TWI632042B - Release film and method of manufacturing semiconductor package - Google Patents

Release film and method of manufacturing semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
TWI632042B
TWI632042B TW103138774A TW103138774A TWI632042B TW I632042 B TWI632042 B TW I632042B TW 103138774 A TW103138774 A TW 103138774A TW 103138774 A TW103138774 A TW 103138774A TW I632042 B TWI632042 B TW I632042B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
release film
resin
mold
fluororesin
sealing portion
Prior art date
Application number
TW103138774A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201521989A (zh
Inventor
笠井涉
鈴木政己
Original Assignee
旭硝子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旭硝子股份有限公司 filed Critical 旭硝子股份有限公司
Publication of TW201521989A publication Critical patent/TW201521989A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI632042B publication Critical patent/TWI632042B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18—Monomers containing fluorine
    • C08F214/26—Tetrafluoroethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18—Monomers containing fluorine
    • C08F214/26—Tetrafluoroethene
    • C08F214/262—Tetrafluoroethene with fluorinated vinyl ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18—Monomers containing fluorine
    • C08F214/26—Tetrafluoroethene
    • C08F214/265—Tetrafluoroethene with non-fluorinated comonomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

提供一種脫模膜及使用該脫模膜之半導體封裝件之製造方法，該脫模膜在以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳並可抑制脫模膜所致之樹脂密封部或模具的污染，且可形成與印墨層之密著性優異的樹脂密封部。
一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；其特徵在於：該脫模膜具有在前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面，其中至少前述第1面係由氟樹脂所構成；又，在特定試驗法中之F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3。

Description

脫模膜、及半導體封裝件之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種在半導體封裝件之製造方法配置於模具之模槽面的脫模膜、及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部者。
發明背景
半導體封裝件具有保護半導體元件的樹脂密封部。於樹脂密封部之形成(半導體元件之密封)係使用環氧樹脂等熱硬化性樹脂等之硬化性樹脂。
就半導體封裝件之製造方法而言，例如周知有包含利用所謂的壓縮成形法或轉注成形法之密封步驟的方法，即，將已安裝有半導體元件之基板配置成使該半導體元件位於模具之模槽內的預定處，並於模槽內充填硬化性樹脂而形成樹脂密封部。在該方法中，為了防止密封步驟中密封樹脂與模具固著以提高脫模性，採取的對策係於硬化性樹脂摻混脫模劑、以及於模具之模槽面配置脫模膜等。
在半導體元件之密封步驟中，即使配置有脫模 膜，依舊存有由硬化性樹脂產生之氣體(出氣)或低黏度物質穿透脫模膜與高溫的模具接觸而污染模具的問題。又，脫模膜對模具之模槽面的配置係在真空下使該脫模膜受模槽面吸附支持來進行，脫模膜中之寡聚物等的揮發性成分亦可能移行至上述被吸附的模具側而引發模具污染。一旦發生模具污染，為了洗淨模具，非得暫停半導體元件之密封步驟，進而降低半導體封裝件之生產效率。
針對此種問題，有提議以下(1)~(2)之脫模膜(專利文獻1~2)。
(1)一種氣體障蔽性半導體樹脂塑模用脫模膜，具有脫模性佳的脫模層及支持其之塑膠支持層，上述塑膠支持層在170℃下之200%伸長時強度為1~50MPa，且該脫模膜在170℃下之二甲苯氣體穿透性為5×10-15(kmol‧m/(s‧m2‧kPa))以下。
(2)一種氣體障蔽性半導體樹脂塑模用脫模膜，具有脫模性佳的脫模層、支持其之塑膠支持層及氣體穿透抑制層，該氣體穿透抑制層係形成於該脫模層與支持層之間且由金屬或金屬氧化物所構成，且該脫模膜在170℃下之二甲苯氣體穿透性在5×10-15(kmol‧m/(s‧m2‧kPa))以下。
(1)~(2)之脫模膜係藉由使二甲苯氣體穿透性在5×10-15(kmol‧m/(s‧m2‧kPa))以下，而可減低出氣及低黏度物質所致之模具污染。
在(1)~(2)之脫模膜中，為了對硬化後之塑模樹脂(樹脂密封部)賦予充分的脫模性，脫模層係設於至少與注入模具 內之塑模樹脂相接之面。就脫模層而言，係使用由氟樹脂所構成之層。
又，在半導體封裝件之製造中，通常為了於形成之樹脂密封部表面顯示製品編號、廠商等資訊，會藉由使用印墨之印刷形成印墨層。
但，於硬化性樹脂摻混有脫模劑之情況下，由於在欲形成之樹脂密封部表面存有脫模劑，因此樹脂密封部與印墨層之密著性低，隨時間經過會有印墨層從樹脂密封部剝離之問題產生。所以必須施行某些處理以防止密著性降低(例如專利文獻3)，進而使製造步驟增多。
在未於硬化性樹脂摻混脫模劑便將脫模膜配置於模具之模槽面時，雖不會產生脫模劑所致之問題，但樹脂密封部與印墨層之密著性稱不上充分。
為了提升樹脂密封部與印墨層之密著性，已有提議使用表面形成有凹凸以增大表面粗度的脫模膜，將之配置於模具並令該凹凸朝向硬化性樹脂側而形成樹脂密封部(例如專利文獻4)。在此情況下，脫模膜表面之凹凸會轉印於樹脂密封部表面。藉由該凹凸之存在來提升印墨層相對於樹脂密封部的密著性。
對於脫模膜，除了脫模性以外還要求成形時得以承受模具溫度的耐熱性、以及得以承受密封樹脂之流動或加壓力的強度等。由該等特性優異的觀點出發，已有提議使用氟樹脂膜作為脫模膜(例如專利文獻5)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2007/125834號
專利文獻2：國際公開第2008/020543號
專利文獻3：日本專利第2803744號公報
專利文獻4：日本專利第3970464號公報
專利文獻5：國際公開第2010/079812號
發明概要
本發明人等發現專利文獻1~2中記載之脫模膜的氟樹脂層之氟樹脂及專利文獻5中記載之氟樹脂膜的氟樹脂多含有源自該氟樹脂之含氟寡聚物及其以外之低分子量的含氟化合物(以下將其等稱為源自氟樹脂之寡聚物等)，源自此種氟樹脂之寡聚物等有會成為污染物質而引發不恰當情況發生之虞。
即，經由本發明人等研討發現，使用專利文獻1~2中記載之脫模膜時，在密封步驟中有樹脂密封部受到源自脫模膜之脫模層中之氟樹脂的寡聚物等污染的問題。又發現，在專利文獻1~2中雖有提議亦於脫模膜之模具側設置脫模層，但在此情況下會有不僅樹脂密封部被源自脫模層之氟樹脂的寡聚物等污染，連模具亦被源自脫模層之氟樹脂的寡聚物等污染的問題。
經由本發明人等之研討更發現使用氟樹脂膜作為脫模膜時，在密封步驟中有源自脫模膜之氟樹脂的寡聚物等附 著於樹脂密封部表面而使樹脂密封部與印墨層之密著性降低的問題。
本發明目的在於提供一種脫模膜、及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法，該脫模膜以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳，且可抑制脫模膜所致之樹脂密封部之污染，並可形成與印墨層之密著性優異的樹脂密封部。
本發明提供一種具有以下[1]~[14]之構成的脫模膜及半導體封裝件之製造方法。
[1]一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；其特徵在於：該脫模膜具有在前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面，其中至少前述第1面係由氟樹脂所構成；又，該脫模膜於下述試驗法A中之F/Al為0.2~4，或者，於下述試驗法B中之F/(C+F+O)為0.1~0.3。
<試驗法A>
依序將厚1mm之厚紙、脫模膜、厚0.1mm且由JIS H4160中之A1N30H-H18材料所構成之鋁板、以及厚1mm之厚紙以令前述第1面與前述鋁板相接的方式重疊，在180℃、5MPa之條件下壓製5分鐘後，將前述脫模膜自前述鋁板剝離，並 藉由X射線光電子分光分析對前述鋁板之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於鋁原子之比(F/Al)。
<試驗法B>
於厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第一金屬板上，載置厚100μm且大小15cm×15cm的正方形鋁箔，並於前述鋁箔上載置一分隔件，該分隔件為厚100mm、大小15cm×15cm之正方形且中央開設有10cm×8cm的長方形孔，於其孔之中心附近載置2g下述環氧樹脂，更於其上載置大小15cm×15cm的正方形脫模膜並使前述第1面朝向前述分隔件側，於其上載置厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第二金屬板來製作積層試樣。在180℃、10MPa之條件下將前述積層試樣壓製5分鐘，使前述環氧樹脂硬化。壓製後除去前述第二金屬板、前述脫模膜及前述分隔件，藉由X射線光電子分光分析對前述環氧樹脂硬化物之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於碳原子、氟原子及氧原子之和的比(F/(C+F+O))。
環氧樹脂：半導體密封用環氧顆粒樹脂、商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製。
[2]如[1]之脫模膜，其厚度為16~200μm。
[3]如[1]或[2]之脫模膜，其係由前述氟樹脂所構成之單層結構薄膜。
[4]如[1]~[3]中任一項之脫模膜，其中前述氟樹脂為氟烯烴系聚合物。
[5]如[4]之脫模膜，其中前述氟烯烴系聚合物為乙烯/四氟乙烯共聚物。
[6]如[5]之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物係由以四氟乙烯為主體之單元、以乙烯為主體之單元、以及以四氟乙烯及乙烯以外的第3單體為主體之單元所構成；前述乙烯/四氟乙烯共聚物中以四氟乙烯為主體之單元與以乙烯為主體之單元之莫耳比(TFE/E)為80/20~40/60。
[7]如[5]或[6]之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物係由以四氟乙烯為主體之單元、以乙烯為主體之單元、以及以四氟乙烯及乙烯以外的第3單體為主體之單元所構成；前述乙烯/四氟乙烯共聚物之總單元中，以四氟乙烯為主體之單元為40~69.7莫耳%，以乙烯為主體之單元為30~59.7莫耳%，以前述第3單體為主體之單元為0.3~1.7莫耳%。
[8]如[6]或[7]之脫模膜，其中前述第3單體為六氟丙烯、全氟(丙基乙烯基醚)、(全氟乙基)乙烯或(全氟丁基)乙烯。
[9]如[6]或[7]之脫模膜，前述第3單體為(全氟丁基)乙烯。
[10]如[5]~[9]中任一項之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物之熔融流量(MFR)為2~40g/10分。
[11]如[4]之脫模膜，其中前述氟烯烴系聚合物為 全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物。
[12]如[1]~[11]中任一項之脫模膜，其中前述脫模膜係由已使氟樹脂膜接觸溶劑藉此減低可被溶劑萃取之成分的氟樹脂膜所構成。
[13]一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件及樹脂密封部，該樹脂密封部係由硬化性樹脂形成並與用以密封前述半導體元件；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如[1]~[12]中任一項之脫模膜配置於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模之步驟。
