CN105705307B - 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法 - Google Patents

脱模膜、以及半导体封装体的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105705307B
CN105705307B CN201480061127.2A CN201480061127A CN105705307B CN 105705307 B CN105705307 B CN 105705307B CN 201480061127 A CN201480061127 A CN 201480061127A CN 105705307 B CN105705307 B CN 105705307B
Authority
CN
China
Prior art keywords
release film
mold release
mold
resin
seal portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480061127.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105705307A (zh
Inventor
笠井涉
铃木政己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to CN201810568708.5A priority Critical patent/CN108724550B/zh
Publication of CN105705307A publication Critical patent/CN105705307A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105705307B publication Critical patent/CN105705307B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
    • B29C48/07—Flat, e.g. panels
    • B29C48/08—Flat, e.g. panels flexible, e.g. films
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/322—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising halogenated polyolefins, e.g. PTFE
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/28—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer comprising a deformed thin sheet, i.e. the layer having its entire thickness deformed out of the plane, e.g. corrugated, crumpled
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2439/00—Containers; Receptacles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供一种即使厚度薄在与模具的内腔面密合时也不易产生褶皱以及针孔、在单片化工序中不易产生破片或破裂、且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，上述第1面以及上述第2面的至少一个面上形成有凹凸，形成有上述凹凸的面的算术平均粗糙度(Ra)为1.3～2.5μm，峰值数(RPc)为80～200。

Description

脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
技术领域
本发明涉及在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜、以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
背景技术
半导体封装体具有保护半导体元件的树脂密封部。在树脂密封部的形成(半导体元件的密封)中，使用环氧树脂等热固化性树脂等固化性树脂。
作为半导体封装体的制造方法，例如已知包括利用所谓压缩成形法或传递成形法的密封工序的方法，所述压缩成形法或传递成形法是将安装有半导体元件的基板以使该半导体元件位于模具的内腔内的规定位置的方式进行配置，在内腔内填充固化性树脂形成树脂密封部。在该方法中，通常为了防止树脂密封部和模具的粘着而在模具的内腔面上配置脱模膜。
作为半导体封装体的制造方法之一，有经过在基板上安装多个半导体元件、将这些半导体元件用固化性树脂一次性地密封、得到具有基板和多个半导体元件和树脂密封部的一次性密封体的工序(一次性密封工序)，和将一次性密封体的树脂密封部以及基板切断、制成单片以使多个半导体元件分离而得到多个半导体封装体的工序(单片化(singularization)工序)的方法(例如专利文献1)。该方法由于生产性优良而被广泛利用。
在半导体元件的密封工序中，为了防止固化性树脂和模具的粘着，有时在模具的内腔面上配置脱模膜。尤其与将1个半导体元件密封在1个内腔的情况相比，在一次性地密封多个半导体元件的情况下内腔大型化、复杂化，树脂密封部有难以脱模的倾向，因此大多使用脱模膜。
密封时，脱模膜被设为通过真空抽吸而沿着模具的内腔面被拉伸、与内腔面密合的状态。此时，有时在拉伸途中空气没有完全抽走的状态下脱模膜密合在内腔面上，脱模膜和内腔面之间部分地形成空气积存，在该部分脱模膜上形成褶皱。如果脱模膜上有褶皱，则脱模膜表面的褶皱形状被转印在树脂密封部的表面上，形成外观不良，成品率下降。
对于这样的问题，提出了将脱模膜的至少一个面的表面粗糙度Rz设为3.0μm以上(专利文献2)。通过以使表面粗糙度Rz在3.0μm以上的面与模具侧接触的方式将脱模膜安装在模具上，可防止褶皱的发生。
此外，在半导体封装体的制造中，为了表示制品编号、制造商等信息，通常在形成的树脂密封部的表面上通过使用墨水的印刷来形成墨水层。
如果树脂密封部和墨水层的密合性低，则经时性地发生墨水层从树脂密封部的剥落。
为了提高树脂密封部和墨水层的密合性，提出了使用在与树脂接触的表面上形成凹凸、增大表面粗糙度的脱模膜，以将该凹凸朝着固化性树脂侧的方式配置在模具上而形成树脂密封部的方案(例如专利文献3)。在该情况下，脱模膜的与树脂接触的表面的凹凸被转印在树脂密封部的表面上。通过存在该凹凸，来提高墨水层对树脂密封部的密合性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2006-237187号公报
专利文献2：日本专利特开2002-359259号公报
专利文献3：日本专利第3970464号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
近年，晶圆级封装体等大型封装体增多，模具和脱模膜的接触面积正在增大。随之，使脱模膜密合在模具的内腔面时也变得容易产生褶皱。
认为如果增大脱模膜的与模具的内腔面接触的面的表面粗糙度则褶皱不易产生。但是，根据本发明人的研究，如果单纯地增大与模具的内腔面接触的面的表面粗糙度，则存在脱模膜上容易产生针孔的问题。例如在是有角的内腔的情况下，在角的部分脱模膜拉伸较大，容易产生针孔。如果脱模膜上产生针孔，则固化性树脂会从该部分泄漏，附着于模具的内腔面。附着于模具的固化性树脂之后在密封别的半导体元件时引起树脂密封部的外观不良。为了防止这种现象，需要进行模具的清洗等，半导体封装体的生产性下降。
认为如果在增大与模具的内腔面接触的面的表面粗糙度的同时使脱模膜的厚度变厚，则褶皱、针孔也不易产生。但是如果脱模膜的厚度变厚，则对模具的内腔的形状的随动性下降。如果随动性低则不能在树脂密封部正确地反映内腔的形状，成为不良品，成品率下降。此外，原料成本也增加，在经济上不优选。
此外，在树脂密封部的表面形成墨水层的情况下，认为如果使用在与树脂接触的表面上形成凹凸、增大了表面粗糙度的脱模膜，则表面粗糙度越大、越可提高墨水层对树脂密封部的密合性。
但是，根据本发明人的研究，可知在经过一次性地密封工序和单片化工序来制造半导体封装体的情况下，如果使用在与树脂接触的表面上具有凹凸的脱模膜，则与使用表面平滑的脱模膜的情况下相比，在单片化工序中切断树脂密封部以及基板时容易发生树脂密封部的破片或破裂。为了提高墨水层对树脂密封部的密合性的脱模膜的表面粗糙度变得越大，则树脂密封部的破片或破裂也变得越显著。
本发明的目的在于提供一种即使厚度薄在与模具的内腔面密合时也不易产生褶皱以及针孔的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
本发明的目的还在于提供一种在树脂密封部的表面上形成墨水层的情况下在单片化工序中不易产生破片或破裂、且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明提供具有以下的[1]～[13]的构成的脱模膜、以及半导体封装体的制造方法。
[1]一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，
其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，上述第1面以及上述第2面的至少一个面上形成有凹凸，
形成有上述凹凸的面的算术平均粗糙度(Ra)为1.3～2.5μm，峰值数(RPc)为80～200。
[2]如[1]所述的脱模膜，上述脱模膜的厚度为16～75μm。
[3]如[1]所述的脱模膜，在上述第2面形成有凹凸，脱模膜的厚度为40～75μm。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的脱模膜，上述算术平均粗糙度(Ra)为1.6～1.9μm。
[5]如[1]～[4]中任一项所述的脱模膜，上述峰值数(RPc)为100～130。
[6]如[1]～[5]中任一项所述的脱模膜，由氟树脂构成。
[7]如[6]所述的脱模膜，其中，上述氟树脂为乙烯/四氟乙烯共聚物。
[8]如[7]所述的脱模膜，其中，上述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成，
上述乙烯/四氟乙烯共聚物中的基于四氟乙烯的单元和基于乙烯的单元的摩尔比(TFE/E)为80/20～40/60。
[9]如[8]所述的脱模膜，其中，相对于上述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，上述基于第三单体的单元的比例为0.01～20摩尔％。
[10]如[9]所述的脱模膜，其中，上述第三单体为(全氟丁基)乙烯，相对于上述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，上述基于(全氟丁基)乙烯的单元的比例为0.5～4.0摩尔％。
[11]如[7]～[10]中任一项所述的脱模膜，其中，上述乙烯/四氟乙烯共聚物的根据ASTM D3159测定的MFR为2～40g/10分钟。
[12]一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将[1]～[11]中任一项所述的且至少在第2面上形成有上述凹凸的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序。
[13]一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部、和形成于上述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将[1]～[11]中任一项所述的且至少在第1面上形成有上述凹凸的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有多个半导体元件的基板并用固化性树脂将该多个半导体元件一次性密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和一次性密封上述多个半导体元件的树脂密封部的一次性密封体的工序，和
