成形法が挙げられ、この際に使用する装置としては、公知の圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。製造条件も、公知の半導体パッケージの製造方法における条件と同じ条件とすればよい。

（第１実施形態）
半導体パッケージの製造方法の一実施形態として、離型フィルムとして前述の離型フィルム１を用いて、図２に示した半導体パッケージ１１０を圧縮成形法により製造する場合について詳細に説明する。本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（α１）〜（α７）を有する。
（α１）離型フィルム１を、離型フィルム１が金型のキャビティを覆いかつ離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａがキャビティ内の空間に向くように（第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａがキャビティ面に向くように）配置する工程。
（α２）離型フィルム１を金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（α３）キャビティ内に硬化性樹脂を充填する工程。
（α４）複数の半導体チップ１２が実装された基板１０をキャビティ内の所定の位置に配置し、硬化性樹脂によって前記複数の半導体チップ１２を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板１０とその基板１０上に実装された複数の半導体チップ１２と前記複数の半導体チップ１２を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
（α５）金型内から前記一括封止体を取り出す工程。
（α６）前記複数の半導体チップ１２が分離するように、前記一括封止体の基板１０および前記樹脂封止部を切断することにより、基板１０とその基板１０上に実装された少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４とを有する個片化封止体を得る工程。
（α７）個片化封止体の樹脂封止部１４の表面に、インクを用いてインク層１６を形成し、半導体パッケージ１を得る工程。

金型：
第１実施形態における金型としては、圧縮成形法に用いる金型として公知のものを使用でき、たとえば、図４に示すように、固定上型２０と、キャビティ底面部材２２と、そのキャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４とを有する金型が挙げられる。
固定上型２０には、基板１０と固定上型２０との間の空気を吸引することによって基板１０を固定上型２０に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。また、キャビティ底面部材２２には、離型フィルム１とキャビティ底面部材２２との間の空気を吸引することによって離型フィルム１をキャビティ底面部材２２に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。
この金型においては、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面によって、工程（α４）で形成する樹脂封止部の形状に対応する形状のキャビティ２６が形成される。以下、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面を総称してキャビティ面ともいう。

工程（α１）：
可動下型２４上に、キャビティ底面部材２２の上面を覆うように離型フィルム１を配置する。このとき離型フィルム１は、第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａを下側（キャビティ底面部材２２方向）に向けて配置される。
離型フィルム１は、巻出ロール（図示略）から送られ、巻取ロール（図示略）で巻き取られる。離型フィルム１は、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて、可動下型２４上に配置される。

工程（α２）：
別途、キャビティ底面部材２２の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、キャビティ底面部材２２の上面と離型フィルム１との間の空間を減圧し、離型フィルム１を引き伸ばして変形させて、キャビティ底面部材２２の上面に真空吸着させる。さらに、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４を締め、離型フィルム１を全方向から引っ張り、緊張状態にさせる。
なお、高温環境下での離型フィルム１の強度、厚さ、キャビティ底面部材２２の上面と可動下型２４の内側側面によって形成された凹部の形状によって、離型フィルム１は、キャビティ面に密着するとは限らない。工程（α２）の真空吸着の段階では、図４に示すように、離型フィルム１とキャビティ面との間に空隙が少し残っていてもよい。

工程（α３）：
図４に示すように、硬化性樹脂４０を、アプリケータ（図示略）によって、キャビティ２６内の離型フィルム１の上に適量充填する。また、別途、固定上型２０の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、固定上型２０の下面に、複数の半導体チップ１２が実装された基板１０を真空吸着させる。

硬化性樹脂４０としては、半導体パッケージの製造に用いられている各種の硬化性の樹脂を用いてよい。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
エポキシ樹脂としては、たとえば住友ベークライト社製のスミコンＥＭＥ Ｇ７７０Ｈ ｔｙｐｅ Ｆｖｅｒ．ＧＲ、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４７１９−ＳＰ１０等が挙げられる。シリコーン樹脂の市販品としては、信越化学工業社製のＬＰＳ−３４１２ＡＪ、ＬＰＳ−３４１２Ｂ等が挙げられる。

硬化性樹脂４０には、カーボンブラック、熔融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が含まれてもよい。なお、ここでは、硬化性樹脂４０として固体のものを充填する例を示したが、本発明はこれに限定されず、液状の硬化性樹脂を充填してもよい。

工程（α４）：
図５に示すように、キャビティ２６内の離型フィルム１の上に硬化性樹脂４０を充填した状態で、キャビティ底面部材２２および可動下型２４を上昇させ、固定上型２０と型締めする。次いで、図６に示すように、キャビティ底面部材２２のみ上昇させるとともに金型を加熱して硬化性樹脂４０を硬化させ、複数の半導体チップ１２を一括封止する樹脂封止部を形成する。
工程（α４）においては、キャビティ底面部材２２を上昇させたときの圧力によって、キャビティ２６内に充填された硬化性樹脂４０がさらにキャビティ面に押し込まれる。これによって離型フィルム１が引き伸ばされて変形し、キャビティ面に密着する。そのため、キャビティ２６の形状に対応した形状の樹脂封止部が形成される。

金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、１００〜１８５℃が好ましく、１４０〜１７５℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、半導体パッケージ１１０の生産性が向上する。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、硬化性樹脂４０の劣化が抑えられる。
硬化性樹脂４０の熱膨張率に起因する樹脂封止部１４の形状変化を抑制する点から、半導体パッケージ１１０の保護が特に求められる場合には、前記範囲内においてできるだけ低い温度で加熱することが好ましい。