[14]一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件、由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部、及形成於前述樹脂密封部表面之印墨層；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如[1]~[12]中任一項之脫模膜配置於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟； 將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；將前述密封體自前述模具脫模的步驟；及在前述密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨來形成印墨層的步驟。
依據本發明之脫模膜，以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳且可抑制脫模膜所致之樹脂密封部及模具的污染。此外，亦可形成與印墨層之密著性優異的樹脂密封部。
在本發明之半導體封裝件之製造方法中，以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳且可抑制脫模膜所致之樹脂密封部及模具的污染。此外，亦可以優異的密著性於該樹脂密封部形成印墨層。因此，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法，亦可製造印墨層難以從樹脂密封部剝離的半導體封裝件。
1‧‧‧半導體封裝件
1A‧‧‧整批密封體
10‧‧‧基板
12‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
14‧‧‧樹脂密封部
14a‧‧‧上面
16‧‧‧印墨層
18‧‧‧搭接線
19‧‧‧硬化物
20‧‧‧固定上模
22‧‧‧模槽底面構件
24‧‧‧可動下模
26‧‧‧模槽
30‧‧‧脫模膜
40‧‧‧硬化性樹脂
50‧‧‧上模
52‧‧‧下模
54‧‧‧模槽
56‧‧‧模槽面
58‧‧‧基板設置部
60‧‧‧樹脂導入部
62‧‧‧樹脂配置部
64‧‧‧柱塞
圖1係顯示藉由本發明之半導體封裝件之製造方法製造之半導體封裝件一例的概略截面圖。
圖2係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法中之第1實施形態之步驟(α3)的截面圖。
圖3係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法中之第1實施形態之步驟(α4)的截面圖。
圖4係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法中之第1實施形態之步驟(α4)的截面圖。
圖5係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中使用於第2實施形態之模具一例的截面圖。
圖6係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中之第2實施形態之步驟(β1)的截面圖。
圖7係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中之第2實施形態之步驟(β2)的截面圖。
圖8係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中之第2實施形態之步驟(β3)的截面圖。
圖9係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中之第2實施形態之步驟(β4)的截面圖。
圖10係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中之第2實施形態之步驟(β5)的截面圖。
用以實施發明之形態
本說明書中之「脫模膜」係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部者。例如一薄膜，於形成半導體封裝件之樹脂密封部時，將該薄膜配置成覆蓋模具之模槽面，使其位於所形成之樹脂密封部與模槽面之間，藉此提高所得半 導體封裝件從模具的脫模性，且該模具具有形狀與該樹脂密封部形狀對應之模槽。
樹脂中之「單元」表示構成該樹脂之構成單元(單體單元)。
「氟樹脂」表示結構中含有氟原子之樹脂。
本說明書中之「算術平均粗度(Ra)」係依據JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定之算術平均粗度。求算Ra時，使用於粗度曲線的基準長度1r(截止值λc)為0.8mm，測定速度為1.5mm/秒。
本說明書中之「中值粒徑」係依據JIS Z8825：2013(ISO13320：2009)，使用雷射繞射粒度分布測定裝置進行測定之粒徑累積分布達50%之粒徑值。
脫模膜之厚度係依據ISO4591：1992(JIS K7130：1999之B1法，從塑膠薄膜或薄片採取之試料利用質量法的厚度測定方法)進行測定。
[脫模膜]
本發明之脫模膜係配置於模具之模槽面，具有於前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面、及與前述模槽面相接之第2面，該模具係以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部。
即，本發明之脫模膜係將第1面配置成朝向前述模具之模槽內的空間，且於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂接觸。又，此時，第2面密著於模具之模槽面。所以，在該狀態下使硬化性樹脂硬化，藉此可形成形狀與模具之模槽形 狀對應的樹脂密封部。
從脫模性的觀點看來，本發明之脫模膜至少第1面由氟樹脂所構成。藉此，可使在與該脫模膜相接之狀態下硬化的硬化性樹脂(樹脂密封部)順利地從脫模膜剝離。
就第1面由氟樹脂所構成之脫模膜而言，只要至少於第1面側之最外層含有由氟樹脂所構成之層(以下亦稱氟樹脂層)即可，可舉如由氟樹脂所構成之薄膜、以及多層結構薄膜等，該多層結構薄膜含有1層以上氟樹脂層及1層以上由氟樹脂以外之樹脂所構成之層(以下亦稱其他層)，且於至少第1面側之最外層配置有氟樹脂層。
以含有其他層之多層結構薄膜之例來說，可舉如從第1面側依序積層有氟樹脂層及其他層者，以及從第1面側依序積層有氟樹脂層、其他層及氟樹脂層者等。
有關氟樹脂層及其他層將分別於後詳細說明。
本發明之脫模膜由氟樹脂所構成為佳。當本發明之脫模膜係由氟樹脂構成時，脫模性佳，又，充分具有得以承受成形時模具溫度(典型上為150~180℃)的耐熱性、得以承受硬化性樹脂之流動及加壓力的強度等，且高溫下的延伸亦佳。
由氟樹脂構成的脫模膜可為由1層氟樹脂層構成之單層結構薄膜，亦可為由多數氟樹脂層構成之多層結構薄膜。
脫模膜若為多層結構，與單層結構相較下，有追隨性、抗拉強度等物性降低且作為脫模膜之適性降低的傾向。又，於製造上亦相當耗費成本。所以，本發明之脫模膜以 由氟樹脂構成之單層結構薄膜尤佳。
本發明之脫模膜於下述試驗法A中之F/Al為0.2~4，或者，於下述試驗法B中之F/(C+F+O)為0.1~0.3。
<試驗法A>
依序將厚1mm之厚紙、脫模膜、厚0.1mm且由JIS H4160中之A1N30H-H18材料所構成之鋁板、以及厚1mm之厚紙重疊並令前述第1面與前述鋁板相接，在180℃、5MPa之條件下壓製5分鐘後，將前述脫模膜自前述鋁板剝離，藉由X射線光電子分光分析對前述鋁板之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於鋁原子的比(F/Al)。
F/Al係顯示源自脫模膜中之氟樹脂成為污染模具及樹脂密封部之原因之寡聚物等(以下亦稱污染成分)之量的指標。若在前述條件下進行壓製，脫模膜中所含之污染成分便會移行至脫模膜表面，再從該表面移行至鋁板。F/Al愈小表示壓製時從脫模膜移行至鋁板表面的污染成分量愈少，而且以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部時，在高溫環境下從脫模膜移行至模具之模槽面及樹脂密封部表面的污染成分量愈少。F/Al只要在4以下，便可充分抑制模具之模槽面及樹脂密封部表面被源自脫模膜之污染成分污染。
以污染成分來說，可舉如源自氟樹脂之寡聚物等低分子量的含氟化合物。
從模具及樹脂密封部表面之污染抑制效果的觀點來看，F/Al之上限值以3.5為佳，3.3較佳，3尤佳。F/Al之下限 值只要有0.2，污染成分便可顯現作為與模具間之脫模層的效果。
藉由前述試驗法A進行測定的F/Al係在第1面之F/Al。
脫模膜為單層結構薄膜時，以第1面之F/Al與第2面之F/Al相同為佳。第1面之F/Al與第2面之F/Al可互異，惟從防止源自氟樹脂之寡聚物等造成模具污染的觀點看來，第2面之F/Al亦以4以下為佳，3.5以下較佳，3.3以下更佳，3以下尤佳。第2面之下限值雖亦可為0，但以0.2為佳。
脫模膜為多層結構薄膜時，第1面之F/Al與第2面之F/Al可相同亦可互異。從防止源自氟樹脂之寡聚物等造成模具污染的觀點看來，第2面之F/Al亦以4以下為佳，3.5以下較佳，3.3以下更佳，3以下尤佳。第2面之下限值雖亦可為0，但以0.2為佳。
<試驗法B>
於厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第一金屬板上，載置厚100μm且大小15cm×15cm的正方形鋁箔，並於前述鋁箔上載置一分隔件，該分隔件為厚100mm、大小15cm×15cm之正方形且中央開設有10cm×8cm的長方形孔，於其孔之中心附近載置2g下述環氧樹脂，更於其上載置大小15cm×15cm的正方形脫模膜並使前述第1面朝向前述分隔件側，於其上載置厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第二金屬板來製作積層試樣。在180℃、10MPa之條件下將前述積層試樣壓製5分鐘，使前述環氧樹脂硬化。壓製後除去前述第二 金屬板、前述脫模膜及前述分隔件，藉由X射線光電子分光分析對前述環氧樹脂硬化物之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於碳原子、氟原子及氧原子之和的比(F/(C+F+O))。又，在此，C、F、O分別可從C1s、F1s、O1s之峰值面積求算。
環氧樹脂：半導體密封用環氧顆粒樹脂、商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製。
F/(C+F+O)係顯示源自脫模膜中之氟樹脂成為污染樹脂密封部之原因之寡聚物等之量的指標。若在前述條件下進行壓製，前述積層試樣內之環氧樹脂便可硬化而形成形狀與被鋁箔、分隔件及脫模膜包圍之空間相對應的硬化物(厚0.1mm、大小10cm×8cm之環氧樹脂板)。又，脫模膜中所含污染成分與此一起移行至脫模膜表面，並從該表面移行至所形成之硬化物表面。
F/(C+F+O)以0.15~0.28為佳，0.18~0.25尤佳。
F/(C+F+O)愈小表示壓製時從脫模膜移行至硬化物表面之污染成分量愈少，而且以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部時，在高溫環境下從脫模膜移行至樹脂密封部表面的污染成分量愈少。F/(C+F+O)只要在前述範圍之上限值以下，便可充分抑制樹脂密封部表面被源自脫模膜之污染成分污染。
另一方面，前述污染成分可提升脫模膜與環氧樹脂之脫模性，即亦可作為所謂的WBL(Weak Boundary Layer：弱邊界層)發揮作用。若極端減少F/(C+F+O)，脫模膜與環氧 樹脂之脫模性便有可能變得不夠充分。尤其在玻璃轉移點低且容易密著之環氧樹脂中更為顯著。F/(C+F+O)只要在前述範圍之下限值以上，脫模膜與環氧樹脂之脫模性即佳。
藉由前述試驗法B進行測定的F/(C+F+O)為第1面之F/(C+F+O)。
脫模膜為單層結構薄膜時，第1面之F/(C+F+O)與第2面之F/(C+F+O)相同為佳。第1面之F/(C+F+O)與第2面之F/(C+F+O)可互異，惟從防止源自氟樹脂之寡聚物等造成污染模具之模槽面的觀點看來，第2面之F/(C+F+O)在0.3以下為佳，在0.28以下較佳，在0.25以下尤佳。下限值雖亦可為0，但以0.1為佳。
脫模膜為多層結構薄膜時，第1面之F/(C+F+O)與第2面之F/(C+F+O)可相同亦可互異。從防止源自氟樹脂之寡聚物等造成污染模具之模槽面的觀點看來，第2面之F/(C+F+O)在0.3以下為佳，在0.28以下較佳，在0.25以下尤佳。下限值雖亦可為0，但以0.1為佳。
又，使用於試驗法B之前述環氧樹脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製)係藉由快速混合機將以下原材料粉碎混合5分鐘而予以顆粒化者。
含伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂(日本化藥公司製、NC-3000；軟化點58℃、環氧當量277)：8質量份
雙酚A型環氧樹脂(JAPAN EPOXY RESIN公司製、YL6810；熔點45℃、環氧當量172)：2質量份
含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂(三井化學公司製、XLC-4L；軟化點65℃、羥基當量165)：2質量份
苯酚酚醛樹脂(住友Bakelite公司製、PR-HF-3；軟化點80℃、羥基當量105)：2質量份
硬化促進劑(三苯基膦)：0.2質量份
無機充填材(中值粒徑16μm之熔融球狀二氧化矽)：84質量份
棕櫚蠟：0.1質量份
碳黑：0.3質量份
耦合劑(3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷)：0.2質量份
又，可藉由以下方法測定中值粒徑。