将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序，和
在上述一次性密封体或单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层的工序。
发明的效果
本发明的脱模膜在用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部的密封工序中，在使该脱模膜与模具的内腔面密合时不易产生褶皱以及针孔。此外，如果厚度设为40～75μm则尤其对模具的随动性变得优良。因此，如果采用本发明的脱模膜，则在密封工序中不易发生树脂密封部的外观不良或固化性树脂对模具的附着，可提高半导体封装体的生产性。
本发明的半导体封装体的制造方法中，在用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部的密封工序中，在使脱模膜与模具的内腔面密合时不易产生褶皱以及针孔。此外，如果脱模膜厚度设为40～75μm则尤其对模具的随动性变得优良。因此，在密封工序中不易发生树脂密封部的外观不良或固化性树脂对模具的附着。因此，如果采用本发明的半导体封装体的制造方法，则能够以良好的生产性制造半导体封装体。
此外，在形成的树脂密封部的表面上通过使用墨水的印刷来形成墨水层的情况下，在单片化工序中不易产生破片或破裂，且能够形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部。
进一步，在本发明的半导体封装体的制造方法中，在单片化工序中可抑制树脂密封部的破片或破裂产生。此外，能够在该树脂密封部以良好的密合性形成墨水层。因此，如果采用本发明的半导体封装体的制造方法，则可制造在树脂密封部没有破片或破裂、墨水层不易剥落的半导体封装体。
附图说明
图1是表示通过本发明的半导体封装体的制造方法而制造的半导体封装体的一例的简单剖视图。
图2是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α3)的剖视图。
图3是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α4)的剖视图。
图4是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α4)的剖视图。
图5是表示用于本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式的模具的一例的剖视图。
图6是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β1)的剖视图。
图7是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β2)的剖视图。
图8是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β3)的剖视图。
图9是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β4)的剖视图。
图10是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β5)的剖视图。
图11是对[实施例]中的针孔开口难易度的评价方法进行说明的图。
图12是对[实施例]中的褶皱产生难易度的评价方法进行说明的图。
具体实施方式
本说明书中的“脱模膜”在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜。例如是在形成半导体封装体的树脂密封部时，通过以覆盖模具的内腔面的方式配置并位于形成的树脂密封部和内腔面之间，来提高得到的半导体封装体的从模具的脱模性的膜；所述模具是指具有与该树脂密封部的形状对应的形状的内腔的模具。
树脂中的“单元”表示构成该树脂的构成单元(单体单元)。
“氟树脂”表示在结构中包括氟原子的树脂。
本说明书中的“算术平均粗糙度(Ra)”是基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)测定的算术平均粗糙度。求出Ra时的粗糙度曲线用的基准长度lr(边界值λc)设为0.8mm。
本说明书中的“峰值数(RPc)”是基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)测定的基于粗糙度曲线的峰值数，用下式(I)定义。
RPc＝L/RSm…(I)
式(I)中，L表示基准长度，为10mm。
RSm表示粗糙度曲线要素的平均长度，基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)进行测定。
本说明书中的脱模膜的厚度是以ISO4591：1992(JIS K7130：1999的B1法，根据由塑料膜或片材采集的试样的质量法的厚度的测定方法)为标准进行测定的值。
脱模膜的180℃下的拉伸模量根据JIS K7127：1999(ISO 527-3：1995)的方法测定。具体而言，如下测定：对于将脱模膜剪切为长条形状(试验片型号5)而成的试验片材，以片材温度：180℃、拉伸速度：1mm/分钟的条件进行拉伸试验。
[脱模膜]
本发明的脱模膜是配置于用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部的模具的内腔面的脱模膜，具有在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面。
即，本发明的脱模膜的第1面向着上述模具的内腔内的空间配置，在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触。此外，此时，第2面与模具的内腔面密合。因此，通过在该状态下使固化性树脂固化，可形成与模具的内腔的形状对应的形状的树脂密封部。
(形成有特定的凹凸的面)
本发明的脱模膜的第1面以及上述第2面的至少一个面上形成有特定的凹凸。形成有特定的凹凸的面是指Ra为1.3～2.5μm且RPc为80～200的面。
形成有特定的凹凸的面的形状可以是随机分布多个凸部以及/或凹部的形状，也可以是有规则地排列有多个凸部以及/或凹部的形状。此外，多个凸部以及/或凹部的形状或大小可以相同或不同。
作为凸部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的凸条、散布于脱模膜表面的突起等。此外，在平面上形成凹部的情况下，凸部可以是没有形成凹部的部分。
作为凹部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的沟、散布于脱模膜表面的孔等。此外，在平面上形成凸部的情况下，凹部可以是没有形成凸部的部分。
作为凸条或沟的形状，可例举直线、曲线、弯折形状等。在形成有特定的凹凸的面中，可以形成为平行地存在多个凸条或沟的条纹状。作为凸条或沟的与长边方向正交的方向的截面形状，可例举三角形(V字形)等多边形、半圆形等。
作为突起或孔的形状，可例举三棱锥形、四棱锥形、六棱锥形等多角锥形，圆锥形，半球形，多面体形，其他各种不定形等。
本发明的脱模膜的形成有特定的凹凸的面的Ra为1.3～2.5μm，RPc为80～200。Ra优选1.5～2.1μm，特别优选1.6～1.9μm。RPc优选90～150，特别优选100～130。
在形成有特定的凹凸的面为第2面、即与内腔面接触的面的情况下，通过Ra为1.3μm以上、且RPc为80以上，在脱模膜随动吸附在模具的内腔面上时，脱模膜在内腔面滑动良好，不易产生褶皱。在Ra低于1.3μm或RPc低于80的情况下，即凹凸的尺寸过小、在一定距离内存在的凹凸的数过少的情况下，脱模膜容易产生褶皱。
通过Ra在2.5μm以下且RPc在200以下，在脱模膜与模具随动时，脱模膜上不易产生针孔开口，固化性树脂的泄漏不易发生。在Ra超过2.5μm或RPc超过200的情况下，即凹凸的尺寸过大、在一定距离内存在的凹凸的数过多的情况下，脱模膜容易产生针孔开口。
在形成有特定的凹凸的面为第1面、即与固化性树脂接触的面的情况下，通过Ra为2.5μm以下且RPc为200以下，可抑制将该树脂密封部单片化时的破片或破裂的发生。在Ra超过2.5μm或RPc超过200的情况下，即凹凸的尺寸过大、在一定距离内存在的凹凸的数过多的情况下，破片或破裂变得容易发生。
通过Ra为1.3μm以上且RPc为80以上，可提高使用该脱模膜形成的树脂密封部的表面与形成于该表面的墨水层的密合性。
在Ra低于1.3μm或RPc低于80的情况下，即凹凸的尺寸过小、在一定距离内存在的凹凸的数过少的情况下，有墨水层的密合性变得不足之虞。
此外，在形成有特定的凹凸的面为第1面的情况下，如果Ra为1.3μm以上且RPc为80以上，则可抑制剥离带电。在制造半导体封装体时，大多是将脱模膜从辊中放出使用，有时由于此时的剥离而导致脱模膜带电。尤其在脱模膜为氟树脂的情况下，容易发生该带电的情况。如果脱模膜带电，则异物容易附着在脱模膜上。如果异物附着在脱模膜上，则异物的形状被转印在树脂密封部的表面上，有外观变差之虞。如果脱模膜的表面上有Ra为1.3μm以上且RPc为80以上的凹凸，则在密封工序后、剥离脱模膜和树脂密封部(固化性树脂的固化物)时，由于脱模膜和树脂密封部的表观的接触面积减少，因此可减少剥离带电。即，可减少由于脱模膜剥离时的放电而导致的对半导体元件的损伤。如果使用成形收缩率大的环氧树脂作为固化性树脂则该效果特别显著。
本发明的脱模膜中，第1面和第2面的任一面都可以是形成有上述特定的凹凸的面。在该情况下，各个面都是具有上述作用效果的脱模膜，所述作用效果例如是即使在树脂密封部的表面没有形成墨水层的情况下也可抑制剥离带电、产生褶皱或针孔的可能性小。
本发明的脱模膜更优选第1面和第2面的任一面是形成有上述特定的凹凸的面，另一面为形成有上述特定的凹凸以外的凹凸的面或平滑的面。作为另一面，优选为与形成有上述特定的凹凸的面相比实质上平滑的面。
作为实质上平滑的面，优选Ra为0.01～0.5μm的面。更优选的Ra为0.05～0.3μm。进一步，该面的RPc优选低于80，更优选10～60。
(厚度)
本发明的脱模膜的厚度优选16～75μm，在仅第1面具有特定的凹凸的情况下特别优选25～50μm。此外，在仅第2面具有特定的凹凸的情况下更优选40～75μm，进一步优选45～70μm，特别优选50～60μm。如果厚度在上述范围的下限值以上，则脱模膜的操作容易，在一边拉伸脱模膜一边以覆盖模具的内腔的方式进行配置时，不容易产生皱褶。如果厚度在上述范围的上限值以下，则脱模膜可容易地变形，由于对于模具的内腔的形状的随动性提高，因此脱模膜可紧密地与内腔面密合，可稳定地形成高品质的树脂密封部。
模具的内腔越大，本发明的脱模膜的厚度越是优选在上述范围内中薄的。此外，越是具有多个内腔的复杂模具，越是优选上述范围内中薄的厚度。
(脱模膜的物性)
拉伸模量：
本发明的脱模膜的180℃、即通常成形时的模具的温度下的拉伸模量优选10～100MPa，特别优选25～50MPa。
如果180℃下的拉伸模量在上述范围的上限值以下，则在密封半导体元件时，由于脱模膜完全与模具随动，因此模具形状被转印到树脂密封部的角部为止。其结果是，可使用一次性地密封的封装体到端部为止，可提高成品率。如果上述拉伸模量超过100MPa，则脱模膜在真空中与模具随动时，由于脱模膜的对模具的随动性不良，因此传递成形中合模时，没有与半导体片随动的膜有破损之虞。由于压缩成形中相同模具的随动性不良，因此在膜上散布固化性树脂时有从模具溢出之虞。
如果180℃下的拉伸模量在上述范围的下限值以上，则在一边拉伸脱模膜一边以覆盖模具的内腔的方式进行配置时，由于脱模膜不过于柔软，因此对脱模膜的张力均匀，不易产生褶皱。其结果是，可抑制由于脱模膜的褶皱被转印至树脂密封部的表面而导致的树脂密封部的表面的外观不良。
脱模膜的拉伸模量可通过调整脱模膜用树脂的结晶度来进行调整。具体而言，脱模膜用树脂的结晶度越低则脱模膜的拉伸模量越低。脱模膜用树脂的结晶度例如在为乙烯/四氟乙烯共聚物的情况下，可通过调整基于四氟乙烯以及乙烯以外的其他单体的单元的种类或比例来进行调整。
剥离力：
本发明的脱模膜中第1面侧中的剥离力的最大值优选0.8N/25mm以下，特别优选0.5N/25mm以下。如果剥离力的最大值在上述范围的上限值以下，则在生产时，与树脂密封部(固化性树脂的固化物)的剥离就变得更容易。不易发生脱模膜和树脂密封部不能良好剥离、装置停止的情况，连续生产性优良。
本发明中的“剥离力”表示以JIS K6854-2：1999(ISO 8510-2：1990)为标准的、根据以下的(a)～(f)的步骤测定的值。