工程（α５）：
固定上型２０とキャビティ底面部材２２と可動下型２４とを型開きし、一括封止体を取り出す。
一括封止体を離型すると同時に、離型フィルム１の使用済み部分を巻取ロール（図示略）に送り、離型フィルム１の未使用部分を巻出ロール（図示略）から送り出す。巻出ロールから巻取ロールへ搬送する際の離型フィルム１の厚さは２５μｍ以上が好ましい。厚さが２５μｍ未満では、離型フィルム１の搬送時にしわが生じやすい。離型フィルム１にしわが入ると、しわが樹脂封止部１４に転写されて製品不良となるおそれがある。厚さが２５μｍ以上であれば、離型フィルム１に張力を充分にかけることによって、しわの発生を抑えることができる。

工程（α６）：
金型内から取り出した一括封止体の基板１０および樹脂封止部を、複数の半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４とを有する個片化封止体を得る。
個片化は、公知の方法により行うことができ、たとえばダイシング法が挙げられる。ダイシング法は、ダイシングブレードを回転させながら対象物を切断する方法である。ダイシングブレードとしては、典型的には、ダイヤモンド粉を円盤の外周に焼結した回転刃（ダイヤモンドカッター）が用いられる。ダイシング法による個片化は、たとえば、切断対象物である一括封止体を、治具を介して処理台上に固定し、切断対象物の切断領域と前記治具の間にダイシングブレードを挿入する空間がある状態で前記ダイシングブレードを走行させる方法により行うことができる。
工程（α６）においては、前記のように一括封止体を切断する工程（切断工程）の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから前記切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれてもよい。

工程（α７）：
工程（α６）で得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム１と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１１０を得る。
インク層１６によって表示される情報としては、特に限定されず、シリアルナンバー、製造メーカーに関する情報、部品の種別等が挙げられる。ンクの塗布方法は、特に限定されず、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷、ゴム版からの転写等の各種印刷法が適用できる。
インクとしては、特に限定されず、公知のインクのなかから適宜選択できる。インク層１６の形成方法としては、硬化速度が速くパッケージ上での滲みが少ない、また熱風を当てないのでパッケージの位置ずれが少ない等の点で、光硬化型のインクを使用し、該インクをインクジェット法により樹脂封止部１４の上面１４ａに付着させ、該インクを光の照射により硬化させる方法が好ましい。

光硬化型のインクとしては、典型的には、重合性化合物（モノマー、オリゴマー等）を含むものが用いられる。インクには、必要に応じて、顔料、染料等の色材、液体媒体（溶媒または分散媒）、重合禁止剤、光重合開始剤、その他各種添加剤等が添加される。その他の添加剤としては、たとえば、スリップ剤、重合促進剤、浸透促進剤、湿潤剤（保湿剤）、定着剤、防黴剤、防腐剤、酸化防止剤、放射線吸収剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、増粘剤等が挙げられる。

光硬化型のインクを硬化する光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。
紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、紫外線発光ダイオード、紫外線レーザーダイオード、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。

（第２実施形態）
半導体パッケージの製造方法の他の実施形態として、離型フィルムとして前述の離型フィルム１を用いて、図２に示した半導体パッケージ１１０をトランスファ成形法により製造する場合について詳細に説明する。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（β１）〜（β７）を有する。
（β１）離型フィルム１を、離型フィルム１が金型のキャビティを覆いかつ離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａがキャビティ内の空間に向くように（第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａがキャビティ面に向くように）配置する工程。
（β２）離型フィルム１を金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（β３）複数の半導体チップ１２が実装された基板１０をキャビティ内の所定の位置に配置する工程。
（β４）キャビティ内に硬化性樹脂を充填し、該硬化性樹脂によって複数の半導体チップ１２を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板１０とその基板１０上に実装された複数の半導体チップ１２と前記複数の半導体チップ１２を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
（β５）金型内から前記一括封止体を取り出す工程。
（β６）前記複数の半導体チップ１２が分離するように、前記一括封止体の基板１０および前記樹脂封止部を切断することにより、基板１０とその基板１０上に実装された少なくとも１つの半導体チップ１２と前記半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４とを有する個片化封止体を得る工程。
（β７）個片化封止体の樹脂封止部１４の表面に、インクを用いてインク層を形成し、半導体パッケージ１を得る工程。

金型：
第２実施形態における金型としては、トンラスファ成形法に用いる金型として公知のものを使用でき、たとえば、図７に示すように、上型５０と下型５２とを有する金型が挙げられる。上型５０には、工程（α４）で形成する樹脂封止部１４の形状に対応する形状のキャビティ５４と、キャビティ５４に硬化性樹脂４０を導く凹状の樹脂導入部６０とが形成されている。下型５２には、半導体チップ１２を搭載した基板１０を設置する基板設置部５８と、硬化性樹脂４０を配置する樹脂配置部６２とが形成されている。また、樹脂配置部６２内には、硬化性樹脂４０を上型５０の樹脂導入部６０へと押し出すプランジャ６４が設置されている。

工程（β１）：
図８に示すように、上型５０のキャビティ５４を覆うように離型フィルム１を配置する。離型フィルム１は、キャビティ５４および樹脂導入部６０の全体を覆うように配置することが好ましい。離型フィルム１は、巻出ロール（図示略）および巻取ロール（図示略）によって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて上型５０のキャビティ５４を覆うように配置される。

工程（β２）：
図９に示すように、上型５０のキャビティ５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、離型フィルム１とキャビティ面５６との間の空間、および離型フィルム１と樹脂導入部６０の内壁との間の空間を減圧し、離型フィルム１を引き伸ばして変形させて、上型５０のキャビティ面５６に真空吸着させる。
なお、高温環境下での離型フィルム１の強度、厚さ、またキャビティ５４の形状によって、離型フィルム１は、キャビティ面５６に密着するとは限らない。図９に示すように、工程（β２）の真空吸着の段階では、離型フィルム１とキャビティ面５６との間には、空隙が少し残る。