於AS-1公司製LAB-RUN SCREW管瓶50mL(商品名：口內徑20.3mm、全長35mm)添加熔融球狀二氧化矽0.08g、純水40g，進行超音波分散。於超音波分散係使用BRABSON公司製SONIFIRE250(商品名)，將前端徑12.5mm、全長7cm之分接型探棒(tapped horn)的前端3cm浸漬於上述測定液，在頻率20kHz、輸出50W下進行4分鐘分散。使用貝克曼庫爾特公司製、雷射繞射散射法粒度分布測定裝置「Beckman Coulter LS230(商品名)」，藉由偏光散射強度差計測在0.04~2,000μm之範圍內測定該分散液中的粒徑分布。並以所測之粒徑的累積分布達50%之值為中值粒徑。
本發明之脫模膜係滿足前述試驗法A之F/Al為0.2~4及前述試驗法B之F/(C+F+O)為0.1~0.3中之至少一者的脫模膜。本發明之脫模膜亦可為滿足該兩條件者。多 數情況是只要滿足其中一條件便滿足另一條件。尤其，滿足F/(C+F+O)為0.1~0.3之條件的脫模膜大部分F/Al亦在4以下。另一方面，滿足F/Al為0.2~4之條件的脫模膜，依情況F/(C+F+O)可能不在0.1~0.3。以本發明之脫模膜來說，以F/(C+F+O)為0.1~0.3之脫模膜較佳。
在密封樹脂為環氧樹脂等玻璃轉移點低且容易密著之硬化性樹脂並於脫模膜曾相接之樹脂密封部表面形成印墨層的情況下，若過度提高印墨層之密著性而令從脫模膜移行至樹脂密封部表面之污染物質過少，則如前述有脫模性不夠充分之虞。試驗法B係在脫模膜上使環氧樹脂硬化並測定移行至該已硬化之環氧樹脂表面之氟原子量的試驗，由此觀點來看，在使用玻璃轉移點低且容易密著之硬化性樹脂作為密封樹脂並於脫模膜曾相接之樹脂密封部表面形成印墨層的情況下，便適合以利用與其對應之試驗法的試驗法B所得F/(C+F+O)作為參數，來評估脫模膜。
因此，在必須充分考慮兼具印墨層之密著性與脫模性的情況下，相較於依照前述試驗法A之試驗，依照試驗法B之試驗所得結果來使用脫模膜較佳。又，脫模性係藉由後述剝離力來評估，剝離力一旦過高，脫模膜與已硬化之密封樹脂的剝離即變困難。
另一方面，與試驗法B相較下，試驗法A為較簡便的試驗法，只要F/Al沒有過低，便具有充分的脫模性且樹脂密封部之印墨層的密著性亦佳。
(表面形狀)
第1面、第2面各自可為平滑亦可形成有凹凸。例如，第1面及第2面之兩面可為平滑，亦可於第1面及第2面之兩面形成有凹凸，或可第1面及第2面中之一面為平滑且於另一面形成有凹凸。
面呈平滑時的表面算術平均粗度(Ra)以0.01~0.2μm為佳，0.05~0.1μm尤佳。
形成有凹凸時的表面Ra以1.5~2.1μm為佳，1.6~1.9μm尤佳。
形成有凹凸時的表面形狀可為多數個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多數個凸部及/或凹部呈規則配列之形狀。又，多數個凸部及/或凹部的形狀及大小可相同亦可互異。
以凸部來說，可舉如延伸於脫模膜表面的長條形凸條、及散在脫模膜表面的突起等。
以凹部來說，可舉如延伸於脫模膜表面的長條溝、及散在脫模膜表面的孔等。
以凸條或溝之形狀而言，可舉如直線、曲線、彎曲形狀等。在脫模膜表面中，多數個凸條或溝可平行存在而形成條紋狀。以凸條或溝與長邊方向呈正交之方向上的截面形狀來說，可舉如三角形(V字形)等之多角形、半圓形等。
以突起或孔之形狀而言，可舉如三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形及其他各種不定形狀等。
於第1面及第2面之兩面形成有凹凸時，各面之Ra及表 面形狀可相同亦可互異。
(厚度)
本發明之脫模膜的厚度以16~200μm為佳，25~100μm尤佳。厚度只要在前述範圍之下限值以上，便很容易處置脫模膜，且將脫模膜一邊拉伸並一邊配置成覆蓋模具之模槽時難以發生皺痕。厚度只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜便容易變形且可提升對模具之模槽形狀的追隨性，因此脫模膜可緊密地密著於模槽面，進而可穩定形成高品質的樹脂密封部。
模具之模槽愈大，本發明之脫模膜的厚度在前述範圍內愈薄為佳；又，愈是具有多數模槽的複雜模具，本發明之脫模膜的厚度在前述範圍內愈薄為佳。
(剝離力)
本發明之脫模膜在第1面側之剝離力的最大值在0.8N/25mm以下為佳，在0.5N/25mm以下尤佳。剝離力的最大值只要在前述範圍之上限值以下，生產時就愈發容易與樹脂密封部(硬化性樹脂之硬化物)剝離。難以發生脫模膜與樹脂密封部不好分離而使裝置停止的情況，連續生產性佳。
本發明之「剝離力」係表示依據JIS K6854-2：1999(ISO 8510-2：1990)，以下述(a)~(f)之順序進行測定之值。
(a)將環氧樹脂適量配置於脫模膜與配置在脫模膜之第1面側的鋁板之間。
(b)在180℃、10MPa下將夾著環氧樹脂之脫模膜與鋁板壓製5分鐘，使環氧樹脂硬化。
(c)將脫模膜、已硬化之環氧樹脂及鋁板的積層體切斷成25mm寬，以製作5個試驗片。又，積層體中之環氧樹脂的厚度為100μm。
(d)針對試驗片，使用拉伸試驗機在100mm/分之速度下測定常溫下的180度剝離力。
(e)求算力(N)-夾取移動距離曲線中夾取移動距離25mm至125mm的剝離力平均值(單位為N/25mm)。
(f)求出5個試驗片之剝離力平均值的算術平均。
(氟樹脂層)
以構成氟樹脂層之氟樹脂來說，從脫模性及耐熱性佳的觀點看來，可舉如氟烯烴系聚合物等。氟樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。亦可於氟樹脂層摻混無機添加劑、有機添加劑等。
氟烯烴系聚合物係具有以氟烯烴為主體之單元的聚合物。就氟烯烴，可舉如四氟乙烯、氟乙烯、二氟亞乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。氟烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
以氟烯烴系聚合物而言，可舉如乙烯/四氟乙烯共聚物(以下亦稱ETFE)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。其等中，從高溫下之延伸大的觀點看來，以ETFE尤佳。ETFE可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
ETFE係具有以四氟乙烯(以下亦稱TFE)為主體之單元及以乙烯(以下亦稱E)為主體之單元的共聚物。
以ETFE而言，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體 之單元、以及以TFE及E以外的第3單體為主體之單元者為佳。藉由以第3單體為主體之單元的種類及含量，可輕易地調整脫模膜用樹脂之結晶度，即脫模膜的拉伸彈性係數。又，藉由具有以第3單體(尤其具有氟原子之單體)為主體之單元，可提升高溫(尤其在180℃前後)下的抗拉強度。
以第3單體而言，可舉如具有氟原子之單體及不具氟原子之單體。
作為具有氟原子之單體，可舉如下述單體(a1)~(a5)。
單體(a1)：碳數3以下之氟烯烴類。
單體(a2)：以X(CF2)nCY=CH2(惟，X、Y分別獨立為氫原子或氟原子，n為2~8之整數)表示之全氟烷基乙烯。
單體(a3)：氟乙烯基醚類。
單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。
單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
就單體(a1)而言，可舉如氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱HFP)、2-氫五氟丙烯等)等。
就單體(a2)而言，以n為2~6之單體為佳，且以n為2~4之單體尤佳。又，以X為氟原子且Y為氫原子之單體即(全氟烷基)乙烯尤佳。
以單體(a2)之具體例來說，可舉如下述化合物。
CF3CF2CH=CH2((全氟乙基)乙烯)、 CF3CF2CF2CF2CH=CH2((全氟丁基)乙烯。以下亦稱 PFBE)、CF3CF2CF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF2CF=CH2等。
以單體(a3)之具體例來說，可舉如下述化合物。又，下述中，二烯之單體係得以環化聚合之單體。
CF2=CFOCF3、CF2=CFOCF2CF3、CF2=CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)；以下亦稱PPVE)、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF=CF2、CF2=CFO(CF2)2CF=CF2等。
以單體(a4)之具體例來說，可舉如下述化合物。
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
以單體(a5)之具體例來說，可舉如全氟(2,2-二甲基-1,3-二呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧-1,3-二呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二)等。
作為不具氟原子之單體，可舉如下述單體(b1)~ (b4)。
單體(b1)：烯烴類。
單體(b2)：乙烯酯類。
單體(b3)：乙烯基醚類。
單體(b4)：不飽和酸酐。
以單體(b1)之具體例來說，可舉如丙烯、異丁烯等。
以單體(b2)之具體例來說，可舉如乙酸乙烯酯等。
以單體(b3)之具體例來說，可舉如乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
以單體(b4)之具體例來說，可舉如馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、納迪克酸酐(himic anhydride，5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐)等。
第3單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就第3單體而言，從容易進行結晶度之調整即拉伸彈性係數之調整的觀點、以及具有以第3單體(尤其具有氟原子之單體)為主體之單元藉此在高溫(尤其在180℃前後)下之抗拉強度優異的觀點看來，以單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯為佳，以HFP、PPVE、(全氟乙基)乙烯、PFBE較佳，且以PFBE尤佳。
即，作為ETFE，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元、以及以PFBE為主體之單元的共聚物尤佳。
ETFE中以TFE為主體之單元的比率在總單元中佔40~70莫耳%為佳，45~65莫耳%較佳，50~60莫耳%尤 佳。以TFE為主體之單元的比率的比率只要在前述範圍之下限值以上，脫模性即佳。以TFE為主體之單元的比率只要在前述範圍之上限值以下，追隨性即佳。
ETFE中以E為主體之單元的比率在總單元中佔30~60莫耳%為佳，35~55莫耳%較佳，40~50莫耳%尤佳。以E為主體之單元的比率的比率只要在前述範圍之下限值以上，機械物性即佳。以E為主體之單元的比率只要在前述範圍之上限值以下，脫模性即佳。
在ETFE中，以TFE為主體之單元與以E為主體之單元的莫耳比(TFE/E)以80/20~40/60為佳，70/30~45/55較佳，65/35~50/50尤佳。TFE/E只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
ETFE中以第3單體為主體之單元的比率在總單元中佔0.3~1.7莫耳%為佳，0.5~1.5莫耳%較佳，0.7~1.2莫耳%尤佳。以第3單體為主體之單元的比率只要在前述範圍之下限值以上，高溫下的機械強度即佳。以第3單體為主體之單元的比率只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜之F/Al便易於成為0.2~4，且F/(C+F+O)亦易於成為0.1~0.3。
由以上諸點看來，就ETFE而言，以由以TFE為主體之單元40~69.7莫耳%、以E為主體之單元30~59.7莫耳%、以及以第3單體為主體之單元0.3~1.7莫耳%所構成者為佳，由以TFE為主體之單元45~64.5莫耳%、以E為主體之單元35~54.5莫耳%、以及以第3單體為主體之單元0.5~1.5莫耳%所構成者較佳，由以TFE為主體之單元50~59.3莫耳 %、以E為主體之單元40~49.3莫耳%、以及以第3單體為主體之單元0.7~1.2莫耳%所構成者尤佳。
ETFE之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳，5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。ETFE之MFR只要在前述範圍內，便可提升ETFE之成形性，且脫模膜之機械特性佳。
ETFE之MFR係依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃之條件下進行測定之值。
氟樹脂之熔點以200~350℃為佳，220~310℃尤佳。氟樹脂之熔點只要在前述範圍內，耐熱性即佳，且容易成形。
氟樹脂之玻璃轉移溫度以60~110℃為佳，70~100℃尤佳。氟樹脂之玻璃轉移溫度只要在前述範圍內，以輥對輥之處置性即佳，且對於模具之追隨性佳。
氟樹脂之玻璃轉移溫度係取依照ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)進行測定之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”之比tan δ(E”/E’)為最大值時的溫度。
