JP5563981B2 - 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法に関する。

半導体チップは、通常、封止材で封止された半導体樹脂パッケージとして使用される。半導体樹脂パッケージは、一般に、半導体チップを金型のキャビティ内に装填し、そのキャビティにエポキシ樹脂を主成分とする封止材を充填する、トランスファー成形により得られる。従来のトランスファー成形においては、以下の点が問題であった。
１）封止材が金型の内面を汚染することがあるため、金型の洗浄が必要となり、作業効率が低下する。
２）金型の内面が損傷されるため、金型寿命が短い。
３）成形された半導体樹脂パッケージにバリが生じやすい。

これらを改善するために、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）系のシート等の離型シートを金型内に配置して成形する方法（「フィルムアシスト成形」ともいう）が知られている。しかしながら、ＰＴＦＥ系のシートは金型内で皺を生じ易いため、この方法では所望の形状の半導体樹脂パッケージが得られ難いという問題がある。さらに、ＰＴＦＥ系のシートは、焼却時にフッ素系ガスを発生するため、廃棄が容易でないという問題もある。

他の半導体モールド用離型シートとして、成形品からの離型を担う層（Ａ層）と成形時の加熱に対する耐熱性を担う層（Ｂ層）とを含み、成形品からの剥離力が特定の範囲に調整された離型シートが提案されている（例えば、特許文献１）。当該文献には、具体的に、３層構造「ポリ４−メチル−１−ペンテン／接着層／ＰＥＴ」を有する離型シートが開示されている。

他の離型フィルムとして、Ａ層（表面層）、Ｂ層（接着層）、Ｃ層（基材層）、Ｂ’層（接着層）およびＡ’層（表面層）からなる５層構造を有するフィルムであって、Ａ層（表面層）およびＡ’層（表面層）が、４−メチル−１−ペンテン系重合体樹脂を含むフィルムが提案されている（例えば、特許文献２）。当該文献には、このフィルムが、多層プリント基板の製造における離型フィルムとして好適であることが開示されている。

特開２００２−１５８２４２号公報 特開２００４−８２７１７号公報

特許文献１に記載の離型シートは、中心層に対して非対称な積層構造を有するため、反りが生じ易い。そのため、特許文献１に記載の離型シートを金型離型シートとして、離型シートを金型内に導入し、真空吸着するときに、縦シワを誘発したり、金型キャビティ内面に対して密着しなかったりするなどして、離型シートを安定的に吸着させることが困難であった。縦シワは、離型シートの面内に離型シートの長手方向に沿って発生するシワである。

このように、反りやシワ等が生じるため、離型シートを金型内面に安定に真空吸着できないことがあった。その結果、離型シートのシワ等が、成形品である半導体樹脂パッケージに転写され、所望の形状の半導体樹脂パッケージが得られないことがあった。さらに、離型シートの反りを矯正しながら半導体樹脂パッケージを製造することも試みたが、作業性が低下するだけでなく、依然として所望の形状の半導体樹脂パッケージを安定に得ることができなかった。

すなわち、所望の形状の半導体樹脂パッケージ（寸法精度のよい半導体樹脂パッケージ）を得るには、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れるだけでなく、反りやシワ等を生じ難い離型フィルムが望まれる。そこで本発明は、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りやシワ等を生じ難い離型フィルム；およびそれを用いて、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを得る方法を提供することを目的とする。

本発明の第１は、以下に示す離型フィルムに関する。
［１］ 一層以上の基材層Ｃと、前記基材層Ｃを挟持し、４−メチル−１−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、前記基材層Ｃと前記最外層Ａとを接着させる一対の接着層Ｂとを有する、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。
［２］ 前記基材層Ｃは、ポリアミド樹脂を含み、前記接着層Ｂは、４−メチル−１−ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性４−メチル−１−ペンテン系重合体を含む、［１］記載の金型離型フィルム。
［３］ 前記接着層Ｂは、４−メチル−１−ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性４−メチル−１−ペンテン系重合体を含む、［１］または［２］記載の金型離型フィルム。
［４］ 前記ポリアミド樹脂は、ポリアミド６またはポリアミド６６である、［２］または［３］記載の金型離型フィルム。
［５］ 前記基材層Ｃは一層である、［１］〜［４］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
［６］ 前記一対の最外層Ａと前記一対の接着層Ｂの合計厚みは、３２μｍ以下である、［１］〜［５］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
［７］ 前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Ｃに対して対称である、［１］〜［６］のいずれかに記載の金型離型フィルム。
［８］ 前記離型フィルムは、前記金型内に半導体チップを配置する工程、前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記離型フィルムを配置する工程、前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、［１］〜［７］のいずれかに記載の金型離型フィルム。

本発明の第２は、以下に示す離型フィルムを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法に関する。
［９］ 金型内に半導体チップを配置する工程；半導体チップと前記金型内面との間に、［１］〜［７］のいずれかに記載の離型フィルムを配置する工程；前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程；および前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。

本発明によれば、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りや縦シワを生じ難い離型フィルムを提供できる。この離型フィルムを用いて半導体樹脂パッケージを製造することにより、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを提供できる。

本発明の離型フィルムの構成例を示す模式図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第１の工程の例を示す図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第２の工程の例を示す図である。 本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法の第３の工程の例を示す図である。 離型フィルムを再配置する工程の例を示す図である。 実施例において、半導体樹脂パッケージの側面シワの深さの測定方法を示す図である。

１．半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム
本発明の半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム（離型フィルム）は、基材層Ｃと、基材層Ｃを挟持し、かつ４−メチル−１−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、基材層Ｃと最外層Ａとの間に配置される一対の接着層Ｂと、を含む。

本発明の離型フィルムは、成形金型の内部で半導体チップを樹脂封止するときに、成形金型の内面に配置される。本発明の離型フィルムを配置することで、樹脂封止された半導体チップ（半導体樹脂パッケージ）を、金型から容易に離型することができる。

