WO2015068808A1

WO2015068808A1 - 離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法

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Publication number: WO2015068808A1
Application number: PCT/JP2014/079592
Authority: WO
Inventors: 渉笠井; 政己鈴木
Original assignee: 旭硝子株式会社
Priority date: 2013-11-07
Filing date: 2014-11-07
Publication date: 2015-05-14
Also published as: TW201528449A; DE112014005100T5; JP5751399B1; CN105705307B; CN108724550B; KR101698289B1; JP2015157488A; JP6402786B2; US20160189986A1; MY176541A; KR20150103337A; US9613832B2; CN108724550A; DE112014005100B4; JPWO2015068808A1; CN105705307A; TWI560820B; JP2017065269A; JP6107883B2

Abstract

　厚さが薄くても、金型のキャビティ面に密着させる際にシワおよびピンホールが発生しにくい離型フィルム、シンギュレーション工程で欠けや割れが生じにくく、かつインク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成できる離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の提供。　半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において金型のキャビティ面に配置される、離型フィルムであって、前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有し、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方の面に凹凸が形成されており、前記凹凸が形成されている面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．３～２．５μｍ、ピークカウント（ＲＰｃ）が８０～２００であることを特徴とする離型フィルム。

Description

離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法

　本発明は、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型のキャビティ面に配置される離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。

　半導体パッケージは、半導体素子を保護する樹脂封止部を有する。樹脂封止部の形成（半導体素子の封止）には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が用いられる。
　半導体パッケージの製造方法としては、たとえば、半導体素子が実装された基板を、該半導体素子が金型のキャビティ内の所定の場所に位置するように配置し、キャビティ内に硬化性樹脂を充填して樹脂封止部を形成する、いわゆる圧縮成形法またはトランスファ成形法による封止工程を含む方法が知られている。該方法においては、通常、樹脂封止部と金型との固着を防ぐために、金型のキャビティ面に離型フィルムが配置される。

　半導体パッケージの製造方法の一つとして、基板に複数の半導体素子を実装し、それらの半導体素子を硬化性樹脂で一括封止して、基板と複数の半導体素子と樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程（一括封止工程）と、複数の半導体素子が分離するように一括封止体の樹脂封止部および基板を切断、個片化して複数の半導体パッケージを得る工程（シンギュレーション工程）とを経る方法がある（たとえば特許文献１）。この方法は、生産性に優れることから広く用いられている。

　半導体素子の封止工程では、硬化性樹脂と金型との固着を防ぐために、金型のキャビティ面に離型フィルムを配置する場合がある。特に複数の半導体素子を一括封止する場合、１つの半導体素子を１つのキャビティで封止する場合に比べてキャビティが大型化、複雑化して樹脂封止部が離型しにくくなる傾向があるため、離型フィルムを用いることが多い。
　封止の際、離型フィルムは、真空吸引によって金型のキャビティ面に沿って引き延ばされ、キャビティ面に密着した状態とされる。このとき、引き延ばされる途中で空気が完全に抜けない状態で離型フィルムがキャビティ面に密着し、離型フィルムとキャビティ面との間に部分的に空気溜まりが形成され、その部分で離型フィルムにシワが生じることがある。離型フィルムにシワがあると、樹脂封止部の表面に離型フィルム表面のシワの形状が転写されて外観不良となり、歩留まりが低下する。
　このような問題に対し、離型フィルムの少なくとも一方の面の表面粗さＲｚを３．０μｍ以上にすることが提案されている（特許文献２）。表面粗さＲｚが３．０μｍ以上である面が金型側に接するように離型フィルムを金型に装着することで、シワの発生を防止できるとされている。

　また、半導体パッケージの製造においては、通常、形成した樹脂封止部の表面に、製品番号、メーカー等の情報を表示するために、インクを用いた印刷によりインク層を形成することが行われる。
　樹脂封止部とインク層との密着性が低いと、経時的に樹脂封止部からのインク層の剥がれが生じる。
　樹脂封止部とインク層との密着性を高めるため、樹脂に接する表面に凹凸を形成して表面粗さを大きくした離型フィルムを使用し、該凹凸が硬化性樹脂側に向くように金型に配置して樹脂封止部を形成することが提案されている（たとえば特許文献３）。この場合、離型フィルムの樹脂に接する表面の凹凸が樹脂封止部の表面に転写される。該凹凸が存在することで、樹脂封止部に対するインク層の密着性が向上する。

特開２００６－２３７１８７号公報特開２００２－３５９２５９号公報特許第３９７０４６４号公報

　近年、ウェハレベルパッケージ等の大型パッケージが増え、金型と離型フィルムの接触面積が増えている。それに伴い、離型フィルムを金型のキャビティ面に密着させる際にシワが発生しやすくなっている。
　離型フィルムの金型のキャビティ面と接する面の表面粗さを大きくすればシワは発生しにくくなると考えられる。しかし、本発明者らの検討によれば、金型のキャビティ面と接する面の表面粗さを単純に大きくすると、離型フィルムにピンホールが発生しやすくなる問題がある。たとえば角のあるキャビティの場合、角の部分で離型フィルムが大きく引き伸ばされ、ピンホールが発生しやすい。離型フィルムにピンホールが生じると、その部分から硬化性樹脂が漏れて金型のキャビティ面に付着する。金型に付着した硬化性樹脂は、その後、別の半導体素子を封止する際に樹脂封止部の外観不良を引き起こす。これを防ぐために金型の洗浄等が必要になり、半導体パッケージの生産性が低下する。
　金型のキャビティ面と接する面の表面粗さを大きくするとともに離型フィルムの厚さを厚くすれば、シワ、ピンホールともに発生しにくくなると考えられる。しかし離型フィルムの厚さが厚くなると、金型のキャビティの形状への追従性が低下する。追従性が低いと、キャビティの形状が正確に樹脂封止部に反映されず、不良品となって歩留まりが低下する。また、原料コストも増加し、経済的に好ましくない。

　また、樹脂封止部の表面にインク層を形成する場合、樹脂と接する表面に凹凸を形成して表面粗さを大きくした離型フィルムを用いると、表面粗さが大きいほど、樹脂封止部に対するインク層の密着性が向上すると考えられる。
　しかし、本発明者らの検討によれば、一括封止工程とシンギュレーション工程とを経て半導体パッケージを製造する場合に、樹脂と接する表面に凹凸のある離型フィルムを用いると、表面が平滑な離型フィルムを用いる場合に比べて、シンギュレーション工程で樹脂封止部および基板を切断する際に樹脂封止部の欠けや割れが生じやすいことが判明した。樹脂封止部に対するインク層の密着性を向上させるべく離型フィルムの表面粗さを大きくするほど、樹脂封止部の欠けや割れは顕著になる。

　本発明は、厚さが薄くても、金型のキャビティ面に密着させる際にシワおよびピンホールが発生しにくい離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、また、樹脂封止部の表面にインク層を形成する場合にシンギュレーション工程で欠けや割れが生じにくく、かつインク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成できる離型フィルム、および該離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

　本発明は、以下の［１］～［１３］の構成を有する離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法を提供する。
　［１］半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において金型のキャビティ面に配置される、離型フィルムであって、
　前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有し、
　前記第１面および前記第２面の少なくとも一方の面に凹凸が形成されており、前記凹凸が形成されている面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．３～２．５μｍ、ピークカウント（ＲＰｃ）が８０～２００であることを特徴とする離型フィルム。

　［２］前記離型フィルムの厚さが１６～７５μｍである、［１］の離型フィルム。
　［３］前記第２面に凹凸が形成されており、離型フィルムの厚さが４０～７５μｍである、［１］の離型フィルム。
　［４］前記算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６～１．９μｍである、［１］～［３］のいずれかの離型フィルム。
　［５］前記ピークカウント（ＲＰｃ）が１００～１３０である、［１］～［４］のいずれかの離型フィルム。

　［６］フッ素樹脂からなる、［１］～［５］のいずれかの離型フィルム。
　［７］前記フッ素樹脂が、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体である、［６］の離型フィルム。
　［８］前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体が、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、エチレンに基づく単位と、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の第３のモノマーに基づく単位とからなり、
　前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体中のテトラフルオロエチレンに基づく単位とエチレンに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）が８０／２０～４０／６０である、［７］の離型フィルム。

　［９］前記第３のモノマーに基づく単位の割合が、前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位の合計に対して０．０１～２０モル％である、［８］の離型フィルム。
　［１０］前記第３のモノマーが（ペルフルオロブチル）エチレンであり、前記（ペルフルオロブチル）エチレンに基づく単位の割合が、前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位の合計に対して０．５～４．０モル％である、［９］の離型フィルム。
　［１１］前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体のＡＳＴＭ　Ｄ３１５９に準拠して測定されるＭＦＲが、２～４０ｇ／１０分である、［７］～［１０］のいずれかの離型フィルム。

　［１２］半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、［１］～［１１］のいずれかの離型フィルムであってかつ少なくとも第２面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
　前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

　［１３］半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の表面に形成されたインク層とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、［１］～［１１］のいずれかの離型フィルムであってかつ少なくとも第１面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、複数の半導体素子が実装された基板を配置し、該複数の半導体素子を硬化性樹脂で一括封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程と、
　前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程と、
　前記一括封止体または個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

　本発明の離型フィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する封止工程において、当該離型フィルムを金型のキャビティ面に密着させる際に、シワおよびピンホールが発生しにくい。また、厚さが４０～７５μｍとすると、特に金型への追従性に優れたものとなる。そのため、本発明の離型フィルムによれば、封止工程で樹脂封止部の外観不良や金型への硬化性樹脂の付着が生じにくく、半導体パッケージの生産性を向上させることができる。
　本発明の半導体パッケージの製造方法においては、半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する封止工程において、離型フィルムを金型のキャビティ面に密着させる際に、シワおよびピンホールが発生しにくい。また、離型フィルムの厚さが４０～７５μｍとすると、特に金型への追従性に優れる。そのため、封止工程で樹脂封止部の外観不良や金型への硬化性樹脂の付着が生じにくい。したがって、本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、良好な生産性で半導体パッケージを製造することができる。

　また、形成した樹脂封止部の表面に、インクを用いた印刷によりインク層を形成する場合、シンギュレーション工程で欠けや割れが生じにくく、かつインク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成できる。
　さらに、本発明の半導体パッケージの製造方法においては、シンギュレーション工程で樹脂封止部の欠けや割れが生じることを抑制できる。また、該樹脂封止部に良好な密着性でインク層を形成できる。そのため、本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、樹脂封止部に欠けや割れが無く、インク層が剥がれにくい半導体パッケージを製造することができる。

本発明の半導体パッケージの製造方法により製造する半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α３）を模式的に説明する断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α４）を模式的に説明する断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態における工程（α４）を模式的に説明する断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態に用いる金型の一例を示す断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β１）を示す断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β２）を示す断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β３）を示す断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β４）を示す断面図である。本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態における工程（β５）を示す断面図である。［実施例］におけるピンホールの開きにくさの評価方法を説明する図である。［実施例］におけるシワの発生しにくさの評価方法を説明する図である。

