TWI460062B - 半導體樹脂封裝製造用模具離型膜以及使用該離型膜的半導體樹脂封裝的製造方法 - Google Patents

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Description

半導體樹脂封裝製造用模具離型膜以及使用該離型膜的半導體樹脂封裝的製造方法
本發明是關於一種半導體樹脂封裝製造用模具離型膜以及使用該離型膜的半導體樹脂封裝的製造方法。
半導體晶片通常用作藉由密封材料密封的半導體樹脂封裝。半導體樹脂封裝通常是藉由將半導體晶片裝填入模具的模腔(cavity)內，再將以環氧樹脂為主成分的密封材料填充入該模腔中的轉注成形(transfer molding)而獲得。於先前的轉注成形中，以下幾點成為問題。
1)由於存在密封材料污染模具的內表面的情況，因此必需清洗模具，而導致作業效率下降。
2)因模具的內表面受到損傷，而導致模具壽命較短。
3)於已成形的半導體樹脂封裝中易於產生毛邊(burr)。
為了改善這些問題，已知有將聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene，PTFE)系片材(sheet)等離型片材配置於模具內來成形的方法(亦稱為「薄膜輔助成形(Film Assisted Molding)」)。但是，該方法存在如下問題：由於PTFE系片材於模具內易於產生皺褶，因此藉由該方法難以獲得所需形狀的半導體樹脂封裝。而且，亦存在如下問題：由於PTFE系片材在焚燒時會產生氟系氣體，因此廢棄作業並不容易。
其他半導體鑄模用離型片材提出有如下的離型片 材，該離型片材包含承擔自成形品離型的層(A層)與承擔對成形時的加熱的耐熱性的層(B層)，且其自成形品剝離的剝離力被調整至特定的範圍內(例如日本專利特開2002-158242號公報)。具體而言，於該文獻中揭示有一種具有3層結構「聚4-甲基-1-戊烯(poly4-methyl-1-pentene)/黏接層/聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)」的離型片材。
其他離型膜提出有如下的膜，該膜具有包含A層(表面層)、B層(黏接層)、C層(基材層)、B'層(黏接層)及A'層(表面層)的5層結構，且A層(表面層)及A'層(表面層)包含4-甲基-1-戊烯系聚合物樹脂(例如日本專利特開2004-82717號公報)。於該文獻中揭示有該膜適合作為多層印刷(print)基板的製造中的離型膜。
專利文獻1中所記載的離型片材由於具有相對於中心層為不對稱的積層結構，而易於產生翹曲。因此，當將專利文獻1中所記載的離型片材作為模具離型片材而導入至模具內，並進行真空吸附時，誘發縱向皺褶或者離型片材未密接於模具模腔內表面等，從而難以使離型片材穩定地吸附。縱向皺褶是於離型片材的面內沿離型片材的長度方向產生的皺褶。
如此，由於產生翹曲或皺褶等，而存在無法使離型片材穩定地真空吸附於模具內表面的情況。結果存在以下情 況：離型片材的皺褶等轉印至作為成形品的半導體樹脂封裝上，而無法獲得所需形狀的半導體樹脂封裝。而且，業界亦嘗試一面矯正離型片材的翹曲一面製造半導體樹脂封裝，但不僅作業性下降，而且依然無法穩定地獲得所需形狀的半導體樹脂封裝。
即，為了獲得所需形狀的半導體樹脂封裝(尺寸精度佳的半導體樹脂封裝)，業界期望一種不僅與半導體樹脂封裝的離型性優異，而且不易產生翹曲或皺褶等的離型膜。因此，本發明的目的是提供一種與半導體樹脂封裝的離型性優異，而且不易產生翹曲或皺褶等的離型膜；以及使用該離型膜而獲得尺寸精度佳的半導體樹脂封裝的方法。
本發明的第1發明是關於以下所示的離型膜。
[1]一種半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其具有：一層或一層以上的基材層C；一對最外層A，其夾持上述基材層C，並包含4-甲基-1-戊烯(4-methyl-1-pentene)系聚合物作為主成分；以及一對黏接層B，其使上述基材層C與上述最外層A黏接。
[2]如[1]所述之模具離型膜，其中上述基材層C包含聚醯胺(polyamide)樹脂，上述黏接層B包含藉由不飽和羧酸及/或不飽和羧酸的酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物改質而成的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物。
[3]如[1]或[2]所述之模具離型膜，其中上述黏接層B包含藉由順丁烯二酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物接枝 (graft)改質而成的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物。
[4]如[2]或[3]所述之模具離型膜，其中上述聚醯胺樹脂為聚醯胺6或聚醯胺66。
[5]如[1]至[4]中任一項所述之模具離型膜，其中上述基材層C為一層。
[6]如[1]至[5]中任一項所述之模具離型膜，其中上述一對最外層A與上述一對黏接層B的總厚度小於等於32μm。
[7]如[1]至[6]中任一項所述之模具離型膜，其中上述離型膜的積層結構相對於上述基材層C為對稱。
[8]如[1]至[7]中任一項所述之模具離型膜，其中上述離型膜用於包括如下步驟的半導體樹脂封裝的製造步驟：將半導體晶片配置於上述模具內；於上述半導體晶片與上述模具內表面之間配置上述離型膜；藉由將密封材料注入至上述模具內來獲得經密封的半導體晶片；以及將上述經密封的半導體晶片自上述離型膜剝離。
本發明的第2發明是關於以下所示的使用離型膜的半導體樹脂封裝的製造方法。
[9]一種半導體樹脂封裝的製造方法，其包括如下步驟：將半導體晶片配置於模具內；於半導體晶片與上述模具內表面之間配置如[1]至[7]中任一項所述之離型膜；藉由將密封材料注入至上述模具內來獲得經密封的半導體晶片；以及將上述經密封的半導體晶片自上述離型膜剝離。
