JP5110440B2

JP5110440B2 - 半導体樹脂モールド用の離型フィルム

Info

Publication number: JP5110440B2
Application number: JP2008529841A
Authority: JP
Inventors: 珠生奥屋; 広志有賀; 義明樋口
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2006-08-18
Filing date: 2007-07-30
Publication date: 2012-12-26
Anticipated expiration: 2027-07-30
Also published as: TW200815175A; TWI428226B; KR20090042898A; KR101395520B1; WO2008020543A1; CN101506961B; JPWO2008020543A1; CN101506961A; MY151817A

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体樹脂モールド用離型フィルムに関し、特に特に金型追従性に優れ、また金型汚染を低減できる半導体樹脂モールド用離型フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子（チップ）は、通常、外部環境（外気、汚染物質、光、磁気、高周波、衝撃等）からの、保護、遮断のため、樹脂（モールド樹脂）で封止し、チップを内部に収容した半導体パッケージの形態で、基板に実装される。代表的には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（モールド樹脂）を加熱溶融させた後、半導体チップをセットした金型内に移送し、充填し、硬化させるトランスファー成形により形成されるものである。モールド樹脂には、硬化剤、硬化促進剤、充填剤等とともに、金型からの成形された半導体パッケージのスムースな離型性を確保するため、離型剤が添加されている。
【０００３】
一方、半導体パッケージの大幅な生産性向上が要求されるに従い、金型にモールド樹脂が付着し、汚れた金型を頻繁にクリーニングする必要があることが問題であった。また、大型の半導体パッケージの成形に対応できる低収縮性モールド樹脂の場合には、離型剤の添加によっても十分な離型性が得られないことが問題であった。このため、金型の樹脂成形部（キャビテイ面）を離型フィルムで被覆した状態でモールド樹脂を金型内に注入することにより、金型のキャビティ面にモールド樹脂を直接接触させることなく半導体パッケージを形成する、樹脂モールド用離型フィルム（以下単に「離型フィルム」ともいう。）を使用する技術が開発され、一定の成果を得ている（例えば、特許文献１〜３等を参照。）。
【０００４】
しかし、最近、半導体素子のパッケージに使用されるモールド樹脂が、環境対応の観点から非ハロゲン化モールド樹脂へと変更されてきている。また、半導体のファインピッチ化、薄型化、積層チップパッケージ化、及びＬＥＤ用途への適用等に対応して、モールド樹脂の低粘度化や液状樹脂化が一層進んでいる。そのため、半導体素子の樹脂モールド工程において、高温環境下の溶融モールド樹脂からの、ガスや低粘度物質の発生量が増大し、上記した樹脂モールド用離型フィルムを透過するために、ガスや低粘度物質が高温の金型と接触して、金型汚染が激しくなってきた。
【０００５】
また、離型フィルムによる金型内面の被覆は、金型内面に当該離型フィルムを真空で吸着支持せしめて行われるが、離型フィルム中のオリゴマー等の揮発性成分が、上記吸着された金型側に移行し、金型汚染を引き起こすこともある。
【０００６】
このように、離型フィルムを使用する場合においても、フィルム装着側の金型が汚染され易くなり、また一旦、金型に汚染が生じた場合は、その洗浄のために、半導体のモールド工程を休止せざるを得ず、半導体の生産効率を低下させるという問題が生じている。
【０００７】
なお、かかる観点から、上記した特許文献１〜２においては、透過する汚染物質を低減するために、離型フィルムの片面（金型面と接触する面）に金属や金属酸化物の蒸着層を形成することが記載されている。しかしながら、当該金属蒸着層等は、直接金型面に物理的に接触して使用されるものであり、フィルム面もしくはフィルムの切断面から金属粉等が剥離しやすく、半導体樹脂モールド工程での使用が制限されていた。
【０００８】
また、特許文献１〜２においては、離型フィルムのガス透過性を、二酸化炭素ガスの透過率で規定しているが、これはモールド樹脂等からの低粘度物質等の透過性を評価する指標として妥当でない。
【０００９】
さらに、離型フィルムには、これまでよりも、モールド樹脂とのより高い離型性が要求されるが、上記の離型フィルムについては、モールドした樹脂表面に離型フィルムの離型層の残渣が発生することついてはなんら考慮がはらわれておらず、離型性が不十分であるという問題もあった。
【００１０】
また、凹凸の大きな形状の金型が用いられる場合、樹脂モールド前に離型フィルムを金型へ真空吸着されるので、当該離型フィルムには、金型の当該凹凸に追従してその対応する周長まで充分延伸しうる金型追従性が要求されることがあった。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−３６１６４３号公報（特許請求の範囲（請求項１〜請求項３）、〔０００２〕〜〔００２８〕）
【特許文献２】
特開２００４−７９５６６号公報（特許請求の範囲（請求項１〜請求項３）、〔０００２〕〜〔００１５〕）
【特許文献３】
特開２００１−２５０８３８号公報（特許請求の範囲（請求項１〜６）、〔０００２〕〜〔００３２〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、上記した背景のもと強く要請されている、従来に比較してガス透過性が十分に低く、モールド樹脂による金型汚染の少ない、半導体樹脂モールド用離型フィルムを提供することである。
【００１３】
また、本発明の目的は、金型汚染物質である樹脂等からの低粘度物質に、より現実的に対応したガス透過率により、当該金型汚染を有効に抑制する離型フィルムに必要なガス透過性を規定することである。
【００１４】
さらに本発明の目的は、モールド樹脂とのより高い離型性を有する半導体樹脂モールド用離型フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、以下の構成の半導体樹脂モールド用離型フィルムを提供する。
〔１〕少なくとも離型層（Ｉ）と、これを支持するプラスチック支持層（ＩＩ）とを有する離型フィルムであって、前記プラスチック支持層（ＩＩ）の１７０℃における２００％伸長時強度が、１ＭＰａ〜５０ＭＰａであり、かつ、前記離型フィルムの１７０℃におけるキシレンガス透過性が５・１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））以下であり、前記離型層（Ｉ）がフッ素樹脂から形成されることを特徴とするガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔２〕前記フッ素樹脂が、エチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体である〔１〕に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔３〕前記プラスチック支持層（ＩＩ）が、エチレン／ビニルアルコール共重合体から形成される〔１〕または〔２〕に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔４〕離型層（Ｉ）の厚みが３〜７５μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが１〜７００μｍである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔５〕前記離型層（Ｉ）の厚みが６〜３０μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが６〜２００μｍである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔６〕前記離型層（Ｉ）の厚みが６〜３０μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが１０〜１００μｍである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔７〕前記フィルムの少なくとも片面が梨地加工されている〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔８〕前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが０．０１〜３．５μｍである〔７〕に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔９〕前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが０．１５〜２．５μｍである〔７〕に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔１０〕前記離型層（Ｉ）と前記プラスチック支持層（ＩＩ）の間に接着層を有し、かつ接着される側の離型層（Ｉ）の表面に表面処理を施してある、〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、従来に比較してガス透過性が十分に低く、モールド樹脂による金型汚染の少ない半導体樹脂モールド用離型フィルムが提供される。また、本発明において、金型汚染物質であるモールド樹脂等からの低粘度物質に、より現実的に対応したガス透過率により、当該金型汚染を有効に抑制する離型フィルムに必要なガス透過性が規定される。さらに、本発明によれば、モールド樹脂との、より高い離型性を有する離型フィルムが提供される。また、本発明の離型フィルムは、金型追随性に優れる。
【００１７】
したがって、本発明の離型フィルムを適用することにより、半導体の樹脂モールド工程において、金型汚れが少なく、金型洗浄回数を十分に低減できるため、半導体素子の樹脂モールド工程の生産効率を相当に向上せしめることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムの基本的な層構成を示す説明図である。
【図２】本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムを構成する場合の説明図である。
【図３】本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムの他の層構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００１９】
１：半導体樹脂モールド用離型フィルム
Ｉ：離型層
ＩＩ：プラスチック支持層
ａ：離型層のプラスチック支持層と接着する面
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルム１は、基本的に図１に示すように、少なくとも離型性に優れた離型層（Ｉ）と、これを支持するプラスチック支持層（ＩＩ）とからなることを特徴とする。
【００２１】
（離型層（Ｉ））
本発明の離型フィルム１における離型層（Ｉ）とは、半導体素子の被封止面に向けて配置され、金型内に注入されたモールド樹脂と接することになる層であり、硬化後のモールド樹脂に対する充分な離型性を付与する層である。
【００２２】
離型層を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂等のモールド樹脂に対する離型性を有するものであれば特に限定するものではないが、離型性に優れたフッ素樹脂から形成されることが特に好ましい。
【００２３】
フッ素樹脂としては、エチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体（以下、「ＥＴＦＥ」という。）、クロロトリフルオロエチレン系樹脂（以下、「ＣＴＦＥ」という。）、ポリテトラフルオロエチレン（以下、「ＰＴＦＥ」という。）、フッ化ビニリデン系樹脂（以下、「ＶｄＦ」という。）、フッ化ビニル系樹脂（以下、「ＶＦ」という。）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン系共重合体（以下、「ＦＥＰ」という。）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）系共重合体（以下、「ＰＦＡ」という。）、テトラフルオロエチレン／フッ化ビニリデン共重合体及びこれらの樹脂の複合物等が挙げられる。好ましくは、ＥＴＦＥ、ＰＴＦＥ、ＦＥＰ及びＰＦＡであり、より好ましくはＥＴＦＥである。ＥＴＦＥにおけるエチレン／テトラフルオロエチレンの共重合モル比は、７０／３０〜３０／７０が好ましく、６０／４０〜３５／６５がより好ましく、５５／４５〜４０／６０が最も好ましい。
【００２４】
ＥＴＦＥは、また、離型性付与という本質的な特性を損なわない範囲で他のモノマーの一種類以上に基づく繰返し単位を含んでもよい。
【００２５】
他のモノマーとしては、プロピレン、ブテン等のα−オレフィン類；ＣＨ₂＝ＣＸ（ＣＦ₂）_nＹ（ここで、Ｘ及びＹは独立に水素又はフッ素原子、ｎは１〜８の整数である。）で表される化合物；フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、ジフルオロエチレン（ＤＦＥ）、トリフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ペンタフルオロプロピレン（ＰＦＰ）、ヘキサフルオロイソブチレン（ＨＦＩＢ）等の不飽和基に水素原子を有するフルオロオレフィン；ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）（ＰＭＶＥ）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（ＰＥＶＥ）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）、パーフルオロ（ブチルビニルエーテル）（ＰＢＶＥ）、その他パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）等の不飽和基に水素原子を有しないフルオロオレフィン（ただし、ＴＦＥを除く。）等が挙げられる。これら他のモノマーは１種又は２種以上を用いることができる。
他のモノマーに基づく繰返し単位の含有量は、全重合単位のモル数に対し、０．０１〜３０モル％が好ましく、０．０５〜１５モル％がより好ましく、０．１〜１０モル％が最も好ましい。
【００２６】
本発明の離型フィルム１においては、図１に示すように、離型層（Ｉ）の厚みとしては、離型性を付与するのに必要十分な厚みでよい。通常、厚みとしては、通常３〜７５μｍ、好ましくは６〜３０μｍである。
【００２７】
また、離型層（Ｉ）を支持層（ＩＩ）に積層して当該離型フィルム１を形成する場合において、図２に示すように、支持層（ＩＩ）と対向し、当該支持層に積層・接着される側の離型層（Ｉ）の表面ａは、その接着性を向上させるために、常法に従い、表面処理を施すことが好ましい。表面処理法としては、それ自身公知の、空気中でのコロナ放電処理、有機化合物の存在下でのコロナ放電処理、有機化合物の存在下でのプラズマ放電処理、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭化水素酸化物ガスからなる混合ガス中での放電処理等が適用され、特に空気中でのコロナ放電処理が好ましい。
【００２８】
（プラスチック支持層（ＩＩ））
本発明の離型フィルムにおけるプラスチック支持層（ＩＩ）は、その機能として一義的には、離型層（Ｉ）と積層され、これを支持して、離型フィルムに必要な剛性や強度等の機械的特性を付与する層であるが、同時に、離型層（Ｉ）だけでは得られない十分なガスバリア性を当該離型フィルムに賦与する層である。
【００２９】
従来、特許文献１〜２等においては、透過する汚染物質を低減するために、離型フィルムの片面に金属や金属酸化物の蒸着層を形成することが行われている。しかしながら、すでに述べたように、当該金属蒸着層によるガスバリア層は、直接金型面に物理的に接触して使用されるため、フィルム面もしくはフィルムの切断面から金属粉等が剥離しやすく、半導体樹脂モールド工程での使用が制限される問題を有するものであった。
【００３０】
これに対し、本発明においては、かかる金属蒸着層なしで、特定の機械的特性を有する特定の樹脂層からなるプラスチック支持層（ＩＩ）を直接離型層に積層して使用することにより、離型フィルムに所望の機械的強度及びガスバリア性を賦与させたものである。これは、プラスチック支持層（ＩＩ）自体に、意外なことに、かなりのガスバリア性があるという、本発明者らの新規な知見によるものである。
【００３１】
本発明の離型フィルム１において、当該プラスチック支持層（ＩＩ）の１７０℃における２００％伸長時強度は、１ＭＰａ〜５０ＭＰａ、好ましくは２ＭＰａ〜３０ＭＰａである。
【００３２】
プラスチック支持層の強度がこれより大きすぎると、当該離型フィルムの伸びが充分でなくなる。そのため、凹凸が大きな形状の金型を使用する場合、金型に離型フィルムを真空吸着により配置するに際し、真空吸着された離型フィルムと金型との間に隙間が生じ、離型フィルムの破断や樹脂漏れの要因となりやすく、好ましくない。
【００３３】
また、プラスチック支持層の強度がこれよりあまり小さいと、当該支持層の厚みにもよるが、金型内に加圧射出されたモールド樹脂の圧力等によって、当該プラスチック支持層の樹脂が加圧流動化して、支持層としての機能を失う。さらに、甚だしい場合は、支持層の樹脂が離型フィルム外へにじみ出て装置を汚染する要因となる。
【００３４】
以上のごとく、プラスチック支持層（ＩＩ）が、上記規定範囲の伸張時強度を保持することにより、当該離型フィルムは、高温においても、適度に柔らかく、凹凸の大きな形状の金型への金型追従性に優れるものとなる。
【００３５】
該プラスチック支持層を形成する樹脂としては、上記のごとき機械的特性を有するものであれば、特に限定するものではなく、たとえば結晶化を抑制したポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂；６−ナイロン、６，６−ナイロン、１２−ナイロン等のポリアミド；ポリプロピレン等のポリオレフィン；アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、塩化ビニリデン、エチレン／ビニルアルコール共重合体等が使用可能なものとして挙げられる。なかでも、結晶化を抑制したポリエチレンテレフタレート及びエチレン／ビニルアルコール共重合体が好ましい。エチレン／ビニルアルコール共重合体における、エチレン／ビニルアルコールの共重合モル比は、８０／２０〜５０／５０が好ましい。
【００３６】
特に、凹凸が大きな形状の金型などのように、離型フィルムに特に金型追従性を要求される場合、当該プラスチック支持層としては、エチレン／ビニルアルコール共重合体から構成されることがより好ましい。
【００３７】
支持層（ＩＩ）を構成するプラスチックフィルムまたはプラスチックシートの厚みは、特に限定するものではないが、通常、１〜７００μｍ、好ましくは６〜２００μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍ程度である。
【００３８】
本発明の離型フィルム１においては、上記したように、少なくとも離型フィルム１に剛性を賦与するプラスチック支持層（ＩＩ）の１７０℃における２００％伸長時強度（以下、単に「伸張時強度」ということがある。）が、基本的に１ＭＰａ〜５０ＭＰａであることを規定する。また、離型層（Ｉ）の伸張時強度に関しては、プラスチック支持層（ＩＩ）との関係で、以下のごとく、互いに異なるように選択することが好ましい。
【００３９】
すなわち、離型フィルム１を、凹凸の大きな形状の金型に適用する場合において、樹脂封止前に当該離型フィルムを金型へ真空吸着させる際に、当該離型フィルムに、金型の当該凹凸に追従してその対応する周長まで充分延伸しうる金型追従性が特に要求される場合には、離型層（Ｉ）と比較し、より柔らかいプラスチック支持層（ＩＩ）を選択することが好ましい。一方また、当該離型フィルムに関し、伸びを抑制し、フィルムのしわを低減することが要求される場合には、当該離型層（Ｉ）と比較し、より硬いプラスチック支持層（ＩＩ）を選択すればよい。
【００４０】
また、本発明においては、プラスチック支持層（ＩＩ）として、例えば上記したプラスチック支持層を形成する樹脂のうち、特に離型層（Ｉ）のそれと比較し、より優れた高温ガスバリア性を有しているものを選択することにより、形成される離型フィルム１は、単層（離型層のみの）離型フィルムと比較して、同じ厚みでも優れた高温ガスバリア性を有するものとなるから、より好ましい。
【００４１】
（キシレンガス透過性）
本発明における離型フィルムは、１７０℃におけるキシレンガス透過性が５×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））以下であるガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルムである。
【００４２】
本来離型フィルムのガス透過性は、モールド樹脂であるエポキシ樹脂等からの低粘度物質等に対する当該フィルムの透過性として評価することが好ましい。従来は、すでに述べた特許文献１〜２に記載のように、二酸化炭素ガスのフィルム透過性によって評価していたが、当該低粘度物質と二酸化炭素ガスでは化学物質として大幅に異なるものであり、相関性は充分とはいえなかった。本発明者らは、これに対し、キシレン蒸気（ガス）をモデル化合物として選択し、１７０℃における当該キシレンガスのフィルム透過性により、エポキシ樹脂等由来の物質のガス透過性と良好に関連づけることが出来ることを見いだした。すなわち、キシレンガスの透過係数は、エポキシ樹脂等の半導体樹脂モールド樹脂から発生する有機物に対するバリア性の良好な指標であり、この値が小さいほど、半導体樹脂モールド工程での金型汚染がより少ないことを示すことを見いだした。
【００４３】
そして、本発明においては、離型フィルムの当該キシレンガス透過性を特定の値、具体的には、１７０℃におけるキシレンガス透過性を５×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））以下のものとすることにより、金型の汚染性が十分満足出来る程度に減少することを見いだしたものである。離型フィルムのキシレンガス透過性を４×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））以下のものとすることがより好ましい。
【００４４】
本発明において、離型フィルムのガス透過性の測定方法は、後記実施例に記載のとおり、上部セルと下部セルの連通口（開口面）を、透過率測定フィルム（試料フィルム）により閉鎖し、１７０℃に保持した上部セルにキシレンガスを導入し、当該試料フィルムを通して、真空に保持した下部セルにキシレンガスを透過せしめ、透過してきた当該キシレンガスの濃度（圧力）の時間変化を測定し、その定常状態における圧力変化から１７０℃環境下におけるキシレンガスの透過係数を算出するものである。
【００４５】
（離型フィルムの層構成）
本発明の離型フィルムの構成は、図１に示すような、フッ素樹脂層等離型層（Ｉ）／プラスチック支持層（ＩＩ）の構成を基本とするが、図３に示すような、フッ素樹脂層等離型層（Ｉ）／プラスチック支持層（ＩＩ）／フッ素樹脂層等離型層（Ｉ）の構成のフィルムであってもよい。この場合は、プラスチック支持層（ＩＩ）の両面に離型層（Ｉ）が形成されているため、離型フィルムの表裏を区別することが不要となり、金型に当該離型フィルムを配置する場合の作業がより容易に行える。
【００４６】
いずれの層構成においても、フッ素樹脂層等離型層（Ｉ）とプラスチック支持層（ＩＩ）との間に接着層があってもよい。接着層を設ける場合は、前記のように、接着される側の離型層（Ｉ）の表面が表面処理を施されてあることが好ましい。接着剤としては、例えばイソシアネート系、ポリウレタン系、ポリエステル系等いずれであってもよい。当該接着層の厚みは０．１〜５μｍの範囲が好ましく、０．２〜２μｍの範囲がより好ましい。
【００４７】
（各層厚み）
本発明のガスバリア性離型フィルムの各層の厚みについてまとめて述べると各層の厚さは、離型層（Ｉ）は、通常３〜７５μｍ、好ましくは６〜３０μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）は通常１〜７００μｍ、好ましくは６〜２００μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。
【００４８】
（梨地形成）
本発明の離型フィルムにおいて、表面層であるフッ素樹脂層等、及びプラスチック支持層には、梨地加工が施されていてもよい。梨地加工が施される場合の表面層の表面の算術表面粗さは、０．０１〜３．５μｍの範囲が好ましく、０．１５〜２．５μｍの範囲がより好ましい。表面の粗さがこの範囲にあると、成形品の外観不良を防止し、歩留まりを向上せしめるとともに、成形品にマーキングされるロット番号の視認性を向上する効果に優れる。表面層が梨地加工されていると、離型フィルムが金型に真空吸着されるときに、離型フィルムと金型間の空気が容易に抜けるので、金型吸着性が向上する。
【００４９】
（モールディング）
本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルム自体は、半導体素子の樹脂モールディング工程において、従来の離型フィルムと同様に使用することができる。すなわち、成形金型内の所定位置に、モールドすべき半導体素子と、本発明の離型フィルムを設置し、型締め後、真空吸引して当該離型フィルムを金型面に吸着せしめ、半導体素子と金型面を被覆している半導体樹脂モールド用離型フィルムとの間にモールド樹脂をトランスファー成型すればよい。硬化後のモールド樹脂と本発明の離型フィルムは容易に離型される。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明の技術的範囲がこれに限定されるものではない。なお、本発明におけるキシレンガスの透過係数は、以下のようにして測定したものである。
【００５１】
〔キシレンガス透過係数（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））の測定〕
ＪＩＳＫ７１２６−１９８７に準じて差圧法にて測定した。ただし、試験温度は１７０℃、試料気体はキシレンガス、高圧側圧力は５ｋＰａ、試料フィルムの透過面直径は５０ｍｍとした。
１７０℃に保持した上部セルにキシレンガスを導入し、透過率測定フィルム（試料フィルム）を介して、真空に保持した下部セルにキシレンガスを透過せしめ、透過してきた当該キシレンガスの濃度（圧力）の時間変化を測定し、その定常状態における圧力変化から１７０℃環境下におけるキシレンガスの透過係数を算出する。
【００５２】
〔実施例１〕
（１）離型層（Ｉ）として厚さ１２μｍのＥＴＦＥフィルム（旭硝子社製、商品名：フルオンＥＴＦＥフィルム）を用いた。なお、当該ＥＴＦＥフィルムの片面（支持層と対向する面（接着面））に、接着性を向上させるため４０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²の放電量でコロナ放電処理を施した。
【００５３】
また、プラスチック支持層（ＩＩ）として、１２μｍのエチレン／ビニルアルコール共重合体（クラレ社製、商品名：エバールＥＦ−Ｆ）のフィルムを準備した。当該プラスチック支持層（ＩＩ）の、１７０℃における２００％伸長時強度は、５ＭＰａであった。
【００５４】
（２）上記プラスチック支持層（ＩＩ）の両面に、ポリエステル系接着剤（旭硝子社製、商品名：ＡＧ−９０１４Ａ）をドライ膜厚０．４μｍ換算で塗工、乾燥させ、図２のようにして対向させた離型層（Ｉ）とそれぞれドライラミネートを行い、図３に示す層構成（（Ｉ）／（ＩＩ）／（Ｉ））の離型フィルム（以下、「離型フィルム１」という。）を得た。
【００５５】
（３）得られた離型フィルム１について、上記した方法により、１７０℃環境下でキシレンのガス透過係数を測定したところ、２×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））であった。また離型フィルム１の１７０℃における２００％伸長時強度を測定した結果をあわせて表１に示した。
【００５６】
（４）上記得られた離型フィルム１のモールド用エポキシ樹脂との離型性を以下のようにして測定した。すなわち、離型性フィルム１とカプトンフィルム（ポリイミドフィルム、デュポン社商標）（対照フィルム）との間に、ロの字の形状に裁断した０．１ｍｍ厚みのＡｌを枠（スペーサー）として設置し、このＡｌ枠内に半導体用モールド用エポキシ樹脂を注入した。１７５℃環境下の平板プレスにて、プレスし、離型フィルム１とカプトンフィルムをこのモールド用エポキシ樹脂で接着した。（なお、離型フィルム１の層構成から、その離型層（Ｉ）がエポキシ樹脂と接するように配置される。）当該半導体用モールド用樹脂が接着している離型フィルム１を、幅２５ｍｍの短冊状に切断し、この端部を剥がしながら、半導体モールド樹脂との１８０°ピール試験を行ったところ、当該剥離強度は、０（Ｎ／ｍ）であった。結果を表１に示す。
【００５７】
（５）１７５℃環境下のトランスファーモールドの下金型に未モールド基板をセットし、離型フィルム１を上金型に真空吸着後、上下金型を閉め、半導体モールド用エポキシ樹脂を７ＭＰａ、９０ｓｅｃ．にてトランスファーモールドを行った。上記条件にて繰り返しモールドショットを行い、金型の汚れを目視してチェックしたところ、２，０００回までの繰り返しについては、金型汚れは全く見られなかった。さらに２，０００回を超えて繰り返したところで、微小な金型汚れが発生した。
【００５８】
（６）凹部を有する金型を１７０℃に保持し、離型フィルム１を、当該金型凹部に真空吸着せしめたところ、当該離型フィルムと金型との間には隙間がほとんど無く、当該離型フィルム１は、金型追随性に非常に優れることがわかった。
【００５９】
〔実施例２〕
（１）プラスチック支持層（ＩＩ）として、２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム社製、商品名：テフレックスＦＴ３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして離型フィルム（以下、「離型フィルム２」という。）を得た。
当該プラスチック支持層（ＩＩ）の、１７０℃における２００％伸長時強度は、２５ＭＰａであった。
【００６０】
（２）離型フィルム２について、実施例１と同様にして１７０℃環境下においてキシレンガス透過係数を測定し、また１７０℃環境下におけて２００％伸長時強度を測定した。さらに、１８０°ピール試験で剥離強度を測定した。
【００６１】
当該離型フィルム２のキシレンガス透過係数は、３×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））であり、１７０℃における２００％伸長時強度は１５ＭＰａであった。
また、１８０°ピールによる剥離強度は、０（Ｎ／ｍ）であった。結果を表１に示した。
【００６２】
（３）さらに実施例１と同様にして、離型フィルム２を使用して繰り返しモールドショットを行ったところ、２０００回までの繰り返しについては、金型汚れは全く見られなかった。さらに２，０００回を超えて繰り返したところで、微小な金型汚れが発生した。
【００６３】
〔比較例１〕
（１）厚さ５０μｍの単体ＥＴＦＥフィルム（旭硝子社製、商品名：フルオンＥＴＦＥ）を、そのまま離型フィルムサンプル（以下、「離型フィルム３」という。）として試験に使用した。当該ＥＴＦＥフィルムの１７０℃における２００％伸長時強度を測定したところ、５ＭＰａであった。
【００６４】
（２）前記離型フィルム１の代わりに、この離型フィルム３を用いた以外は、実施例１と同様にして１７０℃環境下においてキシレンガス透過係数を測定し、また、同様にして１８０°ピール試験を行った。結果を表１に示した。
【００６５】
（３）さらに実施例１と同様にして、離型フィルム３を使用して繰り返しモールドショットを行ったところ、２，０００回未満で金型汚れが顕著となった。
【００６６】
【表１】

【００６７】
表１にまとめた実施例１、２、及び比較例１の結果から明らかなように、本発明の離型フィルム１および２は、その１８０°ピール試験（Ｎ／ｃｍ）で示されているごとく、半導体モールド用エポキシ樹脂との離型性にきわめて優れたものであることはもちろん、そのキシレンガス透過係数が２×１０^-15、または３×１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））と、本発明で規定する値より小さい。このため、当該離型フィルム１および２を用いてのトランスファーモールド試験では、２０００回までの繰り返しについては、金型汚れは全く見られず、さらに２，０００回を超えて繰り返した時点で、微小な金型汚れが発生するものであり、金型汚染が十分に抑制されているものであった。
【００６８】
これに対し、ＥＴＦＥフィルム自体を離型フィルム３として用いた場合は、離型性は優れているものの、そのキシレンガス透過係数が１×１０^-14（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））と、本発明で規定する値より劣るものであり、当該フィルムを通してのエポキシ樹脂成分の金型への透過が懸念される。予想どおり、当該離型フィルム３を用いてのトランスファーモールド試験では、２，０００回未満で金型汚れが顕著となるものであった。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明によれば、従来に比較して、ガス透過性が十分低く、モールド樹脂による金型汚染の少ない離型フィルムが提供され、また、本発明によれば、モールド樹脂との、より高い離型性を有する離型フィルムが提供される。なお、本発明の離型フィルムは、金属蒸着層を形成していないので、フィルム両端から金属粉等が剥離する問題はない。
【００７０】
したがって、本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムを適用することにより、半導体の樹脂モールド工程において、金型汚れが十分に少なく、金型洗浄回数を大きく低減でき、半導体素子の樹脂モールドの生産効率を向上させることが可能となるため、その産業上の利用可能性はきわめて大きい。
【００７１】
本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムは、半導体樹脂モールド用途に特に適するものであるが、その他に、離型性が必要な種々の用途にも好適に適用可能である。

なお、２００６年８月１８日に出願された日本特許出願２００６−２２３５６５号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims

少なくとも離型層（Ｉ）と、これを支持するプラスチック支持層（ＩＩ）とを有する離型フィルムであって、前記プラスチック支持層（ＩＩ）の１７０℃における２００％伸長時強度が、１ＭＰａ〜５０ＭＰａであり、かつ、前記離型フィルムの１７０℃におけるキシレンガス透過性が５・１０^-15（ｋｍｏｌ・ｍ／（ｓ・ｍ²・ｋＰａ））以下であり、前記離型層（Ｉ）がフッ素樹脂から形成されることを特徴とするガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記フッ素樹脂が、エチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体である請求項１に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記プラスチック支持層（ＩＩ）が、エチレン／ビニルアルコール共重合体から形成される請求項１または２に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
離型層（Ｉ）の厚みが３〜７５μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが１〜７００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記離型層（Ｉ）の厚みが６〜３０μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが６〜２００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記離型層（Ｉ）の厚みが６〜３０μｍであり、プラスチック支持層（ＩＩ）の厚みが１０〜１００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記フィルムの少なくとも片面が梨地加工されている請求項１〜６のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが０．０１〜３．５μｍである請求項７に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが０．１５〜２．５μｍである請求項７に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
前記離型層（Ｉ）と前記プラスチック支持層（ＩＩ）の間に接着層を有し、かつ接着される側の離型層（Ｉ）の表面に表面処理を施してある、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。