　本明細書における「離型フィルム」は、半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型のキャビティ面に配置される離型フィルムである。たとえば、半導体パッケージの樹脂封止部を形成する際に、該樹脂封止部の形状に対応する形状のキャビティを有する金型のキャビティ面を覆うように配置され、形成した樹脂封止部とキャビティ面との間に位置されることによって、得られた半導体パッケージの金型からの離型性を高めるフィルムである。
　樹脂における「単位」は、当該樹脂を構成する構成単位（モノマー単位）を示す。
　「フッ素樹脂」とは、構造中にフッ素原子を含む樹脂を示す。

　本明細書における「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される算術平均粗さである。Ｒａを求める際の、粗さ曲線用の基準長さｌｒ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとした。

　本明細書における「ピークカウント（ＲＰｃ）」は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される、粗さ曲線に基づくピークカウント数であり、以下の式（Ｉ）で定義される。
　　ＲＰｃ＝Ｌ／ＲＳｍ　　・・・（Ｉ）

　式（Ｉ）中、Ｌは基準長さを示し、１０ｍｍである。
　ＲＳｍは、粗さ曲線要素の平均長さを示し、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定される。

　本明細書における離型フィルムの厚さは、ＩＳＯ４５９１：１９９２（ＪＩＳ　Ｋ７１３０：１９９９のＢ１法、プラスチックフィルムまたはシートから採った試料の質量法による厚さの測定方法）に準拠して測定される値である。

　離型フィルムの１８０℃における引張弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９（ＩＳＯ　５２７－３：１９９５）に準拠した方法で測定される。具体的には、離型フィルムを短冊形状（試験片タイプ５）に切り抜いた試験シートについて、シート温度：１８０℃、引張速度：１ｍｍ／分の条件にて引張試験を行うことによって測定される。

〔離型フィルム〕
　本発明の離型フィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する金型のキャビティ面に配置される離型フィルムであって、前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有する。
　すなわち、本発明の離型フィルムは、第１面を前記金型のキャビティ内の空間に向けて配置され、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接触する。また、この時、第２面は金型のキャビティ面に密着する。そのため、この状態で硬化性樹脂を硬化させることにより、金型のキャビティの形状に対応した形状の樹脂封止部が形成される。

（特定の凹凸が形成されている面）
　本発明の離型フィルムの第１面および前記第２面の少なくとも一方の面には特定の凹凸が形成されている。特定の凹凸が形成されている面とはＲａが１．３～２．５μｍでありかつＲＰｃが８０～２００である面をいう。
　特定の凹凸が形成されている面の形状は、複数の凸部および／または凹部がランダムに分布した形状でもよく、複数の凸部および／または凹部が規則的に配列した形状でもよい。また、複数の凸部および／または凹部の形状や大きさは、同じでもよく異なってもよい。
　凸部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の凸条、離型フィルムの表面に点在する突起等が挙げられる。また、平面上に凹部が形成されている場合、凸部は凹部が形成されていない部分であってもよい。
　凹部としては、離型フィルムの表面に延在する長尺の溝、離型フィルムの表面に点在する穴等が挙げられる。また、平面上に凸部が形成されている場合、凹部は凸部が形成されていない部分であってもよい。
　凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。特定の凹凸が形成されている面においては、複数の凸条または溝が平行に存在して縞状をなしていてもよい。凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、三角形（Ｖ字形）等の多角形、半円形等が挙げられる。
　突起または穴の形状としては、三角錐形、四角錐形、六角錐形等の多角錐形、円錐形、半球形、多面体形、その他各種不定形等が挙げられる。

　本発明の離型フィルムの特定の凹凸が形成されている面のＲａは１．３～２．５μｍであり、ＲＰｃは８０～２００である。Ｒａは、１．５～２．１μｍが好ましく、１．６～１．９μｍが特に好ましい。ＲＰｃは、９０～１５０が好ましく、１００～１３０が特に好ましい。

　特定の凹凸が形成されている面が第２面、すなわちキャビティ面と接する面である場合、Ｒａが１．３μｍ以上、かつＲＰｃが８０以上であることで、離型フィルムを金型のキャビティ面に追従させ吸着させる際に、離型フィルムがキャビティ面を良好に滑り、シワが発生しにくい。Ｒａが１．３μｍ未満であるか、またはＲＰｃが８０未満である場合、つまり凹凸の大きさが小さすぎたり、一定距離内に存在する凹凸の数が少なすぎる場合、離型フィルムがシワになりやすい。
　Ｒａが２．５μｍ以下、かつＲＰｃが２００以下であることで、離型フィルムを金型に追従させる際に、離型フィルムにピンホールが空きにくく、硬化性樹脂の漏れが生じにくい。Ｒａが２．５μｍ超であるか、またはＲＰｃが２００超である場合、つまり凹凸の大きさが大きすぎたり、一定距離内に存在する凹凸の数が多すぎる場合、離型フィルムにピンホールが空きやすい。

　特定の凹凸が形成されている面が第１面、すなわち硬化性樹脂と接する面である場合、Ｒａが２．５μｍ以下、かつＲＰｃが２００以下であることで、該樹脂封止部を個片化（シンギュレーション）する際の欠けや割れの発生を抑制できる。Ｒａが２．５μｍ超であるか、またはＲＰｃが２００超である場合、つまり凹凸の大きさが大きすぎたり、一定距離内に存在する凹凸の数が多すぎる場合、欠けや割れが発生しやすくなる。
　Ｒａが１．３μｍ以上、かつＲＰｃが８０以上であることで、当該離型フィルムを用いて形成される樹脂封止部の表面と、該表面に形成されるインク層との密着性が向上する。
　Ｒａが１．３μｍ未満であるか、またはＲＰｃが８０未満である場合、つまり凹凸の大きさが小さすぎたり、一定距離内に存在する凹凸の数が少なすぎる場合、インク層の密着性が不充分になるおそれがある。

　また、特定の凹凸が形成されている面が第１面である場合、Ｒａが１．３μｍ以上、かつＲＰｃが８０以上であれば、剥離帯電を抑制できる。半導体パッケージの製造に際しては、離型フィルムをロールから繰り出して使用することが多く、このときの剥離によって離型フィルムが帯電することがある。特に離型フィルムがフッ素樹脂である場合、この帯電が生じやすい。離型フィルムが帯電していると、離型フィルムに異物が付着しやすい。離型フィルムに異物が付着していると、樹脂封止部の表面に異物の形状が転写され、外観が悪化するおそれがある。離型フィルムの表面にＲａが１．３μｍ以上、かつＲＰｃが８０以上となる凹凸があれば、封止工程後、離型フィルムと樹脂封止部（硬化性樹脂の硬化物）とを剥離する際に、離型フィルムと樹脂封止部との見かけの接触面積が減るため、剥離帯電を低減できる。すなわち、離型フィルム剥離時の放電による半導体素子への損傷を低減できる。この効果は、硬化性樹脂として成形収縮率の大きいエポキシ樹脂を使用すると特に顕著である。

　本発明の離型フィルムは、第１面と第２面のいずれも上記特定の凹凸が形成されている面であってもよい。この場合、それぞれの面は上記作用効果を有し、たとえ樹脂封止部の表面にインク層を形成しない場合であっても剥離帯電を抑制され、しわやピンホールの発生のおそれが少ない離型フィルムとなる。
　本発明の離型フィルムは、より好ましくは、第１面と第２面のいずれかが上記特定の凹凸が形成されている面であり、他方の面が上記特定の凹凸以外の凹凸が形成されている面であるかまたは平滑な面である。他方の面としては、上記特定の凹凸が形成されている面と比較して実質的に平滑な面であることが好ましい。
　実質的に平滑な面としては、Ｒａが０．０１～０．５μｍである面が好ましい。より好ましいＲａは、０．０５～０．３μｍである。さらに、その面のＲＰｃは８０未満であることが好ましく、１０～６０であることがより好ましい。

（厚さ）
　本発明の離型フィルムの厚さは、１６～７５μｍが好ましく、第１面のみに特定の凹凸を有する場合は２５～５０μｍが特に好ましい。また、第２面のみ特定の凹凸を有する場合は４０～７５μｍがより好ましく、４５～７０μｍがさらに好ましく、５０～６０μｍが特に好ましい。厚さが前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムの取り扱いが容易であり、離型フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、しわが発生しにくい。厚さが前記範囲の上限値以下であれば、離型フィルムが容易に変形でき、金型のキャビティの形状への追従性が向上するため、離型フィルムがしっかりとキャビティ面に密着でき、高品質な樹脂封止部を安定して形成できる。
　本発明の離型フィルムの厚さは、金型のキャビティが大きいほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。また、多数のキャビティを有する複雑な金型であるほど、前記範囲内において薄いことが好ましい。

（離型フィルムの物性）
引張弾性率：
　本発明の離型フィルムの１８０℃、すなわち通常の成形時の金型の温度における引張弾性率は、１０～１００ＭＰａであることが好ましく、２５～５０ＭＰａが特に好ましい。
　１８０℃における引張弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、半導体素子の封止時に、離型フィルムが完全に金型に追従するため、樹脂封止部の角部まで金型形状が転写される。その結果、一括封止したパッケージを端まで使用でき、歩留まりを向上させられる。前記引張弾性率が１００ＭＰａを超えると、離型フィルムを真空で金型に追従させる際に、離型フィルムの金型への追従性が良くないため、トランスファ成形では型締め時に半導体チップが追従しきっていないフィルムにあたって破損するおそれがある。圧縮成形では同じく金型の追従性が良くないために、フィルム上に硬化性樹脂を撒いた際に金型からあふれるおそれがある。
　１８０℃における引張弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、離型フィルムを引っ張りながら金型のキャビティを覆うように配置する際に、離型フィルムが柔らかすぎないため、離型フィルムに張力が均一にかかり、しわが発生しにくい。その結果、離型フィルムのしわが樹脂封止部の表面に転写されることによる、樹脂封止部の表面の外観不良を抑えられる。

　離型フィルムの引張弾性率は、離型フィルム用樹脂の結晶化度を調整することによって調整できる。具体的には、離型フィルム用樹脂の結晶化度が低いほど、離型フィルムの引張弾性率は低くなる。離型フィルム用樹脂の結晶化度は、たとえば、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の場合、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の他のモノマーに基づく単位の種類や割合を調整することによって調整できる。

剥離力：
　本発明の離型フィルムは、第１面側における剥離力の最大値が、０．８Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下が特に好ましい。剥離力の最大値が前記範囲の上限値以下であれば、生産時、樹脂封止部（硬化性樹脂の硬化物）との剥離がより一層容易になる。離型フィルムと樹脂封止部とがうまく離れず装置が止まるといったようなことが起こりにくくなり、連続生産性に優れる。