(a)在脱模膜和配置于脱模膜的第1面侧的铝板之间适量配置环氧树脂。
(b)将夹持环氧树脂的脱模膜和铝板在180℃、10MPa下加压5分钟，使环氧树脂固化。
(c)将脱模膜和固化的环氧树脂和铝板的层叠体切断为25mm宽度，制造5个试验片。另外，层叠体中的环氧树脂的厚度为100μm。
(d)对试验片使用常温下的180度剥离力用拉伸试验机以100mm/分钟的速度进行测定。
(e)求出力(N)-夹具移动距离曲线中的从夹具移动距离25mm到125mm位置的剥离力的平均值(单位为N/25mm)。
(f)求出5个试验片的剥离力的平均值的算术平均。
(脱模膜用树脂)
对于脱模膜，要求具备脱模性、能耐受成形时的模具的温度(典型的是150～180℃)的耐热性、能耐受固化性树脂的流动和加压力的强度。
作为本发明的脱模膜，从脱模性、耐热性、强度、高温下的拉伸率的方面考虑，优选由选自聚烯烃以及氟树脂的1种以上树脂构成的膜，特别优选由氟树脂构成的膜。
本发明的脱模膜可以是并用氟树脂和非氟树脂的膜，也可以是掺合有无机类添加剂、有机类添加剂等的膜。
本发明的脱模膜可以是1层的膜，也可以是2层以上的层叠膜。制造成本的方面考虑，优选1层的膜。
本发明的脱模膜特别优选由1层氟树脂构成的膜。
作为聚烯烃，从脱模性以及模具追随性的方面考虑，优选聚甲基戊烯。聚烯烃可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为氟树脂，可例举乙烯/四氟乙烯共聚物(以下，称为ETFE。)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。其中，从高温下的拉伸率大的角度来看，特别优选ETFE。氟树脂可单独使用1种，也可以2种以上并用。此外，ETFE可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
ETFE是具有基于四氟乙烯(以下，称为TFE。)的单元和基于乙烯(以下，称为E。)的单元的共聚物。
作为ETFE，优选具有基于第三单体(TFE以及E以外的其他单体)的单元。根据基于第三单体的单元的种类和含量可容易地调整脱模膜用树脂的结晶化度、即脱模膜的拉伸模量。此外，通过具有基于第三单体(尤其是具有氟原子的单体)的单元，提高了高温(尤其是180℃前后)下的拉伸强度。
作为第三单体，可例举具有氟原子的单体和不具有氟原子的单体。
作为具有氟原子的单体的具体例，可例举下述的单体(a1)～(a5)。
单体(a1)：碳数3以下的氟代烯烃类。
单体(a2)：X(CF2)nCY＝CH2(其中，X、Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为2～8的整数。)所表示的全氟烷基乙烯。
单体(a3)：氟代乙烯基醚类。
单体(a4)：含官能基的氟代乙烯基醚类。
单体(a5)：具有脂肪族环构造的含氟单体。
作为单体(a1)，可例举氟代乙烯类(三氟乙烯、偏氟乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯类(六氟丙烯(以下，称为HFP。)、2-氢化五氟丙烯等)等。
作为单体(a2)，优选n为2～6的单体，n更加优选2～4的单体。此外，特别优选X为氟原子、Y为氢原子的单体，即(全氟烷基)乙烯。
作为单体(a2)的具体例子，可以例举下述的化合物。
CF3CF2CH＝CH2，
CF3CF2CF2CF2CH＝CH2((全氟丁基)乙烯。以下，称为PFBE。)，
CF3CF2CF2CF2CF＝CH2，
CF2HCF2CF2CF＝CH2，
CF2HCF2CF2CF2CF＝CH2等。
作为单体(a3)，可例举下述的化合物。另外，下述中的作为二烯的单体是可环化聚合的单体。
CF2＝CFOCF3，
CF2＝CFOCF2CF3，
CF2＝CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)。以下，称为PPVE。)，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3，
CF2＝CFO(CF2)3O(CF2)2CF3，
CF2＝CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3，
CF2＝CFOCF2CF＝CF2，
CF2＝CFO(CF2)2CF＝CF2等。
作为单体(a4)，可例举下述的化合物。
CF2＝CFO(CF2)3CO2CH3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
作为单体(a5)，可例举全氟(2,2-二甲基-1,3-二氧杂环戊烯)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二氧杂环戊烯、全氟(2-亚甲基-4-甲基-1,3-二氧戊环)等。
作为不具有氟原子的单体的具体例，可例举下述的单体(b1)～(b4)。
单体(b1)：烯烃类。
单体(b2)：乙烯基酯类。
单体(b3)：乙烯基醚类。
单体(b4)：不饱和酸酐。
作为单体(b1)，可例举丙烯、异丁烯等。
作为单体(b2)，可例举乙酸乙烯酯等。
作为单体(b3)，可例举乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚等。
作为单体(b4)，可例举马来酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐、降冰片烯二酸酐(5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐)等。
第三单体可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为第三单体，从容易调整结晶化度即容易调整拉伸模量的方面、通过具有基于第三单体(尤其是具有氟原子的单体)的单元来使高温(尤其是180℃前后)下的拉伸强度提高的方面考虑，优选单体(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯，更优选HFP、PPVE、CF3CF2CH＝CH2、PFBE，特别优选PFBE。
即，作为ETFE，特别优选具有基于TFE的单元、和基于E的单元、和基于PFBE的单元的共聚物。
ETFE中，基于TFE的单元和基于E的单元的摩尔比(TFE/E)优选80/20～40/60，更优选70/30～45/55，特别优选65/35～50/50。如果TFE/E在上述范围内，则ETFE的耐热性以及机械性物性优良。
相对于构成ETFE的全部单元的总计(100摩尔％)，ETFE中的基于第三单体的单元的比例优选0.01～20摩尔％，更优选0.10～15摩尔％，特别优选0.20～10摩尔％。如果基于第三单体的单元的比例在上述范围内，则ETFE的耐热性以及机械物性优良。
在基于第三单体的单元包括基于PFBE的单元的情况下，相对于构成ETFE的全部单元的总计(100摩尔％)，基于PFBE的单元的比例优选0.5～4.0摩尔％，更优选0.7～3.6摩尔％，特别优选1.0～3.6摩尔％。如果基于PFBE的单元的比例在上述范围内，则脱模膜的180℃下的拉伸模量可在上述范围内进行调整。此外，可提高高温(尤其是180℃前后)下的拉伸强度。
ETFE的熔体流动速率(MFR)优选2～40g/10分钟，更优选5～30g/10分钟，特别优选10～20g/10分钟。如果ETFE的MFR在上述范围内，则ETFE的成形性提高，脱模膜的机械特性也提高。
ETFE的MFR是以ASTM D3159为标准，在荷重49N、297℃下测定的值。
(脱模膜的制造方法)
作为本发明的脱模膜的制造方法，没有特别限定，可利用公知的制造方法。例如可例举用热加工在树脂膜的表面上转印母模的凹凸的方法，从生产性的方面考虑，优选下述方法(i)、(i i)等，特别优选方法(i i)。
(i)使树脂膜通过2根辊之间，将形成于辊的表面的凹凸连续转印至树脂膜的形成凹凸的面(作为脱模膜的形成凹凸的面的面)的方法。
(ii)使从挤出机的模具被挤出的树脂通过2根辊之间，在将该树脂成形为膜状的同时，将形成于辊的表面的凹凸连续转印至该膜状的树脂的形成凹凸的面(作为脱模膜的形成凹凸的面的面)的方法。
方法(i)、(ii)中，通过使用辊状的模，使连续加工成为可能，具有凹凸的脱模膜的生产性显著提高。此外，与此同时，由于成为了卷状的脱模膜，因此在半导体封装体的制造中，可使用具有通用的脱模膜送出机构以及卷取机构的压缩成形装置或传递成形装置。
此外，通过将2根辊中的1根设为在表面上具有凹凸的辊(以下称为模辊。)、另一根辊设为不具有凹凸的辊，制造在单面具有凹凸的脱模膜。通过将2根辊均设为模辊，可制造在两面上具有凹凸的脱模膜。另外，2根辊中的一方通常具有对树脂膜加压的功能，称为按压辊。在使用表面上不具有凹凸的辊的情况下，通常将不具有凹凸的辊作为冷却辊，在2根辊均为模辊的情况下，将其中一方设为冷却辊。另外，表面上不具有凹凸的辊是指具有可形成实质上平滑的面的表面的辊。
方法(i)：
作为树脂膜，可使用市售的膜，也可使用通过公知的制造方法制造的膜。例如，可使用脱模膜用树脂，通过具备有规定的前缘宽度的T模具的挤出机进行熔融成形等来制造树脂膜。
2根辊的表面温度、线压根据脱模膜的材料以及厚度而不同，优选同时满足以下3个条件。另外，以下，Tg是成形的树脂的玻璃化温度，Tm是成形的树脂的熔点。
·辊表面温度：Tg+30℃～Tm-20℃。
·2根辊间线压：20～300N/cm。
·拉伸模量(MPa)/线压(N/cm)的值：0.005～0.02。
另外，拉伸模量是脱模膜的材料的在2根辊的表面温度下的拉伸模量。
如果满足以上3个条件，则在树脂材料为低弹性模量的同时保持橡胶状弹性，在2根辊之间进行加压时，整体的厚度不发生大的变化，容易仅在表面上产生凹凸。
此外，加工速度优选0.2～100m/分钟。
方法(ii)：
沿着设定为树脂的熔点以下的模辊拉取从模的狭缝中挤出的树脂，从而将其形状固定，并同时藉由通过挤出机的螺杆的转速来调整的挤出量、模具的狭缝宽度、通过模辊的转速来调整的拉取速度来确定厚度。
2根辊之间的加压力和刚刚从模中被挤出的温度下的树脂的熔融粘度的关系优选满足以下条件。
熔融粘度(Pa·s)/加压力(N/cm)的值：2～50
另外，此处熔融粘度是指根据JIS K7199：1999(ISO11443：1995)，使用毛细管模具(内径1mm、长度10mm)流过固定的体积流量时的、表观的剪切速度γap为10/秒时、用下式(II)表示的表观的熔融粘度ηap的测定值。此外，此时的温度与方法(ii)中从模中被挤出、马上与辊接触时的树脂的温度相等。
表观的熔融粘度ηap(Pa·s)＝表观的剪切应力τap(Pa)/表观的剪切速度γap(1/秒)…(II)
表观的剪切应力τap＝pD/4L
p：试验压力(Pa)
D：毛细管内径(mm)
L：毛细管长度(mm)
表观的剪切速度γap＝32Q/πD3
Q：体积流量(mm3/秒)
如果上述熔融粘度/加压力的值大于50，则辊的凸凹的转印率急剧下降，即使使用表面粗糙度大的辊也不易达到Ra。如果小于2，则熔融树脂被过度研碎，在粗糙度最粗的部分中，容易产生膜上开孔等问题。
2根辊之间的加压力优选10N/cm～150N/cm。如果为10N/cm以上，则在2根辊之间不易发生打滑。如果为150N/cm以下，则可防止辊的压坏而导致的“松弛”。
辊表面温度优选Tg+30℃～Tg+80℃。本方法中，辊的表面温度由于从熔融树脂得到的热量而变高，因此在通常的成形状态下大多满足上述条件。
加工速度优选与方法(i)相同范围。
模辊：
作为模辊，可例举橡胶包覆辊、树脂包覆辊、纸包覆辊、金属辊、陶瓷辊、树脂辊等。为了增加硬度，可以对金属制的模辊的表面实施陶瓷涂布、陶瓷烧结、陶瓷蒸镀、超硬金属喷镀、镀敷、渗碳、氮化等表面改性。
其中，从将对另一个辊的负担抑制在低水平的方面考虑、以及容易通过混入的粒子的量来调整RPc的方面考虑，优选橡胶包覆辊。
模辊表面的凹凸是将脱模膜特定的凹凸反转而得的形状，是与形成于半导体封装体的树脂密封部表面的凹凸相同的形状。
作为在模辊表面形成凹凸的方法，可例举切削、蚀刻等方法。
此外，在为橡胶包覆辊的情况下，通过在表面上包覆的橡胶片材中掺合粒子，可得到表面上具有凹凸的模辊。在该情况下，可通过橡胶片材中掺合的粒子的大小来调整粗糙度的深度方向、即Ra。此外，可通过粒子的掺合量、即掺合密度来调整粗糙度中峰的数、即RPc。在为树脂包覆辊的情况下也可通过相同的方法调整Ra和RPc。
