KR102487871B1 - 반도체 소자 패키지 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의한 반도체 소자 패키지 제조방법은, 기판 상에 복수 개의 반도체 소자를 안착시키는 단계, 상기 반도체 소자를 수용할 수 있는 공간을 가지고, 상기 기판을 상부 몰드 및 하부 몰드로 고정하는 단계, 상기 하부 몰드 상에 거칠기를 가지는 이형 필름을 배치하는 단계, 상기 하부 몰드와 상기 기판 사이에 몰딩 부재를 공급하고 압력을 가하는 단계, 상기 몰딩 부재를 경화시키는 단계, 상기 이형 필름을 제거하는 단계 및 상기 상부 몰드 및 상기 하부 몰드를 제거하고, 복수 개의 반도체 소자 패키지를 각각의 반도체 소자 패키지로 분리하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 소자 패키지 제조방법{Manufacturing method for Semiconductor device package}

본 발명은 반도체 소자 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 발광 소자는 화합물 반도체의 특성을 이용하여, 전기 에너지를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시킨 신호를 발신하는데 사용되는 소자이며, 현재 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 이용한 발광 다이오드가 널리 상용화되고 있다.

발광 다이오드(light emitting diode, 이하 LED 칩)는 종래의 광원에 비해 긴 수명, 낮은 소비전력, 빠른 응답속도 및 높은 출력 등의 장점을 가지고 있어, 최근 다양한 형태의 조명장치와 디스플레이장치의 백라이트의 백색 광원으로 이용되고 있다. 이러한 LED 칩은 자외선 또는 청색 등의 단일 파장대의 광을 방출하며, 패키징 단계에서 LED 칩 상에 형광체가 충진됨으로써 백색광을 구현하게 된다.

발광 소자를 구성하는 각각의 칩(Chip)은 하나의 웨이퍼 상에 반도체 층을 성장한 후, 절단 공정을 통해 웨이퍼를 칩 단위로 분리함으로써 형성될 수 있다. 분리된 각각의 개별 발광소자의 상면에 형광체 입자 및 양자점과 같은 파장변환 물질을 포함하는 파장 변환층을 형성하는 공정이 추가적으로 이루어진다.

그러나, 파장 변환층을 형성하는 공정에서 정확한 형광체 수지의 토출량을 제어하기 어렵고, 칩 상에 형성된 형광체층의 두께는 50~200㎛의　균일한 두께가 형성되어야　색 좌표가　균일한 백색광을 구현할 수 있는데, 디스펜싱 방식으로 형성된 형광체 층은 표면장력 등의 이유에 의해 칩을 덮는 전체적으로 반구 형상으로 형성되기 때문에　균일한 두께로 형성하는 것이 어렵다.

또한, 대량 생산의 경우에는 각 디스펜싱 설비 간의 편차, 작업대기 시간으로 인한 형광체 수지의 경화도에 따라 토출량의 산포가 발생하게 되고, 경화 후 형광체 수지의 수축발생 및 수축률 산포로 인해 색 산포의 불량이 발생할 수 있는 문제점이 있다.

본 발명은 표면 연삭 공정을 삭제하고 몰딩 공정에서 이형 필름을 적용하여 표면에 균일한 거칠기를 형성하도록 한다.

본 발명은 이형 필름을 적용한 몰딩 부재를 포함하는 반도체 소자 패키지가 동일한 색 좌표를 가질 수 있도록 한다.

본 발명은 표면에 균일한 거칠기를 형성하여 다이싱 공정에서의 수율을 높일 수 있도록 한다.