　本発明における「剥離力」は、ＪＩＳ　Ｋ６８５４－２：１９９９（ＩＳＯ　８５１０－２：１９９０）に準拠し、以下の（ａ）～（ｆ）の手順で測定される値を示すものとする。
　（ａ）離型フィルムと、離型フィルムの第１面側に配置されたアルミニウム板との間にエポキシ樹脂を適量配置する。
　（ｂ）エポキシ樹脂を挟み込んだ離型フィルムとアルミニウム板を１８０℃、１０ＭＰａで５分間プレスして、エポキシ樹脂を硬化させる。
　（ｃ）離型フィルムと硬化したエポキシ樹脂とアルミニウム板との積層体を２５ｍｍ幅に切断し、５個の試験片を作製する。なお、積層体におけるエポキシ樹脂の厚みは１００μｍである。
　（ｄ）試験片について、常温における１８０度剥離力を、引張試験機を用いて１００ｍｍ／分の速度で測定する。
　（ｅ）力（Ｎ）－つかみ移動距離曲線における、つかみ移動距離２５ｍｍから１２５ｍｍまでの剥離力の平均値（単位はＮ／２５ｍｍ）を求める。
　（ｆ）５個の試験片の剥離力の平均値の算術平均を求める。

（離型フィルム用樹脂）
　離型フィルムには、離型性、成形時の金型の温度（典型的には１５０～１８０℃）に耐え得る耐熱性、硬化性樹脂の流動や加圧力に耐え得る強度が求められる。
　本発明の離型フィルムとしては、離型性、耐熱性、強度、高温における伸びの点から、ポリオレフィンおよびフッ素樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂からなるフィルムが好ましく、フッ素樹脂からなるフィルムが特に好ましい。
　本発明の離型フィルムは、フッ素樹脂と非フッ素樹脂とを併用したフィルムであってもよく、無機系添加剤、有機系添加剤等が配合されたフィルムであってもよい。
　本発明の離型フィルムは、１層のフィルムであっても、２層以上の積層フィルムであってもよい。製造コストの点からは、１層のフィルムが好ましい。
　本発明の離型フィルムは、１層のフッ素樹脂からなるフィルムであることが特に好ましい。

　ポリオレフィンとしては、離型性および金型追随性の点から、ポリメチルペンテンが好ましい。ポリオレフィンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　フッ素樹脂としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）、ポリテトラフルオロエチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／テトラフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。これらの中では、高温での伸びが大きい点から、ＥＴＦＥが特に好ましい。フッ素樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、ＥＴＦＥは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　ＥＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥともいう。）に基づく単位と、エチレン（以下、Ｅともいう。）に基づく単位とを有する共重合体である。
　ＥＴＦＥとしては、第３のモノマー（ＴＦＥおよびＥ以外の他のモノマー）に基づく単位を有するものが好ましい。第３のモノマーに基づく単位の種類や含有量によって離型フィルム用樹脂の結晶化度、すなわち離型フィルムの引張弾性率を調整しやすい。また、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。
　第３のモノマーとしては、フッ素原子を有するモノマーと、フッ素原子を有さないモノマーとが挙げられる。

　フッ素原子を有するモノマーの具体例としては、下記のモノマー（ａ１）～（ａ５）が挙げられる。
　モノマー（ａ１）：炭素数３以下のフルオロオレフィン類。
　モノマ－（ａ２）：Ｘ（ＣＦ_２）_ｎＣＹ＝ＣＨ_２（ただし、Ｘ、Ｙは、それぞれ独立に水素原子またはフッ素原子であり、ｎは２～８の整数である。）で表されるペルフルオロアルキルエチレン。
　モノマー（ａ３）：フルオロビニルエーテル類。
　モノマー（ａ４）：官能基含有フルオロビニルエーテル類。
　モノマー（ａ５）：脂肪族環構造を有する含フッ素モノマー。

　モノマー（ａ１）としては、フルオロエチレン類（トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフルオロエチレン等）、フルオロプロピレン類（ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰともいう。）、２－ヒドロペンタフルオロプロピレン等）等が挙げられる。

　モノマー（ａ２）としては、ｎが２～６のモノマーが好ましく、ｎが２～４のモノマーがより好ましい。また、Ｘがフッ素原子、Ｙが水素原子であるモノマー、すなわち（ペルフルオロアルキル）エチレンが特に好ましい。
　モノマー（ａ２）の具体例としては、下記のものが挙げられる。
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２（（ペルフルオロブチル）エチレン。以下、ＰＦＢＥともいう。）、
　ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２、
　ＣＦ_２ＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＨ_２等。

　モノマー（ａ３）としては、下記のものが挙げられる。なお、下記のうちジエンであるモノマーは環化重合し得るモノマーである。
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）。以下、ＰＰＶＥともいう。）、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_２（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_２ＣＦ＝ＣＦ_２等。

　モノマー（ａ４）としては、下記のものが挙げられる。
　ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３ＣＯ_２ＣＨ_３、
　ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_２Ｆ等。

　モノマー（ａ５）としては、ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）、２，２，４－トリフルオロ－５－トリフルオロメトキシ－１，３－ジオキソール、ペルフルオロ（２－メチレン－４－メチル－１，３－ジオキソラン）等が挙げられる。

　フッ素原子を有さないモノマーの具体例としては、下記のモノマー（ｂ１）～（ｂ４）が挙げられる。
　モノマー（ｂ１）：オレフィン類。
　モノマー（ｂ２）：ビニルエステル類。
　モノマー（ｂ３）：ビニルエーテル類。
　モノマー（ｂ４）：不飽和酸無水物。

　モノマー（ｂ１）としては、プロピレン、イソブテン等が挙げられる。
　モノマー（ｂ２）としては、酢酸ビニル等が挙げられる。
　モノマー（ｂ３）としては、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が挙げられる。
　モノマー（ｂ４）としては、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ハイミック酸（５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物）等が挙げられる。

　第３のモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　第３のモノマーとしては、結晶化度の調整すなわち引張弾性率の調整がしやすい点、第３のモノマー（特にフッ素原子を有するモノマー）に基づく単位を有することで高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する点から、モノマー（ａ２）、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、酢酸ビニルが好ましく、ＨＦＰ、ＰＰＶＥ、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、ＰＦＢＥがより好ましく、ＰＦＢＥが特に好ましい。
　すなわち、ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位と、ＰＦＢＥに基づく単位とを有する共重合体が特に好ましい。

　ＥＴＦＥにおいて、ＴＦＥに基づく単位と、Ｅに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）は、８０／２０～４０／６０が好ましく、７０／３０～４５／５５がより好ましく、６５／３５～５０／５０が特に好ましい。ＴＦＥ／Ｅが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。

　ＥＴＦＥ中の第３のモノマーに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．０１～２０モル％が好ましく、０．１０～１５モル％がより好ましく、０．２０～１０モル％が特に好ましい。第３のモノマーに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの耐熱性および機械的物性に優れる。

　第３のモノマーに基づく単位がＰＦＢＥに基づく単位を含む場合、ＰＦＢＥに基づく単位の割合は、ＥＴＦＥを構成する全単位の合計（１００モル％）に対して０．５～４．０モル％が好ましく、０．７～３．６モル％がより好ましく、１．０～３．６モル％が特に好ましい。ＰＦＢＥに基づく単位の割合が前記範囲内であれば、離型フィルムの１８０℃における引張弾性率を前記範囲内に調整できる。また、高温（特に１８０℃前後）における引張強伸度が向上する。

　ＥＴＦＥの溶融流量（ＭＦＲ）は、２～４０ｇ／１０分が好ましく、５～３０ｇ／１０分がより好ましく、１０～２０ｇ／１０分が特に好ましい。ＥＴＦＥのＭＦＲが前記範囲内であれば、ＥＴＦＥの成形性が向上し、離型フィルムの機械特性が向上する。
　ＥＴＦＥのＭＦＲは、ＡＳＴＭ　Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定される値である。

（離型フィルムの製造方法）
　本発明の離型フィルムの製造方法としては、特に限定されず、公知の製造方法を利用できる。たとえば熱加工で樹脂フィルムの表面に元型の凹凸を転写する方法が挙げられ、生産性の点から、下記の方法（ｉ）、（ｉｉ）等が好ましく、方法（ｉｉ）が特に好ましい。

　（ｉ）樹脂フィルムを２本のロールの間に通し、樹脂フィルムの凹凸が形成される面（離型フィルムの凹凸が形成されている面となる面）にロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。
　（ｉｉ）押出機のダイスから押し出された樹脂を２本のロールの間に通し、該樹脂をフィルム状に成形すると同時に、該フィルム状の樹脂の凹凸が形成される面（離型フィルムの凹凸が形成されている面となる面）にロールの表面に形成された凹凸を連続的に転写する方法。

　方法（ｉ）、（ｉｉ）では、ロール状の型を用いることによって、連続した加工が可能となり、凹凸を有する離型フィルムの生産性が著しく向上する。また、これと同時に、巻物の離型フィルムとなることから、半導体パッケージの製造に、汎用の離型フィルムの繰り出し機構および巻き取り機構を有する圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。
　また、２本のロールのうち１本を表面に凹凸を有するロール（以下、型ロールともいう。）とし、他方のロールを凹凸を有しないロールとすることにより、片面に凹凸を有する離型フィルムが製造される。２本のロールをいずれも型ロールとすることにより、両面に凹凸を有する離型フィルムが製造される。なお、２本のロールうちの一方は、通常樹脂フィルムを加圧する機能を有し、押し当てロールと呼ばれている。表面に凹凸を有しないロールが使用される場合、凹凸を有しないロールが通常冷却ロールとされ、２本のロールがいずれも型ロールである場合は、そのうちの一方が冷却ロールとされる。なお、表面に凹凸を有しないロールとは、実質的に平滑な面を形成しうる表面を有するロールも意味する。

　方法（ｉ）：
　樹脂フィルムとしては、市販のものを用いてもよく、公知の製造方法により製造したものを用いてもよい。たとえば、離型フィルム用樹脂を用いて、所定のリップ幅を有するＴダイを具備する押出機による溶融成形等によって樹脂フィルムを製造できる。
　２本のロールの表面温度、線圧は、離型フィルムの材料および厚さによって異なるが、以下の３つの条件を同時に満たすことが好ましい。なお、以下、Ｔｇは成形する樹脂のガラス転移温度をいい、Ｔｍは成形する樹脂の融点をいう。
　・ロール表面温度：Ｔｇ＋３０℃～Ｔｍ－２０℃。
　・２本のロール間線圧：２０～３００Ｎ／ｃｍ。
　・引張弾性率（ＭＰａ）／線圧（Ｎ／ｃｍ）の値：０．００５～０．０２。
　なお、引張弾性率は、離型フィルムの材料の、２本のロールの表面温度における引張弾性率をいう。
　以上の３つの条件を満たせば、樹脂材料は低弾性率でありながら、ゴム状弾性を保っており、２本のロール間で加圧した際に、全体の厚みを大きく変えることなく、表面にのみ凹凸をつけやすい。
　また、加工速度は、０．２～１００ｍ／分が好ましい。