模辊的Ra优选1.6～4.2。此外，模辊的RPc优选80～240。虽然根据树脂的粘度和加压条件而不同，但在方法(1)或方法(2)中满足上述的成形条件的情况下，通常辊的Ra的对树脂的转印率为60～80％左右。此外，辊的RPc的对树脂的转印率为80～100％。
在满足上述制造条件时，辊的Ra和RPc的转印率容易满足上述的范围。
在橡胶包覆辊的情况下，作为橡胶辊的橡胶成分，使用有机硅橡胶、交联异戊二烯橡胶、交联丁烯·异戊二烯共聚物橡胶等。作为无机细微粒子，可例举二氧化硅、沸石、烧结粘土、蛭石、滑石、云母、氧化铝。粒子的平均粒径优选1～100μm。此外，掺合量优选5～80重量份。可通过粒子的平均粒径控制Ra，通过掺合量控制RPc。
冷却辊：
作为冷却辊，可例举与模辊相同的辊。冷却辊的表面可以是平滑或形成有凹凸。
在冷却辊的表面平滑的情况下，可得到单面平滑的脱模膜，在冷却辊的表面上形成有将特定的凹凸反转而得的形状的凹凸的情况下，可得到两面上具有特定的凹凸的脱模膜。
作为脱模膜的材料，在使用氟树脂的情况下，由于氟树脂的热加工温度较高，因此作为辊的材料优选耐热性高的材料。辊材料的耐热温度优选150℃以上。因此，作为冷却辊的材料，从耐热性、耐久性的角度来看优选金属、陶瓷、有机硅橡胶、芳族聚酰胺纸。为了增加硬度，可以对金属制的冷却辊的表面实施陶瓷涂布、陶瓷烧结、陶瓷蒸镀、超硬金属喷镀、镀敷、渗碳、氮化等表面改性。
方法(i)、(ii)中，在辊的表面的凹凸以外，还可通过调整加工速度、脱模膜用树脂的MFR、辊的按压、模具与辊的距离等来调整Ra和RPc。
例如在使用相同的模辊的情况下，加工速度越快则Ra和RPc越有变大的倾向。但是，在使用上述的制造条件和上述的辊的情况下，最容易制造Ra1.3～2.5、RPc80～200的膜。
(作用效果)
本发明的脱模膜在用固化性树脂密封半导体封装体的半导体元件、形成树脂密封部的模具的内腔内，在以使具有满足特定的Ra以及RPc的凹凸的面与内腔面接触的方式被配置的情况下(即，具有满足特定的Ra以及RPc的凹凸的面为第2面的情况下)，本发明的脱模膜通过真空抽吸被沿着内腔面拉伸，与内腔面密合，成为与模具随动的形状。
在本发明的脱模膜的第2面为具有特定的凹凸的面的情况下，脱模膜的厚度优选40～75μm。本发明的脱模膜通过厚度为75μm以下，可容易地变形，与模具的内腔的形状的随动性优良。此外，本发明的脱模膜通过厚度为40μm以上，具有一定程度的弹性。
此外，通过第2面的Ra为1.3μm以上、且RPc为80以上，在上述真空抽吸时，脱模膜在内腔面滑动良好，脱模膜和内腔面之间不易产生空气的残留。因此，在使脱模膜与模具随动时不易产生褶皱。此外，通过Ra在2.5μm以下且RPc在200以下，在脱模膜与模具随动时，脱模膜上不易产生针孔开口，固化性树脂的泄漏不易发生。
而且，本发明的脱模膜通过具有形成有满足特定的Ra以及RPc的凹凸的第2面，在从卷状的状态拉出时，不易产生脱模膜间的剥离所导致的带电。因此，在使用从卷状的状态拉出的脱模膜来制造半导体封装体时，脱模膜上不易附着异物，不易发生该异物所导致的半导体封装体的外观的变差。
因此，如果采用本发明的脱模膜，则可在半导体元件的密封工序中减少树脂密封部的外观不良。此外，可减少固化性树脂对模具的附着、和用于去除附着的固化性树脂的清洗工序等的频率。因此，可提高半导体封装体的生产性。
此外，将本发明的脱模膜以使具有特定的凹凸的面与固化性树脂接触的方式配置于模具的内腔面的情况下(即，具有满足特定的Ra以及RPc的凹凸的面为第1面的情况下)，脱模膜表面的凹凸被正确地转印于树脂密封部的表面。
通过转印在表面上形成有凹凸的树脂密封部在单片化时不易产生破片或破裂。此外，该表面与墨水层的密合性优良。
此外，密封工序后，剥离脱模膜和树脂密封部(固化性树脂的固化物)时，由于减少脱模膜和树脂密封部的表观的接触面积，因此可降低剥离带电。即，可减少由于脱模膜剥离时的放电而导致的对半导体元件的损伤。如果使用成形收缩率大的环氧树脂则该效果特别显著。因此，通过使用本发明的脱模膜，可制造在树脂密封部没有破片或破裂、形成于树脂密封部表面的墨水层不易剥落的半导体封装体。此外，此时的制造稳定性也优良。
〔半导体封装体〕
使用本发明的脱模膜、通过后述的本发明的半导体封装体的制造方法制造的半导体封装体只要是经过一次性地密封以及单片化制造的即可，例如，可例举密封方式为MAP(Moldied Array Packaging，模块阵列封装)方式，或WL(Wafer Lebel packaging，晶圆级封装)方式的半导体封装体等。
作为半导体封装体的形状，可例举BGA(Ball Grid Array，球状网格阵列)、QFN(Quad Flat Non-leaded package，四侧无引脚扁平封装)、SON(Small Outline Non-leaded package，小外型无引脚封装)等。
图1是表示半导体封装体的一例的简单剖视图。该例的半导体封装体1即是所谓的MAP-BGA形状的半导体封装体。
半导体封装体1具有基板10，和安装于基板10之上的半导体片(半导体元件)12，和密封半导体片12的树脂密封部14，和形成于树脂密封部14的上表面14a的墨水层16。
半导体片12具有表面电极(没有图示)，基板10具有与半导体片12的表面电极对应的基板电极(没有图示)，表面电极和基板电极通过焊丝18电连接。
本发明的脱模膜的第1面的凹凸等被正确地转印至树脂密封部14的上表面14a、本发明的脱模膜的第1面为具有特定的凹凸的面的情况下，上表面14a的Ra为1.3～2.5μm，RPc为80～200。
对树脂密封部14的厚度(从基板10的半导体片12设置面到树脂密封部14的上表面14a为止的最短距离)没有特别限定，优选“半导体片12的厚度”以上“半导体片12的厚度+1mm”以下，特别优选“半导体片12的厚度”以上“半导体片12的厚度+0.5mm”以下。
根据本发明人的研究，在单片化时，越是将半导体封装体1薄型化则越容易发生树脂密封部的破片或破裂，因此树脂密封部14的厚度越薄则可抑制单片化时的破片或破裂的本发明的有用性越高。
〔半导体封装体的制造方法〕
本发明的半导体封装体的制造方法有下述的制造方法(1)和制造方法(2)。
本发明的半导体封装体的制造方法(1)：
一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将上述的本发明的且至少在第2面上形成有上述凹凸的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序。
本发明的半导体封装体的制造方法(2)：
一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部、和形成于上述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将上述本发明的且至少在第1面上形成有上述凹凸的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有多个半导体元件的基板并用固化性树脂将该多个半导体元件一次性密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和一次性密封上述多个半导体元件的树脂密封部的一次性密封体的工序，和
将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序，和
在上述一次性密封体或单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层的工序。
本发明的半导体封装体的制造方法可在使用本发明的脱模膜以外采用公知的制造方法。
作为例如树脂密封部的形成方法，可例举压缩成形法或传递成形法，作为此时使用的装置，可使用公知的压缩成形装置或传递成形装置。制造条件也可以是与公知的半导体封装体的制造方法中的条件相同的条件。
作为本发明的半导体封装体的制造方法，根据树脂密封部的形成方法可例举下述的方法(α)和方法(β)的2种。
方法(α)是用压缩成形法形成树脂密封部的方法，方法(β)是用传递成形法形成树脂密封部的方法。
方法(α)：具有下述工序(α1)～(α7)的方法。
(α1)将本发明的脱模膜以脱模膜覆盖模具的内腔且脱模膜的第1面朝着内腔内的空间的方式进行配置的工序。
(α2)将脱模膜真空抽吸到模具的内腔面一侧的工序。
(α3)在内腔内填充固化性树脂的工序。
(α4)将安装有多个半导体元件的基板配置在内腔内的规定的位置，利用固化性树脂将多个半导体元件一次性密封而形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和将上述多个半导体元件一次性密封的树脂密封部的一次性密封体的工序。
(α5)从模具内将一次性密封体取出的工序。
(α6)将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使得上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序。
(α7)在单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层，得到半导体封装体的工序。
方法(β)：具有下述工序(β1)～(β7)的方法。
(β1)将本发明的脱模膜以脱模膜覆盖模具的内腔且脱模膜的第1面朝着内腔内的空间的方式进行配置的工序。
(β2)将脱模膜真空抽吸到模具的内腔面一侧的工序。
(β3)将安装有多个半导体元件的基板配置于内腔内的规定位置的工序。
(β4)在内腔内填充固化性树脂，利用该固化性树脂将多个半导体元件一次性密封而形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和对上述多个半导体元件进行一次性密封的树脂密封部的一次性密封体的工序。
(β5)从模具内将一次性密封体取出的工序。
(β6)将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序。
(β7)在单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层，得到半导体封装体的工序。
(第一实施方式)
作为半导体封装体的制造方法的一实施方式，对通过方法(α)制造图1所示的半导体封装体1的情况进行详细说明。
模具：
作为第一实施方式中的模具，作为压缩成形法中使用的模具可使用公知的模具。例如可例举如图2所示的具有固定上模20、内腔底面构件22和配置于内腔底面构件22的周缘的框状的可动下模24的模具。
固定上模20中，形成有通过抽吸基板10和固定上模20之间的空气来将基板10吸附于固定上模20上的真空出口(图示略)。此外，内腔底面构件22中，形成有通过抽吸脱模膜30和内腔底面构件22之间的空气来将脱模膜30吸附于内腔底面构件22的真空出口(图示略)。
在该模具中，利用内腔底面构件22的上表面以及可动下模24的内侧侧面来形成与工序(α4)中形成的树脂密封部14的形状对应的形状的内腔26。
以下，将内腔底面构件22的上表面以及可动下模24的内侧侧面总称为内腔面。
工序(α1)：
在可动下模24上，以覆盖内腔底面构件22的上表面的方式配置脱模膜30。此时，脱模膜30以第1面向着上侧(与内腔底面构件22方向相反的方向)的方式被配置。
脱模膜30从卷出辊(图示略)被送出，用卷取辊(图示略)进行卷取。由于脱模膜30被卷出辊以及卷取辊拉伸，因此在被拉伸的状态下被配置在可动下模24上。
工序(α2)：
另外，通过内腔底面构件22的真空出口(图示略)进行真空抽吸，对内腔底面构件22的上表面和脱模膜30之间的空间进行减压，将脱模膜30拉伸、使其变形，将其真空吸附于内腔底面构件22的上表面。进一步，封上配置于内腔底面构件22的周缘的框状的可动下模24，从全部方向拉伸脱模膜30，使其为绷紧状态。
另外，根据在高温环境下的脱模膜30的强度、厚度、根据内腔底面构件22的上表面和可动下模24的内侧侧面而形成的凹部的形状，脱模膜30不限于与内腔面密合。在工序(α2)的真空吸附阶段中，如图2所示，脱模膜30和内腔面之间也可以留有少量空隙。
工序(α3)：
如图2所示，通过涂布器(图示略)将固化性树脂40适量填充在内腔26内的脱模膜30之上。
此外，另外，通过固定上模20的真空出口(图示略)进行真空抽吸，使安装有多个半导体片12的基板10真空吸附于固定上模20的下表面上。
作为固化性树脂40，也可使用用于半导体封装体的制造的各种固化性树脂。优选环氧树脂、有机硅树脂等热固化性树脂，特别优选环氧树脂。
作为环氧树脂，例如可例举住友电木株式会社(住友ベークライト社)制的SUMIKONEME G770H type F ver.GR，长濑化学技术株式会社(ナガセケムテックス社)制的T693/R4719-SP10等。