一対の最外層Ａは、離型フィルムの両面に配置される最外層である。一方の最外層Ａは、半導体樹脂パッケージ（成形品）に接し；他方の最外層Ａは、金型内部に接する。したがって、最外層Ａは、耐熱性と離型性に優れることが求められる。

最外層Ａは、４−メチル−１−ペンテン系重合体を主成分として含む。４−メチル−１−ペンテン系重合体は、融点が２２０〜２４０℃と高く、半導体樹脂パッケージの製造工程における金型温度で溶融しないだけでなく、表面エネルギーが低いことから離型性に優れる。本発明において、記号「〜」はその両端の範囲を含むものであり、以下においても同様である。

４−メチル−１−ペンテン系重合体とは、４−メチル−１−ペンテンの単独重合体（４−メチル−１−ペンテン単独重合体）、または４−メチル−１−ペンテンと、４−メチル−１−ペンテン以外の他のモノマーとの共重合体（４−メチル−１−ペンテン共重合体）をいう。

４−メチル−１−ペンテン共重合体における他のモノマーの例には、炭素原子数２〜２０のα−オレフィンが含まれる。炭素原子数２〜２０のα−オレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、および１−エイコセン等が含まれる。これらのα−オレフィンは、単独で、または２種以上を組み合せて用いてもよい。

炭素原子数２〜２０のα−オレフィンのうち、炭素原子数７〜２０のα−オレフィンが好ましく、炭素原子数８〜２０のα−オレフィンがより好ましく、炭素原子数１０〜２０のα−オレフィンがさらに好ましい。

４−メチル−１−ペンテン共重合体における、４−メチル−１−ペンテンに由来する繰返し単位は、９３質量％以上が好ましく、９３〜９９質量％がより好ましく、９５〜９８質量％がさらに好ましい。このような、４−メチル−１−ペンテン共重合体は、４−メチル−１−ペンテンに由来する良好な剛性と、α−オレフィンに由来する良好な成形性とを有する。

４−メチル−１−ペンテン系重合体の、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準じて、荷重５．０ｋｇ、温度２６０℃で測定されるメルトフローレート（ＭＦＲ）が、０．５〜２５０ｇ／１０分であることが好ましく、１．０〜１５０ｇ／１０分であることがより好ましい。４−メチル−１−ペンテン系重合体のＭＦＲが、上記範囲にあると、成形性および機械的特性に優れる。

４−メチル−１−ペンテン系重合体は、任意の方法で製造されうる。たとえば、４−メチル−１−ペンテンをチーグラ・ナッタ触媒、メタロセン系触媒等の公知の触媒の存在下で重合させることにより得られる。本発明で用いられる４−メチル−１−ペンテン系重合体は、前述のように製造したものであってもよいし；市販品であってもよい。４−メチル−１−ペンテン系重合体の市販品の例には、三井化学株式会社製ＴＰＸ等が含まれる。

４−メチル−１−ペンテン系重合体は、結晶性を有することが好ましい。具体的には、４−メチル−１−ペンテン系重合体は、アイソタクチック構造またはシンジオタクチック構造を有することが好ましく；中でもアイソタクチック構造を有することが好ましい。４−メチル−１−ペンテン系重合体の分子量は、成形性および機械的特性を満たす範囲であれば、特に限定されない。

最外層Ａは、本発明の目的を損なわない範囲で、４−メチル−１−ペンテン系重合体以外の他の樹脂を含んでもよい。

最外層Ａは、本発明の目的を損なわない範囲で、添加剤を含んでもよい。添加剤の例には、耐熱安定剤、耐候安定剤、発錆防止剤、耐銅害安定剤、帯電防止剤等の通常ポリオレフィンに配合される公知の添加剤が含まれる。添加剤の添加量は、４−メチル−１−ペンテン共重合体樹脂１００質量部に対して、０．０００１〜１０質量部とすることが好ましい。

基材層Ｃは、離型フィルムの中間層であり、フィルム基材としての機能を有する。このため、基材層Ｃは、耐熱性および機械的特性に優れることが好ましい。特に、基材層Ｃの主成分となる樹脂は、最外層Ａの主成分である４−メチル−１−ペンテン系重合体よりも、高温での強度および耐クリープ性に優れるものが好ましい。ここでの高温とは、半導体樹脂パッケージを製造する際の金型温度を意味する。

このような樹脂の例には、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂およびポリアミド樹脂が含まれる。中でも、ポリアミド樹脂が好ましく、脂肪族ポリアミド樹脂がより好ましい。これらのポリアミド樹脂は、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂と比較して、後述の接着層Ｂに含まれる変性４−メチル−１ーペンテン系重合体との接着性が高いため、最外層Ａと基材層Ｃとの層間剥離を効果的に抑制できる。脂肪族ポリアミド樹脂とは、ラクタムの開環重合；脂肪族ジアミン成分と脂肪族ジカルボン酸成分との重縮合反応；または脂肪族アミノカルボン酸の重縮合；によって得られる樹脂である。

ラクタムを開環重合して得られる脂肪族ポリアミドの例には、ポリアミド６、ポリアミド１１、ポリアミド１２およびポリアミド６１２等が含まれる。脂肪族ジアミン成分と脂肪族ジカルボン酸成分との重縮合で得られる脂肪族ポリアミドの例には、ポリアミド６６、ポリアミド６１０、ポリアミド４６、ポリアミドＭＸＤ６、ポリアミド６Ｔ、ポリアミド６Ｉおよびポリアミド９Ｔ等が含まれる。

中でも、ポリアミド６またはポリアミド６６が好ましく；ポリアミド６６がより好ましい。これらのポリアミド（特にポリアミド６６）は、高融点かつ高弾性率であり、耐熱性および機械的特性に優れるだけでなく、後述する接着層Ｂとの接着性にも優れるからである。これらのポリアミドを含む基材層Ｃを有する離型フィルムは、金型内でシワを生じ難いだけでなく、ピンホール状の破れも生じ難い。ピンホール状の破れを介した封止材の漏れが著しいと、金型キャビティ内壁に封止材成分の一部が付着および堆積し、短時間で金型を汚染するため、好ましくない。