工程（β３）：
図１０に示すように、複数の半導体チップ１２を実装した基板１０を、基板設置部５８に設置して上型５０と下型５２とを型締めし、複数の半導体チップ１２をキャビティ５４内の所定の位置に配置する。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。硬化性樹脂４０としては、方法（α）で挙げた硬化性樹脂４０と同様のものが挙げられる。

工程（β４）：
図１１に示すように、下型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じてキャビティ５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させ、複数の半導体チップ１２を封止する樹脂封止部を形成する。
工程（β４）においては、キャビティ５４内に硬化性樹脂４０が充填されることによって、樹脂圧力によって離型フィルム１がさらにキャビティ面５６側に押し込まれ、引き延ばされて変形することによってキャビティ面５６に密着する。そのため、キャビティ５４の形状に対応した形状の樹脂封止部１４が形成される。

硬化性樹脂４０を硬化させる際の金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、方法（α）における温度範囲と同じ範囲とすることが好ましい。
硬化性樹脂４０の充填時の樹脂圧は、２〜３０ＭＰａが好ましく、３〜１０ＭＰａが特に好ましい。樹脂圧が前記範囲の下限値以上であれば、硬化性樹脂４０の充填不足等の欠点が生じにくい。樹脂圧が前記範囲の上限値以下であれば、優れた品質の半導体パッケージ１１０が得られやすい。硬化性樹脂４０の樹脂圧は、プランジャ６４によって調整できる。

工程（β５）：
図１２に示すように、基板１０と基板１０上に実装された複数の半導体チップ１２と前記複数の半導体チップ１２を一括封止する樹脂封止部１４Ａとを有する一括封止体１１０Ａを、金型から取り出す。このとき、樹脂導入部６０内で硬化性樹脂４０が硬化した硬化物１９が、一括封止体１１０Ａの樹脂封止部１４Ａに付着した状態で一括封止体１１０Ａとともに金型から取り出される。そのため、取り出された一括封止体１１０Ａに付着している硬化物１９を切除して、一括封止体１１０Ａを得る。

工程（β６）：
工程（β５）で得られた一括封止体１１０Ａの基板１０および樹脂封止部１４Ａを、複数の半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４とを有する個片化封止体を得る。工程（β６）は、工程（α６）と同様にして行うことができる。

工程（β７）：
得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム１の第１面と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１１０を得る。工程（β７）は、工程（α７）と同様にして行うことができる。

（第３実施形態）
半導体パッケージの製造方法の他の実施形態として、離型フィルムとして前述の離型フィルム１を用いて、図３に示した半導体パッケージ１２０をトランスファ成形法により製造する場合について詳細に説明する。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法は、下記の工程（γ１）〜（γ５）を有する。
（γ１）離型フィルム１を、上型と下型とを有する金型の前記上型のキャビティを覆いかつ離型フィルム１の第１の熱可塑性樹脂層２側の表面２ａがキャビティ内の空間に向くように（第２の熱可塑性樹脂層３側の表面３ａが前記上型のキャビティ面に向くように）配置する工程。
（γ２）離型フィルム１を前記上型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
（γ３）半導体チップ７２が実装された基板７０を下型上に配置し、上型と下型とを型締めして、半導体チップ７２の背面（基板７０側とは反対側の表面）に離型フィルム１を密着させる工程。
（γ４）上型と下型との間のキャビティ内に硬化性樹脂を充填し、アンダーフィル７４を形成することにより、基板７０と半導体チップ７２とアンダーフィル７４とを有する半導体パッケージ１２０（封止体）を得る工程。
（γ５）金型内から前記半導体パッケージ１２０を取り出す工程。

金型：
第３実施形態における金型としては、第２実施形態における金型と同様のものを用いることができる。

工程（γ１）：
図１３に示すように、上型５０のキャビティ５４を覆うように離型フィルム１を配置する。工程（γ１）は、工程（β１）と同様にして行うことができる。

工程（γ２）：
上型５０のキャビティ５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、離型フィルム１とキャビティ面５６との間の空間、および離型フィルム１と樹脂導入部６０の内壁との間の空間を減圧し、離型フィルム１を引き伸ばして変形させて、上型５０のキャビティ面５６に真空吸着させる。工程（γ２）は、工程（β２）と同様にして行うことができる。

工程（γ３）：
図１４に示すように、半導体チップ７２を実装した基板７０を、下型５２の基板設置部５８に設置する。
そして、上型５０と下型５２とを型締めし、半導体チップ１２をキャビティ５４内の所定の位置に配置するとともに、半導体チップ７２の背面（基板７０側とは反対側の表面）に離型フィルム１を密着させる。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。
硬化性樹脂４０としては、方法（α）で挙げた硬化性樹脂４０と同様のものが挙げられる。

工程（γ４）：
図１５に示すように、下型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じてキャビティ５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させ、アンダーフィル７４を形成する。工程（γ４）は、工程（β４）と同様にして行うことができる。

工程（γ５）：
図１６に示すように、基板７０と基板７０上に実装された半導体チップ７２と半導体チップ７２の側面および底面を封止するアンダーフィル７４とを有する半導体パッケージ１２０を、金型から取り出す。このとき、樹脂導入部６０内で硬化性樹脂４０が硬化した硬化物７６が、半導体パッケージ１２のアンダーフィル７４に付着した状態で半導体パッケージ１２とともに金型から取り出される。そのため、取り出された半導体パッケージ１２０に付着している硬化物７６を切除して、半導体パッケージ１２０を得る。

