JP2002361643A - 半導体モールド用離型シート - Google Patents
半導体モールド用離型シートInfo
- Publication number
- JP2002361643A JP2002361643A JP2001167118A JP2001167118A JP2002361643A JP 2002361643 A JP2002361643 A JP 2002361643A JP 2001167118 A JP2001167118 A JP 2001167118A JP 2001167118 A JP2001167118 A JP 2001167118A JP 2002361643 A JP2002361643 A JP 2002361643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- mold
- release sheet
- resin
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シートを利用して半導体パッケージをモール
ドする際、シートを装着した側の金型の汚染を防止する
半導体モールド用離型シートを提供する。 【解決手段】 二酸化炭素のガス透過率が２０×１０
-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａ以下である半導体モールド
用離型シート。
ドする際、シートを装着した側の金型の汚染を防止する
半導体モールド用離型シートを提供する。 【解決手段】 二酸化炭素のガス透過率が２０×１０
-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａ以下である半導体モールド
用離型シート。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は離型シートに関し、
さらに詳しくは半導体パッケージのモールド時の離型を
容易にするための離型シートでかつ金型汚染性の少ない
離型シートに関する。
さらに詳しくは半導体パッケージのモールド時の離型を
容易にするための離型シートでかつ金型汚染性の少ない
離型シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップは通常、外気からの遮断・
保護のため樹脂で封止されパッケージと呼ばれる成形品
として基板上に実装される。従来、成形品は封止樹脂の
流路であるランナーを介して連結した１チップ毎のパッ
ケージ成形品として成形されている。この場合の離型は
金型構造、封止樹脂への離型剤添加等によりなされてい
る。
保護のため樹脂で封止されパッケージと呼ばれる成形品
として基板上に実装される。従来、成形品は封止樹脂の
流路であるランナーを介して連結した１チップ毎のパッ
ケージ成形品として成形されている。この場合の離型は
金型構造、封止樹脂への離型剤添加等によりなされてい
る。
【０００３】一方、パッケージの小型化、多ピン化の要
請からＢＧＡ方式やＱＦＮ方式のパッケージが増加して
いる。ＢＧＡ方式では端子がパッケージの側面に配され
るリードフレーム方式と異なり、端子であるボールグリ
ッドがパッケージの底面に設置されるため、側面同士を
連結した状態で多数個のパッケージを成形する一括モー
ルド法が適用できる。
請からＢＧＡ方式やＱＦＮ方式のパッケージが増加して
いる。ＢＧＡ方式では端子がパッケージの側面に配され
るリードフレーム方式と異なり、端子であるボールグリ
ッドがパッケージの底面に設置されるため、側面同士を
連結した状態で多数個のパッケージを成形する一括モー
ルド法が適用できる。
【０００４】一括モールド法において、従来の離型方式
を用いることには主に２つの問題点がある。ひとつは突
き出しピン等の金型構造で対応する場合、一括モールド
法の特徴である金型の汎用性を損ない、パッケージの形
状がかわると金型を新たに製作する必要が生じることで
あり、今ひとつは成形品が大きくなるために生じるソリ
を抑えるため使用され低熱収縮性の封止材が離型剤の添
加によっても離型性が十分に得られないことである。
を用いることには主に２つの問題点がある。ひとつは突
き出しピン等の金型構造で対応する場合、一括モールド
法の特徴である金型の汎用性を損ない、パッケージの形
状がかわると金型を新たに製作する必要が生じることで
あり、今ひとつは成形品が大きくなるために生じるソリ
を抑えるため使用され低熱収縮性の封止材が離型剤の添
加によっても離型性が十分に得られないことである。
【０００５】そこで、この対策として、樹脂製シートを
金型内に装着して離型を容易にすることが行なわれてい
る。また、ＱＦＮ方式ではスタンドオフの確保および端
子部への封止材のバリ発生を防止するため、やはり、樹
脂製シートが金型内に装着して用いられる。ところが、
これらの場合において、使用する樹脂製シートによって
はシートを装着した側の金型を封止材中の成分によって
汚染する場合がある。シートを使用する方法でシート装
着側の金型が汚染した場合、クリーニングレジンを利用
した清掃ができないため、金型清掃に大きな労力を必要
とする。
金型内に装着して離型を容易にすることが行なわれてい
る。また、ＱＦＮ方式ではスタンドオフの確保および端
子部への封止材のバリ発生を防止するため、やはり、樹
脂製シートが金型内に装着して用いられる。ところが、
これらの場合において、使用する樹脂製シートによって
はシートを装着した側の金型を封止材中の成分によって
汚染する場合がある。シートを使用する方法でシート装
着側の金型が汚染した場合、クリーニングレジンを利用
した清掃ができないため、金型清掃に大きな労力を必要
とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、シートを利
用して半導体パッケージをモールドする際、シートを装
着した側の金型の汚染を防止する半導体モールド用離型
シートを提供するものである。これにより、金型清掃頻
度を低減することにより半導体パッケージの生産効率を
向上する。
用して半導体パッケージをモールドする際、シートを装
着した側の金型の汚染を防止する半導体モールド用離型
シートを提供するものである。これにより、金型清掃頻
度を低減することにより半導体パッケージの生産効率を
向上する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、次のものに関
する。 （１）二酸化炭素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ
2・ｓｅｃ・Ｐａ以下である半導体モールド用離型シー
ト。 （２）金属層及び樹脂層を含む項（１）に記載の半導体
モールド用離型シート。 （３）金属層が金属蒸着層又は金属箔層である項（２）
に記載の半導体モールド用離型シート。
する。 （１）二酸化炭素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ
2・ｓｅｃ・Ｐａ以下である半導体モールド用離型シー
ト。 （２）金属層及び樹脂層を含む項（１）に記載の半導体
モールド用離型シート。 （３）金属層が金属蒸着層又は金属箔層である項（２）
に記載の半導体モールド用離型シート。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における半導体モールド用
離型シートは、例えば、テープ基板、プリント基板等に
マウントされた半導体（ＩＣチップ）を一括モールド法
にて樹脂封止材を用いてパッケージに成形する際、ＱＦ
Ｎ方式のパッケージを樹脂封止材を用いて成形する際な
どに、上型又は下型の金型に装着して使用される。装着
に際しては、例えば、金型に吸引して吸着するようにさ
れる。
離型シートは、例えば、テープ基板、プリント基板等に
マウントされた半導体（ＩＣチップ）を一括モールド法
にて樹脂封止材を用いてパッケージに成形する際、ＱＦ
Ｎ方式のパッケージを樹脂封止材を用いて成形する際な
どに、上型又は下型の金型に装着して使用される。装着
に際しては、例えば、金型に吸引して吸着するようにさ
れる。
【０００９】本発明における半導体モールド用離型シー
トは、二酸化炭素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ
2・ｓｅｃ・Ｐａ以下のものである。上記の成形におい
て、金型汚染の原因のひとつは封止材中の揮発成分ガス
のシート透過がある。本発明では、封止材中の成分のシ
ート透過による汚染をシートのガスバリア性を二酸化炭
素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐ
ａ以下とすることにより防止するものである。また、本
発明における半導体モールド用離型シートは、二酸化炭
素のガス透過率が１０×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐ
ａ以下のものがより好ましい。
トは、二酸化炭素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ
2・ｓｅｃ・Ｐａ以下のものである。上記の成形におい
て、金型汚染の原因のひとつは封止材中の揮発成分ガス
のシート透過がある。本発明では、封止材中の成分のシ
ート透過による汚染をシートのガスバリア性を二酸化炭
素のガス透過率が２０×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐ
ａ以下とすることにより防止するものである。また、本
発明における半導体モールド用離型シートは、二酸化炭
素のガス透過率が１０×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐ
ａ以下のものがより好ましい。
【００１０】本発明における半導体モールド用離型シー
トは、１層または２層以上の層からなる。この離型シー
トは、ガスバリア性の優れる樹脂層を含むものが好まし
く、このような樹脂層を形成することができる樹脂とし
ては、４−メチル−ペンテン−１、シンジオタクチック
・ポリスチレン、トリアセチルセルロース樹脂、ポリエ
チレンテレフタレート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂等
がある。
トは、１層または２層以上の層からなる。この離型シー
トは、ガスバリア性の優れる樹脂層を含むものが好まし
く、このような樹脂層を形成することができる樹脂とし
ては、４−メチル−ペンテン−１、シンジオタクチック
・ポリスチレン、トリアセチルセルロース樹脂、ポリエ
チレンテレフタレート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂等
がある。
【００１１】また、本発明における半導体モールド用離
型シートは、アルミニウム等の金属層を有するものが好
ましく、金属層は、樹脂層に積層されていることが好ま
しい。金属層としては、金属蒸着膜、金属箔等がある。
金属としては、アルミニウム、銅等がある。このような
金属層及び樹脂層を含む半導体モールド用離型シートと
しては、アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレート
シート、アルミニウム箔接着ポリテトラフルオロエチレ
ンシート等がある。また、金属蒸着膜の代わりにシリカ
の蒸着膜を使用することもできる。これの具体例として
は、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートシート等が
ある。
型シートは、アルミニウム等の金属層を有するものが好
ましく、金属層は、樹脂層に積層されていることが好ま
しい。金属層としては、金属蒸着膜、金属箔等がある。
金属としては、アルミニウム、銅等がある。このような
金属層及び樹脂層を含む半導体モールド用離型シートと
しては、アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレート
シート、アルミニウム箔接着ポリテトラフルオロエチレ
ンシート等がある。また、金属蒸着膜の代わりにシリカ
の蒸着膜を使用することもできる。これの具体例として
は、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートシート等が
ある。
【００１２】本発明における半導体モールド用離型シー
トには、成形品との剥離を容易にする樹脂が積層されて
いることが好ましく、この層は、成形に際し、成形品と
接触する位置に配置される。このような樹脂としては、
種々の樹脂が適用可能であるが、特に耐熱性を有するア
クリル酸ポリマーおよび／またはメタアクリル酸ポリマ
ーを主成分としたアクリル樹脂例えばアクリル酸ブチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸、アクリロニトリ
ル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等の重合物またはこ
