CN102271887B - 脱模膜及发光二极管的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能以低成本和高原材料利用率制造在树脂密封部表面直接、准确地转印有目标凹凸的发光二极管的脱模膜及发光二极管的制造方法。将表面形成有多个凸部(凸条(12))和/或凹部(沟(14))的脱模膜(10)作为配置于用于形成将发光二极管的发光元件密封的树脂密封部的模具的模腔内的脱模膜使用。

Description

脱模膜及发光二极管的制造方法
技术领域
本发明涉及配置于用于形成将发光二极管的发光元件密封的树脂部的模具的模腔内的脱模膜以及使用该脱模膜的发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管能以低功率获得高亮度，并且寿命长，因此被用于各种照明、招牌、液晶显示面板的背光源、汽车的尾灯等。发光二极管是使N型半导体与P型半导体接合，将电子与空穴在该界面上结合的能量转换为光的元件。发光二极管与荧光灯相比，耗电量约为二分之一，寿命从结构方面来看是半永久的，而且不含汞等有害物质，产生的热量少，因此作为环境负荷小的节能型、高可靠性的光源受到关注。
对于发光二极管的发光元件，为了赋予电绝缘性并且保护其不受水、湿气等外部环境的影响，通常用光的衰减少且具备耐热性的透明树脂将其密封。作为密封用的透明树脂，使用有机硅树脂、环氧树脂等热固性树脂等。该发光二极管例如通过所谓的压缩成形法或传递成形法制造，上述方法如下所述：将连接有发光元件的基板配置成使发光元件位于模具的模腔内的规定位置，在模腔内填充透明树脂而形成树脂密封部。
但是，因为无法使用有损树脂的透明性的内部脱模剂等，所以树脂密封部难以从模具脱模，如果强行脱模，则树脂密封部会发生损伤或开裂。于是，将脱模膜配置成覆盖模具的模腔的内表面，在该状态下在模腔内填充透明树脂而形成树脂密封部，然后将脱模膜从树脂密封部剥离。
对于脱模膜，要求具备脱模性、能耐受成形时的模具的温度(通常为130℃左右)的耐热性、能耐受树脂的流动和加压力的强度。现在，作为该特性优良的脱模膜，大多使用由氟树脂构成的膜。该氟树脂中，乙烯/四氟乙烯共聚物不仅具备上述特性，而且高温下的伸长率大，对较深的模腔形状的随动性好，因此多用作发光二极管元件的树脂密封工序用脱模膜的材料。
最近，为了来自发光二极管的发光方向的扩大化、发光亮度的均一化、发光亮度的提高等目的，提出了在树脂密封部表面形成有凹凸的发光二极管。作为在树脂密封部表面形成凹凸的方法，可例举例如下述方法。
(1)将表面形成有凹凸的膜粘贴于树脂密封部表面的方法(专利文献1)。
(2)在模具的模腔的内表面形成凹凸，在进行树脂密封的同时将该凹凸转印至树脂密封部的方法(专利文献2的[0016]段)。
但是，方法(1)中，因为零件数量和工序数增加，所以成本上升。此外，凹凸膜的厚度相应地成为壁的厚度，不适合用作要求小型化、薄型化的液晶显示面板的背光源。
方法(2)中，在模具的模腔内配置有脱模膜的情况下，无法将模腔内表面的凹凸准确地转印至树脂密封部表面。另一方面，不配置脱模膜的情况下，模具与树脂密封部的脱模性差，原材料利用率低下。
专利文献1：日本专利特开2008-227456号公报
专利文献2：日本专利特开2003-234509号公报
发明的揭示
本发明提供能以低成本和高原材料利用率制造在树脂密封部表面直接、准确地转印有目标凹凸的发光二极管的脱模膜、发光元件的密封方法及发光二极管的制造方法。
本发明的脱模膜用于使用模具将发光二极管的发光元件用透明树脂密封，配置于所述模具的模腔内，其特征在于，在至少一个表面上形成有多个凸部和/或凹部。
较好的是所述凸部和/或凹部具有倾斜角为20～75度的倾斜面。
所述凸部的相邻的局部山顶的平均间隔或所述凹部的相邻的局部谷底的平均间隔较好为4～200μm；所述凸部的平均高度或所述凹部的平均深度较好为2～100μm。
较好的是所述凸部是截面为三角形的凸条或棱锥形的突起。
较好的是所述凹部是截面为V字形的沟或棱锥形的孔。
所述截面是指凸条或沟的与长边方向正交的方向的截面。
较好的是本发明的脱模膜由氟树脂构成。
较好的是所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯共聚物。