根據本發明，可提供一種與半導體樹脂封裝的離型性優異，而且不易產生翹曲或皺褶等的離型膜。藉由使用該離型膜來製造半導體樹脂封裝，可提供一種尺寸精度較佳的半導體樹脂封裝。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1.半導體樹脂封裝製造用模具離型膜
本發明的半導體樹脂封裝製造用模具離型膜(離型膜)包含：基材層C；一對最外層A，其夾持基材層C，並包含4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分；以及一對黏接層B，其配置於基材層C與最外層A之間。
本發明的離型膜於在成形模具的內部對半導體晶片進行樹脂密封時，配置於成形模具的內表面。藉由配置本發明的離型膜，可使經樹脂密封的半導體晶片(半導體樹脂封裝)容易地自模具離型。
一對最外層A是配置於離型膜的兩面的最外層。一方的最外層A與半導體樹脂封裝(成形品)接觸；另一方的最外層A與模具內部接觸。因此，要求最外層A的耐熱性與離型性優異。
最外層A包含4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分。4-甲基-1-戊烯系聚合物的熔點為220℃~240℃較高，不僅不會在半導體樹脂封裝的製造步驟中的模具溫度下熔融，而且由於表面能(surface energy)較低，因此離型性優異。 於本發明中，符號「~」是包括其兩端的範圍的符號，以下亦相同。
所謂4-甲基-1-戊烯系聚合物是指4-甲基-1-戊烯的均聚物(4-甲基-1-戊烯均聚物)、或者4-甲基-1-戊烯與4-甲基-1-戊烯以外的其他單體的共聚物(4-甲基-1-戊烯共聚物)。
4-甲基-1-戊烯共聚物中的其他單體的例子包括：碳原子數為2~20的α-烯烴(α-olefin)。碳原子數為2~20的α-烯烴的例子包括：乙烯(ethylene)、丙烯(propylene)、1-丁烯(1-butene)、1-己烯(1-hexene)、1-庚烯(1-heptene)、1-辛烯(1-octene)、1-癸烯(1-decene)、1-十四碳烯(1-tetradecene)、1-十六碳烯(1-hexadecene)、1-十七碳烯(1-heptadecene)、1-十八碳烯(1-octadecene)以及1-二十碳烯(1-eicosene)等。這些α-烯烴可單獨使用、或者組合使用兩種或兩種以上。
碳原子數為2~20的α-烯烴中，較好的是碳原子數為7~20的α-烯烴，更好的是碳原子數為8~20的α-烯烴，尤其好的是碳原子數為10~20的α-烯烴。
4-甲基-1-戊烯共聚物中的源自4-甲基-1-戊烯的重複單元較好的是大於等於93wt%(重量百分比)，更好的是93wt%~99wt%，尤其好的是95wt%~98wt%。此種4-甲基-1-戊烯共聚物具有源自4-甲基-1-戊烯的良好的剛性與源自α-烯烴的良好的成形性。
4-甲基-1-戊烯系聚合物根據ASTM D1238以負荷為 5.0kg、溫度為260℃的條件所測定的熔融流動速率(Melt Flow Rate，MFR)，較好的是0.5g/10分鐘~250g/10分鐘，更好的是1.0g/10分鐘~150g/10分鐘。4-甲基-1-戊烯系聚合物的MFR若處於上述範圍內，則其成形性及機械特性優異。
4-甲基-1-戊烯系聚合物可藉由任意的方法製造。例如可藉由於齊格勒-納塔(Ziegler-Natta)觸媒、二茂金屬(metallocene)系觸媒等公知的觸媒的存在下使4-甲基-1-戊烯聚合來獲得4-甲基-1-戊烯系聚合物。本發明中所使用的4-甲基-1-戊烯系聚合物可為以上述方式所製造的4-甲基-1-戊烯系聚合物；亦可為市售品。4-甲基-1-戊烯系聚合物的市售品的例子包括：三井化學股份有限公司製造的TPX等。
4-甲基-1-戊烯系聚合物較好的是具有結晶性。具體而言，4-甲基-1-戊烯系聚合物較好的是具有同排結構(isotactic structure)或對排結構(syndiotactic structure)；其中，較好的是具有同排結構。4-甲基-1-戊烯系聚合物的分子量只要是滿足成形性及機械特性的範圍，則並無特別限定。
於無損本發明的目的之範圍內，最外層A亦可包含4-甲基-1-戊烯系聚合物以外的其他樹脂。
於無損本發明的目的之範圍內，最外層A亦可包含添加劑。添加劑的例子包括：耐熱穩定劑、耐候穩定劑、防銹劑、耐銅害穩定劑、抗靜電劑等通常調配於聚烯烴中的 公知的添加劑。添加劑的添加量相對於4-甲基-1-戊烯共聚物樹脂100重量份，較好的是設為0.0001重量份~10重量份。
基材層C為離型膜的中間層，其具有作為膜基材的功能。因此，較好的是基材層C的耐熱性及機械特性優異。特別是成為基材層C的主成分的樹脂，較好的是高溫下的強度及抗潛變能力(creep resistance)較最外層A的主成分即4-甲基-1-戊烯系聚合物更優異的樹脂。此處的高溫是指製造半導體樹脂封裝時的模具溫度。
此種樹脂的例子包括：聚碳酸酯(polycarbonate)樹脂、聚酯(polyester)樹脂及聚醯胺樹脂。其中，較好的是聚醯胺樹脂，更好的是脂肪族聚醯胺樹脂。這些聚醯胺樹脂與聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等聚酯系樹脂相比，與下述的黏接層B中所含的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物的黏接性更高，因此可有效地抑制最外層A與基材層C的層間剝離。所謂脂肪族聚醯胺樹脂是指藉由內醯胺(lactam)的開環聚合、脂肪族二胺成分與脂肪族二羧酸成分的聚縮合反應、或者脂肪族胺基羧酸的聚縮合所獲得的樹脂。
將內醯胺開環聚合所獲得的脂肪族聚醯胺的例子包括：聚醯胺6、聚醯胺11、聚醯胺12及聚醯胺612等。藉由脂肪族二胺成分與脂肪族二羧酸成分的聚縮合所獲得的脂肪族聚醯胺的例子包括：聚醯胺66、聚醯胺610、聚醯胺46、聚醯胺MXD6、聚醯胺6T、聚醯胺6I及聚醯胺9T等。