　方法（ｉｉ）：
　ダイスのスリットから押し出された樹脂は、樹脂の融点以下に設定した型ロールに沿わせて引き取ることで、形状が固定されると同時に、押出機のスクリューの回転数で調整された押出量と、ダイスのスリット幅と、型ロールの回転数で調整された引取り速度とで厚さが決定される。
　２本のロールの間の加圧力およびダイスより押し出された直後の温度における樹脂の溶融粘度の関係は以下の条件を満たすことが好ましい。
　　溶融粘度（Ｐａ・ｓ）／加圧力（Ｎ／ｃｍ）の値：２～５０
　なお、ここで溶融粘度とは、ＪＩＳ　Ｋ７１９９：１９９９（ＩＳＯ１１４４３：１９９５）に準拠して、キャピラリーダイ（内径１ｍｍ、長さ１０ｍｍ）を用いて一定体積流量を流した際の、見掛けのせん断速度γａｐが１０／秒の時の、下式（ＩＩ）で表される見かけの溶融粘度ηａｐの測定した値である。また、その際の温度は、方法（ｉｉ）において、ダイスより押し出され、ロールに接触する直前の樹脂の温度に等しい。
　見かけの溶融粘度ηａｐ（Ｐａ・ｓ）＝見かけのせん断応力τａｐ（Ｐａ）／見かけのせん断速度γａｐ（１／秒）　　・・・（ＩＩ）
　　見かけのせん断応力τａｐ＝ｐＤ／４Ｌ
　　　ｐ：試験圧力（Ｐａ）
　　　Ｄ：キャピラリー内径（ｍｍ）
　　　Ｌ：キャピラリー長さ（ｍｍ）
　　見かけのせん断速度γａｐ＝３２Ｑ／πＤ^３
　　　Ｑ：体積流量（ｍｍ^３／秒）

　上記溶融粘度／加圧力の値が５０より大きいと、ロールの凸凹の転写率が急激に落ち、表面粗さの大きいロールを使用してもＲａが付きにくい。２より小さいと、必要以上に溶融した樹脂をつぶしすぎ、もっとも粗さの粗い部分で、フィルムに穴が開くなどの問題が生じやすい。
　２本のロールの間の加圧力は１０Ｎ／ｃｍ～１５０Ｎ／ｃｍが好ましい。１０Ｎ／ｃｍ以上であれば、２本のロール間でスリップが生じにくい。１５０Ｎ／ｃｍ以下であれば、ロールの潰れによる「へたり」を防げる。
　ロール表面温度は、Ｔｇ＋３０℃～Ｔｇ＋８０℃が好ましい。本方法においては、ロールの表面温度は溶融樹脂から与えられる熱量によって高くなるため、通常の成形状態では上記条件を満たすことが多い。
　加工速度は、方法（ｉ）と同じ範囲が好ましい。

　型ロール：
　型ロールとしては、ゴム巻きロール、樹脂巻きロール、紙巻きロール、金属ロール、セラミックロール、樹脂ロール等が挙げられる。金属製の型ロールの表面は、硬さを増すために、セラミックコーティング、セラミック焼結、セラミック蒸着、超硬金属溶射、メッキ、浸炭、窒化等の表面改質を施されていてもよい。
　これらの中では、他方のロールへの負担を低く抑える点、および混入する粒子の量でＲＰｃを調整しやすいことから、ゴム巻きロールが好ましい。

　型ロールの表面の凹凸は、離型フィルムの特定の凹凸を反転した形状であり、半導体パッケージの樹脂封止部の表面に形成される凹凸と同じ形状である。
　型ロールの表面に凹凸を形成する方法としては、切削、エッチング、等の方法が挙げられる。
　また、ゴム巻きロールの場合、表面に巻かれるゴムシートに粒子を配合することで、表面に凹凸を有する型ロールを得ることができる。この場合、ゴムシートに配合する粒子の大きさによって、粗さの深さ方向、すなわちＲａを調整できる。また、粒子の配合量、すなわち配合密度によって粗さのうち、ピークの数、すなわちＲＰｃを調整できる。樹脂巻きロールの場合も同様の方法でＲａやＲＰｃを調整できる。
　型ロールのＲａは１．６～４．２であることが好ましい。また、型ロールのＲＰｃは８０～２４０であることが好ましい。樹脂の粘度や加圧条件にもよるが、方法（１）、あるいは方法（２）で上述した成形条件を満たす場合、一般的にロールのＲａの、樹脂への転写率は６０～８０％程度である。また、ロールのＲＰｃの樹脂への転写率は８０～１００％である。
　前記した製造条件を満たすとき、ロールのＲａとＲＰｃの転写率は前記の範囲を満たしやすい。

　ゴム巻ロールの場合、ゴムロ－ルのゴム成分としては、シリコーンゴム、架橋イソプレンゴム、架橋ブチレン・イソプレン共重合体ゴム等が使用される。無機微細粒子としては、シリカ、ゼオライト、焼成クレイ、バ－ミュキライト、タルク、マイカ、アルミナが挙げられる。粒子の平均粒径は、１～１００μｍが好ましい。また、配合量は５～８０重量部が好ましい。粒子の平均粒径によりＲａが、配合量によってＲＰｃが制御できる。

　冷却ロール：
　冷却ロールとしては、型ロールと同様のものが挙げられる。ただし冷却ロールの表面は平滑でも凹凸が形成されていてもよい。
　冷却ロールの表面が平滑な場合は、片面が平滑な離型フィルムが得られ、冷却ロールの表面に特定の凹凸を反転した形状の凹凸が形成されている場合は、両面に特定の凹凸を有する離型フィルムが得られる。

　離型フィルムの材料としてフッ素樹脂を用いる場合はフッ素樹脂の熱加工温度が比較的高いことから、ロールの材料としては耐熱性の高い材料が好ましい。ロール材料の耐熱温度は、１５０℃以上が好ましい。よって、冷却ロールの材料としては、耐熱性、耐久性の点から、金属、セラミック、シリコーンゴム、アラミド紙が好ましい。金属製の冷却ロールの表面は、硬さを増すために、セラミックコーティング、セラミック焼結、セラミック蒸着、超硬金属溶射、メッキ、浸炭、窒化等の表面改質を施されていてもよい。

　方法(ｉ)、（ｉｉ）では、ロールの表面の凹凸のほか、加工速度、離型フィルム用樹脂のＭＦＲ、ロールの押圧、ダイスとロールの距離等を調整することによって、ＲａやＲＰｃを調整できる。
　たとえば同じ型ロールを用いた場合、加工速度が速いほど、ＲａやＲＰｃが大きくなる傾向がある。しかし、上記記載の製造条件と上記記載ロールを用いた場合、Ｒａ１．３～２．５、ＲＰｃ８０～２００のフィルムを最も製造しやすい。

（作用効果）
　本発明の離型フィルムが半導体パッケージの半導体素子を硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する金型のキャビティ内に、特定のＲａおよびＲＰｃを満たす凹凸を有する面がキャビティ面と接するように配置された場合（すなわち、特定のＲａおよびＲＰｃを満たす凹凸を有する面が第２面である場合）、本発明の離型フィルムは真空吸引によってキャビティ面に沿って引き伸ばされ、キャビティ面に密着し、金型に追従した形状となる。
　本発明の離型フィルムの第２面が特定の凹凸を有する面である場合、離型フィルムの厚さは４０～７５μｍであることが好ましい。本発明の離型フィルムは、厚さが７５μｍ以下であることにより、容易に変形でき、金型のキャビティの形状への追従性に優れる。また、本発明の離型フィルムは、厚さが４０μｍ以上であることにより、ある程度の弾性を有する。
　また、第２面のＲａが１．３μｍ以上、かつＲＰｃが８０以上であることで、上記の真空吸引の際、離型フィルムがキャビティ面を良好に滑り、離型フィルムとキャビティ面との間に空気の抜け残りが生じにくい。そのため、離型フィルムを金型に追従させる際にシワが発生しにくい。また、Ｒａが２．５μｍ以下、かつＲＰｃが２００以下であることで、離型フィルムを金型に追従させる際に、離型フィルムにピンホールが空きにくく、硬化性樹脂の漏れが生じにくい。
　さらに、本発明の離型フィルムは、特定のＲａおよびＲＰｃを満たすように凹凸が形成された第２面を有していることで、巻物の状態から引き出したときに、離型フィルム間の剥離による帯電が生じにくい。そのため、巻物の状態から引き出した離型フィルムを用いて半導体パッケージを製造する際に、離型フィルムに異物が付着しにくく、該異物による半導体パッケージの外観の悪化が生じにくい。
　そのため、本発明の離型フィルムによれば、半導体素子の封止工程で樹脂封止部の外観不良を低減できる。また、金型への硬化性樹脂の付着や、付着した硬化性樹脂を除去するための洗浄工程等の頻度を低減できる。そのため、半導体パッケージの生産性を向上できる。

　また、本発明の離型フィルムを特定の凹凸を有する面が硬化性樹脂と接するように金型のキャビティ面に配置した場合（すなわち、特定のＲａおよびＲＰｃを満たす凹凸を有する面が第１面である場合）、樹脂封止部の表面に、離型フィルム表面の凹凸が正確に転写される。
　転写により表面に凹凸が形成された樹脂封止部は、シンギュレーション時に欠けや割れが生じにくい。また、該表面は、インク層との密着性に優れる。
　また、封止工程後、離型フィルムと樹脂封止部（硬化性樹脂の硬化物）とを剥離する際に、離型フィルムと樹脂封止部との見かけの接触面積が減るため、剥離帯電を低減できる。すなわち、離型フィルム剥離時の放電による半導体素子への損傷を低減できる。この効果は、成形収縮率の大きいエポキシ樹脂を使用すると特に顕著である。したがって、本発明の離型フィルムを用いることで、樹脂封止部に欠けや割れが無く、樹脂封止部表面に形成したインク層が剥がれにくい半導体パッケージを製造することができる。また、その際の製造安定性にも優れる。

〔半導体パッケージ〕
　本発明の離型フィルムを用いて、後述の本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージは、一括封止およびシンギュレーションを経て製造されるものであればよく、たとえば、封止方式がＭＡＰ（Ｍｏｌｄｉｅｄ　Ａｒｒａｙ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式、またはＷＬ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｂｅｌ　ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式である半導体パッケージ等が挙げられる。
　半導体パッケージの形状としては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。

　図１は、半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。この例の半導体パッケージ１は、いわゆるＭＡＰ－ＢＧＡ形状の半導体パッケージである。
　半導体パッケージ１は、基板１０と、基板１０の上に実装された半導体チップ（半導体素子）１２と、半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４と、樹脂封止部１４の上面１４ａに形成されたインク層１６とを有する。
　半導体チップ１２は、表面電極（図示なし）を有し、基板１０は、半導体チップ１２の表面電極に対応する基板電極（図示なし）を有し、表面電極と基板電極とはボンディングワイヤ１８によって電気的に接続されている。
　樹脂封止部１４の上面１４ａには、本発明の離型フィルムの第１面の凹凸等が正確に転写されており、本発明の離型フィルムの第１面が特定の凹凸を有する面である場合、上面１４ａのＲａは１．３～２．５μｍ、ＲＰｃは８０～２００である。