本发明的发光元件的密封方法是使用模具将发光二极管的发光元件用透明树脂密封的方法，其特征在于，使用在至少一个表面上形成有多个凸部和/或凹部的脱模膜，将所述脱模膜配置于模具的模腔，使其覆盖模具的模腔的内表面且形成有所述凸部和/或凹部的表面朝向模腔内的空间，并且在所述模腔内配置所述发光元件，接着在所述模腔内填充透明树脂，用该透明树脂将所述发光元件密封。
本发明的发光二极管的制造方法是使用模具将发光元件用透明树脂密封而形成有树脂密封部的发光二极管的制造方法，其特征在于，在将发光元件密封前，预先在所述模具的模腔内配置本发明的脱模膜。
本发明的发光二极管的制造方法的特征在于，包括：将表面形成有多个凸部和/或凹部的脱模膜配置成覆盖模具的模腔的内表面且所述表面的凸部和/或凹部朝向模腔内的空间的工序；将连接有发光元件的基板配置于模具，使得发光元件位于模具的模腔内的规定位置的工序；在模腔内的空间填充树脂而形成树脂密封部的工序；在脱模膜附着于树脂密封部的状态下从模具中取出发光二极管的工序；以及将脱模膜从树脂密封部剥离的工序。
通过使用本发明的脱模膜，能以低成本和高原材料利用率制造在树脂密封部表面直接、准确地转印有目标凹凸的发光二极管。
通过本发明的发光二极管的制造方法，能以低成本和高原材料利用率制造在树脂密封部表面直接、准确地转印有目标凹凸的发光二极管。
附图的简单说明
图1是本发明的脱模膜的表面附近的剖视图。
图2是例2的脱模膜的表面的电子显微镜照片。
图3是例2的脱模膜的截面的电子显微镜照片。
图4是例3的脱模膜的表面的立体的电子显微镜照片。
实施发明的最佳方式
<脱模膜>
本发明的脱模膜是在至少一个表面上形成有多个凸部和/或凹部(以下也将它们一并记作凹凸)的膜。
脱模膜表面的凹凸呈将形成于发光二极管的树脂密封部表面的凹凸反转而得的形状。
作为凸部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的凸条、散布于膜表面的突起等。
作为凹部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的沟、散布于膜表面的孔等。
作为凸条或沟的形状，可例举直线、曲线、弯折形状等。也可以是多条凸条或沟平行存在而形成条纹状。
作为凸条或沟的与长边方向正交的方向的截面形状，可例举三角形(V字形)、半圆形等。
作为突起或孔的形状，可例举三棱锥形、四棱锥形、六棱锥形、圆锥形、半球形、多面体形等。
从树脂密封部的表面可发挥光轴控制功能的角度来看，凹凸较好是具有倾斜角为20～75度的倾斜面。通过将该倾斜面转印至树脂密封部表面，从发光元件照射出的全方位光在树脂密封部表面的作用下被赋予更多的垂直方向成分，正面亮度提高。倾斜角小于20度时，光轴控制功能可能会较弱。
倾斜角更好是在30度以上。
倾斜角如图1所示，是将脱模膜10的凸部(凸条12)的相邻的局部山顶的连结线设为0度时从该线到倾斜面的最小角度α。不具有凸部的情况下，倾斜角是将凹部(沟14)的相邻的局部谷底的连结线设为0度时从该线到倾斜面的最小角度α。
从能高效地将凹凸转印至树脂密封部表面的角度来看，倾斜面的总面积在形成有凹凸的脱模膜的表面面积(100％)中较好是占50％以上，更好是占67％以上。倾斜面的面积是指形成有倾斜面的部分的面积，与具有倾斜的倾斜面的实际面积不同。
从树脂密封部表面能高效地发挥出光轴控制功能的角度来看，凹凸较好是棱镜形状。
作为棱镜形状，可例举单向的三角形棱镜、二向棱镜、三向棱镜。单向的三角形棱镜容易制作用于形成脱模膜的凹凸的母模，但具有光学各向异性。二向棱镜和三向棱镜的光学各向异性小，但用于形成脱模膜的凹凸的母模的成本高。棱镜形状可根据发光二极管的用途来选择。
作为单向的三角形棱镜，可例举截面为三角形的凸条和/或截面为V字形的沟。该凸条和/或沟更好是如图1所示，呈截面为三角形的凸条12和截面为V字形的沟14交替且平行地存在的形状。
作为二向棱镜，可例举四棱锥形的突起和/或四棱锥形的孔。该突起和/或孔更好是呈多个突起和/或孔以等间隔排列且使得相邻的突起和/或孔的倾斜面位于同一平面的形状。
作为三向棱镜，可例举三棱锥形的突起和/或三棱锥形的孔。该突起和/或孔更好是呈多个突起和/或孔以等间隔排列且使得相邻的突起和/或孔的倾斜面位于同一平面的形状。
从减少光学各向异性的角度来看，凹凸也可以是圆锥形的突起和/或圆锥形的孔。该突起和/或孔更好是呈多个突起和/或孔以等间隔排列的形状。