本実施形態では、工程（γ４）で、半導体チップ７２の一部（背面）が離型フィルム１に直接接した状態で硬化性樹脂４０を充填する。これにより、半導体チップ７２の、離型フィルム１に直接接した部分には硬化性樹脂が接触せず、半導体チップ７２の一部が露出した半導体パッケージ１２０が得られる。

以上、本発明の半導体パッケージの製造方法について、第１〜第３実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
たとえば、第１実施形態においては、工程（α５）の後、工程（α６）、工程（α７）をこの順で行う例を示したが、工程（α６）、工程（α７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の表面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。
同様に、第２実施形態においては、工程（β５）の後、工程（β６）、工程（β７）をこの順で行う例を示したが、工程（β６）、工程（β７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の表面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。
離型フィルムから樹脂封止部を剥離するタイミングは、金型から樹脂封止部を取り出す時に限定されず、金型から離型フィルムとともに樹脂封止部を取り出し、その後、樹脂封止部から離型フィルムを剥離してもよい。
一括封止する複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離は均一でもよく均一でなくてもよい。封止が均質にでき、複数の半導体チップ１２それぞれに均一に負荷がかかる（すなわち負荷が最も小さくなる）点から、複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離を均一にすることが好ましい。

また、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造する半導体パッケージは、半導体パッケージ１１０、１２０に限定されない。
製造する半導体パッケージによっては、第１実施形態における工程（α６）〜（α７）、第２実施形態における工程（β６）〜（β７）は行わなくてもよい。たとえば樹脂封止部の形状は、図２〜３に示すものに限定されず、段差等があってもよい。樹脂封止部に封止される半導体素子は１つでも複数でもよい。インク層は必須ではない。
半導体パッケージとして発光ダイオードを製造する場合、樹脂封止部はレンズ部としても機能するため、通常、樹脂封止部の表面にはインク層は形成されない。レンズ部である場合、樹脂封止部の形状は、略半球型、砲弾型、フレネルレンズ型、蒲鉾型、略半球レンズアレイ型等の各種のレンズ形状が採用できる。

以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。後述する例１〜１３のうち、例１〜９は実施例であり、例１０〜１３は比較例である。以下に各例で使用した材料および評価方法を示す。

〔使用材料〕
＜熱可塑性樹脂＞
ＥＴＦＥ（１）：後述の製造例１で得た、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．５／４６．３／１．２（モル比）の共重合体（ＭＦＲ：１２ｇ／１０分）。
ＥＴＦＥ（２）：後述の製造例２で得た、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５６．３／４０．２／３．５（モル比）の共重合体（ＭＦＲ：１２．５ｇ／１０分）。
ＰＢＴ：ポリブチレンテレフタレート、「ノバデュラン５０２０」（三菱エンジニアリングプラスチック社製）。
ポリメチルペンテン：「ＴＰＸ ＭＸ００４」（三井化学社製）。

＜製造例１：ＥＴＦＥ（１）の製造＞
内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８８１．９ｇ、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（商品名「ＡＫ２２５ｃｂ」旭硝子社製、以下、ＡＫ２２５ｃｂともいう。）の３３５．５ｇ、ＣＨ_２＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（ＰＦＢＥ）の７．０ｇを仕込み、ＴＦＥの１６５．２ｇ、エチレン（以下、Ｅともいう。）の９．８ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてターシャリーブチルパーオキシピバレート（以下、ＰＢＰＶという。）の１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の７．７ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、モノマー混合ガスの仕込みに合わせて、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して１．４モル％に相当する量のＰＦＢＥを連続的に仕込んだ。重合開始から２．９時間後、モノマー混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
その後、得られたスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、ＥＴＦＥ（１）の１０５ｇを得た。

＜製造例２：ＥＴＦＥ（２）の製造＞
重合槽の内容積を１．２Ｌにし、重合を開始させる前に仕込む１−ヒドロトリデカフルオロヘキサンの量を８８１．９ｇから０ｇに、ＡＫ２２５ｃｂの量を３３５．５ｇから２９１．６ｇに、ＰＦＢＥの量を７．０ｇから１６．０ｇに、ＴＦＥの量を１６５．２ｇから１８６．６ｇに、Ｅの量を９．８ｇから６．４ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を５．８ｍＬから５．３ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むモノマー混合ガスのＴＦＥ／Ｅのモル比を５４／４６から５８／４２に、ＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）０．８モル％から３．６モル％に変更し、重合開始から３時間後、モノマー混合ガス９０ｇを仕込んだ時点で重合槽内温を室温まで降温した以外は製造例１と同様にして、ＥＴＦＥ（２）の９０ｇを得た。

＜熱可塑性樹脂フィルム＞
ＥＴＦＥフィルム（１−１）：厚さ３０μｍ。片面は凹凸がありＲａが１．５であり、もう一方の片面は平滑でありＲａが０．１である。ＥＴＦＥフィルム（１−１）は、以下の手順で製造した。
ＥＴＦＥ（１）を、フィルムの厚さが３０μｍとなるようにリップ開度を調整した押出機により、３２０℃で溶融押出をした。元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、ＥＴＦＥフィルムを製造した。