脂肪族ポリアミドの、ＤＳＣ法により測定される融点は、１９０℃以上が好ましい。基材層Ｃが、前記下限値よりも低い融点を有する脂肪族ポリアミドを含む離型フィルムは、耐熱性が不十分であり、シワが生じ易くなるためである。

基材層Ｃは多層であってもよく、「Ｃ／Ｃ’／Ｃ」で示されるように３層であってもよい。その場合、基材層Ｃおよび基材層Ｃ’の少なくとも一方がポリアミド６６を含むことが好ましい。

基材層Ｃは、前述のポリアミド樹脂等以外の他の樹脂をさらに含んでもよい。他の樹脂の好ましい例は、最外層Ａの主成分である４−メチル−１−ペンテン系重合体よりも、高温での引張応力や圧縮応力に対する耐クリープ性に優れている耐熱エラストマー；または応力緩和し難く弾性回復性に優れる耐熱エラストマーである。

このような耐熱エラストマーの例には、接着層Ｂとの接着性を考慮すると、熱可塑性ポリアミド系エラストマー、熱可塑性ポリエステル系エラストマーなどが含まれる。これらの熱可塑性エラストマーの、ＤＳＣ法により測定される融点は、１９０℃以上であることが好ましい。なお、熱可塑性エラストマーの融点が１９０℃未満であっても、架橋剤や架橋助剤を用いて化学的に架橋させたり、紫外線や電子線、ガンマ線などにより物理的に架橋させたりすることで、高温での耐クリープ性や弾性回復性を向上させてもよい。

熱可塑性ポリアミド系エラストマーの例には、ポリアミドをハードセグメントとし、ポリエステルまたはポリエーテルをソフトセグメントとするブロック共重合体が含まれる。ハードセグメントを構成するポリアミドの例には、ポリアミド６、ポリアミド６６、ポリアミド６１０、ポリアミド６１２、ポリアミド１１などが含まれる。ソフトセグメントを構成するポリエーテルの例には、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリテトラメチレングリコール（ＰＴＭＧ）などが含まれる。

熱可塑性ポリエステル系エラストマーの例には、結晶性の芳香族ポリエステル単位からなる結晶性重合体セグメントをハードセグメントとし、ポリエーテル単位または脂肪族ポリエステル単位からなる非晶性重合体セグメントをソフトセグメントとするブロック共重合体が含まれる。ハードセグメントを構成する結晶性の芳香族ポリエステル単位からなる結晶性重合体の例には、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）などが含まれる。ソフトセグメントを構成するポリエーテル単位からなる非晶性重合体の例には、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ）などが含まれる。ソフトセグメントを構成する脂肪族ポリエステル単位からなる非晶性重合体の例には、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）などの脂肪族ポリエステルが含まれる。熱可塑性ポリエステル系エラストマーの具体例には、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）とポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ）とのブロック共重合体；ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）とポリカプロラクトン（ＰＣＬ）とのブロック共重合体；ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）と脂肪族ポリエステルとのブロック共重合体などが含まれる。

基材層Ｃは、本発明の目的を損なわない範囲で、公知の添加剤を含んでいてもよい。基材層Ｃがポリアミド樹脂を主成分として含む場合は、添加剤の例には、耐熱老化性改善を目的とした銅化合物系を含む耐熱安定剤；ステアリン酸カルシウムおよびステアリン酸アルミニウムなどの滑剤等、通常ポリアミド樹脂に配合される公知の添加剤が含まれる。

接着層Ｂは、基材層Ｃと一対の最外層Ａのそれぞれとの間に配置され、これらを接着させる機能を有する。接着層Ｂを配置することにより、型締めや射出成形時に、金型内で離型フィルムに応力集中を生じ易い箇所での基材層Ｃと最外層Ａとの層間剥離を抑制することができる。応力集中を生じ易い箇所とは、例えば金型のキャビティの周縁部分（金型のキャビティ面とパーティング面の境界部分）などである。接着層Ｂは、最外層Ａおよび基材層Ｃの両方に対してなじみやすい材料を含むことが好ましい。

接着層Ｂは、最外層Ａの主成分である４−メチル−１−ペンテン系重合体を、基材層Ｃとなじみやすいように変性したもの；具体的には、極性基を有するように変性された４−メチル−１−ペンテン系重合体を含むことが好ましい。基材層Ｃは、好ましくはポリアミド樹脂を含み、該ポリアミド樹脂が極性基となじみやすいためである。

極性基を有するように変性された４−メチル−１−ペンテン系重合体は、任意の方法で得られる。中でも、４−メチル−１−ペンテン系重合体を、不飽和カルボン酸および／またはその酸無水物（以下「不飽和カルボン酸等」ともいう）で変性することが好ましい。

具体的には、４−メチル−１−ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とを共重合させることが好ましく；４−メチル−１−ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とをグラフト重合させることがより好ましい。４−メチル−１−ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とのグラフト重合は、公知の方法で行うことができ、例えば４−メチル−１−ペンテン系重合体と不飽和カルボン酸等とを、過酸化物等の存在下で溶融混練すればよい。

４−メチル−１−ペンテン系重合体は、前述のものを使用できる。変性前の４−メチル−１−ペンテン系重合体の、１３５℃、デカヒドロナフタレン中で測定される極限粘度［η］は、０．５〜２５ｄｌ／ｇが好ましく、０．５〜５ｄｌ／ｇがより好ましい。

不飽和カルボン酸等の例には、カルボキシル基と不飽和基を有する、炭素数３〜２０の不飽和化合物；および無水カルボン酸基と不飽和基を有する、炭素数３〜２０の不飽和化合物が含まれる。不飽和基の例には、ビニル基、ビニレン基、および不飽和環状炭化水素基が含まれる。