凹凸的平均间隔较好为4～200μm，且凸部的平均高度或凹部的平均深度较好为2～100μm。从成本和对模腔的随动性的角度来看，脱模膜的厚度在150μm以下，因此平均间隔大于200μm、平均高度(平均深度)大于100μm的情况下，脱模膜的局部谷底部分的厚度过薄，膜顺着模腔变形时，局部谷底部分被局部拉伸，凹凸塌陷，有时会破损。
凹凸的平均间隔更好为5～100μm，且凸部的平均高度或凹部的平均深度更好为4～50μm。凹凸的平均间隔进一步更好为10～60μm，且凸部的平均高度或凹部的平均深度进一步更好为5～30μm。
平均间隔是随机测定10处的凸部的相邻的局部山顶的间隔或凹部的相邻的局部谷底的间隔并将其平均而得的值。
平均高度(平均深度)是随机测定10处的凸部的局部山顶和与该凸部相邻的凹部的局部谷底的高低差并将其平均而得的值。
脱模膜的厚度较好为10～150μm，更好为25～125μm。
从脱模性、耐热性、强度、高温下的伸长率的角度来看，作为脱模膜的材料优选氟原子含有率在10质量％以上的氟树脂。氟原子在所有原子中电负性最高，在所结合的原子间发挥出强大的凝聚力，因此含氟原子的化合物的表面张力低，对与之接触的其它材料显示出非粘着性。此外，对于热、光等外部能量也同样因其强大的凝聚力而不会轻易地分解，耐热性优良。而且，氟树脂因为其分子内的凝聚力强，所以分子间作用力反而弱，施加外力时分子间易滑动，具有较大的变形能力，即显示出伸长性。
作为氟原子含有率在10质量％以上的氟树脂，可例举聚四氟乙烯、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物、乙烯/四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、四氟乙烯/六氟丙烯/偏氟乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、乙烯/三氟氯乙烯共聚物等。
氟树脂可单独使用1种，也可2种以上组合使用。氟树脂可与非氟树脂组合使用，也可掺入无机添加剂、有机添加剂等。
从高温下的伸长率大的角度来看，作为氟树脂特优选乙烯/四氟乙烯共聚物。
作为在脱模膜表面形成凹凸的方法，可例举通过热加工将母模的凹凸转印至脱模膜表面的方法，从生产性的角度来看，优选下述方法(i)、(ii)，更优选方法(ii)。
(i)将脱模膜通过母模辊和压印滚筒之间，将形成于母模辊表面的凹凸连续地转印至脱模膜表面的方法。
(ii)将从挤出机的模中挤出的树脂通过母模辊和压印滚筒之间，在将树脂成形为膜状的同时将形成于母模辊表面的凹凸连续地转印至该膜状树脂的表面的方法。
通过使用辊状的母模，可进行连续的加工，形成有凹凸的脱模膜在生产性显著提高的同时成为卷状的脱模膜，因此可使用具有通用的脱模膜的卷绕机构和卷取机构的压缩成形装置或传递成形装置，可容易地实施发光二极管的树脂密封。
方法(i)：
母模辊的表面温度根据脱模膜的材料及厚度而不同，较好为80～300℃。
母模辊和压印滚筒之间的加压力较好为2～100kg/cm的线压。
加工速度较好为0.2～100m/分钟。
方法(ii)：
沿着设定为树脂的熔点以下的母模辊拉取从模的狭缝中挤出的树脂，从而将其形状固定，并同时藉由通过挤出机的螺杆的转速来调整的挤出量、模具的狭缝宽度、通过母模辊的转速来调整的拉取速度来确定厚度。
母模辊的表面温度、母模辊和压印滚筒之间的加压力、加工速度优选与方法(i)相同的范围。
母模辊：
作为母模辊的材料，可例举金属、陶瓷、树脂等，因为氟树脂的热加工温度较高，所以优选耐热性好的材料。耐热温度较好是300℃以上。因此，作为母模辊的材料，从耐热性、耐久性的角度来看优选金属、陶瓷。
为了增加硬度，可以对金属制的母模辊的表面实施陶瓷涂布、陶瓷烧结、陶瓷蒸镀、超硬金属喷镀、镀敷、渗碳、氮化等表面改性。
作为在母模辊表面形成凹凸的方法，可例举切削、蚀刻等方法。
母模辊表面的凹凸是将脱模膜表面的凹凸反转而得的形状，是与形成于发光二极管的树脂密封部表面的凹凸相同的形状。
压印滚筒：
作为压印滚筒，可例举橡胶包覆辊、树脂包覆辊、纸包覆辊、金属辊等，从将对母模辊的负荷抑制在低水平的角度来看，优选橡胶包覆辊。
上述本发明的脱模膜中，因为表面形成有凹凸，所以通过配置于模具的模腔内，可直接将凹凸转印至树脂密封部表面。此外，因为可直接将凹凸转印至树脂密封部表面，所以可准确地转印目标凹凸。此外，因为可直接将凹凸转印至树脂密封部表面，所以零件数量和工序数不会增加，能以低成本制造发光二极管。此外，因为模具与树脂密封部的脱模性好，所以能以高原材料利用率制造发光二极管。