　樹脂封止部１４の厚さ（基板１０の半導体チップ１２設置面から樹脂封止部１４の上面１４ａまでの最短距離）は、特に限定されないが、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋１ｍｍ」以下が好ましく、「半導体チップ１２の厚さ」以上「半導体チップ１２の厚さ＋０．５ｍｍ」以下が特に好ましい。
　本発明者らの検討によれば、シンギュレーション時に樹脂封止部の欠けや割れは、半導体パッケージ１が薄型化するほど生じやすく、樹脂封止部１４の厚さが薄いほど、シンギュレーション時の欠けや割れを抑制できる本発明の有用性が高い。

〔半導体パッケージの製造方法〕
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、下記の製造方法（１）と製造方法（２）である。
　本発明の半導体パッケージの製造方法（１）：
　半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、前述した本発明の離型フィルムであってかつ少なくとも第２面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
　前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

　本発明の半導体パッケージの製造方法（２）：
　半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の表面に形成されたインク層とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、前述した本発明の離型フィルムであってかつ少なくとも第１面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、複数の半導体素子が実装された基板を配置し、該複数の半導体素子を硬化性樹脂で一括封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程と、
　前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程と、
　前記一括封止体または個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

　本発明の半導体パッケージの製造方法は、本発明の離型フィルムを用いること以外は、公知の製造方法を採用できる。
　たとえば樹脂封止部の形成方法としては、圧縮成形法またはトランスファ成形法が挙げられ、この際に使用する装置としては、公知の圧縮成形装置またはトランスファ成形装置を用いることができる。製造条件も、公知の半導体パッケージの製造方法における条件と同じ条件とすればよい。

　本発明の半導体パッケージの製造方法としては、樹脂封止部の形成方法によって、下記の方法（α）と方法（β）の２種類が挙げられる。
　方法（α）は、圧縮成形法で樹脂封止部を形成する方法であり、方法（β）は、トランスファ成形法で樹脂封止部を形成する方法である。

　方法（α）：下記の工程（α１）～（α７）を有する方法。
　（α１）本発明の離型フィルムを、離型フィルムが金型のキャビティを覆いかつ離型フィルムの第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程。
　（α２）離型フィルムを金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
　（α３）キャビティ内に硬化性樹脂を充填する工程。
　（α４）複数の半導体素子が実装された基板をキャビティ内の所定の位置に配置し、硬化性樹脂によって複数の半導体素子を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
　（α５）金型内から一括封止体を取り出す工程。
　（α６）前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程。
　（α７）個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、半導体パッケージを得る工程。

　方法（β）：下記の工程（β１）～（β７）を有する方法。
　（β１）本発明の離型フィルムを、離型フィルムが金型のキャビティを覆いかつ離型フィルムの第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程。
　（β２）離型フィルムを金型のキャビティ面の側に真空吸引する工程。
　（β３）複数の半導体素子が実装された基板をキャビティ内の所定の位置に配置する工程。
　（β４）キャビティ内に硬化性樹脂を充填し、該硬化性樹脂によって複数の半導体素子を一括封止して樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程。
　（β５）金型内から一括封止体を取り出す工程。
　（β６）前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程。
　（β７）個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、半導体パッケージを得る工程。

（第１実施形態）
　半導体パッケージの製造方法の一実施形態として、図１に示した半導体パッケージ１を方法（α）により製造する場合について詳細に説明する。

　金型：
　第１実施形態における金型としては、圧縮成形法に用いる金型として公知のものを使用できる。たとえば、図２に示すように、固定上型２０と、キャビティ底面部材２２と、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４とを有する金型が挙げられる。
　固定上型２０には、基板１０と固定上型２０との間の空気を吸引することによって基板１０を固定上型２０に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。また、キャビティ底面部材２２には、離型フィルム３０とキャビティ底面部材２２との間の空気を吸引することによって離型フィルム３０をキャビティ底面部材２２に吸着するための真空ベント（図示略）が形成されている。
　この金型においては、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面によって、工程（α４）で形成する樹脂封止部１４の形状に対応する形状のキャビティ２６が形成される。
　以下、キャビティ底面部材２２の上面および可動下型２４の内側側面を総称してキャビティ面ともいう。

　工程（α１）：
　可動下型２４上に、キャビティ底面部材２２の上面を覆うように離型フィルム３０を配置する。このとき離型フィルム３０は、第１面を上側（キャビティ底面部材２２方向とは反対方向）に向けて配置される。
　離型フィルム３０は、巻出ロール（図示略）から送られ、巻取ロール（図示略）で巻き取られる。離型フィルム３０は、巻出ロールおよび巻取ロールによって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて、可動下型２４上に配置される。

　工程（α２）：
　別途、キャビティ底面部材２２の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、キャビティ底面部材２２の上面と離型フィルム３０との間の空間を減圧し、離型フィルム３０を引き伸ばして変形させて、キャビティ底面部材２２の上面に真空吸着させる。さらに、キャビティ底面部材２２の周縁に配置された枠状の可動下型２４を締め、離型フィルム３０を全方向から引っ張り、緊張状態にさせる。
　なお、高温環境下での離型フィルム３０の強度、厚さ、キャビティ底面部材２２の上面と可動下型２４の内側側面によって形成された凹部の形状によって、離型フィルム３０は、キャビティ面に密着するとは限らない。工程（α２）の真空吸着の段階では、図２に示すように、離型フィルム３０とキャビティ面との間に空隙が少し残っていてもよい。

　工程（α３）：
　図２に示すように、硬化性樹脂４０を、アプリケータ（図示略）によって、キャビティ２６内の離型フィルム３０の上に適量充填する。
　また、別途、固定上型２０の真空ベント（図示略）を通じて真空吸引し、固定上型２０の下面に、複数の半導体チップ１２が実装された基板１０を真空吸着させる。

　硬化性樹脂４０としては、半導体パッケージの製造に用いられている各種の硬化性樹脂を用いてよい。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
　エポキシ樹脂としては、たとえば住友ベークライト社製のスミコンＥＭＥ　Ｇ７７０Ｈ　ｔｙｐｅ　Ｆ　ｖｅｒ．　ＧＲ、ナガセケムテックス社製のＴ６９３／Ｒ４７１９－ＳＰ１０等が挙げられる。
　シリコーン樹脂の市販品としては、信越化学工業社製のＬＰＳ－３４１２ＡＪ、ＬＰＳ－３４１２Ｂ等が挙げられる。

　本発明においては、特に、剥離帯電を抑制できる点から、硬化性樹脂４０が、成形収縮率の大きい樹脂であることが好ましい。
　硬化性樹脂の成形収縮率が大きいことは、通常、所望の形状の樹脂封止部を正確に形成する点では好ましくない。しかし本発明者らの検討によれば、成形収縮率が大きいと、硬化時に硬化性樹脂が縮み、離型フィルムの凸凹部において、見かけの接触面積が少なくなる。離型フィルムとの接触面積が少ないと、樹脂封止部（硬化性樹脂の硬化物）から離型フィルムを剥離する際に、剥離による離型フィルムの帯電を抑制でき、離型フィルムからの放電による半導体素子の損傷が生じにくい。
　硬化性樹脂４０の成形収縮率は、０．０５～０．１５％が好ましく、０．１～０．１３％が特に好ましい。成形収縮率が前記範囲の下限値以上では、離型フィルムの凸凹と樹脂封止部との見かけの接触面積が充分に下がり、剥離帯電を防止できる。成形収縮率が前記範囲の上限値以下では、半導体パッケージの反りが小さく、実用に適する。
　硬化性樹脂４０の成形収縮率は、ＪＩＳ　Ｋ６９１１－１９９５　５．７に準拠し、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間５分の成形条件でトランスファ成形した際に測定される値である。すなわち、所定の形状の金型を用い、前記の成形条件で硬化性樹脂４０を成形する。成形後、成形品を金型から取り出し、大気中で放冷する。放冷は、２３±２℃以内、相対湿度５０±５％以内の環境下に２４±１時間静置することにより行う。金型の寸法と放冷後の成形品の寸法との差が成形収縮であり、金型の寸法に対する成形収縮の百分率が成形収縮率である。

　硬化性樹脂４０には、カーボンブラック、熔融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が含まれてもよい。
　なお、ここでは、硬化性樹脂４０として固体のものを充填する例を示したが、本発明はこれに限定されず、液状の硬化性樹脂を充填してもよい。

　工程（α４）：
　図３に示すように、キャビティ２６内の離型フィルム３０の上に硬化性樹脂４０を充填した状態で、キャビティ底面部材２２および可動下型２４を上昇させ、固定上型２０と型締めする。
　次いで、図４に示すように、キャビティ底面部材２２のみ上昇させるとともに金型を加熱して硬化性樹脂４０を硬化させ、半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４を形成する。
　工程（α４）においては、キャビティ底面部材２２を上昇させたときの圧力によって、キャビティ２６内に充填された硬化性樹脂４０がさらにキャビティ面に押し込まれる。これによって離型フィルム３０が引き伸ばされて変形し、キャビティ面に密着する。そのため、キャビティ２６の形状に対応した形状の樹脂封止部１４が形成される。このとき、離型フィルム３０の第１面に凹凸が形成されている場合は、樹脂封止部１４の、離型フィルム３０の第１面と接していた面に、該第１面の凹凸が転写される。

　金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、１００～１８５℃が好ましく、１５０～１８０℃が特に好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、半導体パッケージ１の生産性に優れる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、硬化性樹脂４０の劣化が抑えられる。
　硬化性樹脂４０の熱膨張率に起因する樹脂封止部１４の形状変化を抑制する点から、半導体パッケージ１の保護が特に求められる場合には、前記範囲内においてできるだけ低い温度で加熱することが好ましい。

　工程（α５）：
　固定上型２０とキャビティ底面部材２２と可動下型２４とを型開きし、一括封止体を取り出す。
　一括封止体を離型すると同時に、離型フィルム３０の使用済み部分を巻取ロール（図示略）に送り、離型フィルム３０の未使用部分を巻出ロール（図示略）から送り出す。
　巻出ロールから巻取ロールへ搬送する際の離型フィルム３０の厚さは１６μｍ以上が好ましい。厚さが１６μｍ未満では、離型フィルム３０の搬送時にしわが生じやすい。離型フィルム３０にしわが入ると、しわが樹脂封止部１４に転写されて製品不良となるおそれがある。厚さが１６μｍ以上であれば、離型フィルム３０に張力を充分にかけることによって、しわの発生を抑えることができる。