其中，較好的是聚醯胺6或聚醯胺66；更好的是聚醯胺66。其原因在於：這些聚醯胺(特別是聚醯胺66)具有高熔點及高彈性模數，不僅耐熱性及機械特性優異，而且與下述的黏接層B的黏接性亦優異。具有包含這些聚醯胺的基材層C的離型膜不僅不易於模具內產生皺褶，而且亦不易產生針孔(pinhole)狀的裂口。若密封材料經由針孔狀裂口的滲漏較明顯，則密封材料成分的一部分附著及堆積於模具模腔內壁，而於短時間內污染模具，故不佳。
脂肪族聚醯胺藉由微差掃描熱量測定法(Differential Scanning Calorimetry，DSC)所測定的熔點較好的是大於等於190℃。其原因在於：基材層C包含具有低於上述下限值的熔點的脂肪族聚醯胺的離型膜的耐熱性並不充分，且易於產生皺褶。
基材層C亦可為多層，亦可如「C/C'/C」所示般為3層。於此情況下，較好的是基材層C及基材層C'的至少一方包含聚醯胺66。
基材層C亦可進一步包含上述聚醯胺樹脂等以外的其他樹脂。其他樹脂的較佳例為：高溫下的對拉伸應力或壓縮應力的抗潛變能力較最外層A的主成分即4-甲基-1-戊烯系聚合物更優異的耐熱彈性體(elastomer)、或者不易應力緩和且彈性恢復性優異的耐熱彈性體。
若考慮與黏接層B的黏接性，則此種耐熱彈性體的例子包括：熱塑性聚醯胺系彈性體、熱塑性聚酯系彈性體等。這些熱塑性彈性體藉由DSC法所測定的熔點較好的是大 於等於190℃。另外，即使熱塑性彈性體的熔點小於190℃，藉由使用交聯劑或交聯助劑進行化學交聯，或者利用紫外線或電子束、伽馬射線(gamma ray)等進行物理交聯，亦可提高高溫下的抗潛變能力或彈性恢復性。
熱塑性聚醯胺系彈性體的例子包括：將聚醯胺作為硬鏈段(hard segment)，並將聚酯或聚醚(polyether)作為軟鏈段(soft segment)的嵌段共聚物。構成硬鏈段的聚醯胺的例子包括：聚醯胺6、聚醯胺66、聚醯胺610、聚醯胺612、聚醯胺11等。構成軟鏈段的聚醚的例子包括：聚乙二醇(polyethylene glycol，PEG)、聚丙二醇(polypropylene glycol，PPG)、聚丁二醇(polytetramethylene glycol，PTMG)等。
熱塑性聚酯系彈性體的例子包括：將包含結晶性芳香族聚酯單元的結晶性聚合物鏈段作為硬鏈段，並將包含聚醚單元或脂肪族聚酯單元的非晶性聚合物鏈段作為軟鏈段的嵌段共聚物。構成硬鏈段的包含結晶性芳香族聚酯單元的結晶性聚合物的例子包括：聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate，PBT)、聚萘二甲酸丁二酯(polybutylene naphthalate，PBN)等。構成軟鏈段的包含聚醚單元的非晶性聚合物的例子包括：聚四亞甲基醚二醇(polytetramethylene ether glycol，PTMG)等。構成軟鏈段的包含脂肪族聚酯單元的非晶性聚合物的例子包括：聚己內酯(polycaprolactone，PCL)等脂肪族聚酯。熱塑性聚酯系彈性體的具體例包括：聚對苯二甲酸丁二酯(PBT) 與聚四亞甲基醚二醇(PTMG)的嵌段共聚物、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)與聚己內酯(PCL)的嵌段共聚物、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)與脂肪族聚酯的嵌段共聚物等。
於無損本發明的目的之範圍內，基材層C亦可包含公知的添加劑。當基材層C包含聚醯胺樹脂作為主成分時，添加劑的例子包括：以改善耐熱老化性為目標的包含銅化合物系的耐熱穩定劑、硬脂酸鈣及硬脂酸鋁等潤滑劑等通常調配於聚醯胺樹脂中的公知的添加劑。
黏接層B配置於基材層C與一對最外層A的各層之間，其具有使基材層C與一對最外層A的各層黏接的功能。藉由配置黏接層B，可於鎖模或射出成形時，抑制於模具內在離型膜上易於產生應力集中的部位的基材層C與最外層A的層間剝離。所謂易於產生應力集中的部位是指例如模具的模腔的周緣部分(模具的模腔面與分模面(parting surface)的邊界部分)等。黏接層B較好的是包含易與於最外層A及基材層C雙方相容的材料。
黏接層B較好的是包含將最外層A的主成分即4-甲基-1-戊烯系聚合物改質成易於與基材層C相容的4-甲基-1-戊烯系聚合物；具體而言，較好的是包含改質成具有極性基的4-甲基-1-戊烯系聚合物。基材層C較好的是包含聚醯胺樹脂，其原因在於：該聚醯胺樹脂易於與極性基相容。
改質成具有極性基的4-甲基-1-戊烯系聚合物可藉由任意的方法獲得。其中，較好的是藉由不飽和羧酸及/或其酸酐(以下亦稱為「不飽和羧酸等」)來改質4-甲基-1-戊 烯系聚合物。
具體而言，較好的是使4-甲基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等共聚；更好的是使4-甲基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等接枝聚合。4-甲基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等的接枝聚合可藉由公知的方法進行，例如使4-甲基-1-戊烯系聚合物與不飽和羧酸等於過氧化物等的存在下熔融混練即可。
4-甲基-1-戊烯系聚合物可使用上述的4-甲基-1-戊烯系聚合物。改質前的4-甲基-1-戊烯系聚合物於135℃下、於十氫化萘(decahydronaphthalene)中所測定的極限黏度[η]，較好的是0.5dl/g~25dl/g，更好的是0.5dl/g~5dl/g。
不飽和羧酸等的例子包括：具有羧基(carboxyl)與不飽和基的碳數為3~20的不飽和化合物、以及具有羧酸酐基與不飽和基的碳數為3~20的不飽和化合物。不飽和基的例子包括：乙烯基(vinyl)、伸乙烯基(vinylene)以及不飽和環狀烴基。