作为有机硅树脂的市售品，可例举信越化学工业株式会社(信越化学工業社)制的LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
本发明中，从可抑制剥离带电的方面考虑，固化性树脂40特别优选成形收缩率大的树脂。
通常，从正确地形成所希望的形状的树脂密封部的方面考虑，不优选固化性树脂的成形收缩率大。但是根据本发明人的研究，成形收缩率大则在固化时固化性树脂收缩，脱模膜的凸凹部中表观的接触面积变少。如果与脱模膜的接触面积少则从树脂密封部(固化性树脂的固化物)剥离脱模膜时，可抑制剥离所导致的脱模膜的带电，不易发生由脱模膜的放电所导致的半导体元件的损伤。
固化性树脂40的成形收缩率优选0.05～0.15％，特别优选0.1～0.13％。如果成形收缩率在上述范围的下限值以上，则脱模膜的凸凹与树脂密封部的表观的接触面积充分降低，可防止剥离带电。如果成形收缩率在上述范围的上限值以下，则半导体封装体的翘曲变小，适于实用。
固化性树脂40的成形收缩率是根据JIS K6911-1995 5.7，在温度180℃、压力7MPa、时间5分钟的成形条件下传递成形时测定的值。即，使用规定形状的模具，在上述的成形条件下成形固化性树脂40。成形后，将成形品从模具取出，在大气中放冷。放冷通过在23±2℃以内、相对湿度50±5％以内的环境下静置24±1小时来进行。模具的尺寸与放冷后的成形品的尺寸的差为成形收缩，成形收缩相对于模具的尺寸的百分比为成形收缩率。
固化性树脂40中可含有炭黑、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝等。
另外，此处，作为固化性树脂40，例示了填充固体者，但本发明不受此所限，也可填充液状的固化性树脂。
工序(α4)：
如图3所示，在将固化性树脂40填充在内腔26内的脱模膜30之上的状态下，使内腔底面构件22以及可动下模24上升，与固定上模20合模。
接着，如图4所示，在仅使内腔底面构件22上升的同时加热模具，使固化性树脂40固化，形成密封半导体片12的树脂密封部14。
工序(α4)中，利用使内腔底面构件22上升时的压力，填充于内腔26内的固化性树脂40被进一步压入内腔面。藉此脱模膜30被拉伸变形，密合在内腔面上。因此，形成了与内腔26的形状对应的形状的树脂密封部14。此时，在脱模膜30的第1面上形成有凹凸的情况下，树脂密封部14的与脱模膜30的第1面接触的面上转印有该第1面的凹凸。
模具的加热温度、即固化性树脂40的加热温度优选100～185℃，特别优选150～180℃。如果加热温度在上述范围的下限值以上，则半导体封装体1的生产性优良。如果加热温度在上述范围的上限值以下，则可抑制固化性树脂40的劣化。
从抑制因固化性树脂40的热膨胀率导致的树脂密封部14的形状变化的方面考虑，在特别要求半导体封装体1的保护的情况下，优选在上述范围内中尽可能低的温度下进行加热。
工序(α5)：
固定上模20和内腔底面构件22和可动下模24开模，取出一次性密封体。
在将一次性密封体脱模的同时，将脱模膜30的使用过的部分送至卷取辊(图示略)，将脱模膜30的未使用部分从卷出辊(图示略)送出。
从卷出辊向卷取辊运送时的脱模膜30的厚度优选16μm以上。如果厚度低于16μm，则在脱模膜30的运送时容易产生褶皱。如果在脱模膜30上产生褶皱，则有褶皱被转印在树脂密封部14上造成产品不良之虞。如果厚度在16μm以上，则由于对脱模膜30充分施加张力，因此可抑制褶皱的产生。
工序(α6)：
将从模具内取出的一次性密封体的基板10以及树脂密封部14切断以使多个半导体片12分离(单片化)，得到具有基板10和至少1个半导体片12和密封半导体片12的树脂密封部的单片化密封体。
单片化可通过公知的方法进行，例如可例举切割法。切割法是一边使切割刀片旋转一边切断对象物的方法。作为切割刀片，典型的是使用将金刚石粉烧结在圆盘外周的旋转刃(金刚石切割器)。利用切割法的单片化例如可将作为切断对象物的一次性密封体通过夹具固定在处理台上，在切断对象物的切断区域和上述夹具之间存在切割刀片插入空间的状态下，通过使上述切割刀片移动的方法来进行。
工序(α6)中，在如上所述切断一次性密封体的工序(切断工序)之后，也可包括一边从配置在远离覆盖上述切割刀片的盒的位置的喷嘴向着上述切断对象物供给液体、一边使上述处理台移动的异物去除工序。
工序(α7)：
为了显示任意信息，在工序(α6)中得到的单片化密封体的树脂密封部14的上表面(与脱模膜30的第1面接触的面)14a上涂布墨水，形成墨水层16得到半导体封装体1。
作为通过墨水层16显示的信息，没有特别的限定，可例举序列号、与制造商有关的信息、产品的种类等。
墨水的涂布方法没有特别的限定，例如可适用喷墨法、丝网印刷、从橡胶版的转印等各种印刷法。
作为墨水，没有特别的限定，可在公知的墨水中适当选择。
作为墨水层16的形成方法，从固化速度快、在封装体上的渗出少、此外由于不对着热风而封装体的位置偏离少等方面考虑，优选使用光固化型的墨水，通过喷墨法使该墨水附着在树脂密封部14的上表面14a上，使该墨水通过光的照射固化的方法。
作为光固化型的墨水，典型的是使用含有聚合性化合物(单体、低聚物等)的墨水。墨水中，可根据需要添加颜料、染料等着色材料，液体介质(溶剂或分散介质)，阻聚剂，光聚合引发剂，其它各种添加剂等。作为其他的添加剂，例如可例举助流剂、聚合促进剂、浸透促进剂，湿潤剂(保湿剂)、固定剂、防霉剂、防腐剂、抗氧化剂、放射线吸收剂、螯合剂、pH调整剂、增粘剂等。
作为将光固化型的墨水固化的光，可例举紫外线、可见光线、红外线、电子射线、放射线等。
作为紫外线的光源，可例举杀菌灯、紫外线用荧光灯、碳弧灯、氙灯、复印用高压汞灯、中压或高压汞灯、超高压汞灯、无电极灯、金属卤化物灯、紫外线发光二极管、紫外线激光二极管、自然光等。
光的照射可在常压下进行，也可在减压下进行。此外，可以在空气中进行，也可在氮气氛、二氧化碳气氛等惰性气体气氛中进行。
另外，在本实施方式中，示出了在工序(α5)之后，依次实施工序(α6)、工序(α7)的例子，但工序(α6)、工序(α7)也可以相反的顺序进行。即，也可以在从模具中取出的一次性密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，之后切断一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部。
(第二实施方式)
作为半导体封装体的制造方法的其它实施方式，对通过方法(β)制造图1所示的半导体封装体1的情况进行详细说明。
模具：
作为第二实施方式中的模具，作为传递成形法中使用的模具可使用公知的模具。例如可例举如图5所示的具有上模50和下模52的模具。上模50中，形成有与工序(β4)中形成的树脂密封部14的形状对应的形状的内腔54、和向内腔54内导入固化性树脂40的凹状的树脂导入部60。下模52中，形成有设置搭载半导体片12的基板10的基板设置部58、和配置固化性树脂40的树脂配置部62。此外，树脂配置部62内，设置有将固化性树脂40向上模50的树脂导入部60挤出的柱塞64。
工序(β1)：
如图6所示，以覆盖上模50的内腔54的方式配置脱模膜30。脱模膜30优选以覆盖内腔54、树脂导入部60的整体的方式进行配置。由于脱模膜30被卷出辊(图示略)以及卷取辊(图示略)拉伸，因此在被拉伸的状态下以覆盖上模50的内腔54的方式被配置。
工序(β2)：
如图7所示，通过形成于上模50的内腔54的外部的沟(图示略)进行真空抽吸，对脱模膜30和内腔面56之间的空间、以及脱模膜30和树脂导入部60的内壁之间的空间进行减压，使脱模膜30拉伸变形，使其真空吸附在上模50的内腔面56上。
另外，根据高温环境下的脱模膜30的强度、厚度，以及内腔54的形状，脱模膜30不限于与内腔面56密合。如图7所示，在工序(β2)的真空吸附的阶段中，脱模膜30和内腔面56之间留有少量空隙。
工序(β3)：
如图8所示，安装有多个半导体片12的基板10设置在基板设置部58，上模50和下模52合模，将多个半导体片12配置于内腔54内的规定位置。此外，预先在树脂配置部62的柱塞64上配置固化性树脂40。
作为固化性树脂40，可例举与方法(α)所举出的固化性树脂40相同的树脂。
工序(β4)：
如图9所示，将下模52的柱塞64向上推，通过树脂导入部60向内腔54内填充固化性树脂40。接着，加热模具，使固化性树脂40固化，形成将多个半导体片12密封的树脂密封部14。
工序(β4)中，通过在内腔54内填充固化性树脂40，利用树脂压力将脱模膜30进一步压入内腔面56侧，使其拉伸，通过变形密合于内腔面56。因此，形成了与内腔54的形状对应的形状的树脂密封部14。
使固化性树脂40固化时的模具的加热温度、即固化性树脂40的加热温度优选设为与方法(α)中的温度范围相同的范围。
固化性树脂40的填充时的树脂压力优选2～30MPa，特别优选3～10MPa。如果树脂压力在上述范围的下限值以上，则不易产生固化性树脂40的填充不足等缺点。如果树脂压力在上述范围的上限值以下，则容易得到优良的品质的半导体封装体1。固化性树脂40的树脂压力可利用柱塞64进行调整。
工序(β5)：
如图10所示，将一次性密封体1A从模具取出。此时，固化性树脂40在树脂导入部60内固化后的固化物19在附着于一次性密封体1A的树脂密封部14的状态下与一次性密封体1A一起从模具中被取出。因此，切除取出的一次性密封体1A上附着着的固化物19，得到一次性密封体1A。
工序(β6)：
将工序(β5)中得到的一次性密封体1A的基板10以及树脂密封部14切断以使半导体片12分离(单片化)，得到具有基板10和至少1个半导体片12和密封半导体片12的树脂密封部的单片化密封体。
工序(β6)可与上述工序(α6)同样地进行。
工序(β7)：
为了显示任意信息，在得到的单片化密封体的树脂密封部14的上表面(与脱模膜30的第1面接触的面)14a上涂布墨水，形成墨水层16，得到半导体封装体1。
工序(β7)可与上述工序(α7)同样地进行。
另外，在本实施方式中，示出了在工序(β5)之后，依次实施工序(β6)、工序(β7)的例子，但工序(β6)、工序(β7)也可以相反的顺序进行。即，也可以在从模具中取出的一次性密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，之后切断一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部。
以上，对本发明的半导体封装体的制造方法示出第一～第二实施方式来进行说明，但本发明不受上述实施方式所限。上述实施方式中的各结构及其组合等为一例，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可进行结构的附加、省略、置换以及其它变更。
例如，制造的半导体封装体不限于半导体封装体1。例如半导体片或其他部件可从密封部露出而直接与脱模膜接触。或者，密封部可以不是平坦的，存在阶差。
将树脂密封部从脱模膜剥离的时机不限于将树脂密封部从模具取出时，也可以将脱模膜与树脂密封部一起从模具取出，之后将脱模膜从树脂密封部剥离。
各个一次性密封的多个半导体片12之间的距离可以是均匀的，也可以不均匀。从使密封均质化、对多个半导体片12分别施加均匀的负荷(即负荷变得最小)的方面考虑，优选将多个半导体片12彼此之间的距离设为均匀。
此外，通过本发明的半导体封装体的制造方法制造的半导体封装体不限于半导体封装体1。例如半导体片或其他部件可从密封部露出而直接与脱模膜接触。或者，密封部可以不是平坦的，存在阶差。
根据制造的半导体封装体，可以不进行第一实施方式中的工序(α6)～(α7)、第二实施方式中的工序(β6)～(β7)。
例如不限于树脂密封部的形状为如图1所示的截面大致矩形的封装体。被树脂密封部所密封的半导体元件可以是1个也可以是多个。墨水层不是必需的。
作为半导体封装体，在制造发光二极管的情况下，由于树脂密封部还作为透镜部起作用，因此通常在树脂密封部的表面不形成墨水层。在作为透镜部的情况下，树脂密封部的形状可采用大致半球形、炮弹形、菲涅耳透镜形、半圆柱体形、大致半球菲涅耳透镜形等各种的透镜形状。
实施例
下面，示出实施例来对本发明进行详细说明。但是，本发明并不受到下述记载的限定。
在后述的例1～29中，例1～9以及例18～23为实施例，例10～15、17以及例24～29为比较例。例16为参考例。
各例所使用的材料以及评价方法如下所示。
〔使用材料〕