れら２種以上の共重合物、さらにこれら重合物、共重合
物と酢酸ビニルとの共重合物）、ポリ（４−メチルペン
テン−１）、シンジオタクチック・ポリスチレン等の耐
熱性樹脂、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等の合成
ゴムが好ましい。これらから、適宜、成形品との離型性
のより良い樹脂が選ばれる。特に、アクリル樹脂では架
橋を行なうことが好ましい。架橋の方法としては、アク
リル樹脂配合物溶液に架橋剤を添加したものをＢ層に配
し、加熱乾燥とともに熱架橋する方法が一般的である。
架橋剤としては、ヘキサメチレンジイソシアネート（Ｈ
ＭＤＩ）、トルイジンジイソシアネート（ＴＤＩ）等の
イソシアネート系架橋剤、メラミン、ベンゾグアナミン
等のメラミン系架橋剤等がある。
トには、成形品との剥離を容易にする樹脂が積層されて
いることが好ましく、この層は、成形に際し、成形品と
接触する位置に配置される。このような樹脂としては、
種々の樹脂が適用可能であるが、特に耐熱性を有するア
クリル酸ポリマーおよび／またはメタアクリル酸ポリマ
ーを主成分としたアクリル樹脂例えばアクリル酸ブチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸、アクリロニトリ
ル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等の重合物またはこ
れら２種以上の共重合物、さらにこれら重合物、共重合
物と酢酸ビニルとの共重合物）、ポリ（４−メチルペン
テン−１）、シンジオタクチック・ポリスチレン等の耐
熱性樹脂、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等の合成
ゴムが好ましい。これらから、適宜、成形品との離型性
のより良い樹脂が選ばれる。特に、アクリル樹脂では架
橋を行なうことが好ましい。架橋の方法としては、アク
リル樹脂配合物溶液に架橋剤を添加したものをＢ層に配
し、加熱乾燥とともに熱架橋する方法が一般的である。
架橋剤としては、ヘキサメチレンジイソシアネート（Ｈ
ＭＤＩ）、トルイジンジイソシアネート（ＴＤＩ）等の
イソシアネート系架橋剤、メラミン、ベンゾグアナミン
等のメラミン系架橋剤等がある。
【００１３】また、本発明における半導体モールド用離
型シートには、金型装着時にシワ等が発生しないこと、
金型の凹凸形状に追従すること、封止材モールド時に破
れないこと等の特性を満足させるため、上記の成形品と
の剥離を容易にする樹脂又はその他の樹脂を積層するこ
とができる。
型シートには、金型装着時にシワ等が発生しないこと、
金型の凹凸形状に追従すること、封止材モールド時に破
れないこと等の特性を満足させるため、上記の成形品と
の剥離を容易にする樹脂又はその他の樹脂を積層するこ
とができる。
【００１４】本発明における半導体モールド用離型シー
トの厚さは特に規定されないが、金型内面に設置される
ため、パッケージ肉厚に影響する場合があり、２０〜１
５０μｍであることが好ましい。
トの厚さは特に規定されないが、金型内面に設置される
ため、パッケージ肉厚に影響する場合があり、２０〜１
５０μｍであることが好ましい。
【００１５】本発明における離型シートは、樹脂からな
る場合、Ｔ型ダイやインフレーション用ダイをもつ押出
機による押出法、共押出法により所定の厚さに加工する
方法、シート状の樹脂を２軸延伸を加えて所定の厚さに
加工する方法、シート状材料を２枚以上ラミネートする
方法、シートの表面に溶剤分散あるいは乳化した樹脂を
コーティングする方法等により製造することができる。
ラミネートにあたっては適切な接着剤を介してもよい。
る場合、Ｔ型ダイやインフレーション用ダイをもつ押出
機による押出法、共押出法により所定の厚さに加工する
方法、シート状の樹脂を２軸延伸を加えて所定の厚さに
加工する方法、シート状材料を２枚以上ラミネートする
方法、シートの表面に溶剤分散あるいは乳化した樹脂を
コーティングする方法等により製造することができる。
ラミネートにあたっては適切な接着剤を介してもよい。
【００１６】また、金属層及び樹脂層を含む離型シート
は、上記の方法等により得られる樹脂シート上に、アル
ミニウム等の金属を蒸着する方法、アルミニウム箔等の
金属箔を積層する方法により製造することができる。樹
脂シートと金属箔を積層する方法としては両者を熱圧着
する方法、接着剤を用いて接着する方法等がある。
は、上記の方法等により得られる樹脂シート上に、アル
ミニウム等の金属を蒸着する方法、アルミニウム箔等の
金属箔を積層する方法により製造することができる。樹
脂シートと金属箔を積層する方法としては両者を熱圧着
する方法、接着剤を用いて接着する方法等がある。
【００１７】パッケージ成形工程では離型シートを適切
に金型に装着し、必要に応じてバキューム等により吸引
して金型内面に密着させる。型締めを行い、封止樹脂を
トランスファーモールド法等により金型内に注入する。
一定時間の保持の後、型を開き成形品を取り出す。使用
するシートはロール状としておき、１回の成形が完了し
た段階でシートを金型の大きさだけ巻取り、金型内に新
しいシートが供給されるようにすることが好ましい。離
型シートを金型に装着する場合、成形品との剥離性のよ
い樹脂を積層しているときは、この面を成形品側になる
ように積層される。
に金型に装着し、必要に応じてバキューム等により吸引
して金型内面に密着させる。型締めを行い、封止樹脂を
トランスファーモールド法等により金型内に注入する。
一定時間の保持の後、型を開き成形品を取り出す。使用
するシートはロール状としておき、１回の成形が完了し
た段階でシートを金型の大きさだけ巻取り、金型内に新
しいシートが供給されるようにすることが好ましい。離
型シートを金型に装着する場合、成形品との剥離性のよ
い樹脂を積層しているときは、この面を成形品側になる
ように積層される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明の範囲はこれら実施例によって何等限定され
るものではない。
が、本発明の範囲はこれら実施例によって何等限定され
るものではない。
【００１９】実施例１ ポリ（４−メチルペンテン−１）樹脂（三井化学（株）
製ＴＰＸ ）をＴダイ法で厚さ５０μｍのシートに製膜
した。このシートの二酸化炭素透過率を日本分光（株）
製Ｇａｓｐｅｒｍ−１００型ガス透過率測定装置を用い
て加圧法（二酸化炭素の圧力０．１ＭＰａ、加圧時間１