不飽和羧酸等的具體例包括：丙烯酸(acrylic acid)、甲基丙烯酸(methacrylic acid)等不飽和單羧酸；順丁烯二酸(maleic acid)、反丁烯二酸(fumaric acid)、衣康酸(itaconic acid)、檸康酸(citraconic acid)、烯丙基琥珀酸(allylsuccinic acid)、中康酸(mesaconic acid)、戊烯二酸(glutaconic acid)、耐地酸(nadic acid)TM、甲基耐地酸(methylnadic acid)、四氫鄰苯二甲酸(tetrahydrophthalic acid)、甲基六氫鄰苯二甲酸(methyl hexahydrophthalic acid)等不飽和二羧酸；以及順丁烯二酸酐(maleic anhydride)、衣康酸酐(itaconic anhydride)、檸康酸酐(citraconic anhydride)、烯丙基琥珀酸酐(allylsuccinic anhydride)、戊烯二酸酐(glutaconic anhydride)、耐地酸酐(nadic anhydride)TM、甲基耐地酸酐(methylnadic anhydride)、四氫鄰苯二甲酸酐(tetrahydrophthalic anhydride)、甲基四氫鄰苯二甲酸酐(methyl hexahydrophthalic anhydride)等不飽和二羧酸酐等。這些可單獨使用、或者組合使用兩種或兩種以上。其中，較好的是順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、耐地酸TM或耐地酸酐TM，更好的是順丁烯二酸酐。
經改質的4-甲基-1-戊烯系聚合物(以下亦稱為「改質4-甲基-1-戊烯系聚合物」)的接枝率，較好的是小於等於20wt%，更好的是0.1wt%~5wt%，尤其好的是0.5wt%~2wt%。接枝率處於上述範圍內的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物對最外層A及基材層C雙方具有良好的黏接性。
改質4-甲基-1-戊烯系聚合物較好的是實質上不具有交聯結構。無交聯結構可藉由使改質4-甲基-1-戊烯系聚合物溶解於例如對二甲苯(p-xylene)等有機溶劑後不存在凝膠狀物來確認。
改質4-甲基-1-戊烯系聚合物於135℃下、於十氫化萘中所測定的極限黏度[η]，較好的是0.2dl/g~10dl/g，更好的是0.5dl/g~5dl/g。
黏接層B可僅將改質4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分，但較好的是將改質4-甲基-1-戊烯系聚合物與其他α -烯烴聚合物的混合物作為主成分。於此情況下，較好的是於混合物中包含20wt%~40wt%的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物。
α-烯烴聚合物較好的是碳原子數為2~20的α-烯烴聚合物。碳原子數為2~20的α-烯烴聚合物的例子包括：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯等的聚合物。其中，較好的是1-丁烯系聚合物。
1-丁烯系聚合物為1-丁烯的均聚物、或者1-丁烯與1-丁烯以外的碳原子數為2~20的α-烯烴的共聚物。1-丁烯以外的碳原子數為2~20的α-烯烴的例子包括：乙烯、丙烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯等；較好的是乙烯或丙烯。
1-丁烯系聚合物較好的是包含大於等於60wt%的源自1-丁烯的重複單元，更好的是包含大於等於80wt%的源自1-丁烯的重複單元。其原因在於：此種1-丁烯系聚合物與改質4-甲基-1-戊烯系聚合物的混合性(或相容性)優異。
1-丁烯系聚合物根據ASTM D1238、以負荷2.16kg、溫度190℃的條件所測定的熔融流動速率(MFR)，較好的是0.01g/10分鐘~100g/10分鐘，更好的是0.1g/10分鐘~50g/10分鐘。MFR處於上述範圍內的1-丁烯系聚合物與改質4-甲基-1-戊烯系聚合物的混合性(或相容性)良好，且可提高黏接層B的黏接性。
黏接層B亦與最外層A或基材層C同樣，除主成分 以外，亦可包含上述添加劑。
本發明的離型膜如上所述具有：基材層C；夾持基材層C的一對最外層A；以及配置於基材層C與一對最外層A的各層之間的一對黏接層B。即，本發明的離型膜較好的是具有相對於中心層為對稱的積層結構。其原因在於：具有對稱的積層結構的膜在裝填入模具內並受到加熱時，不易產生因熱膨脹差或吸濕等所引起的變形(翹曲等)。另外，離型膜只要具有相對於中心層為對稱的積層結構，則視需要亦可包含基材層C、最外層A及黏接層B以外的其他層。
基材層C可為一層、亦可為二層或二層以上的多層。當基材層C為多層時，可將多層基材層直接積層，亦可於基材層與基材層之間配置其他層(例如黏接層)。
離型膜的具體的積層結構的例子包括以下型態。於以下型態中，A為最外層A；B為黏接層B；C為基材層C。C'為基材層C(中間層)之一；D為黏接基材層C與基材層C'的黏接層。
A/B/C/B/A
A/B/C/C'/C/B/A
A/B/C/D/C'/D/C/B/A
這些積層結構之中，較好的是基材層(中間層)為一層的「A/B/C/B/A」的積層結構。其原因在於：製造較容易。圖1是表示本發明的離型膜的較好的構成例的示意圖。如圖1所示，離型膜10具有：基材層12、夾持基材 層12的一對最外層、以及配置於基材層12與最外層14之間的一對黏接層13。基材層12為上述基材層C；最外層14為上述最外層A；黏接層13為上述黏接層B。
另外，若以如一對最外層A、一對黏接層B等般地使配置於相對於中心層為對稱的位置上的一對層(由相同材質構成的層)的厚度相同，則可相互抵消因熱膨脹率等所引起的變形量而抑制翹曲，故較好。