ETFE(1)：后述的制造例1所得的四氟乙烯/乙烯/PFBE＝52.7/45.9/1.4(摩尔比)的ETFE(MFR：12.0g/10分钟，熔点：262℃)。
ETFE(2)：后述的制造例2所得的四氟乙烯/乙烯/PFBE＝52.7/46.5/0.8(摩尔比)的ETFE(MFR10.1g/10分钟，熔点：268℃)。
ETFE(3)：后述的制造例3所得的四氟乙烯/乙烯/PFBE＝52.7/45.8/1.5(摩尔比)的ETFE(MFR：5.4g/10分钟，熔点：261℃)。
另外，ETFE(1)～(3)的MFR均为根据ASTM D3159，在荷重49N、测定温度297℃下测定的值。
<制造例1：ETFE(1)的制造>
对内容积为1.3L的带搅拌机的聚合槽进行脱气，投入881.9g的1-氢十三氟己烷、335.5g的1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名“AK225cb”旭硝子株式会社制，以下称为AK225cb。)、7.0g的CH2＝CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)，压入165.2g的TFE、9.8g的乙烯(以下称为E。)，将聚合槽内升温至66℃，作为聚合引发剂溶液加入7.7mL的过氧化新戊酸叔丁酯(以下称为PBPV。)的1质量％的AK225cb溶液，使聚合开始。
以使聚合中压力达到一定的条件连续地投入TFE/E＝54/46的摩尔比的单体混合气体。此外，与单体混合气体的投入一起，连续投入相对于TFE和E的总摩尔数，相当于1.4摩尔％的量的PFBE。聚合开始2.9小时后，在投入100g单体混合气体的时刻，将聚合槽内温降至室温的同时将聚合槽的压力排气至常压。
用玻璃滤器对浆料进行抽滤，回收固体成分，通过在150℃下干燥15小时得到107g的ETFE(1)。
<制造例2：ETFE(2)的制造>
除了在使聚合开始前分别将投入的PFBE的量由7.0g变更为3.9g，将PBPV的1质量％的AK225cb溶液的量由7.7mL变更为5.8mL，在聚合中将连续投入的PFBE的量相对于TFE和E的总摩尔数由1.4摩尔％变更为0.8摩尔％以外，以与制造例1相同的方式得到105g的ETFE(2)。
<制造例3：ETFE(3)的制造>
除了在使聚合开始前分别将投入的1-氢十三氟己烷的量由881.9g变更为954.9g，将AK225cb的量由335.5g变更为267.8g，将PFBE的量由7.0g变更为7.1g，将TFE的量由165.2g变更为158.5g，将E的量由9.8g变更为9.4g，在聚合中将连续投入的PFBE的量相对于TFE和E的总摩尔数由1.4摩尔％变更为1.5摩尔％以外，以与制造例1相同的方式得到102g的ETFE(3)。
<按压辊>
按压辊使用模辊。
均使用肖氏D硬度50、含有二氧化硅的有机硅橡胶包覆辊。
模辊1～8的组成、Ra、RPc示于表1。
[表1]
<冷却辊>
使用了模辊1～8的任一种或金属镜面辊(材质：SUS304Ra：0.25，RPc：55)。
[例1]
通过调整了前缘的挤出机以使厚度达到50μm的方式将ETFE(1)从模中挤出，调整温度以使临被辊拉取前的树脂温度达到300℃，进行熔融挤出，拉取至模辊和金属镜面的冷却辊之间。如下调整参数，得到单面的Ra为1.7μm、RPc为100的脱模膜(ETFE膜)。通过冷却辊形成的面的Ra为0.2μm、RPc为50。
制造条件
辊：模辊1/金属镜面辊
辊间加压力：50N/cm
300℃下的熔融粘度：1000Pa·s
300℃下的熔融粘度/辊间加压力：20
〔例2～29〕
除了作为ETFE使用表2～5中示出的材料，调整模辊、制膜速度、辊间加压力，以使厚度、单面的Ra、RPc达到表2～5中示出的值以外，以与例1相同的方式得到脱模膜(ETFE膜)。另外，Ra为0.2μm、RPc为50的面是通过冷却辊形成的面。
〔评价方法〕
(MFR)
根据ASTM D3159，在荷重49N、297℃下测定。
(熔点)
使用扫描型差示热分析计(SII纳米技术公司(SIIナノテクノロジーズ社)制，DSC220CU)，根据将ETFE在空气气氛下以10℃/分钟加热至300℃时的吸热峰求得。
(树脂温度)
在从模中被挤出、临被拉取至2根辊前的位置设置树脂温度感应器GRMT(丹尼斯克公司(ダニスコ社)制)，使熔融树脂的温度与温度计直接接触进行测定。
(熔融粘度)
使用Capi lograph 1D(东洋精机制作所株式会社(東洋精機社)制)进行测定。将通过上述的方法测定的树脂温度作为测定温度，使用炉体径为9.55mm、毛细管为内径1mm、长度10mm的设备。调整活塞速度以使剪切速度达到10/秒，求出此时的表观粘度。
(膜的厚度的测定)
根据ISO4591：1992(JIS K7130：1999的B1法)测定。
(膜的拉伸模量的测定)
根据基于JIS K7127：1999(ISO 527-3：1995)的方法测定180℃下的拉伸模量。
(Ra)
Ra基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)测定。基准长度(边界值λc)设为0.8mm。测定时，使用SURFCOM 480A(东京精密株式会社(東京精密社)制)，求出与膜的制造时的流动方向垂直的方向的3处、以及平行的方向的3处共计6处的Ra，将它们的平均值作为该表面的Ra。
(RPc)
RPc基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)测定。基准长度设为10mm。测定时，使用SURFCOM 480A(东京精密株式会社制)，求出与膜的制造时的流动方向垂直的方向的3处、以及平行的方向的3处共计6处的RPc，将它们的平均值作为该表面的RPc。
(针孔的开口难易度的评价)
参照图11对本评价方法进行说明。
本评价中使用的装置具备：在中央有11mm×11mm的正方形的孔的不锈钢制的框材(厚度3mm)70，和在内部具有能够收容框材70的空间S的夹具72，和配置于夹具72之上的砝码74，和配置于夹具72之下的加热板76。
夹具72具备上部构件72A和下部构件72B。在上部构件72A和下部构件72B之间夹持脱模膜30，通过载放砝码74，在固定脱模膜30的同时形成气密的空间S。此时框材70在孔中收容有不锈钢制的挡块(日文：コマ)(10.5mm×10.5mm)78以及不锈钢制的网(10.5mm×10.5mm)80的状态下，被收容于夹具72内的上部构件72A侧，与脱模膜30接触。
上部构件72A的顶面形成有排气口84，排气口84的空间S侧的开口面上配置有不锈钢制的网(10.5mm×10.5mm)82。此外，砝码74的与排气口84对应的位置上形成有贯通孔86，通过贯通孔86配管L1与排气口84连接。配管L1与真空泵(图示略)连接，通过使真空泵动作可对夹具72内的空间S进行减压。下部构件72B与配管L2连接，藉由配管L2可对夹具72内的空间S供给压缩空气。
在该装置中，通过在框材70的孔中放入网80，用真空泵将脱模膜30和挡块78之间的空气抽出。此外，通过改变放入框材70的孔中的挡块78的厚度，可改变随动深度。随动深度表示框材70的下表面(脱模膜30所接触的面)与挡块78的下表面(脱模膜30侧的面)之间的距离。
在评价中，首先使脱模膜30与框材70密合，固定在夹具72上。此时脱模膜30以第2面朝着上侧(框材侧)的方式配置。接着，用加热板76将夹具72整体加热至180℃后，使真空泵动作，抽出挡块78与脱模膜30之间的空气。再由配管L2向空间S内供给压缩空气(0.5MPa)，使脱模膜30与框材70和挡块78随动。将该状态维持3分钟，确认真空泵的真空度后停止真空泵的动作以及压缩空气的供给，迅速取出脱模膜30。用肉眼确认取出的脱模膜30有无针孔。
通过改变挡块78的厚度，以0.1mm间隔阶梯性加深随动深度的同时，重复上述一系列操作，直至脱模膜30上出现针孔，求出不出现针孔的最大随动深度(mm)。最大随动深度越深则表示针孔越不易出现。
(褶皱的发生难易度的评价)
参照图12对本评价方法进行说明。
本评价所使用的模具具有金属制的固定下模(20mm×20mm)90，和配置于固定下模90的周缘的金属制的框状的可动卧轴(日文：横型)92。在该模具中，通过上下移动可动卧轴92，可改变固定下模90和可动卧轴92的阶差。另外，该阶差表示固定下模90的上表面与可动卧轴92的上表面之间的距离。
可动卧轴92将脱模膜30夹持固定。
固定下模90中形成有排气口(图示略)，该排气口与配管L3连接。该配管L3与真空泵(图示略)连接，通过使真空泵动作，可抽吸脱模膜30与固定下模90之间的空气，使脱模膜30吸附在固定下模90上。固定下模90的上表面(脱模膜30所接触的面)经过镜面加工(#800)。
在评价中，首先如图12(a)所示，在可动卧轴92上配制脱模膜30并固定。此时，脱模膜30以第2面向着下侧(固定下模90方向)的方式配置。此刻的固定下模90与可动卧轴92的阶差为1mm。
接着，将包括固定下模90的模具整体配置于加热板(图示略)之上，加热至180℃。在该状态下，如图12(b)所示，使真空泵动作，藉由配管L3抽出固定下模90的上表面与脱模膜30之间的空气，使脱模膜30真空吸附于固定下模90的上表面。
接着在加热为180℃的状态，如图12(c)所示，使可动卧轴92下降，将固定下模90与可动卧轴92的阶差设为0.3mm(以脱模膜30有多余的方向)。此时在固定下模90的上表面上肉眼观察在脱模膜30上是否产生褶皱或空气残余(空隙)。根据该结果，以下述的评价基准评价褶皱的发生难易度。
<评价基准>
○(良好)：脱模膜上没有发现褶皱或空气残余。
×(不合格)：脱模膜上可发现褶皱或空气残余。
对例1～17所得的脱模膜，将用该模辊形成的面作为第2面，将用按压辊形成的面作为第1面，进行上述评价，评价针孔的开口难易度(最大随动深度)、褶皱的发生难易度。结果示于表2、3。
[表2]
[表3]
如上述结果所示，厚度为40～75μm、第2面的Ra为1.3～2.5μm、RPc为80～200的例1～9的脱模膜的最大随动深度为0.6mm以上，对模具随动时不易产生针孔。此外，这些脱模膜对模具随动时不易产生褶皱。
另一方面，Ra超过2.5μm的例10的脱模膜、第2面的RPc超过200的例12、14、15的脱模膜对模具随动时容易产生针孔。
Ra低于1.3μm的例11、17的脱模膜、RPc低于80的例13的脱模膜对模具随动时容易产生褶皱。此外，在第2面上具有凹凸的脱模膜在膜较薄的情况下对模具随动时容易产生褶皱(例16)。
(评价样品的制作)
在15cm×15cm的正方形状的金属板(厚度3mm)之上载放大小为15cm×15cm的正方形状的聚酰亚胺膜(商品名：UPILEX 125S，宇部兴产株式会社(宇部興産株式会社)制，厚度125μm)。在该聚酰亚胺之上进一步作为间隔物载放15cm×15cm的正方形状的、在中央开有10cm×8cm的长方形状的孔的聚酰亚胺膜(厚度3mm)。在该孔的中心附近放置2g半导体密封用环氧颗粒树脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR，住友电木株式会社制，成形收缩率1.0％)。再在其上以第1面朝着下侧(环氧树脂侧)的方式载放15cm×15cm的正方形状的脱模膜，最后在其上载放15cm×15cm的正方形状的金属板(厚度3mm)，制成层叠样品。
将该层叠样品放入加热为180℃的加压机(50t加压机，加压面积45cm×50cm)中，以100kg/cm2的压力加压5分钟。
加压后，去除间隔物、脱模膜以及脱模膜侧的金属板。藉此，得到将金属板和环氧树脂板层叠而成的评价样品。
(墨水密合性的评价)
将紫外线(UV)固化型墨水(型号：4466，马肯依玛士公司(マーケム·イマージュ)制)用乙酸乙酯稀释至3倍。使用3号棒涂器将稀释的墨水涂布在评价样品的环氧树脂面(评价样品制造时与脱模膜的第1面接触的面)上。涂布量设为1g/m2。涂布后，将评价样品放入100℃的热风炉中，使其干燥3分钟。
将涂布上述的墨水并使其干燥后的评价样品在UV照射装置中以10秒钟、3kW的条件照射UV，使墨水固化，形成墨水层。
基于ISO2409(JIS K5600-5-6-2009)评价形成的墨水层的对环氧树脂面的密合性。根据该结果，按照以下的基准评价墨水密合性。◎以及○是实际使用时可接受的评价基准。
◎(优良)：格子都没有剥落。
○(良好)：发现格子的一部分剥落。
△(不良)：发现格子的50％以上剥落。
×(不合格)：发现整体剥落。
(单片化时的破片、破裂的评价)
从评价样品中去除金属板，用切割刀片(直径Φ5cm，厚度0.1mm的金刚石切割器)切断剩下的环氧树脂板，对剖面进行水洗。之后，用光学显微镜(倍数100倍)观察剖面，以下述的基准评价单片化时的破片、破裂的产生难易度。