分）で測定した。二酸化炭素透過率は８．２×１０-14
ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。ついで、トランスフ
ァーモールド金型の下型にダミーのＴＡＢ基板を設置
し、上記のシートを上型に装着し、真空で固定した後、
型締めし、封止材（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−９２
００）をトランスファーモールドした。このときの金型
温度は１８０℃、成形圧力は７ＭＰａ、成形時間は９０
秒とした。
製ＴＰＸ ）をＴダイ法で厚さ５０μｍのシートに製膜
した。このシートの二酸化炭素透過率を日本分光（株）
製Ｇａｓｐｅｒｍ−１００型ガス透過率測定装置を用い
て加圧法（二酸化炭素の圧力０．１ＭＰａ、加圧時間１
分）で測定した。二酸化炭素透過率は８．２×１０-14
ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。ついで、トランスフ
ァーモールド金型の下型にダミーのＴＡＢ基板を設置
し、上記のシートを上型に装着し、真空で固定した後、
型締めし、封止材（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−９２
００）をトランスファーモールドした。このときの金型
温度は１８０℃、成形圧力は７ＭＰａ、成形時間は９０
秒とした。
【００２０】成形試験として、このモールドを繰り返し
実施し、シート装着側の金型に汚れが肉眼で観察できる
までのモールドショット数（回）を測定した。なお、シ
ートは成形毎に新しいものと取り替えた。例えば、実際
には上記のダミーのＴＡＢ基板の代わりにＩＣチップ搭
載ポリイミド基板を使用して行われる。
実施し、シート装着側の金型に汚れが肉眼で観察できる
までのモールドショット数（回）を測定した。なお、シ
ートは成形毎に新しいものと取り替えた。例えば、実際
には上記のダミーのＴＡＢ基板の代わりにＩＣチップ搭
載ポリイミド基板を使用して行われる。
【００２１】実施例２ 厚さ５０μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートシ
ート（ユニチカ（株）製Ｓ−５０）を使用し、片面にコ
ロナ放電処理を施した。このシートに、アクリルゴム
（帝国化学産業（株）製：ＷＳ−０２４）１００重量部
に対し、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン
工業（株）商品名）を５重量部添加したものを７重量％
のトルエン溶液として乾燥後の厚さが２μｍとなるよう
に塗工乾燥して離型シートを得た。実施例１と同様の方
法で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は２．０×
１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。この離型シ
ートを用いて実施例１と同様に成形試験を行なった。た
だし、ポリエチレンテレフタレート樹脂側を金型に接触
させた。
ート（ユニチカ（株）製Ｓ−５０）を使用し、片面にコ
ロナ放電処理を施した。このシートに、アクリルゴム
（帝国化学産業（株）製：ＷＳ−０２４）１００重量部
に対し、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン
工業（株）商品名）を５重量部添加したものを７重量％
のトルエン溶液として乾燥後の厚さが２μｍとなるよう
に塗工乾燥して離型シートを得た。実施例１と同様の方
法で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は２．０×
１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。この離型シ
ートを用いて実施例１と同様に成形試験を行なった。た
だし、ポリエチレンテレフタレート樹脂側を金型に接触
させた。
【００２２】実施例３ 厚さ５０μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートシ
ート（ユニチカ（株）製Ｓ−５０）にアルミニウムを１
μｍの厚さに蒸着したものに、そのアルミニウムの上に
アクリルゴム（帝国化学産業（株）製：ＷＳ−０２４）
１００重量部に対し、架橋剤としてコロネートＬ（日本
ポリウレタン工業（株）商品名）を５重量部添加したも
のを７重量％のトルエン溶液として乾燥後の厚さが２μ
ｍとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。実施例
１と同様の方法で測定したこのシートの二酸化炭素透過
率は０．３×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａ以下（検
出限界以下）であった。このシートを離型シートとして
実施例１と同様に成形試験を行なった。ただし、ポリエ
チレンテレフタレート側を金型に接触させた。
ート（ユニチカ（株）製Ｓ−５０）にアルミニウムを１
μｍの厚さに蒸着したものに、そのアルミニウムの上に
アクリルゴム（帝国化学産業（株）製：ＷＳ−０２４）
１００重量部に対し、架橋剤としてコロネートＬ（日本
ポリウレタン工業（株）商品名）を５重量部添加したも
のを７重量％のトルエン溶液として乾燥後の厚さが２μ
ｍとなるように塗工乾燥して離型シートを得た。実施例
１と同様の方法で測定したこのシートの二酸化炭素透過
率は０．３×１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａ以下（検
出限界以下）であった。このシートを離型シートとして
実施例１と同様に成形試験を行なった。ただし、ポリエ
チレンテレフタレート側を金型に接触させた。
【００２３】実施例４ 厚さ２５μｍのアルミニウム箔を使用し、これに離型層
として厚さ２５μｍのポリテトラフルオロエチレン樹脂
製シート（東レ（株）製トヨフロン）を接着剤（東レ・
ダウ・コーニング・シリコーン（株）製ＳＥ９１８６
Ｌ）を介してラミネートし離型シートを得た。実施例１
と同様の方法で測定したこのシートの透過率は０．３×
１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ．・Ｐａ以下（検出限界以
下）であった。この離型シートを用いて実施例１と同様
に成形試験を行なった。ただし、金属箔側を金型に接触
させた。
として厚さ２５μｍのポリテトラフルオロエチレン樹脂