ＥＴＦＥフィルム（１−２）：厚さ２５μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。ＥＴＦＥフィルム（１−２）は、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（２−１）：厚さ２５μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。ＥＴＦＥフィルム（２−１）は、ＥＴＦＥ（１）のかわりにＥＴＦＥ（２）を使用し、押出温度を３００℃とした以外はＥＴＦＥフィルム（１−２）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（１−３）：厚さ１２μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１である。ＥＴＦＥフィルム（１−３）は、厚さ１２μｍとなるように各条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−２）と同様にして製造した。
ＥＴＦＥフィルム（１−４）：厚さ５０μｍ。両面が平滑であり、両面のＲａが０．１であり、厚さ５０μｍとなるように各条件を調整した以外はＥＴＦＥフィルム（１−２）と同様にして製造した。
なお、それぞれのフィルムは、ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力が４０ｍＮ／ｍ以上となるように、コロナ処理を施した。

ＰＢＴフィルム（１−１）：厚さ２５μｍ。片面は凹凸がありＲａが０．８であり、もう一方の片面は平滑でありＲａが０．１である。ＰＢＴフィルム（１−１）は、以下の手順で製造した。
ポリブチレンテレフタレート樹脂「ノバデュラン５０２０」（三菱エンジニアリングプラスチック社製）を、厚さ２５μｍとなるようにリップ開度を調整した押出機により、２８０℃で溶融押出をした。元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整して、ＰＢＴフィルムを製造した。

ＰＢＴフィルム（１−２）：厚さ５０μｍ。両面に凹凸があり、両面のＲａは１．５である。ＰＢＴフィルム（１−２）は、元型ロール、製膜速度、ニップ圧力条件を調整した以外はＰＢＴフィルム（１−１）と同様にして製造した。
ＴＰＸフィルム（１−１）：厚さ２５μｍ。片面は凹凸がありＲａが０．８であり、もう一方の片面は平滑でありＲａが０．１である。ＴＰＸフィルム（１−１）は、以下の手順で製造した。
ポリメチルペンテン樹脂「ＴＰＸ ＭＸ００４」（三菱エンジニアリングプラスチック社製）を、厚さ２５μｍとなるようにリップ開度を調整した押出機により、２８０℃で溶融押出をした。元型ロール、製膜速度、ニップ圧力を調整してＴＰＸフィルムを製造した。ＩＳＯ８２９６：１９８７（ＪＩＳ Ｋ６７６８：１９９９）に基づく濡れ張力が４０ｍＮ／ｍ以上となるように、コロナ処理を施した。

ＰＥＴフィルム（１−１）：厚さ２５μｍ。「テトロンＧ２ ２５μｍ」（帝人デュポンフィルム社製）を用いた。両面が平坦であり、両面のＲａは０．２である。
ＰＥＴフィルム（１−２）：厚さ５０μｍ。「テトロンＧ２ ５０μｍ」（帝人デュポン社製）を用いた。両面が平坦であり、両面のＲａは０．２である。
ポリアミドフィルム（１−１）：厚さ２５μｍ。「ダイアミロンＣ−Ｚ」（三菱樹脂社製）を用いた。両面が平坦であり、両面のＲａは０．１である。
ＥＴＦＥ（カーボンブラック３質量部混練）フィルム（１−１）：厚さ５０μｍ。両面に凹凸があり、両面のＲａが１．５である。ＥＴＦＥ（カーボンブラック３質量部混練）フィルム（１−１）は、以下の手順で製造した。
ＥＴＦＥ（１）のペレットの１００質量部に対し、カーボンブラック「デンカブラック 粒状」（電気化学工業社製）の３質量部を加え、３２０℃の二軸押出機で混練してコンパウンドペレットを製造した。該ペレットを３２０℃の押出機で溶融押出して、ＥＴＦＥ（カーボンブラック３質量部混練）フィルムを製造した。

＜その他の材料＞
ボンディップ（ＢＯＮＤＥＩＰ、商標名）−ＰＡ１００：ボンディップ（商標名）ＰＡ１００主剤、ボンディップ（商標名）ＰＡ１００硬化剤（コニシ社製）。
導電性高分子Ａ：ポリピロール分散液 「ＣＯＲＥＲＯＮ ＹＥ」（化研産業社製）。
接着組成物１：主剤としてポリエステルポリオール「クリスボンＮＴ−２５８」（ＤＩＣ社製）、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネート「コロネート２０９６」（日本ポリウレタン工業社製）。
ペレスタット（商標名）ＮＣ６３２１：ポリエチレンオキシド鎖を有する樹脂。

〔離型フィルムの製造方法〕
（ドライラミネート）
ドライラミネートは、すべての例において、グラビアコートによって基材（第２の熱可塑性樹脂層に対応するフィルム）に各種塗布液を塗工し、基材幅：１，０００ｍｍ、搬送速度：２０ｍ／分、乾燥温度：８０〜１００℃、ラミネートロール温度：２５℃、圧力：３．５ＭＰａで行った。

〔評価方法〕
（１８０℃における剥離強度）
各例で製造した離型フィルムのうち、２枚のフィルム（第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層）を、接着剤を用いてドライラミネートしたフィルム構成の離型フィルムについて、ＪＩＳ Ｋ６８５４−２：１９９９に準拠し、以下のように、１８０度剥離試験を行って、２枚の熱可塑性樹脂フィルム間の１８０℃における剥離強度（Ｎ／ｃｍ）を測定した。
（ａ）作製した離型フィルムを、２５ｍｍ幅×１５ｃｍ長さに切り取って評価サンプルとした。
（ｂ）１８０℃に熱した恒温槽内で、引張試験機（オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、評価サンプルの第２の熱可塑性樹脂層を下側のつかみ具で、第１の熱可塑性樹脂層を上側のつかみ具でつかみ、上側のつかみ具を１００ｍｍ／分の速度で上方に動かして１８０度の角度での剥離強度を測定した。
（ｃ）力（Ｎ）−つかみ移動距離曲線における、つかみ移動距離３０ｍｍから１００ｍｍまでの剥離力（Ｎ／ｃｍ）の平均値を求めた。
（ｄ）同じ離型フィルムから作製した評価サンプル５本の剥離力の平均値を求めた。その値を、離型フィルムの１８０℃における剥離強度とした。