<发光二极管的制造方法>
本发明的发光二极管的制造方法的特征在于，在通过公知的方法将发光元件密封前，预先在所述模腔内配置本发明的脱模膜。
具体而言，可例举包括下述工序(a)～(e)的方法。
(a)将本发明的脱模膜配置成覆盖模具的模腔的内表面且表面的凹凸朝向模腔内的空间的工序。
(b)将连接有发光元件的基板配置于模具，使得发光元件位于模具的模腔内的规定位置的工序。
(c)在模腔内的空间填充树脂而形成树脂密封部的工序。
(d)在脱模膜附着于树脂密封部的状态下从模具中取出发光二极管的工序。
(e)将脱模膜从树脂密封部剥离的工序。
作为树脂密封部的形成方法，可例举压缩成形法或传递成形法。作为制造装置，可使用公知的压缩成形装置或传递成形装置。制造条件也可以是与公知的发光二极管的制造方法中的条件相同的条件。
以上所述的本发明的发光二极管的制造方法中，因为使用了本发明的脱模膜，所以能以低成本和高原材料利用率制造在树脂密封部表面直接、准确地转印有目标凹凸的发光二极管。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不局限于这些实施例。
例2、3是实施例，例1是比较例。
〔例1〕
作为脱模膜，准备乙烯/四氟乙烯共聚物膜(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，Fluon LM-ETFE膜，厚度：100μm)。该膜的表面未形成凹凸。
通过以下方法将发光元件密封，得到发光二极管，测定该发光二极管的亮度。
以白色发光元件(工作电压：3.5V，消耗电流：10mA，尺寸：0.1mm见方，0.05mm厚)为中心，将所述脱模膜配置于模具的模腔(5mm见方的四边形状)内，使其位于距发光元件上表面0.7mm的位置，在该模腔内注入透明有机硅树脂(LPS-3412A和LPS-3412B的等量混合物，信越化学株式会社(信越化学社)制)，使其固化，形成树脂密封部。此时的模具温度为130℃，压力为5MPa，固化时间为3分钟。接着，从模具中取出成形物，将脱模膜从树脂密封部剥离。
接着，以发光元件为中心以3mm的直径切出所述成形物，用可见光反射率为85％的掺入有氧化钛的有机硅树脂以平均厚度0.2mm的条件对侧面和下表面进行浸涂，得到测定用的发光二极管。
〔例2〕
准备包括口径30mm的挤出机、与挤出机的前端连接的具有宽度为250mm且间隙为0.5mm的狭缝的模、由母模辊和橡胶包覆辊构成的膜拉取机的装置。
母模辊如下所述制造。
在内部具有能通过载热体油的结构的外径为150mm的碳钢制金属辊的表面设置镍磷化合物的非电解镀层后，进行磨削，形成约200μm的镀层。将该辊安装于精密车床(东芝机械株式会社(東芝機械社)制)，利用刀尖角度为90度的磨削车刀在辊的整个周围形成平均间隔为20μm且深度为10μm的连续的截面为V字形的沟，从而得到母模辊，该母模辊的表面交替且平行地形成有倾斜角为45度的截面为三角形的凸条和截面为V字形的沟。
作为橡胶包覆辊，准备在金属辊的表面衬有厚度为5mm且橡胶硬度为65度的有机硅橡胶的外径为150mm的辊。
将乙烯/四氟乙烯共聚物(旭硝子株式会社制，Fluon ETFE LM720AP)投入挤出机，将其熔融后从连接于挤出机前端的模中挤出。挤出机和模的代表性的温度为320℃，挤出量通过调整螺杆的转速而达到2.2kg/小时。
将橡胶包覆辊以10.6kg/cm的线压按压于母模辊，将挤出的树脂通过两者之间，藉此在将该树脂成形为膜状的同时将形成于母模辊表面的凹凸转印至该膜状树脂的表面，得到脱模膜。母模辊的表面温度设定为170℃，辊外周速度为2.5m/分钟。所得脱模膜的电子显微镜照片示于图2、图3。图2、图3的电子显微镜照片的倍数为500倍。
如上所述得到的脱模膜的厚度为60μm，具有倾斜角为45度、凸部的相邻的局部山顶的平均间隔为20μm、凹部的平均深度为10μm的凹凸。
除使用该脱模膜以外，与例1同样地进行树脂密封，得到在树脂密封部表面转印有脱模膜表面的凹凸的发光二极管。在树脂密封部表面形成有凹凸(单向的三角形棱镜)的例2的发光二极管与未在树脂密封部表面形成凹凸的例1的发光二极管相比，以正面亮度计得到了8％的亮度提高。
〔例3〕
在100mm×100mm×厚10mm的不锈钢钢材的表面形成厚200μm的镍磷化合物的非电解镀层，在该表面加工出纵向和横向的平均间隔为50μm、高度为25μm、倾斜角为45度的四棱锥形的突起，得到母模。