　工程（α６）：
　金型内から取り出した一括封止体の基板１０および樹脂封止部１４を、複数の半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る。
　個片化は、公知の方法により行うことができ、たとえばダイシング法が挙げられる。ダイシング法は、ダイシングブレードを回転させながら対象物を切断する方法である。ダイシングブレードとしては、典型的には、ダイヤモンド粉を円盤の外周に焼結した回転刃（ダイヤモンドカッター）が用いられる。ダイシング法による個片化は、たとえば、切断対象物である一括封止体を、治具を介して処理台上に固定し、切断対象物の切断領域と前記治具の間にダイシングブレードを挿入する空間がある状態で前記ダイシングブレードを走行させる方法により行うことができる。
　工程（α６）においては、前記のように一括封止体を切断する工程（切断工程）の後、前記ダイシングブレードを覆うケースから離れた位置に配置されるノズルから前記切断対象物に向かって液体を供給しながら前記処理台を移動させる異物除去工程が含まれてもよい。

　工程（α７）：
　工程（α６）で得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム３０の第１面と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１を得る。
　インク層１６によって表示される情報としては、特に限定されず、シリアルナンバー、製造メーカに関する情報、部品の種別等が挙げられる。
　インクの塗布方法は、特に限定されず、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷、ゴム版からの転写等の各種印刷法が適用できる。
　インクとしては、特に限定されず、公知のインクのなかから適宜選択できる。
　インク層１６の形成方法としては、硬化速度が速くパッケージ上での滲みが少ない、また熱風を当てないのでパッケージの位置ずれが少ない等の点で、光硬化型のインクを使用し、該インクをインクジェット法により樹脂封止部１４の上面１４ａに付着させ、該インクを光の照射により硬化させる方法が好ましい。

　光硬化型のインクとしては、典型的には、重合性化合物（モノマー、オリゴマー等）を含むものが用いられる。インクには、必要に応じて、顔料、染料等の色材、液体媒体（溶媒または分散媒）、重合禁止剤、光重合開始剤、その他各種添加剤等が添加される。その他の添加剤としては、たとえば、スリップ剤、重合促進剤、浸透促進剤、湿潤剤（保湿剤）、定着剤、防黴剤、防腐剤、酸化防止剤、放射線吸収剤、キレート在、ｐＨ調整剤、増粘剤等が挙げられる。

　光硬化型のインクを硬化する光としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、放射線等が挙げられる。
　紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、紫外線発光ダイオード、紫外線レーザーダイオード、自然光等が挙げられる。
　光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。

　なお、本実施形態においては、工程（α５）の後、工程（α６）、工程（α７）をこの順で行う例を示したが、工程（α６）、工程（α７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。

（第２実施形態）
　半導体パッケージの製造方法の他の実施形態として、図１に示した半導体パッケージ１を方法（β）により製造する場合について詳細に説明する。

金型：
　第２実施形態における金型としては、トンラスファ成形法に用いる金型として公知のものを使用できる。たとえば、図５に示すように、上型５０と下型５２とを有する金型が挙げられる。上型５０には、工程（β４）で形成する樹脂封止部１４の形状に対応する形状のキャビティ５４と、キャビティ５４に硬化性樹脂４０を導く凹状の樹脂導入部６０とが形成されている。下型５２には、半導体チップ１２を搭載した基板１０を設置する基板設置部５８と、硬化性樹脂４０を配置する樹脂配置部６２とが形成されている。また、樹脂配置部６２内には、硬化性樹脂４０を上型５０の樹脂導入部６０へと押し出すプランジャ６４が設置されている。

　工程（β１）：
　図６に示すように、上型５０のキャビティ５４を覆うように離型フィルム３０を配置する。離型フィルム３０は、キャビティ５４および樹脂導入部６０の全体を覆うように配置することが好ましい。離型フィルム３０は、巻出ロール（図示略）および巻取ロール（図示略）によって引っ張られるため、引き伸ばされた状態にて上型５０のキャビティ５４を覆うように配置される。

　工程（β２）：
　図７に示すように、上型５０のキャビティ５４の外部に形成した溝（図示略）を通じて真空吸引し、離型フィルム３０とキャビティ面５６との間の空間、および離型フィルム３０と樹脂導入部６０の内壁との間の空間を減圧し、離型フィルム３０を引き伸ばして変形させて、上型５０のキャビティ面５６に真空吸着させる。
　なお、高温環境下での離型フィルム３０の強度、厚さ、またキャビティ５４の形状によって、離型フィルム３０は、キャビティ面５６に密着するとは限らない。図７に示すように、工程（β２）の真空吸着の段階では、離型フィルム３０とキャビティ面５６との間には、空隙が少し残る。

　工程（β３）：
　図８に示すように、複数の半導体チップ１２を実装した基板１０を、基板設置部５８に設置して上型５０と下型５２とを型締めし、複数の半導体チップ１２をキャビティ５４内の所定の位置に配置する。また、樹脂配置部６２のプランジャ６４上には、硬化性樹脂４０をあらかじめ配置しておく。
　硬化性樹脂４０としては、方法（α）で挙げた硬化性樹脂４０と同様のものが挙げられる。

　工程（β４）：
　図９に示すように、下型５２のプランジャ６４を押し上げ、樹脂導入部６０を通じてキャビティ５４内に硬化性樹脂４０を充填する。次いで、金型を加熱し、硬化性樹脂４０を硬化させ、複数の半導体チップ１２を封止する樹脂封止部１４を形成する。
　工程（β４）においては、キャビティ５４内に硬化性樹脂４０が充填されることによって、樹脂圧力によって離型フィルム３０がさらにキャビティ面５６側に押し込まれ、引き延ばされて変形することによってキャビティ面５６に密着する。そのため、キャビティ５４の形状に対応した形状の樹脂封止部１４が形成される。

　硬化性樹脂４０を硬化させる際の金型の加熱温度、すなわち硬化性樹脂４０の加熱温度は、方法（α）における温度範囲と同じ範囲とすることが好ましい。
　硬化性樹脂４０の充填時の樹脂圧は、２～３０ＭＰａが好ましく、３～１０ＭＰａが特に好ましい。樹脂圧が前記範囲の下限値以上であれば、硬化性樹脂４０の充填不足等の欠点が生じにくい。樹脂圧が前記範囲の上限値以下であれば、優れた品質の半導体パッケージ１が得られやすい。硬化性樹脂４０の樹脂圧は、プランジャ６４によって調整できる。

　工程（β５）：
　図１０に示すように、一括封止体１Ａを金型から取り出す。このとき、樹脂導入部６０内で硬化性樹脂４０が硬化した硬化物１９が、一括封止体１Ａの樹脂封止部１４に付着した状態で一括封止体１Ａとともに金型から取り出される。そのため、取り出された一括封止体１Ａに付着している硬化物１９を切除して、一括封止体１Ａを得る。

　工程（β６）：
　工程（β５）で得られた一括封止体１Ａの基板１０および樹脂封止部１４を、半導体チップ１２が分離するように切断（個片化）して、基板１０と少なくとも１つの半導体チップ１２と半導体チップ１２を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る。
　工程（β６）は、工程（α６）と同様にして行うことができる。

　工程（β７）：
　得られた個片化封止体の樹脂封止部１４の上面（離型フィルム３０の第１面と接していた面）１４ａに、任意の情報を表示するために、インクを塗布し、インク層１６を形成して半導体パッケージ１を得る。
　工程（β７）は、工程（α７）と同様にして行うことができる。

　なお、本実施形態においては、工程（β５）の後、工程（β６）、工程（β７）をこの順で行う例を示したが、工程（β６）、工程（β７）を逆の順番で行ってもよい。すなわち、金型から取り出した一括封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成し、その後、一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断してもよい。

　以上、本発明の半導体パッケージの製造方法について、第１～第２実施形態を示して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態における各構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。
　たとえば、製造する半導体パッケージは、半導体パッケージ１に限定されない。たとえば半導体チップや、その他部品が封止部から露出しており、離型フィルムに直接接していてもよい。あるいは封止部は平らではなく、段差があってもよい。
　離型フィルムから樹脂封止部を剥離するタイミングは、金型から樹脂封止部を取り出す時に限定されず、金型から離型フィルムとともに樹脂封止部を取り出し、その後、樹脂封止部から離型フィルムを剥離してもよい。
　一括封止する複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離は均一でもよく均一でなくてもよい。封止が均質にでき、複数の半導体チップ１２それぞれに均一に負荷がかかる（すなわち負荷が最も小さくなる）点から、複数の半導体チップ１２それぞれの間の距離を均一にすることが好ましい。

　また、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造する半導体パッケージは、半導体パッケージ１に限定されない。たとえば半導体チップや、その他部品が封止部から露出しており、離型フィルムに直接接していてもよい。あるいは封止部は平らではなく、段差があってもよい。
　製造する半導体パッケージによっては、第１実施形態における工程（α６）～（α７）、第２実施形態における工程（β６）～（β７）は行わなくてもよい。
　たとえば樹脂封止部の形状は、図１に示すような断面略矩形のものに限定されない。樹脂封止部に封止される半導体素子は１つでも複数でもよい。インク層は必須ではない。
　半導体パッケージとして発光ダイオードを製造する場合、樹脂封止部はレンズ部としても機能するため、通常、樹脂封止部の表面にはインク層は形成されない。レンズ部である場合、樹脂封止部の形状は、略半球型、砲弾型、フレネルレンズ型、蒲鉾型、略半球レンズアレイ型等の各種のレンズ形状が採用できる。

　以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。
　後述する例１～２９のうち、例１～９および例１８～２３は実施例であり、例１０～１５、１７および例２４～２９は比較例である。例１６は参考例である。
　各例で使用した材料および評価方法を以下に示す。

〔使用材料〕
　ＥＴＦＥ（１）：後述の製造例１で得た、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．７／４５．９／１．４（モル比）であるＥＴＦＥ（ＭＦＲ：１２．０ｇ／１０分、融点：２６２℃）。
　ＥＴＦＥ（２）：後述の製造例２で得た、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．７／４６．５／０．８（モル比）であるＥＴＦＥ（ＭＦＲ１０．１ｇ／１０分、融点：２６８℃）。
　ＥＴＦＥ（３）：後述の製造例３で得た、テトラフロロエチレン／エチレン／ＰＦＢＥ＝５２．７／４５．８／１．５（モル比）であるＥＴＦＥ（ＭＦＲ：５．４ｇ／１０分、融点：２６１℃）。
　なお、ＥＴＦＥ（１）～（３）のＭＦＲはいずれも、ＡＳＴＭ　Ｄ３１５９準拠して、荷重４９Ｎ、測定温度２９７℃にて測定した値である

　＜製造例１：ＥＴＦＥ（１）の製造＞
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気して、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８８１．９ｇ、１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン（商品名「ＡＫ２２５ｃｂ」旭硝子社製。以下、ＡＫ２２５ｃｂという。）の３３５．５ｇ、ＣＨ_２＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（ＰＦＢＥ）の７．０ｇを仕込み、ＴＦＥの１６５．２ｇ、エチレン（以下、Ｅという。）の９．８ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、重合開始剤溶液としてターシャリーブチルパーオキシピバレート（以下、ＰＢＰＶという。）の１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の７．７ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
　重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、モノマー混合ガスの仕込みに合わせて、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して１．４モル％に相当する量のＰＦＢＥを連続的に仕込んだ。重合開始から２．９時間後、モノマー混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内温を室温まで降温するとともに重合槽の圧力を常圧までパージした。
　スラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、固形分を回収して１５０℃で１５時間乾燥することにより、ＥＴＦＥ（１）の１０７ｇを得た。