본 발명의 반도체 소자 패키지 제조 방법은, 기판 상에 복수 개의 반도체 소자를 안착시키는 단계, 상기 반도체 소자를 수용할 수 있는 공간을 가지고, 상기 기판을 상부 몰드 및 하부 몰드로 고정하는 단계, 상기 하부 몰드 상에 거칠기를 가지는 이형 필름을 배치하는 단계, 상기 하부 몰드와 상기 기판 사이에 몰딩 부재를 공급하고 압력을 가하는 단계, 상기 몰딩 부재를 경화시키는 단계, 상기 이형 필름을 제거하는 단계 및 상기 상부 몰드 및 상기 하부 몰드를 제거하고, 복수 개의 반도체 소자 패키지를 각각의 반도체 소자 패키지로 분리하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 상기 복수 개의 반도체 소자 패키지는, 상기 몰딩 부재 표면의 실질적 공정 능력 지수(Cpk)가 1 이상 3 이하의 범위를 가질 수 있다.

본 발명의 상기 거칠기를 가지는 이형 필름은, 균일한 요철 구조를 가질 수 있다.

본 발명의 상기 이형 필름은, 상기 표면 거칠기 값이, 2㎛ 내지 3㎛ 범위를 가질 수 있다.

본 발명의 상기 반도체 소자 패키지의 상기 몰딩 부재의 표면이, 상기 이형 필름 구조와 동일하게 형성될 수 있다.

본 발명의 상기 경화시키는 단계 이전에, 상기 몰딩 부재를 가열하여 전처리하는 단계를 포함하고, 상기 경화시키는 단계에서, 상기 전처리한 몰딩 부재를 경화시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지 제조의 공정 과정의 평탄화 과정을 생략하여 공정 과정을 단순화되며, 수율을 개선할 수 있다.

본 발명에 의하면, 반복적으로 반도체 소자 패키지 제조 공정을 수행하더라도 균일한 색 좌표를 구현할 수 있다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 반도체 소자 패키지의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 소자 패키지의 제조방법에 따른 공정 과정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 반도체 소자 패키지의 몰딩 부재 단면을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명의 제조방법에 따라 제작된 반도체 소자 패키지의 몰딩 부재 단면 사진이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.

명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprises)" 및/또는 "포함하는 (comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 반도체 소자 패키지의 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 반도체 소자 패키지의 제조방법에 따른 공정 과정을 나타낸 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(10) 상에 복수 개의 반도체 소자(20)를 안착시킨다(S110).

본 발명에 있어서, 기판(10)은 다양한 종류가 선택될 수 있다. 실시예에 따라, PI, PET 필름과 같이 유연한 기판이거나, Si, 유리, 사파이어 기판과 같이 소정의 강도를 가지는 기판일 수 있다. 실시예에 따라, 기판(10)은 패턴이 형성되어 있을 수 있으며, 패턴은 예를 들어 미크론 사이즈를 가질 수 있다.

도 2 (a)를 참조하면, 복수 개의 반도체 소자(20)는 기판(10)에 일정한 간격을 가지고 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 기판(10)에 패턴이 형성된 경우, 복수 개의 반도체 소자(20)는 패턴 상에 정렬되어 배치될 수 있다. 또한, 반도체 소자(20)는 메모리 칩이나 마이크로프로세서 칩일 수 있으며, 수직 칩, 수평 칩, 플립 칩 방식으로 배치될 수 있다.

기판(10)을 복수 개의 반도체 소자(20)를 수용할 수 있는 공간을 가지고 상부 몰드(100) 및 하부 몰드(200)로 고정한다(S120).

도 2 (b)를 참조하면, 상부 몰드(100)의 측면이 기판(10)의 두께와 동일하게 수용하는 구조로 설명 되었으나, 상부 몰드(100)의 측면은 기판(10)의 두께보다 높게 형성될 수 있으며, 이에 따라, 반도체 소자(20)를 수용할 수 있는 공간은, 기판(10)의 상면으로부터 오목한 구조, 예를 들어 리세스 구조 또는 컵 구조로 이루어질 수 있다.

하부 몰드(200) 상에 거칠기를 가지는 이형 필름(300)을 배치한다(S130). 일반적으로 반도체 소자 패키지(1)를 제조하는 과정에서 이형 필름(300, Release Film)은 후술하게 될 몰딩 부재(400)와 몰드로부터 잘 떨어지도록 하기 위한 목적으로 굴곡이 없는 평평한 이형 필름이 사용되었다.