離型膜的總厚度較好的是15μm~100μm。各層的厚度調整成離型膜的總厚度為上述範圍即可。具體而言，最外層A較好的是1μm~30μm，黏接層B較好的是1μm~20μm，基材層C較好的是20μm~40μm。
本發明的離型膜如上所述，具有高彈性模數且高熔點的基材層C；另一方面，為了抑制最外層A與基材層C的層間剝離，而於最外層A與基材層C之間具有黏接層B。
但是，若離型膜的總厚度變大，特別是最外層A與黏接層B的總厚度變大，則存在半導體樹脂封裝的側面易於產生皺褶(側面皺褶)，而產生外觀不良或離型不良之虞。即，當製造半導體樹脂封裝時，若離型膜的構成材料的壓縮降伏應力低於模具模腔周緣的鎖模部分所產生的鎖模壓力，則易於產生半導體樹脂封裝的側面皺褶。特別是構成最外層A與黏接層B的樹脂於高溫時較柔軟，且壓縮降伏應力相對較低，因而易於使半導體樹脂封裝產生側面皺褶。
一般認為半導體樹脂封裝的側面所產生的皺褶(側面皺褶)是由如下的機制所產生的。即，若於將離型膜配置 於模具內的狀態下對上下的模具進行鎖模，則配置於半導體晶片基板與模具內表面之間的離型膜會因鎖模壓力而壓碎。壓碎後殘餘的離型膜部分以如向模具模腔內側，即與半導體樹脂封裝的側面部分對向的模具內表面的半導體晶片的基板附近露出的形式伸出。其結果，於與殘餘的離型膜伸出的部分對向的半導體樹脂封裝的側面產生凹陷。該半導體樹脂封裝側面的凹陷在外觀上呈皺褶狀的模樣。此種側面皺褶亦可於集齊多個半導體晶片來同時鑄模後加以單片化所獲得的封裝中產生，但於例如四方形扁平無引腳封裝(Quad Flat Non-leaded package，QFN)般，為將(已單片化)單片狀的半導體晶片鑄模而獲得的封裝、且密封狀態下的側面部分直接構成產品的外形時，特別容易導致外觀不良。另外，至於該外觀上視作皺褶的凹陷部分，在即將離型(開模)之前，於模具內殘餘的離型膜會侵入至半導體樹脂封裝的側面。因此，於使半導體樹脂封裝離型時，存在殘餘的離型膜部分保持陷入至半導體樹脂封裝的側面的狀態而不脫離，從而無法剝離的情況。
為了防止該側面皺褶，如下述般，亦有可藉由降低鎖模力等成形條件的調整來避免該側面皺褶的方法。但是，當難以僅藉由調整成形條件來防止側面皺褶時，較好的是於不產生縱向皺褶、毛邊及裂口等的範圍內減小離型膜的總厚度，特別是於無損離型性與層間黏接性的範圍內減小最外層A及黏接層B的總厚度。
所謂最外層A與黏接層B的總厚度，是指一對最外層 A與一對黏接層B的總厚度，較好的是12μm~32μm。各最外層A的厚度較好的是4μm~10μm，各黏接層B的厚度較好的是2μm~6μm。
本發明的離型膜於模具溫度下的拉伸彈性模數較好的是大於等於60MPa，於模具溫度下的拉伸強度(延伸達到500%時的強度)較好的是大於等於5MPa。具體而言，175℃下的拉伸彈性模數較好的是大於等於60MPa~300MPa，拉伸強度(相對於初始夾盤(chuck)間距離而延伸達到500%時的強度)較好的是大於等於5MPa。若拉伸彈性模數及拉伸強度處於上述範圍內，則可獲得模具追隨性，並且不易產生模具溫度下的皺褶。拉伸彈性模數及拉伸強度可根據以下的方法測定。
i)拉伸強度
準備自離型膜以15mm的寬度切取的帶狀片作為試驗片。此時，使帶狀片的長度方向與膜的捲取方向平行。在帶有溫度調整成與模具溫度相同的恆溫槽的拉伸試驗機中，以使夾盤間距離達到50mm的方式握持上述試驗片。以200mm/分鐘(固定)的拉伸速度拉伸試驗片，將相對於初始夾盤間距離(50mm)的延伸達到500%(夾盤間距離300mm)而無斷裂時的應力作為拉伸強度。
ii)拉伸彈性模數
根據由上述拉伸試驗所獲得的拉伸應力-應變曲線中的初始的直線部分的斜度，並根據JIS-K 7113求出拉伸彈性模數。
本發明的離型膜可藉由公知的方法製造。離型膜可藉由如下方法獲得：將構成各層的樹脂共擠出的方法、或者藉由層壓來積層各層的膜狀體的方法等。而且，視需要可於離型膜的一面或兩面形成例如由壓紋輥(emboss roll)所形成的緞光加工面般的微細凹凸。
2.半導體樹脂封裝的製造方法
本發明的半導體樹脂封裝的製造方法包括：第1步驟，於配置於模具內的半導體晶片與模具內表面之間配置離型膜；第2步驟，利用密封材料密封半導體晶片；以及第3步驟，將經密封的半導體晶片自離型膜剝離。
半導體晶片為形成有半導體積體電路的晶片。於半導體樹脂封裝的製造中，半導體晶片通常固定於稱為導線架(lead frame)或母板(mother board)等的基板上來使用。本發明中所使用的半導體晶片較好的是利用公知的方法將公知的半導體晶片固定於導線架或基板上而成的半導體晶片。
所謂模具，是指用以獲得所需的半導體樹脂封裝的成形用模具。模具的形狀可為公知的形狀，模具的材質亦可為公知的材質。
所謂密封材料，是指用以密封半導體晶片的樹脂組成物。密封材料可為公知的密封材料，但較好的是以環氧樹脂等熱固性樹脂為主成分的密封材料。
於第1步驟中，在上述半導體晶片與上述模具之間配置上述離型膜。配置的方法並無限定。圖2是表示半導體 樹脂封裝的製造步驟中的第1步驟之例的圖。圖2中，10為離型膜，24a為膜捲出裝置，24b為膜捲取裝置，20為模具的上模，21為模具的下模，22為模腔，30為轉注成形機的柱塞(plunger)，40為半導體晶片，41為基板，42為配線，50為密封材料。
如圖2a所示，於分開的模具的上模20與下模21之間配置離型膜10。此時，離型膜10藉由膜捲出裝置24a及膜捲取裝置24b而產生一定的張力。
離型膜10上所產生的張力以拉伸應力換算較好的是0.2MPa~2MPa。若張力低於0.2MPa(拉伸應力換算)，則離型膜10易於產生鬆弛、或者於離型膜10的寬度方向上易於產生皺褶。另一方面，若離型膜10上所產生的張力超過2MPa(拉伸應力換算)，則存在無法使離型膜10順暢地(smooth)真空吸附於模具內表面，而導致模具追隨性下降的情況。
接著，自設置於上模20的模腔面內的排氣口(未圖示)抽吸空氣，將離型膜10與上模20之間的空氣排出。藉此，離型膜10真空吸附於上模20的分模面及模腔面(圖2b)。所謂模腔面，是指構成上模20的模腔22的面。所謂分模面，是指將上模20與下模21閉合時，上模20與下模21相互接觸的面。