（帯電防止層の表面抵抗値）
各例において、第２の熱可塑性樹脂層に帯電防止層を形成したのち、第１の熱可塑性樹脂層を積層せずに、ＩＥＣ６００９３に準拠して表面抵抗値を測定した。帯電防止層を形成しなかった例７については、離型フィルムの表面抵抗値をそのまま測定した。測定環境は２３℃５０％ＲＨであった。

（弾性率）
第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層の各層に対応するフィルムの２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２５）および１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ’（１８０）を以下の手順で測定した。
動的粘弾性測定装置ソリッドＬ−１（東洋精機社製）を用い、ＩＳＯ ６７２１−４：１９９４（ＪＩＳ Ｋ７２４４−４：１９９９）に基づき貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。周波数は１０Ｈｚ、静的力は０．９８Ｎ、動的変位は０．０３５％とし、温度を２０℃から２℃／分の速度で上昇させて、２５℃および１８０℃において測定したＥ’をそれぞれ、２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２５）および１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ’（１８０）とした。

（灰付着試験）
金属製の基板上に、厚さ１ｃｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形状で、中央に８ｃｍ×８ｃｍの正方形の穴が開いたスポンジを載せ、その穴の中央部分にタバコの灰を１ｇ置き、スポンジ上に離型フィルムを、第１の熱可塑性樹脂層側を下側に向けて載せ、温度２３〜２６℃、湿度５０±５％ＲＨで１分間放置した。その後、離型フィルムへの灰の付着の有無を目視で確認した。その結果を以下の基準で評価した。灰の付着が少ないほど、離型フィルムが帯電しにくいことを示す。
○（良好）：灰は全く付着しない。
×（不良）：灰が付着する。

（１８０℃追従試験）
図１７に示す本装置は、中央に１１ｍｍ×１１ｍｍの正方形の穴があるステンレス製の枠材（厚さ３ｍｍ）９０と、内部に枠材９０を収容可能な空間Ｓを有する治具９２と、治具９２の上に配置されたおもり９４と、治具９２の下に配置されたホットプレート９６とを備える。
治具９２は、上部部材９２Ａと下部部材９２Ｂとを備える。上部部材９２Ａと下部部材９２Ｂとの間に、評価対象の離型フィルム３０をはさみ、おもり９４を載せることで、離型フィルム３０が固定されるとともに、気密な空間Ｓが形成される仕様になっている。このとき枠材９０は、穴の中にステンレス製のコマ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）９８およびステンレス製のメッシュ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）８０が収容された状態で、治具９２内の上部部材９２Ａ側に収容され、離型フィルム３０と接する。
上部部材９２Ａの天面には排気口８４が形成され、排気口８４の空間Ｓ側の開口面にはステンレス製のメッシュ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）８２が配置されている。また、おもり９４の排気口８４に対応した位置には貫通孔８６が形成されており、貫通孔８６を通って配管Ｌ１が排気口８４に接続されている。配管Ｌ１には真空ポンプ（図示略）が接続されており、真空ポンプを作動させることによって治具９２内の空間Ｓを減圧できるようになっている。下部部材９２Ｂには配管Ｌ２が接続されており、配管Ｌ２を介して治具９２内の空間Ｓに圧縮空気を供給できるようになっている。

この装置においては、枠材９０の穴の内面とメッシュ８０およびコマ９８それぞれの外縁との間にはわずかな隙間があり、メッシュ８０およびコマ９８は、枠材９０の穴の中を上下方向に移動可能である。また、前記隙間を介して離型フィルム３０とコマ９８との間の空気を真空ポンプで真空吸引し、枠材９０の下面と離型フィルム３０との間の空間を減圧できるようになっている。
枠材９０の下面と離型フィルム３０との間の空間を減圧し、必要に応じて配管Ｌ２から圧縮空気を空間Ｓ内に供給することで、離型フィルム３０を、枠材９０の穴の内周面およびコマ９８の下面に密着するように引き伸ばすことができる。
この装置においては、枠材９０の穴の中に入れるコマ９８の厚さを変えることで、追従深さ、すなわち枠材９０の下面（離型フィルム３０が接触する面）と、コマ９８の下面（離型フィルム３０側の面）との間の距離を変えることができる。

試験においては、まず、コマ９８として追従深さが０．８ｍｍとなるものを使用し、離型フィルム３０を枠材９０に密着させて治具９２に固定した。このとき、離型フィルム３０は、第２の熱可塑性樹脂層側の表面を上側（枠材９０側）に向けて配置した。次に、ホットプレート９６で治具９２全体を１８０℃まで熱したのち、真空ポンプを作動させてコマ９８と離型フィルム３０との間の空気を抜いた。さらに配管Ｌ２から圧縮空気（０．５ＭＰａ）を空間Ｓ内に供給して、離型フィルム３０を枠材９０とコマ９８に追従させた。その状態を３分間維持し、真空ポンプの真空度をチェックしたのちに、離型フィルム３０が角部（枠材９０の穴の内周面とコマ９８の下面とによって形成される角）に追従しているかどうかを目視で確認した。その後、真空ポンプの作動および圧縮空気の供給を停止し、速やかに離型フィルム３０を取り出した。取り出した離型フィルム３０について、層間の剥離がないかどうか目視で確認した。その結果を以下の基準で評価した。
○（良好）：離型フィルムが金型に完全に追従し、層間の剥離も見られなかった。
△（可）：離型フィルムが金型に追従したが、離型フィルムの層間が剥離した。
×（不良）：離型フィルムが金型に追従しきらなかった。