不飽和カルボン酸等の具体的な例には、アクリル酸、メタクリル酸等の不飽和モノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、アリルコハク酸、メサコン酸、グルタコン酸、ナジック酸ＴＭ、メチルナジック酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等の不飽和ジカルボン酸；および無水マイレン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水アリルコハク酸、無水グルタコン酸、無水ナジック酸ＴＭ、無水メチルナジック酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸等の不飽和ジカルボン酸無水物などが含まれる。これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、マレイン酸、無水マレイン酸、ナジック酸ＴＭ、または無水ナジック酸ＴＭが好ましく、無水マレイン酸がより好ましい。

変性された４−メチル−１−ペンテン系重合体（以下「変性４−メチル−１−ペンテン系重合体」ともいう）のグラフト率は、２０質量％以下であることが好ましく、０．１〜５質量％であることがより好ましく、０．５〜２質量％であることがさらに好ましい。グラフト率が上記範囲にある変性４−メチル−１−ペンテン系重合体は、最外層Ａおよび基材層Ｃの両方に対して良好な接着性を有する。

変性４−メチル−１−ペンテン系重合体は、実質的に架橋構造を有しないことが好ましい。架橋構造がないことは、変性４−メチル−１−ペンテン系重合体を、例えばｐ−キシレン等の有機溶媒に溶解させて、ゲル状物が存在しないことによって確認できる。

変性４−メチル−１−ペンテン系重合体の、１３５℃、デカヒドロナフタレン中で測定される極限粘度［η］は、０．２〜１０ｄｌ／ｇであることが好ましく、０．５〜５ｄｌ／ｇであることがより好ましい。

接着層Ｂは、変性４−メチル−１−ペンテン系重合体のみを主成分としてもよいが、好ましくは変性４−メチル−１−ペンテン系重合体と他のα−オレフィン重合体との混合物を主成分とする。この場合、変性４−メチル−１−ペンテン系重合体は、混合物中、２０〜４０質量％含まれることが好ましい。

α−オレフィン重合体は、好ましくは炭素原子数２〜２０のα−オレフィン重合体である。炭素原子数２〜２０のα−オレフィン重合体の例には、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−オクタデセンなどの重合体が含まれる。中でも、１−ブテン系重合体が好ましい。

１−ブテン系重合体は、１−ブテンの単独重合体、または１−ブテンと１−ブテン以外の炭素原子数２〜２０のα−オレフィンとの共重合体である。１−ブテン以外の炭素原子数２〜２０のα−オレフィンの例には、エチレン、プロピレン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−オクタデセンなどが含まれ；好ましくはエチレンまたはプロピレンである。

１−ブテン系重合体は、１−ブテン由来の繰り返し単位を６０質量％以上含むことが好ましく、８０質量％以上含むことがより好ましい。このような１−ブテン系重合体は、変性４−メチル−１−ペンテン系重合体との混合性（または相溶性）に優れるためである。

１−ブテン系重合体の、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準じて、荷重２．１６ｋｇ、温度１９０℃で測定されるメルトフローレート（ＭＦＲ）は、０．０１〜１００ｇ／１０分であることが好ましく、０．１〜５０ｇ／１０分であることがより好ましい。ＭＦＲが上記範囲内にある１−ブテン系重合体は、変性４−メチル−１−ペンテン系重合体との混合性（または相溶性）が良好であり、接着層Ｂの接着性を高めうる。

接着層Ｂも、最外層Ａや基材層Ｃと同様に、主成分の他に、前述の添加剤を含んでもよい。

本発明の離型フィルムは、前述のように、基材層Ｃと、基材層Ｃを挟持する一対の最外層Ａと、基材層Ｃと一対の最外層Ａのそれぞれとの間に配置される一対の接着層Ｂとを有する。つまり、本発明の離型フィルムは、中心層に対して対称な積層構造を有することが好ましい。対称な積層構造を有するフィルムは、金型内に装填されて加熱されたときに、熱膨張差や吸湿等による変形（反り等）しにくいためである。また離型フィルムは、中心層に対して対称な積層構造を有していれば、必要に応じて、基材層Ｃ、最外層Ａおよび接着層Ｂ以外の他の層を含んでもよい。

基材層Ｃは、一層であってもよいし；二層以上の多層であってもよい。基材層Ｃが、多層である場合、複数の基材層が直接積層されてもよいし；基材層と基材層の間に他の層（例えば接着層）が配置されてもよい。

離型フィルムの、具体的な積層構造の例には、以下の態様が含まれる。以下の態様において、Ａは最外層Ａであり；Ｂは接着層Ｂであり；Ｃは基材層Ｃである。Ｃ’は、基材層Ｃ（中間層）の一つであり；Ｄは基材層Ｃと基材層Ｃ’を接着する接着層である。
Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ
Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｃ’／Ｃ／Ｂ／Ａ
Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ／Ｃ’／Ｄ／Ｃ／Ｂ／Ａ

これらの中でも、基材層（中間層）が一層である「Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ」の積層構造が好ましい。製造が容易であるからである。図１は、本発明の離型フィルムの好ましい構成例を示す模式図である。図１に示されるように、離型フィルム１０は、基材層１２と、基材層１２を挟持する一対の最外層１４と、基材層１２と最外層１４の間に配置される一対の接着層１３と、を有する。基材層１２は、前記基材層Ｃであり；最外層１４は、前記最外層Ａであり；接着層１３は、前記接着層Ｂである。

また、一対の最外層Ａ、一対の接着層Ｂ等のように、中心層に対して対称な位置に配置される一対の層（同じ材質で構成される層）の厚さを同じにすると、熱膨張率等に起因する変形量を互いに打ち消して反りを抑制できるので、好ましい。

離型フィルムの総厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましい。各層の厚みは、離型フィルムの総厚みが前記範囲になるように調整されればよい。具体的には、最外層Ａは１〜３０μｍであることが好ましく、接着層Ｂは１〜２０μｍであることが好ましく、基材層Ｃは２０〜４０μｍであることが好ましい。