在母模上载放乙烯/四氟乙烯共聚物膜(旭硝子株式会社制FluonLM-ETFE膜厚100μm)，通过加压温度为210℃、加压力为7.7kg/cm2、加压时间为30分钟的真空加压将形成于母模表面的凹凸转印至膜上，得到脱模膜。脱模膜的电子显微镜照片示于图4。图2、图3的电子显微镜照片的倍数为500倍。
如上所述得到的脱模膜的厚度为100μm，倾斜角为45度，凸部的相邻的局部山顶的平均间隔为50μm，凸部的平均高度为25μm。
除使用该脱模膜以外，与例1同样地进行树脂密封，得到在树脂密封部表面转印有脱模膜表面的凹凸的发光二极管。在树脂密封部表面形成有凹凸(二向棱镜)的例3的发光二极管与未在树脂密封部表面形成凹凸的例1的发光二极管相比，以正面亮度计得到了12％的亮度提高。
产业上利用的可能性
本发明的脱模膜作为配置于用于形成将发光二极管的发光元件密封的树脂密封部的模具的模腔内的脱模膜有用。
在这里引用2009年1月8日提出申请的日本专利申请2009-002510号的说明书、权利要求书、附图和摘要的所有内容作为本发明说明书的揭示。
符号的说明
10    脱模膜
12    凸条
14    沟

Claims (10)

1.一种脱模膜，该脱模膜用于使用模具将发光二极管的发光元件用透明树脂密封，配置于所述模具的模腔内，其特征在于，
在至少一个表面上形成有多个凸部和/或凹部，所述凸部和/或凹部具有倾斜角为20～75度的倾斜面。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，
所述凸部的相邻的局部山顶的平均间隔或所述凹部的相邻的局部谷底的平均间隔为4～200μm，
所述凸部的平均高度或所述凹部的平均深度为2～100μm。
3.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于
所述凸部是截面为三角形的凸条，
所述凹部是截面为V字形的沟。
4.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于
所述凸部是棱锥形的突起，
所述凹部是棱锥形的孔。
5.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，由氟树脂构成。
6.如权利要求5所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯共聚物。
7.一种发光元件的密封方法，该方法是使用模具将发光二极管的发光元件用透明树脂密封的方法，其特征在于，使用权利要求1～6中任一项所述的脱模膜，将所述脱模膜配置于模具的模腔，使其覆盖模具的模腔的内表面且形成有所述凸部和/或凹部的表面朝向模腔内的空间，并且在所述模腔内配置所述发光元件，接着在所述模腔内填充透明树脂，用该透明树脂将所述发光元件密封。
8.如权利要求7所述的密封方法，其特征在于，脱模膜由氟树脂构成。
9.一种发光二极管的制造方法，该方法是使用模具将发光元件用透明树脂密封而形成有树脂密封部的发光二极管的制造方法，其特征在于，
在将发光元件密封前，预先在所述模具的模腔内配置权利要求1～6中任一项所述的脱模膜。
10.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：将权利要求1～6中任一项所述的脱模膜配置成覆盖模具的模腔的内表面且所述表面的凸部和/或凹部朝向模腔内的空间的工序；将连接有发光元件的基板配置于模具，使得发光元件位于模具的模腔内的规定位置的工序；在模腔内的空间填充树脂而形成树脂密封部的工序；在脱模膜附着于树脂密封部的状态下从模具中取出发光二极管的工序；以及将脱模膜从树脂密封部剥离的工序。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120003679A (ko) * 2010-07-05 2012-01-11 삼성전자주식회사 사출성형장치
CN103917347A (zh) * 2011-12-22 2014-07-09 大金工业株式会社 离型膜
KR102019656B1 (ko) 2012-01-30 2019-09-09 에이지씨 가부시키가이샤 이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법
JP5541468B2 (ja) * 2012-02-20 2014-07-09 信越ポリマー株式会社 離型用フィルム