（カール試験）
以下の手順で離型フィルムのカールを測定した。
２５℃で、平らな金属板上に１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形状の離型フィルムを３０秒間静置し、前記離型フィルムの金属板から浮き上がった部分の最大高さ（ｃｍ）を測定し、その値をカールとした。その結果を以下の基準で評価した。
○（良好）：カールが１ｃｍ未満。
×（不良）：カールが１ｃｍ以上。

（金型汚れ）
１８０℃環境下のトランスファーモールドの下金型に未モールド基板をセットし、離型フィルムを上金型に真空吸着後、上下金型を閉め、半導体モールド用エポキシ樹脂を用い、７ＭＰａ、１８０秒にてトランスファーモールドを行った。上記条件にて繰り返しモールドショットを行い、１，０００回繰り返した。その際の金型の汚れを目視でチェックした。その結果を以下の基準で評価した。
○（良好）：金型の汚れは見られない。
×（不良）：金型の汚れが見られる。

〔例１〕
第１の熱可塑性樹脂層としてＥＴＦＥフィルム（１−１）、第２の熱可塑性樹脂層としてＥＴＦＥフィルム（１−１）を用いた。
ボンディップ（商標名）ＰＡ１００主剤／ボンディップ（商標名）ＰＡ１００硬化剤／イソプロパノール／水を１／１／２／１．５の質量割合で混合し、帯電防止層形成用組成物１を得た。
帯電防止層形成用組成物１を、第２の熱可塑性樹脂層の片面（平滑である方の面）に０．３ｇ／ｍ^２の塗工量で塗工し乾燥して帯電防止層を形成した。次いで、該帯電防止層の表面に、クリスボンＮＴ−２５８／コロネート２０９６／酢酸エチルを１８／１／８０の質量割合で混合して得た接着組成物１を０．５ｇ／ｍ^２の塗工量で塗工し、乾燥して接着層を形成した。接着層に第１の熱可塑性樹脂層を、凹凸がある側が離型フィルムの外側となるように積層し、第１の熱可塑性樹脂層、第２の熱可塑性樹脂層ともにかかる張力を８Ｎの条件でドライラミネートすることにより、第１実施形態の離型フィルム１と同様の構成の離型フィルムを製造した。

〔例２〕
第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層をＥＴＦＥフィルム（１−２）に変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例３〕
第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層をＥＴＦＥフィルム（２−１）に変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例４〕
第２の熱可塑性樹脂層をＰＢＴフィルム（１−１）に変更し、ドライラミネート時の第２の熱可塑性樹脂層にかかる張力を８Ｎから１３Ｎに変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例５〕
第２の熱可塑性樹脂層をポリアミドフィルム（１−１）に変更し、ドライラミネート時の第２の熱可塑性樹脂層にかかる張力を８Ｎから９Ｎに変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例６〕
第１の熱可塑性樹脂層をＴＰＸフィルム（１−１）に変更し、ドライラミネート時の第１の熱可塑性樹脂層にかかる張力を８Ｎから９Ｎに変更した以外は例４と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例７〕
第１の熱可塑性樹脂層をＥＴＦＥフィルム（１−３）に変更し、ドライラミネート時の第１の熱可塑性樹脂層にかかる張力を３Ｎに変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例８〕
接着組成物１に導電性高分子Ａを添加することにより、帯電防止層形成用組成物２を調製した。導電性高分子Ａの添加量は、固形分換算で、接着成分に対して３０質量％とした。帯電防止層形成用組成物１と接着組成物１の代わりに、帯電防止層形成用組成物２を用いた以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例９〕
ペレスタットＮＣ６３２１を酢酸エチルに１０質量％となるように溶解し、帯電防止層型層用組成物３を得た。帯電防止層形成用組成物１の代わりに、帯電防止層形成用組成物３を用いた以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。
〔例１０〕
ＥＴＦＥ（カーボンブラック３質量部混練）フィルム（１−１）をそのまま離型フィルムとした。

〔例１１〕
帯電防止層形成用組成物１を用いなかった以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例１２〕
第２の熱可塑性樹脂層をＰＥＴフィルム（１−２）に変更し、ドライラミネート時の第２の熱可塑性樹脂層にかかる張力を８Ｎから２６Ｎに変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

〔例１３〕
第２の熱可塑性樹脂層をＰＥＴフィルム（１−１）に変更し、ドライラミネート時の第２の熱可塑性樹脂層にかかる張力を８Ｎから３０Ｎに変更した以外は例１と同様にして離型フィルムを製造した。

例１〜１３の離型フィルムについて、ドライラミネート時の｛（Ｅ_１’×Ｔ_１×Ｗ_１）×Ｆ_２｝／｛（Ｅ_２’×Ｔ_２×Ｗ_２）×Ｆ_１｝の値、１８０℃における剥離強度、帯電防止層の表面抵抗値、第１の熱可塑性樹脂層および第２の熱可塑性樹脂層それぞれの弾性率（２５℃における貯蔵弾性率Ｅ’（２５）および１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ’（１８０））、灰付着試験、１８０℃追従試験、カール試験、金型汚れの結果を表１〜２に示す。