本発明の離型フィルムは、前述の通り、高弾性率かつ高融点の基材層Ｃを有する一方；最外層Ａと基材層Ｃとの層間剥離を抑制するため、最外層Ａと基材層Ｃの間に接着層Ｂを有している。

ところが、離型フィルムの総厚みが大きくなる；特に最外層Ａと接着層Ｂの総厚みが大きくなると、半導体樹脂パッケージの側面にシワ（側面シワ）が生じ易く、外観不良や離型不良を生じるおそれがある。すなわち、半導体樹脂パッケージを製造する際、離型フィルムの構成材料の圧縮降伏応力が、金型キャビティ周縁の型締部分で生じる型締圧力よりも低いと、半導体樹脂パッケージの側面シワが生じ易い。特に、最外層Ａと接着層Ｂを構成する樹脂は、高温時において柔らかく、圧縮降伏応力が比較的低いことから、半導体樹脂パッケージに側面シワを生じさせ易い。

半導体樹脂パッケージの側面に発生するシワ（側面シワ）は、以下のような機構で生じると考えられる。すなわち、金型内に離型フィルムを配置した状態で上下の金型を型締すると、半導体チップ基板と金型内面との間に配置された離型フィルムが、型締圧力により押し潰される。押し潰されて余剰となった離型フィルム部分が、金型キャビティ内側；すなわち半導体樹脂パッケージの側面部分に対向する金型内面の半導体チップの基板近傍に向けて逃げるような形ではみ出す。その結果、余剰となった離型フィルムがはみ出した部分に対向する半導体樹脂パッケージの側面に凹みが生じる。この半導体樹脂パッケージ側面の凹みは、外観上、シワ状の模様を呈する。このような側面シワは、複数個の半導体チップをまとめて同時にモールドした後、個片化して得られるパッケージでも生じ得るが、；例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ-ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）のように、（既に個片化された）個片状の半導体チップをモールドして得られるパッケージであって、封止状態での側面部分が直接製品の外形を構成する場合に、特に外観不良となり易い。また、この外観上シワとしてみえる凹み部分は、離型（型開）直前では、金型内で余剰となった離型フィルムが半導体樹脂パッケージの側面に食い込んでいる。このため、半導体樹脂パッケージを離型する際、余剰となった離型フィルム部分が、半導体樹脂パッケージの側面に食い込んだまま離れず、剥離できないことがある。

この側面シワを防止するためには、後述するように、型締力を低減する等の成形条件の調整によって回避できることもある。しかしながら、成形条件の調整のみで側面シワを防止するのが困難な場合は、縦シワ、バリおよび破れ等を生じない範囲で、離型フィルムの総厚みを小さくすること；特に最外層Ａおよび接着層Ｂの総厚みを、離型性と層間接着性を損なわない範囲で、小さくすることが好ましい。

最外層Ａと接着層Ｂの総厚みとは、一対の最外層Ａと一対の接着層Ｂの総厚みであり、好ましくは１２〜３２μｍである。各最外層Ａの厚みは４〜１０μｍであり、各接着層Ｂの厚みは２〜６μｍであることが好ましい。

本発明の離型フィルムは、金型温度における引張弾性率が６０ＭＰａ以上であって、金型温度における引張強度（伸びが５００％となる点での強度）が５ＭＰａ以上であることが好ましい。具体的には、１７５℃における引張弾性率が６０ＭＰａ以上〜３００ＭＰａであり、引張強度（初期チャック間距離に対して伸びが５００％となる点での強度）が５ＭＰａ以上であることが好ましい。引張弾性率および引張強度が、上記範囲にあると、金型追従性が得られつつも、金型温度におけるシワを生じ難い。引張弾性率および引張強度は、以下の方法に準拠して測定されうる。

i）引張強度
試験片として、離型フィルムから幅１５ｍｍで切り出した短冊片を準備する。このとき短冊の長手方向が、フィルムの巻取方向と平行になるようにする。金型温度と同じ温度に調整した恒温槽つきの引張試験機に、チャック間距離が５０ｍｍとなるように前記試験片を把持させる。試験片を引張速度２００ｍｍ／分（一定）にて引っ張り、破断することなく初期チャック間距離（５０ｍｍ）に対する伸びが５００％（チャック間距離３００ｍｍ）となるときの応力を引張強度とする。

ii）引張弾性率
前記引張試験から得られた引張応力−ひずみ曲線における、初期の直線部分の傾きから、ＪＩＳ−Ｋ ７１１３ に準拠して引張弾性率を求める。

本発明の離型フィルムは、公知の方法で製造されうる。離型フィルムは、各層を構成する樹脂を共押出する方法；または各層のフィルム状体をラミネートにより積層する方法；等により得ることができる。さらに、必要に応じて、離型フィルムの片面または両面に、例えばエンボスロールによる梨地加工面のような微細凹凸が形成されてもよい。

２．半導体樹脂パッケージの製造方法
本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法は、金型内に配置された半導体チップと金型内面との間に離型フィルムを配置する第１の工程；半導体チップを封止材で封止する第２の工程；および封止された半導体チップを離型フィルムから剥離する第３の工程；を含む。

半導体チップは、半導体集積回路が形成されたチップである。半導体樹脂パッケージの製造において、半導体チップは、通常はリードフレームや、マザーボード等と称される基板に固定されて用いられる。本発明で用いられる半導体チップは、公知の半導体チップを公知の方法でリードフレームや基板に固定したものであることが好ましい。

金型とは、所望の半導体樹脂パッケージを得るために用いられる成形用の型である。金型の形状は公知の形状であってもよく、金型の材質も、公知の材質であってもよい。

封止材とは、半導体チップを封止するための樹脂組成物である。封止材は、公知のものであってもよいが、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とするものが好ましい。

第１の工程では、前記半導体チップと前記金型との間に、前記離型フィルムを配置する。配置する方法は限定されない。図２は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第１の工程の例を示す図である。図２中、１０は離型フィルム、２４ａはフィルム巻き出し装置、２４ｂはフィルム巻き取り装置、２０は金型の上型、２１は金型の下型、２２はキャビティ、３０はトランスファー成形機のプランジャー、４０は半導体チップ、４１は基板、４２は配線、５０は封止材である。