作為氟烯烴系聚合物，又以全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物為佳。就全氟(烷基乙烯基醚)而言，可舉如於前述單體(a3)中所舉具體例中具有1個除去二烯之聚合性雙鍵的化合物。其中又以PPVE尤佳。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物中之全氟(烷基乙烯基醚)單元的比率在總單元中佔0.5~5莫耳%為佳，1.0~3莫耳%較佳，1.2~2.0莫耳%尤佳。以全氟(烷基乙烯基 醚)為主體之單元的比率只要在前述範圍之下限值以上，高溫下的機械強度即佳。以第3單體為主體之單元的比率只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜之F/Al便易於成為0.2~4，且F/(C+F+O)亦易於成為0.1~0.3。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳，5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。MFR只要在前述範圍內，便可提升成形性，且脫模膜之機械特性佳。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物之MFR係依照ASTM D3307，在荷重49N、372℃之條件下進行測定之值。
(其他層)
針對脫模膜，係要求脫模性、得以承受成形時之模具溫度(典型上為150~180℃)的耐熱性、以及得以承受硬化性樹脂之流動及加壓力的強度。
本發明之脫模膜為含有氟樹脂層及其他層之多層結構薄膜時，從脫模性、耐熱性、強度、高溫下之延伸的觀點看來，其他層以由選自於由聚烯烴、聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物所構成群組中之至少1種樹脂所構成之層為佳。亦可於其他層摻混無機添加劑、有機添加劑等。
就聚烯烴而言，從脫模性及模具追隨性佳的觀點看來，以聚甲基戊烯為佳。聚烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就聚酯而言，從耐熱性、強度的觀點看來以聚對苯二 甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸萘酯為佳。聚酯可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就聚醯胺而言，從耐熱性、強度、氣體障蔽性的觀點看來，以尼龍6、尼龍MXD6為佳。聚醯胺可為經延伸者亦可為未經延伸者。聚醯胺可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
聚苯乙烯從耐熱性、強度的觀點看來，以間規聚苯乙烯為佳。聚苯乙烯可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就其他層而言，亦可具有氣體障蔽層。氣體障蔽層可舉如金屬蒸鍍層、金屬氧化物蒸鍍層、聚二氯亞乙烯層、聚乙烯醇系樹脂層、間二甲苯二胺系環氧樹脂層等。
(脫模膜之製造方法)
就本發明之脫模膜之製造方法而言，可舉如以下方法(I)~(VI)等。亦可將方法(I)~(VI)中任2項以上加以組合。
在該等方法中，係藉由使用污染成分(氟樹脂之寡聚物等)之含量少的原料、或在成形時抑制該污染成分之增加、又或進行除去該污染成分之處理，而獲得可滿足期望之F/Al或滿足期望之F/(C+F+O)(亦可同時滿足兩者)的氟樹脂膜。惟，本發明之脫模膜之製造方法不限於其等。又，亦可將該等方法中之多數項加以併用。
(I)藉由成形以第3單體為主體之單元的比率為0.3~1.7莫耳%之ETFE作為氟樹脂，而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
(II)使氟樹脂膜接觸溶劑以減低可被溶劑萃取之成分 (污染成分)的方法。即，從F/Al超過4或F/(C+F+O)超過0.3的氟樹脂膜在適切的時間下將污染成分予以溶劑萃取，而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
(III)在減壓下成形氟樹脂而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
(IV)將氟樹脂從T型模擠出瞬後，使其通過表面溫度已加熱至玻璃轉移溫度以上且熔點以下之金屬鏡面的冷卻輥及同樣表面溫度已加熱至玻璃轉移溫度以上且熔點以下之橡膠壓合輥之間，將污染成分轉印至金屬鏡面的冷卻輥而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
(V)使氟樹脂膜通過表面溫度已加熱至玻璃轉移溫度以上且熔點以下之金屬鏡面的冷卻輥及同樣表面溫度已加熱至玻璃轉移溫度以上且熔點以下之橡膠壓合輥之間，將污染成分轉印至金屬鏡面之冷卻輥而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
(VI)於擠出氟樹脂膜時，加深擠壓機之螺旋計量部的溝深度，降低加諸於熔融樹脂之剪切速度，藉以減少樹脂之發熱，以抑制分解而獲得F/Al為0.2~4或F/(C+F+O)為0.1~0.3之氟樹脂膜(脫模膜)的方法。
方法(I)：ETFE中以第3單體為主體之單元的比率只要為0.3~1.7莫耳%，將得之氟樹脂膜的污染成分含量即少，F/Al容 易成為0.2~4，又同時F/(C+F+O)容易成為0.1~0.3。
以氟樹脂膜之製造方法來說並無特別限定，可利用公知的製造方法。
以兩面平滑的脫模膜之製造方法來說，可舉如以具備T型模之擠壓機進行熔融成形之方法等，該T型模具有預定的模唇寬。
以於單面或兩面形成有凹凸的脫模膜之製造方法來說，可舉如以熱加工將模型的凹凸轉印至氟樹脂膜表面的方法，從生產性的觀點看來以下述方法(i)、(ii)等為佳。
(i)使樹脂膜通過模型輥之冷卻輥及壓合輥之間，將形成於模型輥表面上的凹凸連續轉印至樹脂膜表面的方法。
(ii)使從擠壓機之塑模擠出之樹脂通過模型輥之冷卻輥及壓合輥之間，將該樹脂成形為薄膜狀的同時將形成於模型輥表面上的凹凸連續轉印至該薄膜狀樹脂之表面的方法。
在方法(i)、(ii)中，藉由使用輥狀的模型，可進行連續加工，進而可顯著提升形成有凹凸之脫模膜的生產性。又，與此同時，由成為捲狀物之脫模膜的觀點看來，於半導體封裝件之製造，可使用具有通用的脫模膜之旋出機構及捲取機構的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。
又，在方法(i)、(ii)中若使用表面形成有凹凸者作為壓合輥，便可獲得兩面形成有凹凸的脫模膜。
方法(II)：就溶劑來說，可使用相對於該樹脂膨潤率高、溶劑萃 取處理前後不會改變氟樹脂膜厚度且得以溶解污染成分者。若將氟樹脂膜浸漬於該溶劑中，氟樹脂膜中之污染成分便可溶解於溶劑而從氟樹脂膜去除，使F/Al減小且同時使F/(C+F+O)亦減小。
以可進行溶劑萃取處理之氟樹脂膜而言，可使用市售產品，亦可使用藉由如前述之公知製造方法所製造者。
就溶劑之具體例而言，可舉如ASAHICLEAN AK225(旭硝子公司製、二氯五氟丙烷)、ASAHICLEAN AE-3000(旭硝子公司製、CF3CH2OCF2CF2H)等氟系溶劑、三氯甲烷、二氯甲烷等氯系溶劑、四氫呋喃、丙酮、乙酸乙酯等烴醚、酯、酮系溶劑等。
處理溫度(浸漬溫度)以23~50℃為佳。
處理時間(浸漬時間)依處理溫度而異，以1~240小時為佳。
方法(III)：若在減壓下進行氟樹脂成形，氟樹脂中之污染成分便可揮發，可使將得之氟樹脂膜的F/Al減小且同時使F/(C+F+O)亦減小。
氟樹脂之薄膜成形通常係以擠壓機進行，以在最耗剪切熱之壓縮區域設置真空排放管線以吸引已揮發之氣體的方法為佳。
排放管線之氣壓以1~1,000Pa為佳，100~1,000Pa尤佳。該氣壓若在前述範圍之下限值以上，可防止已熔融之氟樹脂湧入真空排氣管即所謂的排出(vent-up)。該氣壓只 要在前述範圍之上限值以下，污染成分便易於揮發。
從氟樹脂之流動性佳的觀點及難以分解的觀點看來，氟樹脂成形時的溫度以280~330℃為佳，300~320℃尤佳。若在前述範圍之下限值以上，氟樹脂的成形性即佳。若在前述範圍之上限值以下，氟樹脂之分解即少。
方法(IV)：藉由將氟樹脂熔融擠壓瞬後即擠壓抵接於已加熱至該樹脂之玻璃轉移溫度以上且熔點以下的金屬鏡面之冷卻輥，可使污染成分移行至輥件表面，進而使將得之氟樹脂膜的F/Al減小且同時使F/(C+F+O)亦減小。
輥件之材質以冷卻輥為金屬鏡面輥為佳，壓合輥則以橡膠輥為佳。金屬鏡面冷卻輥及橡膠壓合輥之溫度以玻璃轉移溫度+30℃~熔點-40℃為佳，玻璃轉移溫度+50℃~熔點-60℃較佳。只要為玻璃轉移溫度+30℃，污染成分便容易自氟樹脂膜滲出且容易轉印至輥件。只要在熔點-40℃以下，通過壓合輥後氟樹脂膜之厚度亦難以起變化。
金屬鏡面輥之算術平均粗度Ra以0.01~0.1為佳。只要在前述範圍內，氟樹脂膜與輥件便可適度密著而容易轉印滲出的污染成分。
壓合輥之橡膠硬度依照ISO7169-1以D型硬度計所測定之硬度(以下亦稱蕭氏D硬度)以D60~80為佳，且壓合輥之線壓以49~490N/cm為佳。蕭氏D硬度及線壓只要在前述範圍內，便可對氟樹脂膜賦予適當的壓力，自氟樹脂膜滲出的污染成分即容易轉印至金屬鏡面冷卻輥，且薄膜之厚度 難以起變化。
方法(V)：將氟樹脂熔融擠壓而製出氟樹脂膜後，將該薄膜連續擠壓抵接於已加熱至玻璃轉移溫度以上且熔點以下之金屬鏡面輥，使污染成分移行至輥件表面，進而可使將得之氟樹脂膜的F/Al減小且同時使F/(C+F+O)亦減小。
輥件之材質以模型輥為金屬鏡面輥為佳，壓合輥則以橡膠輥為佳。
金屬鏡面輥及橡膠壓合輥之溫度以玻璃轉移溫度+60℃~熔點-40℃為佳，玻璃轉移溫度+70℃~熔點-60℃較佳。只要為玻璃轉移溫度+60℃，便可良好地預熱氟樹脂膜，使污染成分容易滲出且容易轉印至輥件。只要在熔點-40℃以下，通過壓合輥後氟樹脂膜之厚度亦難以起變化。
金屬鏡面輥之算術平均粗度Ra以0.01~0.1為佳。只要在前述範圍內，氟樹脂膜與輥件便可適度密著，容易轉印滲出的污染成分。
壓合輥之蕭氏D硬度以D60~80為佳，且壓合輥之線壓以49~490N/cm為佳。蕭氏D硬度及線壓只要在前述範圍內，便可對氟樹脂膜賦予適當的壓力，自氟樹脂膜滲出的污染成分即容易轉印至金屬鏡面輥且薄膜之厚度難以起變化。
通過金屬鏡面輥及壓合輥之間的程序可進行2次以上。
在通過金屬鏡面輥及壓合輥間之前，可將氟樹脂膜預熱。以預熱方法來說，可舉如利用紅外線加熱器之加熱、 及使其沿著加熱輥件加熱。預熱以薄膜之表面溫度成為玻璃轉移溫度以下為佳。表面溫度只要在玻璃轉移溫度以下，搬送時便難以發生皺痕。
方法(VI)：將氟樹脂膜擠壓時，藉由減低在擠壓機內加諸於已熔融之氟樹脂的剪切速度，抑制熔融樹脂之過熱以抑制污染成分的發生，可使獲得之氟樹脂膜的F/Al減小且同時可使F/(C+F+O)亦減小。
通常，在擠壓機內之計量部中加諸於已熔融之樹脂的剪切速度係以下述式表示。又，以下，s-1表示1/秒，rpm表示每1分鐘的旋轉數。
γ=π‧D×N/(60‧h)
γ：剪切速度(s-1)
D：缸體直徑(cm)
N：螺旋旋轉數(rpm)
h：螺旋計量部之溝深度(cm)
剪切速度以5~50s-1為佳。剪切速度只要在前述範圍之下限值以上，便可對氟樹脂賦予充分的剪切熱而得以充分熔融。剪切速度只要在前述範圍之上限值以下，過熱所致之氟樹脂分解便少，污染物質之發生即少。
又，螺旋主要可分成導入部、壓縮部、計量部之3部分，加諸剪切者主要為計量部。螺旋之長度通常以有效長度L(螺旋長度)/D(擠壓機口徑)表示，L/D以20~30為佳。又，僅計量部之長度的L(計量部)/D則以6~8為佳。只要在該範 圍，熔融樹脂之吐出量的變動即少，且可減低加諸於熔融樹脂的剪切熱。
[半導體封裝件]
使用本發明之脫模膜並藉由後述之本發明之半導體封裝件之製造方法製造的半導體封裝件，舉如有電晶體、二極體等使半導體元件集結而成的積體電路等。
就積體電路之封裝件形狀而言，可舉如BGA(Ball Grid Array：球柵陣列)、QFN(Quad Flat Non-leaded package：四面扁平無引線封裝)、SON(Small Outline Non-leaded package：小型無引線封裝)等。
作為半導體封裝件之製造方法之一方法，有經由下述步驟之方法：整批密封步驟，係於基板安裝多數個半導體元件，並以硬化性樹脂將該等半導體元件整批予以密封而獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、多數個半導體元件及樹脂密封部；及分割步驟，係將整批密封體之樹脂密封部及基板切斷以使多數個半導體元件分離而單片化，獲得多數個半導體封裝件的步驟。就半導體封裝件而言，從生產性的觀點看來，以經由整批密封步驟及分割步驟製造者為佳，可舉如密封方式為MAP(Molded Array Packaging：模製陣列封裝)方式或WL(Wafer Level packaging：晶圓級封裝)方式的積體電路等。
圖1係顯示半導體封裝件一例的概略截面圖。該例之半導體封裝件1係所謂MAP-BGA形狀的積體電路。
半導體封裝件1具有基板10、安裝於基板10上之半導體 晶片(半導體元件)12、用以密封半導體晶片12之樹脂密封部14、及形成於樹脂密封部14之上面14a的印墨層16。
半導體晶片12具有表面電極(未圖示)，基板10具有與半導體晶片12之表面電極相對應的基板電極(未圖示)，且表面電極與基板電極係藉由搭接線18而電連接。
樹脂密封部14之厚度(從基板10之半導體晶片12設置面起至樹脂密封部14之上面14a間的最短距離)並無特別限定，在「半導體晶片12之厚度」以上且在「半導體晶片12之厚度+1mm」以下為佳，在「半導體晶片12之厚度」以上且在「半導體晶片12之厚度+0.5mm」以下尤佳。
[半導體封裝件之製造方法]
本發明之半導體封裝件之製造方法係具有半導體元件及樹脂密封部的半導體封裝件之製造方法，該樹脂密封部係由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件；該製造方法具有下述步驟：將前述本發明之脫模膜配置於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模的步驟。