본 발명에 따르면, 이형 필름(300)은 거칠기를 가지는 이형 필름(300)일 수 있다. 보다 바람직하게는, 이형 필름(300)은 균일한 엠보싱, 즉 요철 구조를 가질 수 있으며, 몰딩 부재(400)의 표면이 이형 필름(300)과 동일하게 균일한 요철 구조를 가질 수 있다.

도 2 (c)를 참조하면, 이형 필름(300)은 하부 몰드(300) 상에 접착제와 같은 고정 부재를 이용하여 고정될 수 있다.

이형 필름(300)을 배치한 후, 하부 몰드(200)와 기판(10) 사이에 몰딩 부재(400)를 공급하고 압력을 가한다(S140).

본 발명에 있어서, 몰딩 부재(400)는 에폭시 몰딩 화합물(Epoxy molding compound, EMC)과 같은 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 몰딩 부재(400)는 파장 변환 입자가 분산된 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 이 때, 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 선택된 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다.

본 발명에 있어서, 반도체 소자(20)가 빛을 방출하는 발광 소자일 경우, 파장 변환 입자는 발광 소자에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.

본 발명에 있어서, 몰딩 부재(400)를 공급하는 방식은 트랜스퍼(transfer)　몰딩, 디스펜싱(dispensing)　몰딩, 컴프레션(compression)　몰딩, 스크린 프린팅(screen printing) 중 하나의 방식으로 수행될 수 있다. 몰딩 부재(400)는 기판(10) 및 복수 개의 반도체 소자(20)와 직접 접할 수 있다.　

또한, 본 발명에 있어서, 이형 필름(300)은 ETFE(Ethylene and Tetrafluoroethylene) 소재일 수 있으며, 몰딩 부재(400) 표면에 요철 구조를 형성하기 위해 열에 강하고, 유연하면서 강도가 높은 어떠한 소재도 가능할 수 있다.

본 발명에 있어서, 이형 필름(300)을 배치한 후 몰딩 부재(400)를 주입하여 압력을 가하기 때문에, 몰딩 부재(400)의 표면에 균일한 색좌표가 형성될 수 있다. 기존의 반도체 소자 패키지(1) 제작 공정은 많은 양의 몰딩 부재(400)를 주입하고, 원하는 색 좌표를 만들기 위해 몰딩 부재(400)의 두께를 조절하는 연마(Leveling) 공정을 수행하여야 했다.

그러나, 본 발명의 도 2 (d)를 참조하면, 적은 양의 몰딩 부재(400)를 주입하고 이형 필름(300)을 배치한 상부 몰드(100) 및 하부 몰드(200)에 압력을 가함으로써, 원하는 색 좌표의 반도체 소자 패키지(1)를 제작할 수 있다.

또한, 연마 공정은 지속적으로 품질이 우수한 반도체 소자 패키지(1)를 제작하기 위해 연마 소모품(bite)을 주기적으로 교체해 주어야 할 뿐만 아니라, 공정 운영 비용이 많이 필요했다. 하지만, 본 발명에 따르면, 이러한 연마 공정을 생략하여 반도체 소자 패키지(1)의 공정 수율을 개선할 수 있다.

몰딩 부재(400)를 공급한 후, 몰딩 부재(400)를 경화시킨다(S150). 경화 시킨 후 몰딩 부재(400)의 표면은 하부 몰드(200)에 배치된 이형 필름(300)의 형상과 동일하게 형성될 수 있다.

본 발명에 있어서, 이형 필름(300)의 거칠기 값은 2㎛ 내지 3㎛ 범위를 가질 수 있다. 보다 바람직하게 이형 필름(300)의 거칠기 값은 2.5㎛일 수 있으며, 거칠기 값은 몰딩 부재(400)의 표면에 대한 평균 거칠기로 계산될 수 있다. 또한, 몰딩 부재(400)의 표면도 동일한 거칠기 값을 가짐에 따라 후술하게 될 반도체 소자 패키지(1)의 픽업 공정의 수율을 높일 수 있다.