図２ａに示すとおり、開いた金型の上型２０と下型２１の間に離型フィルム１０を配置する。このとき、離型フィルム１０は、フィルム巻き出し装置２４ａおよびフィルム巻き取り装置２４ｂにより、一定の張力が掛けられる。

離型フィルム１０に掛けられる張力は、引張応力換算で０．２〜２ＭＰａであることが好ましい。張力が０．２ＭＰａ（引張応力換算）より低いと、離型フィルム１０に弛みや離型フィルム１０の幅方向にシワが生じ易くなる。一方、離型フィルム１０に掛けられる張力が２ＭＰａ（引張応力換算）を超えると、離型フィルム１０を金型内面にスムーズに真空吸着させることができず、金型追従性が低下することがある。

次いで、上型２０のキャビティ面内に設けられた排気口（不図示）から、空気を吸引して、離型フィルム１０と上型２０との間の空気を排出する。これにより、離型フィルム１０は、上型２０のパーティング面およびキャビティ面に真空吸着される（図２ｂ）。キャビティ面とは、上型２０のキャビティ２２を構成する面である。パーティング面とは、上型２０と下型２１と閉じた際に、上型２０と下型２１とが互いに接する面である。

次いで、基板４１に固定された半導体チップ４０を下型２１に配置し（図２ｃ）、型締めする（図２ｄ）。前述の、封止後の半導体樹脂パッケージの側面シワの発生を抑制するためには、バリが問題とならない範囲で、型締力を低減する等、成形条件を調整してもよい。

金型の温度は、熱硬化性の封止材を硬化できる温度であれば、特に限定されない。金型の温度は、封止材の主成分がエポキシ樹脂である場合、１６０〜２００℃が好ましく、１７０〜１８０℃がより好ましい。金型のパーティング面からキャビティ２２の最深部までの深さは、半導体チップ４０のサイズにもよるが、０．２〜２ｍｍ程度であり、好ましくは０．３〜１ｍｍである。離型フィルム１０は、予熱された後に、図２ａに示す位置に配置されてもよい。封止材５０も、予熱されていてもよい。

図２では、離型フィルム１０を配置した後、基板４１に固定された半導体チップ４０を下型２１に配置したが、この順序は逆であってもよい。

第２の工程では、半導体チップ４０を封止材５０で封止する。図３は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第２の工程の例を示す図である。図３中、符号は、図２と同様に定義される。

図３に示されるように、金型からの熱伝導により軟化点以上となり液状化した封止材５０を、プランジャー３０を上昇させることでキャビティ２２へ射出させる。プランジャー３０を上昇させたままの状態で、所定圧力で所定時間保持させ、封止材５０を硬化させる。このとき、後述する封止後の半導体樹脂パッケージ６１に、成形不良（表面の転写不良、反り、ヒケ、ボイド、バリ）が生じないように射出速度、保持圧力および保持時間を調整する。保持圧力は、例えば１〜１２ＭＰａであることが好ましい。

第３の工程では、離型フィルムを、封止された半導体チップから剥離する。図４は、半導体樹脂パッケージの製造工程における、第３の工程の例を示す図である。図４中、６０は封止された半導体チップ、６１は半導体樹脂パッケージ、６２はランナーである。その他の符号は、図２と同様に定義される。

上型２０と下型２１を開き、離型フィルム１０を、封止された半導体チップ６０から離型する。離型フィルム１０は、離型性に優れるため、封止された半導体チップ６０から容易に剥離できる。また離型フィルム１０は、金型の上型２０からも容易に離型できる。封止された半導体チップ６０は、ランナー６２が切り離されて半導体樹脂パッケージ６１とされる。

第３の工程の後、連続的に次の封止工程を行うために、新たな離型フィルムを金型内に再配置してもよい。新たなフィルムを再配置するとは、封止された半導体チップ６０を剥離回収した後、使用済みの離型フィルム１０に代えて、新たな離型フィルム１０を上型２０と下型２１との間に配置して、図２ａで示されるような状態にすることである。図５は、第３の工程後、新たな離型フィルムを金型内に再配置する工程の例を示す図である。図５中の符号も、図２と同様に定義される。

たとえば、図５に示されるように、フィルム巻き取り装置２４ｂにより使用済みの離型フィルム１０を巻き取りつつ、フィルム巻き出し装置２４ａにより新たな離型フィルム１０を（上型２０と下型２１との間に）巻き出すことにより、新たな離型フィルム１０を再配置することができる。

本実施形態では、半導体樹脂パッケージを、トランスファー成形により製造する例を説明したが、圧縮成形、射出成形などにより製造することもできる。例えば、半導体樹脂パッケージを圧縮成形により製造する場合、文献（「特集 電子部品パッケージの成形技術」、成形加工、第２０巻、第５号、２００８年、２７６〜２８７頁）に開示されている離型フィルムに代えて、本発明の離型フィルムを用いるとよい。

このように、本発明の離型フィルム１０は、中心層に対して対称の積層構造を有する。このため、離型フィルムを金型内に配置する際の、離型フィルムの反り等の変形やシワを生じ難い。また、離型フィルム１０の基材層Ｃ（中間層）が、高温での強度に優れる脂肪族ポリアミドを主成分として含むと、金型温度での縦シワも生じ難い。

また離型フィルムの総厚みに対する、最外層Ａと接着層Ｂの合計厚みの比を一定以下とすることで、半導体樹脂パッケージの側面に発生するシワ（側面シワ）も抑制できる。

さらに、本発明の離型フィルム１０は、金型追従性がよく、離型性もよいため、封止工程を連続的に行っても、金型内の樹脂を安定に流動させうる。また、本発明の離型フィルム１０は、封止された半導体チップ４０に対する高い離型性を安定に維持できる。したがって、寸法精度が良好で、かつバリや凹み等の外観不良の少ない半導体樹脂パッケージを得ることができる。