　＜製造例２：ＥＴＦＥ（２）の製造＞
　重合を開始させる前に仕込むＰＦＢＥの量を７．０ｇから３．９ｇに、ＰＢＰＶの１質量％のＡＫ２２５ｃｂ溶液の量を７．７ｍＬから５．８ｍＬにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むＰＦＢＥの量を、ＴＦＥとＥの合計モル数に対して１．４モル％から０．８モル％に変更した以外は製造例１と同様にして、ＥＴＦＥ（２）の１０５ｇを得た。

　＜製造例３：ＥＴＦＥ（３）の製造＞
　重合を開始させる前に仕込む１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの量を８８１．９ｇｇから９５４．９ｇに、ＡＫ２２５ｃｂの量を３３５．５ｇから２６７．８ｇに、ＰＦＢＥの量を７．０ｇから７．１ｇに、ＴＦＥの量を１６５．２ｇから１５８．５ｇに、Ｅの量を９．８ｇから９．４ｇにそれぞれ変更し、重合中に連続的に仕込むＰＦＢＥの量を（ＴＦＥとＥの合計モル数に対して）１．４モル％から１．５モル％に変更した以外は製造例１と同様にして、ＥＴＦＥ（３）の１０２ｇを得た。

　＜押し当てロール＞
　押し当てロールは型ロールを使用した。
　すべて、ショアＤ硬度５０、シリカ含有のシリコーンゴム巻ロールを用いた。
　型ロール１～８の組成、Ｒａ、ＲＰｃを表１に示す。

＜冷却ロール＞
　型ロール１～８のいずれか、または金属鏡面ロール（材質：ＳＵＳ３０４　Ｒａ：０．２５、ＲＰｃ：５５）を用いた。

〔例１〕
　ＥＴＦＥ（１）を、厚さが５０μｍになるようにリップを調整した押出機により、ダイスより押し出され、ロールに引き取られる直前の樹脂温度が３００℃となるように温度を調整して溶融押出しし、型ロールと金属鏡面の冷却ロール間に引き取った。パラメーターを下記のように調整して片面がＲａ：１．７μｍ、ＲＰｃ：１００となるような離型フィルム（ＥＴＦＥフィルム）を得た。冷却ロールにより形成される面のＲａは０．２μｍ、ＲＰｃは５０とした。
　製造条件
　　ロール：型ロール１／金属鏡面ロール
　　ロール間加圧力：５０Ｎ／ｃｍ
　　３００℃における溶融粘度：１，０００Ｐａ・ｓ
　　３００℃における溶融粘度／ロール間加圧力:２０

〔例２～２９〕
　ＥＴＦＥとして表２～５に示すものを使用し、厚さ、片面のＲａ、ＲＰｃが表２～５に示す値となるように型ロール、製膜速度、ロール間加圧力を調整した以外は例１と同様にして離型フィルム（ＥＴＦＥフィルム）を得た。なお、Ｒａが０．２μｍ、ＲＰｃが５０の面は冷却ロールにより形成された面である。

〔評価方法〕
（ＭＦＲ）
　ＡＳＴＭ　Ｄ３１５９に準拠して、荷重４９Ｎ、２９７℃にて測定した。
（融点）
　走査型示差熱分析器（ＳＩＩナノテクノロジーズ社製、ＤＳＣ２２０ＣＵ）を用いて、ＥＴＦＥを空気雰囲気下に３００℃まで１０℃／分で加熱した際の吸熱ピークから求めた。
（樹脂温度）
　ダイスより押し出され、２本のロールに引き取られる直前の位置に、樹脂温度センサーＧＲＭＴ（ダニスコ社製）を設置し、溶融樹脂の温度を直接温度計に接触させて測定した。
（溶融粘度）
　キャピログラフ１Ｄ（東洋精機社製）を使用して測定した。測定温度は上記の方法により測定した樹脂温度とし、炉体径は９．５５ｍｍ、キャピラリーは内径１ｍｍ、長さ１０ｍｍの物を使用した。せん断速度が１０／秒となるようにピストンスピードを調整し、その際の見かけの粘度を求めた。

（フィルムの厚さの測定）
　ＩＳＯ４５９１：１９９２（ＪＩＳ　Ｋ７１３０：１９９９のＢ１法）に準拠して測定した。
（フィルムの引張弾性率の測定）
　ＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９（ＩＳＯ　５２７－３：１９９５）に準拠した方法で１８０℃における引張弾性率を測定した。

（Ｒａ）
　Ｒａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定した。基準長さ（カットオフ値λｃ）は０．８ｍｍとした。測定に際しては、ＳＵＲＦＣＯＭ　４８０Ａ（東京精密社製）を用い、フィルムの製造時の流れ方向に対して直交する方向について３か所、および平行な方向について３か所の計６か所についてＲａを求め、それらの平均値を当該表面のＲａとした。

（ＲＰｃ）
　ＲＰｃは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３（ＩＳＯ４２８７：１９９７，Ａｍｄ．１：２００９）に基づき測定した。基準長さは１０ｍｍとした。測定に際しては、ＳＵＲＦＣＯＭ　４８０Ａ（東京精密社製）を用い、フィルムの製造時の流れ方向に対して直交する方向について３か所、および平行な方向について３か所の計６か所についてＲＰｃを求め、それらの平均値を当該表面のＲＰｃとした。

（ピンホールの開きにくさの評価）
　図１１を参照して本評価方法を説明する。
　本評価に用いた装置は、中央に１１ｍｍ×１１ｍｍの正方形の穴があるステンレス製の枠材（厚さ３ｍｍ）７０と、内部に枠材７０を収容可能な空間Ｓを有する治具７２と、治具７２の上に配置されたおもり７４と、治具７２の下に配置されたホットプレート７６とを備える。
　治具７２は、上部部材７２Ａと下部部材７２Ｂとを備える。上部部材７２Ａと下部部材７２Ｂとの間に離型フィルム３０をはさみ、おもり７４を載せることで、離型フィルム３０が固定されるとともに、気密な空間Ｓが形成される仕様になっている。このとき枠材７０は、穴の中にステンレス製のコマ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）７８およびステンレス製のメッシュ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）８０が収容された状態で、治具７２内の上部部材７２Ａ側に収容され、離型フィルム３０と接する。
　上部部材７２Ａの天面には排気口８４が形成され、排気口８４の空間Ｓ側の開口面にはステンレス製のメッシュ（１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍ）８２が配置されている。また、おもり７４の排気口８４に対応した位置には貫通孔８６が形成されており、貫通孔８６を通って配管Ｌ１が排気口８４に接続されている。配管Ｌ１には真空ポンプ（図示略）が接続されており、真空ポンプを作動させることによって治具７２内の空間Ｓを減圧できるようになっている。下部部材７２Ｂには配管Ｌ２が接続されており、配管Ｌ２を介して治具７２内の空間Ｓに圧縮空気を供給できるようになっている。
　この装置においては、枠材７０の穴の中にメッシュ８０を入れることで離型フィルム３０とコマ７８との間の空気を真空ポンプで抜けるようになっている。また、枠材７０の穴の中に入れるコマ７８の厚さを変えることで、追従深さを変えることができるようになっている。追従深さは、枠材７０の下面（離型フィルム３０が接触する面）と、コマ７８の下面（離型フィルム３０側の面）との間の距離を示す。

　評価においては、まず、離型フィルム３０を枠材７０に密着させて治具７２に固定した。このとき離型フィルム３０は、第２面を上側（枠材側）に向けて配置した。次に、ホットプレート７６で治具７２全体を１８０℃まで熱したのち、真空ポンプを作動させてコマ７８と離型フィルム３０との間の空気を抜いた。さらに配管Ｌ２から圧縮空気（０．５ＭＰａ）を空間Ｓ内に供給して、離型フィルム３０を枠材７０とコマ７８に追従させた。その状態を３分間維持し、真空ポンプの真空度をチェックしたのちに真空ポンプの作動および圧縮空気の供給を停止し、速やかに離型フィルム３０を取り出した。取り出した離型フィルム３０について、ピンホールの有無を目視で確認した。
　上記の一連の操作を、コマ７８の厚さを変えることにより０．１ｍｍ間隔で追従深さを段階的に深くしながら、離型フィルム３０にピンホールが開くまで繰り返し、ピンホールが開かない最大追従深さ（ｍｍ）を求めた。最大追従深さが深いほど、ピンホールが開きにくいことを示す。

（シワの発生しにくさの評価）
　図１２を参照して本評価方法を説明する。
　本評価で用いた金型は、金属製の固定下型（２０ｍｍ×２０ｍｍ）９０と、固定下型９０の周縁に配置された金属製の枠状の可動横型９２とを有する。この金型においては、可動横型９２を上下に移動させることで、固定下型９０と可動横型９２との段差を変更できるようになっている。なお、該段差は、固定下型９０の上面と可動横型９２の上面と間の距離を示す。
　可動横型９２は、離型フィルム３０をはさみこんで固定する仕様になっている。
　固定下型９０には、排気口（図示略）が形成されおり、該排気口には配管Ｌ３が接続されている。この配管Ｌ３には真空ポンプ（図示略）が接続されており、真空ポンプを作動させることによって、離型フィルム３０と固定下型９０との間の空気を吸引し、離型フィルム３０を固定下型９０に吸着できるようになっている。固定下型９０の上面（離型フィルム３０が触れる面）は鏡面加工（＃８００）されている。

　評価においては、まず、図１２（ａ）に示すように、可動横型９２上に離型フィルム３０を配置し、固定した。このとき離型フィルム３０は、第２面を下側（固定下型９０方向）に向けて配置した。この時点の固定下型９０と可動横型９２との段差は１ｍｍとした。
　次に、固定下型９０を含めた金型全体を、ホットプレート（図示略）の上に配置し、１８０℃に加熱した。この状態で、図１２（ｂ）に示すように、真空ポンプを作動させ、配管Ｌ３を介して固定下型９０の上面と離型フィルム３０との間の空気を抜き、離型フィルム３０を固定下型９０の上面に真空吸着させた。
　引き続き１８０℃に加熱した状態で、図１２（ｃ）に示すように、可動横型９２を下降させ、固定下型９０と可動横型９２との段差を０．３ｍｍとした（離型フィルム３０が余る方向）。この際に固定下型９０の上面にて離型フィルム３０にシワや空気抜け残り（ボイド）が発生するか否かを目視で観察した。その結果から、下記の評価基準で、シワの発生しにくさを評価した。
　＜評価基準＞
　○（良好）：離型フィルムにシワや空気抜け残りが見られない。
　×（不可）：離型フィルムにシワや空気抜け残りが見られる。