JPWO2014156722A1 (ja) * 2013-03-29 2017-02-16 住友ベークライト株式会社 工程フィルム、その使用方法、成型品の製造方法および成型体
TWI632042B (zh) 2013-11-07 2018-08-11 旭硝子股份有限公司 Release film and method of manufacturing semiconductor package
CN108724550B (zh) 2013-11-07 2020-07-31 Ａｇｃ株式会社 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
CN104779338A (zh) * 2014-01-15 2015-07-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体的制造方法
US9853193B2 (en) * 2014-06-04 2017-12-26 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
US10499448B2 (en) * 2017-02-03 2019-12-03 Motorola Mobility Llc Configuration information for an inactive state
KR102487871B1 (ko) * 2017-11-17 2023-01-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1655927A (zh) * 2002-05-27 2005-08-17 帝人杜邦菲林日本株式会社 剥离膜

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3454457A (en) * 1965-02-10 1969-07-08 Domtar Ltd Fabricated caul plate
CA1141515A (en) * 1980-01-08 1983-02-22 John H. Cleminson Twin-web hot embossing of thermoplastic film
GB2259883A (en) * 1991-09-28 1993-03-31 Rover Group Moulding against a shape or surface imparting film liner
JP2944308B2 (ja) * 1991-11-08 1999-09-06 三菱電機株式会社 多層プリント基板の製法
US5840352A (en) * 1993-09-06 1998-11-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Fresnel lens manufacturing apparatus
JPH07117144A (ja) * 1993-10-22 1995-05-09 Dainippon Printing Co Ltd 面光源用導光板の製造方法
JPH1140593A (ja) * 1997-07-16 1999-02-12 Towa Kk 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型
JP3970464B2 (ja) * 1999-02-26 2007-09-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US6216332B1 (en) * 1999-11-02 2001-04-17 Ching-Chuan Jou Method of manufacturing a non-stick pan
US6439869B1 (en) * 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for molding semiconductor components
JP2002359259A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体モールド用離型シート