接著，將固定於基板41上的半導體晶片40配置於下模21上(圖2c)，並進行鎖模(圖2d)。為了抑制上述密封後的半導體樹脂封裝產生側面皺褶，亦可於毛邊不成為 問題的範圍內，降低鎖模力等來調整成形條件。
模具的溫度只要是可使熱固性密封材料硬化的溫度，則並無特別限定。於密封材料的主成分為環氧樹脂時，模具的溫度較好的是160℃~200℃，更好的是170℃~180℃。自模具的分模面至模腔22的最深部為止的深度雖亦取決於半導體晶片40的尺寸，但為0.2mm~2mm左右，較好的是0.3mm~1mm。離型膜10亦可於預熱後配置於圖2a所示的位置。亦可對密封材料50進行預熱。
於圖2中，於配置離型膜10後將固定於基板41上的半導體晶片40配置在下模21上，但該順序亦可相反。
於第2步驟中，利用密封材料50密封半導體晶片40。圖3是表示半導體樹脂封裝的製造步驟中的第2步驟之例的圖。圖3中，符號的含義與圖2相同。
如圖3所示，藉由使柱塞30上升而將密封材料50射出至模腔22，該密封材料50是藉由來自模具的導熱而達到軟化點或軟化點以上且成液狀的密封材料。於使柱塞30維持上升的狀態下，在預定壓力下保持預定時間而使密封材料50硬化。此時，對射出速度、保持壓力及保持時間進行調整，以不使下述密封後的半導體樹脂封裝61產生成形不良(表面的轉印不良、翹曲、凹痕、空隙(void)、毛邊)。保持壓力較好的是例如1MPa~12MPa。
於第3步驟中，將離型膜自經密封的半導體晶片剝離。圖4是表示半導體樹脂封裝的製造步驟中的第3步驟之例的圖。圖4中，60為經密封的半導體晶片，61為半導 體樹脂封裝，62為流道(runner)。其他符號的含義與圖2相同。
分開上模20與下模21，使離型膜10自經密封的半導體晶片60離型。由於離型膜10的離型性優異，因此可容易地自經密封的半導體晶片60剝離。另外，離型膜10亦可容易地自模具的上模20離型。將經密封的半導體晶片60的流道62切割開，而形成半導體樹脂封裝61。
第3步驟之後，為了連續地進行以下的密封步驟，亦可將新的離型膜再次配置於模具內。所謂再次配置新的膜，是指於剝離回收經密封的半導體晶片60後，將新的離型膜10代替已使用的離型膜10而配置於上模20與下模21之間，並形成如圖2a中所示的狀態。圖5是表示第3步驟後，將新的離型膜再次配置於模具內的步驟之例的圖。圖5中的符號的含義亦與圖2相同。
例如，如圖5所示，藉由膜捲取裝置24b捲取已使用的離型膜10，並藉由膜捲出裝置24a將新的離型膜10捲出(於上模20與下模21之間)，藉此可再次配置新的離型膜10。
於本實施形態中，對藉由轉注成形來製造半導體樹脂封裝的例子進行了說明，但亦可藉由壓縮成形、射出成形等來製造半導體樹脂封裝。例如當藉由壓縮成形來製造半導體樹脂封裝時，使用本發明的離型膜代替文獻(「專刊電子零件封裝的成形技術」，成形加工，第20卷，第5號，2008年，276頁~287頁)中所揭示的離型膜即可。
如此，本發明的離型膜10具有相對於中心層為對稱的積層結構。因此，不易產生將離型膜配置於模具內時的離型膜的翹曲等變形或皺褶。另外，若離型膜10的基材層C(中間層)包含高溫下的強度優異的脂肪族聚醯胺作為主成分，則模具溫度下的縱向皺褶亦不易產生。
另外，藉由使最外層A與黏接層B的總厚度相對於離型膜的總厚度的比小於等於一定值，亦可抑制半導體樹脂封裝的側面所產生的皺褶(側面皺褶)。
而且，本發明的離型膜10由於模具追隨性佳，且離型性亦佳，因此即使連續地進行密封步驟，亦可使模具內的樹脂穩定地流動。另外，本發明的離型膜10可穩定地維持對經密封的半導體晶片40的高離型性。因此，可獲得尺寸精度良好，且毛邊或凹陷等外觀不良少的半導體樹脂封裝。
[實施例]
(1)最外層A用材料的製備
利用常規方法製造4-甲基-1-戊烯與1-癸烯的共聚物。將1-癸烯含量設為2.5wt%。以下亦將該共聚物稱為「A-1」。
(2)黏接層B用材料的製備
改質4-甲基-1-戊烯共聚物的製造
利用常規方法準備4-甲基-1-戊烯與DIALEN 168(三菱化學製造，碳數為16與碳數為18的α-烯烴的混合物)的共聚物(DIALEN 168的含量為6.5wt%)。
利用亨舍爾混合機(Henschel mixer)將98.8重量份的上述共聚物、1重量份的順丁烯二酸酐、以及作為有機過氧化物的0.2重量份的2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧基)己烷混合。接著，使用雙軸擠出機於280℃的溫度下對該混合物進行混練。藉此，獲得藉由順丁烯二酸酐接枝改質而成的改質4-甲基-1-戊烯共聚物。該改質4-甲基-1-戊烯共聚物的接枝率為0.9wt%。
黏接層B用材料的製備
利用亨舍爾混合機低速旋轉3分鐘來混合以下成分：上一步驟中所獲得的25重量份的改質4-甲基-1-戊烯共聚物、50重量份的4-甲基-1-戊烯與DIALEN 168(三菱化學製造，碳數為16與碳數為18的α-烯烴的混合物)的共聚物(DIALEN 168含量為6.5wt%)、25重量份的1-丁烯共聚物、作為穩定劑的0.10重量份的Irganox1010(Ciba股份有限公司製造)、以及0.03重量份的硬脂酸鈣(三共有機合成股份有限公司製造)。接著，使用雙軸擠出機於280℃下將該混合物擠出，藉此獲得黏接層B用樹脂(以下亦稱為「B-1」)。
(3)基材層C用材料的準備
第1脂肪族聚醯胺樹脂(亦稱為「C-1」)是準備聚醯胺6(東麗(Toray)製造，商品名為Amilan CM1041LO，熔點為225℃)。
第2脂肪族聚醯胺樹脂(亦稱為「C-2」)是準備聚醯胺66(旭化成化學(Asahi Kasei Chemicals)製造，商品 名為Leona 1700S，熔點為265℃)。
第3脂肪族聚醯胺樹脂(亦稱為「C-3」)是準備聚醯胺66(杜邦(Dupont)製造，商品名為Zytel 42A，熔點為262℃)。