（１）最外層Ａ用材料の調製
４−メチル−１−ペンテンと１−デセンとの共重合体を、定法により製造した。１−デセン含量は２．５質量％とした。この共重合体を、以下「Ａ−１」ともいう。

（２）接着層Ｂ用材料の調製
変性４−メチル−１−ペンテン共重合体の製造
４−メチル−１−ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学製、炭素数１６と１８のα−オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８の含量量は６．５質量％）を定法により準備した。

９８．８質量部の前記共重合体、１質量部の無水マレイン酸、および有機過酸化物として０．２質量部の２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサンを、ヘンシェルミキサーにより混合した。次いで、この混合物を、温度２８０℃を用いて二軸押出機で混練した。これにより、無水マレイン酸でグラフト変性された、変性４−メチル−１−ペンテン共重合体を得た。この変性４−メチル−１−ペンテン共重合体のグラフト率は０．９質量％であった。

接着層Ｂ用材料の調製
前工程で得られた、２５質量部の変性４−メチル−１−ペンテン共重合体、５０質量部の４−メチル−１−ペンテンとダイアレン１６８（三菱化学製、炭素数１６と１８のα−オレフィンの混合物）との共重合体（ダイアレン１６８含量６．５質量％）、２５質量部の１−ブテン共重合体、安定剤として０．１０質量部のイルガノックス１０１０（Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０）（Ｃｉｂａ（株）製）、および０．０３質量部のステアリン酸カルシウム（三共有機合成（株）製）を、ヘンシェルミキサーにより、３分間、低速回転して混合した。次いで、この混合物を、二軸押出機を用いて２８０℃で押出しすることにより、接着層Ｂ用樹脂（以下「Ｂ−１」ともいう）を得た。

（３）基材層Ｃ用材料の準備
第１の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ−１」ともいう）として、ポリアミド６（東レ製、商品名アミランＣＭ１０４１ＬＯ、融点２２５℃）を準備した。
第２の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ−２」ともいう）として、ポリアミド６６（旭化成ケミカルズ製、商品名レオナ１７００Ｓ、融点２６５℃）を準備した。
第３の脂肪族ポリアミド樹脂（「Ｃ−３」ともいう）として、ポリアミド６６（デュポン製、商品名ザイテル４２Ａ、融点２６２℃）を準備した。

［実施例１］
前述の各層用材料を原料として、Ｔダイ成形機を用いて共押出することにより、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを製造した。離型フィルムの構造を、Ａ−１／Ｂ−１／Ｃ−１／Ｂ−１／Ａ−１の３種５層構造とし、かつ各層の厚みを１５／５／２５／５／１５μｍ（総厚み６５μｍ）とした。

図２に示されるように、上型２０と下型２１との間に、得られた離型フィルム１０を配置した。上型２０と下型２１におけるキャビティ２２の金型パーティング面からの最深部の深さが０．８ｍｍである。このとき、フィルム巻き出し装置２４ａおよびフィルム巻き取り装置２４ｂにより、離型フィルム１０に掛けられる張力は、引張応力が１ＭＰａとなるように調整した。

次いで、図２ｂに示すように離型フィルム１０を、上型２０のパーティング面に真空吸着させた。次いで、基板４１に固定された半導体チップ４０を、下型２１に配置し（図２ｃ）、型締めを行った（図２ｄ）。このときの金型温度は１７５℃とした。封止材５０として、市販の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を用いた。

図３に示されるように、プランジャー３０を介して、金型からの熱伝導により軟化点以上となり液状化した封止材５０を射出した。次いで、圧力１２ＭＰａにて１２０秒間保持し、封止材５０を硬化させた。その後、離型フィルム１０を、封止された半導体チップ６０から離型し、半導体樹脂パッケージ６１を得た。

得られた半導体樹脂パッケージ６１、および封止後の離型フィルム１０を、以下の方法で評価した。

ｉ）離型性
離型フィルムの半導体樹脂パッケージからの離型性を、以下の基準で評価した。
○：離型フィルムが、金型開放と同時に自然に剥がれる
△：離型フィルムの一部が、半導体樹脂パッケージ６１または金型に残る
×：離型フィルムが、封止された半導体チップまたは金型に密着する

ii）層間剥離
離型時の離型フィルムの半導体樹脂パッケージに対応する部分における層間剥離の発生状態を、以下の基準で評価した。
○：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、層間剥離なし
△：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、わずかに層間剥離あり
×：最外層Ａと基材層Ｃとの間で、顕著な層間剥離あり

iii）上面シワ（縦シワ）
半導体樹脂パッケージ上面のシワの状態を目視にて以下の基準で評価した。
○：全くなし
×：パッケージ上面にシワの転写あり

iv ）側面シワ
半導体樹脂パッケージ６１の側面（エアベント部およびゲート部を除く）に発生したシワの状態を、以下の方法により評価した。
図６は、半導体樹脂パッケージ６１の側面シワの深さの測定方法の例を示す断面図である。すなわち、半導体樹脂パッケージ６１の上面に対して垂直な断面をダイサーで切り出した。これにより、図６に示されるような半導体樹脂パッケージ６１の断面を得た。次いで、読み取り顕微鏡で観察することにより、得られた断面において、側面シワがないことを想定した場合の半導体樹脂パッケージの側面（仮想側面）が基板４１と交わる基準位置（線）とした。そして、半導体樹脂パッケージの側面の凹み部分の、基準位置（線）からの、基板４１面と平行方向の深さｄを測定した。このようにして測定された側面シワの深さ値から、側面シワの程度を以下のように規定した。
◎：側面シワの深さが１００μｍ未満
○：側面シワの深さが１００μｍ以上２００μｍ未満
△：側面シワの深さが２００μｍ以上３００μｍ未満
×：側面シワの深さが３００μｍ以上
側面シワの深さが大きいと、半導体樹脂パッケージ６１の外観不良が目立ち易くなるだけでなく、離型時に、半導体樹脂パッケージ６１が離型フィルム１０からスムーズに剥がれず離型不良を生じ易い。このため、側面シワの深さは小さいほど好ましい。