此外，在藉由使用印墨之印刷形成印墨層的本發明之半導體封裝件之製造方法中，作為上述脫模步驟後的步驟，具有：在前述密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨來形成印墨層的步驟。
本發明之半導體封裝件之製造方法除使用本發明之脫模膜以外，可採用公知的製造方法。
例如，就樹脂密封部之形成方法而言，可舉如壓縮成形法或轉注成形法，就此時使用之裝置來說可使用公知的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。製造條件亦以設成與公知的半導體封裝件之製造方法中之條件為相同條件即可。
(第1實施形態)
作為半導體封裝件之製造方法之一實施形態，針對以壓縮成形法製造圖1所示之半導體封裝件1之情況詳細說明。
本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(α1)~(α6)或步驟(α1)~(α7)。
(α1)將本發明之脫模膜配置成脫模膜覆蓋模具之模槽且脫模膜之第1面朝向模槽內之空間(使第2面朝向模槽面)的步驟。
(α2)將脫模膜真空吸引至模具之模槽面側的步驟。
(α3)將硬化性樹脂充填於模槽內的步驟。
(α4)將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於模槽內的預定位置上，以硬化性樹脂將前述多數個半導體元件 整批予以密封而形成樹脂密封部以獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、已安裝於前述基板上之多數個半導體元件、及用以整批予以密封前述多數個半導體元件之樹脂密封部。
(α5)從模具內取出整批密封體的步驟。
(α6)將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、已安裝於前述基板上之至少1個半導體元件、及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部。
(α7)在單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面使用印墨來形成印墨層而獲得半導體封裝件的步驟。
模具：作為第1實施形態中之模具，可利用作為使用於壓縮成形法之模具為公知者，舉例來說可如圖2所示具有固定上模20、模槽底面構件22及配置於模槽底面構件22周緣之框狀的可動下模24的模具。
於固定上模20形成有真空排氣管(省略圖示)，其係藉由吸引基板10與固定上模20間之空氣而將基板10吸附於固定上模20者。又，於模槽底面構件22形成有真空排氣管(省略圖示)，其係藉由吸引脫模膜30與模槽底面構件22間之空氣而將脫模膜30吸附至模槽底面構件22者。
在該模具中，藉由模槽底面構件22之上面及可動下模 24之內側側面，可形成形狀與以步驟(α4)形成之樹脂密封部14之形狀相對應的模槽26。
以下，模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面總稱亦稱為模槽面。
步驟(α1)：於可動下模24上將脫模膜30配置成覆蓋模槽底面構件22之上面。此時，脫模膜30係配置成令第2面朝向下側(模槽底面構件22方向)。
將脫模膜30從捲出輥件(省略圖示)送出並由捲取輥件(省略圖示)捲取。由於脫模膜30可藉由捲出輥件及捲取輥件而被拉伸，因此可在伸展之狀態下配置於可動下模24上。
步驟(α 2)：另外，透過模槽底面構件22之真空排氣管(省略圖示)進行真空吸引以將模槽底面構件22之上面與脫模膜30間的空間減壓，使脫模膜30伸展變形而被真空吸附於模槽底面構件22之上面。再將配置於模槽底面構件22周緣的框狀可動下模24壓緊，從各個方向拉伸脫模膜30使其成為緊張狀態。
又，依照脫模膜30在高溫環境下的強度、厚度、以及藉由模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面所形成的凹部形狀，脫模膜30未必會密著於模槽面。在步驟(α2)之真空吸附階段中，亦可如圖2所示於脫模膜30與模槽面之間留有少許空隙。
步驟(α3)： 如圖2所示，藉由灑施器(省略圖示)將硬化性樹脂40適量充填於模槽26內之脫模膜30上。
又，另外透過固定上模20之真空排氣管(省略圖示)進行真空吸引，使安裝有多數個半導體晶片12的基板10真空吸附於固定上模20之下面。
就硬化性樹脂40而言，可使用於半導體封裝件製造時使用的各種硬化性樹脂。以環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂為佳，環氧樹脂尤佳。
作為環氧樹脂，係1分子內具有2個以上環氧基之單體、寡聚物、聚合物，其分子量、分子結構並無特別限定。可舉如聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂等結晶性環氧樹脂；甲酚酚醛型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、含伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、含伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂；三苯酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三苯酚甲烷型環氧樹脂等3官能型環氧樹脂；二環戊二烯改質苯酚型環氧樹脂、萜改質苯酚型環氧樹脂等改質苯酚型環氧樹脂；及含三吖核之環氧樹脂等含雜環之環氧樹脂等。該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就可使用之硬化劑來說，只要是可與環氧樹脂發生反應使其硬化者即無特別限定。可舉如以下硬化劑。該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
脂肪族胺系硬化劑：伸乙二胺、三亞甲二胺、四亞甲二胺、六亞甲二胺等碳數2~20之直鏈脂肪族二胺。
芳香族胺系硬化劑：間伸苯基二胺、對伸苯基二胺、對二甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯碸、4,4'-二胺基二環己烷、雙(4-胺基苯基)苯基甲烷、1,5-二胺基萘、間二甲苯二胺、對二甲苯二胺、1,1-雙(4-胺基苯基)環己烷等。
苯酚樹脂系硬化劑：苯胺改質可溶酚醛樹脂或二甲基醚可溶酚醛樹脂等可溶酚醛型苯酚樹脂；苯酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、三級丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等酚醛型苯酚樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基樹脂；具有如萘骨架或蒽骨架之縮合多環結構的苯酚樹脂；及聚對氧基苯乙烯等聚氧苯乙烯樹脂等。
聚碳酸酐系硬化劑：六氫酞酸酐(HHPA)、甲基四氫酞酸酐(MTHPA)等脂環族酸酐、苯偏三酸酐(TMA)、焦蜜石酸二酐(PMDA)、二苯酮四甲酸(BTDA)等芳香族酸酐等。
上述以外之硬化劑：二氰二醯胺等醯胺化合物；多硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；異氰酸酯預聚物、封閉化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；及含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類。
又，該等硬化劑中作為使用於半導體密封材料之硬化劑，從耐濕性、可靠性等觀點看來，以1分子內至少具有2個苯酚性羥基之化合物為佳，可舉如苯酚酚醛樹脂、甲 酚酚醛樹脂、三級丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等酚醛型苯酚樹脂；可溶酚醛型苯酚樹脂；聚對氧基苯乙烯等聚氧苯乙烯；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂等。
就可使用之硬化促進劑而言，只要是可促進環氧基與硬化劑之硬化反應者即可，可使用一般使用於半導體密封材料者。可舉如1,8-二吖雙環(5,4,0)十一烯-7等二吖雙環烯及其衍生物；三丁胺、苯甲基二甲胺等胺系化合物；2-甲基咪唑等咪唑化合物；三苯基膦、甲基二苯基膦等有機膦類；四苯鏻‧四苯硼酸鹽、四苯鏻‧四苯甲酸硼酸鹽、四苯鏻‧四萘甲酸硼酸鹽、四苯鏻‧四萘甲醯氧基硼酸鹽、四苯鏻‧四萘氧基硼酸鹽等四取代鏻‧四取代硼酸鹽；及已加成苯醌之三苯基膦等。該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
於硬化性樹脂40可使用無機充填材。作為無機充填材只要是一般使用於半導體密封材料者即無特別限制，可舉如熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶二氧化矽、2次凝聚二氧化矽等二氧化矽；氧化鋁；鈦白；氫氧化鋁；滑石；黏土；雲母；玻璃纖維等。
於硬化性樹脂40，除上述成分以外可因應需求摻混3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷等耦合劑；碳黑等著色劑；天然蠟、合成蠟、高級脂肪酸或其金屬鹽類、石蠟、聚氧化乙烯等脫模劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等低應力劑；水滑石等離子捕捉劑；氫氧化鋁等阻燃劑；及抗氧化劑等 各種添加劑。
又，在此雖顯示充填固體物來作為硬化性樹脂40之例，但本發明不受此限，亦可充填液狀的硬化性樹脂。
就該等混合物而言，可舉如使用於前述試驗法B之住友Bakelite公司製SUMIKON EME G770H type F ver.GR，除此以外還可舉如Nagase ChemteX公司製T693/R4719-SP10等之環氧樹脂的市售品。
就聚矽氧樹脂之市售品而言，可舉如信越化學工業公司製LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
步驟(α4)：如圖3所示，在已將硬化性樹脂40充填於模槽26內之脫模膜30上的狀態下，使模槽底面構件22及可動下模24上升與固定上模20合模。
接著如圖4所示，僅使模槽底面構件22上升並且將模具加熱使硬化性樹脂40硬化而形成密封半導體晶片12的樹脂密封部14。
在步驟(α4)中，藉由使模槽底面構件22上升時的壓力，將已充填於模槽26內之硬化性樹脂40進一步壓入模槽面。藉此，使脫模膜30伸展變形並密著於模槽面。所以，可形成形狀與模槽26之形狀對應的樹脂密封部14。
模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度以100~185℃為佳，140~175℃尤佳。加熱溫度只要在前述範圍之下限值以上，即可提升半導體封裝件1之生產性。加熱溫度只要在前述範圍之上限值以下，便可抑制硬化性樹 脂40之劣化。
從可抑制源自硬化性樹脂40之熱膨脹率的樹脂密封部14之形狀變化的觀點看來，在尤其力求保護半導體封裝件1的情況下，在前述範圍內宜以盡可能低的溫度來進行加熱。
步驟(α5)：將固定上模20、模槽底面構件22及可動下模24開模，取出整批密封體。
將整批密封體脫模的同時，將脫模膜30使用完畢的部分送至捲取輥件(省略圖示)並將脫模膜30未使用的部分從捲出輥件(省略圖示)送出。
從捲出輥件搬送至捲取輥件時，脫模膜30的厚度在16μm以上為佳。厚度低於16μm時容易在脫模膜30搬送時發生皺痕。一旦於脫模膜30有皺痕，便有皺痕轉印至樹脂密封部14而成為不良製品之虞。厚度只要在16μm以上，藉由對脫模膜30充分賦予張力，即可抑制皺痕之發生。
步驟(α6)：將已從模具內取出之整批密封體的基板10及樹脂密封部14切斷，使多數個半導體晶片12分離(單片化)而獲得單片化密封體，該單片化密封體具有基板10、至少1個半導體晶片12、及用以密封半導體晶片12之樹脂密封部。
單片化可藉由公知方法進行，可舉如切割法。切割法係使切割刀一邊旋轉並一邊切斷對象物的方法。以切割刀來說，典型上係使用將鑽石粉燒結於圓盤外周的旋轉刃(鑽石切刀)。利用切割法之單片化例如可藉由下述方法進行： 將切斷對象物之整批密封體藉由夾具固定於處理台上，在存有得以將切割刀插入切斷對象物之切斷區域與前述夾具間之空間的狀態下，使用前述切割刀的方法。
在步驟(α6)中，可如前述，亦可於切斷整批密封體之步驟(切斷步驟)後含有異物除去步驟，其係從噴嘴朝向前述切斷對象物供給液體並同時使前述處理台移動，該噴嘴係配置於遠離覆蓋前述切割刀之外殼的位置上。
步驟(α7)：為了顯示任意的資訊，將印墨塗佈於步驟(α6)中所得單片化密封體之樹脂密封部14的上面(曾與脫模膜30相接之面)14a而形成印墨層16，獲得半導體封裝件1。
以由印墨層16顯示之資訊來說並無特別限定，可舉如序號、製造廠商相關之資訊、零件類別等。
印墨之塗佈方法並無特別限定，例如可適用噴墨法、網版印刷、由橡膠版之轉印等各種印刷法。
以印墨來說並無特別限定，可從公知的印墨中適當選擇。
以印墨層16之形成方法來說，在硬化速度快速、封裝件上的滲入少、又或因不吹熱風所以封裝件之位移少等觀點下，宜使用光硬化型印墨，藉由噴墨法使該印墨附著於樹脂密封部14之上面14a並藉由光照射使該印墨硬化之方法。
就光硬化型印墨來說，典型上係使用含有聚合性化合物(單體、寡聚物等)者。於印墨可因應需求添加顏料、 染料等色材、液體介質(溶劑或分散媒)、聚合抑制劑、光聚合引發劑及其他各種添加劑等。其他添加劑可舉如滑劑、聚合促進劑、滲透促進劑、濕潤劑(保濕劑)、固定劑、防霉劑、防腐劑、抗氧化劑、放射線吸收劑、螫合劑、pH調整劑、增黏劑等。
就使光硬化型印墨硬化之光來說，可舉如紫外線、可見光線、紅外線、電子射線、放射線等。
就紫外線光源，可舉如殺菌燈、紫外線用螢光燈、碳弧、氙燈、複製用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、紫外線發光二極體、紫外線雷射二極體、自然光等。