본 발명에 있어서, 몰딩 부재(400)와 같은 플라스틱 계열의 열 경화성 수지의 경우 성형이 끝나더라도 원하는 경도 및 강도를 얻기 위해서, 성형 후 일정 온도를 가하여 수지 내부의 성분을 안정화시켜야 한다. 이에 따라, 일정시간 동안 열을 가하여 몰딩 부재(400)의 특성을 안정되게 함으로써 외부의 화학적 또는 기계적인 스트레스로부터 반도체 소자(20)를 보호할 수 있다.

또한, 기존의 몰딩 공정은 진공 형성 시간이 짧아, 몰딩 부재(400)에 포함된 형광체와 실리콘이 분리되는 문제점이 있었다. 본 발명에 따르면, 몰딩 공정에서 진공 형성 시간을 늘려, 형광체와 실리콘이 분리되어 색 좌표의 불균형 발생 확률을 줄일 수 있다.

본 발명에 있어서, 경화시키는 단계 이전에, 몰딩 부재(400)를 가열하여 전처리하는 단계를 포함할 수 있다. 전처리 과정은 기판(10) 및 반도체 소자(20) 상에 상부 몰드(100)와 하부 몰드(200)가 배치된 상태로 몰딩 부재(400)에 열을 가하는 과정일 수 있다.

실시예에 따라, 전처리 과정은 7~10분 동안 수행될 수 있으며, 반도체 소자 패키지(1)가 외부의 수분이나 공기로부터 잘 밀폐될 수 있도록, 경화시키는 단계에서 전처리한 몰딩 부재(400)를 3~4시간 동안 경화시킬 수 있다. 이에 따라, 이형 필름(300)을 이용하여 형성된 몰딩 부재(400) 표면의 요철 구조가 보다 더 확실하게 형성될 수 있다.

경화 공정이 완료되면, 이형 필름(300)과 상부 몰드(100) 및 하부 몰드(200)를 제거하고, 기판(10) 상에 배치된 복수 개의 반도체 소자(20)를 반도체 소자 패키지로 각각 분리한다(S160).

본 발명에 있어서, 각각의 반도체 소자 패키지(1)로 분리하는 공정은, 기판(10)의 이면에 다이싱 테이프 등의 접착제 층을 부착하여, 기판(10)을 고정하고, 다이싱 블레이드를 사용하여 기판(10)을 패키지 단위로 다이싱할 수 있다.

이후, 테이프와 같은 접착제 층을 연장시켜, 패키지 간의 간격을 넓히는 익스팬드 공정이 수행될 수 있다. 이러한, 익스팬드 공정은, 반도체 소자 패키지(1)를 픽업할 때에 인접하는 패키지끼리 접촉함으로써 발생하는 파손을 방지하기 위해 실시될 수 있다.

도 2 (e)를 참조하면, 기판(10)을 반도체 소자(20)를 하나씩 포함하는 절단선(CL)을 따라 분할함으로써, 개별 반도체 소자 패키지(1)가 제작될 수 있다. 제작된 반도체 소자 패키지(1)의 몰딩 부재 평균 높이, 즉 두께(T1)가 360㎛ 내지 380㎛ 일 수 있으며, 보다 바람직하게는 370㎛일 수 있다. 기존의 연마 공정은 원하는 두께를 가지기 위해, 원하는 두께보다 두껍게 형성될 수 있도록 몰딩 부재(400)를 주입하여야 했다.

이에 따라, 많은 양의 몰딩 부재(400)가 소모되었다. 하지만, 본 발명에 따르면, 많은 양이 아닌 원하는 높이만큼의 몰딩 부재(400)를 정량 주입함으로써 제조 원가를 낮출 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 생성된 몰딩 부재(400) 표면의 실질적 공정 능력 지수(Cpk)가 1 이상 3 이하의 범위를 가질 수 있다.