[實施例1]
將上述各層用材料作為原料，並使用T模成形機進行共擠出，藉此製造未延伸的寬度為400mm的離型膜。將離型膜的結構設為A-1/B-1/C-1/B-1/A-1的3種5層結構，並且將各層的厚度設為15μm/5μm/25μm/5μm/15μm(總厚度為65μm)。
如圖2所示，將所獲得的離型膜10配置於上模20與下模21之間。自上模20與下模21中的模腔22的距離模具分模面的最深部的深度為0.8mm。此時，對藉由膜捲出裝置24a及膜捲取裝置24b而於離型膜10上產生的張力進行調整，使拉伸應力為1MPa。
接著，如圖2b所示，使離型膜10真空吸附於上模20的分模面。接著，將固定於基板41上的半導體晶片40配置於下模21上(圖2c)，並進行鎖模(圖2d)。將此時的模具溫度設為175℃。密封材料50是使用市售的半導體密封用環氧樹脂成形材料。
如圖3所示，經由柱塞30，將藉由來自模具的導熱而達到軟化點或軟化點以上且成液狀的密封材料50射出。接著，於壓力為12MPa下保持120秒，而使密封材料50硬化。其後，將離型膜10自經密封的半導體晶片60離型， 而獲得半導體樹脂封裝61。
以如下方法評價所獲得的半導體樹脂封裝61及密封後的離型膜10。
i)離型性
以如下基準評價離型膜自半導體樹脂封裝的離型性。
○：離型膜在分開模具的同時自然剝落
△：離型膜的一部分殘留於半導體樹脂封裝61或模具上
×：離型膜密接於經密封的半導體晶片或模具上
ii)層間剝離
以如下基準評價離型時離型膜的與半導體樹脂封裝相對應的部分的層間剝離的產生狀態。
○：最外層A與基材層C之間無層間剝離
△：最外層A與基材層C之間略有層間剝離
×：最外層A與基材層C之間有明顯的層間剝離
iii)上表面皺褶(縱向皺褶)
以如下基準目視評價半導體樹脂封裝上表面的皺褶的狀態。
○：完全無皺褶
×：封裝上表面有皺褶的轉印
iv)側面皺褶
以如下方法評價半導體樹脂封裝61的側面(排氣孔(air vent)部及澆口(gate)部除外)所產生的皺褶的狀態。
圖6是表示半導體樹脂封裝61的側面皺褶的深度的測定方法之例的剖面圖。即，利用切片機(dicer)切取相對於半導體樹脂封裝61的上表面為垂直的剖面。藉此，獲得如圖6所示的半導體樹脂封裝61的剖面。接著，利用讀取顯微鏡進行觀察，而於所獲得的剖面中設定假設無側面皺褶時的半導體樹脂封裝的側面(假想側面)與基板41相交的基準位置(線)。並且，測定半導體樹脂封裝的側面的凹陷部分的自基準位置(線)起的與基板41面平行方向的深度d。根據以上述方式所測定的側面皺褶的深度值，將側面皺褶的程度按以下方式加以規定。
◎：側面皺褶的深度小於100μm
○：側面皺褶的深度大於等於100μm、小於200μm
△：側面皺褶的深度大於等於200μm、小於300μm
×：側面皺褶的深度大於等於300μm
若側面皺褶的深度大，則不僅半導體樹脂封裝61的外觀不良變得顯而易見，而且於離型時，半導體樹脂封裝61無法自離型膜10順暢地剝落而易於產生離型不良。因此，側面皺褶的深度越小越好。
v)翹曲
以如下基準評價離型膜的翹曲的狀態。
○：完全無翹曲
△：略有翹曲，但實用上無問題
×：翹曲大而無法使用
vi)裂口
以目視觀察並以如下基準，對使用後的離型膜10的針孔的產生狀態與模具模腔內壁的樹脂附著狀態進行評價。
○：無針孔狀的裂口
△：略有針孔狀的裂口，但無滲漏的密封樹脂附著於模具
[實施例2]
除將各層的厚度設為10μm/5μm/15μm/5μm/10μm(總厚度為45μm)以外，以與實施例1相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例3]
除將各層的厚度設為10μm/5μm/20μm/5μm/10μm(總厚度為50μm)以外，以與實施例1相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例4]
除將各層的厚度設為10μm/3μm/24μm/3μm/10μm(總厚度為50μm)以外，以與實施例1相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例5]
除將基材層C的材料替換成C-2以外，以與實施例1相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例6]
除將基材層C的材料設定為C-2以外，以與實施例2相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例7]
除將基材層C的材料設定為C-2以外，以與實施例3相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例8]
除將基材層C的材料設定為C-2以外，以與實施例4相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例9]
除將基材層C的材料C-1設定為C-2，且將各層的厚度設定為6μm/3μm/32μm/3μm/6μm(總厚度為50μm)以外，以與實施例1相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例10]
除將基材層C的材料設定為C-3以外，以與實施例3相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例 1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例11]
除將基材層C的材料設定為C-3以外，以與實施例4相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[實施例12]
除將基材層C的材料設定為C-3以外，以與實施例9相同的方式準備離型膜10。使用該離型膜10，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝61，並進行評價。