　例１～１７で得た離型フィルムについて、その型ロールにより形成された面を第２面、押し当てロールにより形成された面を第１面として使用して上記評価を行い、ピンホールの開きにくさ（最大追従深さ）、シワの発生しにくさを評価した。結果を表２、３に示す。

　上記結果に示すとおり、厚さが４０～７５μｍで、第２面のＲａが１．３～２．５μｍ、ＲＰｃが８０～２００である例１～９の離型フィルムは、最大追従深さが０．６ｍｍ以上であり、金型への追従時にピンホールが開きにくいものであった。また、これらの離型フィルムは、金型への追従時にシワが発生しにくいものであった。
　一方、Ｒａが２．５μｍ超である例１０の離型フィルム、第２面のＲＰｃが２００超の例１２、１４、１５の離型フィルムは、金型への追従時にピンホールが開きやすいものであった。
　Ｒａが１．３μｍ未満である例１１、１７の離型フィルム、ＲＰｃが８０未満である例１３の離型フィルムは、金型への追従時にシワが発生しやすいものであった。また、第２面に凹凸を有する離型フィルムでは、フィルムが薄い場合には金型への追従時にシワが発生しやすかった（例１６）。

（評価サンプルの作製）
　１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の金属板（厚さ３ｍｍ）の上に、大きさ１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状のポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックス　１２５Ｓ、宇部興産株式会社製、厚さ１２５μｍ）を乗せた。該ポリイミドの上にさらに、スペーサーとして、１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状で、中央に１０ｃｍ×８ｃｍの長方形状の穴が開いたポリイミドフィルム（厚さ３ｍｍ）を乗せた。その穴の中心付近に半導体封止用エポキシ顆粒樹脂（商品名：スミコンＥＭＥ　Ｇ７７０Ｈ　ｔｙｐｅ　Ｆ　ｖｅｒ．　ＧＲ、住友ベークライト社製、成形収縮率１．０％）を２ｇ乗せた。さらにその上に、１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の離型フィルムを、第１面を下側（エポキシ樹脂側）に向けて乗せ、最後にその上に１５ｃｍ×１５ｃｍの正方形状の金属板（厚さ３ｍｍ）を乗せ、積層サンプルとした。
　該積層サンプルを、１８０℃で熱したプレス機（５０ｔプレス機、プレス面積４５ｃｍ×５０ｃｍ）に入れ、１００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で５分間プレスした。
　プレス後、スペーサー、離型フィルム、および離型フィルム側の金属板を取り除いた。これにより、金属板とエポキシ樹脂板とが積層してなる評価サンプルを得た。

（インク密着性の評価）
　紫外線（ＵＶ）硬化型インク（品番：４４６６、マーケム・イマージュ社製）を酢酸エチルで３倍に希釈した。希釈したインクを評価サンプルのエポキシ樹脂面（評価サンプル作製時に離型フィルムの第１面と接触していた面）にバーコーター＃３を使用して塗布した。塗布量は１ｇ／ｍ^２とした。塗布後、評価サンプルを１００℃の熱風オーブンに入れ、３分間、乾燥させた。
　上述のインクを塗布し乾燥させた評価サンプルを、ＵＶ照射装置に１０秒間、３ｋＷの条件でＵＶを照射し、インクを硬化させてインク層を形成した。
　形成したインク層のエポキシ樹脂面に対する密着性を、ＩＳＯ２４０９（ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６－２００９）に基づいて評価した。その結果から、以下の基準でインク密着性を評価した。◎および○が実用上許容できる評価基準である。
　◎（優良）：どの格子の目にも剥がれがない。
　○（良好）：格子の一部に剥がれが認められる。
　△（不良）：格子の５０％以上に剥がれが認められる。
　×（不可）：全面に剥がれが認められる。

（シンギュレーション時の欠け、割れの評価）
　評価サンプルから金属板を取り除き、残ったエポキシ樹脂板を、ダイシングブレード（直径Φ５ｃｍ、厚み０．１ｍｍのダイヤモンドカッター）にて切断し、断面を水洗した。その後、断面を光学顕微鏡（倍率１００倍）で観察し、下記の基準で、シンギュレーション時の欠け、割れの生じにくさを評価した。
　○（良好）：断面に欠けや割れがない。
　×（不可）：断面に欠けや割れがある。

　例１～６で使用した離型フィルムと同じ離型フィルムを用いて、その型ロールにより形成された面を第１面、押し当てロールにより形成された面を第２面として使用して上記評価サンプルを作製し、インク密着性、およびシンギュレーション時の欠け、割れを評価した（例１８～２３）。結果を表４に示す。

　例１０～１６で使用した離型フィルムのうちシワの発生しにくさの評価が○（良好）であった離型フィルム（例１０、１２、１４、１５）を用いて、その型ロールにより形成された面を第１面、押し当てロールにより形成された面を第２面として使用して上記評価サンプルを作製し、インク密着性、およびシンギュレーション時の欠け、割れを評価した（例２４、２６、２８、２９）。また、これらとは別の離型フィルムを用いて、同様に上記評価サンプルを作製し、インク密着性、およびシンギュレーション時の欠け、割れを評価した（例２５、２７）。これらの結果を表５に示す。

　上記結果に示すとおり、第１面のＲａが１．３～２．５μｍ、ＲＰｃが８０～２００である例１８～２３の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、インク密着性に優れ、かつシンギュレーション時に欠けや割れが生じにくいものであった。
　一方、Ｒａが２．５μｍ超である例２４の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、シンギュレーション時に欠けや割れが生じやすいものであった。
　Ｒａが１．３μｍ未満である例２５の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、インク密着性が不充分であった。
　ＲＰｃが２００超の例２６、２８、２９の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、シンギュレーション時に欠けや割れが生じやすいものであった。
　ＲＰｃが８０未満の例２７の離型フィルムを用いて形成されたエポキシ樹脂板は、インク密着性が不充分であった。

　本発明の離型フィルムは、半導体素子を硬化性樹脂で封止する際に、離型性に優れ、かつ離型フィルムによる樹脂封止部の外観不良や金型への硬化性樹脂の付着が生じにくくすることができ、また、インク層との密着性に優れた樹脂封止部を形成することもできる。本発明の離型フィルムを用いて、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子を集積した集積回路等の半導体パッケージを製造できる。
　なお、２０１３年１１月７日に出願された日本特許出願２０１３－２３１３６６号および日本特許出願２０１３－２３１３６７号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

　１　半導体パッケージ、１０　基板、１２　半導体チップ（半導体素子）、１４　樹脂封止部、１４ａ　樹脂封止部１４の上面、１６　インク層、１８　ボンディングワイヤ、１９　硬化物、２０　固定上型、２２　キャビティ底面部材、２４　可動下型、２６　キャビティ、３０　離型フィルム、４０　硬化性樹脂、５０　上型、５２　下型、５４　キャビティ、５６　キャビティ面、５８　基板設置部、６０　樹脂導入部、６２　樹脂配置部、６４　プランジャ、７０　枠材、７２　治具、７２Ａ　上部部材、７２Ｂ　下部部材、７４　おもり、７６　ホットプレート、　７８　コマ、８０　メッシュ、８２　メッシュ、８４　排気口、８６　貫通孔、Ｌ１　配管、Ｌ２　配管、Ｓ　空間、９０　金属製の固定下型、９２　金属製の枠状の可動横型

Claims

　半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において金型のキャビティ面に配置される、離型フィルムであって、
　前記樹脂封止部の形成時に前記硬化性樹脂と接する第１面と、前記キャビティ面と接する第２面とを有し、
　前記第１面および前記第２面の少なくとも一方の面に凹凸が形成されており、前記凹凸が形成されている面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．３～２．５μｍ、ピークカウント（ＲＰｃ）が８０～２００であることを特徴とする離型フィルム。
　前記離型フィルムの厚さが１６～７５μｍである、請求項１に記載の離型フィルム。
　前記第２面に凹凸が形成されており、離型フィルムの厚さが４０～７５μｍである、請求項１に記載の離型フィルム。
　前記算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６～１．９μｍである、請求項１～３のいずれか一項に記載の離型フィルム。
　前記ピークカウント（ＲＰｃ）が１００～１３０である、請求項１～４のいずれか一項に記載の離型フィルム。
　フッ素樹脂からなる、請求項１～５のいずれか一項に記載の離型フィルム。
　前記フッ素樹脂が、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体である、請求項６に記載の離型フィルム。
　前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体が、テトラフルオロエチレンに基づく単位と、エチレンに基づく単位と、テトラフルオロエチレンおよびエチレン以外の第３のモノマーに基づく単位とからなり、
　前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体中のテトラフルオロエチレンに基づく単位とエチレンに基づく単位とのモル比（ＴＦＥ／Ｅ）が８０／２０～４０／６０である、請求項７に記載の離型フィルム。
　前記第３のモノマーに基づく単位の割合が、前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位の合計に対して０．０１～２０モル％である、請求項８に記載の離型フィルム。
　前記第３のモノマーが（ペルフルオロブチル）エチレンであり、前記（ペルフルオロブチル）エチレンに基づく単位の割合が、前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体における全単位の合計に対して０．５～４．０モル％である、請求項９に記載の離型フィルム。
　前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体のＡＳＴＭ　Ｄ３１５９に準拠して測定されるＭＦＲが、２～４０ｇ／１０分である、請求項７～１０のいずれか一項に記載の離型フィルム。
　半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、請求項１～１１のいずれか一項に記載の離型フィルムであってかつ少なくとも第２面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、半導体素子が実装された基板を配置し、該半導体素子を硬化性樹脂で封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する封止体を得る工程と、
　前記封止体を前記金型から離型する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
　半導体素子と、硬化性樹脂から形成され、前記半導体素子を封止する樹脂封止部と、前記樹脂封止部の表面に形成されたインク層とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
　金型の前記硬化性樹脂が接するキャビティ面に、請求項１～１１のいずれか一項に記載の離型フィルムであってかつ少なくとも第１面に前記凹凸が形成されている離型フィルムを、前記第１面がキャビティ内の空間に向くように配置する工程と、
　前記キャビティ内に、複数の半導体素子が実装された基板を配置し、該複数の半導体素子を硬化性樹脂で一括封止し、該硬化性樹脂を前記離型フィルムに接した状態で硬化させて樹脂封止部を形成することにより、基板と前記基板上に実装された複数の半導体素子と前記複数の半導体素子を一括封止する樹脂封止部とを有する一括封止体を得る工程と、
　前記複数の半導体素子が分離するように、前記一括封止体の前記基板および前記樹脂封止部を切断することにより、基板と前記基板上に実装された少なくとも１つの半導体素子と前記半導体素子を封止する樹脂封止部とを有する個片化封止体を得る工程と、
　前記一括封止体または個片化封止体の樹脂封止部の、前記離型フィルムに接していた面に、インクを用いてインク層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。