여기서, 공정 능력은 반도체 소자 패키지(1) 100개를 제작하는 것으로 기준을 설정하였을 때, 제1　공정능력지수(규격대비 6배의 표준편차를 비로 나타낸　공정능력　지표(CP, Process Capability))와 제2　공정능력지수(보정지수를 이용하여 규격의 중심으로부터 평균값이 한쪽으로 치우쳐 있을 경우의　공정능력　지표, 실질적 공정 능력 지수(CPK, Process Capability Index))로 나타낼 수 있다.

따라서, 기존의 표면 연삭, 연마 공정을 통해 몰딩 부재(400) 표면의 색 좌표를 형성하는 것보다 이형 필름(300)을 이용하여 생성된 몰딩 부재(400) 표면의 실질적 공정 능력 지수가 더 높아져 공정 능력이 향상되고, 이에 따른 복수 개의 반도체 소자 패키지(1)의 색 좌표 수율이 개선될 수 있다.

도 3은 본 발명의 비교예에 따른 반도체 소자 패키지의 몰딩 부재 단면을 나타낸 사진이고, 도 4는 본 발명의 제조방법에 따라 제작된 반도체 소자 패키지의 몰딩 부재 단면 사진이다. 도 3을 참조하면, 비교예에 따른 몰딩 부재(400)의 단면은 광택이 존재하지 않고, 몰딩 부재(400)의 절단면이 드러남과 동시에 밀림이 존재하였다.

도 4를 참조하면, 반도체 소자 패키지(1)의 몰딩 부재(400) 단면에 광택이 존재하고, 절단면이 드러나지 않고 동시에 밀림이 존재하지 않는다. 이에 따라, 반도체 소자 패키지(1) 제작을 완료하고 개별 반도체 소자 패키지(1)를 손쉽게 추출할 수 있으며, 이에 따라, SMT 수율이 개선될 수 있다.

한편, 이상에서 설명된 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 반도체 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지를 포함하는 광원 장치로 구현될 수 있다.

또한, 광원 장치는 기판과 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 출력되는 광이 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.

또한, 광원 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 반도체 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

1: 반도체 소자 패키지
10: 기판
20: 반도체 소자
100: 상부 몰드
200: 하부 몰드
300: 이형 필름
400: 몰딩부재

Claims (6)

1. 기판 상에 복수 개의 반도체 소자를 안착시키는 단계;
   상기 반도체 소자를 수용할 수 있는 공간을 가지고, 상기 기판을 상부 몰드 및 하부 몰드로 고정하는 단계;
   상기 하부 몰드 상에 거칠기를 가지는 이형 필름을 배치하는 단계;
   상기 하부 몰드와 상기 기판 사이에 몰딩 부재를 공급하고, 상기 몰딩 부재가 상기 복수 개의 반도체 소자에 직접 접촉하도록 압력을 가하는 단계;
   상기 몰딩 부재를 경화시키는 단계;
   상기 이형 필름과 상기 상부 몰드 및 상기 하부 몰드를 제거하여 상기 기판 상에 배치된 복수 개의 반도체 소자 패키지를 제조하고, 상기 복수 개의 반도체 소자 패키지를 각각의 반도체 소자 패키지로 분리하는 단계; 및
   상기 기판의 이면에 접착제층을 부착하고, 상기 접착제층을 연장시켜 상기 복수 개의 반도체 소자 패키지 간의 간격을 넓히는 단계;를 포함하는 반도체 소자 패키지 제조방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 거칠기를 가지는 이형 필름은,
   균일한 요철 구조를 가지는 반도체 소자 패키지 제조방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 이형 필름은,
   상기 거칠기 값이, 2㎛ 내지 3㎛ 범위를 가지는 반도체 소자 패키지 제조방법.
5. 제1항에 있어서,
   상기 반도체 소자 패키지의 상기 몰딩 부재의 표면이,
   상기 이형 필름 구조와 동일하게 형성되는 반도체 소자 패키지 제조방법.
6. 제1항에 있어서,
   상기 경화시키는 단계 이전에,
   상기 몰딩 부재를 가열하여 전처리하는 단계를 포함하고,
   상기 경화시키는 단계에서,
   상기 전처리한 몰딩 부재를 경화시키는 반도체 소자 패키지 제조방법.

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