DE10163116B4 (de) * 2001-12-24 2008-04-10 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum Herstellen von lichtleitenden LED-Körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten Stufen
JP2003234509A (ja) 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6863850B2 (en) * 2002-10-16 2005-03-08 Lear Corporation Method and apparatus for injection foam molding
TWI264199B (en) * 2003-09-03 2006-10-11 Chunghwa Telecom Co Ltd Real-time optical-power monitoring system for Gigabit Ethernet
JP4319882B2 (ja) * 2003-09-29 2009-08-26 大日本印刷株式会社 加飾シート、加飾成形品、及び射出成形同時加飾方法
US7189601B2 (en) * 2004-03-02 2007-03-13 Texas Instruments Incorporated System and method for forming mold caps over integrated circuit devices
JP4471685B2 (ja) * 2004-03-10 2010-06-02 シチズン電子株式会社 照明装置
US7265057B2 (en) * 2005-11-18 2007-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd 3D lithography with laser beam writer for making hybrid surfaces
JPWO2007116793A1 (ja) * 2006-04-05 2009-08-20 旭硝子株式会社 離型フィルム、離型性クッション材およびプリント基板の製造方法
CN101506961B (zh) * 2006-08-18 2011-01-05 旭硝子株式会社 半导体树脂模塑用脱模膜
JP2008207450A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Towa Corp 発光素子の圧縮成形方法
KR100890741B1 (ko) * 2007-03-13 2009-03-26 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP5036372B2 (ja) * 2007-04-02 2012-09-26 Ｔｏｗａ株式会社 光電子部品および光電子部品の製造方法
JP2009002510A (ja) 2007-06-15 2009-01-08 Dichtungstechnik G Bruss Gmbh & Co Kg シャフト用のシーリング部材及び車両部品
JP2009051107A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Towa Corp 光素子の樹脂封止成形方法及び装置
JP2009119697A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Toshiba Corp 離型フィルムおよび電子部品の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1655927A (zh) * 2002-05-27 2005-08-17 帝人杜邦菲林日本株式会社 剥离膜

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2000-280408A 2000.10.10
JP特开2008-246882A 2008.10.16
JP特开2009-119697A 2009.06.04

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