製シート（東レ（株）製トヨフロン）を接着剤（東レ・
ダウ・コーニング・シリコーン（株）製ＳＥ９１８６
Ｌ）を介してラミネートし離型シートを得た。実施例１
と同様の方法で測定したこのシートの透過率は０．３×
１０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ．・Ｐａ以下（検出限界以
下）であった。この離型シートを用いて実施例１と同様
に成形試験を行なった。ただし、金属箔側を金型に接触
させた。
【００２４】比較例１ 離型シートとしてポリテトラフルオロエチレン樹脂製シ
ート（日東電工（株）製ニトフロン）を使用して実施例
１と同様に成形試験を行なった。実施例１と同様の方法
で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は２８０×１
０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
ート（日東電工（株）製ニトフロン）を使用して実施例
１と同様に成形試験を行なった。実施例１と同様の方法
で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は２８０×１
０-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
【００２５】比較例２ 離型シートとしてエチレンテトラフルオロエチレン共重
合樹脂製シート（旭硝子（株）製アフレックス）を使用
して実施例１と同様に成形試験を行なった。実施例１と
同様の方法で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は
１２５×１０-1 4ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
合樹脂製シート（旭硝子（株）製アフレックス）を使用
して実施例１と同様に成形試験を行なった。実施例１と
同様の方法で測定したこのシートの二酸化炭素透過率は
１２５×１０-1 4ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
【００２６】比較例３ 離型シートとしてポリテトラフルオロエチレン樹脂製シ
ート（東レ（株）製トヨフロン）を使用して実施例１と
同様に成形試験を行なった。実施例１と同様の方法で測
定したこのシートの二酸化炭素透過率は２５×１０-14
ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
ート（東レ（株）製トヨフロン）を使用して実施例１と
同様に成形試験を行なった。実施例１と同様の方法で測
定したこのシートの二酸化炭素透過率は２５×１０-14
ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａであった。
【００２７】試験結果を表１及び表２に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】本発明における半導体モールド用離型シ
ートを使用して成形する際、封止材中の成分による金型
の汚染を低減することができる。
ートを使用して成形する際、封止材中の成分による金型
の汚染を低減することができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01A AB10 AB33A AK01B AK03 AK17 AK42 AN02 BA02 BA07 CA02 EC18 EH46 EH66A EJ55 GB41 JD02 JD02A JD02B JL14 YY00A YY00B 4F202 AA12 AA24 AA42 AA45 AB03 AD03 AD08 AG01 AG03 AH37 CA01 CB01 CB17 CM73 5F061 AA01 CA21 DA09 EA01
Claims (3)
- 【請求項１】 二酸化炭素のガス透過率が２０×１０
-14ｍ3／ｍ2・ｓｅｃ・Ｐａ以下である半導体モールド
用離型シート。 - 【請求項２】 金属層及び樹脂層を含む請求項１に記載
の半導体モールド用離型シート。 - 【請求項３】 金属層が金属蒸着層又は金属箔層である
請求項１に記載の半導体モールド用離型シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001167118A JP2002361643A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体モールド用離型シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001167118A JP2002361643A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体モールド用離型シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002361643A true JP2002361643A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=19009552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001167118A Pending JP2002361643A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体モールド用離型シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002361643A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007125834A1 (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Asahi Glass Company, Limited | 半導体樹脂モールド用離型フィルム |
| WO2008020543A1 (fr) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Asahi Glass Company, Limited | Film de démoulage pour encapsulation de résine de semi-conducteurs |