[比較例1]
除將離型膜的結構設定為不包含黏接層B的A-1/C-1/A-1的2種3層結構，且將各層的厚度設定為25μm/15μm/25μm(總厚度為65μm)以外，以與實施例1相同的方式獲得未延伸的寬度為400mm的離型膜。使用該離型膜，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝，並進行評價。
[比較例2]
除將各層的厚度設定為15μm/15μm/15μm(總厚度為45μm)以外，以與比較例1相同的方式獲得離型膜10。使用該離型膜，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝，並進行評價。
[比較例3]
除將離型膜的結構設定為相對於中心層為不對稱的A-1/B-1/C-1的3種3層積層結構，且將各層的厚度設定為 20μm/5μm/25μm(總厚度為50μm)以外，以與實施例1相同的方式獲得未延伸的寬度為400mm的離型膜。使用該離型膜，以與實施例1相同的方式製造半導體樹脂封裝，並進行評價。
將這些結果匯總於表1。
如表1所示，可知實施例1~實施例12的本發明的離型膜不僅離型性優異，而且可抑制層間剝離、皺褶、翹曲及裂口中的全部。
可知基材層C包含聚醯胺66(PA66)的實施例5~12的離型膜中，最外層A與黏接層B的厚度較小的實施例6~12的離型膜的半導體樹脂封裝的側面皺褶明顯減少。一般認為其原因在於：基材層C的耐熱性較高，且壓縮降伏應力相對較低的最外層A與黏接層B較薄。但是，若基材層C過薄，則亦有產生微小的裂口的情況。一般認為其原因在於：若基材層C較薄，則難以維持離型膜本身的強度。
相對於此，可知比較例1~3的離型膜並非可抑制層間剝離、皺褶、翹曲及裂口中的全部。並且可知不具有黏接層B的比較例1及2的離型膜於離型性、層間剝離及裂口方面較差；其中層間剝離明顯較差。而且，可知具有相對於中心層為不對稱的積層結構的比較例3的離型膜不僅產生翹曲，而且離型性亦明顯較低。
本申請案主張基於2008年8月28日申請的日本專利特願2008-219815的優先權。該申請案的說明書及圖式中所記載的內容全部被引用於本申請案的說明書中。
[產業上之可利用性]
本發明的離型膜與半導體樹脂封裝的離型性優異，而且不易產生翹曲或皺褶。藉由使用該離型膜來製造半導體樹脂封裝，可提供一種尺寸精度佳的半導體樹脂封裝。因此，本發明有用於製造半導體樹脂封裝。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧離型膜
12‧‧‧基材層C
13‧‧‧黏接層B
14‧‧‧最外層A
20‧‧‧模具的上模
21‧‧‧模具的下模
22‧‧‧模腔
24a‧‧‧膜捲出裝置
24b‧‧‧膜捲取裝置
30‧‧‧柱塞
40‧‧‧半導體晶片
41‧‧‧基板
42‧‧‧配線
50‧‧‧密封材料
60‧‧‧經密封的半導體晶片
61‧‧‧半導體樹脂封裝
62‧‧‧流道
圖1是表示本發明的離型膜的構成例的示意圖。
圖2a、圖2b、圖2c、圖2d是表示本發明的半導體樹脂封裝的製造方法的第1步驟之例的圖。
圖3是表示本發明的半導體樹脂封裝的製造方法的第2步驟之例的圖。
圖4是表示本發明的半導體樹脂封裝的製造方法的第3步驟之例的圖。
圖5是表示對離型膜進行再配置的步驟之例的圖。
圖6是表示實施例中半導體樹脂封裝的側面皺褶的深度的測定方法的圖。
10‧‧‧離型膜
12‧‧‧基材層C
13‧‧‧黏接層B
14‧‧‧最外層A

Claims (8)

  1. 一種半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，包括：至少一層基材層C；一對最外層A，其夾持上述基材層C，並包含4-甲基-1-戊烯系聚合物作為主成分；以及一對黏接層B，其使上述基材層C與上述最外層A黏接，其中上述一對最外層A與上述一對黏接層B的總厚度小於等於32μm，上述基材層C的厚度為24μm~40μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其中上述基材層C包含聚醯胺樹脂，上述黏接層B包含藉由不飽和羧酸及/或不飽和羧酸的酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物改質而成的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其中上述黏接層B包含藉由順丁烯二酸酐將4-甲基-1-戊烯系聚合物接枝改質而成的改質4-甲基-1-戊烯系聚合物。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其中上述聚醯胺樹脂為聚醯胺66。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其中上述基材層C為一層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其中上述離型膜的積層結構相對於上述 基材層C為對稱。
  7. 一種半導體樹脂封裝的製造方法，其包括：將半導體晶片配置於模具內；於上述半導體晶片與上述模具內表面之間配置如申請專利範圍第1項所述之模具離型膜；藉由將密封材料注入至上述模具內來獲得經密封的半導體晶片；以及將上述經密封的半導體晶片自上述離型膜剝離。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體樹脂封裝製造用模具離型膜，其用於包括如下步驟的半導體樹脂封裝的製造步驟：將半導體晶片配置於上述模具內；於上述半導體晶片與上述模具內表面之間配置上述模具離型膜；藉由將密封材料注入至上述模具內來獲得經密封的半導體晶片；以及將上述經密封的半導體晶片自上述離型膜剝離。
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