光照射可在常壓下進行亦可在減壓下進行。又，可在空氣中進行，或可在氮氣體環境、二氧化碳氣體環境等惰性氣體環境下進行。
(第2實施形態)
作為半導體封裝件之製造方法的其他實施形態，針對藉由轉注成形法製造圖1所示之半導體封裝件1詳細說明。
本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(β1)~(β6)或步驟(β1)~(β7)。
(β1)將本發明之脫模膜配置成使脫模膜覆蓋模具之模槽且令脫模膜之第1面朝向模槽內之空間(令第2面朝向模槽面)的步驟。
(β2)將脫模膜真空吸引於模具之模槽面側的步驟。
(β3)將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於模槽 內之預定位置的步驟。
(β4)將硬化性樹脂充填於模槽內，藉由該硬化性樹脂將多數個半導體元件整批予以密封，形成樹脂密封部而獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上之多數個半導體元件、及用以整批密封前述多數個半導體元件之樹脂密封部。
(β5)從模具內取出整批密封體的步驟。
(β6)將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷使前述多數個半導體元件分離而獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件、及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部。
(β7)於單片化密封體之樹脂密封部曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層而獲得半導體封裝件的步驟。
模具：就第2實施形態中之模具，可使用公知作為使用於轉注成形法之模具，舉如有圖5所示之具有上模50及下模52之模具。於上模50形成有形狀與將在步驟(α4)中形成之樹脂密封部14形狀相對應的模槽54、及將硬化性樹脂40導至模槽54的凹狀樹脂導入部60。於下模52形成有用以設置已搭載半導體晶片12之基板10的基板設置部58、及用以配置硬化性樹脂40的樹脂配置部62。又，於樹脂配置部62內設置有用以將硬化性樹脂40朝上模50之樹脂導入部60擠壓的柱塞64。
步驟(β1)：如圖6所示，將脫模膜30配置成覆蓋上模50之模槽54，且宜將脫模膜30配置成覆蓋模槽54及樹脂導入部60整體。脫模膜30可藉由捲出輥件(省略圖示)及捲取輥件(省略圖示)而被拉伸，因此可在呈伸展之狀態下將其配置成覆蓋上模50之模槽54。
步驟(β2)：如圖7所示，透過形成於上模50之模槽54外部的溝(省略圖示)進行真空吸引以將脫模膜30與模槽面56間的空間、及脫模膜30與樹脂導入部60之內壁間的空間減壓，使脫模膜30伸展變形而將之真空吸附於上模50之模槽面56。
又，依高溫環境下之脫模膜30的強度、厚度、及模槽54之形狀，脫模膜30未必會密著於模槽面56。如圖7所示，在步驟(β2)之真空吸附階段中，於脫模膜30與模槽面56間會殘留有少許空隙。
步驟(β3)：如圖8所示，將已安裝多數個半導體晶片12的基板10設置於基板設置部58，將上模50及下模52合模，使多數個半導體晶片12配置於模槽54內之預定位置上。又，預先於樹脂配置部62之柱塞64上配置硬化性樹脂40。
作為硬化性樹脂40，可舉如與方法(α)中所列舉之硬化性樹脂40相同者。
步驟(β4)：如圖9所示，將下模52之柱塞64上推並透過樹脂導入部 60將硬化性樹脂40充填至模槽54內。接著將模具加熱，使硬化性樹脂40硬化而形成用以密封多數個半導體晶片12的樹脂密封部14。
在步驟(β4)中係藉由將硬化性樹脂40充填至模槽54內，以樹脂壓力將脫模膜30進一步壓入模槽面56側，使其被拉伸變形而密著於模槽面56。因此，可形成形狀與模槽54形狀相對應的樹脂密封部14。
使硬化性樹脂40硬化時，模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度與方法(α)中之溫度範圍在相同範圍為佳。
充填硬化性樹脂40時的樹脂壓力以2~30MPa為佳，3~10MPa尤佳。樹脂壓力只要在前述範圍之下限值以上，便難以發生硬化性樹脂40充填不足等缺點。樹脂壓力只要在前述範圍之上限值以下，便容易獲得優異品質的半導體封裝件1。硬化性樹脂40之樹脂壓力可藉由柱塞64來調整。
步驟(β5)：如圖10所示，從模具取出整批密封體1A。此時，在樹脂導入部60內硬化性樹脂40硬化而成的硬化物19係以附著於整批密封體1A之狀態與整批密封體1A一起從模具取出。所以，將取出之附著於整批密封體1A的硬化物19切除即可獲得整批密封體1A。
步驟(β6)：將步驟(β5)中所得整批密封體1A之基板10及樹脂密封部14切斷，以使多數個半導體晶片12分離(單片化)而獲得單 片化密封體，該單片化密封體具有基板10、至少1個半導體晶片12、及用以密封半導體晶片12之樹脂密封部。
步驟(β6)可以與步驟(α6)同樣的方式進行。
步驟(β7)：為了顯示任意的資訊，將印墨塗佈於所得單片化密封體之樹脂密封部14的上面(曾與脫模膜30之第1面相接之面)14a，形成印墨層16而獲得半導體封裝件1。
步驟(β7)可以與步驟(α7)同樣的方式進行。
以上，針對本發明之半導體封裝件之製造方法係顯示第1~第2實施形態進行說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成附加、省略、置換及其他變更。
例如，在第1實施形態中係顯示於步驟(α5)後依序進行步驟(α6)、步驟(α7)之例，惟亦可以相反順序進行步驟(α6)、步驟(α7)。即，亦可於從模具取出之整批密封體之樹脂密封部曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層，然後切斷整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部。
同樣地，在第2實施形態中係顯示於步驟(β5)後依序進行步驟(β6)、步驟(β7)之例，惟亦可以相反順序進行步驟(β6)、步驟(β7)。即，亦可於從模具取出之整批密封體之樹脂密封部曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層，然後切斷整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部。
從脫模膜剝離樹脂密封部之時序不限於自模具取出樹 脂密封部之時間，亦可自模具將脫模膜及樹脂密封部一起取出，然後自樹脂密封部剝離脫模膜。
整批予以密封之多數個半導體晶片12彼此間的距離可均等亦可為不均等。從可使密封呈均質且對多數個半導體晶片12彼此賦予均勻負荷(即負荷最小)的觀點看來，多數個半導體晶片12彼此間的距離以均等為佳。
又，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法製造的半導體封裝件不限於半導體封裝件1。
例如，樹脂密封部之形狀不限於圖1所示之截面呈略矩形者。
在第1~第2實施形態中，於步驟(α5)或(β5)後可未進行步驟(α6)或(β6)即於從模具取出之整批密封體之樹脂密封部曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層，製成半導體封裝件。
於第1~第2實施形態之步驟(α3)或(β3)，可使用1個已安裝有半導體元件之基板來替代已安裝有多數個半導體元件之基板。在此情況下，將步驟(α4)或(β4)中所得密封體從模具取出後，可於該密封體之樹脂密封部曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層，製成半導體封裝件。
此外，在未設印墨層的態樣中，本發明之半導體封裝件亦可為發光二極體。在製造發光二極體的情況下樹脂密封部亦可作為透鏡部發揮功能，因此通常不會於樹脂密封部表面形成印墨層。為透鏡部時，樹脂密封部之形狀可採用略半球型、砲彈型、菲涅耳透鏡型、半柱型、略半球透 鏡陣列型等各種透鏡形狀。
實施例
以下，顯示實施例詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限定。
後述之例1~10中，例1、2、4、8及10為實施例，例3、5~7及9為比較例。
以下顯示各例中所使用之材料及評估方法。
[使用材料]
氟樹脂(1)：後述製造例1中所得E/TFE/PFBE=52.7/46.5/0.8(莫耳比)的共聚物(熔點：260℃、玻璃轉移溫度95℃、MFR：10.1g/10分)。
氟樹脂(2)：後述製造例2中所得E/TFE/PFBE=52.5/46.3/1.2(莫耳比)的共聚物(熔點：255℃、玻璃轉移溫度90℃、MFR：12g/10分)。
氟樹脂(3)：後述製造例3中所得E/TFE/PFBE=52.7/45.4/1.9(莫耳比)的共聚物(MFR：27.6g/10分)。
氟樹脂(4)：後述製造例4中所得TFE/PPVE=98.5/1.5(莫耳比)的共聚物(熔點：310℃、玻璃轉移溫度100℃、MFR：12g/10分)。
氟樹脂(5)：後述製造例5中所得TFE/E/PFBE=52.7/47.1/0.2(莫耳比)的共聚物(熔點265℃、玻璃轉移溫度100℃、MFR：10.6g/10分)。
氟樹脂(6)：後述製造例6中所得TFE/E/PFBE=56.3/40.2/3.5(莫耳比)的共聚物(熔點225℃、玻璃轉移溫度70℃、M FR：12.5g/10分)。
<製造例1：氟樹脂(1)之製造>
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣後，饋入1-氫十三氟己烷881.9g、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子公司製；以下稱為AK225cb)335.5g、CH2=CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)3.9g，並壓入TFE 165.2g、乙烯(以下稱為E)9.8g，將聚合槽內升溫至66℃再饋入作為聚合引發劑溶液的過氧三甲基乙酸三級丁酯(以下稱為PBPV)1質量%之AK225cb溶液5.8mL，以開始聚合。
為使聚合中壓力呈恆定而連續饋入莫耳比TFE/E=54/46的單體混合氣體。又，為配合單體混合氣體之饋入，連續饋入了相對於TFE及E之合計莫耳數相當於0.8莫耳%之量的PFBE。聚合引發2.9小時後，在已饋入單體混合氣體100g之時間點下，將聚合槽內溫降溫至室溫並且將聚合槽之壓力釋放至常壓。
其後，以玻璃濾器吸引過濾所得漿料，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得氟樹脂(1)105g。
<製造例2：氟樹脂(2)之製造>
分別將開始聚合前饋入的PFBE量從3.9g變更成7.0g、將PBPV 1質量%之AK225cb溶液量從5.8mL變更成7.7mL，並且將聚合中連續饋入之PFBE量從相對於TFE及E之合計莫耳數為0.8莫耳%變更成1.4莫耳%，除此以外以與製造例1同樣的方式獲得氟樹脂(2)107g。
<製造例3：氟樹脂(3)之製造>
分別將開始聚合前饋入之1-氫十三氟己烷之量從881.9gg變更成837.8g，將AK225cb之量從335.5g變更成376.4g，將PFBE之量從7.0g變更成9.3g，將PBPV 1質量%之AK225cb溶液量從5.8mL變更成11.5mL，並且將聚合中連續饋入之PFBE量從(相對於TFE及E之合計莫耳數為)0.8莫耳%變更成2.2莫耳%，將聚合引發開始至饋入單體混合氣體100g之時間從2.9小時變更成2.7小時，除此以外以與製造例1同樣的方式獲得氟樹脂(3)99g。
<製造例4：氟樹脂(4)之製造>
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入已施行氮取代之離子交換水662.8g、AK225cb 377.5g、CF2=CFOCF2CF2CF3(PPVE)28g及甲醇61g，並壓入TFE 105g，將聚合槽內升溫至66℃後饋入作為聚合引發劑溶液的過氧化七氟丁醯(以下稱為PFB)0.05質量%之AK225cb溶液3.8mL，開始聚合。
為使聚合中壓力呈恆定而連續饋入了TFE之單體氣體。又，為使聚合速度呈恆定而連續饋入了24mL之0.05質量%PFB及2質量%PPVE的AK225cb溶液。聚合引發開始3.4小時後，在已饋入單體氣體160g之時間點下，將聚合槽內溫降溫至室溫並且將聚合槽之壓力釋放至常壓。
其後，以玻璃濾器吸引過濾所得漿料，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得氟樹脂(4)170g。
<製造例5：氟樹脂(5)之製造>
使聚合槽之內容積為1.2L，分別將開始聚合前饋入之 1-氫十三氟己烷之量從881.9g變更成0g，將AK225cb之量從335.5g變更成291.6g，將PFBE之量從7.0g變更成16.0g，將TFE之量從165.2g變更成186.6g，將E之量從9.8g變更成6.4g，將PBPV 1質量%之AK225cb溶液量從5.8mL變更成5.3mL，並且將聚合中連續饋入之單體混合氣體TFE/E之莫耳比從54/46變更成58/42，PFBE之量從(相對於TFE及E之合計莫耳數為)0.8莫耳%變更成3.6莫耳%，在聚合引發開始3小時後已饋入單體混合氣體90g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫，除此以外以與製造例1同樣的方式獲得氟樹脂(5)90g。
<製造例6：氟樹脂(6)之製造>
分別將開始聚合前饋入之PFBE量從16.0變更成1.1g，將TFE之量從186.6g變更成151.2g，將E之量從6.4g變更成18.1g，並且將聚合中連續饋入之單體混合氣體TFE/E之莫耳比從58/42變更成54/46，將PFBE之量從(相對於TFE及E之合計莫耳數為)3.6莫耳%變更成0.2莫耳%，除此以外以與製造例5同樣的方式獲得氟樹脂(6)90g。
[評估方法]
(MFR)