| JP5874632B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2016-03-02 | 東洋紡株式会社 | モールド工程用離型ポリエステルフィルム |
| KR20170086466A (ko) | 2014-11-20 | 2017-07-26 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 그 제조 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| KR20180072716A (ko) | 2015-12-03 | 2018-06-29 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 공정용 이형 필름, 그 용도 및 이를 이용한 수지 밀봉 반도체의 제조 방법 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49101503A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-09-25 | ||
| JPH0263825A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂積層板用離型フイルム |
| JPH0459250A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属箔張積層板の製造方法 |
| JPH081859A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Nitto Denzai Kk | 金属箔離型シートおよび金属箔離型シートを使用した積層板の製造方法 |
| JPH0817855A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いられる積層体 |
| JPH10113383A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JPH10114009A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JPH1191039A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JP2000294579A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nitto Denko Corp | 半導体チップの樹脂封止方法及びその方法に使用する離型フィルム |
| JP2000334885A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-05 | Toyo Metallizing Co Ltd | 離型フィルム |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001167118A patent/JP2002361643A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49101503A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-09-25 | ||
| JPH0263825A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂積層板用離型フイルム |
| JPH0459250A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属箔張積層板の製造方法 |
| JPH081859A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Nitto Denzai Kk | 金属箔離型シートおよび金属箔離型シートを使用した積層板の製造方法 |
| JPH0817855A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いられる積層体 |
| JPH10113383A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JPH10114009A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JPH1191039A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Teijin Ltd | 医療用離形フィルム |
| JP2000294579A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nitto Denko Corp | 半導体チップの樹脂封止方法及びその方法に使用する離型フィルム |
| JP2000334885A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-05 | Toyo Metallizing Co Ltd | 離型フィルム |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007125834A1 (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Asahi Glass Company, Limited | 半導体樹脂モールド用離型フィルム |
| EP2012351A1 (en) * | 2006-04-25 | 2009-01-07 | Asahi Glass Company, Limited | Mold release film for semiconductor resin mold |
| EP2012351A4 (en) * | 2006-04-25 | 2010-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | CASTING SOLUTION FOR SEMICONDUCTOR RESIN CASTING |
| US8268218B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-09-18 | Asahi Glass Company, Limited | Release film for semiconductor resin molds |