ｖ）反り
離型フィルムの反りの状態を以下の基準で評価した。
○：全くなし
△：わずかに反るが実用上問題なし
×：反りが大きく使用できない

ｖｉ）破れ
使用後の離型フィルム１０のピンホールの発生状態と金型キャビティ内壁の樹脂付着状態について目視観察をもとに以下の基準で評価した。
○：ピンホール状の破れ無し
△：ピンホール状の破れが僅かにあるが、漏れた封止樹脂の金型への付着なし

［実施例２］
各層の厚みを１０／５／１５／５／１０μｍ（総厚み４５μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し、評価した。

［実施例３］
各層の厚みを１０／５／２０／５／１０μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し、評価した。

［実施例４］
各層の厚みを１０／３／２４／３／１０μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例５］
基材層Ｃの材料をＣ−２に代えた以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例６］
基材層Ｃの材料をＣ−２とした以外は実施例２と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例７］
基材層Ｃの材料をＣ−２とした以外は実施例３と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例８］
基材層Ｃの材料をＣ−２とした以外は実施例４と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例９］
基材層Ｃの材料Ｃ−１をＣ−２とし、かつ各層の厚みを６／３／３２／３／６μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例１０］
基材層Ｃの材料をＣ−３とした以外は実施例３と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例１１］
基材層Ｃの材料をＣ−３とした以外は実施例４と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［実施例１２］
基材層Ｃの材料をＣ−３とした以外は実施例９と同様にして離型フィルム１０を準備した。この離型フィルム１０を用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージ６１を製造し評価した。

［比較例１］
離型フィルムの構造を、Ａ−１／Ｃ−１／Ａ−１の２種３層構造として、接着層Ｂを含まない構造とし、かつ各層の厚みは２５／１５／２５μｍ（総厚み６５μｍ）とした以外は実施例１と同様にして、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを得た。この離型フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。

［比較例２］
各層の厚みを１５／１５／１５μｍ（総厚み４５μｍ）とした以外は、比較例１と同様にして離型フィルム１０を得た。この離型フィルムを用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。

［比較例３］
離型フィルムの構造をＡ−１／Ｂ−１／Ｃ−１の３種３層構造として、中心層に対して非対称の積層構造とし、かつ各層の厚みを２０／５／２５μｍ（総厚み５０μｍ）とした以外は実施例１と同様にして、未延伸の幅４００ｍｍの離型フィルムを得た。この離型フィルム用いて実施例１と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。

これらの結果を表１にまとめた。

表１に示される通り、実施例１〜１２の本発明の離型フィルムは離型性に優れるだけでなく、層間剥離、シワ、反りおよび破れの全てを抑制できることがわかる。
基材層Ｃがポリアミド６６（ＰＡ６６）を含む実施例５〜１２の離型フィルム；中でも最外層Ａと接着層Ｂの厚みが小さい実施例６〜１２の離型フィルムは、半導体樹脂パッケージの側面シワが著しく低減されることがわかる。基材層Ｃの耐熱性が高く、かつ圧縮降伏応力が比較的低い最外層Ａと接着層Ｂが薄いためであると考えられる。ただし、基材層Ｃが薄すぎると、僅かな破れを生じることもある。基材層Ｃが薄いと離型フィルム自体の強度を維持しにくいためであると考えられる。

これに対して、比較例１〜３の離型フィルムは、層間剥離、シワ、反りおよび破れの全てを抑制できるものでないことがわかる。接着層Ｂを有しない比較例１および２の離型フィルムは、離型性、層間剥離、および破れの点において劣っており；中でも層間剥離が著しく劣っていることがわかる。さらに、中心層に対して非対称の積層構造を有する比較例３の離型フィルムは、反りが生じるだけでなく、離型性も著しく低いことがわかる。

本発明の離型フィルムは、半導体樹脂パッケージとの離型性に優れ、かつ反りやシワを生じ難い。この離型フィルムを用いて半導体樹脂パッケージを製造することにより、寸法精度のよい半導体樹脂パッケージを提供できる。このため、本発明は、半導体樹脂パッケージの製造に有用である。

１０ 離型フィルム
１２ 基材層Ｃ
１３ 接着層Ｂ
１４ 最外層Ａ
２０ 金型の上型
２１ 金型の下型
２２ キャビティ
２４ａ フィルム巻き出し装置
２４ｂ フィルム巻き取り装置
３０ プランジャー
４０ 半導体チップ
４１ 基板
４２ 配線
５０ 封止材
６０ 封止された半導体チップ
６１ 半導体樹脂パッケージ
６２ ランナー

Claims (7)

1. ポリアミド６６を含む、一層以上の基材層Ｃと、
   前記基材層Ｃを挟持し、４−メチル−１−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Ａと、
   前記基材層Ｃと前記最外層Ａとを接着させる一対の接着層Ｂとを有し、
   前記一対の最外層Ａと前記一対の接着層Ｂとの合計厚みは、３２μｍ以下である、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。
2. 前記接着層Ｂは、４−メチル−１−ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性４−メチル−１−ペンテン系重合体を含む、請求項１記載の金型離型フィルム。
3. 前記接着層Ｂは、４−メチル−１−ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性４−メチル−１−ペンテン系重合体を含む、請求項２記載の金型離型フィルム。
4. 前記基材層Ｃは一層である、請求項１記載の金型離型フィルム。
5. 前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Ｃに対して対称である、請求項１記載の金型離型フィルム。
6. 金型内に半導体チップを配置する工程、
   前記半導体チップと前記金型内面との間に、請求項１に記載の金型離型フィルムを配置する工程、
   前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、および、
   前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。
7. 金型内に半導体チップを配置する工程、
   前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記金型離型フィルムを配置する工程、
   前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、および
   前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、請求項１記載の金型離型フィルム。

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