氟樹脂(1)~(3)、(5)、(6)之MFR係依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃之條件下進行測定。
又，氟樹脂(4)之MFR係依照ASTM D3307，在荷重49N、372℃之條件下進行測定。
(熔點)
使用掃描型示差熱分析器(SII NanoTechnology公司製、DSC220CU)，從在空氣氣體環境下將各氟樹脂在10℃/分下加熱至350℃時的吸熱峰值來求算。
(玻璃轉移溫度)
取依照ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)所測定之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”之比tan δ(E”/E’)為最大值時的溫度。具體上係以動黏彈性測定裝置SOLID L-1(東洋精機公司製)進行測定。
試樣尺寸：寬8mm×長20mm
測定頻率：10Hz
應變：0.035%
升溫速度：2℃/分
(薄膜厚度之測定)
依照ISO4591：1992(JIS K7130：1999之B1法)進行測定。
<F/(C+F+O)之測定>
於厚3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金屬板上載置厚100μm、大小15cm×15cm的正方形鋁箔，於前述鋁箔上載置一分隔件(材質：聚醯亞胺)，該分隔件厚100mm、大小15cm×15cm之正方形且於中央開設有10cm×8cm之長方形孔，於其孔中心附近載置2g半導體密封用環氧顆粒樹脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製)，更於其上載置大小15cm×15cm的正方形脫模膜並使第1面朝向前述分隔件側，於其上載置厚3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金屬板而製作出積層試樣。
將該積層試樣放入已以180℃加熱之壓製機(50t壓製機、壓製面積45cm×50cm)，在10MPa之壓力下壓製5分鐘。
壓製後，去除第二金屬板、脫模膜及分隔件。藉此獲得積層有第一金屬板、鋁箔及環氧樹脂板(硬化物)而形成的評估試樣。
藉由X射線光電子分光分析將所得評估試樣之環氧樹脂面(評估試樣製作時曾與脫模膜之第1面接觸之面)進行分析。從其分析結果求出該表面中之氟原子(atomic%)相對於碳原子(atomic%)、氟原子(atomic%)及氧原子(atomic%)之和的比(F/(C+F+O))。
於XPS係使用ULVAC-PHI公司製QuanteraSXM型的X射線光電子分光分析裝置。X射線源係在15kV、25W下使用單色化AlK α線，並且將X射線照射面光電子檢測角設為45度，將光電子之Pass Energy(通過能量)設為224eV。又，式F/(C+F+O)中之C、F、O係分別從以該方法測定之C1s、F1s、O1s的峰值面積之測定值算出。
<印墨密著性之評估>
使用厚125μm、大小15cm×15cm的正方形聚醯亞胺薄膜(商品名：Upilex 125S、宇部興產公司製)來替代鋁箔，除此以外以與前述<F/(C+F+O)之測定>同樣的方式製作積層有由第一金屬板、聚醯亞胺薄膜及環氧樹脂板形成的評估試樣。
將紫外線(UV)硬化型印墨(產品型號：4466、Markem Imaje製)以乙酸乙酯稀釋3倍。將已稀釋之印墨使用棒塗機 #3塗佈於評估試樣之環氧樹脂面(評估試樣製作時曾與脫模膜之第1面接觸之面)。塗佈量係設為1g/m2。塗佈後，將評估試樣放入100℃之熱風烘箱並使其乾燥3分鐘。
將已塗佈且乾燥有上述印墨之評估試樣於UV照射裝置在10秒鐘、3kW之條件下照射UV，使印墨硬化而形成印墨層。
依據ISO2409(JIS K5600-5-6-2009)評估已形成之印墨層相對於環氧樹脂面的密著性。從其結果，從其結果，以下述基準評估印墨密著性。◎及○係實用上可接受的評估基準。
◎(優良)：於任一方格之網目均無剝離。
○(良好)：於一部分方格發現剝離。
△(不良)：於50%以上之方格發現剝離。
×(不可)：整面發現剝離。
<脫模性之評估>
依照JIS K6854-2：1999，以下述方式進行脫模膜與熱硬化性環氧樹脂之180度剝離試驗，以測定剝離力。剝離力愈小，脫模性愈佳。
(a)以與<F/(C+F+O)之測定>同樣的方法獲得積層有由第一金屬板、鋁箔及環氧樹脂板(硬化物)形成的評估試樣。
(b)將前述評估試樣切斷成25mm寬。
(c)使用前述25mm寬的評估試樣，使用拉伸試驗機(Orientec公司製RTC-131-A)在100mm/分之速度下測定常溫 下之脫模膜及熱硬化性環氧樹脂的180度剝離力。
(d)在力(N)-夾取移動距離曲線中求出夾取移動距離25mm至125mm間之剝離力的平均值。
(e)求出5個評估試樣之剝離力的平均值(單位為N/cm)之算術平均。
(F/Al之測定)
於厚1mm之厚紙(大小5cm×10cm)上載置厚0.1mm且由JIS H4160中之A1N30H-H18材料所構成的鋁板(大小5cm×10cm)，於其上載置脫模膜(大小5cm×10cm)並使第1面朝向下側(鋁板側)，更於其上(第1面側)載置厚1mm之厚紙(大小5cm×10cm)而製成積層試樣。將該積層試樣放入已以180℃加熱之壓製機(50t壓製機、壓製面積45cm×50cm)，在5MPa之壓力下壓製5分鐘。壓製後去除兩側之厚紙，從鋁板剝離脫模膜並藉由X射線光電子分光分析(XPS)將鋁板曾與脫模膜接觸之表面進行分析。從其分析結果求出該表面中氟原子(atomic%)相對於鋁原子(atomic%)之比(F/Al)。
於XPS係使用ULVAC-PHI公司製QuanteraSXM型的X射線光電子分光分析裝置。作為X射線源係在15kV、25W下使用單色化AlK α線，並將X射線照射面光電子檢測角設為45度，將光電子之Pass Energy設為224eV。又，F/Al係從以該方法所測定之F1s及Al1s的測定值算出。
(污染性評估(替代試驗))
於厚1mm之厚紙(大小13cm×13cm)上載置厚1mm且經鏡面加工之不鏽鋼板(SUS303製、13cm×13cm)並使鏡面加 工面(60度鏡面光澤度為680)朝向上側(與厚紙為相反側)，於其上載置脫模膜(大小13cm×13cm)並使第1面朝向下側(不鏽鋼板側)，更於其上(第1面側)載置厚1mm之厚紙(大小13cm×13cm)而製成積層試樣。將該積層試樣放入已以180℃加熱之壓製機(50t壓製機、壓製面積45cm×50cm)，在1MPa之壓力下壓製5分鐘。壓製後，去除兩側之厚紙，從不鏽鋼板剝離脫模膜並測定不鏽鋼板之鏡面加工面(曾與脫模膜接觸之面)的60度鏡面光澤度。
重複上述試驗直至不鏽鋼板之鏡面加工面(曾與脫模膜接觸之面)的60度鏡面光澤度成為500以下。試驗次數愈多，表示該脫模膜相接之另一面(模具之模槽面或樹脂密封部之表面)愈難被污染。
不鏽鋼板之鏡面加工面的60度鏡面光澤度係依照ISO7668：1984藉由日本電色工業公司製之光澤度計PG-1M所測定。
[例1]
藉由已將模唇調整成厚度為50μm的擠壓機，在320℃下熔融擠壓氟樹脂(1)而製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例1之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
又，氟樹脂膜之製造條件如下述。
擠壓機條件：擠壓機缸體口徑65mm、旋轉數20rpm、螺旋計量部溝深度0.5cm、計量部剪切速度14s-1、L/D=26、 L(計量部)/D=8。
捲回條件：金屬鏡面輥(Ra0.05、表面溫度180℃)、擠壓抵接橡膠輥(蕭氏D硬度70、表面溫度180℃、壓機壓力98N/cm)
排氣條件：於壓縮部設置排放孔並將排放管線之氣壓設為500Pa。
[例2]
除使用氟樹脂(2)作為氟樹脂以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例2之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
[例3]
除使用氟樹脂(3)作為氟樹脂以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例3之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
[例4]
將例3之氟樹脂膜浸漬於ASAHICLEAN AK225(旭硝子公司製)，在40℃之條件下放置3日後，再以乾淨的ASAHICLEAN AK225洗淨，在60℃下乾燥1小時，並令此為例4之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
[例5]
除了使用氟樹脂(4)作為氟樹脂並將熔融擠壓溫度設為380℃以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例5之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
[例6]
除了使用氟樹脂(5)作為氟樹脂以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例6之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
[例7]
除了使用氟樹脂(6)作為氟樹脂以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜，並令此為例7之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
[例8]
對例5之氟樹脂膜進行與例4相同的處理，並令此為例8之脫模膜。測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
[例9]
除了將薄膜之製造條件變更如下以外，以與例1同樣的方式製造厚度50μm之氟樹脂膜並令此為例9之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
又，氟樹脂膜之製造條件如下述。
擠壓機條件：擠壓機缸體口徑65mm、旋轉數40rpm、螺旋計量部溝深度0.2cm、計量部剪切速度：85s-1、L/D=26、 L(計量部)/D=8。
捲回條件：金屬鏡面輥(Ra0.05、表面溫度90℃)、擠壓抵接橡膠輥(蕭氏D硬度70、表面溫度90℃、壓機壓力98N/cm)
通氣條件：未設排氣孔。
[例10]
將例3中所製造之薄膜旋出並使其通過以下記載條件之輥件間2次後予以捲取。
金屬鏡面輥(Ra0.05、表面溫度190℃)、擠壓抵接橡膠輥(蕭氏D硬度80、表面溫度190℃、壓機壓力294N/cm)
令此為例10之脫模膜。測定該脫模膜之F/(C+F+O)並將結果顯示於表1。
又，測定該脫模膜之F/Al並將結果顯示於表2。
針對例1~7及9~10中所得脫模膜進行印墨密著性及脫模性之評估。結果顯示於表1。
又，表1中，「(3)*1」係表示已將氟樹脂(3)予以溶劑萃取處理者，「(1)*2」係表示雖與氟樹脂(1)為相同單體單元組成之氟樹脂但以不同製造條件所製得的氟樹脂，「(3)*3」係表示已將氟樹脂(3)之薄膜進行輥件轉印處理者。
如下述結果所示，F/(C+F+O)為0.1~0.3的例1、2、4及10的脫模膜與環氧樹脂板(硬化性樹脂之硬化物)之脫模性佳。又，使用該等脫模膜形成的環氧樹脂板具有優異的印墨密著性。相對地，使用F/(C+F+O)超過0.3的例3、5、7及9之脫模膜而形成的環氧樹脂板則印墨密著性不夠充 分。F/(C+F+O)低於0.1的例6之脫模膜與環氧樹脂板之脫模性不夠充分。
針對例1~5及8~9中所得脫模膜進行污染性評估。結果顯示於表2。
又，表2中，「(3)*1」係表示已將氟樹脂(3)予以溶劑萃取處理者，「(4)*1」係表示已將氟樹脂(4)予以溶劑萃取處理者，「(1)*2」係表示雖與氟樹脂(1)為相同單體單元組成之氟樹脂但以不同製造條件所製得的氟樹脂。
如下述結果所示，F/Al為0.2~4的例1、2、4、8之脫模膜不易使該脫模膜相接之另一面受污染。
產業上之可利用性
本發明之脫模膜在以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳且可抑制脫模膜所致之樹脂密封部污染，並可形成與印墨層之密著性優異的樹脂密封部。使用本發明之脫模膜，可製造積成有電晶體、二極體等半導體元件 的積體電路等半導體封裝件。
又，在此係引用已於2013年11月7日提出申請之日本專利申請案2013-231364號及日本專利申請案2013-231365號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之全部內容，並納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (10)

  1. 一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；其特徵在於：該脫模膜具有在前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面，其中至少前述第1面係由氟樹脂所構成；前述氟樹脂為乙烯/四氟乙烯共聚物，其係由以四氟乙烯為主體之單元、以乙烯為主體之單元、以及以四氟乙烯及乙烯以外的第3單體為主體之單元所構成；前述乙烯/四氟乙烯共聚物之總單元中，以四氟乙烯為主體之單元為40~69.7莫耳%，以乙烯為主體之單元為30~59.7莫耳%，以前述第3單體為主體之單元為0.3~1.7莫耳%；又，該脫模膜於下述試驗法A中之F/Al為0.2~4，或者，於下述試驗法B中之F/(C+F+O)為0.1~0.3；<試驗法A>依序將厚1mm之厚紙、脫模膜、厚0.1mm且由JIS H4160中之A1N30H-H18材料所構成之鋁板、以及厚1mm之厚紙以令前述第1面與前述鋁板相接的方式重疊，在180℃、5MPa之條件下壓製5分鐘後，將前述脫模膜自前述鋁板剝離，並藉由X射線光電子分光分析對前述 鋁板之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於鋁原子之比(F/Al)；<試驗法B>於厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第一金屬板上，載置厚100μm且大小15cm×15cm的正方形鋁箔，並於前述鋁箔上載置一分隔件，該分隔件為厚100mm、大小15cm×15cm之正方形且中央開設有10cm×8cm的長方形孔，於其孔之中心附近載置2g下述環氧樹脂，更於其上載置大小15cm×15cm的正方形脫模膜並使前述第1面朝向前述分隔件側後，於其上載置厚3mm且大小15cm×15cm的正方形第二金屬板來製作積層試樣；在180℃、10MPa之條件下將前述積層試樣壓製5分鐘，使前述環氧樹脂硬化，壓製後除去前述第二金屬板、前述脫模膜及前述分隔件，藉由X射線光電子分光分析對前述環氧樹脂硬化物之曾與前述脫模膜接觸之表面進行分析，求出氟原子相對於碳原子、氟原子及氧原子之和的比(F/(C+F+O))；環氧樹脂：半導體密封用環氧顆粒樹脂、商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製。
  2. 如請求項1之脫模膜，其厚度為16~200μm。
  3. 如請求項1或2之脫模膜，其係由前述氟樹脂所構成之單層結構薄膜。
  4. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚 物中以四氟乙烯為主體之單元與以乙烯為主體之單元之莫耳比(TFE/E)為80/20~40/60。
  5. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述第3單體為六氟丙烯、全氟(丙基乙烯基醚)、(全氟乙基)乙烯或(全氟丁基)乙烯。
  6. 如請求項5之脫模膜，其中前述第3單體為(全氟丁基)乙烯。
  7. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物之熔融流量(MFR)為2~40g/10分。
  8. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述脫模膜係由已使氟樹脂膜接觸溶劑藉此減低可被溶劑萃取之成分的氟樹脂膜所構成。
  9. 一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件及樹脂密封部，該樹脂密封部係由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如請求項1至8中任一項之脫模膜配置於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之 樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模之步驟。
  10. 一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件、由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部、及形成於前述樹脂密封部表面之印墨層；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如請求項1至8中任一項之脫模膜配置於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；將前述密封體自前述模具脫模的步驟；及於前述密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨來形成印墨層的步驟。
TW103138774A 2013-11-07 2014-11-07 Release film and method of manufacturing semiconductor package TWI632042B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013231365 2013-11-07
JP2013231364 2013-11-07
JP2013-231364 2013-11-07
JP2013-231365 2013-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201521989A TW201521989A (zh) 2015-06-16
TWI632042B true TWI632042B (zh) 2018-08-11

Family

ID=53041582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103138774A TWI632042B (zh) 2013-11-07 2014-11-07 Release film and method of manufacturing semiconductor package

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9859133B2 (zh)
JP (1) JP6481616B2 (zh)
KR (1) KR102208014B1 (zh)
CN (1) CN105705308B (zh)
DE (1) DE112014005113B4 (zh)
MY (1) MY173073A (zh)
TW (1) TWI632042B (zh)
WO (1) WO2015068807A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
WO2018008563A1 (ja) * 2016-07-04 2018-01-11 旭硝子株式会社 フィルムおよびその製造方法
WO2018008562A1 (ja) * 2016-07-04 2018-01-11 旭硝子株式会社 エチレン－テトラフルオロエチレン系共重合体フィルムおよびその製造方法
MX2019007791A (es) * 2016-12-29 2019-08-16 Saint Gobain Pelicula de pvb para proyecciones de informacion sobre pantalla (hud), molde de formacion y metodo de formacion de la misma.
JP6968893B2 (ja) * 2017-08-30 2021-11-17 創光科学株式会社 発光装置
JP2020026078A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 株式会社ミマキエンジニアリング 転写方法
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
US20200168557A1 (en) * 2018-11-28 2020-05-28 Chung-Che Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
CN110571197A (zh) * 2019-08-07 2019-12-13 广东芯华微电子技术有限公司 一种多芯片嵌入式abf封装结构及其制造方法
CN110581109A (zh) * 2019-08-07 2019-12-17 广东芯华微电子技术有限公司 一种多芯片嵌入式异构封装结构及其制造方法
KR102325676B1 (ko) 2019-12-18 2021-11-11 황진상 반도체 패키지 몰드용 이형필름 및 그 제조방법
KR102304403B1 (ko) 2019-12-18 2021-09-17 황진상 반도체 패키지 몰드용 이형필름 및 그 제조방법
JP7300418B2 (ja) 2020-05-11 2023-06-29 信越化学工業株式会社 離型フィルムおよび半導体部品の封止方法、樹脂成型物の製造方法
CN111716619A (zh) * 2020-06-03 2020-09-29 南通市众惠模具有限公司 一种高清理效率的发泡模具加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201334939A (en) * 2012-01-30 2013-09-01 Asahi Glass Co Ltd Release film and method of manufacturing semiconductor device using same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173766A (en) 1990-06-25 1992-12-22 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package and method of making such a package
JP2803744B2 (ja) 1996-08-27 1998-09-24 サンケン電気株式会社 樹脂封止型電子部品のマーキング方法
JP3970464B2 (ja) * 1999-02-26 2007-09-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
EP1922364A4 (en) * 2005-08-09 2010-04-21 Univ North Carolina METHODS AND MATERIALS FOR MANUFACTURING MICROFLUIDIC DEVICES
KR20090018032A (ko) 2006-04-25 2009-02-19 아사히 가라스 가부시키가이샤 반도체 수지 몰드용 이형 필름
CN101506961B (zh) * 2006-08-18 2011-01-05 旭硝子株式会社 半导体树脂模塑用脱模膜
SG172062A1 (en) 2009-01-08 2011-07-28 Asahi Glass Co Ltd Mold-releasing film and method for manufacturing light emitting diode
JP2011044565A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Citizen Electronics Co Ltd チップ型発光ダイオード。
EP2481546A1 (en) 2009-09-24 2012-08-01 Asahi Glass Company, Limited Mold release film, and method for manufacturing light emitting diode
WO2011068129A1 (ja) 2009-12-03 2011-06-09 旭硝子株式会社 含フッ素共重合体ナノコンポジットの製造方法
WO2012026556A1 (ja) * 2010-08-25 2012-03-01 ダイキン工業株式会社 複雑形状フッ素ゴム成形体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201334939A (en) * 2012-01-30 2013-09-01 Asahi Glass Co Ltd Release film and method of manufacturing semiconductor device using same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201521989A (zh) 2015-06-16
MY173073A (en) 2019-12-24
CN105705308B (zh) 2017-12-29
US20160189985A1 (en) 2016-06-30
WO2015068807A1 (ja) 2015-05-14
JPWO2015068807A1 (ja) 2017-03-09
KR102208014B1 (ko) 2021-01-26
US9859133B2 (en) 2018-01-02
DE112014005113B4 (de) 2024-02-22
DE112014005113T5 (de) 2016-09-01
JP6481616B2 (ja) 2019-03-13
KR20160086323A (ko) 2016-07-19
CN105705308A (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI632042B (zh) Release film and method of manufacturing semiconductor package
TWI707758B (zh) 脫模膜、其製造方法及半導體封裝件之製造方法
JP6402786B2 (ja) フィルム、およびその製造方法
JP6515934B2 (ja) 離型フィルムおよび半導体パッケージの製造方法
TWI668092B (zh) Method for manufacturing semiconductor component mounting package and release film
JP6375546B2 (ja) 離型フィルム、および封止体の製造方法
JP6515933B2 (ja) 離型フィルム、その製造方法および半導体パッケージの製造方法
TW201841734A (zh) 模具成型用離型膜及模具成型方法
TW201629147A (zh) 環氧樹脂組成物、薄膜狀環氧樹脂組成物、硬化物及電子裝置
JP7005906B2 (ja) 多層樹脂シート、多層樹脂シートの製造方法、多層樹脂シート硬化物、多層樹脂シート積層体、及び多層樹脂シート積層体硬化物
TW201623430A (zh) 密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及電子裝置