○(良好)：剖面上没有破片或破裂。
×(不合格)：剖面上有破片或破裂。
使用与例1～6中使用的脱模膜相同的脱模膜，将用该模辊形成的面作为第2面，将用按压辊形成的面作为第1面，进行上述评价，评价墨水密合性、以及单片化时的破片、破裂(例18～23)。结果示于表4。
[表4]
使用例10～16的脱模膜中褶皱的发生难易度的评价为○(良好)的脱模膜(例10、12、14、15)，将用该模辊形成的面作为第2面，将用按压辊形成的面作为第1面，进行上述评价，评价墨水密合性、以及单片化时的破片、破裂(例24、26、28、29)。此外，使用这些以外的其他脱模膜，以相同的方式制作上述评价样品，评价墨水密合性、以及单片化时的破片、破裂(例25、27)。这些结果示于表5。
[表5]
如上述结果所示，使用第1面的Ra为1.3～2.5μm、RPc为80～200的例18～23的脱模膜来形成的环氧树脂板的墨水密合性优良，且单片化时不易产生破片或破裂。
另一方面，使用Ra超过2.5μm的例24的脱模膜来形成的环氧树脂板在单片化时容易产生破片或破裂。
使用Ra低于1.3μm的例25的脱模膜来形成的环氧树脂板的墨水密合性不足。
使用RPc超过200的例26、28、29的脱模膜来形成的环氧树脂板在单片化时容易产生破片或破裂。
使用RPc低于80的例27的脱模膜来形成的环氧树脂板的墨水密合性不足。
产业上的利用可能性
本发明的脱模膜在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良，且可使脱模膜导致的树脂密封部的外观不良或固化性树脂对模具的附着不易产生，此外，还可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部。使用本发明的脱模膜，可制造集成了晶体管、二极管等半导体元件的集成回路等半导体封装体。
这里引用2013年11月7日提出申请的日本专利申请2013-231366号以及日本专利申请2013-231367号的说明书、权利要求书、附图和摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。
符号说明
1半导体封装体，10基板，12半导体片(半导体元件)，14树脂密封部，14a树脂密封部14的上表面，16墨水层，18焊丝，19固化物，20固定上模，22内腔底面构件，24可动下模，26内腔，30脱模膜，40固化性树脂，50上模，52下模，54内腔，56内腔面，58基板设置部，60树脂导入部，62树脂配置部，64柱塞，70框材，72夹具，72A上部构件，72B下部构件，74砝码，76加热板，78挡块，80网，82网，84排气口，86贯通孔，L1配管，L2配管，S空间，90金属制的固定下模，92金属制的框状的可动卧轴。

Claims (13)

1.一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，
其特征在于，具备在所述树脂密封部的形成时与所述固化性树脂接触的第1面和与所述内腔面接触的第2面，
所述第1面上形成有凹凸，形成有所述凹凸的面的算术平均粗糙度Ra为1.3～2.5μm，峰值数RPc为80～200。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模膜的厚度为16～75μm。
3.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，在所述第2面形成有凹凸，脱模膜的厚度为40～75μm。
4.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述算术平均粗糙度Ra为1.6～1.9μm。
5.权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述峰值数RPc为100～130。
6.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，其由氟树脂构成。
7.如权利要求6所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯共聚物。
8.如权利要求7所述的脱模膜，其特征在于，所述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成，
所述乙烯/四氟乙烯共聚物中的基于四氟乙烯的单元和基于乙烯的单元的摩尔比TFE/E为80/20～40/60。
9.如权利要求8所述的脱模膜，其特征在于，相对于所述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，所述基于第三单体的单元的比例为0.01～20摩尔％。
10.如权利要求9所述的脱模膜，其特征在于，所述第三单体为(全氟丁基)乙烯，相对于所述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，所述基于(全氟丁基)乙烯的单元的比例为0.5～4.0摩尔％。
11.如权利要求7～10中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述乙烯/四氟乙烯共聚物的根据ASTM D3159测定的MFR为2～40g/10分钟。
12.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封所述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备
将权利要求1～11中任一项所述的在第1面上形成有所述凹凸的脱模膜以所述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触所述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在所述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的半导体元件和密封所述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将所述密封体从所述模具脱模的工序。
13.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封所述半导体元件的树脂密封部、和形成于所述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备
将权利要求1～11中任一项所述的在第1面上形成有所述凹凸的脱模膜以所述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触所述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在所述内腔内配置安装有多个半导体元件的基板并用固化性树脂将该多个半导体元件一次性密封，使该固化性树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的多个半导体元件和一次性密封所述多个半导体元件的树脂密封部的一次性密封体的工序，和
将所述一次性密封体的所述基板以及所述树脂密封部切断，使所述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的至少1个半导体元件和将所述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序，和
在所述一次性密封体或单片化密封体的树脂密封部的与所述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层的工序。
CN201480061127.2A 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法 Active CN105705307B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810568708.5A CN108724550B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-231367 2013-11-07
JP2013231366 2013-11-07
JP2013231367 2013-11-07
JP2013-231366 2013-11-07
PCT/JP2014/079592 WO2015068808A1 (ja) 2013-11-07 2014-11-07 離型フィルム、および半導体パッケージの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810568708.5A Division CN108724550B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105705307A CN105705307A (zh) 2016-06-22
CN105705307B true CN105705307B (zh) 2018-06-12

Family

ID=53041583

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810568708.5A Active CN108724550B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
CN201480061127.2A Active CN105705307B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810568708.5A Active CN108724550B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9613832B2 (zh)
JP (3) JP5751399B1 (zh)
KR (1) KR101698289B1 (zh)
CN (2) CN108724550B (zh)
DE (1) DE112014005100B4 (zh)
MY (1) MY176541A (zh)
TW (1) TW201528449A (zh)
WO (1) WO2015068808A1 (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6731782B2 (ja) * 2016-05-16 2020-07-29 三井化学東セロ株式会社 成形品の外観不良を抑制するプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法
US9589941B1 (en) * 2016-01-15 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-chip package system and methods of forming the same
JP6612172B2 (ja) * 2016-04-25 2019-11-27 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置、樹脂成形方法、樹脂成形品の製造方法及び製品の製造方法
DE112017003370T5 (de) * 2016-07-04 2019-03-21 AGC Inc. Ethylen-tetrafluorethylen-copolymerfolie und verfahren zu deren herstellung
CN110446613B (zh) 2017-04-24 2022-01-11 惠普发展公司，有限责任合伙企业 模制到模制主体中的流体喷射管芯
CN115160469A (zh) 2017-11-10 2022-10-11 大金工业株式会社 乙烯/四氟乙烯共聚物
KR102487871B1 (ko) * 2017-11-17 2023-01-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102520812B1 (ko) 2018-04-27 2023-04-12 제이엑스금속주식회사 표면 처리 동박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