| JP5234419B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2013-07-10 | 旭硝子株式会社 | 半導体樹脂モールド用離型フィルム |
| WO2008020543A1 (fr) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Asahi Glass Company, Limited | Film de démoulage pour encapsulation de résine de semi-conducteurs |
| JP5110440B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2012-12-26 | 旭硝子株式会社 | 半導体樹脂モールド用の離型フィルム |
| JP5874632B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2016-03-02 | 東洋紡株式会社 | モールド工程用離型ポリエステルフィルム |
| KR20170086466A (ko) | 2014-11-20 | 2017-07-26 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 이형 필름, 그 제조 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| US10699916B2 (en) | 2014-11-20 | 2020-06-30 | AGC Inc. | Mold release film, process for its production, and process for producing semiconductor package |
| KR20180072716A (ko) | 2015-12-03 | 2018-06-29 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 공정용 이형 필름, 그 용도 및 이를 이용한 수지 밀봉 반도체의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102389429B1 (ko) | 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 | |
| US20110111563A1 (en) | Adhesive tape for resin-encapsulating and method of manufacture of resin-encapsulated semiconductor device | |
| CN108349122B (zh) | 工艺用脱模膜、其用途、以及使用其的树脂密封半导体的制造方法 | |
| US6879026B2 (en) | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film | |
| JP6785558B2 (ja) | 外観性能に優れたプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| JP6818406B2 (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| CN109906385A (zh) | 电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置 | |
| JP2004079566A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| JP2005166904A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| JP6731782B2 (ja) | 成形品の外観不良を抑制するプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| TWI774877B (zh) | 積層膜及半導體元件之製造方法 | |
| US20130244377A1 (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape | |
| JP2002361643A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| JP2020019263A (ja) | 圧縮成形法による樹脂封止プロセス用離型フィルム | |
| JP2002158242A (ja) | 半導体モールド用離型シート及び樹脂封止半導体装置の製造法 | |
| CN103725214B (zh) | 层叠体 | |
| JP2017177463A (ja) | 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
| JP4096659B2 (ja) | 半導体パッケージ用離型シート及び樹脂封止半導体装置の製造法 | |
| JP2004200467A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| TW201817842A (zh) | 隱形切割用黏著板片 | |
| EP2639278A1 (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing seminconductor device using the tape | |
| JP2004074713A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| JP2002359259A (ja) | 半導体モールド用離型シート | |
| JP2020019264A (ja) | 樹脂モールド成形品の製造方法、樹脂モールド成形品、及びその用途。 | |
| CN109891253A (zh) | 电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080530 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20101202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |