WO2008020543A1 - Film de démoulage pour encapsulation de résine de semi-conducteurs - Google Patents

Film de démoulage pour encapsulation de résine de semi-conducteurs Download PDF

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Tamao Okuya
Hiroshi Aruga
Yoshiaki Higuchi
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Asahi Glass Company, Limited
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Definitions

  • the present invention relates to a release film for a semiconductor resin mold, and particularly relates to a release film for a semiconductor resin mold that is particularly excellent in mold followability and can reduce mold contamination.
  • a semiconductor element is usually sealed with a resin (mold resin) for protection and shielding from the external environment (outside air, contaminants, light, magnetism, high frequency, impact, etc.). It is mounted on the board in the form of a semiconductor package that houses the inside. Typically, it is formed by transfer molding in which a thermosetting resin (mold resin) such as epoxy resin is heated and melted, and then transferred into a mold in which a semiconductor chip is set, filled and cured. . A mold release agent is added to the mold resin together with a curing agent, a curing accelerator, a filler, etc., in order to ensure smooth releasability of the molded semiconductor package from the mold.
  • a resin such as epoxy resin
  • the inner surface of the mold is covered with the release film.
  • the force is performed by adsorbing and supporting the release film on the inner surface of the mold in vacuum.
  • the volatile components such as oligomers in the release film are adsorbed. May move to the mold side and cause mold contamination.
  • the gas permeability of the release film is defined by the permeability of carbon dioxide gas. This is the permeability of a low-viscosity substance from a mold resin or the like. Re that is reasonable as an index to evaluate.
  • the release film is required to have a higher release property with the mold resin than before.
  • the release layer of the release film is formed on the surface of the molded resin. No consideration was given to the generation of these residues, and there was a problem that the releasability was insufficient.
  • the release film is vacuum-adsorbed to the mold before resin molding, so that the release film follows the unevenness of the mold. In some cases, mold followability that can be sufficiently extended to the corresponding circumference is required.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361643 (Claims (Claims 1 to 3), [0002] to [0028])
  • Patent Document 2 JP 2004-79566 (Claims (Claims 1 to 3), [ 0002]-[0015])
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-250838 (Claims (Claims;!-6), [0002]-[0032])
  • An object of the present invention is strongly demanded based on the above-mentioned background. Release of a mold for a semiconductor resin mold, which is less mold-contaminated by a mold resin with sufficiently low gas permeability compared to the conventional one. Is to provide a film.
  • an object of the present invention is to provide a release film that effectively suppresses mold contamination with a gas permeability that more realistically corresponds to a low-viscosity material such as resin that is a mold contaminant. It is to define the necessary gas permeability.
  • an object of the present invention is to provide a release film for a semiconductor resin mold having higher releasability from a mold resin.
  • the present invention provides a release film for a semiconductor resin mold having the following constitution.
  • a release film for a gas-barrier semiconductor resin mold characterized by the following.
  • the release layer (I) has a thickness of 6 to 30 m, and the plastic support layer (II) has a thickness of 10 to 100 ⁇ m [;! ] To [4]! /, The release film for semiconductor resin molds as described in any of the above.
  • An adhesive layer is provided between the release layer (I) and the plastic support layer (II), and the surface of the release layer (I) to be bonded is subjected to surface treatment. 1] to [8]! /, A release film for a semiconductor resin mold.
  • a release film for a semiconductor resin mold that is less contaminated with a mold resin and has a gas permeability that is sufficiently lower than that in the past. Further, in the present invention, it is necessary for a release film that effectively suppresses mold contamination by a gas permeability that more realistically corresponds to a low-viscosity material such as mold resin that is a mold contaminant. Gas permeability is specified. Furthermore, according to the present invention, a release film having higher releasability with a mold resin is provided. Moreover, the release film of the present invention is excellent in mold followability.
  • the release film of the present invention by applying the release film of the present invention, the number of times of mold cleaning with less mold contamination can be sufficiently reduced in the semiconductor resin mold process. The efficiency can be improved considerably.
  • FIG. 1 is an explanatory view showing a basic layer structure of a release film for a semiconductor resin mold of the present invention. It is.
  • a release film 1 for semiconductor resin mold of the present invention basically comprises a release layer (I) having excellent release properties and a plastic support layer (II) for supporting the release layer. It is characterized by the following.
  • the release layer (I) in the release film 1 of the present invention is a layer that is disposed toward the surface to be sealed of the semiconductor element and comes into contact with the mold resin injected into the mold. This layer provides sufficient release properties to the mold resin.
  • the resin for forming the release layer is not particularly limited as long as it has releasability to a mold resin such as an epoxy resin, but it is formed from a fluororesin having excellent releasability. Especially preferred to be done.
  • fluororesin examples include ethylene / tetrafluoroethylene copolymer (hereinafter referred to as “ETFE”), black trifluoroethylene resin (hereinafter referred to as “CTFE”), polytetrafluoroethylene ( (Hereinafter referred to as “PTFE”), vinylidene fluoride resin (hereinafter referred to as “VdF”), fluorinated resin (hereinafter referred to as “VF”), tetrafluoroethylene / hexafluoro A propylene copolymer (hereinafter referred to as “FEP”), a tetrafluoroethylene / perfluoro (propylbutyl ether) copolymer (hereinafter referred to as “PFA”), a tetrafluoroethylene copolymer.
  • ETFE black trifluoroethylene resin
  • CTFE black trifluoroethylene resin
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • VdF vinyli
  • ETFE may also include releasability and / or repeatability units based on one or more of other monomers in the range! /, Without compromising essential properties! /.
  • a compound represented by Y (wherein X and ⁇ are independently hydrogen or fluorine atoms, ⁇ is an integer of! To 8); vinylidene fluoride, butyl fluoride, difluoroethylene (DFE), Trifluo
  • Fluoroolefins having hydrogen atoms in unsaturated groups such as HFIB); hexafluoropropylene (HFP), chlorofluoroethylene (CTFE), perfluoro (methyl vinyl ether) (PMVE), Hydrogen atoms are added to unsaturated groups such as perfluoro (ethyl vinyl ether) (PEVE), perfluoro (polypropyl ether) (PPVE), perfluoro (butyl vinyl ether) (PBVE), and other perfluoro (alkyl butyl ether) (PAVE). Fluoroolefin (excluding TFE) etc. that do not have. One or more of these other monomers can be used.
  • the content of repeating units based on another monomer the total polymerization mole number of units to, 0.01 to 30 mole 0/0 force S
  • 0.5 05 ⁇ ; preferably Ri 15 mole 0/0 force, 0. ;! ⁇ is the most successful Masui 10 mole 0/0.
  • the thickness of the release layer (I) may be a thickness necessary and sufficient for imparting release properties.
  • the thickness is usually 3 to 75 m, preferably 6 to 30 ⁇ 111.
  • the surface a of the release layer (I) on the side laminated and bonded to the support layer is preferably subjected to a surface treatment according to a conventional method in order to improve the adhesion.
  • a surface treatment method corona discharge treatment in air known per se Corona discharge treatment in the presence of organic compounds, plasma discharge treatment in the presence of organic compounds, discharge treatment in a mixed gas composed of inert gas, polymerizable unsaturated compound gas and hydrocarbon oxide gas, etc. Applied, especially corona discharge treatment in air is preferred
  • the plastic support layer ( ⁇ ) in the release film of the present invention is uniquely laminated with the release layer (I) as its function, and supports this to provide the rigidity and strength required for the release film. Force that is a layer that imparts mechanical properties At the same time, it is a layer that imparts sufficient gas barrier properties to the release film that cannot be obtained by the release layer (I) alone.
  • Patent Documents !! to 2 and the like a metal or metal oxide vapor deposition layer is formed on one side of a release film in order to reduce permeating contaminants! / RU
  • the gas noble layer by the metal vapor deposition layer is used in direct physical contact with the mold surface, so that metal powder or the like may be peeled off from the film surface or the cut surface of the film.
  • the use in the semiconductor resin molding process was limited.
  • a plastic release layer ( ⁇ ⁇ ) made of a specific resin layer having a specific mechanical characteristic is directly removed from the mold without a force or a metal vapor deposition layer.
  • a release film is imparted with desired mechanical strength and gas-noriality.
  • the strength at 200% elongation at 170 ° C of the plastic support layer (II) is 1 MPa to 50 MPa, preferably 2 MPa to 30 MPa.
  • the strength of the plastic support layer is much smaller than this, the force depending on the thickness of the support layer
  • the pressure of the mold resin injected into the mold, etc. The resin of the holding layer is fluidized under pressure and loses its function as a support layer. Furthermore, in severe cases, the resin of the support layer oozes out of the release film and becomes a factor that contaminates the device.
  • the mold release film is a mold having a large unevenness that is moderately soft even at high temperatures. It will be excellent in mold followability to.
  • the resin for forming the plastic support layer is not particularly limited as long as it has the mechanical properties as described above.
  • polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate with suppressed crystallization is used.
  • Polyesterol resins such as: Polyamides such as 6-nylon, 6, 6-nylon, 12-nylon; Polyolefins such as polypropylene; Acrylic resin, polycarbonate, polyetherimide, vinylidene chloride, ethylene / bulualcohol copolymer, etc. Listed as possible. Of these, polyethylene terephthalate and ethylene / butyl alcohol copolymer with suppressed crystallization are preferred.
  • a copolymer monolayer of ethylene / vinylenoreconole in an ethylene / butyl alcohol copolymer (80 / 20-50 / 50 is preferred! /.
  • the plastic support layer is made of an ethylene / bule alcohol copolymer. It is more preferable.
  • the thickness of the plastic film or plastic sheet constituting the support layer (II) is not particularly limited, but is usually 1 to 700 111, preferably 6 to 200 111, more preferably 10 to About 100 m.
  • the strength at 200% elongation (hereinafter, simply referred to as 170 ° C.) of the plastic support layer (II) that imparts rigidity to at least the release film 1 (hereinafter, simply) “Strength when stretched”) is basically defined as lMPa ⁇ 50MPa.
  • the formed release film 1 is a single layer.
  • a force that has excellent high-temperature gas barrier properties even at the same thickness is more preferable.
  • the release film in the present invention is a release film for a gas barrier semiconductor resin mold having a xylene gas permeability at 170 ° C. of 5 ⁇ 10-15 (kmol ⁇ m / (s.m 2 ⁇ kPa)) or less. is there.
  • the gas permeability of the release film is preferably evaluated as the permeability of the film to a low-viscosity substance or the like from an epoxy resin or the like as a mold resin.
  • the present inventors selected xylene vapor (gas) as a model compound, and the film permeability of the xylene gas at 170 ° C improved the gas permeability of a substance derived from an epoxy resin or the like. I found something that could be related. That is, the permeability coefficient of xylene gas is a good indicator of barrier properties against organic substances generated from semiconductor resin mold resin such as epoxy resin, and the smaller this value, the less mold contamination in the semiconductor resin mold process. Found to show.
  • the xylene gas permeability of the release film is set to a specific value, specifically, xylene gas permeability of about 170 ° is set to 5 10-15 & 1110 ' a)) It has been found that the contamination of the mold is reduced to a satisfactory level by using the following. Release film xylene gas permeability of 4 X 10-15 (kmol'm / (s -m 2 -kPa)) The following is more preferable!
  • the method for measuring the gas permeability of the release film is as follows. As described in the examples below, the communication port (opening surface) of the upper cell and the lower cell is connected to the transmittance measuring film. The xylene gas was introduced into the upper cell held at 170 ° C and the xylene gas was permeated through the sample film into the lower cell held in a vacuum, and the permeated xylene gas The change in concentration (pressure) over time is measured, and the permeability coefficient of xylene gas in a 170 ° C environment is calculated from the pressure change in the steady state.
  • the structure of the release film of the present invention is basically the structure of a release layer (1) / plastic support layer (II) such as a fluororesin layer as shown in FIG. It may be a film having a configuration of a release layer (I) such as a resin layer / I / plastic support layer ( ⁇ ) / a release layer (I) such as a fluororesin layer.
  • a release layer (I) such as a resin layer / I / plastic support layer ( ⁇ ) / a release layer (I) such as a fluororesin layer.
  • the release layer (I) is formed on both sides of the plastic support layer (II), it is not necessary to distinguish the front and back of the release film, and the release film is placed in the mold. Can be done more easily.
  • an adhesive layer may be provided between the release layer (I) such as the fluororesin layer and the plastic support layer (II).
  • the adhesive layer it is preferable that the surface of the release layer (I) on the side to be bonded is subjected to a surface treatment as described above.
  • the adhesive may be any one of, for example, isocyanate, polyurethane, and polyester.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably in the range of 0 ⁇ 1 to 5111, more preferably in the range of 0 ⁇ 2 to 2111.
  • the thickness of each layer of the gas barrier release film of the present invention will be summarized.
  • the thickness of each layer is usually 3 to 75 Hm, preferably 6 to 30 ⁇ m in the release layer (I).
  • the holding layer ( ⁇ ) is usually;! To 700 ⁇ m, preferably 6 to 200 ⁇ m, more preferably 10 to 100 ⁇ m.
  • the surface of the fluororesin layer and the plastic support layer may be subjected to a satin finish.
  • the arithmetic surface roughness of the surface layer when the satin finish is applied is preferably in the range of 0 ⁇ 01–3.5 m. An enclosure is more preferred. When the surface roughness is within this range, it is possible to prevent the appearance defect of the molded product, improve the yield, and improve the visibility of the lot number marked on the molded product.
  • the surface layer is textured, when the release film is vacuum-adsorbed to the mold, the air between the release film and the mold is easily released, so that the mold adsorption is improved.
  • the release film for a semiconductor resin mold of the present invention can be used in the same manner as a conventional release film in a resin molding process of a semiconductor element.
  • the semiconductor element to be molded and the release film of the present invention are placed at a predetermined position in the mold, and after clamping the mold, vacuum suction is performed to adsorb the release film to the mold surface.
  • the mold resin may be transfer-molded between the semiconductor element and the semiconductor resin mold release film covering the mold surface. The mold resin after curing and the release film of the present invention are easily released.
  • the present invention will be specifically described with reference to examples, but the technical scope of the present invention is not limited thereto.
  • the permeability coefficient of xylene gas in the present invention is measured as follows.
  • test temperature was 170 ° C
  • sample gas was xylene gas
  • high-pressure side pressure was 5 kPa
  • permeation diameter of the sample film was 50 mm.
  • Xylene gas is introduced into the upper cell maintained at 170 ° C., and the xylene gas is allowed to permeate through the transmittance measurement film (sample film) into the lower cell held in vacuum.
  • concentration of the permeated xylene gas Measure the change in pressure over time, and calculate the permeability coefficient of xylene gas at 170 ° C from the pressure change in the steady state.
  • an ETFE film (trade name: Funoreon E TFE film, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a thickness of 12 m was used. Note that one side of the ETFE film (the side facing the support layer (contact The contact surface)) was subjected to corona discharge treatment at a discharge rate of 40 W'min / m 2 to improve adhesion.
  • plastic support layer (II) a 12 ⁇ m-thick ethylene / butyl alcohol copolymer (manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name: EVAL EF-F) was prepared.
  • the strength of the plastic support layer (II) at 200% elongation at 170 ° C was 5 MPa.
  • a polyester adhesive (trade name: AG-9014A, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was applied to both sides of the plastic support layer (II) and dried in terms of a dry film thickness of 0.4 111. 2. Perform dry lamination with the release layer (I) facing each other as shown in Fig. 2, and release film with the layer structure shown in Fig. 3 ((I) / (II) / (1)) Film 1 ”).
  • the releasability of the release film 1 obtained above from the mold epoxy resin was measured as follows. That is, a 0.1 mm thick A1 frame (spacer) cut between the releasable film 1 and the Kapton film (polyimide film, DuPont trademark) (control film). The epoxy resin for semiconductor molds was injected into this A1 frame. The mold was pressed with a flat plate press at 175 ° C, and the release film 1 and the Kapton film were bonded with this mold epoxy resin. (In addition, from the layer structure of the release film 1, the release layer (I) is arranged so as to be in contact with the epoxy resin.) The release film 1 to which the semiconductor molding resin is bonded is 25 mm wide. When the 180 ° peel test with the semiconductor mold resin was performed while the end portion was peeled off, the peel strength was 0 (N / m). The results are shown in Table 1.
  • release film 2 A release film (as in Example 1), except that a 25 am polyethylene terephthalate film (trade name: Teflex FT3, manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.) was used as the plastic support layer (II). Hereinafter, referred to as “release film 2”).
  • the strength of the plastic support layer (II) at 200% elongation at 170 ° C was 25 MPa.
  • xylene gas permeability coefficient of the release film 2 is a 3 X 10- 15 (kmol'm / ( s 'm 2' kPa)), 200% elongation strength at the 170 ° C is 15MPa met It was.
  • a single ETFE film having a thickness of 50 111 (product name: Fullon ETFE, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was used as it was as a release film sample (hereinafter referred to as “release film 3”).
  • release film 3 The strength at 200% elongation at 170 ° C of the ETFE film was measured and found to be 5 MPa.
  • a release film that is sufficiently low in gas permeability as compared with the prior art and that is less mold-contaminated by a mold resin, and according to the present invention, A release film having higher releasability is provided.
  • the release film of the present invention does not form a metal vapor deposition layer, there is no problem that metal powder or the like peels from both ends of the film. [0070] Therefore, by applying the release film for semiconductor resin mold of the present invention, the number of times the mold can be cleaned in which the mold contamination is sufficiently small can be greatly reduced in the semiconductor resin molding process. Since it is possible to improve the production efficiency of resin molds, its industrial applicability is extremely large.
  • the release film for semiconductor resin mold of the present invention is particularly suitable for semiconductor resin mold applications, but can also be suitably applied to various applications that require releasability.
  • the entire contents of the specification, claims, drawings and abstract of the Japanese Patent Application No. 2006-223565, filed on August 18, 2006, are hereby incorporated herein by reference. As it is incorporated.

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Description

明 細 書
半導体樹脂モールド用の離型フィルム
技術分野
[0001] 本発明は、半導体樹脂モールド用離型フィルムに関し、特に特に金型追従性に優 れ、また金型汚染を低減できる半導体樹脂モールド用離型フィルムに関する。
背景技術
[0002] 半導体素子 (チップ)は、通常、外部環境 (外気、汚染物質、光、磁気、高周波、衝 撃等）からの、保護、遮断のため、樹脂（モールド樹脂）で封止し、チップを内部に収 容した半導体パッケージの形態で、基板に実装される。代表的には、エポキシ樹脂 等の熱硬化性樹脂（モールド樹脂）を加熱溶融させた後、半導体チップをセットした 金型内に移送し、充填し、硬化させるトランスファー成形により形成されるものである。 モールド樹脂には、硬化剤、硬化促進剤、充填剤等とともに、金型からの成形された 半導体パッケージのスムースな離型性を確保するため、離型剤が添加されて!/、る。
[0003] 一方、半導体パッケージの大幅な生産性向上が要求されるに従い、金型にモール ド樹脂が付着し、汚れた金型を頻繁にクリーニングする必要があることが問題であつ た。また、大型の半導体パッケージの成形に対応できる低収縮性モールド樹脂の場 合には、離型剤の添加によっても十分な離型性が得られないことが問題であった。こ のため、金型の樹脂成形部（キヤビティ面）を離型フィルムで被覆した状態でモール ド樹脂を金型内に注入することにより、金型のキヤビティ面にモールド樹脂を直接接 触させることなく半導体パッケージを形成する、樹脂モールド用離型フィルム（以下単 に「離型フィルム」ともいう。）を使用する技術が開発され、一定の成果を得ている（例 えば、特許文献；!〜 3等を参照。）。
[0004] しかし、最近、半導体素子のパッケージに使用されるモールド樹脂力 環境対応の 観点から非ハロゲン化モールド樹脂へと変更されてきている。また、半導体のファイン ピッチ化、薄型化、積層チップパッケージ化、及び LED用途への適用等に対応して 、モールド樹脂の低粘度化や液状樹脂化が一層進んでいる。そのため、半導体素子 の樹脂モールド工程において、高温環境下の溶融モールド樹脂からの、ガスや低粘 度物質の発生量が増大し、上記した樹脂モールド用離型フィルムを透過するために 、ガスや低粘度物質が高温の金型と接触して、金型汚染が激しくなつてきた。
[0005] また、離型フィルムによる金型内面の被覆は、金型内面に当該離型フィルムを真空 で吸着支持せしめて行われる力 離型フィルム中のオリゴマー等の揮発性成分が、 上記吸着された金型側に移行し、金型汚染を引き起こすこともある。
[0006] このように、離型フィルムを使用する場合においても、フィルム装着側の金型が汚染 され易くなり、また一旦、金型に汚染が生じた場合は、その洗浄のために、半導体の モールド工程を休止せざるを得ず、半導体の生産効率を低下させるという問題が生 じている。
[0007] なお、かかる観点から、上記した特許文献;!〜 2においては、透過する汚染物質を 低減するために、離型フィルムの片面（金型面と接触する面）に金属や金属酸化物の 蒸着層を形成することが記載されている。し力、しな力 Sら、当該金属蒸着層等は、直接 金型面に物理的に接触して使用されるものであり、フィルム面もしくはフィルムの切断 面から金属粉等が剥離しやすぐ半導体樹脂モールド工程での使用が制限されてい た。
[0008] また、特許文献;!〜 2においては、離型フィルムのガス透過性を、二酸化炭素ガス の透過率で規定している力 これはモールド樹脂等からの低粘度物質等の透過性を 評価する指標として妥当でなレ、。
[0009] さらに、離型フィルムには、これまでよりも、モールド樹脂とのより高い離型性が要求 される力 上記の離型フィルムについては、モールドした樹脂表面に離型フィルムの 離型層の残渣が発生することついてはなんら考慮がはらわれておらず、離型性が不 十分であるという問題もあった。
[0010] また、凹凸の大きな形状の金型が用いられる場合、樹脂モールド前に離型フィルム を金型へ真空吸着されるので、当該離型フィルムには、金型の当該凹凸に追従して その対応する周長まで充分延伸しうる金型追従性が要求されることがあった。
[0011] 特許文献 1 :特開 2002— 361643号公報（特許請求の範囲（請求項 1〜請求項 3)、 〔0002〕〜〔0028〕）
特許文献 2 :特開 2004— 79566号公報（特許請求の範囲（請求項 1〜請求項 3)、〔 0002〕〜〔0015〕）
特許文献 3：特開 2001— 250838号公報（特許請求の範囲（請求項;!〜 6)、〔0002 ]— [0032] )
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] 本発明の目的は、上記した背景のもと強く要請されている、従来に比較してガス透 過性が十分に低ぐモールド樹脂による金型汚染の少ない、半導体樹脂モールド用 離型フィルムを提供することである。
[0013] また、本発明の目的は、金型汚染物質である樹脂等からの低粘度物質に、より現実 的に対応したガス透過率により、当該金型汚染を有効に抑制する離型フィルムに必 要なガス透過性を規定することである。
[0014] さらに本発明の目的は、モールド樹脂とのより高い離型性を有する半導体樹脂モー ルド用離型フィルムを提供することである。
課題を解決するための手段
[0015] 本発明は、以下の構成の半導体樹脂モールド用離型フィルムを提供する。
〔1〕少なくとも離型性に優れた離型層（I)と、これを支持するプラスチック支持層（II) とを有する離型フィルムであって、上記プラスチック支持層（II)の 170°Cにおける 20
0%伸長時強度が、 lMPa〜50MPaであり、かつ、当該離型フィルムの 170°Cにお けるキシレンガス透過性が 5 X 10— 15 (kmol . m/ (s · m2 · kPa) )以下であることを特徴 とするガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔2〕前記離型層（I)が、フッ素樹脂から形成される〔1〕に記載の半導体樹脂モールド 用離型フィルム。
〔3〕前記フッ素樹脂が、エチレン/テトラフルォロエチレン系共重合体である〔2〕に 記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔4〕前記プラスチック支持層（II)力 エチレン/ビュルアルコール共重合体から形成 される〔1〕〜〔3〕の!/、ずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔5〕離型層（I)の厚みが 3〜75 ,1 mであり、プラスチック支持層（II)の厚みが 1〜700 a mである〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。 〔6〕前記離型層（I)の厚みが 6〜30 H mであり、プラスチック支持層（II)の厚みが 6〜 200 a mである〔1〕〜〔4〕の!/、ずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム
〇
〔7〕前記離型層（I)の厚みが 6〜30 mであり、プラスチック支持層（II)の厚みが 10 〜100 μ mである〔；！〕〜〔4〕の!/、ずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィル ム。
〔8〕前記フィルムの少なくとも片面が梨地加工されて!/、る〔1〕〜〔7〕の!/、ずれかに記 載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔9〕前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが 0· 01-3. 5 mである〔8〕に 記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔10〕前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが 0. 15-2. 5 mである〔8〕 に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
〔11〕前記離型層 (I)と前記プラスチック支持層 (II)の間に接着層を有し、かつ接着さ れる側の離型層（I)の表面に表面処理を施してある、〔1〕〜〔8〕の!/、ずれかに記載の 半導体樹脂モールド用離型フィルム。
発明の効果
[0016] 本発明によれば、従来に比較してガス透過性が十分に低ぐモールド樹脂による金 型汚染の少ない半導体樹脂モールド用離型フィルムが提供される。また、本発明に おいて、金型汚染物質であるモールド樹脂等からの低粘度物質に、より現実的に対 応したガス透過率により、当該金型汚染を有効に抑制する離型フィルムに必要なガ ス透過性が規定される。さらに、本発明によれば、モールド樹脂との、より高い離型性 を有する離型フィルムが提供される。また、本発明の離型フィルムは、金型追随性に 優れる。
[0017] したがって、本発明の離型フィルムを適用することにより、半導体の樹脂モールドエ 程において、金型汚れが少なぐ金型洗浄回数を十分に低減できるため、半導体素 子の樹脂モールド工程の生産効率を相当に向上せしめることが可能となる。
図面の簡単な説明
[0018] [図 1]本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムの基本的な層構成を示す説明図 である。
園 2]本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムを構成する場合の説明図である 園 3]本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムの他の層構成を示す説明図であ
符号の説明
[0019] 1： 半導体樹脂モールド用離型フィルム
I： 離型層
II： プラスチック支持層
a ： 離型層のプラスチック支持層と接着する面
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルム 1は、基本的に図 1に示すように、少 なくとも離型性に優れた離型層（I)と、これを支持するプラスチック支持層（II)とから なることを特徴とする。
[0021] (離型層 (1) )
本発明の離型フィルム 1における離型層（I)とは、半導体素子の被封止面に向けて 配置され、金型内に注入されたモールド樹脂と接することになる層であり、硬化後の モールド樹脂に対する充分な離型性を付与する層である。
[0022] 離型層を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂等のモールド樹脂に対する離型性 を有するものであれば特に限定するものではなレ、が、離型性に優れたフッ素樹脂か ら形成されることが特に好ましレ、。
[0023] フッ素樹脂としては、エチレン/テトラフルォロエチレン系共重合体（以下、「ETFE 」という。）、クロ口トリフルォロエチレン系樹脂（以下、「CTFE」という。）、ポリテトラフ ノレォロエチレン（以下、「PTFE」という。）、フッ化ビニリデン系樹脂（以下、「VdF」と いう。）、フッ化ビュル系樹脂（以下、「VF」という。）、テトラフルォロエチレン/へキサ フルォロプロピレン系共重合体（以下、「FEP」という。）、テトラフルォロエチレン/パ 一フルォロ（プロピルビュルエーテル）系共重合体（以下、「PFA」という。）、テトラフ ノレォロエチレン/フッ化ビニリデン共重合体及びこれらの樹脂の複合物等が挙げら れる。好ましくは、 ETFE、 PTFE、 FEP及び PFAであり、より好ましくは ETFEである 。 ETFEにおけるエチレン/テトラフルォロエチレンの共重合モル比は、 70/30〜3 0/70力 子ましく、 60/40〜35/65カ り女子ましく、 55/45〜40/60力 も女子ま しい。
[0024] ETFEは、また、離型性付与と!/、う本質的な特性を損なわな!/、範囲で他のモノマー の一種類以上に基づく繰返し単位を含んでもょレ、。
[0025] 他のモノマーとしては、プロピレン、ブテン等の α—ォレフイン類； CH =CX(CF )
2 2 n
Y (ここで、 X及び Υは独立に水素又はフッ素原子、 ηは;!〜 8の整数である。）で表さ れる化合物；フッ化ビニリデン、フッ化ビュル、ジフルォロエチレン（DFE)、トリフルォ
HFIB)等の不飽和基に水素原子を有するフルォロォレフイン；へキサフルォロプロピ レン（HFP)、クロ口トリフルォロエチレン（CTFE)、パーフルォロ（メチルビニルエー テル）（PMVE)、パーフルォロ（ェチルビニルエーテル）（PEVE)、パーフルォロ（プ 口ピルビュルエーテル）（PPVE)、パーフルォロ（ブチルビニルエーテル）（PBVE)、 その他パーフルォロ（アルキルビュルエーテル） (PAVE)等の不飽和基に水素原子 を有しないフルォロォレフイン (ただし、 TFEを除く。）等が挙げられる。これら他のモ ノマ一は 1種又は 2種以上を用いることができる。
他のモノマーに基づく繰返し単位の含有量は、全重合単位のモル数に対し、 0. 01 〜30モル0 /0力 S好ましく、 0. 05〜； 15モル0 /0力 り好ましく、 0. ；!〜 10モル0 /0が最も好 ましい。
[0026] 本発明の離型フィルム 1においては、図 1に示すように、離型層（I)の厚みとしては、 離型性を付与するのに必要十分な厚みでよい。通常、厚みとしては、通常 3〜75 m、好ましくは 6〜30 ^ 111である。
[0027] また、離型層（I)を支持層（II)に積層して当該離型フィルム 1を形成する場合にお いて、図 2に示すように、支持層（II)と対向し、当該支持層に積層 ·接着される側の離 型層（I)の表面 aは、その接着性を向上させるために、常法に従い、表面処理を施す ことが好ましい。表面処理法としては、それ自身公知の、空気中でのコロナ放電処理 、有機化合物の存在下でのコロナ放電処理、有機化合物の存在下でのプラズマ放 電処理、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭化水素酸化物ガスからなる 混合ガス中での放電処理等が適用され、特に空気中でのコロナ放電処理が好ましい
〇
[0028] (プラスチック支持層 (II) )
本発明の離型フィルムにおけるプラスチック支持層（Π)は、その機能として一義的 には、離型層（I)と積層され、これを支持して、離型フィルムに必要な剛性や強度等 の機械的特性を付与する層である力 同時に、離型層（I)だけでは得られない十分 なガスバリア性を当該離型フィルムに賦与する層である。
[0029] 従来、特許文献;!〜 2等においては、透過する汚染物質を低減するために、離型フ イルムの片面に金属や金属酸化物の蒸着層を形成することが行われて!/、る。しかし ながら、すでに述べたように、当該金属蒸着層によるガスノ リア層は、直接金型面に 物理的に接触して使用されるため、フィルム面もしくはフィルムの切断面から金属粉 等が剥離しやすぐ半導体樹脂モールド工程での使用が制限される問題を有するも のであった。
[0030] これに対し、本発明にお!/、ては、力、かる金属蒸着層なしで、特定の機械的特性を 有する特定の樹脂層からなるプラスチック支持層（Π)を直接離型層に積層して使用 することにより、離型フィルムに所望の機械的強度及びガスノ リア性を賦与させたも のである。これは、プラスチック支持層（II)自体に、意外なことに、かなりのガスバリア 性があるという、本発明者らの新規な知見によるものである。
[0031] 本発明の離型フィルム 1において、当該プラスチック支持層（II)の 170°Cにおける 2 00%伸長時強度は、 lMPa〜50MPa、好ましくは 2MPa〜30MPaである。
[0032] プラスチック支持層の強度がこれより大きすぎると、当該離型フィルムの伸びが充分 でなくなる。そのため、凹凸が大きな形状の金型を使用する場合、金型に離型フィル ムを真空吸着により配置するに際し、真空吸着された離型フィルムと金型との間に隙 間が生じ、離型フィルムの破断や樹脂漏れの要因となりやすぐ好ましくない。
[0033] また、プラスチック支持層の強度がこれよりあまり小さいと、当該支持層の厚みにもよ る力 金型内に加圧射出されたモールド樹脂の圧力等によって、当該プラスチック支 持層の樹脂が加圧流動化して、支持層としての機能を失う。さらに、甚だしい場合は 、支持層の樹脂が離型フィルム外へにじみ出て装置を汚染する要因となる。
[0034] 以上のごとぐプラスチック支持層（Π)が、上記規定範囲の伸張時強度を保持する ことにより、当該離型フィルムは、高温においても、適度に柔らかぐ凹凸の大きな形 状の金型への金型追従性に優れるものとなる。
[0035] 該プラスチック支持層を形成する樹脂としては、上記のごとき機械的特性を有する ものであれば、特に限定するものではなぐたとえば結晶化を抑制したポリエチレンテ レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステノレ 樹脂； 6—ナイロン、 6, 6—ナイロン、 12—ナイロン等のポリアミド；ポリプロピレン等の ポリオレフイン；アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、塩化ビニリデン、 エチレン/ビュルアルコール共重合体等が使用可能なものとして挙げられる。なかで も、結晶化を抑制したポリエチレンテレフタレート及びエチレン/ビュルアルコール共 重合体が好ましい。エチレン/ビュルアルコール共重合体における、エチレン/ビニ ノレアノレコーノレの共重合モノレ匕 (ま、 80/20〜50/50カ好まし!/、。
[0036] 特に、凹凸が大きな形状の金型などのように、離型フィルムに特に金型追従性を要 求される場合、当該プラスチック支持層としては、エチレン/ビュルアルコール共重 合体から構成されることがより好ましレヽ。
[0037] 支持層（II)を構成するプラスチックフィルムまたはプラスチックシートの厚みは、特 に限定するものではないが、通常、 1〜700 111、好ましくは6〜200 111、さらに好 ましくは 10〜； 100 m程度である。
[0038] 本発明の離型フィルム 1においては、上記したように、少なくとも離型フィルム 1に剛 性を賦与するプラスチック支持層（II)の 170°Cにおける 200%伸長時強度（以下、単 に「伸張時強度」ということがある。）が、基本的に lMPa〜50MPaであることを規定 する。また、離型層（I)の伸張時強度に関しては、プラスチック支持層（II)との関係で 、以下のごとぐ互いに異なるように選択することが好ましい。
[0039] すなわち、離型フィルム 1を、凹凸の大きな形状の金型に適用する場合において、 樹脂封止前に当該離型フィルムを金型へ真空吸着させる際に、当該離型フィルムに 、金型の当該凹凸に追従してその対応する周長まで充分延伸しうる金型追従性が特 に要求される場合には、離型層（I)と比較し、より柔らかいプラスチック支持層（II)を 選択することが好ましい。一方また、当該離型フィルムに関し、伸びを抑制し、フィノレ ムのしわを低減することが要求される場合には、当該離型層（I)と比較し、より硬いプ ラスチック支持層（II)を選択すればよ!/、。
[0040] また、本発明にお!/、ては、プラスチック支持層（II)として、例えば上記したプラスチ ック支持層を形成する樹脂のうち、特に離型層（I)のそれと比較し、より優れた高温ガ スバリア性を有しているものを選択することにより、形成される離型フィルム 1は、単層
(離型層のみの）離型フィルムと比較して、同じ厚みでも優れた高温ガスバリア性を有 するものとなる力、ら、より好ましい。
[0041] (キシレンガス透過性）
本発明における離型フィルムは、 170°Cにおけるキシレンガス透過性が 5 X 10— 15 (k mol · m/ (s . m2 · kPa) )以下であるガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム である。
[0042] 本来離型フィルムのガス透過性は、モールド樹脂であるエポキシ樹脂等からの低粘 度物質等に対する当該フィルムの透過性として評価することが好ましい。従来は、す でに述べた特許文献;!〜 2に記載のように、二酸化炭素ガスのフィルム透過性によつ て評価していたが、当該低粘度物質と二酸化炭素ガスでは化学物質として大幅に異 なるものであり、相関性は充分とはいえなかった。本発明者らは、これに対し、キシレ ン蒸気（ガス）をモデル化合物として選択し、 170°Cにおける当該キシレンガスのフィ ルム透過性により、エポキシ樹脂等由来の物質のガス透過性と良好に関連づけるこ とが出来ることを見いだした。すなわち、キシレンガスの透過係数は、エポキシ樹脂等 の半導体樹脂モールド樹脂から発生する有機物に対するバリア性の良好な指標で あり、この値が小さいほど、半導体樹脂モールド工程での金型汚染がより少ないこと を示すことを見いだした。
[0043] そして、本発明においては、離型フィルムの当該キシレンガス透過性を特定の値、 具体的には、 170°じにぉけるキシレンガス透過性を5 10—15 &1110ぃ111/ (3 '
Figure imgf000010_0001
a) )以下のものとすることにより、金型の汚染性が十分満足出来る程度に減少するこ とを見いだしたものである。離型フィルムのキシレンガス透過性を 4 X 10— 15 (kmol'm / (s -m2-kPa) )以下のものとすることがより好まし!、。
[0044] 本発明にお!/、て、離型フィルムのガス透過性の測定方法は、後記実施例に記載の とおり、上部セルと下部セルの連通口（開口面）を、透過率測定フィルム（試料フィノレ ム）により閉鎖し、 170°Cに保持した上部セルにキシレンガスを導入し、当該試料フィ ルムを通して、真空に保持した下部セルにキシレンガスを透過せしめ、透過してきた 当該キシレンガスの濃度 (圧力）の時間変化を測定し、その定常状態における圧力変 化から 170°C環境下におけるキシレンガスの透過係数を算出するものである。
[0045] (離型フィルムの層構成）
本発明の離型フィルムの構成は、図 1に示すような、フッ素樹脂層等離型層（1) / プラスチック支持層（II)の構成を基本とするが、図 3に示すような、フッ素樹脂層等離 型層（I) /プラスチック支持層（Π) /フッ素樹脂層等離型層（I)の構成のフィルムで あってもよい。この場合は、プラスチック支持層（II)の両面に離型層（I)が形成されて いるため、離型フィルムの表裏を区別することが不要となり、金型に当該離型フィルム を配置する場合の作業がより容易に行える。
[0046] いずれの層構成においても、フッ素樹脂層等離型層（I)とプラスチック支持層（II)と の間に接着層があってもよい。接着層を設ける場合は、前記のように、接着される側 の離型層（I)の表面が表面処理を施されてあることが好ましい。接着剤としては、例え ばイソシァネート系、ポリウレタン系、ポリエステル系等いずれであってもよい。当該接 着層の厚みは 0· 1〜5 111の範囲が好ましぐ 0· 2〜2 111の範囲がより好ましい。
[0047] (各層厚み）
本発明のガスバリア性離型フィルムの各層の厚みについてまとめて述べると各層の 厚さは、離型層（I)は、通常 3〜75 H m、好ましくは 6〜30 μ mであり、プラスチック支 持層（Π)は通常;!〜 700 μ m、好ましくは 6〜200 μ m、さらに好ましくは 10〜； 100 μ mである。
[0048] (梨地形成）
本発明の離型フィルムにおいて、表面層であるフッ素樹脂層等、及びプラスチック 支持層には、梨地加工が施されていてもよい。梨地加工が施される場合の表面層の 表面の算術表面粗さは、 0· 01— 3. 5 mの範囲が好ましぐ 0. 15—2. 5 111の範 囲がより好ましい。表面の粗さがこの範囲にあると、成形品の外観不良を防止し、歩 留まりを向上せしめるとともに、成形品にマーキングされるロット番号の視認性を向上 する効果に優れる。表面層が梨地加工されていると、離型フィルムが金型に真空吸 着されるときに、離型フィルムと金型間の空気が容易に抜けるので、金型吸着性が向 上する。
[0049] (モールディング）
本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルム自体は、半導体素子の樹脂モール デイング工程において、従来の離型フィルムと同様に使用することができる。すなわ ち、成形金型内の所定位置に、モールドすべき半導体素子と、本発明の離型フィル ムを設置し、型締め後、真空吸引して当該離型フィルムを金型面に吸着せしめ、半 導体素子と金型面を被覆している半導体樹脂モールド用離型フィルムとの間にモー ルド樹脂をトランスファー成型すればよい。硬化後のモールド樹脂と本発明の離型フ イルムは容易に離型される。
実施例
[0050] 以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明の技術的範囲がこれ に限定されるものではない。なお、本発明におけるキシレンガスの透過係数は、以下 のようにして測定したものである。
[0051] 〔キシレンガス透過係数（10110 111/ (3 ' 1112 ' 1^½) )の測定〕
JIS K 7126— 1987に準じて差圧法にて測定した。ただし、試験温度は 170°C、 試料気体はキシレンガス、高圧側圧力は 5kPa、試料フィルムの透過面直径は 50m mとした。
170°Cに保持した上部セルにキシレンガスを導入し、透過率測定フィルム（試料フィ ルム）を介して、真空に保持した下部セルにキシレンガスを透過せしめ、透過してきた 当該キシレンガスの濃度 (圧力）の時間変化を測定し、その定常状態における圧力変 化から 170°C環境下におけるキシレンガスの透過係数を算出する。
[0052] 〔実施例 1〕
(1)離型層（I)として厚さ 12 mの ETFEフィルム（旭硝子社製、商品名：フノレオン E TFEフィルム）を用いた。なお、当該 ETFEフィルムの片面（支持層と対向する面（接 着面））に、接着性を向上させるため 40W'min/m2の放電量でコロナ放電処理を施 した。
[0053] また、プラスチック支持層（II)として、 12 μ mのエチレン/ビュルアルコール共重合 体（クラレ社製、商品名：エバール EF— F)のフィルムを準備した。当該プラスチック 支持層（II)の、 170°Cにおける 200%伸長時強度は、 5MPaであった。
[0054] (2)上記プラスチック支持層（II)の両面に、ポリエステル系接着剤（旭硝子社製、商 品名： AG— 9014A)をドライ膜厚 0. 4 111換算で塗工、乾燥させ、図 2のようにして 対向させた離型層（I)とそれぞれドライラミネートを行い、図 3に示す層構成（ (I) / (II ) / (1) )の離型フィルム（以下、「離型フィルム 1」という。）を得た。
[0055] (3)得られた離型フィルム 1について、上記した方法により、 170°C環境下でキシレン のガス透過係数を測定したところ、 2 X 10— 15 (kmol 'm/ (s 'm2'kPa) )であった。ま た離型フィルム 1の 170°Cにおける 200%伸長時強度を測定した結果をあわせて表 1に示した。
[0056] (4)上記得られた離型フィルム 1のモールド用エポキシ樹脂との離型性を以下のよう にして測定した。すなわち、離型性フィルム 1とカプトンフィルム（ポリイミドフィルム、デ ュポン社商標）（対照フィルム）との間に、口の字の形状に裁断した 0. 1mm厚みの A1 を枠 (スぺーサ一）として設置し、この A1枠内に半導体用モールド用エポキシ樹脂を 注入した。 175°C環境下の平板プレスにて、プレスし、離型フィルム 1とカプトンフィル ムをこのモールド用エポキシ樹脂で接着した。 （なお、離型フィルム 1の層構成から、 その離型層（I)がエポキシ樹脂と接するように配置される。 )当該半導体用モールド 用樹脂が接着している離型フィルム 1を、幅 25mmの短冊状に切断し、この端部を剥 力ましながら、半導体モールド樹脂との 180° ピール試験を行ったところ、当該剥離強 度は、 0 (N/m)であった。結果を表 1に示す。
[0057] (5) 175°C環境下のトランスファーモールドの下金型に未モールド基板をセットし、離 型フィルム 1を上金型に真空吸着後、上下金型を閉め、半導体モールド用エポキシ 樹脂を 7MPa、 90sec. にてトランスファーモールドを行った。上記条件にて繰り返し モールドショットを行い、金型の汚れを目視してチェックしたところ、 2, 000回までの 繰り返しについては、金型汚れは全く見られなかった。さらに 2, 000回を超えて繰り 返したところで、微小な金型汚れが発生した。
[0058] (6)凹部を有する金型を 170°Cに保持し、離型フィルム 1を、当該金型凹部に真空吸 着せしめたところ、当該離型フィルムと金型との間には隙間がほとんど無ぐ当該離型 フィルム 1は、金型追随性に非常に優れることがわかった。
[0059] 〔実施例 2〕
(1)プラスチック支持層（II)として、 25 a mのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝 人デュポンフィルム社製、商品名：テフレックス FT3)を用いたこと以外は、実施例 1と 同様にして離型フィルム（以下、「離型フィルム 2」という。）を得た。
当該プラスチック支持層（II)の、 170°Cにおける 200%伸長時強度は、 25MPaで あった。
[0060] (2)離型フィルム 2について、実施例 1と同様にして 170°C環境下においてキシレン ガス透過係数を測定し、また 170°C環境下におけて 200%伸長時強度を測定した。 さらに、 180° ピール試験で剥離強度を測定した。
[0061] 当該離型フィルム 2のキシレンガス透過係数は、 3 X 10— 15 (kmol'm/ (s 'm2'kPa) )であり、 170°Cにおける 200%伸長時強度は 15MPaであった。
また、 180° ピールによる剥離強度は、 0 (N/m)であった。結果を表 1に示した。
[0062] (3)さらに実施例 1と同様にして、離型フィルム 2を使用して繰り返しモールドショットを 行ったところ、 2000回までの繰り返しについては、金型汚れは全く見られなかった。 さらに 2, 000回を超えて繰り返したところで、微小な金型汚れが発生した。
[0063] 〔比較例 1〕
(1)厚さ 50 111の単体 ETFEフィルム（旭硝子社製、商品名：フルオン ETFE)を、そ のまま離型フィルムサンプル (以下、「離型フィルム 3」という。）として試験に使用した。 当該 ETFEフィルムの 170°Cにおける 200%伸長時強度を測定したところ、 5MPaで あった。
[0064] (2)前記離型フィルム 1の代わりに、この離型フィルム 3を用いた以外は、実施例 1と 同様にして 170°C環境下においてキシレンガス透過係数を測定し、また、同様にして 180° ピール試験を行った。結果を表 1に示した。
[0065] (3)さらに実施例 1と同様にして、離型フィルム 3を使用して繰り返しモールドショットを 行ったところ、 2, 000回未満で金型汚れが顕著となった。
[0066] [表 1]
Figure imgf000015_0001
[0067] 表 1にまとめた実施例 1、 2、及び比較例 1の結果から明らかなように、本発明の離 型フィルム 1および 2は、その 180° ピール試験（N/cm)で示されているごとぐ半 導体モールド用エポキシ樹脂との離型性にきわめて優れたものであることはもちろん 、そのキシレンガス透過係数が2 10—15、または3 10—15 (10110レ111/ (3 ' 1112 '1^½) ) (kmol 'm/ (s 'm2'kPa) )と、本発明で規定する値より小さい。このため、当該離型 フィルム 1および 2を用いてのトランスファーモールド試験では、 2000回までの繰り返 しについては、金型汚れは全く見られず、さらに 2, 000回を超えて繰り返した時点で 、微小な金型汚れが発生するものであり、金型汚染が十分に抑制されているものであ つた。
[0068] これに対し、 ETFEフィルム自体を離型フィルム 3として用いた場合は、離型性は優 れて!/、るものの、そのキシレンガス透過係数が 1 X 10— 14 (kmol · m/ (s · m2 · kPa) )と 、本発明で規定する値より劣るものであり、当該フィルムを通してのエポキシ樹脂成分 の金型への透過が懸念される。予想どおり、当該離型フィルム 3を用いてのトランスフ ァーモールド試験では、 2, 000回未満で金型汚れが顕著となるものであった。
産業上の利用可能性
[0069] 本発明によれば、従来に比較して、ガス透過性が十分低ぐモールド樹脂による金 型汚染の少ない離型フィルムが提供され、また、本発明によれば、モールド樹脂との 、より高い離型性を有する離型フィルムが提供される。なお、本発明の離型フィルム は、金属蒸着層を形成していないので、フィルム両端から金属粉等が剥離する問題 はない。 [0070] したがって、本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムを適用することにより、半 導体の樹脂モールド工程において、金型汚れが十分に少なぐ金型洗浄回数を大き く低減でき、半導体素子の樹脂モールドの生産効率を向上させることが可能となるた め、その産業上の利用可能性はきわめて大きい。
[0071] 本発明の半導体樹脂モールド用離型フィルムは、半導体樹脂モールド用途に特に 適するものであるが、その他に、離型性が必要な種々の用途にも好適に適用可能で ある。 なお、 2006年 8月 18曰に出願された曰本特許出願 2006— 223565号の明細書 、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開 示として、取り入れるものである。

Claims

請求の範囲
[I] 少なくとも離型性に優れた離型層（I)と、これを支持するプラスチック支持層（II)とを 有する離型フィルムであって、上記プラスチック支持層（II)の 170°Cにおける 200% 伸長時強度が、 lMPa〜50MPaであり、かつ、当該離型フィルムの 170°Cにおける キシレンガス透過性が 5 X 10— 15 (kmol . m/ (s · m2 · kPa) )以下であることを特徴とす るガスバリア性半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[2] 前記離型層（I)が、フッ素樹脂から形成される請求項 1に記載の半導体樹脂モール ド用離型フィルム。
[3] 前記フッ素樹脂が、エチレン/テトラフルォロエチレン系共重合体である請求項 2 に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[4] 前記プラスチック支持層（II)が、エチレン/ビュルアルコール共重合体から形成さ れる請求項;!〜 3のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[5] 離型層（I)の厚みが 3〜 75 ,1 mであり、プラスチック支持層（II)の厚みが 1〜 700 μ mである請求項 1〜4のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[6] 前記離型層（I)の厚みが 6〜30 111であり、プラスチック支持層（II)の厚みが 6〜2
00 11 mである請求項 1〜4のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム
〇
[7] 前記離型層（I)の厚みが 6〜30 111であり、プラスチック支持層（II)の厚みが 10〜 100 mである請求項 1〜4のいずれかに記載の半導体樹脂モールド用離型フィノレ ム。
[8] 前記フィルムの少なくとも片面が梨地加工されている請求項 1〜7のいずれかに記 載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[9] 前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが 0. 01-3. 5 mである請求項 8 に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[10] 前記梨地加工された面の表面の算術表面粗さが 0. 15-2. 5 111である請求項 8 に記載の半導体樹脂モールド用離型フィルム。
[I I] 前記離型層 (I)と前記プラスチック支持層 (Π)の間に接着層を有し、かつ接着され る側の離型層（I)の表面に表面処理を施してある、請求項 1〜8のいずれかに記載の 半導体樹脂モールド用離型
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