JP6970152B2 (ja) * 2018-10-04 2021-11-24 日東電工株式会社 耐熱離型シート及び熱圧着方法
JP7014695B2 (ja) * 2018-10-18 2022-02-01 Ｊｘ金属株式会社 導電性材料、成型品及び電子部品
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US20200168557A1 (en) * 2018-11-28 2020-05-28 Chung-Che Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
JP7161399B2 (ja) * 2018-12-28 2022-10-26 株式会社Subaru 樹脂含浸測定装置
JP7347803B2 (ja) * 2019-03-20 2023-09-20 株式会社コバヤシ 金型と離型フィルムとの組合せ、離型フィルム、金型、及び成形体の製造方法
JP6667836B1 (ja) * 2019-03-20 2020-03-18 株式会社コバヤシ 金型と離型フィルムとの組合せ、離型フィルム、金型、及び成形体の製造方法
DE102019205799A1 (de) * 2019-04-23 2020-10-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dämpferstrukturen an einem mikromechanischen Wafer
CN110581109A (zh) * 2019-08-07 2019-12-17 广东芯华微电子技术有限公司 一种多芯片嵌入式异构封装结构及其制造方法
CN110571197A (zh) * 2019-08-07 2019-12-13 广东芯华微电子技术有限公司 一种多芯片嵌入式abf封装结构及其制造方法
CN110718474B (zh) * 2019-09-03 2022-08-16 富联裕展科技(深圳)有限公司 封装方法、离型件及其制作方法
JP7158358B2 (ja) * 2019-10-08 2022-10-21 日東電工株式会社 樹脂シート
KR20210146165A (ko) 2020-05-26 2021-12-03 삼성전자주식회사 반도체 패키지
DE112021005920T5 (de) * 2020-11-10 2023-09-07 Nitto Denko Corporation Fluorharzfolie, kautschukformkörper und verfahren zur herstellung eines kautschukformkörpers
KR20230148244A (ko) 2021-02-25 2023-10-24 폴렉스 아게 몰드 이형 필름
TWI779614B (zh) * 2021-05-18 2022-10-01 薩摩亞商大煜國際有限公司 複合構件的製造方法
WO2023119515A1 (ja) * 2021-12-22 2023-06-29 株式会社レゾナック 樹脂材料の評価方法、樹脂材料、樹脂材料の製造方法、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
WO2023132312A1 (ja) * 2022-01-07 2023-07-13 住友ベークライト株式会社 離型フィルム
US20230302707A1 (en) * 2022-03-23 2023-09-28 Hiroki Morioka Flow path forming device and extrusion molding device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1298451C (en) * 1985-08-02 1992-04-07 Hiromi Shigemoto Surface-roughened film and sheet, and process for production and use thereof
DE3631232A1 (de) * 1986-09-13 1988-03-24 Hoechst Ag Mehrschichtfolie als trennfolie zur herstellung dekorativer schichtstoffplatten
DE4434425C2 (de) 1994-09-27 1997-04-03 Fissler Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Antihaftbeschichtung sowie mit einer solchen versehene Gegenstände
JP3631869B2 (ja) * 1997-01-17 2005-03-23 三菱樹脂株式会社 フッ素樹脂シート及び合わせガラス
JP3911312B2 (ja) * 1996-12-11 2007-05-09 三菱樹脂株式会社 合わせガラスの製造方法
JP3970464B2 (ja) 1999-02-26 2007-09-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
JP2002110722A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Nitto Denko Corp 半導体チップの樹脂封止方法及び半導体チップ樹脂封止用離型フィルム
JP2002359259A (ja) 2001-06-01 2002-12-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
JP3864120B2 (ja) * 2002-07-29 2006-12-27 株式会社プライムポリマー 多層フィルム
JP4517572B2 (ja) * 2002-11-15 2010-08-04 Ｄｉｃ株式会社 反射・遮光粘着テープ
JP4418764B2 (ja) 2005-02-24 2010-02-24 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体パッケージの製造方法
JP4654062B2 (ja) * 2005-03-30 2011-03-16 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
SG171589A1 (en) * 2006-04-25 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd Release film for semiconductor resin molds
KR101395520B1 (ko) * 2006-08-18 2014-05-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 반도체 수지 몰드용 이형 필름
CN102271887B (zh) * 2009-01-08 2014-03-05 旭硝子株式会社 脱模膜及发光二极管的制造方法
JPWO2011037034A1 (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 旭硝子株式会社 離型フィルムおよび発光ダイオードの製造方法
EP2546041B1 (en) * 2010-03-10 2018-10-03 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Resin mold and method for manufacturing a resin mold
JP5657936B2 (ja) * 2010-07-13 2015-01-21 ユニチカ株式会社 易滑性ポリエステルフィルムおよびその製造方法
JP5483362B2 (ja) * 2010-12-13 2014-05-07 信越ポリマー株式会社 スピーカ振動板用フィルムの製造方法及びスピーカ振動板用フィルム
JP2013146970A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及び離型フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
CN105705307A (zh) 2016-06-22
WO2015068808A1 (ja) 2015-05-14
JP6107883B2 (ja) 2017-04-05
DE112014005100T5 (de) 2016-09-01
KR101698289B1 (ko) 2017-01-19
TWI560820B (zh) 2016-12-01
JP5751399B1 (ja) 2015-07-22
DE112014005100B4 (de) 2024-01-11
US9613832B2 (en) 2017-04-04
KR20150103337A (ko) 2015-09-09
CN108724550B (zh) 2020-07-31
JP6402786B2 (ja) 2018-10-10
US20160189986A1 (en) 2016-06-30
CN108724550A (zh) 2018-11-02
TW201528449A (zh) 2015-07-16
JP2017065269A (ja) 2017-04-06
JP2015157488A (ja) 2015-09-03
JPWO2015068808A1 (ja) 2017-03-09
MY176541A (en) 2020-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105705307B (zh) 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
CN105705308B (zh) 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
CN106104776B (zh) 脱模膜、其制造方法以及半导体封装体的制造方法
KR102019656B1 (ko) 이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법
CN106062947B (zh) 半导体元件安装用封装体的制造方法以及脱模膜
CN106068550B (zh) 脱模膜、以及密封体的制造方法
US20150321387A1 (en) Method of manufacturing light emitting device
TW201117940A (en) Mold release film, and method for manufacturing light emitting diode
US10158051B2 (en) Process method for refining photoconverter to bond-package LED and refinement equipment system
TWI731889B (zh) 樹脂膜及其製造方法
US10276759B2 (en) Process method using deformable organic silicone resin photoconverter to bond-package LED
US10103294B2 (en) Equipment system using deformable organic silicone resin photoconverter to bond-package LED
Mani et al. Innovative process development for LEDs dome shaping without molding
TW202138401A (zh) 氟樹脂及其製造方法
TW202138443A (zh) 電子零件及其製造方法
TW202342935A (zh) 傳熱構件、傳熱構件之製造方法及電漿處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: AGC Corporation

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Asahi Glass Co., Ltd.