上記結果に示すとおり、例１〜９の離型フィルムは、灰付着試験で灰の付着が見られず、帯電しにくいものであった。また、１８０℃追従試験、カール試験、金型汚れの評価結果も良好であった。これに対してカーボンブラックを混ぜ込んだ例１０の離型フィルムは、金型汚れが見られた。中間層が高分子系帯電防止剤を含まない例１１の離型フィルムは、灰付着試験で灰が付着した。第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層の２５℃における貯蔵弾性率の差が１，２００ＭＰａ超であった例１２の離型フィルムは、カールが大きかった。
第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層の２５℃における貯蔵弾性率の差が１，２００ＭＰａ超でかつ第２の熱可塑性樹脂層の１８０℃における弾性率が３００ＭＰａ超であった例１３の離型フィルムは、金型追従性が悪いうえ、カールが大きかった。

本発明の離型フィルムは、半導体パッケージモジュール等の製造において広く使用される。
なお、２０１４年３月７日に出願された日本特許出願２０１４−０４５４６０号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１ 離型フィルム、２ 第１の熱可塑性樹脂層、３ 第２の熱可塑性樹脂層、４ 中間層、１０ 基板、１２ 半導体チップ（半導体素子）、１４ 樹脂封止部、１４ａ 樹脂封止部１４の上面、１６ インク層、１８ ボンディングワイヤ、１９ 硬化物、２０ 固定上型、２２ キャビティ底面部材、２４ 可動下型、２６ キャビティ、３０ 離型フィルム、４０ 硬化性樹脂、５０ 上型、５２ 下型、５４ キャビティ、５６ キャビティ面、５８ 基板設置部、６０ 樹脂導入部、６２ 樹脂配置部、６４ プランジャ、７０ 基板、７２ 半導体チップ（半導体素子）、７４ アンダーフィル（樹脂封止部）、８０ メッシュ、８２ メッシュ、８４ 排気口、９０ 枠材、９２ 治具、９２Ａ 上部部材、９２Ｂ 下部部材、９４ おもり、９６ ホットプレート、９８ コマ、Ｓ 空間、Ｌ１ 配管、Ｌ２ 配管、１１０ 半導体パッケージ、１２０ 半導体パッケージ

Claims (9)

1. 半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型の前記硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、
   前記樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第１の熱可塑性樹脂層と、前記樹脂封止部の形成時に金型と接する第２の熱可塑性樹脂層と、第１の熱可塑性樹脂層と第２の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、
   前記第１の熱可塑性樹脂層および前記第２の熱可塑性樹脂層それぞれの１８０℃における貯蔵弾性率が１０〜３００ＭＰａで、２５℃における貯蔵弾性率の差が１，２００ＭＰａ以下で、厚さが１２〜５０μｍであり、
   前記中間層が、高分子系帯電防止剤を含有する層を含むことを特徴とする離型フィルム。
2. 前記中間層が、高分子系帯電防止剤を含有する層と、高分子系帯電防止剤を含有しない接着剤から形成された接着層とを有するものであるか、または、高分子系帯電防止剤を含有する接着剤から形成された層を有するものである、請求項１に記載の離型フィルム。
3. 前記第１の熱可塑性樹脂層および前記第２の熱可塑性樹脂層がともに無機系添加剤を含まない、請求項１または２に記載の離型フィルム。
4. ＪＩＳ Ｋ６８５４−２に準拠し、１８０℃にて測定される、前記第１の熱可塑性樹脂層と前記第２の熱可塑性樹脂層との間の剥離強度が、０．３Ｎ／ｃｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の離型フィルム。
5. 前記高分子系帯電防止剤を含有する層の表面抵抗値が１０^１０Ω／□以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の離型フィルム。
6. 以下の測定方法で測定されるカールが１ｃｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の離型フィルム。
   （カールの測定方法）
   ２０〜２５℃で、平らな金属板上に１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形状の離型フィルムを３０秒間静置し、前記離型フィルムの金属板から浮き上がった部分の最大高さ（ｃｍ）を測定し、その値をカールとする。
7. 半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
   金型の前記硬化性樹脂が接する面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の離型フィルムを配置する工程と、
   半導体素子が実装された基板を前記金型内に配置し、前記金型内の空間に硬化性樹脂を満たして硬化させ、樹脂封止部を形成することにより、前記基板と前記半導体素子と前記樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
   前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
8. 前記封止体を得る工程で、前記半導体素子の一部が前記離型フィルムに直接接する、請求項７に記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 第１の熱可塑性樹脂層を形成する第１のフィルムと第２の熱可塑性樹脂層を形成する第２のフィルムとを、接着剤を用いてドライラミネートする工程を含み、
   前記第１のフィルムおよび前記第２のフィルムのうちの一方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_１’（ＭＰａ）、厚さＴ_１（μｍ）、幅Ｗ_１（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_１（Ｎ）と、他方のフィルムの、ドライラミネート温度t（℃）における貯蔵弾性率Ｅ_２’（ＭＰａ）、厚さＴ_２（μｍ）、幅Ｗ_２（ｍｍ）およびフィルムにかかる張力Ｆ_２（Ｎ）とが、以下の式（Ｉ）を満たすことを特徴とする請求項２に記載の離型フィルムの製造方法。
   ０．８≦｛（Ｅ_１’×Ｔ_１×Ｗ_１）×Ｆ_２｝／｛（Ｅ_２’×Ｔ_２×Ｗ_２）×Ｆ_１｝≦１．２ …（Ｉ）
   ただし、１８０℃における貯蔵弾性率Ｅ_１’（１８０）とＥ_２’（１８０）が１０〜３００ＭＰａであり、２５℃における貯蔵弾性率の差｜Ｅ_１’（２５）−Ｅ_２’（２５）｜は１，２００ＭＰａ以下であり、Ｔ_１およびＴ_２はそれぞれ１２〜５０（μｍ）である。

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